CN116413297A - 波长色散x荧光光谱仪调试方法、系统、电子设备和介质 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 307
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 57
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 44
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 8
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 210000004087 cornea Anatomy 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- 208000032005 Spinocerebellar ataxia with axonal neuropathy type 2 Diseases 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 208000033361 autosomal recessive with axonal neuropathy 2 spinocerebellar ataxia Diseases 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000004846 x-ray emission Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/223—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material by irradiating the sample with X-rays or gamma-rays and by measuring X-ray fluorescence
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
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Abstract
本申请涉及一种波长色散X荧光光谱仪调试方法、系统、电子设备和介质,方法基于波长色散X荧光光谱仪,获取实验样品的晶体支架理论转动角度和探测器支架理论转动角度;对实验样品进行双扫描,使第一探测器接收分光后的X射线,得到实验样品的晶体支架实际转动角度和探测器支架第一实际转动角度;根据晶体支架理论转动角度和晶体支架实际转动角度即可得到晶体支架实际初始角,结合晶体支架理论初始角,可得到晶体支架偏移角;根据探测器支架理论转动角度和探测器支架第一实际转动角度即可得到探测器支架实际初始角,结合探测器支架理论初始角,可得到探测器支架偏移角。本申请具有对晶体和探测器的角度进行校正,提高光谱仪的精密度的效果。
Description
技术领域
本申请涉及光谱仪技术领域,尤其是涉及一种波长色散X荧光光谱仪调试方法、系统、电子设备和介质。
背景技术
波长色散X射线荧光光谱法可对多种类型的样品进行测试,前处理简单,是一种多元素定量分析的精密仪器,在冶炼、建材、环境、地质等行业广泛应用。在光谱仪中,X射线光管的功率通常可以达到几千瓦,所发射的X射线强度很大,会对人体健康造成危害,通常应用密封腔室将X射线隔离起来。从样品发射的X射线,在完全满足布拉格方程的条件下会发生衍射,探测器在2θ角度处进行接收,而光路系统就是波长色散X射线荧光光谱仪器中极为重要的系统,系统中每一个部件都需要极为精细的调整和优化,而衍射所需要的晶体和接收信号的探测器所在的测角仪是最为精密的装置,各个光谱仪在制作时无法保证角度的精确性,因此需要对晶体和探测器的角度进行精密调节。
发明内容
为了对晶体和探测器的角度进行校正,提高光谱仪的精密度,本申请提供一种波长色散X荧光光谱仪调试方法、系统、电子设备和介质。
本申请提供的一种波长色散X荧光光谱仪调试方法、系统、电子设备和介质采用如下的技术方案:
第一方面,本申请提供的一种波长色散X荧光光谱仪调试方法,所述波长色散X荧光光谱仪包括测角仪、驱动模块、两个探测器、探测器支架和晶体支架,所述探测器支架和所述晶体支架安装于所述测角仪,两个所述探测器包括第一探测器和第二探测器,所述第一探测器和所述第二探测器固定于所述探测器支架上,且呈夹角设置;所述驱动模块驱动所述晶体支架和所述探测器支架转动,使所述晶体支架上的分光晶体分光后的X射线射至所述第一探测器或所述第二探测器;所述波长色散X荧光光谱仪调试方法包括以下步骤:
获取实验样品对应的理论角度:获取实验样品的晶体支架理论转动角度θ理和探测器支架理论转动角度Dθ理;
获取实验样品对应的实际转动角度:向驱动模块发送复位信号,所述驱动模块响应所述复位信号,分别控制所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置,所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,分别控制所述晶体支架和所述探测器支架转动,对所述实验样品进行θ-2θ双扫描,以使所述第一探测器接收分光后的X射线,得到与所述实验样品最大荧光强度对应的晶体支架实际转动角度θ实转和探测器支架第一实际转动角度Dθ实转1;以及,
计算测角仪的偏移角:所述晶体支架实际初始角θ实初=θ理-θ实转,则所述晶体支架偏移角θ偏=θ理-θ实转-θ理初;其中,θ理初为晶体支架理论初始角;所述探测器支架实际初始角Dθ实初=Dθ理-Dθ实转1,则所述探测器支架偏移角Dθ偏= Dθ理-Dθ实转1-Dθ理初;其中,Dθ理初为探测器支架理论初始角。
通过采用上述技术方案,在进行扫描前,晶体支架理论初始角一般为5°和探测器支架理论初始角一般为10°,而这个角度在不同光谱仪中会具有偏差且偏差值可能不同。首先获得实验样品对应的晶体支架理论转动角度,再利用光谱仪对试验样品进行双扫描,根据晶体支架实际转动角度与晶体支架理论初始角,可得到晶体支架的计算转动角度,根据晶体支架理论转动角度和晶体支架的计算转动角度,可以得到晶体支架实际初始角与理论初始角的偏差值,即晶体支架偏移角,在后续对待测样品进行扫描时,将晶体支架偏移角配置到相应晶体支架的参数中,有助于晶体θ角的精准计算。
获得实验样品对应的探测器支架理论转动角度,再利用光谱仪对试验样品进行双扫描,根据探测器支架实际转动角度和探测器支架理论初始角,可得到探测器支架的计算转动角度,根据探测器支架理论转动角度和探测器支架的计算转动角度,可以得到探测器支架实际初始角和理论初始角的偏差值,即探测器支架偏移角,在后续对待测样品进行扫描时,将探测器的偏移角配置到相应探测器支架的参数中,有助于探测器2θ角的精准计算。根据晶体支架偏移角和探测器支架偏移角,可对晶体支架初始角和探测器支架初始角进行校正,实现对测角仪初始角的校正。
可选的,”计算测角仪的偏移角”的步骤之后还包括:
获取待测样品对应的实际转动角度:向所述驱动模块发送复位信号,所述驱动模块分别控制所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置,所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,分别控制所述晶体支架和所述探测器支架转动,对所述待测样品进行θ-2θ双扫描,得到与所述待测样品最大荧光强度对应的晶体支架实际转动角度Cθ实转和探测器支架第一实际转动角度CDθ实转1;
计算待测样品对应的理论转动角度:待测样品的晶体支架理论转动角度Cθ理=Cθ实转+θ理-θ实转;待测样品的探测器支架的第一理论转动角度CDθ理1= CDθ实转1+Dθ理-Dθ实转1。
通过采用上述技术方案,利用晶体支架偏移角可对待测样品对应的晶体支架理论转动角度进行修正,有助于晶体θ角的精准计算;利用探测器支架偏移角可对待测样品对应的探测器支架理论转动角度进行修正,有助于探测器2θ角的精准计算。
可选的,”计算测角仪的偏移角”的步骤之后还包括:
获取实验样品对应的探测器支架第二实际转动角度:向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,控制所述探测器支架转动对实验样品进行2θ扫描,以使第二探测器接收分光后的X射线,得到实验样品对应的探测器支架第二实际转动角度Dθ实转2;
计算探测器夹角的偏移角:所述第一探测器和所述第二探测器之间的实际夹角α实=Dθ实转2-Dθ实转1,则探测器夹角的偏移角α偏=Dθ实转2-Dθ实转1-α理,其中,α理为第一探测器和第二探测器之间的理论夹角。
通过采用上述技术方案,探测器支架上,第一探测器与第二探测器之间的理论夹角一般为30°,而这个夹角在不同光谱仪中会具有偏差且偏差值可能不同。转动探测器使第一探测器接收分光后的X射线,可得到探测器支架第一实际转动角度,转动探测器使第二探测器接收分光后的X射线,可得到探测器支架第二实际转动角度,根据第一实际转动角度与第二实际转动角度,可得到第一探测器和第二探测器之间的实际夹角,该实际夹角与30°之间的偏差值,即探测器夹角的偏移角,在后续对待测样品进行扫描时,将探测器夹角的偏移角配置到相应探测器的参数中,有助于探测器2θ角的精准计算。
可选的,“计算探测器夹角的偏移角”的步骤之后还包括:
获取待测样品对应的实际转动角度:向所述驱动模块发送复位信号,所述驱动模块分别控制所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置,所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,分别控制所述晶体支架和所述探测器支架转动对待测样品进行θ-2θ双扫描,使所述第二探测器接收分光后的X射线,得到所述待测样品与最大荧光强度对应的探测器支架第二实际转动角度CDθ实转2;
计算待测样品对应的理论转动角度:待测样品对应的探测器支架理论转动角度CDθ理=CDθ实转2-α理-α偏+Dθ理初+Dθ偏。
通过采用上述技术方案,利用探测器夹角的偏移角可对探测器支架理论转动角度进行修正,有助于探测器2θ角的精准计算。
可选的,”计算测角仪的偏移角”的步骤之后还包括:
计算晶体偏移角:向所述驱动模块发送复位信号,所述驱动模块分别控制所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置,所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,分别控制所述晶体支架和所述探测器支架转动对专用样品进行θ-2θ双扫描,得到所述专用样品与最大荧光强度对应的探测器支架理论转动角度ZDθ理和晶体支架理论转动角度Zθ理(实测);根据专用样品对应的探测器支架理论转动角度ZDθ理和布拉格公式,计算专用样品最大荧光强度对应的晶体支架理论转动角度Zθ理(计算),则晶体偏差值Δθ晶=Zθ理(实测)-Zθ理(计算)。
通过采用上述技术方案,一般情况下,天然晶体不需要进行2d值即晶格常数的校正,人工晶体在制作过程中会出现极小的偏差,因此需要对其进行校正。利用专用样品可计算出准确的晶体实际晶格常数,根据晶体实际晶格常数可计算出准确的晶体支架理论转动角度,再对专用样品进行扫描,可得到实测的晶体支架理论转动角度,准确的晶体支架理论转动角度与实测的晶体支架理论转动角度的偏差值,即晶体的偏移角。
对各块晶体的偏移角分别进行调试,将每块晶体的偏移角配置到相应晶体参数中,应用时根据偏移角对角度进行相应调整,实现晶体θ角和探测器2θ角的精准调控。
可选的,“获取实验样品的晶体支架理论转动角度θ理和探测器支架理论转动角度Dθ理”包括以下步骤:在初级准直器、晶体支架和探测器支架转动至同一角度后,向所述驱动模块发送扫描信号,驱动模块控制所述晶体支架和所述探测器支架转动对实验样品进行θ-2θ双扫描,得到所述实验样品与最大荧光强度对应的晶体支架理论转动角度θ理和探测器支架理论转动角度Dθ理。
通过采用上述技术方案,将初级准直器、晶体支架和探测器支架转动至同一角度,扫描后晶体支架实际转动角度即晶体支架理论转动角度,探测器支架实际转动角度即探测器支架理论转动角度,如此,可准确计算出实验样品对应的晶体支架理论转动角度和探测器支架理论转动角度。
可选的,所述实验样品对应的X射线波长为0.15~0.2/nm。
通过采用上述技术方案,第一探测器和第二探测器中,其一为闪烁计数器,另一为流气正比计数器,流气正比计数器适用波长范围0.15~5.0/nm,平均能量/离子对26.4eV,电子数205/光子,分辨率1.2/keV,用于轻元素检测;闪烁计数器适用波长范围0.02~0.2/nm,平均能量/离子对350eV,电子数23/光子,分辨率3.0/keV,用于重元素检测。实验样品对应的X射线波长为0.15~0.2/nm,均能被两个探测器检测到。
第二方面,本申请提供一种调试系统,包括:
实验样品的理论角度获取模块,用于获取实验样品的晶体支架理论转动角度θ理和探测器支架理论转动角度Dθ理;
实验样品的实际转动角度获取模块,用于向驱动模块发送复位信号,所述驱动模块响应所述复位信号,控制所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置,所述晶体支架和所述探测器支架转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,控制所述晶体支架和所述探测器支架转动对实验样品进行θ-2θ双扫描,得到所述实验样品与最大荧光强度对应的晶体支架实际转动角度θ实转和探测器支架第一实际转动角度Dθ实转1;
晶体支架偏移角计算模块,用于计算所述晶体支架偏移角,所述晶体支架实际初始角θ实初=θ理-θ实转,则所述晶体支架偏移角θ偏=θ理-θ实转-θ理初;其中,θ理初为晶体支架理论初始角;以及,
探测器支架偏移角计算模块,用于计算所述探测器支架偏移角,所述探测器支架实际初始角Dθ实初=Dθ理-Dθ实转1,则所述探测器支架偏移角Dθ偏=Dθ理-Dθ实转1-Dθ理初;其中,Dθ理初为探测器支架理论初始角。
通过采用上述技术方案,在后续对待测样品进行扫描时,将晶体支架偏移角配置到相应晶体支架的参数中,有助于晶体θ角的精准计算,将探测器的偏移角配置到相应探测器支架的参数中,有助于探测器2θ角的精准计算。
第三方面,本申请提供一种电子设备,包括处理器、存储器、用户接口及网络接口,所述存储器用于存储指令,所述用户接口和网络接口用于给其他设备通信,所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令,以使所述电子设备执行如上所述的方法。
通过采用上述技术方案,在后续对待测样品进行扫描时,将晶体支架偏移角配置到相应晶体支架的参数中,有助于晶体θ角的精准计算,将探测器的偏移角配置到相应探测器支架的参数中,有助于探测器2θ角的精准计算。
第四方面,本申请提供一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的方法的步骤。
通过采用上述技术方案,在后续对待测样品进行扫描时,将晶体支架偏移角配置到相应晶体支架的参数中,有助于晶体θ角的精准计算,将探测器的偏移角配置到相应探测器支架的参数中,有助于探测器2θ角的精准计算。
综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:
1、根据晶体支架理论转动角度和晶体支架的计算转动角度,可以得到晶体支架偏移角,在后续对待测样品进行扫描时,将晶体支架偏移角配置到相应晶体支架的参数中,有助于晶体θ角的精准计算。根据探测器支架理论转动角度和探测器支架的计算转动角度,可以得到探测器支架偏移角,在后续对待测样品进行扫描时,将探测器的偏移角配置到相应探测器支架的参数中,有助于探测器2θ角的精准计算;
2、根据探测器支架第一实际转动角度与第二实际转动角度,可得到第一探测器和第二探测器之间的实际夹角,该实际夹角与理论夹角之间的偏差值,即探测器夹角的偏移角,在后续对待测样品进行扫描时,将探测器夹角的偏移角配置到相应探测器的参数中,有助于探测器2θ角的精准计算;
3、对各块晶体的偏移角分别进行调试,将每块晶体的偏移角配置到相应晶体参数中,应用时根据偏移角对角度进行相应调整,实现晶体θ角和探测器2θ角的精准调控。
附图说明
图1是本申请实施例提供的波长色散X荧光光谱仪(初级准直器、晶体支架和探测器支架位于同一角度)的结构示意图;
图2是图1中的波长色散X荧光光谱仪(第一探测器接收X射线)的结构示意图;
图3是图1中的波长色散X荧光光谱仪(第二探测器接收X射线)的结构示意图;
图4是本申请实施例提供的波长色散X荧光光谱仪调试方法的流程示意图;
图5是本申请实施例提供的调试系统的模块示意图;
图6是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
附图标记说明:1、测角仪;2、探测器;21、第一探测器;22、第二探测器;3、探测器支架;4、晶体支架;5、X射线管;100、调试系统;101、理论角度获取模块;102、实验样品的实际转动角度获取模块;103、晶体支架偏移角计算模块;104、探测器支架偏移角计算模块;200、电子设备;201、处理器;202、网络接口;203、用户接口;204、存储器;205、通信总线。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本说明书中的技术方案,下面将结合本说明书实施例中的附图,对本说明书实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。
在本申请实施例的描述中,术语“多个”的含义是指两个或两个以上。例如,多个法截面是指两个或两个以上的法截面。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”,除非是以其他方式另外特别强调。术语“和/或”,仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,单独存在B,同时存在A和B这三种情况。
“示例性的”、“例如”或者“举例来说”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”、“例如”或者“举例来说”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言,使用“示例性的”、“例如”或者“举例来说”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
以下结合附图1-6对本申请作进一步详细说明。
本申请实施例公开一种波长色散X荧光光谱仪调试方法,基于波长色散X荧光光谱仪,为了方便理解波长色散X荧光光谱仪调试方法,先对波长色散X荧光光谱仪的结构进行具体说明。
参照图1,波长色散X荧光光谱仪包括测角仪1、两个探测器2、探测器支架3、驱动模块、晶体支架4、X射线管5、第一准直器、第二准直器。
两个探测器2包括第一探测器21和第二探测器22,第一探测器21和第二探测器22均固定于探测器支架3上,且呈夹角设置,一般的,两个探测器2之间的夹角为30°。两个探测器2均安装于探测器支架3上,探测器支架3安装于测角仪1上,驱动模块驱动探测器支架3转动带动两个探测器2同时转动。
本实施例中,第一探测器21和第二探测器22中,其一为闪烁计数器,另一为流气正比计数器,流气正比计数器适用波长范围0.15~5.0/nm,平均能量/离子对26.4eV,电子数205/光子,分辨率1.2/keV,用于轻元素检测;闪烁计数器适用波长范围0.02~0.2/nm,平均能量/离子对350eV,电子数23/光子,分辨率3.0/keV,用于重元素检测。其他实施例中,也可以为其他探测器2。
晶体支架4上用于安装分光晶体,晶体支架4安装于测角仪1上,驱动模块驱动晶体支架4转动带动分光晶体转动。驱动模块为两个独立的涡轮涡杆结构,其中一涡轮涡杆结构独立地控制晶体支架4转动,另一涡轮涡杆结构独立地控制探测器支架3转动。测角仪1可以测出晶体支架4和探测器支架3的转动角度。
X射线管5发出的X射线照射至样品上,样品在X射线的激发下发出次级X射线,次级X射线经过第一准直器的准直,经分光晶体分光后,再经过第二准直器的准直,第一探测器21或第二探测器22接收经过衍射的特征X射线信号。为了检测到波长为λ的荧光X射线,分光晶体和探测器2做同步运动,晶体支架4带动分光晶体转动θ角,探测器支架3带动探测器2转动2θ角(可结合图2),不断地改变衍射角,便可获得样品内各种元素所产生的特征X射线的波长及各个波长X射线的强度,可以据此进行特定分析和定量分析。
参照图3,波长色散X荧光光谱仪调试方法包括以下步骤:
S1:获取实验样品对应的理论角度。
获取实验样品的晶体支架4理论转动角度θ理和探测器支架3理论转动角度Dθ理。
实验样品的理论角度包括实验样品对应的晶体支架4理论转动角度、实验样品对应的探测器支架3理论转动角度。需要说明的是,晶体支架4理论转动角度θ理即晶体支架4带动分光晶体转动的θ角,探测器支架3理论转动角度Dθ理即探测器支架3带动探测器2转动的2θ角。
实验样品只要是在X射线激发下经过分光晶体衍射的特征X射线均可被第一探测器21和第二探测器22接收到的样品均可。例如,实验样品对应的X射线波长为0.15~0.2/nm,均能被两个探测器2检测到。实验样品可以为铜、镍、钾、钙、铝等。
在一可选实施例中,实验样品可以是已知的材质,例如是铜,可直接得出实验样品对应的晶体支架4理论转动角度θ理为22.5125°,实验样品对应的探测器支架3理论转动角度Dθ理为45.025°。
本实施例中,参照图1,在初级准直器、晶体支架4和探测器支架3转动至同一角度后,向驱动模块发送扫描信号,驱动模块响应扫描信号,分别控制晶体支架4和探测器支架3转动对实验样品进行θ-2θ双扫描,得到实验样品与最大荧光强度对应的晶体支架4理论转动角度θ理和探测器支架3理论转动角度Dθ理。
首先将初级准直器、晶体支架4和探测器支架3转动至同一角度,扫描后晶体支架4实际转动的角度即晶体支架4理论转动角度,探测器支架3实际转动的角度即探测器支架3理论转动角度,如此,可准确计算出实验样品对应的晶体支架4理论转动角度和探测器支架3理论转动角度。
S2:获取实验样品对应的实际转动角度。
向驱动模块发送复位信号,驱动模块响应复位信号,分别控制晶体支架4和探测器支架3转动至初始位置,向驱动模块发送扫描信号,驱动模块响应扫描信号,分别控制晶体支架4和探测器支架3转动,对实验样品进行θ-2θ双扫描,使第一探测器21接收分光后的X射线,得到与实验样品最大荧光强度对应的晶体支架4实际转动角度θ实转和探测器支架3第一实际转动角度Dθ实转1。
需要说明的是,驱动模块接收到复位信号后,驱动模块分别驱动晶体支架4和探测器支架3转动至初始位置,为了避免晶体支架4和探测器支架3之间发生干涉,晶体支架4和探测器支架3的初始位置不是测角仪1上的零点。一般的,晶体支架4的初始位置与测角仪1零点位置之间的夹角为5°,也就是晶体支架4理论初始角为5°;探测器支架3的初始位置与测角仪1零点位置之间的夹角为10°,也就是探测器支架3理论初始角为10°。
而光谱仪由于加工精度使得晶体支架4的初始角和探测器支架3的初始角具有偏差,且不同光谱仪的偏差值可能不同。因此光谱仪中,晶体支架4实际初始角可能为3°或6°等,晶体支架4实际初始角与晶体支架4理论初始角具有偏差;探测器支架3实际初始角可能为8°或11°,探测器支架3实际初始角与探测器支架3理论初始角具有偏差。
S3:计算测角仪1的偏移角,测角仪1的偏移角包括晶体支架4偏移角和探测器支架3偏移角。
S31:计算晶体支架4偏移角。
可以理解的,若所选实验样品对应的晶体支架4理论转动角度θ理为22°,该值是正确的,即晶体支架4理论转动角度(正确)=22°。光谱仪扫描时,该实验样品对应的晶体支架4实际转动角度θ实转为18°,由于光谱仪中晶体支架4理论初始角θ理初为5°,则利用光谱仪扫描计算得到的晶体支架4理论转动角度计算为23°,也就是晶体支架4实际转动角度θ实转和晶体支架4理论初始角θ理初之和,即晶体支架4理论转动角度(计算)=23°。因此,该光谱仪中晶体支架4实际初始角θ实初为4°,也就是晶体支架4理论转动角度θ理和晶体支架4实际转动角度θ实转之差,则晶体支架4偏移角θ偏为-1°,也就是晶体支架4实际初始角θ实初和晶体支架4理论初始角θ理初之差。
因此,晶体支架4实际初始角θ实初=θ理-θ实转,则晶体支架4偏移角θ偏=θ实初-θ理初=θ理-θ实转-θ理初;其中,θ理初为晶体支架4理论初始角。
首先获得实验样品对应的晶体支架4理论转动角度,再利用光谱仪对试验样品进行双扫描,根据晶体支架4实际转动角度与晶体支架4理论初始角,可得到晶体支架4的计算转动角度,根据晶体支架4理论转动角度和晶体支架4的计算转动角度,可以得到晶体支架4实际初始角与理论初始角的偏差值,即晶体支架4偏移角,在后续对待测样品进行扫描时,将晶体支架4偏移角配置到相应晶体支架4的参数中,有助于晶体θ角即晶体支架4理论转动角度θ理的精准计算。
S32:计算探测器支架3偏移角。
需要说明的是,驱动模块驱动探测器支架3转动,使第一探测器21接收衍射的特征X射线,探测器支架3转动的角度为第一实际转动角度Dθ实转1;驱动模块驱动探测器支架3转动,使第二探测器22接收衍射的特征X射线,探测器支架3转动的角度为第二实际转动角度Dθ实转2。若光谱仪中第一探测器21和第二探测器22之间的夹角α是标准的30°,则第二实际转动角度Dθ实转2=第一实际转动角度Dθ实转1+30°。
可以理解的,若所选实验样品对应的探测器支架3理论转动角度Dθ理为45°,该值是正确的,即探测器支架3理论转动角度(正确)=45°。光谱仪扫描时,该实验样品对应的探测器支架3第一实际转动角度Dθ实转1为37°,由于光谱仪中探测器支架3理论初始角Dθ理初为10°,则利用光谱仪扫描计算得到的探测器支架3理论转动角度(计算)为47°,也就是探测器支架3第一实际转动角度Dθ实转1和探测器支架3理论初始角Dθ理初之和,即探测器支架3理论转动角度计算=47°,因此,该光谱仪中探测器支架3实际初始角Dθ实初为8°,也就是探测器支架3理论转动角度Dθ理和探测器支架3第一实际转动角度Dθ实转1之差,则晶体支架4偏移角θ偏为-2°,也就是探测器支架3实际初始角Dθ实初和探测器支架3理论初始角Dθ理初之差。
因此,探测器支架3实际初始角Dθ实初=Dθ理-Dθ实转1,则探测器支架3偏移角Dθ偏=Dθ实初-Dθ理初=Dθ理-Dθ实转1-Dθ理初;其中,Dθ理初为探测器支架3理论初始角。
获得实验样品对应的探测器支架3理论转动角度,再利用光谱仪对试验样品进行双扫描,根据探测器支架3实际转动角度和探测器支架3理论初始角,可得到探测器支架3的计算转动角度,根据探测器支架3理论转动角度和探测器支架3的计算转动角度,可以得到探测器支架3实际初始角和理论初始角的偏差值,即探测器支架3偏移角,在后续对待测样品进行扫描时,将探测器2的偏移角配置到相应探测器支架3的参数中,有助于探测器2的2θ角即探测器支架3理论转动角度Dθ理的精准计算。
可以理解的,步骤S31和步骤S32之间不存在先后顺序之分。
在一可选实施例中,步骤S3之后还包括:
S4:获取待测样品对应的实际转动角度。
向驱动模块发送复位信号,驱动模块响应复位信号,分别控制晶体支架4和探测器支架3转动至初始位置,向驱动模块发送扫描信号,驱动模块响应扫描信号,分别控制晶体支架4和探测器支架3转动,对待测样品进行θ-2θ双扫描,得到与待测样品最大荧光强度对应的晶体支架4实际转动角度Cθ实转和探测器支架3第一实际转动角度CDθ实转1。
光谱仪对待测样品对应的X射线进行扫描时,通过测角仪1测量晶体支架4转动的角度即可得到晶体支架4实际转动角度Cθ实转,通过测角仪1测量探测器支架3转动的角度即可得到探测器支架3第一实际转动角度CDθ实转1。
S5:计算待测样品对应的理论转动角度。
S51:计算待测样品的晶体支架4理论转动角度。
示例性的,若待测样品对应的晶体支架4实际转动角度Cθ实转为20°,则晶体支架4理论转动角度为24°,也就是晶体支架4实际转动角度Cθ实转(即20°)和晶体支架4实际初始角θ实初(即4°)之和。
因此,待测样品的晶体支架4理论转动角度Cθ理=Cθ实转+θ理初+θ偏=Cθ实转+θ理初+θ理-θ实转-θ理初=Cθ实转+θ理-θ实转。
利用晶体支架4偏移角可对待测样品对应的晶体支架4理论转动角度进行修正,有助于晶体θ角的精准计算。
S52:计算待测样品的探测器支架3的第一理论转动角度。
示例性的,若待测样品对应的探测器支架3第一实际转动角度CDθ实转1为40°,则探测器支架3的第一理论转动角度为48°,也就是探测器支架3第一实际转动角度CDθ实转1(即40°)和探测器支架3实际初始角Dθ实初(即8°)之和。
因此,待测样品的探测器支架3的第一理论转动角度CDθ理1=CDθ实转1+Dθ理初+Dθ偏=CDθ实转1+Dθ理初+Dθ理-Dθ实转1-Dθ理初=CDθ实转1+Dθ理-Dθ实转1。
利用探测器支架3偏移角可对待测样品对应的探测器支架3理论转动角度进行修正,有助于探测器2的2θ角的精准计算。
在一可选实施例中,步骤S3之后还包括:
S6:获取实验样品对应的探测器支架3第二实际转动角度。
向驱动模块发送扫描信号,驱动模块控制探测器支架3转动对实验样品进行2θ扫描,以使第二探测器22接收分光后的X射线,得到实验样品对应的探测器支架3第二实际转动角度Dθ实转2。
S7:计算探测器2夹角的偏移角。
示例性的,实验样品对应的探测器支架3第一实际转动角度Dθ实转1为37°,实验样品对应的探测器支架3第二实际转动角度Dθ实转2为70°,则第一探测器21和第二探测器22之间的实际夹角α实为33°,即探测器支架3第二实际转动角度Dθ实转2与探测器支架3第一实际转动角度Dθ实转1之差。
因此,第一探测器21和第二探测器22之间的实际夹角α实=Dθ实转2-Dθ实转1,则探测器2夹角的偏移角α偏=α实-α理=Dθ实转2-Dθ实转1-α理,其中,α理为第一探测器21和第二探测器22之间的理论夹角。
探测器支架3上,第一探测器21与第二探测器22之间的理论夹角α理一般为30°,而这个夹角在不同光谱仪中会具有偏差且偏差值可能不同。转动探测器2使第一探测器21接收分光后的X射线,可得到探测器支架3第一实际转动角度,转动探测器2使第二探测器22接收分光后的X射线,可得到探测器支架3第二实际转动角度,根据第一实际转动角度与第二实际转动角度,可得到第一探测器21和第二探测器22之间的实际夹角,该实际夹角与30°之间的偏差值,即探测器2夹角的偏移角,在后续对待测样品进行扫描时,将探测器2夹角的偏移角配置到相应探测器2的参数中,有助于探测器2的2θ角的精准计算。
在一可选实施例中,可选的,步骤S7之后还包括:
S8:获取待测样品对应的实际转动角度。
向驱动模块发送复位信号,驱动模块响应复位信号,分别控制晶体支架4和探测器支架3转动至初始位置,向驱动模块发送扫描信号,驱动模块响应扫描信号,分别控制晶体支架4和探测器支架3转动对待测样品进行θ-2θ双扫描,使第二探测器22接收分光后的X射线,得到待测样品与最大荧光强度对应的探测器支架3第二实际转动角度CDθ实转2。
S9:计算待测样品对应的理论转动角度。
示例性的,待测样品对应的探测器支架3第二实际转动角度CDθ实转2为70°,则根据探测器支架3第二实际转动角度计算出的探测器支架3第一实际转动角度CDθ实转1为37°,即CDθ实转1=CDθ实转2-α理-α偏。根据计算出的探测器支架3第一实际转动角度CDθ实转1计算出待测样品的探测器支架3理论转动角度CDθ理为45°,即CDθ理=CDθ实转1+Dθ理初+Dθ偏。
因此,待测样品对应的探测器支架3理论转动角度CDθ理=CDθ实转1+Dθ理初+Dθ偏=CDθ实转2-α理-α偏+Dθ理初+Dθ偏。
利用探测器2夹角α的偏移角可对探测器支架3理论转动角度进行修正,有助于探测器2的2θ角的精准计算。
在一可选实施例中,步骤S3之后还包括:
S10:计算晶体偏移角。
晶体可以为但不限于LiF200、PET、Ge、多层膜晶体。向驱动模块发送复位信号,驱动模块响应复位信号,分别控制晶体支架4和探测器支架3转动至初始位置,向驱动模块发送扫描信号,驱动模块响应扫描信号,分别控制晶体支架4和探测器支架3转动对专用样品进行θ-2θ双扫描,得到专用样品与最大荧光强度对应的探测器支架3理论转动角度ZDθ理即专用样品对应的理论2θ角,根据布拉格公式,计算晶体实际晶格常数。
需要说明的是,不同晶体具有不同的晶格常数,专用样品是专用于调试的样品,专用样品中含有多种元素,专用样品对应不同晶体可测试不同的元素,不同元素对应不同λ值。
通过双扫描可得到专用样品的探测器支架3理论转动角度ZDθ理即专用样品对应的理论2θ角,理论2θ角除以2即可得到理论的θ角,根据布拉格公式可计算晶体实际晶格常数。其中,布拉格公式为:2dsinθ=nλ,d为晶格常数,n为衍射级数,λ为X射线波长。
向驱动模块发送复位信号,驱动模块控制晶体支架4转动至初始位置,向驱动模块发送扫描信号,驱动模块控制晶体支架4转动对专用样品进行扫描,得到与专用样品最大荧光强度对应的晶体支架4实际转动角度Zθ实,根据专用样品对应的晶体支架4实际转动角度Zθ实,结合上述晶体支架4偏移角θ偏,可得到计算出晶体支架4理论转动角度Zθ理(实测)。
根据晶体实际晶格常数,计算专用样品最大荧光强度对应的晶体支架4理论转动角度Zθ理(计算),则晶体偏差值Δθ晶=Zθ理(实测)-Zθ理(计算)。
需要说明的是,在理论上,理论2θ角和理论θ角在数值上是成2倍关系的,但在实际测量出的理论2θ角和理论θ角是不成绝对的2倍关系,因此需要对晶体的晶格常数进行校正。一般情况下,天然晶体不需要进行d值即晶格常数的校正,人工晶体在制作过程中会出现极小的偏差,因此需要对其进行校正。
对专用样品进行扫描可实测出晶体支架4理论转动角度即晶体支架4理论转动角度Zθ理(实测),根据晶体实际晶格常数可计算出准确的晶体支架4理论转动角度即晶体支架4理论转动角度Zθ理计算),晶体支架4理论转动角度Zθ理(实测)与晶体支架4理论转动角度Zθ理(计算)的差值,即晶体的偏移角。
对各块晶体的偏移角分别进行调试,将每块晶体的偏移角配置到相应晶体参数中,该方法可以对波长色散X射线荧光光谱仪的各块晶体偏差进行调试并进行相应校正,保证各个元素测试时对晶体不同角度的精准控制。
一般的,晶体是活动安装于晶体支架4上的,需要对晶体的位置进行调节。本申请中,由于此方法可以对晶体的偏移角进行调试,使得晶体可固定在晶体支架4上,使晶体的位置保持不变,从而简化了晶体安装在晶体支架4上的方式。
本申请实施例一种波长色散X荧光光谱仪调试方法的实施原理为:利用驱动模块分别控制晶体支架4和探测器支架3的角度,从而控制晶体和两个探测器2的角度,测角仪1可测量晶体支架4和探测器支架3的角度。首先对测角仪1的初始角进行校正,测角仪1的初始角包括晶体支架4的初始角、探测器支架3的初始角;对两个探测器2之间的夹角进行校正,两个探测器2之间的夹角通过扫描精准获取后匹配到探测器2参数中,应用时根据探测器2夹角的偏移角对夹角进行相应调整;对各块晶体的偏移角分别进行校正,将每块晶体的偏移角配置到相应晶体参数中,应用时根据晶体的偏移角对角度进行相应调整,实现晶体θ角和探测器2的2θ角的精准调控。上述调试均可通过软件实现,不需要打开仪器腔室暴露光管和样品发射的X射线。
实施例2
本申请提供一种调试系统100,参照图5,调试系统100包括实验样品的理论角度获取模块101、实验样品的实际转动角度获取模块102、晶体支架偏移角计算模块103和探测器支架偏移角计算模块104。
实验样品的理论角度获取模块101获取实验样品的晶体支架4理论转动角度θ理和探测器支架3理论转动角度Dθ理。
实验样品的实际转动角度获取模块102向驱动模块发送复位信号,驱动模块控制晶体支架4和探测器支架3转动至初始位置,向驱动模块发送扫描信号,驱动模块控制晶体支架4和探测器支架3转动对实验样品进行θ-2θ双扫描,得到实验样品与最大荧光强度对应的晶体支架4实际转动角度θ实转和探测器支架3第一实际转动角度Dθ实转1。
晶体支架偏移角计算模块103计算晶体支架4实际初始角,晶体支架4实际初始角θ实初=θ理-θ实转,计算晶体支架4偏移角,晶体支架4偏移角θ偏=θ实初-θ理初=θ理-θ实转-θ理初;其中,θ理初为晶体支架4理论初始角。
探测器支架偏移角计算模块104计算探测器支架3实际初始角,探测器支架3实际初始角Dθ实初=Dθ理-Dθ实转1,计算探测器支架3偏移角,探测器支架3偏移角Dθ偏=Dθ实初-Dθ理初=Dθ理-Dθ实转1-Dθ理初;其中,Dθ理初为探测器支架3理论初始角。
通过采用上述技术方案,在后续对待测样品进行扫描时,将晶体支架4偏移角配置到相应晶体支架4的参数中,有助于晶体θ角的精准计算,将探测器2的偏移角配置到相应探测器支架3的参数中,有助于探测器2的2θ角的精准计算。
请参见图6,为本申请实施例提供了一种电子设备的结构示意图。电子设备200可以包括:至少一个处理器201,至少一个网络接口202,用户接口203,存储器204,至少一个通信总线205。
其中,通信总线205用于实现这些组件之间的连接通信。
其中,用户接口203可以包括显示屏(Display)、摄像头(Camera),可选用户接口203还可以包括标准的有线接口、无线接口。
其中,网络接口202可选的可以包括标准的有线接口、无线接口(如WI-FI接口)。
其中,处理器201可以包括一个或者多个处理核心。处理器201利用各种接口和线路连接整个服务器内的各个部分,通过运行或执行存储在存储器204内的指令、程序、代码集或指令集,以及调用存储在存储器204内的数据,执行服务器的各种功能和处理数据。可选的,处理器201可以采用数字信号处理(DigitalSignalProcessing,DSP)、现场可编程门阵列(Field-ProgrammableGateArray,FPGA)、可编程逻辑阵列(ProgrammableLogicArray,PLA)中的至少一种硬件形式来实现。处理器201可集成中央处理器(CentralProcessingUnit,CPU)、图像处理器(GraphicsProcessingUnit,GPU)和调制解调器等中的一种或几种的组合。其中,CPU主要处理操作系统、用户界面和应用程序等;GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制;调制解调器用于处理无线通信。可以理解的是,上述调制解调器也可以不集成到处理器201中,单独通过一块芯片进行实现。
其中,存储器204可以包括随机存储器(RandomAccessMemory,RAM),也可以包括只读存储器(Read-OnlyMemory)。可选的,该存储器204包括非瞬时性计算机可读介质。存储器204可用于存储指令、程序、代码、代码集或指令集。存储器204可包括存储程序区和存储数据区,其中,存储程序区可存储用于实现操作系统的指令、用于至少一个功能的指令(比如触控功能、声音播放功能、图像播放功能等)、用于实现上述各个方法实施例的指令等;存储数据区可存储上面各个方法实施例中涉及的数据等。存储器204可选的还可以是至少一个位于远离前述处理器201的存储装置。如图5所示,作为一种计算机存储介质的存储器204中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及三维角膜模型构建方法的应用程序。
在图5所示的电子设备200中,用户接口203主要用于为用户提供输入的接口,获取用户输入的数据;而处理器201可以用于调用存储器204中存储三维角膜模型构建方法的应用程序,当由一个或多个处理器执行时,使得电子设备执行如上述实施例中一个或多个方法。
一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质存储有指令。当由一个或多个处理器执行时,使得计算机执行如实上述施例中一个或多个方法。
需要说明的是,对于前述的各方法实施例,为了简单描述,故将其都表述为一系列的动作组合,但是本领域技术人员应该知悉,本申请并不受所描述的动作顺序的限制,因为依据本申请,某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必需的。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所披露的装置,可通过其他的方式实现。例如,以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些服务接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性或其他的形式。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外,在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中,也可以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。
集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储器中。基于这样的理解,本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储器中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本申请各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储器包括:U盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上,仅为本公开的示例性实施例,不能以此限定本公开的范围。即但凡依本公开教导所作的等效变化与修饰,皆仍属本公开涵盖的范围内。本领域技术人员在考虑说明书及实践真理的公开后,将容易想到本公开的其他实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未记载的本技术领域中的公知常识或惯用技术。
Claims (10)
1.一种波长色散X荧光光谱仪调试方法,其特征在于,所述波长色散X荧光光谱仪包括测角仪(1)、驱动模块、两个探测器(2)、探测器支架(3)和晶体支架(4),所述探测器支架(3)和所述晶体支架(4)安装于所述测角仪(1),两个所述探测器(2)包括第一探测器(21)和第二探测器(22),所述第一探测器(21)和所述第二探测器(22)固定于所述探测器支架(3)上,且呈夹角设置;所述驱动模块驱动所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动,使所述晶体支架(4)上的分光晶体分光后的X射线射至所述第一探测器(21)或所述第二探测器(22);所述波长色散X荧光光谱仪调试方法包括以下步骤:
获取实验样品对应的理论角度:获取实验样品的晶体支架(4)理论转动角度θ理和探测器支架(3)理论转动角度Dθ理;
获取实验样品对应的实际转动角度:向驱动模块发送复位信号,所述驱动模块响应所述复位信号,分别控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置,所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,分别控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动,对所述实验样品进行θ-2θ双扫描,以使所述第一探测器(21)接收分光后的X射线,得到与所述实验样品最大荧光强度对应的晶体支架(4)实际转动角度θ实转和探测器支架(3)第一实际转动角度Dθ实转1;以及,
计算测角仪(1)的偏移角:所述晶体支架(4)实际初始角θ实初=θ理-θ实转,则所述晶体支架(4)偏移角θ偏=θ理-θ实转-θ理初;其中,θ理初为晶体支架(4)理论初始角;所述探测器支架(3)实际初始角Dθ实初=Dθ理-Dθ实转1,则所述探测器支架(3)偏移角Dθ偏=Dθ理-Dθ实转1-Dθ理初;其中,Dθ理初为探测器支架(3)理论初始角。
2.根据权利要求1所述的波长色散X荧光光谱仪调试方法,其特征在于,”计算测角仪(1)的偏移角”的步骤之后还包括:
获取待测样品对应的实际转动角度:向所述驱动模块发送复位信号,所述驱动模块响应所述复位信号,分别控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置,所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,分别控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动,对所述待测样品进行θ-2θ双扫描,得到与所述待测样品最大荧光强度对应的晶体支架(4)实际转动角度Cθ实转和探测器支架(3)第一实际转动角度CDθ实转1;
计算待测样品对应的理论转动角度:待测样品的晶体支架(4)理论转动角度Cθ理=Cθ实转+θ理-θ实转;待测样品的探测器支架(3)的第一理论转动角度CDθ理1=CDθ实转1+Dθ理-Dθ实转1。
3.根据权利要求1所述的波长色散X荧光光谱仪调试方法,其特征在于,”计算测角仪(1)的偏移角”的步骤之后还包括:
获取实验样品对应的探测器支架(3)第二实际转动角度:向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,控制所述探测器支架(3)转动对实验样品进行2θ扫描,以使第二探测器(2)接收分光后的X射线,得到实验样品对应的探测器支架(3)第二实际转动角度Dθ实转2;
计算探测器(2)夹角的偏移角:所述第一探测器(21)和所述第二探测器(22)之间的实际夹角α实=Dθ实转2-Dθ实转1,则探测器(2)夹角的偏移角α偏=Dθ实转2-Dθ实转1-α理,其中,α理为第一探测器(21)和第二探测器(2)之间的理论夹角。
4.根据权利要求3所述的波长色散X荧光光谱仪调试方法,其特征在于,“计算探测器(2)夹角的偏移角”的步骤之后还包括:
获取待测样品对应的实际转动角度:向所述驱动模块发送复位信号,所述驱动模块响应所述复位信号,分别控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置,所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,分别控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动对待测样品进行θ-2θ双扫描,以使所述第二探测器(22)接收分光后的X射线,得到所述待测样品与最大荧光强度对应的探测器支架(3)第二实际转动角度CDθ实转2;
计算待测样品对应的理论转动角度:待测样品对应的探测器支架(3)理论转动角度CDθ理=CDθ实转2-α理-α偏+Dθ理初+Dθ偏。
5.根据权利要求1所述的波长色散X荧光光谱仪调试方法,其特征在于,”计算测角仪(1)的偏移角”的步骤之后还包括:
计算晶体偏移角:向所述驱动模块发送复位信号,所述驱动模块响应所述复位信号,分别控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置,所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,分别控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动对专用样品进行θ-2θ双扫描,得到所述专用样品与最大荧光强度对应的探测器支架(3)理论转动角度ZDθ理和晶体支架(4)理论转动角度Zθ理(实测);根据专用样品对应的探测器支架(3)理论转动角度ZDθ理和布拉格公式,计算专用样品最大荧光强度对应的晶体支架(4)理论转动角度Zθ理(计算),则晶体偏差值Δθ晶=Zθ理(实测)-Zθ理(计算)。
6.根据权利要求1所述的波长色散X荧光光谱仪调试方法,其特征在于,“获取实验样品的晶体支架(4)理论转动角度θ理和探测器支架(3)理论转动角度Dθ理”包括以下步骤:在初级准直器、晶体支架(4)和探测器支架(3)转动至同一角度后,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动对实验样品进行θ-2θ双扫描,得到所述实验样品与最大荧光强度对应的晶体支架(4)理论转动角度θ理和探测器支架(3)理论转动角度Dθ理。
7.根据权利要求1所述的波长色散X荧光光谱仪调试方法,其特征在于,所述实验样品对应的X射线波长为0.15~0.2/nm。
8.一种调试系统,其特征在于,包括:
实验样品的理论角度获取模块(101),用于获取实验样品的晶体支架(4)理论转动角度θ理和探测器支架(3)理论转动角度Dθ理;
实验样品的实际转动角度获取模块(102),用于向驱动模块发送复位信号,所述驱动模块响应所述复位信号,控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置,所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动至初始位置时,向所述驱动模块发送扫描信号,所述驱动模块响应所述扫描信号,控制所述晶体支架(4)和所述探测器支架(3)转动对实验样品进行θ-2θ双扫描,得到所述实验样品与最大荧光强度对应的晶体支架(4)实际转动角度θ实转和探测器支架(3)第一实际转动角度Dθ实转1;
晶体支架偏移角计算模块(103),用于计算所述晶体支架(4)实际初始角,所述晶体支架(4)实际初始角θ实初=θ理-θ实转,则所述晶体支架(4)偏移角θ偏=θ理-θ实转-θ理初;其中,θ理初为晶体支架(4)理论初始角;以及,
探测器支架偏移角计算模块(104),用于计算所述探测器支架(3)实际初始角,所述探测器支架(3)实际初始角Dθ实初=Dθ理-Dθ实转1,则所述探测器支架(3)偏移角Dθ偏=Dθ理-Dθ实转1-Dθ理初;其中,Dθ理初为探测器支架(3)理论初始角。
9.一种电子设备,其特征在于,包括处理器、存储器、用户接口及网络接口,所述存储器用于存储指令,所述用户接口和网络接口用于给其他设备通信,所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令,以使所述电子设备执行如权利要求1-7任意一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-7中任一项所述的方法的步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family
ID=87052116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
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