CN116495784B - 一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法 - Google Patents
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- XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z decaazanium;dioxido(dioxo)tungsten;hydron;trioxotungsten Chemical compound [H+].[H+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].[NH4+].O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O.[O-][W]([O-])(=O)=O XAYGUHUYDMLJJV-UHFFFAOYSA-Z 0.000 title claims abstract description 144
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 73
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 76
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 47
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 42
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- PYIDGJJWBIBVIA-UYTYNIKBSA-N lauryl glucoside Chemical compound CCCCCCCCCCCCO[C@@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O PYIDGJJWBIBVIA-UYTYNIKBSA-N 0.000 claims description 15
- -1 fatty acid ester Chemical class 0.000 claims description 7
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 claims description 3
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 claims description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 32
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 31
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 206010039509 Scab Diseases 0.000 abstract description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 69
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 14
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 11
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N nitrogen dioxide Inorganic materials O=[N]=O JCXJVPUVTGWSNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 5
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 5
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000009388 chemical precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M sodium;dodecane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCS([O-])(=O)=O DAJSVUQLFFJUSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003658 tungsten compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G41/00—Compounds of tungsten
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
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Abstract
本发明公开了一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：（1）将钨酸铵溶液加入密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升5‑15克；再加入表面活性剂，所述表面活性剂的加入量为每升1‑5克；（2）通入气体，气体加入速度为5‑15公斤/小时，50‑150转/分搅拌，所述气体为二氧化碳和氮气；（3）搅拌时间3‑7小时，至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。本发明在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，杜绝了结疤现象，具有较高结晶率，显著降低仲钨酸铵中K和Na含量，操作简单，节能环保。
Description
技术领域
本发明涉及一种提纯仲钨酸铵的方法，尤其是在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵。
背景技术
钨是一种具有高熔点、高硬度和高密度等优良特性的金属元素，广泛应用于钨钢、硬质合金、钨丝、钨酸盐及钨化合物等领域。钨的提取与分离通常是从钨矿石中进行的。其中，仲钨酸铵是钨加工过程中的一种重要中间产品，其纯度对后续钨制品的质量有着重要影响。因此，提高仲钨酸铵的纯度对钨制品制备具有重要意义。
在钨的提取和分离过程中，涉及到多种化学反应和物理过程，同时伴随着杂质的混入。常见的杂质元素包括钾、钠、锰等，这些杂质对钨制品的性能和使用寿命有一定的影响。因此，钨制品生产过程中需要对仲钨酸铵进行提纯，以获得高纯度的钨制品。
目前，钨酸铵溶液中仲钨酸铵的提纯方法主要包括化学沉淀、结晶、溶剂萃取、离子交换和膜分离等。这些方法在一定程度上可以实现仲钨酸铵的提纯，但仍存在一些问题。例如，化学沉淀法操作复杂、反应时间长、能耗高；结晶法易受杂质影响，难以获得高纯度的仲钨酸铵；溶剂萃取法和离子交换法需要使用大量有机溶剂，环境污染严重；膜分离法设备投资大，运行成本高。
为了解决上述问题，研究者们不断地在寻求一种简单、高效、环保的仲钨酸铵提纯方法。在这方面的研究中，CN 113816427 A一种仲钨酸铵的结晶工艺，在钨酸铵溶液中通入二氧化碳气体，通过控制二氧化碳气体的通入流量、或者通过加入晶种、或者通过调节钨酸铵溶液中的游离铵离子的浓度，结晶得到粒度较粗、K和Na含量较低的仲钨酸铵产品，该方法还存在结晶率低的技术缺陷。
发明内容
针对现有技术中存在的不足，本发明所要解决的技术问题是：提供一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法。
本发明的构思来自于对仲钨酸铵提纯过程的深入研究和理解，其中，主要利用了氮气和二氧化碳混合物在调节溶液酸碱度、搅拌和分散溶液、以及降低晶体表面吸附杂质等方面的协同作用，以提高仲钨酸铵晶体的纯度。
本发明提供了一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
将钨酸铵溶液加入密闭反应槽中，加入仲钨酸铵和表面活性剂，然后通入气体，并搅拌，搅拌至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥；
所述气体为二氧化碳和氮气的混合气体。
优选地，所述气体为二氧化碳和氮气按照体积比（3-7）：1组成。
优选地，所述在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，其特征在于，包括下述步骤：
（1）将钨酸铵溶液加入密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升5-15克；再加入表面活性剂，所述表面活性剂的加入量为每升1-5克；
（2）通入气体，气体加入速度为5-15公斤/小时，50-150转/分搅拌，所述气体为二氧化碳和氮气；
（3）搅拌时间3-7小时，至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
优选地，所述表面活性剂为阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂。
优选地，所述表面活性剂为十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基葡萄糖苷、聚氧乙烯失水山梨醇脂肪酸酯和烷基酚聚氧乙烯醚中的至少一种。
优选地，所述表面活性剂为十二烷基葡萄糖苷。
相对于现有技术，本发明具有下述优点：1）高结晶率：加入仲钨酸铵晶种和表面活性剂，有效促进结晶过程，杜绝了结疤现象，具有较高结晶率。2）提高纯度：采用二氧化碳和氮气的混合气体及合适表面活性剂，显著降低仲钨酸铵中K和Na含量。3）简化操作：使用密闭反应槽、气体和搅拌实现提纯，无需复杂设备和过程。4）节能与环保：低速搅拌降低能耗，使用环保气体，减少废液产生。
总之，本发明在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，杜绝了结疤现象，具有较高结晶率，显著降低仲钨酸铵中K和Na含量，操作简单，节能环保。
具体实施方式
本发明提供了一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将钨酸铵溶液加入密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升5-15克；再加入表面活性剂，所述表面活性剂的加入量为每升1-5克；
（2）向步骤（1）中通入气体，气体加入速度为5-15公斤/小时，50-150转/分搅拌，所述气体为二氧化碳和氮气；
（3）搅拌步骤（2）中反应体系搅拌3-7小时，至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
优选地，所述表面活性剂为阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂；进一步优选地，所述表面活性剂为十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基葡萄糖苷、聚氧乙烯失水山梨醇脂肪酸酯和烷基酚聚氧乙烯醚中的至少一种。 最优地，所述表面活性剂为十二烷基葡萄糖苷。
所述气体为二氧化碳和氮气的混合气体，优选地，所述气体为二氧化碳和氮气按照体积比（3-7）：1组成。本发明通入气体具有下述作用：1）调节反应条件：通入氮气和二氧化碳可以帮助调节反应条件，使反应体系保持稳定。在本发明中，通入氮气和二氧化碳可以有效地调节反应槽内的气氛，降低杂质析出的可能性。2）抑制杂质析出：通入氮气和二氧化碳可以帮助抑制杂质如K和Na的析出。氮气和二氧化碳在反应过程中形成的气泡，可以促使杂质保持在溶液中而不是沉积在晶体表面上。这样，通过本发明提纯出的仲钨酸铵具有较高的纯度。3）促进晶体生长：氮气和二氧化碳的通入有助于提高晶体生长速率。气泡的产生能够破坏晶体表面的局部平衡，从而促进晶体生长。此外，氮气和二氧化碳通入过程中产生的气泡可以增加溶液的搅拌效果，进一步提高晶体生长速率。4）辅助搅拌：通入氮气和二氧化碳可以在反应槽内形成气泡，这些气泡能够带动溶液的流动，从而增强搅拌效果。更均匀的搅拌有助于晶体生长过程中晶体之间的热量和物质传递，提高晶体生长速率和质量。综上所述，氮气和二氧化碳在本发明中能够调节反应条件、抑制杂质析出、促进晶体生长以及辅助搅拌等作用，有助于提高仲钨酸铵的结晶速率和纯度。
在本发明中将气体混合物用于提纯仲钨酸铵过程中，具有协同增效作用，比单独采用二氧化碳或氮气效果明显要好。可能的原因如下：
1）缓解局部酸碱度变化：在提纯过程中，通入二氧化碳会与钨酸铵溶液中的碱性物质反应，降低溶液的pH值，有利于仲钨酸铵的析出。然而，单独采用二氧化碳时，由于其较强的酸性，可能导致局部酸碱度变化过大。与此同时，氮气作为一种惰性气体，在混合物中可以起到稀释二氧化碳的作用，从而缓解局部酸碱度变化，有利于更均匀地促进仲钨酸铵的析出。
2）有利于气泡脱附：二氧化碳和氮气混合物在搅拌过程中产生的气泡，可以帮助分散和搅拌溶液，提高仲钨酸铵析出的均匀性。此外，氮气的加入有助于减小气泡的粘附性，使气泡在晶体表面更容易脱附，从而有利于晶体的生长。
3）提高晶体纯度：二氧化碳和氮气混合物通过搅拌、分散和气泡脱附等多种作用，有助于降低晶体表面吸附的杂质，从而提高仲钨酸铵晶体的纯度。
本发明加入仲钨酸铵具有下述作用：
1）促进结晶：加入仲钨酸铵晶种可以为溶液中析出的仲钨酸铵提供成核中心，从而促进仲钨酸铵的结晶。这有助于提高结晶速率，缩短反应时间，提高整个提纯过程的效率。
2）提高晶体质量：晶种可以改善晶体生长的形貌，使得晶体大小和形状更加均匀。这有助于提高晶体的品质，降低晶体表面的缺陷和杂质吸附。
3）提高产物纯度：由于加入仲钨酸铵晶种可以加速结晶过程，从而降低溶液中其他杂质的吸附和混入。因此，加入晶种可以提高仲钨酸铵产物的纯度。
4）控制晶体尺寸：通过调节加入的晶种量，可以对晶体的尺寸进行一定程度的控制。在一定范围内，加入量适当的晶种可以得到较大的晶体，这对后续的过滤、洗涤和干燥等步骤具有一定的优势。
本发明加入表面活性剂具有下述作用：
1）促进结晶：表面活性剂能够降低溶液的表面张力，有利于晶体的生长。通过改善晶体生长条件，表面活性剂可以提高仲钨酸铵的结晶速率和产物质量。
2）抑制杂质：表面活性剂能够与溶液中的杂质如K和Na形成络合物或吸附于其表面，阻止它们与仲钨酸铵晶体结合。这有助于提高仲钨酸铵的纯度，降低杂质含量。
表面活性剂在提纯仲钨酸铵的过程中具有诸多优点，如促进晶体生长、降低表面张力、抑制杂质沉积等。然而，表面活性剂的加入量不能过多，否则会产生一些负面影响，具体如下：
1）晶体形貌和结构影响：过多的表面活性剂可能影响晶体的形貌和结构。由于表面活性剂具有吸附性，它们可能在晶体生长过程中与晶体表面发生相互作用。过多的表面活性剂可能导致晶体表面不均匀，影响晶体的形貌和结构。
2）晶体纯度降低：表面活性剂过多可能降低晶体纯度。过多的表面活性剂可能在晶体生长过程中吸附并夹带更多的杂质，导致晶体纯度降低。
3）分离和洗涤困难：过多的表面活性剂可能增加后续分离和洗涤的难度。由于表面活性剂在晶体表面形成吸附层，可能使晶体之间产生较强的相互吸引力，导致晶体沉降速度变慢，使得分离过程变得困难。此外，过多的表面活性剂可能使洗涤过程变得复杂，需要更多次洗涤才能将表面活性剂和夹带的杂质去除干净。
因此，在本发明中控制表面活性剂的加入量控制在每升1-5克为宜。
实施例及对比例使用的原料钨酸铵溶液，采用配置原料钨酸铵溶液，每升含：150克WO3，60克总铵，20克碳酸根，0.10克K、0.10克Na、0.05克Mn。
实施例1
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基葡萄糖苷，所述表面活性剂的加入量为每升3克；
（2）向步骤（1）中通入气体，气体总的加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；所述气体为二氧化碳和氮气按照体积比3：1混合而成；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
实施例2
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基葡萄糖苷，所述表面活性剂的加入量为每升3克；
（2）向步骤（1）中通入气体，气体总的加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；所述气体为二氧化碳和氮气按照体积比5：1混合而成；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
实施例3
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基葡萄糖苷，所述表面活性剂的加入量为每升3克；
（2）向步骤（1）中通入气体，气体总的加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；所述气体为二氧化碳和氮气按照体积比7：1混合而成；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
实施例4
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基葡萄糖苷，所述表面活性剂的加入量为每升3克；
（2）向步骤（1）中通入气体，气体总的加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；所述气体为二氧化碳和氮气按照体积比2：1混合而成；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
实施例5
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基葡萄糖苷，所述表面活性剂的加入量为每升3克；
（2）向步骤（1）中通入气体，气体总的加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；所述气体为二氧化碳和氮气按照体积比8：1混合而成；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
比较例1：
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基磺酸钠，所述表面活性剂的加入量为每升3克；
（2）向步骤（1）中通入气体二氧化碳，气体加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
比较例2
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基葡萄糖苷，所述表面活性剂的加入量为每升3克；
（2）向步骤（1）中通入气体二氧化碳，气体加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
比较例3
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基葡萄糖苷，所述表面活性剂的加入量为每升3克；
（2）向步骤（1）中通入气体氮气，气体加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
比较例4
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；
（2）向步骤（1）中通入气体二氧化碳，气体加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
比较例5
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基磺酸钠，所述表面活性剂的加入量为每升8克；
（2）向步骤（1）中通入气体二氧化碳，气体加入速度为10公斤/小时，100转/分转速搅拌钨酸铵溶液；控制温度在40℃；
（3）搅拌步骤（2）的反应体系搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
比较例6
一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，包括下述步骤：
（1）将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克；再加入表面活性剂十二烷基葡萄糖苷，所述表面活性剂的加入量为每升3克；
（2）控制温度在40℃，100转/分转速搅拌6小时，确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
比较例7
一种在钨酸铵溶液中分离提纯仲钨酸铵的方法，具体步骤为：
(1)将4升钨酸铵溶液加入5升容积的密闭反应槽中，往反应槽中通入气体，保持6h后过滤，得滤液，所述气体为二氧化碳和氮气按照体积比5：1混合而成，气体总的加入速度为10公斤/小时；
(2)往滤液中添加表面活性剂十二烷基葡萄糖苷和仲钨酸铵，所述表面活性剂的加入量为每升3克，所述仲钨酸铵的加入量为每升10克，控制温度在40℃，100转/分转速搅拌6小时；确认至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
测试例1
参照（《钨酸铵-硝酸铵溶液体系结晶制备仲钨酸铵过程中钠/钾的析出行为》（英文），周秋生等，过程工程学报，2018年2月，第18卷第1期）中第2.3节的测试方法进行结晶率测试。
参考（《ICP-AES法直接测定仲钨酸铵中钠、钾含量》，张桂广，Chinese journal ofSpectroscopy Laboratory，1999年第16卷，第4期，412-414）中的测试方法测定仲钨酸铵中钾、钠的含量。
表1仲钨酸铵的结晶率及其钠、钾含量的测试结果
由表1的数据可知，比较例1的结晶率显著优于比较例4和5，表面活性剂能够降低溶液的表面张力，有利于晶体的生长。通过改善晶体生长条件，表面活性剂可以提高仲钨酸铵的结晶速率和产物质量。表面活性剂能够与溶液中的杂质如K和Na形成络合物或吸附于其表面，阻止它们与仲钨酸铵晶体结合。这有助于提高仲钨酸铵的纯度，降低杂质含量。但是过多的表面活性剂可能影响晶体的形貌和结构。由于表面活性剂具有吸附性，它们可能在晶体生长过程中与晶体表面发生相互作用。过多的表面活性剂可能导致晶体表面不均匀，影响晶体的形貌和结构；过多的表面活性剂可能在晶体生长过程中吸附并夹带更多的杂质，导致晶体纯度降低。
比较例2与比较例3相比，比较例3的结晶率降低明显，其可能的原因在于：通入二氧化碳会与钨酸铵溶液中的碱性物质反应，降低溶液的pH值，有利于仲钨酸铵的析出。然而，单独采用二氧化碳时，由于其较强的酸性，可能导致局部酸碱度变化过大。
实施例1-3的性能显著优于比较例2-3，氮气作为一种惰性气体，在混合物中可以起到稀释二氧化碳的作用，从而缓解局部酸碱度变化，有利于更均匀地促进仲钨酸铵的析出。二氧化碳和氮气混合物在搅拌过程中产生的气泡，可以帮助分散和搅拌溶液，提高仲钨酸铵析出的均匀性。此外，氮气的加入有助于减小气泡的粘附性，使气泡在晶体表面更容易脱附，从而有利于晶体的生长。可见，二氧化碳和氮气混合物通过搅拌、分散和气泡脱附等多种作用，协同作用，有助于降低晶体表面吸附的杂质，从而提高仲钨酸铵晶体的纯度。
比较实施例3和比较例6，通过向反应系统中通入气体，可以显著提高仲钨酸铵的结晶率，并降低其杂质K和Na的含量，从而提高了仲钨酸铵的纯度。提高结晶率：在化学反应中，结晶过程是重要的一环。结晶率是描述在特定条件下，某化合物从溶液中析出形成晶体的程度或比例。通过引入气体，反应液中的气液界面增加，气液传质过程得到加强，这可能有助于仲钨酸铵的结晶过程，从而提高结晶率。高的结晶率意味着从反应中可以得到更多的仲钨酸铵产品，这在工业生产中是非常重要的。在仲钨酸铵的提纯过程中，降低杂质K和Na的含量是关键的一环。这些杂质可能会对仲钨酸铵的物理化学性质产生不利影响，降低其在应用中的性能。在含惰性气体的环境中，可能会改变溶液的气液平衡状态，有助于将这些杂质从溶液中移除，从而降低其含量。降低杂质含量可以提高仲钨酸铵的纯度，这对于许多应用，如电子工业、照明、化学分析等，都是至关重要的。上述两点合起来，就可以提高仲钨酸铵的纯度。
实施例2和比较例7的主要区别在于操作步骤，尤其是气体和表面活性剂的加入顺序。具体来说，实施例2是先引入了仲钨酸铵和表面活性剂，在通入气体，而比较例7则是先通入气体，然后再加入表面活性剂和仲钨酸铵。这种操作步骤的不同可能会对仲钨酸铵的析出和纯化过程产生影响。在实施例2中，由于表面活性剂、仲钨酸铵先加入，后续再加入气体，气体在表面活性剂、仲钨酸铵开始作用时及时调节气氛，可以共同发挥协同作用，提高仲钨酸铵的析出效率和纯度。比如说，表面活性剂能够降低溶液的表面张力，有利于晶体的生长；而惰性气体能够稀释二氧化碳，从而缓解局部酸碱度的变化，更均匀地促进仲钨酸铵的析出。相反，比较例7先通入气体，然后再加表面活性剂，可能会导致一些不利的效果。如果先通入气体，它可能在表面活性剂添加前就已经对溶液产生影响，改变了溶液的某些性质，如酸碱度或浓度等。而这些改变可能会妨碍后续表面活性剂的效果。当表面活性剂被添加进去时，它可能无法完全降低溶液的表面张力，影响晶体的生长。这样就可能导致析出的仲钨酸铵晶体的质量和纯度不如实施例2。总的来说，实施例2中的方法优于比较例7中的操作步骤，因为前者能够更好地利用这些物质的相互作用，提高仲钨酸铵的析出效率和纯度。
比较实施例1-3和实施例4-5可见：实施例1-3（二氧化碳与氮气体积比范围在3-7:1）的仲钨酸铵结晶率明显优于实施例4-5（二氧化碳与氮气体积比分别为2:1和8:1）。二氧化碳和氮气的比例会影响气泡的生成和脱附。如果二氧化碳的比例过高，可能会增加溶液的酸性，增加气泡的生成，但同时可能使气泡过于粘附于晶体表面。相反，如果二氧化碳的比例过低，可能会导致溶液酸度不足，影响仲钨酸铵的析出。因此，需要找到一个适中的比例，使得二氧化碳和氮气既能生成适量的气泡，又能保证气泡能够有效从晶体表面脱附，以提高仲钨酸铵的结晶效果。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
Claims (5)
1.一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，其特征在于，包括下述步骤：
将钨酸铵溶液加入密闭反应槽中，加入仲钨酸铵和表面活性剂，然后通入气体，并搅拌，搅拌至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥；
所述气体为二氧化碳和氮气按照体积比(3-7)：1组成。
2.根据权利要求1所述的一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，其特征在于，包括下述步骤：
(1)将钨酸铵溶液加入密闭反应槽中，加入仲钨酸铵，所述仲钨酸铵的加入量为每升5-15克；再加入表面活性剂，所述表面活性剂的加入量为每升1-5克；
(2)通入气体，气体加入速度为5-15公斤/小时，50-150转/分搅拌，所述气体为二氧化碳和氮气；
(3)搅拌时间3-7小时，至不再析出仲钨酸铵，过滤、水洗、干燥。
3.根据权利要求2所述的一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，其特征在于，所述表面活性剂为阴离子表面活性剂或非离子表面活性剂。
4.根据权利要求3所述的一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，其特征在于，所述表面活性剂为十二烷基磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基葡萄糖苷、聚氧乙烯失水山梨醇脂肪酸酯和烷基酚聚氧乙烯醚中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法，其特征在于，所述表面活性剂为十二烷基葡萄糖苷。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
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|---|---|
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| CN116495784B true CN116495784B (zh) | 2023-09-15 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310728652.6A Active CN116495784B (zh) | 2023-06-20 | 2023-06-20 | 一种在钨酸铵溶液中提纯仲钨酸铵的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116495784B (zh) |
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- 2023-06-20 CN CN202310728652.6A patent/CN116495784B/zh active Active
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|---|---|
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