CN116288194A - 溅射装置 - Google Patents

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sputtering
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Abstract

本发明提供能够实现在成膜面上具有凹凸的基板的膜厚的均匀化的溅射装置。所述溅射装置具备：移动机构，其移动基板；靶材，其使溅射粒子朝向所述基板飞散；磁铁，其以使来自所述靶材的溅射粒子的主飞散方向成为从所述基板的法线方向倾斜的斜入射方向的方式配置，在所述靶材的表面形成磁场；切换机构，其根据所述移动机构进行的所述基板的移动的方向的变更，以将所述主飞散方向从第一斜入射方向变更为与所述第一斜入射方向不同的第二斜入射方向的方式切换所述磁铁的朝向。

Description

溅射装置
技术领域
本发明涉及溅射装置。
背景技术
在有机EL显示器等的制造中，已知有利用溅射装置在基板上进行成膜的技术。作为这样的溅射装置，已知有如下的溅射装置，其为了进行膜厚的均匀化以及对基板的基底层的损伤的降低等，使溅射粒子相对于基板的主飞散方向倾斜或在靶材与基板之间设置有遮挡构件(例如专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019－090083号公报
发明内容
发明要解决的课题
对于在成膜面上具有凹凸的基板而言，存在溅射粒子向凹凸的侧面的堆积量减少的趋势，在膜厚的均匀化这方面有改善的余地。
本发明提供能够实现膜厚的均匀化的技术。
用于解决课题的方案
根据本发明，提供一种溅射装置，其具备：
移动机构，其移动基板；
靶材，其使溅射粒子朝向所述基板飞散；
磁铁，其以使来自所述靶材的溅射粒子的主飞散方向成为从所述基板的法线方向倾斜的斜入射方向的方式配置，在所述靶材的表面形成磁场；以及
切换机构，其根据所述移动机构进行的所述基板的移动的方向的变更，以将所述主飞散方向从第一斜入射方向变更为与所述第一斜入射方向不同的第二斜入射方向的方式切换所述磁铁的朝向。
另外，根据本发明，提供一种溅射装置，其具备：
移动机构，其移动基板；
靶材，其使溅射粒子朝向所述基板飞散；以及
遮挡机构，其在成膜时限制溅射粒子相对于所述基板的飞散范围，
所述遮挡机构根据所述移动机构进行的所述基板的移动的方向的变更，切换溅射粒子的飞散允许范围。
另外，根据本发明，提供一种溅射装置，其具备：
靶材，其使溅射粒子朝向基板飞散；
磁铁，其以使来自所述靶材的溅射粒子的主飞散方向成为从所述基板的法线方向倾斜的斜入射方向的方式配置，在所述靶材的表面形成磁场；
移动机构，其使所述靶材及所述磁铁相对于所述基板移动；以及
切换机构，其根据所述移动机构进行的所述靶材及所述磁铁的移动的方向的变更，以将所述主飞散方向从第一斜入射方向变更为与所述第一斜入射方向不同的第二斜入射方向的方式切换所述磁铁的朝向。
另外，根据本发明，提供一种溅射装置，其具备：
靶材，其使溅射粒子朝向基板飞散；
遮挡机构，其在成膜时限制溅射粒子相对于所述基板的飞散范围；以及
移动机构，其移动所述靶材，
所述遮挡机构根据所述移动机构进行的所述靶材的移动的方向的变更，切换溅射粒子的飞散允许范围。
发明效果
根据本发明，能够提供实现膜厚的均匀化的技术。
附图说明
图1(A)及图1(B)是本发明的一实施方式的溅射装置的示意图。
图2(A)及图2(B)是成膜动作的说明图。
图3(A)及图3(B)是本发明的另一实施方式的溅射装置的示意图。
图4(A)及图4(B)是成膜动作的说明图。
图5(A)及图5(B)是又一实施方式的溅射装置的成膜动作的说明图。
图6(A)～图6(C)是表示平板状靶材的示例的图，图6(D)是表示基板与靶材的相对移动的其他示例的图。
附图标记说明
1溅射装置、6靶材、9磁铁、16遮挡单元、100基板
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明实施方式。需要说明的是，以下的实施方式不会限定权利要求书所涉及的发明。虽然在实施方式中记载有多个特征，但这些多个特征未必全都是发明所必须的特征，另外，多个特征也可以任意组合。进而，在附图中，对同一或同样的结构标注同一参考附图标记并省略重复的说明。
＜第一实施方式＞
＜溅射装置的结构＞
图1(A)及图1(B)是本发明的一实施方式的溅射装置1的示意图，图1(A)是从侧方观察溅射装置1的图，图1(B)是从上方观察溅射装置1的图。在各图中，箭头Z表示上下方向(重力方向)，箭头X及箭头Y表示相互正交的水平方向。
溅射装置1是对基板100形成膜的成膜装置，能够应用于制造例如显示装置(平板显示器等)、薄膜太阳能电池、有机光电转换元件(有机薄膜摄像元件)等电子设备或者光学构件等的制造装置，尤其能够应用于制造有机EL面板的制造装置。在应用于有机EL面板的制造的情况下，例如在基板100的下表面预先成膜有机膜，溅射装置1利用溅射在有机膜上成膜电极膜。
溅射装置1具有箱型的真空腔室2。真空腔室2与未图示的真空泵连接，通过由真空泵进行的排气而能够对内部空间进行减压。由气体供给单元3向真空腔室2的内部空间供给氩等非活性气体。
溅射装置1具备在真空腔室2内搬运基板的移动单元4。移动单元4具备一对导轨4a和支承于一对导轨4a来进行移动的载架5。各导轨4a沿着X方向延伸设置，一对导轨4a在Y方向上分离。移动单元4具有线性马达、滚珠丝杆机构等驱动机构，在驱动机构的驱动力的作用下，使载架5沿着一对导轨4a如图1(B)中实线和虚线所示那样在X方向上往复。将从实线位置朝向虚线位置移动的路径称为去路，反之，将从虚线位置朝向实线位置移动的路径称为回路。
载架5具有保持基板100的保持部5a。基板100被从门2a向真空腔室2内搬运而保持于载架5。通过载架5的移动，基板100将其宽度方向作为Y方向地以水平姿态在真空腔室2内沿着X方向往复。在往复的过程中，在基板100的下表面堆积从靶材6飞散的溅射粒子而进行成膜。成膜结束的基板100被从门2a向真空腔室2外搬出。
靶材6在本实施方式的情况下为绕着Y方向的旋转中心线C1旋转自如的旋转靶材。靶材6由一对支承台10支承。在一方的支承台10设置有马达11，靶材6将马达11作为驱动源而在马达11的驱动力下旋转。
靶材6具有圆筒形状，在其内周面设置有阴极电极7，被电压施加单元8施加电压而维持为阴极电位并进行放电。另外，本实施方式的溅射装置1是磁控溅射装置，在靶材6的内部空间的上部配置有在靶材6的表面形成磁场的磁铁9。
磁铁9具备沿着Y方向延伸的中心磁铁9a、包围中心磁铁9a的周边磁铁9b以及磁轭9c。周边磁铁9b是具有与中心磁铁9a平行地沿着Y方向延伸的一对直线部和将一对直线部的Y方向的两端部分别连接的连接部的环状的磁铁，在图1(A)等中，图示出周边磁铁9b的一对直线部的剖面，在图1(B)中图示出磁铁9的俯视形状。
中心磁铁9a与周边磁铁9b为相反极性，中心磁铁9a的磁化方向成为中央基准线N0的方向。中央基准线N0是穿过中心磁铁9a的磁极上的宽度方向中央部(在图1(A)的姿态下为X方向中央部)而沿着与靶材6的表面正交的方向(靶材6的径向)延伸的直线。在图1(A)的姿态下，中央基准线N0是沿着Z方向延伸且穿过靶材6的旋转中心线C1的线，与基板100的搬运面正交。周边磁铁9b的磁化方向与中心磁铁9a平行地延伸，中心磁铁9a与周边磁铁9b的内端由磁轭9c连结。由此，靶材6的表面附近的磁场具有从中心磁铁9a的磁极朝向周边磁铁9b的直线部呈环状返回的磁力线。通过该磁场来捕捉电子，使等离子体集中在靶材6的表面附近，从而提高溅射的效率。
溅射装置1具备切换单元12。切换单元12包括旋转轴14和作为驱动源的马达13。马达13内置于另一方的支承台10，经由未图示的传递机构(例如齿轮机构)来使旋转轴14旋转。旋转轴14与靶材6的旋转中心线C1同轴地沿着Y方向延伸设置，由一对支承台10支承为旋转自如。磁铁9与旋转轴14连结，通过旋转轴14的旋转来转动以切换其在Z-X平面上的朝向。
溅射装置1具备控制单元15。控制单元15包括至少一个处理器、至少一个存储设备以及与传感器、致动器之间进行数据的输入输出的接口，以对溅射装置1进行控制。存储设备例如是RAM、ROM等存储器。处理器执行存储在存储设备中的程序来进行马达11、13、移动单元4的驱动控制等。
＜成膜动作＞
参照图2(A)及图2(B)来说明溅射装置1的成膜动作。一边通过移动单元4使基板100连续地移动一边使溅射粒子P从靶材6向基板100飞散而在基板100的下表面上堆积并成膜。图2(A)示出基板100的去路移动时的成膜动作，基板100被沿着X方向(M1方向)移动。图2(B)示出基板100的回路移动时的成膜动作，基板100在X方向上被沿着反方向(M2方向)移动。在成膜中，驱动马达11，使得靶材6例如按照箭头R1方向(逆时针)连续地旋转(自转)。
图2(A)及图2(B)中图示出的靶材6的表面附近的椭圆的环L示意性地表示等离子体集中的部分。已知溅射粒子会从靶材6的表面的法线方向上的磁通密度分量为零的点集中地飞散。该点位于中心磁铁9a与周边磁铁9b的直线部之间。如图1(A)所示，在中央基准线N0指向基板100的法线方向Z1(在本实施方式的情况下为Z方向)的情况下，从靶材6放射出的溅射粒子向搬运面堆积时的每单位时间的堆积量即成膜速率的分布为以中央基准线N0附近为峰值而向X方向的一侧、另一侧速率降低的山形的分布。因而，可以将中央基准线N0的方向称为溅射粒子的主飞散方向。
如图2(A)及图2(B)所示，在作为成膜面的基板100的下表面具有凹凸的情况下，若是如图1(A)那样假设主飞散方向指向基板100的法线方向，则存在凹凸的下表面的膜厚厚但凹凸的侧面的膜厚薄的趋势。在本实施方式中，通过利用磁铁9的朝向将主飞散方向设为相对于基板100的法线方向Z1倾斜的斜入射方向，由此能够促进溅射粒子P向凹凸的侧面的堆积并实现膜厚的均匀化。
如图2(A)所示，在基板100向M1方向移动的期间，利用切换单元12来设定磁铁9的朝向，以使得主飞散方向成为相对于法线方向Z1向X方向倾斜了+θ的斜入射方向D1。由此，促进向基板100的凹凸的侧面中的在M1方向上位于前侧(在图中相当于右侧)的侧面上的成膜。
当基板100到达从去路向回路的切换地点时，如图2(B)所示，将基板100的移动方向从M1方向切换为相反的M2方向。另外，利用切换单元12来切换磁铁9的朝向，以使得主飞散方向成为相对于法线方向Z1向X方向倾斜了－θ的斜入射方向D2。在图2(A)和图2(B)中，斜入射方向D1、D2相对于Z1方向处于相反的关系。在基板100向M2方向移动的期间，通过使主飞散方向相对于法线方向Z1向X方向倾斜－θ，由此促进向基板100的凹凸的侧面中的在M2方向上位于前侧(在图中相当于左侧)的侧面上的成膜。能够通过基板100的往复而在基板100的凹凸上形成更加均匀的膜厚。
这样，在本实施方式中，将溅射粒子P相对于基板100的主飞散方向设为斜入射方向D1、D2，且根据基板100的移动方向的变更来设为不同的斜入射方向D1、D2，由此能够在凹凸上形成更均匀的膜厚。需要说明的是，在本实施方式中，虽然去路的情况下的倾斜角度+θ与回路的情况下的倾斜角度－θ中角度θ大小相同，但也可以不同，换言之，斜入射方向D1和D2也可以相对于法线方向Z1不对称。
＜第二实施方式＞
图3(A)及图3(B)是本发明的另一实施方式的溅射装置1的示意图，图3(A)是从侧方观察溅射装置1的图，图3(B)是从上方观察溅射装置1的图。对第二实施方式的溅射装置1中与第一实施方式的溅射装置1不同的结构进行说明。
本实施方式的溅射装置1具备遮挡单元16。遮挡单元16是在结构上限制成膜时溅射粒子相对于基板100的飞散范围的防附着单元。遮挡单元16具备可动遮挡构件18以及以包围靶材6的方式配置的固定遮挡构件17。固定遮挡构件17是在顶部形成有开口部17a的箱状的构件，可动遮挡构件18是使开口部17a局部地开闭的平板状的构件。
开口部17a及可动遮挡构件18位于基板100与靶材6之间，从靶材6放射出的溅射粒子通过开口部17a而到达基板100。因而，开口部17a中的未被可动遮挡构件18封闭的部分为飞散允许范围，被可动遮挡构件18封闭的部分为飞散限制范围。
可动遮挡构件18设置为沿着X方向滑动自如，在作为其驱动源的马达13’的驱动力下移动。马达13’的驱动力经由未图示的传递机构向可动遮挡构件18传递。传递机构例如为滚珠丝杆机构、齿条齿轮机构。马达13’兼作为切换单元12的驱动源。马达13’的驱动力经由未图示的传递机构向旋转轴14传递。传递机构例如为齿轮机构。
在本实施方式中，切换单元12和遮挡单元16共用马达13’作为驱动源。通过共用，能够实现成本降低，并且能够使磁铁9的朝向的切换与可动遮挡构件18的移动连动。然而，也可以是针对切换单元12和遮挡单元16独立地设置驱动源而使它们独立地动作的结构。
可动遮挡构件18被维持为阳极电位。阴极电极7的阴极电位例如为200V～400V左右。通过将可动遮挡构件18维持为阳极电位(例如接地电位，与真空腔室2的壁部相同的电位)，溅射粒子容易附着到可动遮挡构件18上，能够提高可动遮挡构件18对基板100的飞散范围的限制效果。
参照图4(A)及图4(B)来说明本实施方式的溅射装置1的成膜动作。
如图4(A)所示，在基板100向M1方向移动的期间，与第一实施方式同样地利用切换单元12来设定磁铁9的朝向以使得主飞散方向成为斜入射方向D1。遮挡单元16的可动遮挡构件18覆盖开口部17的一部分来形成飞散允许范围17a’。飞散允许范围17a’是包括开口部17与斜入射方向D1交叉的部位在内的范围，是相对于中央基准线N0在M1方向上位于前侧的范围窄而位于后侧的范围宽的范围。由此，能够使向基板100在接近其法线方向的方向上飞散的溅射粒子附着于可动遮挡构件18以阻碍其到达基板100。另外，能够增加溅射粒子向基板100的凹凸的侧面的堆积率。
当基板100到达从去路向回路的切换地点时，如图4(B)所示，基板100的移动方向被从M1方向切换为相反的M2方向。与第一实施方式同样地利用切换单元12来切换磁铁9的朝向以使得主飞散方向成为斜入射方向D2。遮挡单元16通过使可动遮挡构件18移动来切换溅射粒子的飞散允许范围17a’。由于切换单元12和遮挡单元16共用作为驱动源的马达13’，因此通过驱动马达13’，能够使切换单元12进行的磁铁9的朝向的切换与遮挡单元16进行的飞散允许范围17a’的切换连动而同时进行。
切换后的飞散允许范围17a’是包括开口部17与斜入射方向D2交叉的部位在内的范围，是相对于中央基准线N0在M2方向上位于前侧的范围窄而位于后侧的范围宽的范围。由此，能够使向基板100在接近其法线方向的方向上飞散的溅射粒子附着于可动遮挡构件18以阻碍其到达基板100。能够增加溅射粒子向基板100的凹凸的侧面的堆积率。能够通过基板100的往复而在基板100的凹凸上形成更均匀的膜厚。
可动遮挡构件18向在其移动的前后相对于法线方向Z1对称的位置移动。在可动遮挡构件18移动的前后，飞散允许范围17a’虽然位置不同但其大小相同。然而，在可动遮挡构件18移动的前后，飞散允许范围17a’的大小也可以不同，也可以是相对于法线方向Z1非对称的位置。
这样，在本实施方式中，将溅射粒子P相对于基板100的主飞散方向设为斜入射方向D1、D2，另外，利用可动遮挡构件18来限制溅射粒子的飞散范围，并且根据基板100的移动方向的变更来设为不同的斜入射方向D1、D2并切换飞散允许范围17a’，由此能够在凹凸上形成更均匀的膜厚。
＜第三实施方式＞
在第二实施方式中，根据基板100的移动方向的变更来切换磁铁9的朝向以切换溅射粒子P的主飞散方向，但也可以固定磁铁9的朝向，仅进行遮挡单元16对飞散允许范围17a’的切换。图5(A)及图5(B)是本实施方式中的成膜动作的说明图。
在本实施方式中，没有设置切换单元12，磁铁9的中央基准线N0指向Z方向。溅射粒子的主飞散方向虽为基板100的法线方向，但通过飞散允许范围17a’的切换来遮挡向基板100沿着法线方向入射的溅射粒子，使斜入射的溅射粒子通过。
如图5(A)所示，在基板100向M1方向移动的期间，遮挡单元16的可动遮挡构件18覆盖开口部17的一部分来形成飞散允许范围17a’。可动遮挡构件18覆盖包括中央基准线N0上在内的从靶材6的正上方到M1方向前侧的范围，飞散允许范围17a’是从中央基准线N0向M1方向后侧离开的范围。溅射粒子从飞散允许范围17a’沿着斜入射方向D1飞散而堆积到基板100的下表面。由此，能够促进向基板100的凹凸的侧面中的在M1方向上位于前侧(在图中相当于右侧)的侧面上的成膜。
当基板100到达从去路向回路的切换地点时，如图5(B)所示，基板100的移动方向被从M1方向切换为相反的M2方向。遮挡单元16通过移动可动遮挡构件18来切换溅射粒子的飞散允许范围17a’。
对于切换后的飞散允许范围17a’而言，可动遮挡构件18覆盖包括中央基准线N0上在内的从靶材6的正上方到M2方向前侧的范围，飞散允许范围17a’是从中央基准线N0向M2方向后侧离开的范围。溅射粒子从飞散允许范围17a’沿着斜入射方向D2飞散而堆积到基板100的下表面。由此，能够促进向基板100的凹凸的侧面中的在M2方向上位于前侧(在图中相当于左侧)的侧面上的成膜。
可动遮挡构件18向在其移动的前后相对于中央基准线N0对称的位置移动。在可动遮挡构件18移动的前后，飞散允许范围17a’虽然位置不同但其大小相同。然而，在可动遮挡构件18移动的前后，飞散允许范围17a’的大小也可以不同，也可以是相对于法线方向Z1非对称的位置。
这样，在本实施方式中，通过利用可动遮挡构件18来限制溅射粒子的飞散范围，使溅射粒子P相对于基板100沿着斜入射方向D1、D2飞散。能够通过基板100的往复而在基板100的凹凸上形成更均匀的膜厚。
＜第四实施方式＞
在第一实施方式中，作为靶材6，例示了旋转靶材6，但也可以使用平板靶材。图6(A)示出其一例。在图示的例子中，取代旋转靶材6而设置有平板靶材19。磁铁9的结构与第一实施方式基本相同。如图6(B)及图6(C)所例示那样，通过旋转轴14的旋转来将平板靶材19的朝向与磁铁6的朝向一起切换，由此能够切换主飞散方向。
另外，在上述各实施方式中，例示了向靶材的上方的基板放射出溅射粒子的结构，但也可以是向靶材的下方的基板放射出溅射粒子的结构。
＜第五实施方式＞
在上述各实施方式中，作为在成膜时使基板100与靶材6相对地移动的单元，例示出使基板100沿着X方向移动的移动单元4，但也可以移动靶材6。图6(D)示出其一例。
图示的移动单元21具备沿着X方向延伸设置的导轨22和被导轨22引导而能够沿着X方向移动的滑块23。一对支承台10搭载于滑块23。移动单元21具有线性马达、滚珠丝杆机构等驱动机构，在驱动机构的驱动力的作用下使滑块23沿着一对导轨22在实线位置与虚线位置之间沿着X方向往复。基板100在成膜中其位置被停止。一边使滑块23移动一边从靶材6放射出溅射粒子来对基板100进行成膜。
通过在靶材6的去路方向M11的移动和回路方向M12的移动中切换磁铁9的朝向，能够切换主飞散方向。
即便在像第二实施方式、第三实施方式那样使用了遮挡单元16的结构中，也能够通过在滑块23上搭载遮挡单元16而在成膜中停止基板100并移动靶材6及遮挡单元16来进行成膜动作。在这种情况下，也能够在去路方向M11的移动和回路方向M12的移动中变更可动遮挡构件18的位置来切换飞散允许范围17a’的位置。
＜其他实施方式＞
本发明通过如下的处理也能够实现，在该处理中，将实现上述实施方式的一个以上的功能的程序经由网络或存储介质向系统或装置供给并由该系统或装置的计算机中的一个以上的处理器读出并执行程序。另外，本发明还能够通过实现一个以上的功能的电路(例如ASIC)来实现。
本发明不受上述实施方式限制，在不脱离本发明的主旨及范围的情况下能够进行各种变更及变形。因此，为了公开本发明的范围而附上权利要求。

Claims (11)

1.一种溅射装置，其特征在于，具备：
移动机构，其移动基板；
靶材，其使溅射粒子朝向所述基板飞散；
磁铁，其以使来自所述靶材的溅射粒子的主飞散方向成为从所述基板的法线方向倾斜的斜入射方向的方式配置，在所述靶材的表面形成磁场；以及
切换机构，其根据所述移动机构进行的所述基板的移动的方向的变更，以将所述主飞散方向从第一斜入射方向变更为与所述第一斜入射方向不同的第二斜入射方向的方式切换所述磁铁的朝向。
2.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，
所述移动机构使所述基板在去路和回路上往复，
作为所述去路时的所述主飞散方向的所述第一斜入射方向与作为所述回路时的所述主飞散方向的所述第二斜入射方向是相对于所述法线方向相反的方向。
3.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，
所述溅射装置具备在成膜时限制溅射粒子相对于所述基板的飞散范围的遮挡机构，
所述遮挡机构根据所述移动机构进行的所述基板的移动的方向的变更，切换溅射粒子的飞散允许范围。
4.根据权利要求3所述的溅射装置，其特征在于，
所述切换机构和所述遮挡机构具有共用的驱动源。
5.根据权利要求3所述的溅射装置，其特征在于，
所述遮挡机构具备位于所述基板与所述靶材之间的遮挡构件，
所述遮挡构件被维持为阳极电位，所述靶材被维持为阴极电位。
6.根据权利要求3所述的溅射装置，其特征在于，
所述遮挡机构以使从所述靶材向所述基板沿着所述法线方向入射的溅射粒子减少的方式限制所述飞散范围。
7.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，
所述靶材为圆筒形状的旋转靶材，
所述磁铁配置在所述靶材的内部空间，
所述切换机构使所述磁铁绕着所述靶材的旋转中心线转动。
8.根据权利要求1所述的溅射装置，其特征在于，
所述磁铁具备沿着与所述基板的宽度方向平行的方向延伸的中心磁铁和包围所述中心磁铁的周边磁铁，
所述主飞散方向是通过所述中心磁铁的磁极上的宽度方向中央且与所述靶材的表面正交的方向。
9.一种溅射装置，其特征在于，具备：
移动机构，其移动基板；
靶材，其使溅射粒子朝向所述基板飞散；以及
遮挡机构，其在成膜时限制溅射粒子相对于所述基板的飞散范围，
所述遮挡机构根据所述移动机构进行的所述基板的移动的方向的变更，切换溅射粒子的飞散允许范围。
10.一种溅射装置，其特征在于，具备：
靶材，其使溅射粒子朝向基板飞散；
磁铁，其以使来自所述靶材的溅射粒子的主飞散方向成为从所述基板的法线方向倾斜的斜入射方向的方式配置，在所述靶材的表面形成磁场；
移动机构，其使所述靶材及所述磁铁相对于所述基板移动；以及
切换机构，其根据所述移动机构进行的所述靶材及所述磁铁的移动的方向的变更，以将所述主飞散方向从第一斜入射方向变更为与所述第一斜入射方向不同的第二斜入射方向的方式切换所述磁铁的朝向。
11.一种溅射装置，其特征在于，具备：
靶材，其使溅射粒子朝向基板飞散；
遮挡机构，其在成膜时限制溅射粒子相对于所述基板的飞散范围；以及
移动机构，其移动所述靶材，
所述遮挡机构根据所述移动机构进行的所述靶材的移动的方向的变更，切换溅射粒子的飞散允许范围。
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