CN116491243A - 显示面板、显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 174
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Abstract
一种显示面板、显示装置,其中,显示面板包括显示区(AA),显示面板还包括:衬底基板(81)、第三导电层、像素电极层、公共电极层,第三导电层位于衬底基板(81)的一侧,第三导电层包括第一导电部(31),第一导电部(31)位于显示区(AA);像素电极层位于第三导电层背离衬底基板(81)的一侧;公共电极层位于像素电极层背离衬底基板(81)的一侧,公共电极层包括位于显示区(AA)的至少一个过孔接触部(51),过孔接触部(51)通过第一过孔(H1)连接第一导电部(31)。
Description
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置。
在OLED阵列基板中,公共阴极层需要在阵列基板的边框区域通过过孔与位于边框区域的低电平电源线连接。然而,由于公共阴极自身存在压降,从而导致公共阴极上不同位置的电位不均匀,最终导致显示面板显示不均匀的现象。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
公开内容
根据本公开的一个方面,提供一种显示面板,其中,所述显示面板包括显示区,所述显示面板还包括:衬底基板、第三导电层、像素电极层、公共电极层,第三导电层位于所述衬底基板的一侧,所述第三导电层包括第一导电部,所述第一导电部位于所述显示区;像素电极层位于所述第三导电层背离所述衬底基板的一侧;公共电极层位于所述像素电极层背离所述衬底基板的一侧,所述公共电极层包括位于所述显示区的至少一个过孔接触部,所述过孔接触部通过第一过孔连接所述第一导电部。
本公开一种示例性实施例中,所述显示面板还包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括驱动晶体管,所述驱动晶体管的第一极连接所述发光单元的第一电极;所述像素电极层包括像素电极部,所述像素电极部用于形成所述发光单元的第一电极;所述显示面板还包括第二导电层,第二导电层位于所述衬底基板和所述第三导电层之间,所述第二导电层包括第二导电部,所述第二导电部连接所述驱动晶体管的第一极;所述第一导电部上开设有第一开口,所述第一开口在所述衬底基板正投影与所述第二导电部在所述衬底基板正投影至少部分重合,所述像素电极部通过第二过孔连接所述第二导电部,所述第二过孔在所述衬底基板正投影位于所述第一开口在所述衬底基板正投影以内。
本公开一种示例性实施例中,所述显示面板包括多个像素单元,所述公共电极层包括多个所述过孔接触部,每个所述像素单元对应设置有一个所述过孔接触部。
本公开一种示例性实施例中,所述像素电极层上设置有多个第二开口,多个所述第二开口与多个所述过孔接触部一一对应设置,所述第一过孔在所述衬底基板正投影位于与其对应的所述第二开口在所述衬底基板正投影以内;其中,与所述过孔接触部对应设置的第二开口和与该过孔接触部连接的所述第一过孔对应设置。
本公开一种示例性实施例中,每个所述像素单元包括多个所述像素驱动电路,多 个所述像素驱动电路包括在第一方向上依次分布的第一像素驱动电路、第二像素驱动电路、第三像素驱动电路、第四像素驱动电路;每个所述像素单元包括多个像素电极部,多个所述像素电极部包括:第一像素电极部、第二像素电极部、第三像素电极部、第四像素电极部;所述第一像素驱动电路连接所述第一像素电极部,所述第二像素驱动电路连接所述第二像素电极部,所述第三像素驱动电路连接所述第三像素电极部,所述第四像素驱动电路连接所述第四像素电极部;在同一所述像素单元中,所述第一像素电极部、第二像素电极部、第三像素电极部、第四像素电极部呈二乘二矩阵分布。
本公开一种示例性实施例中,在同一所述像素单元中:所述第一像素电极部和所述第三像素电极部在第一方向上相邻设置,所述第一像素电极部和所述第二像素电极部在第二方向上相邻设置,所述第一方向和所述第二方向相交;所述第一像素电极部面向所述第三像素电极部且远离所述第二像素电极部的边角形成有第一缺口;所述第二像素电极部面向所述第四像素电极部且远离所述第一像素电极部的边角形成有第二缺口;所述第三像素电极部面向所述第一像素电极部且远离所述第四像素电极部的边角形成有第三缺口;所述第四像素电极部面向所述第二像素电极部且远离所述第三像素电极部的边角形成有第四缺口;多个所述像素单元包括在所述第二方向上相邻的第一像素单元和第二像素单元,所述第一像素单元中的第一缺口、第三缺口和所述第二像素单元中的第二缺口、第四缺口相邻设置,所述第一像素单元中的第一缺口、第三缺口和所述第二像素单元中的第二缺口、第四缺口用于形成所述第二开口;所述第一过孔在所述衬底基板正投影位于所述第二开口在所述衬底基板正投影以内。
本公开一种示例性实施例中,所述像素电极层还包括:转接部,所述转接部在所述衬底基板正投影位于所述第二开口在所述衬底基板正投影以内,所述转接部通过第三过孔连接所述第一导电部;所述过孔接触部通过所述第一过孔连接所述转接部,以连接所述第一导电部。
本公开一种示例性实施例中,所述第一过孔在所述衬底基板正投影、所述第三过孔在所述衬底基板正投影均为方形。
本公开一种示例性实施例中,所述第一导电部覆盖所述显示区除所述第一开口所在区域以外的所有区域。
本公开一种示例性实施例中,所述显示面板还包括:有源层、遮光层,有源层位于所述衬底基板和所述第二导电层之间,所述有源层包括第一有源部,所述第一有源部包括第一子有源部,所述第一子有源部用于形成所述驱动晶体管的沟道区;遮光层位于所述衬底基板和所述有源层之间,所述遮光层包括第一遮光部,所述遮光部在所述衬底基板正投影覆盖所述第一子有源部在所述衬底基板正投影。
本公开一种示例性实施例中,所述像素驱动电路还包括电容,所述电容的第一电极连接所述驱动晶体的第一极,所述电容的第二电极连接所述驱动晶体管的栅极;所述显示面板还包括第一导电层,第一导电层位于所述有源层和所述第二导电层之间, 所述第一导电层包括第三导电部,所述第三导电部在所述衬底基板正投影覆盖所述第一有源部在所述衬底基板正投影,所述第三导电部用于形成所述驱动晶体管的栅极;所述第二导电层还包括:第四导电部,所述第四导电部通过过孔连接所述第三导电部,所述第四导电部用于形成所述电容的第二电极;所述第一有源部还包括:第二子有源部,所述第二子有源部连接所述第一子有源部,所述第二子有源部在所述衬底基板正投影与所述第四导电部在所述衬底基板正投影至少部分重合,所述第二子有源部用于形成所述电容的第一电极。
本公开一种示例性实施例中,所述遮光层为导电层,所述第一遮光部在所述衬底基板正投影与所述第四导电层在所述衬底基板正投影至少部分重合,且所述第二子有源部通过过孔连接所述第一遮光部。
本公开一种示例性实施例中,所述驱动晶体管的第二极连接第一电源端,所述有源层还包括:有源线,有源线在所述衬底基板正投影沿第一方向延伸,所述有源线连接多个沿所述第一方向间隔分布的所述第一子有源部,且所述有源线连接于所述第一子有源部远离所述第二子有源部的一侧;所述第二导电层还包括:电源线,电源线用于提供所述第一电源端,所述电源线在所述衬底基板正投影沿第二方向延伸,所述电源线通过过孔连接所述有源线。
本公开一种示例性实施例中,所述第二方向为列方向,所述显示面板包括多列像素单元,每列所述像素单元对应设置一条所述电源线。
本公开一种示例性实施例中,所述第二导电层包括多条电源线,所述遮光层还包括:多条第一连接线,所述第一连接线在所述衬底基板正投影沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔分布,每条所述电源线通过过孔连接同一所述第一连接线。
本公开一种示例性实施例中,所述像素驱动电路还包括第一晶体管,所述第一晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极,所述有源层还包括:第二有源部,所述第二有源部在所述衬底基板正投影位于所述有源线在所述衬底基板正投影远离所述第四导电部在所述衬底基板正投影的一侧,所述第二有源部的部分结构用于形成所述第一晶体管的沟道区;所述第二导电层还包括:桥接部,所述桥接部连接所述第四导电部,且所述桥接部通过过孔连接所述第二有源部;其中,所述桥接部在所述衬底基板正投影在所述第一方向上的尺寸小于所述第四导电部在所述衬底基板正投影在所述第一方向上的尺寸。
本公开一种示例性实施例中,所述有源线包括在所述第一方向上交替连接的第一有源线和第二有源线;所述第一有源线在所述衬底基板正投影在所述第二方向上的尺寸小于所述第二有源线在所述衬底基板正投影在所述第二方向上的尺寸,且所述第一有源线在所述衬底基板正投影与所述桥接部在所述衬底基板正投影相交。
本公开一种示例性实施例中,所述像素驱动电路还包括第二晶体管,所述第二晶体管的第一极连接参考信号端,第二极连接所述驱动晶体管的第一极,所述第一有源 部还包括:第三子有源部、第四子有源部,第三子有源部连接于所述第二子有源部远离所述第一子有源部的一侧,所述第三子有源用于形成所述第二晶体管的沟道区;第四子有源部连接于所述第三子有源部远离所述第二子有源部的一侧;所述遮光层还包括:多条第二连接线段,所述显示面板包括多个像素单元,每个所述像素单元对应设置一条所述第二连接线段,在同一像素单元中,每个所述第四子有源部通过过孔连接与其对应的所述第二连接线段;所述第一导电层还包括:第五导电部,所述第五导电部通过过孔连接所述第二连接线段;所述第二导电层还包括:参考信号线,通过过孔连接所述第五导电部,所述参考信号线用于提供所述参考信号端。
本公开一种示例性实施例中,所述驱动晶体管的第二极连接第一电源端,所述像素驱动电路还包括第一晶体管、第二晶体管,所述第一晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极,第二极连接数据信号端,所述第二晶体管的第一极连接参考信号端,第二极连接所述驱动晶体管的第一极。所述第二导电层还包括:电源线、第一数据线、第二数据线、第三数据线、第四数据线、参考信号线。电源线在所述衬底基板正投影沿第二方向延伸,用于提供所述第一电源端,在所述第一方向上,所述电源线在所述衬底基板正投影位于相邻两所述像素单元在所述衬底基板正投影之间,所述第一方向和所述第二方向相交;第一数据线在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向所述第一像素驱动电路提供所述数据信号端,所述第一数据线在所述衬底基板正投影位于所述第一像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第二像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间;第二数据线在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向所述第二像素驱动电路提供所述数据信号端,所述第二数据线在所述衬底基板正投影位于所述第一像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第二像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间;第三数据线在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向所述第三像素驱动电路提供所述数据信号端,所述第三数据线在所述衬底基板正投影位于所述第三像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第四像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间;第四数据线在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向所述第四像素驱动电路提供所述数据信号端,所述第四数据线在所述衬底基板正投影位于所述第三像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第四像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间;参考信号线在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向同一像素单元提供所述参考信号端,所述参考信号线在所述衬底基板正投影位于所述第二像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第三像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间。
根据本公开的一个方面,提供一种显示装置,其中,包括上述的显示面板。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中一种像素驱动电路的结构示意图;
图2为本公开显示面板一种示例性实施例的结构版图;
图3为图2中第三导电层的结构版图;
图4为图2中像素电极层的结构版图;
图5为图2中公共电极层的结构版图;
图6为图2中第三导电层、像素电极层的结构版图;
图7为本公开显示面板另一种示例性实施例的结构版图;
图8为图7中像素电极层的结构版图;
图9为图7中第三导电层、像素电极层的结构版图;
图10为本公开显示面板一种示例性实施例中的结构版图;
图11为图10中遮光层的结构版图;
图12为图10中有源层的结构版图;
图13为图10中的第一导电层的结构版图;
图14为图10中第二导电层的结构版图;
图15为图10中第三导电层的结构版图;
图16为图10中像素电极层的结构版图;
图17为图10中公共电极层的结构版图;
图18为图10中遮光层、有源层的结构版图;
图19为图10中遮光层、有源层、第一导电层的结构版图;
图20为图10中遮光层、有源层、第一导电层、第二导电层的结构版图;
图21为图10中遮光层、有源层、第一导电层、第二导电层、第三导电层的结构版图;
图22为图10中遮光层、有源层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、像素电极层的结构版图;
图23为图10中沿虚线B的部分剖视图。
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相 同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。
如图1所示,为相关技术中一种像素驱动电路的结构示意图。该显示驱动电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、驱动晶体管DT、电容C。第一晶体管T1的第一极连接第一节点N1,第二极连接数据信号端Data,栅极连接第一控制端G1;驱动晶体管DT的第二极连接第一电源端VDD,第一极连接第二节点N2,栅极连接第一节点N1;第二晶体管T2的第二极连接第二节点N2,第一极连接参考信号端Vref,电容C连接于第二节点和第一节点之间。该像素驱动电路可以用于向发光单元OLED提供驱动电流,发光单元OLED可以连接于第二节点N2和第二电源端VSS之间。
相关技术中,显示面板可以集成有多个图1所示的像素驱动电路,在显示面板中,发光单元OLED的阴极通常制作成一公共阴极,该公共阴极一般通过位于边框区的过孔与用于提供第二电源端VSS的低电平电源线连接。然而,由于公共阴极自身存在压降,从而导致公共阴极上不同位置的电位不均匀,即不同位置处像素驱动电路中的第二电源端存在不同电位,从而在数据信号端提供相同数据信号情况下,不同位置处的像素驱动电路会具有不同的驱动电流,发光单元会发出不同亮度的光,最终导致显示面板发光部均匀。
基于此,本示例性实施例提供一种显示面板,如图2-6所示,图2为本公开显示面板一种示例性实施例的结构版图,图3为图2中第三导电层的结构版图,图4为图2中像素电极层的结构版图,图5为图2中公共电极层的结构版图,图6为图2中第三导电层、像素电极层的结构版图。其中,所述显示面板可以包括显示区AA,所述显示面板还包括:衬底基板、第三导电层、像素电极层、公共电极层,第三导电层可以位于所述衬底基板的一侧,所述第三导电层可以包括第一导电部31,所述第一导电部31可以位于所述显示区AA;像素电极层可以位于所述第三导电层背离所述衬底基板的一侧;公共电极层可以位于所述像素电极层背离所述衬底基板的一侧,所述公共电极层可以包括位于所述显示区的多个过孔接触部51,所述过孔接触部51可以通过第一过孔H1连接所述第一导电部31。其中,过孔接触部51可以为公共电极层中与第一过孔H1接触的部分,即过孔接触部51在衬底基板正投影可以与第一过孔H1在衬底基板正投影重合。
本示例性实施例中,第一导电部31和公共电极层可以形成并联结构,从而降低了公共电极层上两不同位置之间的电阻,进而降低了由于公共电极层自身电阻造成的显示不均匀。
本示例性实施例中,显示面板可以包括图1所示的像素驱动电路,以及连接所述像素驱动电路的发光单元,应该理解的是,在其他示例性实施例中,显示面板中的像素驱动电路还可以为其他结构,例如,像素驱动电路可以为7T1C结构、8T1C结构等。 此外,在其他示例性实施例中,所述公共电极层也可以包括位于所述显示区AA的一个过孔接触部51,过孔接触部51可以通过第一过孔H1连接所述第一导电部31。
如图2、4、6所示,像素电极层可以包括多个像素电极部41,像素电极部41可以用于形成发光单元的阳极。相邻四个像素电极部41之间可以形成位于显示区AA的第二开口410。所述第一过孔H1在衬底基板正投影可以位于第二开口410在衬底基板正投影以内,即第一过孔H1在衬底基板正投影的边沿与第二开口410在衬底基板正投影的边沿具有间隙,从而填充与第一过孔H1内的导体可以与像素电极部41绝缘。本示例性实施例中,第三导电层可以设置于驱动晶体管所在层级背离衬底基板的一侧,如图2、3所示,第三导电层上可以设置有多个第一开口311,像素电极部41可以通过第二过孔H2连接驱动晶体管的第一极,其中,第二过孔H2在衬底基板的正投影可以位于第一开口311在衬底基板正投影以内。公共电极层可以形成发光单元的阴极。应该理解的是,在其他示例性实施例中,像素电极层上的像素电极部还可以以其他方式分布,像素电极层上的第二开口还可以位于其他位置,例如,同一像素单元行中,像素电极部可以沿行方向依次分布;第二开口可以位于像素电极层的任意位置。本示例性实施例中,如图2、3、6所示,所述第一导电部31可以覆盖所述显示区AA除所述第一开口311所在区域以外的所有区域。应该理解的是,在其他示例性实施例中,第一导电部31上还可以设置有其他镂空开口。此外,第一导电部31还可以为线形等其他形状。
如图7-9所示,图7为本公开显示面板另一种示例性实施例的结构版图,图8为图7中像素电极层的结构版图,图9为图7中第三导电层、像素电极层的结构版图。与图2所示显示面板不同的是,图7所示显示面板中的像素电极层还可以包括转接部42,转接部42在所述衬底基板正投影可以位于所述第二开口410在所述衬底基板正投影以内,且转接部42与像素电极部41之间存在间隙。所述转接部42可以通过第三过孔H3连接所述第一导电部31;所述过孔接触部51可以通过所述第一过孔H1连接所述转接部42,以连接所述第一导电部31。本示例性实施例通过转接部42转接过孔接触部51和第一导电部31,从而提高了孔接触部51和第一导电部31之间的连接效果。此外,图7所示显示面板的其他结构可以与图2所示显示面板的对应结构相同。本示例性实施例中,如图6、7、9所示,所述第一过孔H1在所述衬底基板正投影、所述第三过孔H3在所述衬底基板正投影均可以为方形,方形过孔具有较好的连接效果,同时可以增加显示面板的使用寿命。
以下本示例性实施例对该显示面板中各个层级结构进行详细说明:
该显示面板还可以包括遮光层、有源层、第一导电层、第二导电层,其中,衬底基板、遮光层、有源层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、像素电极层、公共电极层可以依次层叠设置,其中,上述各个结构层之间可以设置有绝缘层。
如图10-22所示,图10为本公开显示面板一种示例性实施例中的结构版图,图11 为图10中遮光层的结构版图,图12为图10中有源层的结构版图,图13为图10中的第一导电层的结构版图,图14为图10中第二导电层的结构版图,图15为图10中第三导电层的结构版图,图16为图10中像素电极层的结构版图,图17为图10中公共电极层的结构版图,图18为图10中遮光层、有源层的结构版图,图19为图10中遮光层、有源层、第一导电层的结构版图,图20为图10中遮光层、有源层、第一导电层、第二导电层的结构版图,图21为图10中遮光层、有源层、第一导电层、第二导电层、第三导电层的结构版图,图22为图10中遮光层、有源层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、像素电极层的结构版图。
如图10、11、18所示,所述遮光层可以为导电层,例如,遮光层可以为遮光金属层。遮光层可以包括第一遮光部61、第一连接线62、第二连接线段63。其中,第一连接线62在衬底基板正投影、第二连接线段63在衬底基板正投影均可以沿第一方向X延伸,第一方向X可以为显示面板的行方向。其中,该显示面板可以包括多个阵列分布的像素单元,每个像素单元可以包括在第一方向X上分布的四个像素驱动电路,图10-22示出了一个像素单元中四个像素驱动电路的结构版图。其中,每个像素单元可以对应设置一条第二连接线段63,每一行像素单元可以对应设置一条第一连接线62。应该理解的是,在其他示例性实施例中,每个像素单元中也可以包括在第一方向上分布的其他数量的像素驱动电路,例如,每个像素单元可以包括在第一方向上分布的三个像素驱动电路、两个像素驱动电路等。
如图10、12、18所示,有源层可以包括第一有源部71、第二有源部72、有源线73。其中,第一有源部71可以包括第一子有源部711、第二子有源部712、第三子有源部713、第四子有源部714,第一子有源部711、第二子有源部712、第三子有源部713、第四子有源部714可以在第二方向Y上依次连接。其中,第二方向Y可以和第一方向X相交,第二方向可以为显示面板的列方向。第二有源部72可以包括第五子有源部725、第六子有源部726、第七子有源部727。其中,第一子有源部711可以用于形成驱动晶体管DT的沟道区;第三子有源部713可以用于形成第二晶体管T2的沟道区;第五子有源部725可以用于形成第一晶体管T1的沟道区。有源线73可以连接在第一方向X上分布的多个第一子有源部711,且有源线73可以连接于第一子有源部711远离第二子有源部712的一侧。位于同一像素单元中的四个第四子有源部714可以分别通过过孔H6连接第二连接线段63。第二子有源部712可以通过过孔H7连接第一遮光部61。其中,有源层可以为氧化物半导体材料形成,例如,有源层可以由氧化铟镓锌材料形成。第一遮光部61在衬底基板正投影可以覆盖第一子有源部711在衬底基板正投影,第一遮光部61可以对第一子有源部711进行遮光,以避免驱动晶体管DT在光照下特性发生变化。
如图10、13、19所示,第一导电层可以包括第一栅线G1、第二栅线G2,第三导电部13、第五导电部15、导电部11。其中,第一栅线G1在衬底基板正投影可以沿第 一方向X延伸,第一栅线G1的部分结构可以用于形成第一晶体管的栅极,第一栅线G1可以提供图1中的第一控制端G1。第二栅线G2在衬底基板正投影可以沿第一方向X延伸,第二栅线的部分结构可以用于形成第二晶体管的栅极,第二栅线G2可以提供图1中的第二控制端G2。第三导电部13在衬底基板正投影可以覆盖第一子有源部711,第三导电部13可以用于形成驱动晶体管DT的栅极。第五导电部15在衬底基板正投影可以与第二连接线段63在衬底基板正投影至少部分重合,第五导电部15可以通过过孔H5连接第二连接线段63。导电部11可以通过过孔H4连接第一连接线62。其中,该显示面板在制作过程中,有源层可以以第一导电层为掩膜版进行导体化处理,即被第一有源层覆盖的有源层形成晶体管的沟道区,未被第一导电层覆盖的有源层形成导体结构。
如图10、14、20所示,如图20,该显示面板中每个像素单元可以包括在第一方向依次分布的第一像素驱动电路01、第二像素驱动电路02、第三像素驱动电路03、第四像素驱动电路04。第二导电层可以包括第一数据线Da1、第二数据线Da2、第三数据线Da3、第四数据线Da4、电源线VDD、参考信号线Vref、第二导电部22、第四导电部24、桥接部25。第一数据线Da1可以用于向第一像素驱动电路01提供数学信号端;第二数据线Da2可以用于向第二像素驱动电路02提供数学信号端;第三数据线Da3可以用于向第三像素驱动电路03提供数学信号端;第四数据线Da4可以用于向第四像素驱动电路04提供数学信号端。且第一数据线Da1在衬底基板正投影、第二数据线Da2在衬底基板正投影、第三数据线Da3在衬底基板正投影、第四数据线Da4在衬底基板正投影、电源线VDD在衬底基板正投影、参考信号线Vref在衬底基板正投影均可以沿第二方向Y延伸。其中,电源线VDD可以用于提供图1中的第一电源信号端,参考信号线Vref可以用于提供图1中的参考信号端。如图20所示,电源线VDD可以通过过孔H9连接有源线73,以连接驱动晶体管DT的第二极和第一电源端。第二导电部22可以通过过孔H11连接第二子有源部712。第四导电部24可以通过过孔H12连接第三导电部13,第四导电部24可以用于形成电容C的第二电极,第四导电部24在衬底基板正投影可以与第二子有源部712在衬底基板正投影至少部分重合,第二子有源部712可以用于形成电容C的第一电极。第四导电部24在衬底基板正投影还可以与第一遮光部61在衬底基板正投影至少部分重合,由于第二子有源部712通过过孔H7与第一遮光部61连接,第一遮光部61的部分结构也可以形成电容C的第一电极。应该理解的是,在其他示例性实施例中,显示面板还可以在遮光层和有源层之间增设其他遮光金属层,增设的遮光金属层可以与第四导电部24通过过孔连接,以形成电容C的第二电极。桥接部25可以连接第四导电部24,且通过过孔H13连接第七子有源部727,以连接第一晶体管的第一极和驱动晶体管的栅极。第一数据线Da1可以通过过孔H14连接第六子有源部726,以连接数据信号端和第一晶体管的第二极。参考信号线Vref可以通过过孔H10连接第五导电部15,以连接初始信号端和同一像 素单元中多个第二晶体管的第一极。如图20所示,每一列像素单元可以对应设置一个电源线VDD,电源线VDD可以位于相邻列像素单元之间,每一条电源线VDD可以与同一第一连接线62通过过孔连接,以使电源线VDD形成一网格结构,该网格结构可以降低显示面板不同位置上电源线电压的差异。
如图20所示,所述第一数据线Da1在所述衬底基板正投影可以位于所述第一像素驱动电路01在所述衬底基板正投影和所述第二像素驱动电路02在所述衬底基板正投影之间。所述第二数据线Da2在所述衬底基板正投影位于所述第一像素驱动电路01在所述衬底基板正投影和所述第二像素驱动电路02在所述衬底基板正投影之间。所述第三数据线Da3在所述衬底基板正投影可以位于所述第三像素驱动电路03在所述衬底基板正投影和所述第四像素驱动电路04在所述衬底基板正投影之间。所述第四数据线Da4在所述衬底基板正投影可以位于所述第三像素驱动电路03在所述衬底基板正投影和所述第四像素驱动电路04在所述衬底基板正投影之间。所述参考信号线Vref在所述衬底基板正投影可以位于所述第二像素驱动电路02在所述衬底基板正投影和所述第三像素驱动电路03在所述衬底基板正投影之间。
如图10、15、21所示,第三导电层可以包括第一导电部31,第一导电部上可以设置有与第二导电部22一一对应的第一开口311。所述第一开口311在所述衬底基板正投影可以与所述第二导电部22在所述衬底基板正投影至少部分重合。
如图10、16、22所示,像素电极层可以包括多个像素电极部,多个像素电极部可以分别用于形成发光单元的阳极。图16示出了在第二方向Y上相邻的两个像素单元的像素电极部。其中,在同一像素单元中,多个像素电极部可以包括第一像素电极部411、第二像素电极部412、第三像素电极部413、第四像素电极部414。所述第一像素驱动电路01连接所述第一像素电极部411,所述第二像素驱动电路02连接所述第二像素电极部412,所述第三像素驱动电路03连接所述第三像素电极部413,所述第四像素驱动电路04连接所述第四像素电极部414。在同一所述像素单元中,所述第一像素电极部411、第二像素电极部412、第三像素电极部413、第四像素电极部414可以呈二乘二矩阵分布。如图22所示,虚线框C可以表示显示面板中像素定义层上像素开口在衬底基板正投影的形状。将像素电极部以二乘二矩阵结构分布,不仅可以极大增加显示面板的开口率,还可以增加显示面板的像素密度,当构图工艺中相邻信号线之间的最小间距可以达到2um时,本示例性实施例中显示面板的像素密度可以达到400PPI。如图22所示,第一像素电极部411可以通过第二过孔H2连接第二导电部22,且第二过孔H2在衬底基板正投影位于第一开口311在衬底基板正投影以内,以确保第二过孔H2内的导体结构与第一导电部31绝缘。同样的,其他像素电极部也可以通过过孔连接与其对应的第二导电部。该显示面板可以为顶发射显示面板,像素电极层可以具有反射光的功能,像素电极层可以由氧化铟锡层和银层层叠形成。
如图10、16、22所示,在同一所述像素单元中:所述第一像素电极部411和所述 第三像素电极部413在第一方向X上相邻设置,所述第一像素电极部411和所述第二像素电极部412在第二方向Y上相邻设置;所述第一像素电极部411面向所述第三像素电极部413且远离所述第二像素电极部412的边角形成有第一缺口4101;所述第二像素电极部412面向所述第四像素电极部414且远离所述第一像素电极部411的边角形成有第二缺口4102;所述第三像素电极部413面向所述第一像素电极部411且远离所述第四像素电极部414的边角形成有第三缺口4103;所述第四像素电极部414面向所述第二像素电极部412且远离所述第三像素电极部413的边角形成有第四缺口4104。在列方向相邻的两像素单元中,一个像素单元中的第一缺口、第三缺口和另一像素单元中的第二缺口、第四缺口相邻设置,该相邻的第一缺口、第三缺口、第二缺口、第四缺口可以用于形成第二开口410。第一缺口4101在衬底基板正投影、第二缺口4102在衬底基板正投影、第三缺口4103在衬底基板正投影、第四缺口4104在衬底基板正投影可以具有相同的形状和面积,从而所述第一像素电极部411在衬底基板正投影、第二像素电极部412在衬底基板正投影、第三像素电极部413在衬底基板正投影、第四像素电极部414在衬底基板正投影可以具有相同的面积。像素电极层还可以包括转接部42,转接部42可以位于第二开口410以内,且与其他像素电极部绝缘设置,转接部42可以通过第三过孔H3连接第一导电部31。
如图10、17所示,公共电极层可以包括过孔接触部51,过孔接触部51可以通过第一过孔H1连接转接部42,以连接第一导电部31。在本示例性实施例提供的显示面板中,每个所述像素单元可以对应设置有一个所述过孔接触部51。
本示例性实施例中,如图14、20所示,所述第二有源部72在所述衬底基板正投影位于所述有源线73在所述衬底基板正投影远离所述第四导电部24在所述衬底基板正投影的一侧,从而桥接部25在衬底基板正投影必然与有源线73在衬底基板正投影相交。本示例性实施例中,如图14所示,所述桥接部在所述衬底基板正投影在所述第一方向X上的尺寸小于所述第四导电部24在所述衬底基板正投影在所述第一方向X上的尺寸。该设置可以降低有源线73和桥接部25的交叠面积,从而降低桥接部25的寄生电容,进而加快数据线向驱动晶体管栅极写入数据信号的速度。
本示例性实施例中,如图12、20所示,所述有源线73可以包括在所述第一方向X上交替连接的第一有源线731和第二有源线732;所述第一有源线731在所述衬底基板正投影在所述第二方向Y上的尺寸可以小于所述第二有源线732在所述衬底基板正投影在所述第二方向Y上的尺寸,且所述第一有源线731在所述衬底基板正投影与所述桥接部25在所述衬底基板正投影相交,第二有源线732在所述衬底基板正投影可以与所述桥接部25在所述衬底基板正投影不相交。该设置可以进一步减小桥接部25的寄生电容,从而加快数据线向驱动晶体管栅极写入数据信号的速度。其中,第一有源线731可以通过有源线73在面向第二有源部72一侧开缺口形成。第一有源线731在衬底基板正投影可以和第二有源部72在衬底基板正投影在第二方向Y上相对设置, 即第一有源线731在衬底基板正投影在第二方向Y上移动所覆盖的区域可以覆盖第二有源部72在衬底基板正投影。该设置还可以增加第一有源线731在衬底基板正投影和第二有源部72在衬底基板正投影在第二方向上的距离,从而降低有源层的刻蚀难度。
如图23所示,为图10中沿虚线B的部分剖视图。该显示面板还可以包括:缓冲层82、栅极绝缘层83、第一介电层84、第一钝化层85、平坦层86、第二钝化层87、像素界定层88、发光单元89。其中,衬底基板81、遮光层、缓冲层82、有源层、栅极绝缘层83、第一导电层、第一介电层84、第二导电层、第一钝化层85、平坦层86、第二导电层、第三导电层、第二钝化层87、像素电极层、像素界定层88、发光单元89、公共电极层依次层叠设置。其中,缓冲层82可以包括氧化硅层、氮化硅层中的至少一层;栅极绝缘层83可以为氧化硅层;第一介电层84可以为氮化硅层;第一钝化层85、第二钝化层87可以为氮化硅层或氧化硅层;平坦层86的材料可以为有机材料,例如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、硅-玻璃键合结构(SOG)等材料;像素界定层88的材料可以为光刻材料;发光单元89可以包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及电子注入层。第二导电层、第三导电层的材料可以包括金属材料,例如可以是钼,铝,铜,钛,铌,其中之一或者合金,或者钼/钛合金或者叠层等,或者可以是钛/铝/钛叠层。第一导电层的材料可以是钼,铝,铜,钛,铌,其中之一或者合金,或者钼/钛合金或者叠层等。此外,该显示面板还可以包括位于公共电极层背离衬底基板一侧的玻璃盖板,玻璃盖板上可以设置有黑矩阵层(BM,black matrix)。
本示例性实施例还提供一种显示装置,其中,该显示装置可以包括上述的显示面板。该显示装置可以为手机、平板电脑、电视等显示装置。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的内容后,将容易想到本公开的其他实施例。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是,本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限定。
Claims (19)
- 一种显示面板,其中,所述显示面板包括显示区,所述显示面板还包括:衬底基板;第三导电层,位于所述衬底基板的一侧,所述第三导电层包括第一导电部,所述第一导电部位于所述显示区;像素电极层,位于所述第三导电层背离所述衬底基板的一侧;公共电极层,位于所述像素电极层背离所述衬底基板的一侧,所述公共电极层包括位于所述显示区的至少一个过孔接触部,所述过孔接触部通过第一过孔连接所述第一导电部。
- 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括驱动晶体管,所述驱动晶体管的第一极连接所述发光单元的第一电极;所述像素电极层包括像素电极部,所述像素电极部用于形成所述发光单元的第一电极;所述显示面板还包括:第二导电层,位于所述衬底基板和所述第三导电层之间,所述第二导电层包括第二导电部,所述第二导电部连接所述驱动晶体管的第一极;所述第一导电部上开设有第一开口,所述第一开口在所述衬底基板正投影与所述第二导电部在所述衬底基板正投影至少部分重合,所述像素电极部通过第二过孔连接所述第二导电部,所述第二过孔在所述衬底基板正投影位于所述第一开口在所述衬底基板正投影以内。
- 根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述显示面板包括多个像素单元,所述公共电极层包括多个所述过孔接触部,每个所述像素单元对应设置有一个所述过孔接触部。
- 根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述像素电极层上设置有多个第二开口,多个所述第二开口与多个所述过孔接触部一一对应设置,所述第一过孔在所述衬底基板正投影位于与其对应的所述第二开口在所述衬底基板正投影以内;其中,与所述过孔接触部对应设置的第二开口和与该过孔接触部连接的所述第一过孔对应设置。
- 根据权利要求4所述的显示面板,其中,每个所述像素单元包括多个所述像素驱动电路,多个所述像素驱动电路包括在第一方向上依次分布的第一像素驱动电路、第二像素驱动电路、第三像素驱动电路、第四像素驱动电路;每个所述像素单元包括多个像素电极部,多个所述像素电极部包括:第一像素电极部、第二像素电极部、第三像素电极部、第四像素电极部;所述第一像素驱动电路连接所述第一像素电极部,所述第二像素驱动电路连接所 述第二像素电极部,所述第三像素驱动电路连接所述第三像素电极部,所述第四像素驱动电路连接所述第四像素电极部;在同一所述像素单元中,所述第一像素电极部、第二像素电极部、第三像素电极部、第四像素电极部呈二乘二矩阵分布。
- 根据权利要求5所述的显示面板,其中,在同一所述像素单元中:所述第一像素电极部和所述第三像素电极部在第一方向上相邻设置,所述第一像素电极部和所述第二像素电极部在第二方向上相邻设置,所述第一方向和所述第二方向相交;所述第一像素电极部面向所述第三像素电极部且远离所述第二像素电极部的边角形成有第一缺口;所述第二像素电极部面向所述第四像素电极部且远离所述第一像素电极部的边角形成有第二缺口;所述第三像素电极部面向所述第一像素电极部且远离所述第四像素电极部的边角形成有第三缺口;所述第四像素电极部面向所述第二像素电极部且远离所述第三像素电极部的边角形成有第四缺口;多个所述像素单元包括在所述第二方向上相邻的第一像素单元和第二像素单元,所述第一像素单元中的第一缺口、第三缺口和所述第二像素单元中的第二缺口、第四缺口相邻设置,所述第一像素单元中的第一缺口、第三缺口和所述第二像素单元中的第二缺口、第四缺口用于形成所述第二开口。
- 根据权利要求6所述的显示面板,其中,所述像素电极层还包括:转接部,所述转接部在所述衬底基板正投影位于所述第二开口在所述衬底基板正投影以内,所述转接部通过第三过孔连接所述第一导电部;所述过孔接触部通过所述第一过孔连接所述转接部,以连接所述第一导电部。
- 根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述第一导电部覆盖所述显示区除所述第一开口所在区域以外的所有区域。
- 根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述显示面板还包括:有源层,位于所述衬底基板和所述第二导电层之间,所述有源层包括第一有源部,所述第一有源部包括第一子有源部,所述第一子有源部用于形成所述驱动晶体管的沟道区;遮光层,位于所述衬底基板和所述有源层之间,所述遮光层包括第一遮光部,所述遮光部在所述衬底基板正投影覆盖所述第一子有源部在所述衬底基板正投影。
- 根据权利要求9所述的显示面板,其中,所述像素驱动电路还包括电容,所述电容的第一电极连接所述驱动晶体的第一极,所述电容的第二电极连接所述驱动晶体管的栅极;所述显示面板还包括:第一导电层,位于所述有源层和所述第二导电层之间,所述第一导电层包括第三导电部,所述第三导电部在所述衬底基板正投影覆盖所述第一有源部在所述衬底基板正投影,所述第三导电部用于形成所述驱动晶体管的栅极;所述第二导电层还包括:第四导电部,所述第四导电部通过过孔连接所述第三导电部,所述第四导电部用于形成所述电容的第二电极;所述第一有源部还包括:第二子有源部,所述第二子有源部连接所述第一子有源部,所述第二子有源部在所述衬底基板正投影与所述第四导电部在所述衬底基板正投影至少部分重合,所述第二子有源部用于形成所述电容的第一电极。
- 根据权利要求10所述的显示面板,其中,所述遮光层为导电层,所述第一遮光部在所述衬底基板正投影与所述第四导电层在所述衬底基板正投影至少部分重合,且所述第二子有源部通过过孔连接所述第一遮光部。
- 根据权利要求10所述的显示面板,其中,所述驱动晶体管的第二极连接第一电源端,所述有源层还包括:有源线,在所述衬底基板正投影沿第一方向延伸,所述有源线连接多个沿所述第一方向间隔分布的所述第一子有源部,且所述有源线连接于所述第一子有源部远离所述第二子有源部的一侧;所述第二导电层还包括:电源线,用于提供所述第一电源端,所述电源线在所述衬底基板正投影沿第二方向延伸,所述电源线通过过孔连接所述有源线。
- 根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述第二方向为列方向,所述显示面板包括多列像素单元,每列所述像素单元对应设置一条所述电源线。
- 根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述第二导电层包括多条电源线,所述遮光层还包括:多条第一连接线,所述第一连接线在所述衬底基板正投影沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向间隔分布,每条所述电源线通过过孔连接同一所述第一连接线。
- 根据权利要求12所述的显示面板,其中,所述像素驱动电路还包括第一晶体管,所述第一晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极,所述有源层还包括:第二有源部,所述第二有源部在所述衬底基板正投影位于所述有源线在所述衬底基板正投影远离所述第四导电部在所述衬底基板正投影的一侧,所述第二有源部的部分结构用于形成所述第一晶体管的沟道区;所述第二导电层还包括:桥接部,所述桥接部连接所述第四导电部,且所述桥接部通过过孔连接所述第二 有源部;其中,所述桥接部在所述衬底基板正投影在所述第一方向上的尺寸小于所述第四导电部在所述衬底基板正投影在所述第一方向上的尺寸。
- 根据权利要求15所述的显示面板,其中,所述有源线包括在所述第一方向上交替连接的第一有源线和第二有源线;所述第一有源线在所述衬底基板正投影在所述第二方向上的尺寸小于所述第二有源线在所述衬底基板正投影在所述第二方向上的尺寸,且所述第一有源线在所述衬底基板正投影与所述桥接部在所述衬底基板正投影相交。
- 根据权利要求10所述的显示面板,其中,所述像素驱动电路还包括第二晶体管,所述第二晶体管的第一极连接参考信号端,第二极连接所述驱动晶体管的第一极,所述第一有源部还包括:第三子有源部,连接于所述第二子有源部远离所述第一子有源部的一侧,所述第三子有源用于形成所述第二晶体管的沟道区;第四子有源部,连接于所述第三子有源部远离所述第二子有源部的一侧;所述遮光层还包括:多条第二连接线段,所述显示面板包括多个像素单元,每个所述像素单元对应设置一条所述第二连接线段,在同一像素单元中,每个所述第四子有源部通过过孔连接与其对应的所述第二连接线段;所述第一导电层还包括:第五导电部,所述第五导电部通过过孔连接所述第二连接线段;所述第二导电层还包括:参考信号线,通过过孔连接所述第五导电部,所述参考信号线用于提供所述参考信号端。
- 根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述驱动晶体管的第二极连接第一电源端,所述像素驱动电路还包括第一晶体管、第二晶体管,所述第一晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的栅极,第二极连接数据信号端,所述第二晶体管的第一极连接参考信号端,第二极连接所述驱动晶体管的第一极;所述第二导电层还包括:电源线,在所述衬底基板正投影沿第二方向延伸,用于提供所述第一电源端,在所述第一方向上,所述电源线在所述衬底基板正投影位于相邻两所述像素单元在所述衬底基板正投影之间,所述第一方向和所述第二方向相交;第一数据线,在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向所述第一像素驱动电路提供所述数据信号端,所述第一数据线在所述衬底基板正投影位于所述第一像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第二像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间;第二数据线,在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向所述第二像素驱动电路提供所述数据信号端,所述第二数据线在所述衬底基板正投影位于所述第一像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第二像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间;第三数据线,在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向所述第三像素驱动电路提供所述数据信号端,所述第三数据线在所述衬底基板正投影位于所述第三像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第四像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间;第四数据线,在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向所述第四像素驱动电路提供所述数据信号端,所述第四数据线在所述衬底基板正投影位于所述第三像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第四像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间;参考信号线,在所述衬底基板正投影沿所述第二方向延伸,用于向同一像素单元提供所述参考信号端,所述参考信号线在所述衬底基板正投影位于所述第二像素驱动电路在所述衬底基板正投影和所述第三像素驱动电路在所述衬底基板正投影之间。
- 一种显示装置,其中,所述显示装置包括权利要求1-18任一项所述的显示面板。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2021/096178 WO2022246714A1 (zh) | 2021-05-26 | 2021-05-26 | 显示面板、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116491243A true CN116491243A (zh) | 2023-07-25 |
Family
ID=84229229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202180001265.1A Pending CN116491243A (zh) | 2021-05-26 | 2021-05-26 | 显示面板、显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240155889A1 (zh) |
EP (1) | EP4203039A4 (zh) |
CN (1) | CN116491243A (zh) |
WO (1) | WO2022246714A1 (zh) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102569187B (zh) * | 2011-12-21 | 2014-08-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种低温多晶硅显示装置及其制作方法 |
CN103474436B (zh) * | 2013-09-18 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN104022127B (zh) * | 2014-05-30 | 2016-10-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、以及显示装置 |
WO2017043516A1 (ja) * | 2015-09-10 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
KR20200118315A (ko) * | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN210428022U (zh) * | 2020-03-25 | 2020-04-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
-
2021
- 2021-05-26 US US17/770,650 patent/US20240155889A1/en active Pending
- 2021-05-26 WO PCT/CN2021/096178 patent/WO2022246714A1/zh active Application Filing
- 2021-05-26 CN CN202180001265.1A patent/CN116491243A/zh active Pending
- 2021-05-26 EP EP21942295.3A patent/EP4203039A4/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022246714A9 (zh) | 2023-08-03 |
EP4203039A1 (en) | 2023-06-28 |
US20240155889A1 (en) | 2024-05-09 |
WO2022246714A1 (zh) | 2022-12-01 |
EP4203039A4 (en) | 2024-02-21 |
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PB01 | Publication | ||
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