CN116682811A - 一种透明显示模块及透明显示模块的制造方法 - Google Patents
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- CN116682811A CN116682811A CN202310686164.3A CN202310686164A CN116682811A CN 116682811 A CN116682811 A CN 116682811A CN 202310686164 A CN202310686164 A CN 202310686164A CN 116682811 A CN116682811 A CN 116682811A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 25
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 18
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 15
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N diazonaphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=[N]=[N])C=CC2=C1 URQUNWYOBNUYJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 ITO Chemical compound 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000007425 progressive decline Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开一种透明显示模块，包括玻璃基板：上导电线路层，其包括由所述玻璃基板的上表面朝上依次间隔设置的多层，最下层的所述上导电线路层形成于所述玻璃基板的上表面上；上OC绝缘层，其包括间隔设置的多层，各所述上OC绝缘层与所述上导电线路层交替设置，各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；上发光晶片，其设置于最上层的所述上OC绝缘层的上表面且通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接。本发明还公开了一种透明显示模块的制造方法。本发明工艺简单，成本低。
Description
技术领域
本发明涉及显示模块，更确切地说是一种透明显示模块及透明显示模块的制造方法。
背景技术
透明显示作为一种新型的显示技术，在一些户内、户外等高阶的应用场景有很好的前景，透过率可达到90％，使得户内的空间感及户外的视野都得到提升。由于在户内及户外这种视距在3米以外的透明显示屏，点间距(Pitch)比较大，Pitch大于2mm。随着透明显示屏的逐渐减小，点间距缩小到低于1mm。目前的SMD方案虽可实现如此小的点间距的显示，但只能实现柔性显示，而由于灯珠的不透光性，使得SMD方案难以在透明显示上实现如此小的点间距显示。
随着技术的发展，COG(Chip On Glass，将芯片固定于玻璃上)方案的透明显示成为了实现高密透明显示的有效解决方案。但对于AM驱动的基于玻璃基板的显示模块来说，TFT的制程比较复杂，TFT制程需要覆盖光罩层6-8次，工艺复杂、时间长，成本很高，在批量生产及工业化上是一个比较大的问题。另外，AM驱动的玻璃基板还要面对印刷良率的问题。显然，现有的透明显示模块存在工艺复杂、成本高的问题。
发明内容
本发明为了解决现有技术透明显示模块存在工艺复杂、成本高的技术问题，提供了一种透明显示模块及透明显示模块的制造方法。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为设计一种透明显示模块，包括玻璃基板，所述透明显示模块还包括：
上导电线路层，其包括由所述玻璃基板的上表面朝上依次间隔设置的多层，最下层的所述上导电线路层形成于所述玻璃基板的上表面上；
上OC绝缘层，其包括间隔设置的多层，各所述上OC绝缘层与所述上导电线路层交替设置，各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；
上发光晶片，其设置于最上层的所述上OC绝缘层的上表面且通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接。
所述透明显示模块还包括：
下导电线路层，其包括由所述玻璃基板的下表面朝下依次间隔设置的多层，最上层的所述下导电线路层形成于所述玻璃基板的下表面上；
下OC绝缘层，其包括间隔设置的多层，各所述下OC绝缘层与所述下导电线路层交替设置，各所述下OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述下导电线路层的下连接孔位，且位于下层的所述下导电线路层填充所述下连接孔位，并与与其相邻的上层的所述下导电线路层电连接；
下发光晶片，其设置于最下层的所述上OC绝缘层的下表面且通过最下层的所述下OC绝缘层上的下连接孔位与所述下导电线路层电连接，所述下发光晶片采用反向出光的倒装芯片；
所述玻璃基板上设置有连通基板上下表面的基板孔，最下层的所述上导电线路层与最上层的所述下导电线路层填充所述基板孔实现电连接。
所述上发光晶片和所述下发光晶片为MICRO LED。
所述上发光晶片与所述下发光晶片在所述玻璃基板上的投影位置错位设置。
所述上导电线路层和下导电线路层通过丝网印刷或者喷墨打印形成。
所述上导电线路层和下导电线路层的线路线宽随显示模块的视距不同而不同，且所述显示模块的视距为2-3m时所述线路线宽为10um。
所述基板孔通过激光打孔形成，且所述基板孔的孔径为15-20um。
所述上OC绝缘层和下OC绝缘层为正性光刻胶，所述上导电线路层和下导电线路层由透明导电材料制成。
本发明还提供了一种透明显示模块的制造方法，包括：
在清洗干净的玻璃基板的上表面丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第一层上导电线路层；
在第一层上导电线路层上盖第一层上OC绝缘层；
在第一层的所述上OC绝缘层上丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第二层上导电线路层；
在第二层上导电线路层上盖第二层上OC绝缘层；
在第二层上OC绝缘层上再丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第三层上导电线路层；
如此反复交替形成多层所述上OC绝缘层与所述上导电线路层，且各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；
最后在最上层的所述上OC绝缘层的上表面制作上发光晶片，使所述上发光晶片通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接。
本发明还提供了一种透明显示模块的制造方法，包括：
在清洗干净的玻璃基板上通过激光打孔形成连通基板上下表面的基板孔，所述基板孔的孔径为15-20um；
在所述玻璃基板的上下表面分别丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第一层上导电线路层和第一层下导电线路层；第一层的所述上导电线路层与第一层的所述下导电线路层填充所述基板孔实现电连接；
在第一层上导电线路层和第一层下导电线路层上分别盖第一层上OC绝缘层和第一层下OC绝缘层；
在第一层的所述上OC绝缘层和所述下OC绝缘层上分别丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第二层上导电线路层和第二层下导电线路层；
在第二层上导电线路层和第二层下导电线路层上分别盖第二层上OC绝缘层和第二层下OC绝缘层；
在第二层上OC绝缘层和第二层下OC绝缘层上分别再丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第三层上导电线路层和第三层下导电线路层；
如此反复，交替形成多层所述上OC绝缘层与所述上导电线路层，且各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；以及交替形成多层所述下OC绝缘层与所述下导电线路层，且各所述下OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述下导电线路层的下连接孔位，且位于下层的所述下导电线路层填充所述下连接孔位，并与与其相邻的上层的所述下导电线路层电连接；
最后在最上层的所述上OC绝缘层的上表面制作上发光晶片，使所述上发光晶片通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接；在最下层的所述下OC绝缘层的下表面制作下发光晶片，使所述下发光晶片通过最下层的所述下OC绝缘层上的下连接孔位与所述下导电线路层电连接；并使所述上发光晶片与所述下发光晶片在所述玻璃基板上的投影位置错位设置；所述下发光晶片采用反向出光的倒装芯片。
本发明通过在玻璃基板上设置间隔设置的多层上导电线路层和多层上OC绝缘层，各所述上OC绝缘层与所述上导电线路层交替设置，各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；再在最上层的所述上OC绝缘层的上表面设置上发光晶片，且上发光晶片通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接，工艺非常简单，成本低。
附图说明
下面结合实施例和附图对本发明进行详细说明，其中：
图1是本发明透明显示模块单面搭桥结构的截面图；
图2是本发明透明显示模块双面叠层结构的截面图；
图3是本发明透明显示模块单面搭桥的制造过程图；
图4是本发明透明显示模块双面叠层的制造过程图。
具体实施方式
下面结合附图进一步阐述本发明的具体实施方式：
请一并参见图1至图4。本发明透明显示模块可分为单面搭桥及双面叠层两种结构。
当为单面搭桥结构时，透明显示模块包括玻璃基板1、上导电线路层2、上OC绝缘层3和上发光晶片4。其中：
上导电线路层2包括由所述玻璃基板的上表面朝上依次间隔设置的多层，最下层的所述上导电线路层形成于所述玻璃基板的上表面上。
上OC绝缘层3包括间隔设置的多层，各所述上OC绝缘层与所述上导电线路层交替设置，各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接。
上发光晶片4设置于最上层的所述上OC绝缘层的上表面且通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接。在本具体实施例中，所述上发光晶片为MINI LED或者MICRO LED，优选为MICRO LED。
通过在玻璃基板上设置间隔设置的多层上导电线路层和多层上OC绝缘层，各所述上OC绝缘层与所述上导电线路层交替设置，各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；再在最上层的所述上OC绝缘层的上表面设置上发光晶片，且上发光晶片通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接，工艺非常简单，成本低。
当为双面叠层结构时，所述透明显示模块还包括下导电线路层5、下OC绝缘层6和下发光晶片7。其中：
下导电线路层5包括由所述玻璃基板的下表面朝下依次间隔设置的多层，最上层的所述下导电线路层形成于所述玻璃基板的下表面上。
下OC绝缘层6包括间隔设置的多层，各所述下OC绝缘层与所述下导电线路层交替设置，各所述下OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述下导电线路层的下连接孔位，且位于下层的所述下导电线路层填充所述下连接孔位，并与与其相邻的上层的所述下导电线路层电连接。
下发光晶片7设置于最下层的所述上OC绝缘层的下表面且通过最下层的所述下OC绝缘层上的下连接孔位与所述下导电线路层电连接；所述下发光晶片采用反向出光的倒装芯片。在本具体实施例中，所述下发光晶片为MINI LED或者MICRO LED，优选为MICRO LED。
所述玻璃基板1上设置有连通基板上下表面的基板孔11，最下层的所述上导电线路层与最上层的所述下导电线路层填充所述基板孔实现电连接。所述基板孔通过激光打孔形成，优选所述基板孔的孔径为15-20um。
下发光晶片和上发光晶片均是通过晶片转移的技术形成于下OC绝缘层和上OC绝缘层上。
在玻璃基板上形成导电线路层和OC绝缘层后，再进行发光晶片的转移、焊接、封装等工序后即可得到透明显示模块，其中控制IC 8放置在最下层的所述下OC绝缘层和最上层的所述上OC绝缘层的侧面。
采用双面层叠结构，可有效的提高透明显示模块的显示像素的密度，降低了单面晶片密度，提高了制程良率。当采用双面层叠结构时，可放置发光晶片的数量为单面搭桥结构的双倍；同时对比单面搭桥方式可制造高密度透明显示模块。
在本具体实施例中，所述上发光晶片与所述下发光晶片在所述玻璃基板上的投影位置错位设置，从而可进一步提高显示模块显示像素的密度。
在本具体实施例中，所述上导电线路层和下导电线路层通过丝网印刷或者喷墨打印形成。通过丝网印刷或者喷墨打印的方式可有效地降低成本，也可提高加工效率。
在本具体实施例中，所述上导电线路层和下导电线路层的线路线宽随显示模块的视距不同而不同，且所述显示模块的视距为2-3m时所述线路线宽为10um。
在本具体实施例中，所述上OC绝缘层和下OC绝缘层为正性光刻胶，主要包括重氮萘醌(DNQ)等正性光刻胶。
所述上导电线路层和下导电线路层由透明导电材料制成。透明导电材料包括纳米银、ITO、碳纳米管等。
本发明为保持透明显示的透过率，优选上导电线路层和下导电线路层的层数为8层以下。
请一并参见图3。当采用单面搭桥时，本发明透明显示模块的制造方法，包括：
第一步：在清洗干净的玻璃基板的上表面丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第一层上导电线路层21，如图3中a所示。
第二步：在第一层上导电线路层21上盖第一层上OC绝缘层31，如图3中b所示。
第三步：在第一层的所述上OC绝缘层31上丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第二层上导电线路层22，如图3中c所示。
第四步：在第二层上导电线路层22上盖第二层上OC绝缘层32，如图3所示c。
第五步：在第二层上OC绝缘层上再丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第三层上导电线路层(图中未示出)。
第六步：如此反复交替形成多层所述上OC绝缘层与所述上导电线路层，且各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位(图中未示出)，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接，如图3中c所示。
第七步:最后在最上层的所述上OC绝缘层的上表面制作上发光晶片4，使所述上发光晶片通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接，如图3中d所示。
在本具体实施例中，所述上发光晶片为MINI LED或者MICRO LED，优选为MICROLED.
请一并参见图4。当采用双面层叠结构时，本发明透明显示模块的制造方法，包括：
第一步：在清洗干净的玻璃基板上通过激光打孔形成连通基板上下表面的基板孔11，所述基板孔的孔径为15-20um，如图4中e所示。
第二步：在所述玻璃基板的上下表面分别丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第一层上导电线路层25和第一层下导电线路层51；第一层的所述上导电线路层25与第一层的所述下导电线路层51填充所述基板孔实现电连接，如图4中f所示。
第三步：在第一层上导电线路层和第一层下导电线路层上分别盖第一层上OC绝缘层35和第一层下OC绝缘层61，如图4中g所示。
第四步：在第一层的所述上OC绝缘层和所述下OC绝缘层上分别丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第二层上导电线路层26和第二层下导电线路层52，如图4中h所示。
第五步：在第二层上导电线路层26和第二层下导电线路层52上分别盖第二层上OC绝缘层36和第二层下OC绝缘层62，如图4中h所示。
第六步：在第二层上OC绝缘层和第二层下OC绝缘层上分别再丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第三层上导电线路层(图中未示出)和第三层下导电线路层(图中未示出)。
第七步：如此反复，交替形成多层所述上OC绝缘层与所述上导电线路层，且各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位(图中未示出)，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；以及交替形成多层所述下OC绝缘层与所述下导电线路层，且各所述下OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述下导电线路层的下连接孔位(图中未示出)，且位于下层的所述下导电线路层填充所述下连接孔位，并与与其相邻的上层的所述下导电线路层电连接。
第八步：最后在最上层的所述上OC绝缘层的上表面制作上发光晶片，使所述上发光晶片通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接；在最下层的所述下OC绝缘层的下表面制作下发光晶片，使所述下发光晶片通过最下层的所述下OC绝缘层上的下连接孔位与所述下导电线路层电连接；并使所述上发光晶片与所述下发光晶片在所述玻璃基板上的投影位置错位设置；所述下发光晶片采用反向出光的倒装芯片，如图4中i所示。
在本具体实施例中，所述上发光晶片和下发光晶片为MINI LED或者MICRO LED，优选为MICRO LED。
在本具体实施例中，所述上导电线路层和下导电线路层的线路线宽随显示模块的视距不同而不同，且所述显示模块的视距为2-3m时所述线路线宽为10um。
在本具体实施例中，所述上导电线路层和下导电线路层的线路线宽随显示模块的视距不同而不同，且所述显示模块的视距为2-3m时所述线路线宽为10um。
在本具体实施例中，所述上OC绝缘层和下OC绝缘层为正性光刻胶，主要包括重氮萘醌(DNQ)等正性光刻胶。
所述上导电线路层和下导电线路层由透明导电材料制成。透明导电材料包括纳米银、ITO、碳纳米管等。
本发明具有以下优点：
(1)可通过导电材料的打印或丝网印刷，快速低成本地在玻璃基板上制备多层线路。
(2)无需采用TFT玻璃等成本高的主动式线路技术，提高玻璃基板在印刷锡膏过程中的良率。
(3)可将点间距缩小到Mini甚至是Micro显示。
(4)相比于PCB基板，玻璃基板不仅可作为透明显示的基板，而且其精度高，双面线路更是可提高显示像素的密度，可降低单面晶片密度，提高制程良率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种透明显示模块，包括玻璃基板，其特征在于：所述透明显示模块还包括：
上导电线路层，其包括由所述玻璃基板的上表面朝上依次间隔设置的多层，最下层的所述上导电线路层形成于所述玻璃基板的上表面上；
上OC绝缘层，其包括间隔设置的多层，各所述上OC绝缘层与所述上导电线路层交替设置，各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；
上发光晶片，其设置于最上层的所述上OC绝缘层的上表面且通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接。
2.根据权利要求1所述的透明显示模块，其特征在于：所述透明显示模块还包括：
下导电线路层，其包括由所述玻璃基板的下表面朝下依次间隔设置的多层，最上层的所述下导电线路层形成于所述玻璃基板的下表面上；
下OC绝缘层，其包括间隔设置的多层，各所述下OC绝缘层与所述下导电线路层交替设置，各所述下OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述下导电线路层的下连接孔位，且位于下层的所述下导电线路层填充所述下连接孔位，并与与其相邻的上层的所述下导电线路层电连接；
下发光晶片，其设置于最下层的所述上OC绝缘层的下表面且通过最下层的所述下OC绝缘层上的下连接孔位与所述下导电线路层电连接；所述下发光晶片采用反向出光的倒装芯片；
所述玻璃基板上设置有连通基板上下表面的基板孔，最下层的所述上导电线路层与最上层的所述下导电线路层填充所述基板孔实现电连接。
3.根据权利要求2所述的透明显示模块，其特征在于：所述上发光晶片和所述下发光晶片为MICRO LED。
4.根据权利要求3所述的透明显示模块，其特征在于：所述上发光晶片与所述下发光晶片在所述玻璃基板上的投影位置错位设置。
5.根据权利要求4所述的透明显示模块，其特征在于：所述上导电线路层和下导电线路层通过丝网印刷或者喷墨打印形成。
6.根据权利要求5所述的透明显示模块，其特征在于：所述上导电线路层和下导电线路层的线路线宽随显示模块的视距不同而不同，且所述显示模块的视距为2-3m时所述线路线宽为10um。
7.根据权利要求6所述的透明显示模块，其特征在于：所述基板孔通过激光打孔形成，且所述基板孔的孔径为15-20um。
8.根据权利要求7所述的透明显示模块，其特征在于：所述上OC绝缘层和下OC绝缘层为正性光刻胶，所述上导电线路层和下导电线路层由透明导电材料制成。
9.一种透明显示模块的制造方法，其特征在于包括：
在清洗干净的玻璃基板的上表面丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第一层上导电线路层；
在第一层上导电线路层上盖第一层上OC绝缘层；
在第一层的所述上OC绝缘层上丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第二层上导电线路层；
在第二层上导电线路层上盖第二层上OC绝缘层；
在第二层上OC绝缘层上再丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第三层上导电线路层；
如此反复交替形成多层所述上OC绝缘层与所述上导电线路层，且各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；
最后在最上层的所述上OC绝缘层的上表面制作上发光晶片，使所述上发光晶片通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接。
10.一种透明显示模块的制造方法，其特征在于包括：
在清洗干净的玻璃基板上通过激光打孔形成连通基板上下表面的基板孔，所述基板孔的孔径为15-20um；
在所述玻璃基板的上下表面分别丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第一层上导电线路层和第一层下导电线路层；第一层的所述上导电线路层与第一层的所述下导电线路层填充所述基板孔实现电连接；
在第一层上导电线路层和第一层下导电线路层上分别盖第一层上OC绝缘层和第一层下OC绝缘层；
在第一层的所述上OC绝缘层和所述下OC绝缘层上分别丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第二层上导电线路层和第二层下导电线路层；
在第二层上导电线路层和第二层下导电线路层上分别盖第二层上OC绝缘层和第二层下OC绝缘层；
在第二层上OC绝缘层和第二层下OC绝缘层上分别再丝网印刷或者油墨打印透明导电材料，形成第三层上导电线路层和第三层下导电线路层；
如此反复，交替形成多层所述上OC绝缘层与所述上导电线路层，且各所述上OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述上导电线路层的上连接孔位，且位于上层的所述上导电线路层填充所述上连接孔位，并与与其相邻的下层的所述上导电线路层电连接；以及交替形成多层所述下OC绝缘层与所述下导电线路层，且各所述下OC绝缘层上设置有连通相邻两层所述下导电线路层的下连接孔位，且位于下层的所述下导电线路层填充所述下连接孔位，并与与其相邻的上层的所述下导电线路层电连接；
最后在最上层的所述上OC绝缘层的上表面制作上发光晶片，使所述上发光晶片通过最上层的所述上OC绝缘层上的上连接孔位与所述上导电线路层电连接；在最下层的所述下OC绝缘层的下表面制作下发光晶片，使所述下发光晶片通过最下层的所述下OC绝缘层上的下连接孔位与所述下导电线路层电连接；并使所述上发光晶片与所述下发光晶片在所述玻璃基板上的投影位置错位设置，所述下发光晶片采用反向出光的倒装芯片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310686164.3A CN116682811A (zh) | 2023-06-09 | 2023-06-09 | 一种透明显示模块及透明显示模块的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310686164.3A CN116682811A (zh) | 2023-06-09 | 2023-06-09 | 一种透明显示模块及透明显示模块的制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116682811A true CN116682811A (zh) | 2023-09-01 |
Family
ID=87785153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310686164.3A Pending CN116682811A (zh) | 2023-06-09 | 2023-06-09 | 一种透明显示模块及透明显示模块的制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116682811A (zh) |
-
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