TW202328772A - 電子裝置 - Google Patents
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Abstract
一種電子裝置，包括具有操作區及延伸電路區的面板。面板包括第一基板與第一偏光元件。第一偏光元件設置在第一基板上。其中第一基板由操作區延伸至延伸電路區，且第一偏光元件由操作區延伸至延伸電路區。
Description
本揭露涉及一種電子裝置，特別是具有延伸電路區的一種電子裝置。
隨著科技發展，電子裝置被廣泛應用在生活各領域，如何提升電子裝置的品質、降低製造成本或簡化製作流程已成為重要的議題。
本揭露的一種電子裝置，包括具有操作區及延伸電路區的面板。面板包括第一基板與第一偏光元件。第一偏光元件設置在第一基板上。其中第一基板由操作區延伸至延伸電路區，且第一偏光元件由操作區延伸至延伸電路區。
通過參考以下的詳細描述並同時結合附圖可以理解本揭露，須注意的是，為了使讀者能容易瞭解及為了附圖的簡潔，本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分，且附圖中的特定元件並非依照實際比例繪圖。此外，圖中各元件的數量及尺寸僅作為示意，並非用來限制本揭露的範圍。
本揭露通篇說明書與所附的權利要求中會使用某些詞彙來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。
在下文說明書與權利要求書中，「含有」與「包括」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。
應了解到，當元件或膜層被稱為「設置在」另一個元件或膜層「上」或「連接到」另一個元件或膜層時，它可以直接在此另一元件或膜層上或直接連接到此另一元件或膜層，或者兩者之間存在有插入的元件或膜層（非直接情況）。相反地，當元件被稱為「直接」在另一個元件或膜層「上」或「直接連接到」另一個元件或膜層時，兩者之間不存在有插入的元件或膜層。當元件或膜層被稱為「電連接」到另一個元件或膜層時，其可解讀為直接電連接或非直接電連接。
術語「大約」、「等於」、「相等」或「相同」、「實質上」或「大致上」一般解釋為在所給定的值的正負20%範圍以內，或解釋為在所給定的值的正負10%、正負5%、正負3%、正負2%、正負1%或正負0.5%的範圍以內。
雖然術語「第一」、「第二」、「第三」…可用以描述多種組成元件，但組成元件並不以此術語為限。此術語僅用於區別說明書內單一組成元件與其他組成元件。權利要求中可不使用相同術語，而依照權利要求中元件宣告的順序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文說明書中，第一組成元件在權利要求中可能為第二組成元件。
本揭露中所敘述之電性連接或耦接，皆可以指直接連接或間接連接，於直接連接的情況下，兩電路上元件的端點直接連接或以一導體線段互相連接，而於間接連接的情況下，兩電路上元件的端點之間具有開關、二極體、電容、電感、電阻、其他適合的元件、或上述元件的組合，但不限於此。
在本揭露中，厚度、長度與寬度的量測方式可以是採用光學顯微鏡量測而得，厚度或寬度則可以由電子顯微鏡中的剖面影像量測而得，但不以此爲限。另外，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。另外，本揭露中所提到的術語“等於”、“相等”、“相同”、“實質上”或“大致上”通常代表落在給定數值或範圍的10%範圍內。此外，用語“給定範圍爲第一數值至第二數值”、“給定範圍落在第一數值至第二數值的範圍內”表示所述給定範圍包括第一數值、第二數值以及它們之間的其它數值。若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
除非另外定義，在此使用的全部用語（包含技術及科學用語）具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
在本揭露中，電子裝置可包括顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置或拼接裝置，但不以此為限。電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。在本揭露中，電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體或光電二極體。發光二極體可例如包括有機發光二極體（organic light emitting diode，OLED）、次毫米發光二極體（mini LED）、微發光二極體（micro LED）或量子點發光二極體（quantum dot LED），但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。下文將以顯示裝置做為電子裝置或拼接裝置以說明本揭露內容，但本揭露不以此為限。
須說明的是，下文中不同實施例所提供的技術方案可相互替換、組合或混合使用，以在未違反本揭露精神的情況下構成另一實施例。
圖1至圖4是根據本揭露製作電子裝置的一種方法之不同流程下的上視圖示意圖。圖1的下方繪示沿著圖1中的剖面線A-A’的截面結構示意圖；圖2的下方繪示沿著圖2中的剖面線B-B’的截面結構示意圖；圖3的下方繪示沿著圖3中的剖面線C-C’的截面結構示意圖；圖4的下方繪示沿著圖4中的剖面線D-D’的截面結構示意圖。
首先，請參考圖1，根據本揭露製作電子裝置的方法，可先提供初始面板100。初始面板100可例如為未經裁切之對組後的面板，但不以此為限。詳細來說，初始面板100可包括第一基板111、第二基板121與密封材料130，第二基板121相對於第一基板111設置，但不以此為限。第一基板111上可設置彩色濾光層（未繪示），第二基板121可上可設置薄膜電晶體（未繪示），反之亦同，但不以此為限。第一基板111與第二基板121可經過對組形成初始面板100，但不以此為限。
在一些實施例中，第一導電線路結構CSL1可設置在第一基板111之鄰近於第二基板121的一表面上。在一些實施例中，第二導電線路結構CSL2可設置在第二基板112之鄰近於第一基板111的一表面上。
在一些實施例中，載板127可設置在第二基板121之遠離於第一基板111的一表面上。載板127可包括硬質的載板，例如玻璃、陶瓷，用以暫時承載第二基板121。在一些實施例中，犧牲層126可設置於載板127與第二基板121之間，但不以此為限。犧牲層126可選擇性於後續的製程中被移除，藉此將載板127與第二基板121分開。第一基板111及/或第二基板121可以包括軟性基板材料，例如聚醯亞胺（PI）或其他合適的材料，但不以此為限。
圖1例示第二基板121的尺寸可不同於第一基板111的尺寸（例如面積）的實施例，例如第二基板121的尺寸可大於第一基板111的尺寸（例如面積），但不以此為限。在一些實施例中，第二基板121的形狀或尺寸（例如面積）可以相同或不同於第一基板111的形狀或尺寸（例如面積）。
在一些實施例中，初始面板100可包括介質材料131，介質材料131可設置於第一基板111與第二基板121之間。介質材料131可例如為光調變材料，例如液晶材料或其它合適材料。在一些實施例中，密封材料130可以設置於第一基板111與第二基板121之間，且環繞於介質材料131的外圍。在一些實施例中，密封材料130中可包括膠材、纖維材料、其他合適材料或上述之組合。在一些實施例中，當初始面板100包括密封材料130，可大致根據密封材料130來界定操作區AA（或稱主動區（active area））及非操作區NAA，但不以此為限。操作區AA可定義為被密封材料130所圍繞的區域。在其他實施例中（未繪示），當初始面板100未包括密封材料130時，操作區AA可根據面板的應用類型（例如顯示、偵測、發光或其他應用）來界定。舉例例如當面板為顯示面板，則操作區AA可大致定義為可顯示畫面的區域，依此類推。另外，初始面板100中排除操作區AA以外的區域可視為非操作區AA。
請參考圖2，將第一偏光元件115設置在第一基板111上，例如將第一偏光元件115設置在第一基板111之遠離第二基板121的一表面上。在一些實施例中，第一偏光元件115的形狀或尺寸（例如面積）可以大致相同於第一基板111的形狀或尺寸（例如面積），但不限於此。在一些實施例中，第一基板111及/或第一偏光元件115可由操作區AA延伸至非操作區NAA（包括後續經裁切後所形成的延伸電路區）。
然後，請參考圖3，在一些實施例中，在將第二偏光元件125設置在第二基板121上之前可先去除犧牲層126及載板127。然後，將第二偏光元件125設置在第二基板121之遠離第一基板111的一表面上。在一些實施例中，第二偏光元件125的形狀或尺寸（例如面積）可以大致相同於第二基板121的形狀或尺寸（例如面積），但不限於此。在一些實施例中，第二基板121及/或第二偏光元件125由操作區AA延伸至非操作區NAA（包括後續經裁切後所形成的延伸電路區）。
然後，請參考圖4，進行初始面板100的裁切製程而得到電子裝置的面板101。裁切製程可包括裁去初始面板100的部分非操作區NAA（如圖4中虛線處表示被裁去的部分非操作區NAA），並保留一部分的非操作區NAA及完整的操作區AA。換句話說，經過裁切後所得到的面板101可至少包括位於操作區AA的第一基板111、第二基板121、第一偏光元件115及/或第二偏光元件125，但不以此為限。經過裁切後所得到的面板101可更包括部分位於非操作區NAA的第一基板111、第二基板121、第一偏光元件115及/或第二偏光元件125及/或密封材料130。在一些實施例中，此被保留的非操作區NAA可包括至少一延伸電路區141，圖4例示面板101包括單個延伸電路區141的實施例，但不以此為限。在一些實施例中，延伸電路區141可例如連接於操作區AA的至少一側，且操作區AA與延伸電路區141之間可選擇性有其他非操作區NAA的部分。在一些實施例中，延伸電路區141的輪廓可例如為L型或其他合適外型（例如矩形），但不限於此。換句話說，經裁切後所得到的面板101可具有操作區AA及延伸電路區141，面板101包括第一基板111及第一偏光元件115，第一偏光元件115設置在第一基板111上。在一些實施例中，第一基板111可由操作區AA延伸至延伸電路區141，且第一偏光元件115可由操作區AA延伸至延伸電路區141。在一些實施例中，面板101包括第二基板121及第二偏光元件125，第二基板121相對於第一基板111設置，由操作區AA延伸至延伸電路區141。第二偏光元件125可設置在第二基板121遠離第一基板111的一表面上，且第二偏光元件125由操作區AA延伸至延伸電路區141。面板101可以是隱私調控面板或顯示面板，但不以此為限。
請參考圖5，其繪示依據本揭露的一些實施例的電子裝置101A的上視圖示意圖。電子裝置101A包括面板101，面板101具有操作區AA及一個或多個延伸電路區141。如上所述，當面板101包括密封材料130，操作區140可大致定義為被密封材料130所圍繞的區域，但不限於此。在一些實施例中，多個子像素或薄膜電晶體（未繪示）可位於操作區AA中。在一些實施例中，面板101經裁切後而被保留的非操作區NAA可位於操作區AA的至少一側，但不限於此。在一些實施例中，一些電路可選擇性位於上述被保留的非操作區NAA中，但不限於此。
圖6所繪示為依據本揭露的一實施例的電子裝置101A，沿圖5中的切線E-E’的截面結構示意圖。請參考圖5及圖6，面板101可以包括第一基板111、第二基板121、密封材料130、介質材料131、第一偏光元件115及第二偏光元件125，詳細此些元件的設置關係可參考前述。在一些實施例中，第一導電線路結構CSL1可設置在第一基板111之遠離第一偏光元件115的一表面上。在一些實施例中，第二導電線路結構CSL2可設置在第二基板121之遠離第二偏光元件125的一表面上。在一些實施例中，面板101可包括第一配向膜116及/或第二配向膜124。在一些實施例中，第一配向膜116可設置於第一導電線路結構CSL1之鄰近於介質材料131的一表面上。在一些實施例中，第二配向膜124可設置於第二導電線路結構CSL2之鄰近於介質材料131的一表面上。換句話說，介質材料131可設置於第一配向膜116與第二配向膜124之間。在一些實施例中，第一導電線路結構CSL1可包括第一導電層112，第一導電層112可以作為第一電極。在一些實施例中，第二導電線路結構CSL2可包括第二導電層122，第二導電層122可以作為第二電極。在一些實施例中，第一導電層112及/或第二導電層122可例如至少位於操作區AA中。在一些實施例中，第一導電層112及/或第二導電層122可例如為整面電極，但不限於此。在一些實施例中，於第一基板111的法線方向Z上，第一導電層112及第二導電層122可大致重疊，但不限於此。在一些實施例中（未繪示），第一導電層112及/或第二導電層122可例如為圖案化電極。在一些實施例中，第一導電層112及/或第二導電層122可包括透明導電材料或非透明導電材料，但不限於此。透明導電材料例如包括金屬氧化物、奈米銀線或奈米導電金屬、其他合適的材料或上述之組合，但不以此為限。在一些實施例中，第二導電層122的材料可相似於第一導電層112，但不以此為限。在一些實施例中，第一導電層112及第二導電層122可為單層或複合層材料。在一些實施例中，第一導電線路結構CSL1或第二導電線路結構CSL2的一者中可選擇性包括薄膜電晶體。
圖7所繪示為依據本揭露的一實施例的電子裝置101A，沿圖5中的切線G-G’的截面結構示意圖。請參考圖5及圖7，第一導電線路結構CSL1可具有一或多條的第一走線（例如113A/113C）位於延伸電路區141，但不以此為限。在一些實施例中，第二導電線路結構123可具有一或多條的第二走線123A位於延伸電路區141。在一些實施例中，第一走線的數量可以與第二走線的數量相同或是不同。圖7繪示單條的第二走線123A的實施例，但不以此為限。在一些實施例中，第一走線（例如113A/113C）及/或第二走線123A可例如包括金屬材料、透明導電材料或上述之組合。在一些實施例中，第一走線（例如113A/113C）例如為單層或多層結構。在一些實施例中，第二走線123A例如為單層或多層結構。舉例來說，第一走線（例如113A/113C）可例如分別由第一導電圖案 （112A/112C）及/或第二導電圖案（114A/114C）所組成。舉例來說，第二走線123A可例如由第三導電圖案124A及/或第四導電圖案122A所組成，但不限於此。在一些實施例中，第一走線（例如113A/113C）及第二走線123A例如於第一基板111的法線方向Z上不重疊，但不限於此。在一些實施例中（未繪示），第一走線（例如113A/113C）可例如與第一導電層112（如圖6所示）電性連接。在一些實施例中（未繪示），第一走線（例如113A/113C）中的第一導電圖案（112A/112C）或第二導電圖案（114A/114C）可例如與第一導電層112（如圖6所示）同層且連接，但不限於此。舉例來說，第一走線（例如113A/113C）中的第二導電圖案（114A/114C）可例如與第一導電層112同層且連接，以使第一走線（例如113A/113C）與第一導電層112電性連接，但不限於此。
在一些實施例中（未繪示），第二走線（例如123A）可例如與第二導電層122（如圖6所示）電性連接。在一些實施例中（未繪示），第二走線（例如123A）中的第三導電圖案124A或第四導電圖案122A可例如與第二導電層122（如圖6所示）同層且連接，但不限於此。舉例來說，第二走線（例如123A）中的第四導電圖案122A可例如與第二導電層122（如圖6所示）同層且連接，以使第二走線（例如123A）可例如與第二導電層122電性連接。
請同時參考圖5至圖7，在一些實施例中，第一基板111可由操作區AA延伸至延伸電路區141。在一些實施例中，第一偏光元件115可由操作區AA延伸至延伸電路區141。在一些實施例中，第二基板121可由操作區AA延伸至延伸電路區141。在一些實施例中，第二偏光元件125可由操作區AA延伸至延伸電路區141。在一些實施例中，第一導電線路結構CSL1可由操作區AA延伸至延伸電路區141。在一些實施例中，第二導電線路結構CSL2可由操作區AA延伸至延伸電路區141。在一些實施例中，面板101可包括膠材144，膠材144可例如設置在第一基板111及第二基板121之間且位於延伸電路區141中，但不限於此。在一些實施例中，膠材144可選擇性位於第一走線（例如113A/113C）與第二走線（例如123A）之間。透過膠材144可用以支撐位於延伸電路區141中之第一基板111及第二基板121之間的距離，降低第一走線（例如113A/113C）與第二走線（例如123A）之間因接觸而發生短路的機會，但不限於此。在一些實施例中，膠材144可降低第一走線（例如113A/113C）與第二走線（例如123A）受到環境中濕氣或氧氣影響，但不限於此。在一些實施例中，膠材144與密封材料130可以為相同或不同的材料。在一些實施例中，膠材144與密封材料130可以彼此相連或分隔開。
圖8所繪示為依據本揭露的一實施例的電子裝置101A，沿圖5中延伸電路區141的切線F-F’的截面結構示意圖。在一些實施例中，位於圖8之延伸電路區141中的第一導電線路結構CSL1可更具有第一走線113B，但不以此為限。在一些實施例中，第一走線113B可例如包括金屬材料、透明導電材料或上述之組合。在一些實施例中，第一走線113B例如為單層或多層結構。第一走線113B的材料可相似於第一走線113A或113C。詳細來說，第一走線113B可例如分別由第一導電圖案112B及/或第二導電圖案114B所組成。須注意的是，第一走線113B例如未與第一導電層112電性連接。在一些實施例中，第一走線113B可例如與第二走線123A於第一基板111的法線方向Z上重疊。在一些實施例中，第一走線113B可例如與第二導電線路結構123（例如第二走線123A）電性連接。舉例來說，第一走線113B可例如與第二導電線路結構123（例如第二走線123A）經由一個或多個導電元件143電性連接。在一些實施例中，導電元件143可包括金（Au）膠、銀膠或其他合適的導電材料，但不以此為限。在一些實施例中，面板101可包括膠材144，膠材144可例如包覆至少一導電元件143，降低導電元件143受到環境中濕氣或氧氣影響，但不限於此。請同時參考圖5至圖8，在一些實施例中，第一走線（例如113A及113C）可例如用來傳遞第一訊號至第一導電層112，第一走線113B與第二導電線路結構123（例如第二走線123A）可例如用來傳遞第二訊號至第二導電層114，第一訊號與第二訊號不同。
須注意的是，在圖7或圖8中的膠材144也可例如是整面塗布於第一基板111第二基板121之間，而不限定於圖7或圖8中所繪示的球狀的實施例。
圖9所繪示為依據本揭露的一實施例的電子裝置101A，沿圖5中的切線H-H’的截面結構示意圖。圖9所繪示為依據本揭露的一實施例的電子裝置101A的延伸電路區141的末端區域145（terminal portion）的截面結構示意圖。在一些實施例中，第一導電線路結構CSL1由操作區AA延伸至延伸電路區144，位於延伸電路區144的末端區域145的部分的第一導電線路結構CSL1可被第二基板120及/或第二偏光元件125所暴露出。在一些實施例中，電子元件151可電性連接於被第二基板121及/或第二偏光元件125所暴露出的部分的第一導電線路結構CSL1。在一些實施例中，可將位於延伸電路區144的末端區域145的部分第二基板121及/或部分第二偏光元件125移除，以使部分的第一導電線路結構CSL1可被暴露出。在一些實施例中，移除部分第二基板121及/或部分第二偏光元件125的方式可包括雷射切割、輪刀或是其他合適的移除方式。在一些實施例中，被第二基板121及/或第二偏光元件125所暴露出來的區域可定義引腳接合區150（outer lead bonding, OLB），故位於引腳接合區150中的第一導電線路結構CSL1中的第一走線113A、第一走線113B及第一走線113C可作為端子部，用以接收電子元件151所提供的訊號，但不以此為限。在一些實施例中，電子元件151可以包括連接器（connector）、軟性印刷電路板（FPC）、薄膜覆晶封裝（COF）或積體電路（IC）其中的一者，但不以此為限。
圖10所繪示為依據本揭露的一實施例的電子裝置102的側視圖示意圖。在一種實施例中，電子裝置102可包括隱私調控面板102A及/或顯示面板102B（或其他面板）。在一些實施例中，顯示面板102B可以包括自發光面板或非自發光面板。若顯示面板102B為非自發光面板，底下可設有背光模組（圖未示）。上述之隱私調控面板102A及/或顯示面板102B（或其他面板）可根據需求設計為本案之具有延伸電路區141的面板。
圖11所繪示為依據本揭露的一實施例的沿圖5中的切線E-E’的變形實施例的電子裝置103的截面結構示意圖。如果電子裝置103應用於自發光面板時，面板103A可包括載板127、導電線路結構CSL3（可包括薄膜電晶體層）與多個發光元件129，但不限於此。發光元件129可例如包括發光二極體、量子點、螢光、磷光，其他適合的顯示介質，或上述材料的組合，但不限於此。發光二極體可例如包括有機發光二極體、次毫米發光二極體（mini LED）、微發光二極體（micro LED）或量子點發光二極體（QLED、QDLED）、或其他適合之材料、或上述組合，但不以此為限。在一些實施例中，面板103A包括操作區AA與延伸電路區141，延伸電路區141可如上所述包括外引腳接合區150。在一些實施例中，第一基板111由操作區AA延伸至延伸電路區141。在一些實施例中，第一偏光元件115由操作區AA延伸至延伸電路區141。在一些實施例中，第一導電線路結構CSL1可設置在第一基板111遠離第一偏光元件115的一表面上，第一導電線路結構CSL1由操作區AA延伸至延伸電路區141，且部分的第一導電線路結構CSL1被第二基板121與載板127所暴露出。在一些實施例中，電子元件（未繪示於圖11，可參考圖9）可電性連接於被第二基板121與載板127所暴露出的部分的第一導電線路結構CSL1。在一些實施例中（未繪示），導電線路結構CSL3可透過一些導電連接件（未繪示,例如銅柱或銀膠）與第一導電線路結構CSL1電連接，藉由第一導電線路結構CSL1傳遞電子元件所提供的訊號，藉此操作發光元件129，但不限於此。一些實施例中（未繪示），第一導電線路結構CSL1也可選擇性包括薄膜電晶體層，此時發光元件129可例如電連接或接合於第一導電線路結構CSL1上，此時可選擇性不需設置導電線路結構CSL3。
本揭露的多個實施例的電子裝置可以包括面板。面板可以包括至少一基板與至少一偏光元件。面板可以包括操作區與非操作區，至少一基板與至少一偏光元件可由操作區延伸至延伸電路區，另外透過將第一導電線路結構由操作區延伸至延伸電路區，並將部分的第一導電線路結構暴露出以作為端子部，用以接收電子元件所提供的訊號，藉此取代習知的軟性印刷電路板。透過本案設計可簡化電子裝置的製作流程與方法或降低製作成本。
以上所述僅為本揭露之實施例，凡依本揭露申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本揭露之涵蓋範圍。
100:初始面板
101:面板
101A:電子裝置
102:電子裝置
102A:隱私調控面板
102B:顯示面板
103:電子裝置
103A:面板
111:第一基板
112:第一導電層
112A:第一導電圖案
112B:第一導電圖案
112C:第一導電圖案
CSL1:第一導電線路結構
113A:第一走線
113B:第一走線
113C:第一走線
114A:第二導電圖案
114B:第二導電圖案
114C:第二導電圖案
115:第一偏光元件
116:第一配向膜
121:第二基板
122:第二導電層
122A:第四導電圖案
CSL2:第二導電線路結構
123A:第二走線
124:第二配向膜
124A:第三導電圖案
125:第二偏光元件
126:犧牲層
127:載板
128:薄膜電晶體層
129:發光元件
130:密封材料
131:介質材料
141:延伸電路區
143:導電元件
144:膠材
145:末端區域
150:外引腳接合區
151:電子元件
AA:操作區
NAA:非操作區
CSL3:導電線路結構
Z:法線方向
圖1至圖4是根據本揭露製作電子裝置的一種方法之不同流程下的上視圖示意圖。其中圖1的下方繪示沿著圖1中的剖面線A-A’的截面結構示意圖；圖2的下方繪示沿著圖2中的剖面線B-B’的截面結構示意圖；圖3的下方繪示沿著圖3中的剖面線C-C’的截面結構示意圖；圖4的下方繪示沿著圖4中的剖面線D-D’的截面結構示意圖。
圖5繪示依據本揭露的一些實施例的電子裝置的上視圖示意圖。
圖6所繪示為依據圖5中的切線E-E’的截面結構示意圖。
圖7所繪示為依據圖5中切線G-G’的截面結構示意圖。
圖8所繪示為依據圖5中的切線F-F’的截面結構示意圖。
圖9所繪示為依據圖5中的切線H-H’的截面結構示意圖。
圖10所繪示為依據本揭露的一實施例的電子裝置的側視圖示意圖。
圖11所繪示為依據本揭露的一實施例的沿圖5中的切線E-E’的變形實施例的電子裝置的截面結構示意圖。
101:面板
101A:電子裝置
113A:第一走線
113B:第一走線
113C:第一走線
123A:第二走線
141:延伸電路區
144:膠材
NAA:非操作區
Claims (10)
- 一種電子裝置，包括： 一面板，具有一操作區及一延伸電路區，其中該面板包括： 一第一基板；以及 一第一偏光元件，設置在該第一基板上； 其中該第一基板由該操作區延伸至該延伸電路區，且該第一偏光元件由該操作區延伸至該延伸電路區。
- 根據請求項1的電子裝置，其中，該面板更包括： 一第二基板，相對於該第一基板設置，且由該操作區延伸至該延伸電路區；以及 一第二偏光元件，設置在該第二基板遠離該第一基板的一表面上，且該第二偏光元件由該操作區延伸至該延伸電路區。
- 根據請求項2的電子裝置，其中，該面板包括一第一導電線路結構，其中該第一導電線路結構設置在該第一基板遠離該第一偏光元件的一表面上，該第一導電線路結構由該操作區延伸至該延伸電路區，且部分的該第一導電線路結構被該第二基板與該第二偏光元件暴露出。
- 根據請求項3的電子裝置，其中，更包括： 一電子元件，電性連接於被該第二基板與該第二偏光元件所暴露出的該部分的該第一導電線路結構。
- 根據請求項3的電子裝置，其中，該面板包括一第二導電線路結構，設置在該第二基板遠離該第二偏光元件的一表面上，且該第二導電線路結構由該操作區延伸至該延伸電路區。
- 根據請求項5的電子裝置，其中，該第一導電線路結構具有一第一走線，該第二導電線路結構具有一第二走線，且該第一走線與該第二走線經由一導電元件彼此電性連接。
- 根據請求項6的電子裝置，其中，該面板更包括一膠材，且該膠材包覆該導電元件。
- 根據請求項6的電子裝置，其中，該第一走線與該第二走線於該第一基板的法線方向上重疊。
- 根據請求項1的電子裝置，其中，該面板是一隱私調控面板。
- 根據請求項1的電子裝置，其中，該面板是一顯示面板。
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