CN116171058A - 发光装置和包括其的电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及发光装置和包括其的电子设备。在发光装置中，发射层包括第一发射层和第二发射层，第一发射层包括第一主体，第二发射层包括第二主体和第三主体，并且第一主体的空穴移动性(μH₁)、第二主体的空穴移动性(μH₂)和第三主体的空穴移动性(μH₃)满足下面的式(1)和式(2)：μH₁>μH₂(1)，μH₁>μH₃(2)。

Description

发光装置和包括其的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年11月24日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0163727号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

背景技术

发光装置中的自发射装置具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面卓越的特点。

在发光装置中，第一电极在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次在第一电极上。从第一电极提供的空穴可朝着发射层移动穿过空穴传输区，并且从第二电极提供的电子可朝着发射层移动穿过电子传输区。载流子，比如空穴和电子，在这种发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。

发明内容

提供了发光装置和包括发光装置的电子设备。

实施方式的另外的方面将部分在下述的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

根据一个或多个实施方式，

提供了发光装置，包括：第一电极，

面向第一电极的第二电极，以及

在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，

其中发射层包括第一发射层和第二发射层，

第一发射层包括第一主体，

第二发射层包括第二主体和第三主体，并且

第一主体的空穴移动性(μH₁)、第二主体的空穴移动性(μH₂)和第三主体的空穴移动性(μH₃)满足下面的式(1)和式(2)。

μH₁ > μH₂ (1)，

μH₁ > μH₃ (2)。

根据一个或多个实施方式，

提供了包括发光装置的电子设备。

附图说明

公开的某些实施方式的上面的以及其他的方面和特征将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，其中：

图1为根据实施方式的发光装置的结构的示意图；

图2为根据本公开的实施方式的电子设备的横截面图；并且

图3为根据本公开的另一实施方式的电子设备的横截面图。

具体实施方式

现将更详细参考其实施例阐释在所附附图中的本公开的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考图描述实施方式，以解释本描述的实施方式的方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何组合和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、所有的a、b和c或其变型。

相关领域的发光装置的蓝色荧光发射层包括单个主体和单个掺杂剂，并且这种主体具有比空穴传输特点强的电子传输特点。出于该原因，空穴和电子在电子阻挡层和发射层之间的界面处复合，从而造成三重态-三重态融合(TTF)。结果，电子阻挡层劣化，并且发光装置的寿命减少。

根据一个或多个实施方式，发光装置包括：

第一电极；

面向第一电极的第二电极；以及

在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，

其中发射层包括第一发射层和第二发射层，

第一发射层包括第一主体，

第二发射层包括第二主体和第三主体，并且

第一主体的空穴移动性(μH₁)、第二主体的空穴移动性(μH₂)和第三主体的空穴移动性(μH₃)满足下面的式(1)和式(2)：

μH₁ > μH₂ (1)，

μH₁ > μH₃ (2)。

在实施方式中，第二主体的空穴移动性(μH₂)和第三主体的空穴移动性(μH₃)可满足下面的式(3)。

μH₂ ≥ μH₃ (3)。

在实施方式中，不限制测量空穴移动性的方法，但是可使用例如飞行时间方法。在飞行时间方法中，从电极/有机层/电极结构中，可测量通过照射对应于有机层的吸收波长区的波长的光而生成的瞬变电流的时间特点(瞬态特征时间)，并且可从下述测量方程式中计算空穴移动性。在实施方式中，在制造包括电极/夹层/电极结构的装置之后可经JV曲线测量空穴移动性。

也可通过与用于测量空穴移动性的方法类似的方法测量电子移动性。

测量方程式

空穴移动性＝(夹层的厚度)²/(瞬态特征时间施加的电压)。

在实施方式中，第一主体的三重态能级(T_{1_H1})、第二主体的三重态能级(T_{1_H2})和第三主体的三重态能级(T_{1_H3})可满足下面的式(4)和式(5)：

T_{1_H1} > T_{1_H2} (4)，

T_{1_H1} > T_{1_H3} (5)。

在实施方式中，第二主体的三重态能级(T_{1_H2})和第三主体的三重态能级(T_{1_H3})可满足下面的式(6)。

T_{1_H2} ≥ T_{1_H3} (6)。

在实施方式中，第一主体的最低未占分子轨道(LUMO)能级(E_LUMO__H1)、第二主体的LUMO能级(E_LUMO__H2)和第三主体的LUMO能级(E_LUMO__H3)可满足下面的式(7)和式(8)。

E_LUMO__H1 > E_LUMO__H2 (7)，

E_LUMO__H1 > E_LUMO__H3 (8)。

在实施方式中，第二主体的LUMO能级(E_LUMO__H2)可不同于第三主体的LUMO能级(E_LUMO__H3)。

在实施方式中，第二主体的LUMO能级(E_LUMO__H2)可大于第三主体的LUMO能级(E_LUMO__H3)。

在实施方式中，第二主体的LUMO能级(E_LUMO__H2)可小于第三主体的LUMO能级(E_LUMO__H3)。

在实施方式中，第一主体的最高占据分子轨道(HOMO)能级(E_HOMO__H1)、第二主体的HOMO能级(E_HOMO__H2)和第三主体的HOMO能级(E_HOMO__H3)可满足下面的式(9)和式(10)。

E_HOMO__H1 > E_HOMO__H2 (9)，

E_HOMO__H1 > E_HOMO__H3 (10)。

在实施方式中，第二主体的HOMO能级(E_HOMO__H2)可不同于第三主体的HOMO能级(E_HOMO__H3)。

在实施方式中，第二主体的HOMO能级(E_HOMO__H2)可大于第三主体的HOMO能级(E_HOMO__H3)。

在实施方式中，第二主体的HOMO能级(E_HOMO__H2)可小于第三主体的HOMO能级(E_HOMO__H3)。

在实施方式中，第一主体的电子移动性(μE₁)、第二主体的电子移动性(μE₂)和第三主体的电子移动性(μE₃)可满足下面的式(11)和式(12)。

μE₂ > μE₁ (11)，

μE₃ > μE₁ (12)。

在实施方式中，第二主体的电子移动性(μE₂)可不同于第三主体的电子移动性(μE₃)。

在实施方式中，第二主体的电子移动性(μE₂)可大于第三主体的电子移动性(μE₃)。

在实施方式中，第二主体的电子移动性(μE₂)可小于第三主体的电子移动性(μE₃)。

在实施方式中，第一发射层和第二发射层可各自包括掺杂剂，并且第一发射层中的掺杂剂和第二发射层中的掺杂剂可彼此相同。

在实施方式中，第一发射层和第二发射层可各自包括掺杂剂，并且第一发射层中的掺杂剂和第二发射层中的掺杂剂可彼此不同。

在实施方式中，发光装置的第一发射层和第二发射层可彼此接触。在实施方式中，第一发射层和第二发射层可彼此物理接触。在实施方式中，第一发射层和第二发射层可彼此直接物理接触(例如，直接物理接触而在第一发射层和第二发射层之间没有居间元件)。

在实施方式中，第一发射层可在第一电极和第二发射层之间，并且第二发射层可在第一发射层和第二电极之间。

在实施方式中，在发光装置中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，夹层可进一步包括在第一电极和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极之间的电子传输区。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施方式中，发光装置的夹层可进一步包括在第一电极和发射层之间的空穴传输层和电子阻挡层，并且第一发射层可接触电子阻挡层(例如，直接物理接触而在第一发射层和电子阻挡层之间没有居间元件)。在实施方式中，夹层可进一步包括空穴注入层，并且空穴注入层可接触第一电极(例如，直接物理接触而在空穴注入层和第一电极之间没有居间元件)。在实施方式中，空穴注入层可包括电荷生成材料。在实施方式中，空穴注入层可包括p-掺杂剂。

在实施方式中，发光装置的夹层可进一步包括在第二电极和发射层之间的的电子传输层和空穴阻挡层，并且第二发射层可接触空穴阻挡层(例如，直接物理接触而在第二发射层和空穴阻挡层之间没有居间元件)。

在实施方式中，电子传输层可包括含金属材料。下面进一步描述含金属材料。

在实施方式中，在发光装置中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，第一发射层和第二发射层可彼此接触(例如，直接物理接触而在第一发射层和第二发射层之间没有居间元件)，并且

从第一电极注入的空穴和从第二电极注入的电子可在第一发射层和第二发射层之间的界面处复合。在实施方式中，第一发射层可位于第一电极和第二发射层之间。

在根据实施方式的发光装置中，空穴电子复合区可移动至第一发射层和第二发射层之间的界面，从而防止或减少由于生成的激子而引起的电子阻挡层的劣化。

在实施方式中，发光装置的发射层可发射蓝光。

在实施方式中，发光装置的发射层可为荧光发射层。

在实施方式中，第一发射层的厚度与第二发射层的厚度的比例可在约3:7至约7:3的范围内。在实施方式中，第一发射层的厚度与第二发射层的厚度的比例可在约4:6至约6:4的范围内。在实施方式中，第一发射层的厚度与第二发射层的厚度的比例可为约5:5。

在实施方式中，第二主体与第三主体的重量比可在约1:9至约9:1的范围内。在实施方式中，第二主体与第三主体的重量比可在约2:8至约8:2的范围内。在实施方式中，第二主体与第三主体的重量比可在约3:7至约7:3的范围内。

在实施方式中，第一主体可由式1表示。

式1

在式1中，

环CY₁和环CY₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基。

在实施方式中，在式1中，环CY₁和环CY₂可各自独立地为苯基、萘基、蒽基、咔唑基、二苯并呋喃基、芴基、二苯并噻吩基或二苯并噻咯基。

在实施方式中，在式1中，环CY₁和环CY₂可为相同的基团。

在实施方式中，在式1中，环CY₁和环CY₂可各自为苯基。

在式1中，R₁至R₄可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，R_10a可为：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基、C₁-C₆₀杂环基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基。

a1和a2可各自独立地为选自0至10的整数，并且a3和a4可各自独立地为选自0至2的整数。

在实施方式中，在式1中，R₁至R₄可各自独立地为：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；

各自被下述取代的C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任何组合；或

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，并且

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H或-CD₂CDH₂；或

各自未取代的或被下述取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基：氘、C₁-C₂₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合。

在实施方式中，在式1中，R₁至R₄可各自独立地为：氢、氘、-F、氰基、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；

各自被下述取代的C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基或苯并噻咯并咔唑基：氘、-F、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)或其任何组合；

或-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)，并且

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H或-CD₂CDH₂；或

各自未取代的或被下述取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基：氘、C₁-C₂₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合。

在实施方式中，在式1中，R₁至R₄可各自独立地为：氢、氘、-F或氰基；

各自未取代的或被下述取代的环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、萘基、芴基、蒽基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或二苯并噻咯基：氘、-F、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、萘基、芴基、蒽基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)或其任何组合；或

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)，并且

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H或-CD₂CDH₂；或

各自未取代的或被下述取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基：氘、C₁-C₂₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合。

在实施方式中，在式1中，a1和a2可各自独立地为选自0至3的整数。

在实施方式中，式1可由式1-1表示。

式1-1

在式1-1中，

环CY₂、a2至a4和R₂至R₄可分别与本说明书中描述的那些相同，并且R₁₁至R₁₃可各自独立地与本说明书中参考R₁描述的相同。

在实施方式中，第一主体可为芘衍生物化合物。第一主体可为其中芘被-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)取代的芘衍生物化合物。在实施方式中，Q₁至Q₃可各自独立地与本说明书中描述的相同。

在实施方式中，第一主体可为下面的化合物1-1：

在实施方式中，第二主体可由式2表示。

式2

在式2中，X₂可为O、S、Se、N(Ar₁)或Si(Ar₁)(Ar₂)。

在实施方式中，在式2中，X₂可为O、S或Se。

在实施方式中，在式2中，X₂可为O。

在式2中，环CY₂₁和环CY₂₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基。

在实施方式中，在式2中，环CY₂₁和环CY₂₂可各自独立地为苯基、萘基、蒽基、咔唑基、二苯并呋喃基、芴基、二苯并噻吩基或二苯并噻咯基。

在实施方式中，在式2中，环CY₂₁和环CY₂₂可彼此相同。

在实施方式中，在式2中，环CY₂₁和环CY₂₂可彼此不同。

在实施方式中，在式2中，环CY₂₁和环CY₂₂可各自为苯基或萘基。

在式2中，T₂₁可为*-(L₂₁)_b21-(Ar₂₁)_c21。T₂₁中的*可指示与相邻原子的键合位点。

在式2中，L₂₁可为单键或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基，并且b21可为选自0至3的整数。

在实施方式中，在式2中，L₂₁可为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的萘基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的蒽基。

在实施方式中，在式2中，L₂₁可为苯基、萘基或蒽基。

在实施方式中，在式2中，由

表示的基团可由选自环CY21-1至环CY21-22中的一个表示：

/>

在环CY21-1至环CY21-22中，T₂₁可与本说明书中的T₂₁相同，R₂₃至R₂₈可各自独立地与本说明书中参考R₂₁描述的相同(下面在本文中更详细地描述R₂₁)，*可指示与式2中的X₂的键合位点，并且*’可指示与式2中的环CY₂₂的键合位点。

在实施方式中，在式2中，由

表示的基团可由选自环CY22-1至环CY22-4中的一个表示。/>

在环CY22-1至环CY22-4中，R₂₃至R₂₈可各自独立地与本说明书中参考R₂₂描述的相同，*可指示与式2中的X₂的键合位点，并且*’可指示与式2中的环CY₂₁的键合位点。

在实施方式中，式2中的R₂₁、R₂₂、Ar₁、Ar₂和Ar₂₁可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，并且a21、a22和c21可各自独立地为选自0至10的整数。

在实施方式中，在式2中，

R₂₁、R₂₂和Ar₂₁可各自独立地为：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；

各自被下述取代的C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基，芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任何组合；或

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：

-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃-CD₂CD₂H或-CD₂CDH₂；或

各自未取代的或被下述取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基：氘、C₁-C₂₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合。

在实施方式中，在式2中，R₂₁、R₂₂和Ar₂₁可各自独立地为：氢、氘、-F、氰基、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；

各自被下述取代的C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基或苯并噻咯并咔唑基：氘、-F、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)或其任何组合。

在实施方式中，在式2中，R₂₁、R₂₂和Ar₂₁可各自独立地为：氢、氘、-F或氰基；

各自未取代的或被下述取代的环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、萘基、芴基、蒽基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或二苯并噻咯基：氘、-F、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、萘基、芴基、蒽基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基或其任何组合。

在实施方式中，第二主体可为二苯并呋喃衍生物化合物。

在实施方式中，第二主体可为选自化合物2-1至化合物2-20中的一种：

在实施方式中，第三主体可由式3表示。

式3

在式3中，L₃₁至L₃₄可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₃₀杂环基。

在式3中，a31至a34可各自独立地为选自0至3的整数。

在实施方式中，在式3中，L₃₁至L₃₄可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的萘基、未取代的或被至少一个R_10a取代的菲基、未取代的或被至少一个R_10a取代的蒽基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的芘基。

在实施方式中，在式3中，L₃₁至L₃₄可各自独立地为单键、苯基、萘基、菲基、蒽基或芘基。

在式3中，R₃₁至R₃₄可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，并且b31至b34可各自独立地为选自0至10的整数。

在实施方式中，在式3中，R₃₁至R₃₄可各自独立地为：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；

各自被下述取代的C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、菲基、芘基、吡啶基、嘧啶基或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并噻咯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、茚基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任何组合；或

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，并且

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：

-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H或-CD₂CDH₂；或

各自未取代的或被下述取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基：氘、C₁-C₂₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任何组合。

在实施方式中，在式3中，R₃₁至R₃₄可各自独立地为：氢、氘、-F、氰基、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；

各自被下述取代的C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、芘基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基或苯并噻咯并咔唑基：氘、-F、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、芘基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基或其任何组合。

在实施方式中，在式3中，R₃₁至R₃₄可各自独立地为：氢、氘、-F、氰基、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；

各自被下述取代的C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、芘基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基，苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基或苯并噻咯并咔唑基：氘、-F、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂，氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、三联苯基、C₁-C₂₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、芘基、噻吩基、呋喃基、茚基、异吲哚基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并芴基、苯并咔唑基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、萘并苯并噻咯基、二苯并芴基、二苯并咔唑基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二萘并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)或其任何组合。

在实施方式中，在式3中，R₃₁至R₃₄可各自独立地为：氢、氘、-F或氰基；

各自未取代的或被下述取代的环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、萘基、菲基、芴基、蒽基、芘基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基或二苯并噻咯基：氘、-F、氰基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、萘基、菲基、芴基、蒽基、芘基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基或其任何组合。

在实施方式中，第三主体可为蒽衍生物化合物。在实施方式中，第三主体可为其中蒽化合物被选自苯基、萘基、菲基和芘基中的至少一种取代的蒽衍生物化合物。在实施方式中，第三主体可为不对称的化合物。

在实施方式中，第三主体可为选自化合物3-1至化合物3-18中的一种：

针对第一主体，第二主体和第三主体可满足表述(1)和表述(2)。

发光装置可包括发射层，该发射层包括第一发射层和第二发射层。第一发射层包括第一主体，第二发射层包括第二主体和第三主体，并且第一主体的空穴移动性(μH₁)、第二主体的空穴移动性(μH₂)和第三主体的空穴移动性(μH₃)满足下面的式(1)和式(2)。

μH₁ > μH₂ (1)，

μH₁ > μH₃ (2)。

在实施方式中，空穴和电子复合以生成TTF，并且形成发射光的发光区，其中，当满足式(1)和式(2)时，空穴和电子复合的区可移动至第一发射层和第二发射层之间的界面，并且因此，不发生(或基本上不发生)相关领域的发光装置的电子阻挡层的劣化。所以，可大大改善发光装置的寿命。

此外，即使当电子从第二发射层迁移至第一发射层时，第一发射层中包括的第一主体可从单重态发射光，从而有助于发光。在实施方式中，第二发射层中包括的第二主体可使发光区变窄，以增加TTF的生成。在实施方式中，第三主体可通过调节空穴的注入来改善驱动电压。

所以，由于第一主体、第二主体和第三主体引起的TTF的增加和驱动电压的降低的结果，包括第一发射层和第二发射层的发光装置(第一发射层包括第一主体，第二发射层第二主体和第三主体)可改善例如包括发光装置的电子设备的低电压特点、亮度、发光效率和/或寿命。

本领域普通技术人员通过参考下面提供的实施例可认识到由式1表示的第一主体、由式2表示的第二主体和由式3表示的第三主体的合成方法。

发射层可发射红光、绿光、蓝光和/或白光。在实施方式中，发射层可发射蓝光。蓝光可具有，例如，约400nm至约490nm的最大发射波长。

在实施方式中，第一发射层和第二发射层可各自独立地进一步包括掺杂剂。

在实施方式中，发射层(例如，第一发射层和/或第二发射层)可进一步包括磷光掺杂剂、延迟荧光掺杂剂或其任何组合。在实施方式中，发射层可进一步包括磷光掺杂剂。

在实施方式中，掺杂剂可包括过渡金属和数量为m的配体，m可为选自1至6的整数，数量为m的配体可彼此相同或不同，数量为m的配体中的至少一个可经碳-过渡金属键而键合至过渡金属，并且碳-过渡金属键可为配位键(例如，也可称为配价键的配位共价键)。在一些实施方式中，数量为m的配体中的至少一个可为碳烯配体(例如，如在Ir(pmp)₃等中出现的配体)。过渡金属可为，例如，铱、铂、锇、钯、铑或金。

发射层和掺杂剂可与在本说明书中描述的相同。

在实施方式中，夹层可包括m个发射单元和在m个发射单元中的相邻发射单元之间的m-1个电荷生成单元，并且

m个发射单元中的至少一个可包括第一发射层和第二发射层。

发光装置可包括在m个发射单元中的相邻发射单元之间的m-1个电荷生成单元。m为选自1至6的整数。

例如，当m为2时，可依次布置第一电极、第一发射单元、第一电荷生成单元和第二发射单元。在该状态下，第一发射单元可发射第一颜色光，第二发光单元可发射第二颜色光，并且第一颜色光的最大发射波长和第二颜色光的最大发射波长可彼此相同或不同。这里，选自第一发射单元和第二发射单元中的至少一个可包括第一发射层和第二发射层。

作为另一示例，当m为3时，可依次布置第一电极、第一发射单元、第一电荷生成单元、第二发射单元、第二电荷生成单元和第三发射单元。在该状态下，第一发射单元可发射第一颜色光，第二发射单元可发射第二颜色光，第三发射单元可发射第三颜色光，并且第一颜色光的最大发射波长、第二颜色光的最大发射波长和第三颜色光的最大发射波长可彼此相同或不同。这里，选自第一发射单元、第二发射单元和第三发射单元中的至少一个可包括第一发射层和第二发射层。

作为另一示例，当m为4时，可依次布置第一电极、第一发射单元、第一电荷生成单元、第二发射单元、第二电荷生成单元、第三发射单元、第三电荷生成单元和第四发射单元。在该状态下，第一发射单元可发射第一颜色光，第二发射单元可发射第二颜色光，第三发射单元可发射第三颜色光，第四发射单元可发射第四颜色光，并且第一颜色光的最大发射波长、第二颜色光的最大发射波长、第三颜色光的最大发射波长和第四颜色光的最大发射波长可彼此相同或不同。这里，选自第一发射单元、第二发射单元、第三发射单元和第四发射单元中的至少一个可包括第一发射层和第二发射层。

根据实施方式的另一方面的电子设备包括发光装置。

在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，

薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且

发光装置的第一电极可电连接至选自薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。

在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

在实施方式中，电子设备可进一步包括量子点。例如，电子设备可包括颜色转换层，并且颜色转换层可包括量子点。

如在本文中使用的，术语“夹层”指在发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层中的全部。

图1的描述

图1为根据公开的实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。夹层130包括发射层120。发射层120包括第一发射层122和第二发射层124。

下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外在第一电极110下方和/或在第二电极150上面。作为基板，可使用玻璃基板和/或塑料基板。在实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过，例如，在基板上沉积和/或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任何组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合可用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。在实施方式中，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130可在第一电极110上。夹层130包括发射层120。

夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层120之间的空穴传输区以及在发射层120和第二电极150之间的电子传输区。

除了各种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物和/或无机材料比如量子点等。

在一个或多个实施方式中，夹层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元，和ii)在两个发射单元之间的电荷生成层。当夹层130包括如上述的发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区

空穴传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同的材料组成；或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

例如，空穴传输区可具有多层结构，该多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，各个结构的层从第一电极110依次堆叠。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可为*-O-*’、*-S-*’、*-N(Q₂₀₁)-*’、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)。

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括选自由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

式CY201至式CY217中的R_10b和R_10c分别与参考R_10a描述的那些相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可为未取代的或被如上述的R_10a取代。

在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201可包括选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和选自由式CY204至CY217表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201中的xa1可为1，R₂₀₁可为由选自式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由选自式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203表示的基团。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由CY201至式CY203表示的基团，并且可包括选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY217表示的基团。

在实施方式中，空穴传输区可包括选自化合物HT1至化合物HT44中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺TPD、螺NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合：

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空穴传输区的厚度可在约

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例如，约/>

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的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约/>

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的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约/>

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的范围内。当空穴传输区的厚度、空穴注入层的厚度和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得适当的或满意的空穴传输特点。

发射辅助层可根据由发射层120发射的光的波长通过补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可包括如上述的材料。

p-掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于导电特性(例如，电导特性)的改善的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单个层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

在实施方式中，p-掺杂剂的LUMO能级可为约-3.5eV或更小。

在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物或其任何组合。

醌衍生物的示例可包括TCNQ和F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可包括HAT-CN和由下面的式221表示的化合物等。

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

选自R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被下述取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；或其任何组合。

在含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。

金属的示例可包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)；或其任何组合。

准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)、碲(Te)或其任何组合。

非金属的示例可包括氧(O)、卤素(例如，F、Cl、Br、I等)或其任何组合。

在实施方式中，含元素EL1和元素EL2的化合物的示例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)、铼氧化物(例如，ReO₃等)或其任何组合。

金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物或其任何组合。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI或其任何组合。

碱土金属卤化物的示例可包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂、BaI₂或其任何组合。

过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)，锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)、金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)或其任何组合。

后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)、锡卤化物(例如，SnI₂等)或其任何组合。

镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃、SmI₃或其任何组合。

准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)、镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)或其任何组合。

夹层130中的发射层120

当发光装置10为全色发光装置时，可根据子像素将发射层120图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层120可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触(例如，物理接触)或彼此分开(例如，间隔开)。在一个或多个实施方式中，发射层120可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合在一起，以发射白光。

发射层120可包括第一发射层122和第二发射层124。在实施方式中，第一发射层122可包括第一主体，并且第二发射层124可包括第二主体和第三主体。在实施方式中，第一发射层122和第二发射层124可各自独立地进一步包括掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。

基于100重量份的主体，第一发射层122和第二发射层124中的每一个中的掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内。

在实施方式中，第一发射层122和第二发射层124可各自独立地进一步包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可在第一发射层122和第二发射层124中充当主体或掺杂剂。

发射层120的厚度可在约

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的范围内。当发射层120的厚度在该范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得卓越的发光特点。

主体

第一主体、第二主体和第三主体可各自进一步包括，例如，含咔唑化合物、含蒽化合物或其任何组合作为主体。

在实施方式中，第一主体、第二主体和第三主体可各自进一步包括由式301表示的化合物作为主体：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21，

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃分别与参考Q₁描述的那些相同。

在实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar₃₀₁可经单键彼此连接。

在实施方式中，进一步包括在第一主体、第二主体和第三主体中的每一个中的主体可包括由下面的式301-1表示的化合物、由下面的式301-2表示的化合物或其任何组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可为O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁分别与在本说明书中参考式301描述的那些相同，

L₃₀₂至L₃₀₄各自独立地与参考L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4各自独立地与参考xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄分别与参考R₃₀₁描述的那些相同。

在实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任何组合。在实施方式中，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其任何组合。

在实施方式中，主体可包括选自化合物H1至化合物H124中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或其任何组合：

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磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属原子。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

在实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2，

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

L₄₀₂可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，其中，当xc2为2或更大时，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

式402

在式402中，X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可为单键、*-O-*’、*-S-*’、*-C(＝O)-*’、*-N(Q₄₁₁)-*’、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*’、

*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*’、*-C(Q₄₁₁)＝*’或*＝C＝*’，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键(例如，也可称为配价键的配位共价键))、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄分别与参考Q₁描述的那些相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃分别与参考Q₁描述的相同，

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*’各自指示与式401中M的键合位点。

在实施方式中，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，并且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可为氮。

在实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可任选地经作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，并且两个环A₄₀₂可任选地经作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7))。T₄₀₂和T₄₀₃分别与参考T₄₀₁描述的那些相同。

式401中的L₄₀₂可为有机配体。在实施方式中，L₄₀₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶甲酸盐基)、-C(＝O)基、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。

磷光掺杂剂可包括，例如，选自化合物PD1至化合物PD39中的一种或其任何组合：

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荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

在实施方式中，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。

在实施方式中，式501中的xd4可为2。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括：选自化合物FD1至化合物FD36中的一种；DPVBi；DPAVBi；或其任何组合：

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延迟荧光材料

发射层120可包括延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。

取决于发射层120中包括的其他材料类型或种类，发射层120中包括的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂。

在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可大于或等于0eV并且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，可有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的上转换，并且因此，可改善发光装置10的发光效率。

在实施方式中，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼原子(B)的同时稠合在一起的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的示例可包括选自下述化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：

量子点

在本说明书中，量子点指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸而发射各种适当的发射波长的光的任何适当的材料。

量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。

可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺和/或任何适当的与其类似的工艺合成量子点。

根据湿化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合在一起，以使量子点颗粒晶体生长。当晶体生长时，有机溶剂自然充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长，以便可通过比气相沉积法，比如金属有机化学气相沉积工艺或分子束外延工艺更容易进行并且具有相对低的成本的工艺来控制量子点颗粒的生长。

量子点可包括：第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；第IV族元素或化合物；或其任何组合。

第II-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或其任何组合。

第III-V族半导体化合物的示例可包括：二元化合物比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb；三元化合物比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb；四元化合物比如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb；或其任何组合。在实施方式中，第III-V族半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的示例可包括InZnP、InGaZnP和InAlZnP等。

第III-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃和/或InTe；三元化合物，比如InGaS₃和/或InGaSe₃；或其任何组合。

第I-III-VI族半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂和/或AgAlO₂；或其任何组合。

第IV-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe等；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe等；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe等；或其任何组合。

第IV族元素或化合物可包括：单元素材料，比如Si或Ge；二元化合物，比如SiC和/或SiGe；或其任何组合。

多元素化合物，比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中包括的每种元素，可以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。

在实施方式中，量子点可具有单一结构或核/壳双重结构。在具有单一结构的量子点的情况下，对应的量子点中包括的每种元素的浓度为均匀的(例如，基本上均匀的)。在实施方式中，在具有核/壳双重结构的量子点中，核中含有的材料和壳中含有的材料可彼此不同。

量子点的壳可充当防止或减少核的化学变性以保持半导体特点的保护层，和/或充当赋予量子点电泳特点的充电层。壳可为单个层或多个层。在量子点的核和壳之间的界面中存在的元素可具有沿着朝向量子点的中心的方向降低的浓度梯度。

量子点的壳的示例可为金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物，半导体化合物或其任何组合。金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物的示例可包括：二元化合物，比如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO；三元化合物，比如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄；或其任何组合。半导体化合物的示例可包括如在本文中描述的第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第III-VI族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物或其任何组合。另外，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加颜色纯度和/或颜色再现性。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上(例如，基本上所有方向上)发射，所以可改善宽视角。

另外，量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米板。

因为可通过控制量子点的尺寸来调节能带隙，所以可从量子点获得具有各种适当的波长带的光。所以，通过使用不同尺寸的量子点，可实施发射各种适当的波长的光的发光装置。在实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可配置为通过组合各种适当的颜色的光来发射白光。

夹层130中的电子传输区

电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同的材料组成；或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

电子传输区可包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每个结构中，构成层从发射层120依次堆叠。

电子传输区(例如，电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，电子传输区可包括由下面的式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21，

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃分别与参考Q₁描述的那些相同，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

选自Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁可经单键连接。

在实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

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其中，在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，选自X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃分别与参考L₆₀₁描述的那些相同，

xe611至xe613分别与参考xe1描述的那些相同，

R₆₁₁至R₆₁₃分别与参考R₆₀₁描述的那些相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

在实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括选自化合物ET1至化合物ET45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ或其任何组合：

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电子传输区的厚度可为约

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当电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层或其任何组合时，空穴阻挡层的厚度的厚度可为约

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并且电子传输层的厚度可为约/>

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当空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度在上述范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得适当的或满意的电子传输特点。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

在实施方式中，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：

电子传输区可包括利于来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可直接接触(例如，物理接触)第二电极150。

电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同的材料组成；或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物或其任何组合。

含碱金属化合物可包括：碱金属氧化物，比如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O；碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI；或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)和/或Ba_xCa_1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任何组合。在实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃、Lu₂Te₃或其任何组合。

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括：i)碱金属的金属离子、碱土金属的金属离子和稀土金属的金属离子中的一种，以及ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。在实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。在实施方式中，电子注入层可为KI:Yb共沉积层和/或RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

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例如，约/>

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的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得适当的或满意的电子注入特点。

第二电极150

第二电极150可在具有这种结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且作为用于第二电极150的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、电导性化合物或其任何组合。

在实施方式中，第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层可在第一电极110外侧，和/或第二封盖层可在第二电极150外侧。更详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。

在发光装置10的夹层130的发射层120中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第一电极110和第一封盖层朝向外侧提取，或在发光装置10的夹层130的发射层120中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第二电极150和第二封盖层朝向外侧提取。

第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。相应地，增加了发光装置10的光提取效率，从而可改善发光装置10的发光效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括(在波长为589nm下)具有1.6或更大的折射率的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层或包括有机材料和无机材料的复合材料封盖层。

选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被包含O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

在实施方式中，选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在实施方式中，选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括选自化合物HT28至化合物HT33中的一种、选自化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或其任何组合：

电子设备

发光装置可包括在各种适当的电子设备中。在实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置可与上述相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如在本文中描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可位于多个子像素区域之间以限定多个子像素区域中的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。更详细地，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点与在本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括散射体(例如，光散射体)。

在实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三-第一颜色光。就此而言，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有不同的最大发射波长。更详细地，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。

除了如上述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中选自源电极和漏电极中的任何一个可电连接至选自发光装置的第一电极和第二电极中的任何一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光提取至外侧，并且同时(例如，同步)防止或减少环境空气和/或水分渗透至发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板和/或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适当的功能层可另外在密封部分上。功能层可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层和/或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证设备。

除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物识别信息收集器。

电子设备可应用于各种适当的显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和/或船只的仪表)和/或投影仪等。

图2和图3的描述

图2为根据实施方式的电子设备的横截面图。

图2的电子设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板和/或金属基板。缓冲层210可在基板100上。缓冲层210可防止或减少穿过基板100的杂质的渗透，并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅，有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可在有源层220上，并且栅电极240可在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250在栅电极240上。夹层绝缘膜250可在栅电极240和源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，以及在栅电极240和漏电极270之间以使栅电极240和漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可接触(例如，物理接触)有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且由钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110连接至漏电极270的暴露部分。

含有绝缘材料的像素限定层290可在第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区，并且夹层130可在第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺和/或聚丙烯酸有机膜。在一些实施方式中，夹层130中的至少一些层可以公共层的形式延伸超过像素限定层290的上部。

第二电极150可在夹层130上，并且封盖层170可另外在第二电极150上。封盖层170可覆盖第二电极150。

封装部分300可在封盖层170上。封装部分300可在发光装置上，以保护发光装置免受水分和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其任何组合；或无机膜和有机膜的组合。

图3为根据本公开的另一实施方式的电子设备的横截面图。

图3的电子设备与图2的电子设备基本上相同，只是遮光图案500和功能区400另外在封装部分300上。功能区400可为：i)滤色器区域；ii)颜色转换区域；或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，图3中包括的电子设备中的发光装置可为串联发光装置。颜色转换区域指包括颜色转换层的区域。

制造方法

构成空穴传输区的各个层、发射层和构成电子传输区的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多种适当的方法形成在某些区中。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，取决于待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约/>

/秒的沉积速度下进行真空沉积。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过旋涂形成时，通过考虑待形成的层中包括的材料和待形成的层的结构，可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度以及约80℃至约200℃的热处理温度下进行旋涂。

取代基的一般限定

如在本文中使用的，术语“C₃-C₆₀碳环基”指仅由碳原子作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂环基”指具有1至60个碳原子并且除了碳原子之外进一步具有杂原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合在一起的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基的成环原子的数量可为3至61。

如在本文中使用的，术语“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基。

如在本文中使用的，术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*’作为成环部分的环状基团，并且如在本文中使用的，术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指具有1至60个碳原子并且包括*-N＝*’作为成环部分的杂环基。

在实施方式中，

C₃-C₆₀碳环基可为：i)基团T1或ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合在一起的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基可为：i)基团T2，ii)其中两个或更多个基团T2彼此稠合在一起的稠环基团，或iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合在一起的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为：i)基团T1，ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合在一起的稠环基团，iii)基团T3，iv)其中两个或更多个基团T3彼此稠合在一起的稠环基团，或v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合在一起的稠环基团(例如，C₃-C₆₀碳环基、吡咯基、苯硫基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为：i)基团T4，ii)其中两个或更多个基团T4彼此稠合在一起的稠环基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合在一起的稠环基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合在一起的稠环基团，或v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合在一起的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

基团T1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

基团T2可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基，

基团T3可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

基团T4可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如在本文中使用的，术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基”、“C₁-C₆₀杂环基”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”，取决于使用这些术语的式的结构，指与环状基团稠合的(例如，与环状基团组合在一起的)单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团或四价基团等)。在实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，这可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构而容易理解。

单价C₃-C₆₀碳环基和单价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基和二价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团以及二价非芳族稠合杂多环基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如，C₁-C₂₀烷基，并且其示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚烷基”指具有与C₁-C₆₀烷基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的主链(例如，中间)或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚烯基”指具有与C₂-C₆₀烯基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的主链(例如，中间)或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例包括乙炔基和丙炔基。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚炔基”指具有与C₂-C₆₀炔基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中，A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，并且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，并且其示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指具有与C₃-C₁₀环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子并且具有1至10个碳原子的单价环状基团，并且其示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且无芳香性(例如，不为芳族)的单价环状基团，并且其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指具有与C₃-C₁₀环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指在其环状结构中除了碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子和至少一个双键的1至10个碳原子的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，这些环可彼此稠合在一起。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，这些环可彼此稠合在一起。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环、仅碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环原子并且当整体考虑时在其分子结构中无芳香性(例如，当总体考虑时不为芳族)的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的示例包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有与单价非芳族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环、至少一个碳原子(例如，具有1至60个碳原子)之外的杂原子作为成环原子，并且当整体考虑时在其分子结构中无芳香性(例如，当总体考虑时不为芳族)的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有与单价非芳族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳氧基”指示-OA₁₀₂(其中，A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳硫基”指示-SA₁₀₃(其中，A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

R_10a可为：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

在本文中使用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基、C₁-C₆₀杂环基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基。

如在本文中使用的，术语“杂原子”指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任何组合。

如在本文中使用的，术语“Ph”指苯基，如在本文中使用的，术语“Me”指甲基，如在本文中使用的，术语“Et”指乙基，如本文使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如在本文中使用的，术语“OMe”指甲氧基。

如在本文中使用的，术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如在本文中使用的，术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。“三联苯基”为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另外限定，否则如在本文中使用的*和*’各自指与在对应的式中的相邻原子的键合位点。

在下文中，根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置将参考下述合成例和实施方式来更详细地描述。在描述合成例时使用的措辞“使用B代替A”意指使用相同摩尔当量的B代替A。

评估例1

通过下述方法测量下面的化合物1-1、化合物2-2、化合物2-19、化合物3-1和化合物3-9中的每一个的HOMO能级、LUMO能级、三重态能级、空穴移动性和电子移动性，并且示出在表1中。

HOMO能级和LUMO能级

在DMF溶剂下经示差脉冲伏安法测量下面的化合物1-1、化合物2-2、化合物2-19、化合物3-1和化合物3-9中的每一个的HOMO能级和LUMO能级。

三重态能级

将下面的化合物1-1、化合物2-2、化合物2-19、化合物3-1和化合物3-9中的每一个在甲苯溶剂中稀释至5M的浓度，在-78℃下测量光致发光(PL)，并且然后由最大PL值测量三重态能级。

空穴移动性

制造分别包括下面的化合物1-1、化合物2-2、化合物2-19、化合物3-1和化合物3-9作为主体，具有ITO

/主体/>

/HAT-CN/>

/Ag/>

/AgMg/>

的结构的装置，并且然后经JV曲线测量下面的化合物1-1、化合物2-2、化合物2-19、化合物3-1和化合物3-9中的每一个的空间电荷限制电流(SCLC)方案的空穴移动性。

电子移动性

制造分别包括下面的化合物1-1、化合物2-2、化合物2-19、化合物3-1和化合物3-9作为主体，具有AgMg

/Yb/>

/主体/>

/Yb/>

/AgMg/>

的结构的装置，并且然后经JV曲线测量下面的化合物1-1、化合物2-2、化合物2-19、化合物3-1和化合物3-9中的每一个的SCLC方案的电子移动性。/>

表1

发光装置的制造

实施例1

作为阳极，将ITO

/Ag/>

/ITO/>

玻璃基板切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且然后通过紫外线的照射以及暴露于臭氧30分钟进行清洁，并且将玻璃基板装载至真空沉积设备中。

在阳极上真空沉积HAT-CN，以形成厚度为

的空穴注入层。接下来，在空穴注入层上真空沉积作为空穴传输化合物的NPB，以形成厚度为/>

的空穴传输层。接下来，在空穴传输层上真空沉积化合物TCTA，以形成厚度为/>

的电子阻挡层。

在电子阻挡层上以99:1的重量比共沉积作为第一主体的化合物1-1和作为掺杂剂的蓝色掺杂剂，以形成厚度为

的第一发射层，并且在第一发射层上以99:1的重量比共沉积主体和作为掺杂剂的蓝色掺杂剂，主体包括重量比为30:70的作为第二主体的化合物2-2和作为第三主体的化合物3-1，以形成厚度为/>

的第二发射层。

接下来，在第二发射层上沉积T2T，以形成厚度为

的空穴阻挡层，并且然后在空穴阻挡层上以5:5的重量比沉积TPM-TAZ和Liq，以形成厚度为/>

的电子传输层。

在电子传输层上真空沉积Yb至

的厚度，并且接着在其上真空沉积Al至/>

的厚度，从而形成阴极，并且在阴极上沉积CPL，以形成厚度为/>

的封盖层，从而完成发光装置的制造。

实施例2至实施例6和比较例1至比较例10

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是使用表2中示出的对应的化合物作为第一主体、第二主体、第三主体和掺杂剂。

然而，在比较例1至比较例5的情况下，形成具有单层结构而不是多层结构的发射层。

评估例2

使用Keithley MU 236、亮度计PR650和瞬态电致发光测量实施例1至实施例6和比较例1至比较例10中制造的发光装置在1,000cd/m²下的驱动电压(V)、发光效率(Cd/A)、寿命(小时，T97，在1,000尼特下)、电荷平衡(max)和TTF比例(％)，并且其结果示出在表2中。寿命(小时，T97，在1,000尼特下)测量为在1,000尼特的明度下达到初始亮度的97％所需要的时间。电荷平衡(max)意指发射层中的空穴和电子之间的电荷平衡。TTF比例(％)意指发射层中的三重态-三重态融合比例。

表2

/>

/>

串联发光装置的制造

实施例7

作为阳极，将15Ω/cm²

ITO/Ag/ITO玻璃基板(康宁公司的产品)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，通过紫外线的照射并且将其暴露于臭氧15分钟进行清洁，并且然后将玻璃基板装载至真空沉积设备中。

在阳极上沉积HAT-CN，以形成厚度为

的空穴注入层，在空穴注入层上沉积NPB，以形成厚度为/>

的空穴传输层，并且在空穴传输层上真空沉积化合物TCTA，以形成具有厚度为/>

的电子阻挡层。

在电子阻挡层上以99:1重量比共沉积作为第一主体的化合物1-1和作为掺杂剂的蓝色掺杂剂，以形成厚度为

的第一发射层，并且在第一发射层上以99:1的重量比共沉积主体和作为掺杂剂的蓝色掺杂剂，主体包括重量比为30:70作为第二主体的化合物2-2和作为第三主体的化合物3-1，以形成厚度为/>

的第二发射层。

接下来，在第二发射层上沉积T2T，以形成厚度为

的空穴阻挡层，并且然后在空穴阻挡层上以5:5的重量比沉积TPM-TAZ和Liq，以形成厚度为/>

的电子传输层。

随后，在电子传输层上以99:1的重量比共沉积BPhen和Li，以形成厚度为

的n-型电荷生成层，并且在n-类型电荷生成层上沉积HAT-CN，以形成厚度为/>

的p-型电荷生成层。

在p-型电荷生成层上沉积NPB，以形成厚度为

的空穴传输层，并且在空穴传输层上真空沉积化合物TCTA，以形成厚度为/>

的电子阻挡层。

在电子阻挡层上以99:1的重量比共沉积作为第一主体的化合物1-1和作为掺杂剂的蓝色掺杂剂，以形成厚度为

的第一发射层，并且在第一发射层上以99:1的重量比共沉积主体和作为掺杂剂的蓝色掺杂剂，主体包括重量比为30:70的作为第二主体的化合物2-2和作为第三主体的化合物3-1，以形成厚度为/>

的第二发射层。/>

接下来，在第二发射层上以1:1的重量比共沉积TPM-TAZ和Liq，以形成厚度为

的电子传输层。

随后，沉积Yb至厚度为

并且在其上以9:1的重量比共沉积Ag和Mg至厚度为

从而形成阴极，并且在阴极上沉积CPL，以形成厚度为/>

的封盖层，从而完成串联发光装置的制造。

实施例8和实施例9以及比较例11至比较例15

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是使用表3中示出的对应的化合物作为第一主体、第二主体、第三主体和掺杂剂。然而，在比较例11至比较例13的情况下，形成具有单层结构而不是多层结构的发射层。

评估例3

使用Keithley MU 236、亮度计PR650和瞬态EL测量实施例7至实施例9和比较例11至比较例15中制造的发光装置在1,000cd/m²下的驱动电压(V)、发光效率(Cd/A)、寿命(小时，T97，在1,000尼特下)和TTF比例(％)，并且其结果示出在表3中。寿命(小时，T97，在1,000尼特下)测量为在1,000尼特的明度下达到初始亮度的97％所需要的时间。

表3

从表2和表3中，可见，与比较例1至比较例15的发光装置相比，实施例1至实施例9的所有发光装置在发光效率和寿命方面展示出卓越的结果。

发光装置包括第一发射层和第二发射层，第一发射层包括第一主体，第二发射层包括第二主体和第三主体，并且第一主体的空穴移动性、第二主体的空穴移动性、第三主体的空穴移动性满足特定的关系，并且因此，发光装置可具有卓越的发光效率和卓越的寿命，并且使用发光装置可制造高质量的电子设备。

应理解，在本文中描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求和其等效方案限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层，

其中所述发射层包括第一发射层和第二发射层，

所述第一发射层包括第一主体，

所述第二发射层包括第二主体和第三主体，并且

所述第一主体的空穴移动性μH₁、所述第二主体的空穴移动性μH₂和所述第三主体的空穴移动性μH₃满足下面的式(1)和式(2)：

μH₁ > μH₂ (1)，

μH₁ > μH₃ (2)。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体的三重态能级T_{1_H1}、所述第二主体的三重态能级T_{1_H2}和所述第三主体的三重态能级T_{1_H3}满足下面的式(4)和式(5)：

T_{1_H1} > T_{1_H2} (4)，

T_{1_H1} > T_{1_H3} (5)。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体的最低未占分子轨道能级E_LUMO__H1、所述第二主体的最低未占分子轨道能级E_LUMO__H2和所述第三主体的最低未占分子轨道能级E_LUMO__H3满足下面的式(7)和式(8)：

E_LUMO__H1 > E_LUMO__H2 (7)，

E_LUMO__H1 > E_LUMO__H3 (8)。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体的最高占据分子轨道能级E_HOMO__H1、所述第二主体的最高占据分子轨道能级E_HOMO__H2和所述第三主体的最高占据分子轨道能级E_HOMO__H3满足下面的式(9)和式(10)：

E_HOMO__H1 > E_HOMO__H2 (9)，

E_HOMO__H1 > E_HOMO__H3 (10)。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体的电子移动性μE₁、所述第二主体的电子移动性μE₂和所述第三主体的电子移动性μE₃满足下面的式(11)和式(12)：

μE₂ > μE₁ (11)，

μE₃ > μE₁ (12)。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层和所述第二发射层各自包括掺杂剂，并且所述第一发射层中的所述掺杂剂和所述第二发射层中的所述掺杂剂彼此相同。

7.根据权利要求6所述的发光装置，其中所述掺杂剂为包括其中两个或更多个环状基团在共用硼原子的同时稠合在一起的C₈-C₆₀多环基团的材料。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层和所述第二发射层彼此接触。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层在所述第一电极和所述第二发射层之间，并且

所述第二发射层在所述第一发射层和所述第二电极之间。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，

所述第二电极为阴极，

所述第一发射层和所述第二发射层彼此接触，并且

从所述第一电极注入的空穴和从所述第二电极注入的电子在所述第一发射层和所述第二发射层之间的界面处复合。

11.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层的厚度与所述第二发射层的厚度的比例在3:7至7:3的范围内。

12.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第二主体与所述第三主体的重量比在1:9至9:1的范围内。

13.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体由下面的式1表示：

式1

其中，在式1中，

环CY₁和环CY₂各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

R₁至R₄各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1和a2各自独立地为选自0至10的整数，

a3和a4各自独立地为选自0至2的整数，

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或

-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基、C₁-C₆₀杂环基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基。

14.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第二主体由下面的式2表示：

式2

其中，在式2中，

X₂为O、S、Se、N(Ar₁)或Si(Ar₁)(Ar₂)，

环CY₂₁和环CY₂₂各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₂₁为*-(L₂₁)_b21-(Ar₂₁)_c21，

在T₂₁中，*指示与相邻原子的键合位点，

L₂₁为单键或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基，

b21为选自0至3的整数，

R₂₁、R₂₂、Ar₁、Ar₂和Ar₂₁各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a21、a22和c21各自独立地为选自0至10的整数，

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或

-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基、C₁-C₆₀杂环基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基。

15.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第二主体为选自化合物2-1至化合物2-20中的一种：

16.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第三主体由式3表示：

式3

其中，在式3中，

L₃₁至L₃₄各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₃₀杂环基，

a31至a34各自独立地为选自0至3的整数，

R₃₁至R₃₄各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

b31至b34各自独立地为选自0至10的整数，

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或

-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基、C₁-C₆₀杂环基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基。

17.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第三主体为选自化合物3-1至化合物3-18中的一种：

18.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述夹层包括m个发射单元和在所述m个发射单元中的相邻发射单元之间的m-1个电荷生成单元，其中m为选自1至6的整数，并且

所述m个发射单元中的至少一个包括所述第一发射层和所述第二发射层。

19.一种包括根据权利要求1至18中任一项所述的发光装置的电子设备。

20.根据权利要求19所述的电子设备，进一步包括滤色器、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

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