CN116344725A - 一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法 - Google Patents

一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116344725A
CN116344725A CN202310222064.5A CN202310222064A CN116344725A CN 116344725 A CN116344725 A CN 116344725A CN 202310222064 A CN202310222064 A CN 202310222064A CN 116344725 A CN116344725 A CN 116344725A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass substrate
printing
transparent display
manufacturing
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310222064.5A
Other languages
English (en)
Inventor
文波
林远彬
谢宗贤
李碧波
周李杰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hubei Xinying Photoelectric Co ltd
Original Assignee
Hubei Xinying Photoelectric Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hubei Xinying Photoelectric Co ltd filed Critical Hubei Xinying Photoelectric Co ltd
Priority to CN202310222064.5A priority Critical patent/CN116344725A/zh
Publication of CN116344725A publication Critical patent/CN116344725A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/266Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B33/00Layered products characterised by particular properties or particular surface features, e.g. particular surface coatings; Layered products designed for particular purposes not covered by another single class
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/04Punching, slitting or perforating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/14Printing or colouring
    • B32B38/145Printing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0296Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H05K1/0298Multilayer circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4664Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B38/00Ancillary operations in connection with laminating processes
    • B32B38/04Punching, slitting or perforating
    • B32B2038/047Perforating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/412Transparent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法,涉及LED显示模组技术领域,其中,用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,包括以下步骤:在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷;依次交替进行线路印刷和盖设绝缘层,直到达到设定层数,形成多层玻璃基板。本发明可实现快速成型、成本低的高密度玻璃基板及其显示模块。

Description

一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法
技术领域
本发明涉及LED(light-emitting diode,发光二极管)显示模组技术领域,具体涉及一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法。
背景技术
透明显示作为一种新型的显示技术,在一些户内、户外等高阶的应用场景有很好的前景,由于其透过率可达到90%,使得户内的空间感及户外的视野都得到提升。
对于户内及户外视距在3米以外的透明显示屏,因为点间距比较大(Pitch大于2mm),目前主要有几种SMD(Surface Mounted Devices,表面黏着技术)方案。但随着透明显示屏的逐渐减小,点间距缩小到低于1mm,则SMD方案难以实现(可实现柔性显示,但灯珠的不透光性使得透明显示难以实现)。所以说COG(Chip On Glass,晶玻接装)方案的透明显示成为了实现高密透明显示的有效解决方案。
对于普通PCB(Printed Circuit Board,印制线路板)来说,不透明性不仅是限制它作为透明显示基板的原因,而且它的最高精度仅达到1.5mil(38um),而小Pitch透明显示在P1.0以下(尤其是P0.5以下)的倒装芯片PAD间距仅50um,考虑到PCB本身的材料及制程,提升其精度的难度很大,因此需要采用玻璃基板等精度满足足够小的芯片及线宽线距等要求。
但对于AM(AcTIve Matrix)驱动的玻璃基板,TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)的制程比较复杂(需要覆盖光罩层6-8次,工艺复杂、时间长)及成本很高,在批量生产及工业化上是一个比较大的问题,另外AM驱动的玻璃基板还存在印刷良率的问题。
发明内容
针对现有技术中存在的缺陷,本发明第一方面提供一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其可实现快速成型、成本低的高密度玻璃基板及其显示模块。
为达到以上目的,本发明采取的技术方案是:
一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,该方法包括以下步骤:
在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷;
依次交替进行线路印刷和盖设绝缘层,直到达到设定层数,形成多层玻璃基板。
一些实施例中,所述在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷,包括:
在玻璃基板的一面上进行第一次线路印刷;
在第一层印刷线路上盖设绝缘层,并预留与下层印刷线路连接的孔位以进行第二次线路印刷。
一些实施例中,所述在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷,包括:
在玻璃基板上钻孔;
在玻璃基板的两面上分别进行第一次线路印刷,并将两面的第一层印刷线路通过玻璃基板上的孔进行电连接;
分别在两面的第一层印刷线路上盖设绝缘层,并预留与下层印刷线路连接的孔位以进行第二次线路印刷。
一些实施例中,所述玻璃基板上的孔的孔径大小为15-20um。
一些实施例中,所述绝缘层包括重氮萘醌DNQ正性光刻胶。
一些实施例中,所述线路印刷和绝缘层的总层数不超过8层。
一些实施例中,采用丝网印刷或喷墨打印的方式进行线路印刷。
一些实施例中,所述印刷线路的线宽为10um。
一些实施例中,所述印刷线路的材质为纳米银、氧化铟锡ITO或碳纳米管。
本发明第二方面提供了一种用于透明显示的多层玻璃基板,其根据上述的制造方法制得。
与现有技术相比,本发明的优点在于:
本发明中的用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其通过在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷;依次交替进行线路印刷和盖设绝缘层,直到达到设定层数,形成多层玻璃基板。从而和现有技术相比,本发明可通过导电材料的打印或丝网印刷,快速低成本地制备多层玻璃基板线路;无需采用TFT玻璃等成本高的主动式线路技术,提高玻璃基板在印刷锡膏过程中的良率;多层线路结构的玻璃基板可将点间距缩小到Mini甚至是Micro显示;相比于PCB基板,玻璃基板不仅可作为透明显示的基板,而且其精度高,双面线路更是可提高显示像素的密度(可降低单面晶片密度,提高制程良率)。
附图说明
图1是本发明实施例中用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法的流程图;
图2是本发明实施例中采用单面搭桥的方式制造多层玻璃基板的流程图;
图3是本发明实施例中采用双面叠层的方式制造多层玻璃基板的流程图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
参见图1所示,本发明实施例公开了一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,该方法包括以下步骤:
S1.在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷。
本发明实施例中的绝缘层可以是OC绝缘层,也即OC胶,OC胶是光刻胶的一种,光刻胶是玻璃面板制造的关键材料,根据使用对象的不同,又可分为RGB胶、BM胶、OC胶、PS胶、TFT胶等。
正性光刻胶主要应用于TFT-LCD或AMOLED制造中的Array段,包括TFT的图案化光刻胶,保护绝缘层光刻胶,ITO图案化光刻胶,OLED Array中平坦层光刻胶,OLED中PDL像素层光刻胶和Yocta制程光刻胶。
S2.依次交替进行线路印刷和盖设绝缘层,直到达到设定层数,形成多层玻璃基板。
值得说明的是,本发明中的用于透明显示的多层玻璃基板主要有单面搭桥及双面叠层两种结构。
参见图2所示,采用单面搭桥的方式时:
首先将玻璃基板进行清洁洗净后在表面进行丝网印刷,得到相应的线路结构,这里印刷线路的材质可以是纳米银、氧化铟锡ITO或碳纳米管,线路线宽随视距不同而变,其中2-3m视距优选线宽为10um。
然后在打印好第一层线路的基础上盖绝缘层(重氮萘醌DNQ等正性光刻胶),并留好与下层线路连接的孔位。
接着在绝缘层上打印第二层线路,如此反复将线路与绝缘层进行堆叠形成多层结构的玻璃基板。值得说明的是,为保持透明显示的透过率,优选层数为8层以下,即线路印刷和绝缘层的总层数不超过8层。
最后在得到的多层结构玻璃基板上进行晶片的转移、焊接、封装等工序后得到透明显示模块(IC放置在玻璃基板下方);
参见图3所示,采用双面叠层的方式时:
首先将玻璃基板进行清洁洗净后,利用激光在玻璃基板上钻孔,这是因为双面叠层结构玻璃基板需通过激光打孔方式将双面线路进行电连接,其中孔径优选为15-20um。
然后在玻璃基板的两面各进行丝网印刷并得到相应的线路,这里印刷线路的材质和线宽可参照单面搭桥的方式。
接着在双面第一层线路的基础上盖绝缘层并留有与下层线路连接的孔位。
然后如此反复在双面玻璃基板上制作线路结构,得到双面多层结构的玻璃基板。同理,为保持透明显示的透过率,优选层数为8层以下,即线路印刷和绝缘层的总层数不超过8层。
最后在得到的多层结构双面玻璃基板上进行晶片的转移(反面晶片采用反向出光的倒装芯片)、焊接、封装等工序后得到透明显示模块(IC放置在双面玻璃基板下方,可放置数量为单面搭桥结构的双倍;同时对比单面搭桥方式可制造高密度透明显示模块)。
值得说明的是,在得到的单面及双面多层结构玻璃基板上进行晶片(及IC)的转移、焊接、封装等工序后得到透明显示模块。
双面多层结构玻璃基板中,IC放置在双面玻璃基板下方,可放置数量为单面搭桥结构的双倍,同时对比单面搭桥方式可制造高密度透明显示模块。
此外,晶片可采用反向出光倒装芯片,利用像素错位,配合双面多层结构玻璃基板制造高密度透明显示模块。
与此同时,本发明实施例还提供一种用于透明显示的多层玻璃基板,其根据上述的制造方法制得。
可以理解的是,采用上述任意一种制造方法,可实现快速成型、成本低的高密度玻璃基板及其显示模块。
综上所述,本发明中的用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其通过在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷;依次交替进行线路印刷和盖设绝缘层,直到达到设定层数,形成多层玻璃基板。从而和现有技术相比,本发明可通过导电材料的打印或丝网印刷,快速低成本地制备多层玻璃基板线路;无需采用TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)玻璃等成本高的主动式线路技术,提高玻璃基板在印刷锡膏过程中的良率;多层线路结构的玻璃基板可将点间距缩小到Mini甚至是Micro显示;相比于PCB基板,玻璃基板不仅可作为透明显示的基板,而且其精度高,双面线路更是可提高显示像素的密度(可降低单面晶片密度,提高制程良率)。
以上所述仅是本申请的具体实施方式,使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷;
依次交替进行线路印刷和盖设绝缘层,直到达到设定层数,形成多层玻璃基板。
2.根据权利要求1所述的一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷,包括:
在玻璃基板的一面上进行第一次线路印刷;
在第一层印刷线路上盖设绝缘层,并预留与下层印刷线路连接的孔位以进行第二次线路印刷。
3.根据权利要求1所述的一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其特征在于,所述在玻璃基板的至少一面上进行线路印刷,并在印刷线路上盖设绝缘层以进行下一次线路印刷,包括:
在玻璃基板上钻孔;
在玻璃基板的两面上分别进行第一次线路印刷,并将两面的第一层印刷线路通过玻璃基板上的孔进行电连接;
分别在两面的第一层印刷线路上盖设绝缘层,并预留与下层印刷线路连接的孔位以进行第二次线路印刷。
4.根据权利要求3所述的一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其特征在于:所述玻璃基板上的孔的孔径大小为15-20um。
5.根据权利要求1所述的一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其特征在于:
所述绝缘层包括重氮萘醌DNQ正性光刻胶。
6.根据权利要求1所述的一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其特征在于:
所述线路印刷和绝缘层的总层数不超过8层。
7.根据权利要求1所述的一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其特征在于:
采用丝网印刷或喷墨打印的方式进行线路印刷。
8.根据权利要求1所述的一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其特征在于:
所述印刷线路的线宽为10um。
9.根据权利要求1所述的一种用于透明显示的多层玻璃基板的制造方法,其特征在于:
所述印刷线路的材质为纳米银、氧化铟锡ITO或碳纳米管。
10.一种用于透明显示的多层玻璃基板,其特征在于:根据权利要求1至9任一项所述的制造方法制得。
CN202310222064.5A 2023-03-08 2023-03-08 一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法 Pending CN116344725A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310222064.5A CN116344725A (zh) 2023-03-08 2023-03-08 一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310222064.5A CN116344725A (zh) 2023-03-08 2023-03-08 一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116344725A true CN116344725A (zh) 2023-06-27

Family

ID=86885075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310222064.5A Pending CN116344725A (zh) 2023-03-08 2023-03-08 一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116344725A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10381430B2 (en) Redistribution layer for substrate contacts
CN109949703B (zh) 柔性显示基板、显示面板、显示装置及制作方法
TWI467528B (zh) 發光二極體顯示面板及其製作方法
CN111261057B (zh) 显示面板以及显示装置
TWI657604B (zh) Led模組製作方法以及其結構
CN112366214A (zh) 一种led无缝拼接显示面板及其实现方法
KR100878721B1 (ko) 탈부착형 led 백라이트 장치
US20180090037A1 (en) Led display
CN112310140B (zh) Led背板的像素结构、led显示面板及其制作方法
WO2020238717A1 (zh) 电子装置及其制造方法
CN112366218A (zh) 一种显示面板的制作方法及显示面板
CN113113526B (zh) 一种小尺寸led透明显示屏及其生产方法
CN111243495A (zh) 显示面板及显示装置
CN113421497B (zh) 拼接式发光二极管显示面板
US11574953B2 (en) Mosaic active matrix driven light emitting diode (LED) display panel
CN113759607A (zh) 背光模组及其制备方法、显示装置
CN116344725A (zh) 一种用于透明显示的多层玻璃基板及制造方法
TW202316619A (zh) 發光模組之改良技術
CN114582249A (zh) 一种发光显示装置及其制造方法
CN112785931B (zh) 显示装置
CN116682811A (zh) 一种透明显示模块及透明显示模块的制造方法
US20230306897A1 (en) Display apparatus
WO2024113380A1 (zh) 发光基板、背光模组及显示装置
TW202328772A (zh) 電子裝置
CN100379012C (zh) 有机电激发光面板装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination