JP2023091411A - スパッタ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】成膜面に凹凸を有する基板の膜厚の均一化を図る。【解決手段】スパッタ装置は、基板を移動する移動手段と、前記基板へ向けてスパッタ粒子を飛散するターゲットと、前記ターゲットからのスパッタ粒子の主飛散方向が前記基板の法線方向から傾斜した斜入射方向となるように配置され、前記ターゲットの表面に磁場を形成する磁石と、前記移動手段による前記基板の移動の方向が変更されたことに応じて、前記主飛散方向が第一の斜入射方向から前記第一の斜入射方向と異なる第二の斜入射方向に変更されるように、前記磁石の向きを切り替える切替手段と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、スパッタ装置に関する。

有機ＥＬディスプレイ等の製造において、スパッタ装置により基板に成膜を行う技術が知られている。こうしたスパッタ装置として、膜厚の均一化や基板の下地層へのダメージの低減等を行うために、基板に対するスパッタ粒子の主飛散方向を傾斜させたり、ターゲットと基板との間に遮蔽部材を設けたスパッタ装置が知られている（例えば特許文献１）。

特開２０１９－０９００８３号公報

成膜面に凹凸を有する基板では、凹凸の側面へのスパッタ粒子の堆積量が少なくなる傾向にあり、膜厚の均一化の点で改善の余地がある。

本発明は、膜厚の均一化を図る技術を提供するものである。

本発明によれば、
基板を移動する移動手段と、
前記基板へ向けてスパッタ粒子を飛散するターゲットと、
前記ターゲットからのスパッタ粒子の主飛散方向が前記基板の法線方向から傾斜した斜入射方向となるように配置され、前記ターゲットの表面に磁場を形成する磁石と、
前記移動手段による前記基板の移動の方向が変更されたことに応じて、前記主飛散方向が第一の斜入射方向から前記第一の斜入射方向と異なる第二の斜入射方向に変更されるように、前記磁石の向きを切り替える切替手段と、を備える、
ことを特徴とするスパッタ装置が提供される。

本発明によれば、膜厚の均一化を図る技術を提供することができる。

（Ａ）及び（Ｂ）は本発明の一実施形態に係るスパッタ装置の模式図。 （Ａ）及び（Ｂ）は成膜動作の説明図。 （Ａ）及び（Ｂ）は本発明の別の実施形態に係るスパッタ装置の模式図。 （Ａ）及び（Ｂ）は成膜動作の説明図。 （Ａ）及び（Ｂ）は更に別の実施形態に係るスパッタ装置の成膜動作の説明図。 （Ａ）～（Ｃ）は平板状ターゲットの例を示す図、（Ｄ）は基板と、ターゲットとの相対移動の他の例を示す図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

＜第一実施形態＞
＜スパッタ装置の構成＞
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は本発明の一実施形態に係るスパッタ装置１の模式図であり、図１（Ａ）はスパッタ装置１を側方から見た図、図１（Ｂ）はスパッタ装置１を上方から見た図である。各図において矢印Ｚは上下方向（重力方向）を示し、矢印Ｘ及び矢印Ｙは互いに直交する水平方向を示す。

スパッタ装置１は、基板１００に対して膜を形成する成膜装置であり、例えば表示装置（フラットパネルディスプレイなど）や薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ＥＬパネルを製造する製造装置に適用可能である。有機ＥＬパネルの製造に適用される場合、例えば、基板１００の下面には予め有機膜が成膜され、スパッタ装置１は有機膜の上に電極膜をスパッタリングによって成膜する。

スパッタ装置１は、箱型の真空チャンバ２を有する。真空チャンバ２は不図示の真空ポンプに接続され、真空ポンプによる排気によって内部空間が減圧可能である。真空チャンバ２の内部空間にはアルゴンなどの不活性ガスがガス供給ユニット３によって供給される。

スパッタ装置１は、真空チャンバ２内で基板を搬送する移動ユニット４を備える。移動ユニット４は一対のガイドレール４ａと、一対のガイドレール４ａに支持されて移動するキャリア５とを備える。各ガイドレール４ａはＸ方向に延設され、一対のガイドレール４ａはＹ方向に離間している。移動ユニット４は、リニアモータや、ボールねじ機構等の駆動機構を有しており、その駆動力によって一対のガイドレール４ａに沿ってキャリア５を図１（Ｂ）で実線と破線で示すようにＸ方向に往復させる。実線の位置から破線の位置へ向かう移動の経路を往路と呼び、その反対に破線の位置から実線の位置に向かう移動の経路を復路と呼ぶ。

キャリア５は基板１００を保持する保持部５ａを有している。基板１００はゲート２ａから真空チャンバ２内に搬送され、キャリア５に保持される。キャリア５の移動によって基板１００は、その幅方向をＹ方向として真空チャンバ２内を水平姿勢でＸ方向に往復する。往復の過程で、基板１００の下面にはターゲット６から飛散するスパッタ粒子が堆積し、成膜される。成膜済みの基板１００はゲート２ａから真空チャンバ２外へ搬出される。

ターゲット６は、本実施形態の場合、Ｙ方向の回転中心線Ｃ１の周りに回転自在な回転ターゲットである。ターゲット６は一対の支持台１０に支持されている。一方の支持台１０にはモータ１１が設けられており、ターゲット６はモータ１１を駆動源としてモータ１１の駆動力によって回転する。

ターゲット６は円筒形状を有しており、その内周面にはカソード電極７が設けられており、電圧印加ユニット８により電圧が印加されてカソード電位に維持され、放電する。また、本実施形態のスパッタ装置１はマグネトロンスパッタ装置であり、ターゲット６の内部空間の上部には、ターゲット６の表面に磁場を形成する磁石９が配置されている。

磁石９は、Ｙ方向に延びる中心磁石９ａと、中心磁石９ａを取り囲む周辺磁石９ｂと、ヨーク９ｃとを備える。周辺磁石９ｂは、中心磁石９ａと平行にＹ方向に延びる一対の直線部と、一対の直線部のＹ方向の両端部をそれぞれ接続する接続部とを有した環状の磁石であり、図１（Ａ）等においては周辺磁石９ｂの一対の直線部の断面が図示され、図１（Ｂ）には磁石９の平面視形状が図示されている。

中心磁石９ａと周辺磁石９ｂとは逆極性で、中心磁石９ａの着磁方向は中央基準線Ｎ０の方向となっている。中央基準線ＮＯは、中心磁石９ａの磁極上の幅方向中央部（図１（Ａ）の姿勢ではＸ方向中央部）を通り、ターゲット６の表面に対して直交方向（ターゲット６の径方向）に延びる直線である。図１（Ａ）の姿勢では、中央基準線ＮＯはＺ方向に延び、ターゲット６の回転中心線Ｃ１を通る線であり、基板１００の搬送面に対して直交している。周辺磁石３２の着磁方向は、中心磁石９ａと平行に延びており、中心磁石９ａと周辺磁石９ｂの内端とが、ヨーク９ｃによって連結されている。これにより、ターゲット６の表面近傍の磁場は、中心磁石９ａの磁極から、周辺磁石９ｂの直線部へ向けてループ状に戻る磁力線を有する。この磁場によって、電子が捕捉され、ターゲット６の表面近傍にプラズマを集中させ、スパッタリングの効率が高められる。

スパッタ装置１は切替ユニット１２を備える。切替ユニット１２は、駆動源であるモータ１３と、回転軸１４とを含む。モータ１３は他方の支持台１０に内蔵されており、不図示の伝達機構（例えば歯車機構）を介して回転軸１４を回転させる。回転軸１４は、ターゲット６の回転中心線Ｃ１と同軸上でＹ方向に延設され、一対の支持台１０に回転自在に支持されている。磁石９は回転軸１４に連結されており、回転軸１４の回転によって回動してそのＺ‐Ｘ平面上での向きが切り替わる。

スパッタ装置１は制御ユニット１５を備えている。制御ユニット１５は、少なくとも一つのプロセッサ、少なくとも一つの記憶デバイス、及び、センサやアクチュエータとのデータの入出力を行うインタフェースを含み、スパッタ装置１を制御する。記憶デバイスは例えばＲＡＭ、ＲＯＭ等のメモリである。プロセッサは記憶デバイスに記憶されたプログラムを実行し、モータ１１、１３や移動ユニット４の駆動制御等を行う。

＜成膜動作＞
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）を参照してスパッタ装置１の成膜動作について説明する。基板１００を移動ユニット４によって連続的に移動させつつ、ターゲット６からスパッタ粒子Ｐを基板１００へ飛散させて基板１００の下面に堆積し、成膜する。図２（Ａ）は基板１００の往路移動時の成膜動作を示しており、基板１００はＸ方向（Ｍ１方向）に移動される。図２（Ｂ）は基板１００の復路移動時の成膜動作を示しており、基板１００はＸ方向で逆方向（Ｍ２方向）に移動される。成膜中、モータ１１が駆動され、ターゲット６は例えば矢印Ｒ１方向（時計回り）に連続的に回転（自転）する。

図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に図示されているターゲット６の表面近傍の楕円のループＬは、プラズマが集中する部分を模式的に示す。ターゲット６の表面の法線方向の磁束密度成分が零の点からスパッタ粒子が集中的に飛散することが知られている。この点は、中心磁石３１と周辺磁石３２の直線部の間に位置する。図１（Ａ）のように中央基準線Ｎ０が基板１００の法線方向Ｚ１（本実施形態の場合、Ｚ方向）を指向している場合で、ターゲット６から放出されるスパッタ粒子が搬送面に堆積するとした場合の単位時間当たりの堆積量である成膜レートの分布は、中央基準線Ｎ０付近をピークとして、Ｘ方向の一方側、他方側にレートが低下する山形の分布となる。したがって、中央基準線Ｎ０の方向をスパッタ粒子の主飛散方向と呼ぶことができる。

図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように成膜面である基板１００の下面が凹凸を有する場合、仮に図１（Ａ）のように主飛散方向が基板１００の法線方向を指向していると、凹凸の下面の膜厚が厚くなり、凹凸の側面の膜厚が薄くなる傾向にある。本実施形態では、磁石９の向きによって、主飛散方向を基板１００の法線方向Ｚ１に対して傾斜した斜入射方向とすることで、凹凸の側面へのスパッタ粒子Ｐの堆積を促し、膜厚の均一化を図る。

図２（Ａ）に示すように、基板１００がＭ１方向に移動する間、主飛散方向が法線方向Ｚ１に対してＸ方向に＋θだけ傾斜した斜入射方向Ｄ１となるように切替ユニット１２によって磁石９の向きを設定する。これにより、基板１００の凹凸の側面のうち、Ｍ１方向で前側（図で右側に相当）の側面への成膜が促進される。

基板１００が往路から復路への切り替え地点に到達すると、図２（Ｂ）に示すように、基板１００の移動方向がＭ１方向から反対のＭ２方向に切り替えられる。また、主飛散方向が法線方向Ｚ１に対してＸ方向に－θだけ傾斜した斜入射方向Ｄ２となるように切替ユニット１２によって磁石９の向きを切り替える。図２（Ａ）と図２（Ｂ）とでは斜入射方向Ｄ１、Ｄ２がＺ１方向に対して反対の関係にある。基板１００がＭ２方向に移動する間、主飛散方向が法線方向Ｚ１に対してＸ方向に－θだけ傾斜していることにより、基板１００の凹凸の側面のうち、Ｍ２方向で前側（図で左側に相当）の側面への成膜が促進される。基板１００の往復によって、基板１００の凹凸に対してより均一な膜厚を形成できる
このようにして、本実施形態では基板１００に対するスパッタ粒子Ｐの主飛散方向を斜入射方向Ｄ１、Ｄ２とし、かつ、基板１００の移動方向の変更に応じて異なる斜入射方向Ｄ１、Ｄ２とすることで、凹凸に対してより均一な膜厚を形成できる。なお、本実施形態では、往路の場合の傾斜角度＋θと、復路の場合の傾斜角度－θとで角度θを共通としたが、異なっていてもよく、換言すると、斜入射方向Ｄ１とＤ２とが法線方向Ｚ１に対して対称でなくてもよい。

＜第二実施形態＞
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は本発明の別の実施形態に係るスパッタ装置１の模式図であり、図３（Ａ）はスパッタ装置１を側方から見た図、図３（Ｂ）はスパッタ装置１を上方から見た図である。第二実施形態のスパッタ装置１について、第一実施形態のスパッタ装置１と異なる構成について説明する。

本実施形態のスパッタ装置１は遮蔽ユニット１６を備える。遮蔽ユニット１６は、成膜時に基板１００に対するスパッタ粒子の飛散範囲を構造的に規制する防着ユニットである。遮蔽ユニット１６はターゲット６を囲むように配置された固定遮蔽部材１７と、可動遮蔽部材１８とを備える。固定遮蔽部材１７は天部に開口部１７ａが形成された箱状の部材であり、可動遮蔽部材１８は開口部１７ａを部分的に開閉する平板状の部材である。

開口部１７ａ及び可動遮蔽部材１８は、基板１００とターゲット６との間に位置し、ターゲット６から放出されるスパッタ粒子は開口部１７ａを通過して基板１００に到達する。したがって、開口部１７ａのうち、可動遮蔽部材１８に閉鎖されていない部分は飛散許容範囲であり、可動遮蔽部材１８に閉鎖されている部分は飛散規制範囲である。

可動遮蔽部材１８は、Ｘ方向にスライド自在に設けられ、その駆動源であるモータ１３’の駆動力によって移動する。モータ１３’の駆動力は、不図示の伝達機構を介して可動遮蔽部材１８に伝達される。伝達機構は例えばボールねじ機構、ラック―ピニオン機構である。モータ１３’は切替ユニット１２の駆動源を兼ねる。モータ１３’の駆動力は不図示の伝達機構を介して回転軸１４に伝達される。伝達機構は例えば歯車機構である。

本実施形態では、切替ユニット１２と遮蔽ユニット１６は、モータ１３’を駆動源として共用している。共用することで、コストダウンを図ると共に、磁石９の向きの切り替えと、可動遮蔽部材１８の移動とを連動することができる。しかし、切替ユニット１２と遮蔽ユニット１６とで個別に駆動源を設け、これらが独立して作動する構成であってもよい。

可動遮蔽部材１８は、アノード電位に維持される。カソード電極７のカソード電位は例えば、２００Ｖ～４００Ｖ程度である。可動遮蔽部材１８をアノード電位(例えばアース電位。真空チャンバ２の壁部と同電位。)に維持することで、スパッタ粒子が可動遮蔽部材１８に付着し易くなり、可動遮蔽部材１８による基板１００に対する飛散範囲の規制効果を向上できる。

図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照して本実施形態のスパッタ装置１の成膜動作について説明する。

図４（Ａ）に示すように、基板１００がＭ１方向に移動する間、第一実施形態と同様に主飛散方向が斜入射方向Ｄ１となるように切替ユニット１２によって磁石９の向きを設定する。遮蔽ユニット１６の可動遮蔽部材１８は、開口部１７の一部を覆い、飛散許容範囲１７ａ’を形成する。飛散許容範囲１７ａ’は、開口部１７と斜入射方向Ｄ１とが交差する部位を含む範囲であり、中央基準線Ｎ０に対してＭ１方向で前側の範囲を狭く、後側の範囲を広くした範囲である。これにより、基板１００に対してその法線方向に近い方向で飛散するスパッタ粒子が可動遮蔽部材１８に付着し、基板１００への到達を妨げることができる。また、基板１００の凹凸の側面へのスパッタ粒子の堆積率を増やすことができる。

基板１００が往路から復路への切り替え地点に到達すると、図４（Ｂ）に示すように、基板１００の移動方向がＭ１方向から反対のＭ２方向に切り替えられる。第一実施形態と同様に、主飛散方向が斜入射方向Ｄ２となるように切替ユニット１２によって磁石９の向きを切り替える。遮蔽ユニット１６は、可動遮蔽部材１８を移動することでスパッタ粒子の飛散許容範囲１７ａ’を切り替える。切替ユニット１２と遮蔽ユニット１６とは駆動源であるモータ１３’を共用しているため、モータ１３’を駆動することで、切替ユニット１２による磁石９の向きの切り替えと遮蔽ユニット１６による飛散許容範囲１７ａ’の切り替えとを連動させて同時に行うことができる。

切替後の飛散許容範囲１７ａ’は、開口部１７と斜入射方向Ｄ２とが交差する部位を含む範囲であり、中央基準線Ｎ０に対してＭ２方向で前側の範囲を狭く、後側の範囲を広くした範囲である。これにより、基板１００に対してその法線方向に近い方向で飛散するスパッタ粒子が可動遮蔽部材１８に付着し、基板１００への到達を妨げることができる。基板１００の凹凸の側面へのスパッタ粒子の堆積率を増やすことができる。基板１００の往復によって、基板１００の凹凸に対してより均一な膜厚を形成できる。

可動遮蔽部材１８は、その移動の前後で法線方向Ｚ１に対して対称な位置に移動する。可動遮蔽部材１８の移動の前後で飛散許容範囲１７ａ’は位置が異なるがその大きさは同じである。しかし、可動遮蔽部材１８の移動の前後で、飛散許容範囲１７ａ’の大きさが異なってもよいし、法線方向Ｚ１に対して非対称な位置であってもよい。

このようにして、本実施形態では基板１００に対するスパッタ粒子Ｐの主飛散方向を斜入射方向Ｄ１、Ｄ２とし、また、可動遮蔽部材１８でスパッタ粒子の飛散範囲を規制し、かつ、基板１００の移動方向の変更に応じて異なる斜入射方向Ｄ１、Ｄ２とし、また、飛散許容範囲１７ａ’を切り替えたことで、凹凸に対してより均一な膜厚を形成できる。

＜第三実施形態＞
第二実施形態では、基板１００の移動方向の変更に応じて磁石９の向きを切り替え、スパッタ粒子Ｐの主飛散方向を切り替えたが、磁石９の向きを固定とし、遮蔽ユニット１６による飛散許容範囲１７ａ’の切り替えのみを行ってもよい。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は本実施形態における成膜動作の説明図である。

本実施形態では、切替ユニット１２を設けておらず、磁石９の中央基準線Ｎ０はＺ方向を指向している。スパッタ粒子の主飛散方向は基板１００の法線方向であるが、飛散許容範囲１７ａ’の切り替えによって、基板１００に対して法線方向に入射するスパッタ粒子を遮蔽し、斜入射するスパッタ粒子を通過させる。

図５（Ａ）に示すように、基板１００がＭ１方向に移動する間、遮蔽ユニット１６の可動遮蔽部材１８は、開口部１７の一部を覆い、飛散許容範囲１７ａ’を形成する。可動遮蔽部材１８は、中央基準線Ｎ０上を含む、ターゲット６の真上からＭ１方向前側の範囲を覆っており、飛散許容範囲１７ａ’は中央基準線Ｎ０から、Ｍ１方向後側に離間した範囲である。飛散許容範囲１７ａ’から斜入射方向Ｄ１にスパッタ粒子が飛散し、基板１００の下面に堆積する。これにより、基板１００の凹凸の側面のうち、Ｍ１方向で前側（図で右側に相当）の側面への成膜が促進される。

基板１００が往路から復路への切り替え地点に到達すると、図５（Ｂ）に示すように、基板１００の移動方向がＭ１方向から反対のＭ２方向に切り替えられる。遮蔽ユニット１６は、可動遮蔽部材１８を移動することでスパッタ粒子の飛散許容範囲１７ａ’を切り替える。

切替後の飛散許容範囲１７ａ’は、可動遮蔽部材１８は、中央基準線Ｎ０上を含む、ターゲット６の真上からＭ２方向前側の範囲を覆っており、飛散許容範囲１７ａ’は中央基準線Ｎ０から、Ｍ２方向後側に離間した範囲である。飛散許容範囲１７ａ’から斜入射方向Ｄ２にスパッタ粒子が飛散し、基板１００の下面に堆積する。これにより、基板１００の凹凸の側面のうち、Ｍ２方向で前側（図で左側に相当）の側面への成膜が促進される。

可動遮蔽部材１８は、その移動の前後で、中央基準線Ｎ０に対して対称な位置に移動する。可動遮蔽部材１８の移動の前後で飛散許容範囲１７ａ’は位置が異なるがその大きさは同じである。しかし、可動遮蔽部材１８の移動の前後で、飛散許容範囲１７ａ’の大きさが異なってもよいし、法線方向Ｚ１に対して非対称な位置であってもよい。

このようにして、本実施形態では、可動遮蔽部材１８でスパッタ粒子の飛散範囲を規制することで、基板１００に対してスパッタ粒子Ｐを斜入射方向Ｄ１、Ｄ２に飛散させる。基板１００の往復によって、基板１００の凹凸に対してより均一な膜厚を形成できる。

＜第四実施形態＞
第一実施形態では、ターゲット６として回転ターゲット６を例示したが、平板ターゲットを用いてもよい。図６（Ａ）はその一例を示す。図示の例では回転ターゲット６に代えて平板ターゲット１９が設けられている。磁石９の構成は第一実施形態と基本的に同じである。図６（Ｂ）及び図６（Ｃ）に例示するように、回転軸１４の回転によって、磁石６と共に平板ターゲット１９の向きを切り替えることで主飛散方向を切り替えることができる。

また、上記各実施形態では、ターゲットの上方の基板にスパッタ粒子を放出する構成を例示したが、ターゲットの下方の基板にスパッタ粒子を放出する構成であってもよい。

＜第五実施形態＞
上記各実施形態では、成膜時に、基板１００とターゲット６とを相対的に移動するユニットとして、基板１００をＸ方向に移動する移動ユニット４を例示したが、ターゲット６を移動してもよい。図６（Ｄ）はその一例を示す。

図示の移動ユニット２１は、Ｘ方向に延設されたガイドレール２２と、ガイドレール２２に案内されてＸ方向に移動可能なスライダ２３とを備える。一対の支持台１０はスライダ２３に搭載されている。移動ユニット２１は、リニアモータや、ボールねじ機構等の駆動機構を有しており、その駆動力によって一対のガイドレール２２に沿ってスライダ２３を実線位置と破線位置との間でＸ方向に往復させる。基板１００は成膜中、その位置が停止されている。スライダ２３を移動させつつ、ターゲット６からスパッタ粒子を放出して基板１００に対する成膜を行う。

ターゲット６の往路方向Ｍ１１の移動と、復路方向Ｍ１２との移動とで磁石９の向きを切り替えて主飛散方向を切り替えることができる。

第二実施形態や第三実施形態のように遮蔽ユニット１６を用いた構成においても、スライダ２３に遮蔽ユニット１６を搭載することで、成膜中、基板１００を停止し、ターゲット６及び遮蔽ユニット１６を移動して成膜動作を行うことができる。この場合も往路方向Ｍ１１の移動と、復路方向Ｍ１２との移動とで可動遮蔽部材１８の位置を変更して飛散許容範囲１７ａ’の位置を切り替えることができる。

＜他の実施形態＞
本発明は、上述の実施形態の１以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１ スパッタ装置、６ ターゲット、９ 磁石、１６ 遮蔽ユニット、１００ 基板

Claims (11)

1. 基板を移動する移動手段と、
   前記基板へ向けてスパッタ粒子を飛散するターゲットと、
   前記ターゲットからのスパッタ粒子の主飛散方向が前記基板の法線方向から傾斜した斜入射方向となるように配置され、前記ターゲットの表面に磁場を形成する磁石と、
   前記移動手段による前記基板の移動の方向が変更されたことに応じて、前記主飛散方向が第一の斜入射方向から前記第一の斜入射方向と異なる第二の斜入射方向に変更されるように、前記磁石の向きを切り替える切替手段と、を備える、
   ことを特徴とするスパッタ装置。
2. 請求項１に記載のスパッタ装置であって、
   前記移動手段は、前記基板を往路と復路とで往復し、
   前記往路の際の前記主飛散方向である前記第一の斜入射方向と、前記復路の際の前記主飛散方向である前記第二の斜入射方向とは、前記法線方向に対して反対の方向である、
   ことを特徴とするスパッタ装置。
3. 請求項１に記載のスパッタ装置であって、
   成膜時に前記基板に対するスパッタ粒子の飛散範囲を規制する遮蔽手段を備え、
   前記遮蔽手段は、前記移動手段による前記基板の移動の方向が変更されたことに応じて、スパッタ粒子の飛散許容範囲を切り替える、
   ことを特徴とするスパッタ装置。
4. 請求項３に記載のスパッタ装置であって、
   前記切替手段と前記遮蔽手段は、共用の駆動源を有する、
   ことを特徴とするスパッタ装置。
5. 請求項３又は請求項４に記載のスパッタ装置であって、
   前記遮蔽手段は、前記基板と前記ターゲットとの間に位置する遮蔽部材を備え、
   前記遮蔽部材がアノード電位に、前記ターゲットがカソード電位にそれぞれ維持される、
   ことを特徴とするスパッタ装置。
6. 請求項３に記載のスパッタ装置であって、
   前記遮蔽手段は、前記ターゲットから前記基板に対して前記法線方向に入射するスパッタ粒子が少なくなるように前記飛散範囲を規制する、
   ことを特徴とするスパッタ装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のスパッタ装置であって、
   前記ターゲットは円筒形状の回転ターゲットであり、
   前記磁石は、前記ターゲットの内部空間に配置され、
   前記切替手段は、前記磁石を前記ターゲットの回転中心線周りに回動する、
   ことを特徴とするスパッタ装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のスパッタ装置であって、
   前記磁石は、前記基板の幅方向と平行な方向に延びる中心磁石と、前記中心磁石を取り囲む周辺磁石とを備え、
   前記主飛散方向は、前記中心磁石の磁極上の幅方向中央を通り、前記ターゲットの表面に対して直交する方向である、
   ことを特徴とするスパッタ装置。
9. 基板を移動する移動手段と、
   前記基板へ向けてスパッタ粒子を飛散するターゲットと、
   成膜時に前記基板に対するスパッタ粒子の飛散範囲を規制する遮蔽手段と、を備え、
   前記遮蔽手段は、前記移動手段による前記基板の移動の方向が変更されたことに応じて、スパッタ粒子の飛散許容範囲を切り替える、
   ことを特徴とするスパッタ装置。
10. 基板へ向けてスパッタ粒子を飛散するターゲットと、
    前記ターゲットからのスパッタ粒子の主飛散方向が前記基板の法線方向から傾斜した斜入射方向となるように配置され、前記ターゲットの表面に磁場を形成する磁石と、
    前記ターゲット及び前記磁石を前記基板に対して移動する移動手段と、
    前記移動手段による前記ターゲット及び前記磁石の移動の方向が変更されたことに応じて、前記主飛散方向が第一の斜入射方向から前記第一の斜入射方向と異なる第二の斜入射方向に変更されるように、前記磁石の向きを切り替える切替手段と、を備える、
    ことを特徴とするスパッタ装置。
11. 基板へ向けてスパッタ粒子を飛散するターゲットと、
    成膜時に前記基板に対するスパッタ粒子の飛散範囲を規制する遮蔽手段と、
    前記ターゲットを移動する移動手段と、を備え、
    前記遮蔽手段は、前記移動手段による前記ターゲットの移動の方向が変更されたことに応じて、スパッタ粒子の飛散許容範囲を切り替える、
    ことを特徴とするスパッタ装置。

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