CN116457927A - 移除方法、移除工具和半导体元件 - Google Patents
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Abstract
在至少一个实施例中,方法用于从半导体元件(1)(例如,发光二极管)移除保护膜(2),并且该方法包括以下步骤:A)提供半导体元件(1),以便在元件的上侧(10)上具有保护膜(2);以及B)使用具有移除开口(44)的移除工具(4)移除保护膜(2),在步骤A)中,从元件的上侧(10)的延伸观察时,保护膜(2)在纵向侧(11)上突出超过元件的上侧(10),并且步骤B)包括以下子步骤:B1)在保护膜(2)上沿纵向侧(11)靠近半导体元件(1)以刮擦的方式引导移除工具(4),使得保护膜(2)通过移除工具(4)朝向半导体元件(1)的侧面(12)弯曲;以及B2)将移除工具(4)拉回,使得保护膜(2)被捕获在移除开口(44)中并且保护膜(4)从元件的上侧(10)脱离。
Description
提供了一种从半导体元件移除保护膜的方法。此外,还提供了一种用于这种方法的移除工具和半导体元件。
要实现的目的在于提供一种能够有效地从半导体元件(例如发光二极管)移除保护膜的方法。
此外,该目标通过具有专利权利要求1的特征的方法来实现。其他权利要求与优选改进方案有关。
根据至少一个实施例,半导体元件是光电半导体元件。例如,半导体元件是发光二极管或LED灯。
根据至少一个实施例,方法包括提供半导体元件的步骤。在这种情况下,保护膜位于半导体元件的元件上侧上。保护膜特别适用于在运输和安装过程中保护半导体元件的光电半导体芯片(例如,发光二极管芯片)。例如,保护膜是透明或半透明的膜,其粘接在元件上侧上。
根据至少一个实施例,方法包括从元件上侧分离保护膜的步骤。这种分离是利用至少一个移除工具进行的,该移除工具具有一个或更多个移除开口。优选地,恰好使用一个移除工具。
根据至少一个实施例,从元件上侧的延伸观察,保护膜在纵向侧处突出超过元件上侧。也就是说,保护膜在纵向侧处从元件上侧悬垂。
根据至少一个实施例,保护膜的分离包括在横向于元件上侧的方向上、特别是在垂直于元件上侧的方向上沿纵向侧靠近半导体元件引导移除工具。换言之,移除工具横向于、优选垂直或近似垂直于元件上侧移动。在这种情况下,移除工具优选靠近由半导体元件的元件下侧限定的平面。在这种情况下,元件下侧与元件上侧相对。可以将移除工具引导至该平面。
根据至少一个实施例,沿保护膜引导移除工具,同时作用在保护膜上,使得保护膜通过移除工具在朝向侧面的方向上和/或在朝向半导体元件的元件下侧的方向上弯曲。在这种情况下,优选地,移除工具特别是在移除工具的杆区域中不接触半导体元件而只接触保护膜。
根据至少一个实施例,分离包括退回移除工具。这种退回优选是在与移除工具先前的引导相反的方向上进行的。也就是说,可以发生移除工具的移动方向的反转。这样,在移除开口中捕获保护膜,并且保护膜从元件上侧脱离。捕获可以是被动捕获,即仅由于移除开口的几何形状和由于保护膜的特性,或者捕获是主动捕获,特别是通过改变移除开口的配置。
还可以的是,只要保护膜上的可用空间允许,移除工具还至少部分地执行水平或倾斜的移动方向。也就是说,优选地,移动方向主要垂直于元件上侧定向,但其不需要完全垂直于元件上侧延伸。
在至少一个实施例中,从半导体元件移除保护膜的方法包括以下步骤(特别是按指定顺序):
A)提供半导体元件,该半导体元件在元件上侧上具有保护膜,和
B)利用具有移除开口的移除工具从元件上侧分离保护膜,
在步骤A)中,从元件上侧的延伸观察,保护膜在纵向侧处突出超过元件上侧,并且
步骤B)包括以下子步骤,优选按指定顺序:
B1)在横向于元件上侧的方向上沿纵向侧靠近半导体元件引导移除工具,同时该移除工具作用在保护膜上,使得保护膜通过移除工具在朝向半导体元件的侧面的方向上弯曲,和
B2)退回移除工具,使得在移除开口中捕获保护膜,并且保护膜从元件上侧脱离。
本文所述的方法特别针对具有保护膜的SMT元件。在该背景下,SMT表示表面贴装技术。即使在狭窄的空间条件下,也可以利用这种方法分离保护膜。特别是,方法可以利用移除工具自动执行或以自动方式执行。
通常希望基于LED的光源在发光面上具有保护膜。在这种情况下,可能存在着许多不同的参数,特别是在保护膜的配置方面的参数(例如其形状、保护膜突出超过半导体元件的距离、或用于紧固保护膜的粘合剂面的配置方式)。例如在电路板(例如,印刷电路板,简称PCB)上焊接和安装另外的组成部分后,对旨在再次分离保护膜的方法的要求可能相对较高。
保护膜通常是手动分离的。对于大批量或在狭窄的空间条件下,这是不切实际的。
借助本文所述的方法,保护膜是通过合适的移除工具分离的。例如,移除工具被配置成类似于凿子,并且靠近下端具有槽或缺口作为移除开口。该开口斜向下延伸,并且移除开口的下边缘可以为锋利的边缘或被配置成具有齿或尖刺。
特别是,因此朝着电路板的方向靠近半导体元件向下引导该移除工具,优选地,半导体元件事先紧固在该电路板上。在这种情况下,覆盖膜的凸舌或悬垂部被弹性地向下压并沿移除工具的杆(例如凿形杆)滑动。当向回提起移除工具时,保护膜穿入移除工具的移除开口中,并卡住或捕获在那里(例如在锋利的边缘或尖刺的边缘上),从而被提起并与半导体元件分离。
此外,移除工具对保护膜的夹紧作用可以通过以下方式主动实现:移除工具的杆被配置成多个部件(尤其是被配置成两个部件)并且可以形成移除开口的槽或缺口在保护膜穿入后变窄。
根据至少一个实施例,在步骤A)中,保护膜借助于粘合剂紧固在半导体元件上。优选地,仅在保护膜与半导体元件之间局部地施加粘合剂,尽管替代地该粘合剂能够存在于整个表面。
根据至少一个实施例,粘合剂仅沿元件上侧的两个彼此相对的横向侧施加。在这种情况下,从元件上侧的俯视图观察,两个横向侧横向于、优选垂直于纵向侧定向。横向侧可以各自比纵向侧长。
根据至少一个实施例,移除开口由槽或切口形成。移除开口部分地或者完全地沿纵向侧延伸。也就是说,移除开口可以是细长的,并且沿纵向侧与保护膜一样宽或者比保护膜宽。替代地,移除开口可以相对较窄并且仅沿纵向侧的一部分延伸,例如沿纵向侧的至多60%或40%延伸。从横截面观察,移除开口可以是梯形或平行四边形的形状。如果移除开口完全沿纵向侧延伸,则移除工具优选包括从纵向侧观察位于保护膜旁边的框架。
根据至少一个实施例,移除开口以一定的角度远离元件上侧并朝向元件下侧延伸,该角度为至少0°或至少30°或至少40°和/或至多70°或至多60°或至多50°。也就是说,移除开口优选相对陡峭地、几乎垂直于元件上侧延伸。
根据至少一个实施例,在移除开口的下边缘处存在锐角。在这种情况下,下边缘面向移除工具的底端。底端是移除工具的在步骤B1)中向前移动的一端。
根据至少一个实施例,下边缘设置有一个或更多个捕获结构。至少一个捕获结构适于在步骤B2)中穿入保护膜中和/或对保护膜进行捕获。例如,捕获结构由尖刺、钩子、倒钩和/或齿形成。
根据至少一个实施例,移除工具包括杆。杆优选是移除工具的接触保护膜的唯一组成部分,并因此靠近半导体元件。移除开口或多个移除开口位于杆中。
根据至少一个实施例,移除工具的杆被配置成一体式。也就是说,杆由单个部件形成,并且优选是固定不动的。
根据至少一个实施例,杆是机械刚性的。也就是说,在预期使用过程中,杆不会形变或不会明显形变。
根据至少一个实施例,移除工具的杆包括多个部件、特别是恰好两个部件。部件可以由相同的材料或不同的材料形成。部件可以具有彼此不同的厚度。
根据至少一个实施例,杆的部件能够相对于彼此移位。因此,可以通过部件的相对于彼此的相对移动来更改移除开口的配置,并在步骤B2)中夹紧可移除膜。
根据至少一个实施例,至少在步骤B1)中,移除开口沿远离元件上侧的方向延伸穿过杆的部件。也就是说,在步骤B1)中,可移除膜可以引导穿过整个杆。因此,只有在步骤B2)中,保护膜才能够在部件之间被有效地夹紧。
根据至少一个实施例,在步骤B1)中,移除开口由部件之间的距离形成,特别是由平行于移除工具的移动方向的距离形成。特别是,由于这个原因,部件中的一个、甚至是两个部件没有用于移除开口的通孔。换言之,移除开口仅部分延伸穿过杆。在步骤B2)中,保护膜随后可以被夹紧在部件之间,特别是在保护膜不穿过杆的情况下。
根据至少一个实施例,在步骤A)中,保护膜仅在纵向侧处突出超过元件上侧。因此,从俯视图观察,保护膜可以在元件上侧的一个、几个或所有其他侧处相对于元件上侧向后退或者与元件上侧齐平。
根据至少一个实施例,保护膜由下列材料之一组成或者包括下列材料中的至少一种:聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯。
根据至少一个实施例,保护膜相对于元件上侧具有至少1N/cm和/或至多10N/cm的粘合力,也就是说,每厘米保护膜长度的粘合力例如为2.5N。例如,实现这种粘合力的粘合剂(例如条带形式)的宽度为至少0.5mm和/或至多5mm。优选地,存在多个(特别是两个)此种条带形式的粘合剂。例如,使用硅胶作为粘合剂。保护膜(可选地与粘合剂一起)可以耐温至180℃,并能短暂(特别是最多10秒或30秒)承受350℃的温度。
根据至少一个实施例,保护膜的材料(并因此优选保护膜本身)在300K时具有至少1GPa或至少2.5GPa的弹性模量。替代地或附加地,该值为至多8Gpa或至多4Gpa。在300K时,保护膜的抗拉强度可以为至少0.1GPa或至少0.15GPa和/或至多0.8GPa或至多0.4GPa。
根据至少一个实施例,移除开口的高度与保护膜的厚度的比值为至少1.1或至少1.2或至少1.5。替代地或附加地,该比值为至多6或至多4或至多3。特别是,移除开口的高度是在垂直于元件上侧的方向上且沿杆在步骤B2)中的移动方向确定的。
根据至少一个实施例,保护膜超出纵向侧的悬垂部与半导体元件的厚度的比值为至少0.2或至少0.5或至少0.8。替代地或附加地,该比值为至多5或至多2或至多1.2。优选地,在保护膜尚未被工具形变时、即特别是在步骤A中确定悬垂部。
根据至少一个实施例,悬垂部与保护膜的厚度的比值为至少5或至少10或至少20。替代地或附加地,该比值为至多100或至多50或至多35。
根据至少一个实施例,在步骤A)中,以安装在载体(例如电路板)上的方式提供半导体元件。在载体上可以只存在一个或多个半导体元件。
根据至少一个实施例,在该载体上有至少一个载体框架,其形成一个或更多个凹槽。在这种情况下,优选将半导体元件布置在凹槽中。特别是,至少一个凹槽与至少一个半导体元件之间存在一对一的对应关系。
根据至少一个实施例,特别是在元件上侧的高度上、在纵向侧处,半导体元件与载体框架之间的距离为至少0.5mm或至少1mm或至少2mm。替代地或附加地,该距离为至多10mm或至多5mm或至多2.5mm。在这种情况下,该距离可以是元件上侧对角线长度的至多10%或至多5%和/或至少1%。也就是说,与元件上侧的对角线长度相比,该距离可以很小。
根据至少一个实施例,在步骤B)中,将移除工具引导到凹槽中、在半导体元件与载体框架之间。因此,利用本文所述的移除工具,尽管半导体元件旁边的侧向空间很小,但仍能够以自动的方式分离保护膜。
此外,提供了一种移除工具,其用于上述实施例中的一个或更多个所描述的方法。因此,对于方法来说,也公开了移除工具的特征,反之亦然。
在至少一个实施例中,移除工具包括杆,在该杆中存在一个或更多个移除开口。移除开口例如以一定的角度延伸至杆的底端,该角度为至少20°和/或至多70°,特别是从50°到60°。优选地,杆的长度比移除开口与底端的距离大至少10倍或20倍或30倍。优选地,从外部观察,在杆的外侧上确定该距离,该距离不是指移除开口与杆内部的底端的距离。
此外,提供了一种半导体元件,其用于上述实施例中的一个或更多个所描述的方法。因此,对于方法来说,也公开了半导体元件的特征,反之亦然。
在至少一个实施例中,半导体元件包括一个或更多个半导体芯片,特别优选为至少一个光电半导体芯片(例如发光二极管芯片、激光二极管芯片、CCD芯片或光电二极管芯片)。半导体元件还包括框架,从元件上侧的俯视图观察,该框架围绕、优选完全围绕至少一个半导体芯片周向延伸。至少或仅紧固在框架上的保护膜优选地与光电半导体芯片相距一定距离布置,使得保护膜不接触至少一个半导体芯片。从元件上侧的延伸观察,保护膜在元件上侧的纵向侧处突出超过元件上侧,使得从元件上侧的俯视图观察,半导体元件或半导体元件与保护膜的组合在纵向侧处由保护膜界定。
根据至少一个实施例,至少一个光电半导体芯片具有多个像素。优选地,这些像素或像素组可彼此独立地光电驱动。例如,存在至少100个或103个或104个和/或至多106个或至多105个像素。
根据至少一个实施例,至少一个光电半导体芯片适于产生光。例如,半导体芯片旨在在运行过程中发射白光或彩色光。待发射的光可以具有固定的光谱组成或者可以通过例如存在以不同的相关色温发射白光的像素或发射不同颜色的像素来进行调谐。
在下文中,将在示例性实施例的帮助下,参考附图对本文所描述的方法、移除工具和半导体元件进行更详细的解释。相同的附图标记表示各个图中相同的元件。不过,所表示的关系并非是真实比例,相反,为了更好地理解,可能会对单个元件进行放大。
图1至图5示出了用于完成本文所述的半导体元件的方法的示例性实施例的方法步骤的示意性剖面表示。
图6示出了本文所述的半导体元件的示例性实施例的示意性俯视图,
图7示出了图6的半导体元件的示意性剖面表示,
图8至图11示出了用于本文所述的方法的移除工具的示例性实施例的示意性剖面表示,和
图12和图13示出了用于本文所述的方法的移除工具的示例性实施例的示意性侧视图。
图1至图5示出了从半导体元件1移除保护膜2的方法。图1示出了半导体元件1(其优选为用于发射光的光电半导体元件)安装在载体51上,例如通过焊接安装在载体51上。
在载体51上存在着限定了凹槽52的载体框架53。半导体元件1附接在凹槽52中,载体框架53与半导体元件1之间的距离D相对较小,且例如为大约2mm。例如,距离D是在将半导体元件1放置在载体51上时的安装公差的至少两倍且至多六倍。例如,安装公差为0.5mm。为了简化表示,随后将不再示出载体51和载体框架53。
作为图1表示的变型,还可以在载体51上安装多个半导体元件1。
保护膜2紧固在半导体元件1的上侧10上。保护膜2优选是粘接的。在这种情况下,保护膜2可以与半导体元件1的半导体芯片相距一定距离。在纵向侧11处,保护膜2突出超过元件上侧10。在这种情况下,保护膜2与元件上侧10平行定向并且扁平地成形。
例如,保护膜2是Kapton膜或聚酰亚胺膜,例如是来自德国Norderstedt的DETAKTA制造商的K92/>类型的膜,厚度为0.064mm。
为了分离保护膜2,使用移除工具4。移除工具2具有狭窄的(例如凿子形状的)杆40,使得它适合进入载体框架53与半导体元件1之间的间隙中。在面向半导体元件1和载体51的底端46处,杆40具有移除开口44。例如,移除开口44被配置成槽的形式。根据图1,移除工具4的移动方向M垂直于元件上侧10并且朝向载体51。
图2示出了将移除工具4放置在保护膜2上,侧向靠近半导体元件1,并且将保护膜2朝向半导体元件1的侧面12向下压,该侧面将元件上侧10连接到相对的元件下侧14。保护膜2因此在元件上侧10的纵向侧11处出现折痕。优选地,保护膜2未因此从元件上侧10脱离。也就是说,在该阶段,移除工具2朝向载体51向下作用侧向经过保护膜2并使保护膜2弯曲。
图3的方法步骤示出了移除工具4已经进一步移过保护膜2。在这种情况下,移除工具4沿保护膜2滑动,直到膜边缘卡入移除开口44中。在这种情况下,移除工具4可以继续移动到载体51为止或停止在与载体51相距一定距离处。
在图4的方法步骤中,移动方向M已经反转,使得移除工具4在垂直于元件上侧10的方向上再次移动远离载体51并沿着相同的路径返回。在这种情况下,保护膜2进一步滑入移除开口44中并楔入其中。由于移除开口44的形状和保护膜2的相对显著的刚度,保护膜2因此保持在移除开口44中。
如果移除工具4进一步移动,参见图5,则保护膜2被持续向上拉离元件上侧10。移除工具4优选远离元件上侧10移动,直到保护膜2被完全从元件上侧10提起。在保护膜2从元件上侧10脱离后,保护膜2可以继续固定在移除工具4上或者以另一种方式(例如借助于气流(未示出))去除保护膜2。
该方法允许高效、安全、可靠和自动化的保护膜2的脱离和分离。
图6和图7表示具有保护膜2的半导体元件1的示例性实施例。半导体元件1包括具有多个像素33的光电半导体芯片3。至少一个半导体芯片3被框架33周向包围,如俯视图所示。框架33例如直接在半导体芯片3上形成,并且例如通过铸造或注塑或压制来制造。半导体芯片3优选不到达元件上侧10,使得元件上侧10可以仅由框架33形成。
例如,保护膜2仅在垂直于纵向侧11的两个横向侧13处通过条形粘合剂21紧固在元件上侧10上。纵向侧11的长度L可以小于横向侧13的长度Q。例如,长度L为至少5mm和/或至多50mm。例如,长度Q为至少8mm和/或至多80mm。例如,半导体元件1在元件上侧10与元件下侧14之间的厚度B为至少0.5mm和/或至多5mm,尤其为1mm至2mm(包含边界值)。
保护膜2仅在纵向侧11处突出超过元件上侧10,并且除此以外相对于元件上侧10向后退,例如向后退至少0.1mm和/或至多1mm。在纵向侧11处,保护膜2可以成形为对称或不对称的梯形。
例如,保护膜2的厚度T为至少20μm和/或至多0.2mm,尤其为45μm至95μm(包含边界值)。例如,保护膜2由聚酰胺制成。保护膜2在纵向侧11处超出元件上侧10的悬垂部P为例如至少0.4mm和/或至多4mm。例如,该悬垂部P等于半导体元件的厚度B,公差至多为1.5倍或1.2倍。替代地或附加地,悬垂部P等于长度Q的至少2%或至少5%和/或至多25%或至多15%。粘合剂21的厚度为例如至少2μm和/或至多0.1mm。
前面三段中提到的值可以单独使用、一起使用或者以任何期望的组合使用。
如图6和图7所示,这种半导体元件1与保护膜2一起可以在所有其他示例性实施例中使用、特别是在图1至图5的方法中使用。
图8至图13示出了移除工具4的各种配置可能性,其可以在所有示例性实施例中使用。
与图1至图5的方法不同,图8至图13的移除工具4分别被配置成多个部件,尤其被配置成两个部件。也就是说,杆44尤其由第一部件43和第二部件42组成,部件43、42可相对于彼此移动。在这种情况下,第一部件43分别旨在面向待移除的保护膜2。
根据图8,部件43、42可以没有孔。如横截面所示,第二部件42被配置成钩子的形式并限定杆40的总厚度。第二部件42形成移除开口44的下边缘45和杆40的底端46。移除开口44在下边缘45处与第二部件42的前侧形成约45°的锐角A,该前侧与第一部件43齐平或近似齐平。
第一部件43可沿方法中的杆40的预期移动方向平行于第二部件42移动。在对应于图1至图3的方法步骤中,移除开口44的高度H优选为保护膜2的厚度T的至少1.5倍和/或至多3倍,移除工具4是用于该保护膜的。这一点也可以适用于所有其它示例性实施例。
在对应于图4和图5的方法步骤中,第一部件43朝向下边缘45移动,使得待移除的保护膜2被夹在部件43、42之间。在这种情况下,下边缘45优选为锋利的边缘,以改善保护膜2与杆40的楔入或钩合。
在图9的示例性实施例中,移除开口44延伸穿过两个部件43、42,使得在对应于图1至图3的方法步骤中形成用于移除开口44的连续通道。在对应于图4和图5的方法步骤中,部件43、42相对于彼此移位,使得保护膜2能够被夹紧。在这种情况下,可以通过第二部件42的在移除开口44上面向底端46的锋利边缘实现额外的保持效果,该锋利边缘靠近第一部件43。
图10示出了第二部件42在移除开口44区域中可以具有圆形轮廓。由此可以降低因为部件42、43相对于彼此的相对移动而剪断保护膜2的风险。
图10还示出了移除开口44可以具有两个区域,尤其在第一部件43中:移除开口44在面向待移除的保护膜2的一侧上更陡峭地延伸,并且朝向第二部件42变得更平缓。这使得与具有恒定斜率的移除开口44相比,底端46与移除开口44之间的距离在第一部件43面向待移除保护膜2的一侧上可以更小。这一点适用于所有其它示例性实施例。
图11示出了移除开口44可以形成楔形形状,使得移除开口44在朝向第二部件42的方向上逐渐变细。在所有其他示例性实施例中也可以有这样的配置。
图11还表示在移除工具4的打开状态下(即,在对应于图1至图3的方法步骤中),部件42、43在底端46不需要齐平。例如,第二部件42朝向底端46突出超过第一部件43,反之亦然。当将杆40放置在载体51上(未示出)时,部件42、43相对于彼此的这种偏移可以导致保护膜2自动保持在移除开口44中。在所有其他示例性实施例中也可以有这样的配置。
根据图12,从沿纵向侧11的俯视图观察,第二部件42具有比第一部件43更大的宽度。这特别适用于根据图9至图11的移除工具4的配置。相反,根据图13,部件42、43是等宽的。例如,这可以适用于根据图8的移除工具。由此,移除开口44可以完全或主要横向地跨过部件42、43延伸。
图12还示出了可以存在一个或更多个捕获结构41,特别是在移除开口44的下边缘46上。例如,至少一个捕获结构41由尖刺或倒钩形成。在所有其他示例性实施例中也可以有这样的配置。
除非另有说明,否则图中所示的组成部分优选按所示的顺序相互跟随,特别是彼此直接跟随。图中未接触的组成部分优选彼此相距一定距离。当所示的线彼此平行时,相关联的面优选同样彼此平行定向。此外,除非另有说明,否则可以认为附图正确再现了所示组成部分相对于彼此的相对位置。
本文所述的发明不受借助于示例性实施例的描述的限制。相反,本发明包括任何新特征和任何特征组合,其特别包括专利权利要求中的任何特征组合,即使该特征或该组合本身未明确在专利权利要求或示例性实施例中详细说明。
本专利申请要求德国专利申请10 2020 129 064.0的优先权,其公开内容通过引用并入本文。
附图标记说明
1 半导体元件
10 元件上侧
11 元件上侧的纵向侧
12 半导体元件的侧面
13 半导体元件的横向侧
14 元件下侧
2 保护膜
21 粘合剂
3 光电半导体芯片
31 像素
33 框架
4 移除工具
40 杆
41 捕获结构
42 杆的第二部件
43 杆的第一部件
44 移除开口
45 下边缘
46 杆的底端
51 载体
52 凹槽
53 载体框架
A 移除开口相对于半导体元件的角度
B 不带保护膜的半导体元件的厚度
D 半导体元件-载体框架的距离
H 移除开口的高度
L 半导体元件在纵向侧上的长度
M 移除工具的移动方向
P 保护膜的悬垂部
Q 半导体元件在横向侧上的长度
T 保护膜的厚度
Claims (15)
1.一种从半导体元件(1)移除保护膜(2)的方法,所述方法具有以下步骤:
A)提供所述半导体元件(1),所述半导体元件(1)在元件上侧(10)上具有所述保护膜(2),和
B)利用具有移除开口(44)的移除工具(4)从所述元件上侧(10)分离所述保护膜(2),
其中,在步骤A)中,从所述元件上侧(10)的延伸观察,所述保护膜(2)在纵向侧(11)处突出超过所述元件上侧(10),并且
其中,步骤B)包括以下子步骤:
B1)在横向于所述元件上侧(10)的方向上沿所述纵向侧(11)靠近所述半导体元件(1)引导所述移除工具(4),同时所述移除工具作用在所述保护膜(2)上,使得所述保护膜(2)通过所述移除工具(4)在朝向所述半导体元件(1)的侧面(12)的方向上弯曲,和
B2)退回所述移除工具(4),使得在所述移除开口(44)中捕获所述保护膜(2),并且所述保护膜(2)从所述元件上侧(10)脱离。
2.根据前一权利要求所述的方法,
其中,在步骤A)中,所述保护膜(2)借助于粘合剂(21)紧固在所述半导体元件(1)上,并且
其中,所述粘合剂(21)仅沿所述元件上侧(10)的两个彼此相对的横向侧(13)施加。
3.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中,由沿所述纵向侧(11)延伸的槽形成所述移除开口(44),并且
其中,所述槽以至少30°且至多60°的角度远离所述元件上侧(10)并朝向所述元件下侧(14)延伸。
4.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中,在所述移除开口(44)的下边缘(45)处存在锐角,所述下边缘设置有适于在步骤B2)中穿入所述保护膜(2)中的至少一个捕获结构(41)。
5.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中,所述移除工具(4)的杆(40)被配置为一体式的且为机械刚性的,所述移除开口(44)位于所述杆中。
6.根据权利要求1至4之一所述的方法,
其中,所述移除工具(4)的杆(40)包括能够相对于彼此移位的两个部件(42、43),
其中,在步骤B1)中,所述移除开口(44)沿远离所述元件上侧(10)的方向延伸穿过两个部件(42、43),使得在步骤B2)中,将所述保护膜(2)夹在部件(42、43)之间。
7.根据权利要求1至4之一所述的方法,
其中,所述移除工具(4)的杆(40)包括能够相对于彼此移位的两个部件(42、43),
其中,在步骤B1)中,所述移除开口(44)是由在步骤B)中所述部件(42、43)之间平行于所述移除工具(4)的移动方向(M)的距离形成的,并且所述移除开口(44)仅部分延伸穿过所述杆(40),使得在步骤B2)中,将所述保护膜(2)夹在所述两个部件(42、43)之间。
8.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中,在步骤A)中,从俯视图观察,所述保护膜(2)仅在纵向侧(12)处突出超过所述元件上侧(10),而在所述元件上侧(10)的所有其他侧处相对于所述元件上侧(10)向后退。
9.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中,所述保护膜(2)由下列材料之一组成或包括下列材料中的至少一种:聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚碳酸酯。
10.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中所述移除开口(44)的高度(H)与所述保护膜(2)的厚度(T)的比值为1.2至4,包含边界值。
11.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中,所述保护膜(2)超出所述纵向侧(11)的悬垂部(P)与所述半导体元件(2)的厚度(B)的比值为0.5至2,包含边界值,和/或所述悬垂部(P)与所述保护膜(2)的厚度(T)的比值为10至50,包含边界值。
12.根据前述权利要求之一所述的方法,其中
-在步骤A)中,以安装在载体(51)上的方式提供所述半导体元件(1),并且将形成凹槽(52)的载体框架(53)定位在所述载体(51)上,
-将所述半导体元件(1)布置在所述凹槽(52)中,在所述元件上侧(10)的高度上、在所述纵向侧(11)处,所述半导体元件(1)与所述载体框架(53)之间的距离(D)为0.5mm至5mm,包含边界值,并且
-在步骤B)中,将所述移除工具(4)引导到所述凹槽(52)中、在所述半导体元件(1)与所述载体框架(53)之间。
13.一种移除工具(4),其用于前述权利要求之一所述的方法,其具有杆(40),所述移除开口(44)位于所述杆中,其中
-所述移除开口(44)延伸至所述杆(40)的底端(46),并且
-所述杆(40)的长度比所述移除开口(44)与所述底端(46)的距离大至少20倍。
14.一种半导体元件(1),其用于权利要求1至12之一所述的方法,其具有
-光电半导体芯片(3),
-框架(53),从所述元件上侧(10)的俯视图观察,所述框架完全围绕所述光电半导体芯片(3)周向延伸,和
-所述保护膜(2),其紧固在所述框架(33)上并与所述光电半导体芯片(3)分隔开,
其中,从所述元件上侧(10)的延伸观察,所述保护膜(2)在纵向侧(11)处突出超过所述元件上侧(10),使得从所述元件上侧(10)的俯视图观察,所述半导体元件(1)在所述纵向侧(11)处由所述保护膜(2)界定。
15.根据前一权利要求所述的半导体元件(1),
其中,所述光电半导体芯片(3)具有多个像素(31)件并且适于产生光。
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