CN116508140A - 晶圆片的初始剥离发生方法及半导体裸片的拾取装置 - Google Patents

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Abstract

本发明使载台(20)上升，上推晶圆片(12)的下表面(12b)，以载台(20)的吸附面(22a)摩擦晶圆片(12)的下表面(12b)的方式，使载台(20)相对于晶圆片(12)沿着横方向相对移动，而在半导体裸片(15)与晶圆片(12)之间发生初始剥离。

Description

晶圆片的初始剥离发生方法及半导体裸片的拾取装置
技术领域
本发明涉及一种在拾取半导体裸片之前在半导体裸片与晶圆片之间发生初始剥离的初始剥离发生方法、及拾取贴附于晶圆片的上表面的半导体裸片的半导体裸片的拾取装置的结构。
背景技术
半导体裸片是将大小6英寸或8英寸的晶圆切断成规定的大小而制造。在切断时，为了避免所切断的半导体裸片变得散乱，而在背面贴附晶圆片，利用划片机等从表面侧切断晶圆。此时，贴附于背面的晶圆片虽然被切入一定程度，但未被切断，成为保持有各半导体裸片的状态。然后，将所切断的各半导体裸片逐个从晶圆片拾取，并送至粘晶等下一工序。
作为从晶圆片拾取半导体裸片的方法，提出有如下方法：将贴附有半导体裸片的晶圆片固定于载台，一边使设置有多个突起构件的辊旋转，一边利用多个突起构件将晶圆片反复顶起，将半导体裸片与晶圆片剥离后，用吸嘴拾取半导体裸片(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2003-224088号公报
发明内容
发明所要解决的问题
但是，在现有技术的拾取方法中，存在发生晶圆片的粘着力未使半导体裸片与晶圆片完全剥离而无法拾取半导体裸片的拾取错误的情况。
因此，本发明的目的在于在半导体裸片的拾取装置中减少半导体裸片的拾取错误。
解决问题的技术手段
本发明的初始剥离发生方法在拾取贴附于晶圆片的上表面的半导体裸片之前在半导体裸片与晶圆片之间发生初始剥离，所述初始剥离发生方法的特征在于包括：准备工序，准备拾取装置，所述拾取装置拾取贴附于晶圆片的上表面的半导体裸片，所述拾取装置包括：晶圆保持器，保持上表面贴附有半导体裸片的晶圆片；及载台，包括吸附晶圆片的下表面的吸附面，为筒型，且以曲面连接吸附面与侧面；以及初始剥离发生工序，使载台上升，将晶圆片的下表面上推，以载台的吸附面摩擦晶圆片的下表面的方式，使载台相对于晶圆片沿着横方向相对移动，从而在半导体裸片与晶圆片之间发生初始剥离。
在拾取半导体裸片之前，在初始剥离发生工序中所要拾取的半导体裸片的边缘部发生初始剥离，减小半导体裸片与晶圆片的粘着力，因此能够减少半导体裸片的拾取错误。
在本发明的初始剥离发生方法中，初始剥离发生工序可为使载台相对于晶圆片连续移动，也可为将晶圆片的下表面上推3mm～5mm。
由此，在半导体裸片的边缘部有效地发生初始剥离，而能够减小半导体裸片与晶圆片的粘着力，从而能够减少半导体裸片的拾取错误。
在本发明的初始剥离发生方法中，初始剥离发生工序可以吸附面摩擦与贴附有半导体裸片的晶圆片的上表面的区域相对应的晶圆片的下表面的区域的一部分或全部的方式，使载台相对于晶圆片沿着横方向相对移动。
由此，使所要拾取的半导体裸片与晶圆片发生初始剥离，而能够减小粘着力。
在本发明的初始剥离发生方法中，初始剥离发生工序可交替重复执行如下工序：往返工序，使载台沿着第一横方向往返移动；及往返路径变更工序，使载台沿着与第一横方向正交的第二横方向移动，而变更往返移动路径。
若使载台相对于晶圆片沿着横方向相对移动，则在所要拾取的贴附有半导体裸片的晶圆片的部分覆于载台的吸附面上时、及离开载台的吸附面上时，在半导体裸片的边缘部与晶圆片之间发生初始剥离。通过使载台相对于晶圆片往返移动，在半导体裸片与晶圆片之间发生多次初始剥离，减小半导体裸片与晶圆片之间的粘着力，而能够减少半导体裸片的拾取错误。
在本发明的初始剥离发生方法中，可为晶圆片为圆形，第一横方向为晶圆片的圆周方向，第二横方向为晶圆片的半径方向。
在晶圆片为圆形的情况下，通过使载台相对于晶圆片沿着圆周方向相对移动，而能够减少朝向第二横方向的移动次数，通过简便的方法使半导体裸片与晶圆片之间发生初始剥离，而能够减小半导体裸片与晶圆片之间的粘着力。
在本发明的初始剥离发生方法中，可为晶圆片为圆形，初始剥离发生工序在载台从晶圆片的外周朝向中心或从中心朝向外周以螺旋状横移后，使其从晶圆片的中心朝向外周或从外周朝向中心以螺旋状横移。
在晶圆片为圆形的情况下，通过使载台相对于晶圆片以螺旋状往返移动，而通过简便的动作有效地使半导体裸片与晶圆片之间发生初始剥离，而能够减小半导体裸片与晶圆片之间的粘着力。
本发明的半导体裸片的拾取装置拾取贴附于晶圆片的上表面的半导体裸片，所述半导体裸片的拾取装置包括：晶圆保持器，保持上表面贴附有半导体裸片的晶圆片；晶圆保持器驱动部，沿着横方向驱动晶圆保持器；载台，包括吸附晶圆片的下表面的吸附面，为筒型，且以曲面连接吸附面与侧面；载台驱动部，沿着上下方向驱动载台；及控制部，对晶圆保持器驱动部与载台驱动部的动作进行调整，所述半导体裸片的拾取装置的特征在于：控制部通过载台驱动部使载台上升，将晶圆片的下表面上推，以载台的吸附面摩擦晶圆片的下表面的方式，通过晶圆保持器驱动部使载台相对于晶圆片沿着横方向相对移动。
如上所述，在使载台上升而将晶圆片的下表面上推的状态下，以摩擦晶圆片的下表面的方式使载台相对于晶圆片沿着横方向相对移动，由此使所要拾取的半导体裸片的边缘部发生初始剥离，减小半导体裸片与晶圆片之间的粘着力。并且，在减小粘着力后，拾取半导体裸片，因此能够减少半导体裸片的拾取错误。
发明的效果
本发明能够在半导体裸片的拾取装置中减少半导体裸片的拾取错误。
附图说明
图1是表示实施方式的半导体裸片的拾取装置的结构的系统图。
图2是表示图1所示的半导体裸片的拾取装置的动作的流程图。
图3是表示图1所示的半导体裸片的拾取装置的初始剥离发生工序的说明图，为表示通过载台将晶圆片的下表面上推第一高度H1的状态的截面图。
图4是表示图1所示的半导体裸片的拾取装置的初始剥离发生工序的说明图，为表示载台相对于晶圆片进行相对移动的路径的平面图。
图5是表示图3所示的A部中的半导体裸片从晶圆片剥离的状态的第一模式的放大截面图。
图6是表示图3所示的A部中的半导体裸片从晶圆片剥离的状态的第二模式的放大截面图。
图7是表示在图1所示的半导体裸片的拾取装置中用吸嘴拾取半导体裸片的状态的截面图。
图8是表示图1所示的半导体裸片的拾取装置的初始剥离发生工序的说明图，为表示载台相对于晶圆片进行相对移动的另一路径的平面图。
图9是表示图1所示的半导体裸片的拾取装置的初始剥离发生工序的说明图，为表示载台相对于晶圆片进行相对移动的另一路径的平面图。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式的半导体裸片15的拾取装置100进行说明。在以下说明中，将水平面上彼此正交的方向分别设为X方向、Y方向，将上下方向设为Z方向，进行说明。
如图1所示，实施方式的半导体裸片15的拾取装置100(以下称为拾取装置100)包括晶圆保持器10、载台20、吸嘴18、晶圆保持器驱动部61、载台驱动部62、吸嘴驱动部63、真空阀64、真空阀65、真空装置68、及控制部70。
晶圆保持器10包括具有凸缘部的圆环状的膨胀环16及压环部17，保持上表面12a贴附有将晶圆11切断而成的半导体裸片15的晶圆片12。晶圆保持器10通过晶圆保持器驱动部61而沿着横方向即XY方向移动。
这里，上表面12a贴附有半导体裸片15的晶圆片12以如下方式由晶圆保持器10所保持。晶圆11在背面贴附有晶圆片12，在晶圆片12的外周部安装有金属制的环13。在切断工序中，利用划片机等将晶圆11从表面侧切断，成为各半导体裸片15，划片时在各半导体裸片15之间产生间隙14。即使将晶圆11切断，晶圆片12也不会被切断，各半导体裸片15由晶圆片12所保持。
将上表面12a贴附有半导体裸片15的晶圆片12的下表面12b以与膨胀环16的保持面16a上相接的方式载置，加以调整以使环13的位置处于膨胀环16的凸缘16b上。然后，如图1中的箭头80所示那样，利用压环部17将环13从上方压抵于膨胀环16的凸缘16b上，并固定于凸缘16b上。由此，由晶圆保持器10保持上表面12a贴附有半导体裸片15的晶圆片12。此时，晶圆片12的下表面12b固定于膨胀环16的保持面16a的外周端。
载台20配置于晶圆保持器10的下表面。载台20包括圆筒形状的圆筒部21、及圆筒部21的上侧的作为盖的上端板22。上端板22的表面是吸附晶圆片12的下表面12b的吸附面22a。吸附面22a为平面，通过曲面状的角部25与圆筒部21的侧面连接。在上端板22的中央设置有供移动要素30出入的开口23，在开口23的周围设置有吸附晶圆片12的下表面12b的吸附孔24。在圆筒部21的内部设置有移动要素30、及驱动移动要素30的移动要素驱动部29。移动要素30包括配置于载台20的中心的第一顶起销31、及配置于第一顶起销31的外周的圆筒状的第二顶起销32。移动要素驱动部29在内部包括驱动马达、齿轮、连杆机构等，以使第一顶起销31与第二顶起销32穿过开口23而从吸附面22a突出的方式沿着上下方向驱动。载台20通过载台驱动部62而整体沿着上下方向移动。而且，载台20的内部经由真空阀64连接于真空装置68。
吸嘴18配置于晶圆片12的上侧，在下表面12b吸附保持半导体裸片15，并且从晶圆片12的上表面12a拾取半导体裸片15。吸嘴18设置有用于在下表面12b真空吸附半导体裸片15的抽吸孔19。抽吸孔19经由真空阀65连接于真空装置68。吸嘴18通过吸嘴驱动部63而沿着上下左右方向移动。
晶圆保持器驱动部61、载台驱动部62、吸嘴驱动部63、真空阀64、真空阀65、真空装置68、及移动要素驱动部29连接于控制部70，根据控制部70的指令而运行。控制部70是包括作为内部进行信息处理的处理器的中央处理器(central processing unit，CPU)71、及储存程序等的存储器72的计算机。
其次，参照图2至图7对通过拾取装置100拾取半导体裸片15的动作进行说明。
如图2的步骤S101所示，控制部70的CPU 71开始初始剥离发生工序。CPU 71驱动载台驱动部62，将载台20的吸附面22a压抵于晶圆片12的下表面12b。然后，如图3所示，将晶圆片12的下表面12b从初始高度上推第一高度H1。此时，贴附于晶圆片12上的半导体裸片15之间的间隙14的宽度为宽度W1。
这里，如下文所说明那样，第一高度H1是能够通过以载台20的吸附面22a摩擦晶圆片12的下表面12b的方式沿着横方向相对移动而在半导体裸片15与晶圆片12之间形成初始剥离75、初始剥离76(参照图5、图6)的高度，例如可设为3mm～5mm左右的高度。此外，在通常的半导体裸片15的拾取动作时，也通过载台20上推晶圆片12，但此时的上推高度大致为1mm左右，因此初始剥离发生工序时的晶圆片12的上推高度高于通常的半导体裸片15的拾取动作时的上推量。
接着，如图2的步骤S102所示，控制部70的CPU 71通过晶圆保持器驱动部61使晶圆保持器10如图3中所示的箭头B那样沿着作为横方向的XY方向移动。由此，载台20如图3中箭头C所示那样，相对于晶圆片12沿着作为横方向的XY方向相对移动。
载台20相对于晶圆片12的朝向横方向的移动的路径可采用各种路径，图4中示出一例。首先，如图4中的箭头81所示那样，使载台20相对于晶圆片12朝向作为第一横方向的X方向的正侧移动，然后，将移动方向反转，如图4中的箭头82所示那样，使载台20相对于晶圆片12朝向X方向的负侧移动。接着，如图4中箭头83所示那样，使载台20朝向作为第二横方向的Y方向的正侧移动后，再次如图4中的箭头84、箭头85所示那样，使载台20沿着X方向往返移动。这样，交替反复进行使载台20相对于晶圆片12沿着X方向往返移动的往返工序与使载台20沿着Y方向移动而变更往返移动路径的往返路径变更工序，使载台20相对于晶圆片12沿着横方向相对移动。由此，能够使载台20沿着XY方向在与贴附有半导体裸片15的晶圆片12的上表面12a的区域相对应的晶圆片12的下表面12b全部区域移动。
接着，参照图5、图6，对使载台20相对于晶圆片12沿着横方向相对移动的情况下的半导体裸片15与晶圆片12的上表面12a之间的剥离的发生进行说明。
通过载台20将晶圆片12的下表面12b上推第一高度H1后，晶圆片12的下表面12b沿着载台20的曲面状的角部25弯曲，朝向膨胀环16而向斜下方向延伸。因此，如图5的箭头86所示那样，若使晶圆保持器10朝向X方向的负侧移动，则载台20相对于晶圆片12而如图5中的箭头87那样向X方向的正侧移动，载台20的吸附面22a以摩擦晶圆片12的下表面12b的方式向X方向的正侧相对移动。
图5表示半导体裸片15的X方向的正侧与晶圆片12的上表面12a之间的粘着力大于X方向负侧的粘着力的情况。在所述情况下，若半导体裸片15靠近载台20的角部25，则半导体裸片15的X方向的正侧的部分成为贴附于从角部25向斜下方向延伸的晶圆片12的上表面12a的状态，粘着力小的半导体裸片15的X方向的负侧的边缘部如图5中的箭头88所示那样，从晶圆片12的上表面12a剥离，而形成初始剥离75。此时，半导体裸片15与位于X方向负侧的其他半导体裸片15a的间隙14的上端部的宽度成为比当初的间隙14的宽度W1更大的宽度W2。因此，在使载台20相对于晶圆片12沿着横方向移动时，不存在半导体裸片15与邻接的其他半导体裸片15a接触而发生开裂或缺欠的情况。
图6表示相反地半导体裸片15的X方向的负侧与晶圆片12的上表面12a之间的粘着力大于X方向正侧的粘着力的情况。在所述情况下，若半导体裸片15靠近载台20的角部25，则半导体裸片15的X方向的负侧的部分成为贴附于沿着载台20的吸附面22a在水平方向上延伸的晶圆片12的上表面12a的状态。另一方面，若半导体裸片15靠近载台20的角部25，则贴附有半导体裸片15的X方向的正侧的边缘部的晶圆片12的部分如图6中的箭头89所示那样，以从载台20的角部25朝向膨胀环16的方式向斜下方向弯曲。由此，晶圆片12从半导体裸片15的X方向的正侧的边缘部剥离，而形成初始剥离76。此时，半导体裸片15与位于X方向负侧的其他半导体裸片15a的间隙14的上端部的宽度成为与当初的间隙14的宽度W1相同的宽度W1。因此，不存在半导体裸片15与邻接的其他半导体裸片15a接触而发生开裂或缺欠的情况。
如上文参照图4所说明那样，若以载台20的吸附面22a摩擦晶圆片12的下表面12b的方式使载台20相对于晶圆片12往返移动，则半导体裸片15在去路与来路上每次都形成初始剥离75或初始剥离76。由此，在半导体裸片15的边缘部形成初始剥离75或初始剥离76，半导体裸片15与晶圆片12之间的粘着力减小。而且，在使载台20相对于晶圆片12沿着XY方向移动时，存在参照图5、图6所说明的初始剥离75、初始剥离76的半导体裸片15再次贴附于晶圆片12的上表面12a的情况。但是，再次贴附的部位的粘着力小于初始的粘着力，因此半导体裸片15与晶圆片12的粘着力减小。
在图2的步骤S103中，控制部70的CPU 71判断是否已使载台20沿着XY方向在与贴附有半导体裸片15的晶圆片12的上表面12a的区域相对应的晶圆片12的下表面12b的全部区域移动。即，判断是否已利用载台20的吸附面22a摩擦了图4所示的贴附于晶圆片12的上表面12a的全部半导体裸片15的下侧的晶圆片12。CPU 71在图2的步骤S103中判断为否的情况下，返回图2的步骤S102，继续使载台20相对于晶圆片12沿着横方向相对移动。另一方面，CPU 71在图2的步骤S103中判断为是的情况下，结束初始剥离发生工序，进入图2的步骤S104而开始拾取工序。
如图2的步骤S104所示那样，控制部70的CPU 71通过晶圆保持器驱动部61使晶圆保持器10沿着XY方向移动，使载台20的吸附面22a移动至所要拾取的半导体裸片15下。
接着，如图2的步骤S105所示那样，控制部70的CPU 71通过载台驱动部62使载台20上升，将晶圆片12的下表面12b上推第二高度H2(参照图7)。第二高度H2是与上文所说明的通常的半导体裸片15的拾取动作时的上推高度同样的高度，例如为1mm左右，小于上文所说明的第一高度H1。
接着，如图2的步骤S106所示，控制部70的CPU 71开启真空阀64，使载台20的内部成为真空。由此，载台20的吸附孔24成为真空，使晶圆片12的下表面12b密接于载台20的吸附面22a上。
然后，如图2的步骤S107、图7所示，控制部70的CPU 71通过移动要素驱动部29使构成移动要素30的第一顶起销31与第二顶起销32从吸附面22a上升，从晶圆片12下顶起所要拾取的半导体裸片15。而且，控制部70通过吸嘴驱动部63使吸嘴18的位置移动至所要拾取的半导体裸片15的正上方，开启真空阀65，使吸嘴18的抽吸孔19成为真空，而通过吸嘴18拾取半导体裸片15。
控制部70的CPU 71判断在图2的步骤S108中是否已全部拾取所要拾取的半导体裸片15。CPU 71在图2的步骤S108中判断为否的情况下，返回图2的步骤S104，进行下一半导体裸片15的拾取。
另一方面，在图2的步骤S108中判断为是的情况下，CPU 71结束拾取工序而结束动作。
以上所说明的拾取装置100通过初始剥离发生工序在所要拾取的半导体裸片15的边缘部发生初始剥离75、初始剥离76，减小半导体裸片15与晶圆片12之间的粘着力后，执行拾取工序而拾取半导体裸片15，因此能够减少半导体裸片15的拾取错误。
而且，实施方式的拾取装置100通过在初始剥离发生工序中使载台20相对于晶圆片12往返移动，而在半导体裸片15与晶圆片12之间发生多次初始剥离75、初始剥离76，减小晶圆片12的粘着力。由此，能够减少半导体裸片15的拾取错误。
在以上所说明的拾取装置100中，在初始剥离发生工序中，如图4所示，设为重复进行在使载台20相对于晶圆片12沿着X方向往返移动后变更往返移动路径的动作，而以载台20的吸附面22a摩擦晶圆片12的下表面12b的方式沿着横方向移动进行说明，但不限于此。
例如，可如图8所示，在使载台20如箭头91所示那样顺时针地沿着圆周方向移动后，将移动方向反转，而如箭头92所示那样，使其逆时针地沿着圆周方向移动，从而沿着圆周方向往返移动。然后，如图8中的箭头93所示那样，使载台20沿着半径方向移动，将往返移动路径变更为半径方向内侧后，如图8中的箭头94、箭头95那样，使载台20沿着圆周方向往返移动，并交替重复执行所述操作。
由此，能够减少朝向与圆周方向正交的半径方向的移动次数，而能够在半导体裸片15与晶圆片12之间发生初始剥离75、初始剥离76。
而且，也可以如图9的箭头97所示，使载台20从晶圆片12的外周朝向中心以螺旋状横移后，反转移动方向，使其从晶圆片12的中心朝向外周以螺旋状横移。或可相反地，使载台20从晶圆片12的中心朝向外周以螺旋状横移后，反转移动方向，使其从晶圆片12的外周朝向中心以螺旋状横移。
由此，能够通过简便的动作而有效地在半导体裸片15与晶圆片12之间发生初始剥离75、初始剥离76。
而且，在以上所说明的拾取装置100中，设为使载台20沿着XY方向在与贴附有半导体裸片15的晶圆片12的上表面12a的区域相对应的晶圆片12的下表面12b的全部区域移动后进行半导体裸片15的拾取而进行说明，但不限于此。例如，在拾取贴附于晶圆片12的上表面12a的半导体裸片15的一部分的情况下，可使载台20沿着XY方向在贴附有所要拾取的半导体裸片15的部分的晶圆片12的下表面12b的部分移动后，拾取半导体裸片15。
以上，已对实施方式的拾取装置100进行了说明，但参照图2～图7所说明的拾取装置100的动作也执行如以下的半导体裸片15与晶圆片12之间的初始剥离发生方法。
由实施方式的拾取装置100所执行的初始剥离发生方法在拾取贴附于晶圆片12的上表面12a的半导体裸片15之前，在半导体裸片15与晶圆片12之间发生初始剥离，所述初始剥离发生方法使载台20上升，将晶圆片12的下表面12b上推，以载台20的吸附面22a摩擦晶圆片12的下表面12b的方式使载台20相对于晶圆片12沿着横方向相对移动，而在半导体裸片15与晶圆片12之间发生初始剥离。
由此，能够在拾取半导体裸片15之前减小半导体裸片15与晶圆片12之间的粘着力。
符号的说明
10：晶圆保持器
11：晶圆
12：晶圆片
12a：上表面
12b：下表面
13：环
14：间隙
15：半导体裸片
16：膨胀环
16a：保持面
16b：凸缘
18：吸嘴
19：抽吸孔
20：载台
21：圆筒部
22：上端板
22a：吸附面
23：开口
24：吸附孔
25：角部
29：移动要素驱动部
30：移动要素
31：第一顶起销
32：第二顶起销
61：晶圆保持器驱动部
62：载台驱动部
63：吸嘴驱动部
64、65：真空阀
70：控制部
71：CPU
72：存储器
75、76：初始剥离
100：拾取装置

Claims (8)

1.一种初始剥离发生方法，其在拾取贴附于晶圆片的上表面的半导体裸片之前，在所述半导体裸片与所述晶圆片之间发生初始剥离，
所述初始剥离发生方法的特征在于包括：
准备工序，准备拾取装置，所述拾取装置拾取贴附于所述晶圆片的所述上表面的所述半导体裸片，所述拾取装置包括：晶圆保持器，保持在所述上表面贴附有所述半导体裸片的所述晶圆片；及载台，包括吸附所述晶圆片的下表面的吸附面，为筒型，且以曲面连接所述吸附面与侧面；以及
初始剥离发生工序，使所述载台上升，上推所述晶圆片的所述下表面，以所述载台的所述吸附面摩擦所述晶圆片的所述下表面的方式，使所述载台相对于所述晶圆片沿着横方向相对移动，而在所述半导体裸片与所述晶圆片之间发生初始剥离。
2.根据权利要求1所述的初始剥离发生方法，其特征在于：
所述初始剥离发生工序使所述载台相对于所述晶圆片连续移动。
3.根据权利要求2所述的初始剥离发生方法，其特征在于：
所述初始剥离发生工序将所述晶圆片的所述下表面上推3mm～5mm。
4.根据权利要求2或3所述的初始剥离发生方法，其特征在于：
所述初始剥离发生工序使所述载台相对于所述晶圆片沿着横方向相对移动，以使所述吸附面摩擦与贴附有所述半导体裸片的所述晶圆片的所述上表面的区域相对应的所述晶圆片的所述下表面的区域的一部分或全部。
5.根据权利要求4所述的初始剥离发生方法，其特征在于：
所述初始剥离发生工序交替重复执行如下工序：
往返工序，使所述载台沿着第一横方向往返移动；及
往返路径变更工序，使所述载台沿着与所述第一横方向正交的第二横方向移动，而变更往返移动路径。
6.根据权利要求5所述的初始剥离发生方法，其特征在于：
所述晶圆片为圆形，
所述第一横方向为所述晶圆片的圆周方向，
所述第二横方向为所述晶圆片的半径方向。
7.根据权利要求2或3所述的初始剥离发生方法，其特征在于：
所述晶圆片为圆形，
所述初始剥离发生工序中使所述载台从所述晶圆片的外周朝向中心或从中心朝向外周以螺旋状横移后，使其从所述晶圆片的中心朝向外周或从外周朝向中心以螺旋状横移。
8.一种半导体裸片的拾取装置，其拾取贴附于晶圆片的上表面的半导体裸片，所述半导体裸片的拾取装置包括：
晶圆保持器，保持所述上表面贴附有所述半导体裸片的所述晶圆片；
晶圆保持器驱动部，沿着横方向驱动所述晶圆保持器；
载台，包括吸附所述晶圆片的下表面的吸附面，为筒型，且以曲面连接所述吸附面与侧面；
载台驱动部，沿着上下方向驱动所述载台；及
控制部，对所述晶圆保持器驱动部与所述载台驱动部的动作进行调整，
所述半导体裸片的拾取装置的特征在于：
所述控制部通过所述载台驱动部使所述载台上升，上推所述晶圆片的所述下表面，并通过所述晶圆保持器驱动部，以所述载台的所述吸附面摩擦所述晶圆片的所述下表面的方式，使所述载台相对于所述晶圆片沿着横方向相对移动。
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