CN114975804A

CN114975804A - 发光装置及包括发光装置的电子设备

Info

Publication number: CN114975804A
Application number: CN202111498392.5A
Authority: CN
Inventors: 李大雄; 高效敏; 李宝罗
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-02-26
Filing date: 2021-12-09
Publication date: 2022-08-30
Also published as: US20220285619A1; KR20220122860A

Abstract

本申请涉及发光装置及包括发光装置的电子设备。所述发光装置包括：阳极；阴极；在所述阳极与所述阴极之间的包括发射层的中间层；以及在所述阳极与所述发射层之间的空穴传输区，其中所述空穴传输区包括第一层和第二层，所述第一层在所述阳极与所述第二层之间，所述第一层包含由式1表示的第一化合物，所述第二层包含第二化合物，以及所述第一化合物的电荷迁移率低于所述第二化合物的电荷迁移率。

Description

发光装置及包括发光装置的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年2月26日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0026473号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。

技术领域

本公开内容的一个或多于一个的实施方案涉及发光装置及包括发光装置的电子设备。

背景技术

发光装置是自发射装置，与本领域的装置相比，其具有宽视角，高对比度，短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性，并且产生全色图像。

在发光装置中，第一电极在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和阴极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由阴极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁(或弛豫)至基态，从而产生光。

例如，为了提供具有高分辨率的发光装置，相邻子像素之间的距离逐渐变得更短。在这一点上，已经努力减少流入相邻子像素的电流在横向方向上的损失。

发明内容

提供了在空穴传输区中包含某些化合物的发光装置和包括所述发光装置的电子设备。

一个或多于一个的实施方案的额外的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且根据描述将部分地显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

本公开内容的一个或多于一个的实施方案的方面提供了发光装置，所述发光装置包括阳极、阴极、在所述阳极与所述阴极之间的包括发射层的中间层、以及在所述阳极与所述发射层之间的空穴传输区，

其中所述空穴传输区包括第一层和第二层，

所述第一层在所述阳极与所述第二层之间，

所述第一层包含由式1表示的第一化合物，

所述第二层包含第二化合物，以及

所述第一化合物的电荷迁移率低于所述第二化合物的电荷迁移率。

式1

在式1中，

L₁₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₅-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

a11可以是0至5的整数，

R₁₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合多环基团、或者未取代或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，

R_x和R_y可以各自是由式2表示的基团，并且R_x和R_y可以彼此相同，

式2

其中，在式2中，

R₂₁可以是环戊基基团、环己基基团、叔丁基基团或C₅-C₁₀烷基基团，以及

R_10a可以是：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团，

各自未取代的或被-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-C(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-P(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)、-P(＝S)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团，

各自未取代的或被-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-C(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-P(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)、-P(＝S)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团或C₆-C₆₀芳硫基基团，或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-C(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或-P(＝S)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是氢，-D，-F，-Cl，-Br，-I，羟基基团，氰基基团，硝基基团，C₁-C₆₀烷基基团，C₂-C₆₀烯基基团，C₂-C₆₀炔基基团，C₁-C₆₀烷氧基基团，或者各自未取代的或被-D、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，以及

*表示与相邻原子的结合位点。

本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一个方面提供了发光装置，所述发光装置包括被分割成第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域的衬底，

分别在所述衬底的所述第一子像素区域、所述第二子像素区域和所述第三子像素区域中的多个阳极，

面向所述多个阳极的阴极，以及

包括发射层和空穴传输区的中间层，所述发射层在所述多个阳极与所述阴极之间，并且所述空穴传输区在所述多个阳极与所述发射层之间，

其中所述空穴传输区包括第一层和第二层，

所述第一层在所述多个阳极与所述第二层之间，

所述第一层包含由式1表示的第一化合物，

所述第二层包含第二化合物，以及

式1

在式1中，

a11可以是0至5的整数，

式2

其中，在式2中，

R_10a可以是：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团，

其中Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；-D；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；或者各自未取代的或被-D、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，以及

*表示与相邻原子的结合位点。

本公开内容的一个或多于一个的实施方案的另一个方面提供了包括如以上描述的发光装置和薄膜晶体管的电子设备，其中所述薄膜晶体管包括源极和漏极，并且所述发光装置的所述阳极电联接至选自所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的至少一个。

附图说明

根据以下结合附图的描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它方面和特征将更加显而易见，在附图中：

图1是根据实施方案的发光装置的示意图；

图2是根据实施方案的发光设备的示意图；

图3是根据另一个实施方案的发光设备的示意图；

图4是实施例1至实施例3和比较例1的根据驱动电压的横向电流量的图；以及

图5是实施例1至实施例3和比较例1的电流相对于驱动电压的图。

具体实施方式

现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示出所述实施方案的实例，其中相同的参考数字在说明书中通篇是指相同的元件。在这一点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下通过参考附图仅描述实施方案，以解释当前描述的一个或多于一个的实施方案的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变体。

因为本公开内容可以具有多种修改的实施方案，所以仅某些实施方案在附图中例示并且在详细描述中描述。当提及参考附图描述的实施方案时，本公开内容的效果和特性以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本公开内容可以以许多不同的形式实施并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。

以下将参考附图更详细地描述本公开内容的一个或多于一个的实施方案。无论附图编号如何，彼此相同或一致的那些组件用相同的参考数字标识，并且通常不重复其冗余的解释。

如本文使用，以单数使用的表述涵盖复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。

应进一步理解，如本文使用的术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指明规定的特征或元件的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征或元件的存在或增添。

应理解，当层、区或组件被称为在另一个层、区或组件“上”或“之上”时，它可以直接地或间接地形成在其它层、区或组件上。例如，可以存在介于中间的层、区或组件。

为了便于解释，可以放大附图中的元件的尺寸。换而言之，因为附图中的组件的尺寸和厚度可以为了便于解释而被任意地例示，所以以下实施方案不限于此。

如本文使用的术语“中间层”是指在发光装置的阳极与阴极之间的单个层和/或所有多个层。

根据本公开内容的实施方案的发光装置包括：阳极；阴极；在阳极与阴极之间的包括发射层的中间层；以及在阳极与发射层之间的空穴传输区，

其中空穴传输区包括第一层和第二层，

第一层在阳极与第二层之间，

第一层包含由式1表示的第一化合物，

第二层包含第二化合物，以及

第一化合物的电荷迁移率低于第二化合物的电荷迁移率：

式1

其中，在式1中，

L₁₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₅-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

a11可以是0至5的整数，

式2

其中，在式2中，

*表示与相邻原子的结合位点。

在实施方案中，第一化合物和第二化合物可以彼此不同。

在发光装置中，可以调节第一化合物的电荷迁移率和第二化合物的电荷迁移率，使得可以提供具有降低的横向电流损失而没有(或基本上没有)驱动电压的增加的发光装置。

更详细地，第一化合物的电荷迁移率可以是1×10^-6cm²/Vs或大于1×10^-6cm²/Vs。当第一化合物的电荷迁移率被调节到以上描述的范围内时，发光装置的驱动电压可以是低的。

更详细地，第一化合物的电荷迁移率可以是约5×10^-6cm²/Vs至约5×10^-5cm²/Vs，并且第二化合物的电荷迁移率可以是约1×10^-4cm²/Vs至约9×10^-4cm²/Vs。

在实施方案中，第一层的厚度可以是30nm或小于30nm，例如20nm或小于20nm，例如15nm或小于15nm。当满足以上描述的范围时，可以提供具有低驱动电压的发光装置。

在实施方案中，第一层可以进一步包含电荷产生材料。例如，当第一层进一步包含电荷产生材料时，可以相对改善横向电流损失。因此，当第一层进一步包含电荷产生材料时，可以增加降低横向电流损失的效果。以下本文将更详细地描述电荷产生材料。

因为第一化合物中的R_x和R_y彼此相同，所以可以满足某些电荷迁移率特性。例如，第一化合物可以具有1×10^-6cm²/Vs或大于1×10^-6cm²/Vs的电荷迁移率。因此，可以降低包含第一化合物的发光装置的驱动电压。

因为第一化合物中的R_x和R_y各自包含为具有大空间位阻的取代基的R₂₁，所以第一化合物的电荷迁移率可以是相对低的。因此，可以降低包含第一化合物的发光装置在横向方向上的电流损失，从而降低发射不同颜色的子像素之间的颜色的混合。根据本公开内容的实施方案，因为亮度根据电流量的变化在发光装置的低灰度区是大的，因此其对于降低横向方向上的电流损失是重要的或有用的。

在实施方案中，式1中的L₁₁可以是各自未取代的或被-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、戊搭烯基基团、茚基基团、萘基基团、甘菊环基基团、庚搭烯基基团、引达省基基团、苊基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、螺-苯并芴-芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、芘基基团、

基基团、并四苯基基团、苉基基团、苝基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、噻咯基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、咔唑基基团、苯并噻咯基基团、二苯并噻咯基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并咪唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-C(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(＝S)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任意组合取代的亚苯基基团、亚戊搭烯基基团、亚茚基基团、亚萘基基团、亚甘菊环基基团、亚庚搭烯基基团、亚引达省基基团、亚苊烯基基团、亚芴基基团、亚螺-二芴基基团、亚螺-芴-苯并芴基基团、亚苯并芴基基团、亚二苯并芴基基团、亚非那烯基基团、亚菲基基团、亚蒽基基团、亚荧蒽基基团、亚芘基基团、亚

基基团、亚并四苯基基团、亚苉基基团、亚苝基基团、亚吡咯基基团、亚噻吩基基团、亚呋喃基基团、亚噻咯基基团、亚咪唑基基团、亚吡唑基基团、亚噻唑基基团、亚异噻唑基基团、亚噁唑基基团、亚异噁唑基基团、亚吡啶基基团、亚吡嗪基基团、亚嘧啶基基团、亚哒嗪基基团、亚三嗪基基团、亚苯并呋喃基基团、亚苯并噻吩基基团、亚二苯并呋喃基基团、亚二苯并噻吩基基团、亚咔唑基基团、亚苯并噻咯基基团、亚二苯并噻咯基基团、亚喹啉基基团、亚异喹啉基基团、亚苯并咪唑基基团、亚咪唑并吡啶基基团或亚咪唑并嘧啶基基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式1中的L₁₁可以是由选自式3-1至式3-38中的一种表示的基团：

其中，在式3-1至式3-38中，

X₃₁可以是O、S、N(R₃₃)或C(R₃₃)(R₃₄)；

R₃₁至R₃₄可以各自独立地是氢、-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、羧酸基团或其盐、磺酸基团或其盐、磷酸基团或其盐、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、菲基基团、蒽基基团、芘基基团、

基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、咔唑基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、三嗪基基团、苯并咪唑基基团、菲咯啉基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-C(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)或-B(Q₃₁)(Q₃₂)，

Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、苯基基团、被氰基基团取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团或萘基基团，

b31可以是0至4的整数，

b32可以是0至6的整数，

b33可以是0至8的整数，

b34可以是0至5的整数，

b35可以是0至3的整数，

b36可以是0至2的整数，以及

*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。

在实施方案中，式1中的R₁₁可以是：各自未取代的或被-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、被至少一个苯基基团取代的C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、螺-芴-苯并芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、噻咯基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻咯基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、咔唑基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂螺-二芴基基团、氮杂咔唑基基团、二氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-C(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)或其任意组合取代的环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、螺-芴-苯并芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、噻咯基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、吲哚基基团、异吲哚基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、酞嗪基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻咯基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、咔唑基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂螺-二芴基基团、氮杂咔唑基基团、二氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、咪唑并吡啶基基团或咪唑并嘧啶基团；或者

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)或-B(Q₁)(Q₂)，

其中Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、苯基基团、被氰基基团取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团或萘基基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式1中的R₁₁可以是由选自式5-1至式5-18中的一种表示的基团：

其中，在式5-1至式5-18中，

X₅₁可以是O、S、N(R₅₃)或C(R₅₃)(R₅₄)；

R₅₁至R₅₄可以各自独立地是氢、-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、脒基基团、肼基基团、腙基基团、C₁-C₂₀烷基基团、被至少一个苯基基团取代的C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、联苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、螺-芴-苯并芴基基团、苯并芴基基团、二苯并芴基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、萘啶基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、咔唑基基团、菲啶基基团、吖啶基基团、菲咯啉基基团、吩嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-C(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)或-B(Q₃₁)(Q₃₂)，

b51可以是1至5的整数，

b52可以是1至7的整数，

b53可以是1至9的整数，

b54可以是1至4的整数，

b55可以是1至3的整数，

Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是C₁-C₁₀烷基基团、C₁-C₁₀烷氧基基团、苯基基团、被氰基基团取代的苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团或萘基基团，以及

*表示与相邻原子的结合位点。

在一个或多于一个的实施方案中，式1中的R₁₁可以是由选自式6-1至式6-173中的一种表示的基团：

其中，在式6-1至式6-173中，

i-Pr可以是异丙基基团；

t-Bu可以是叔丁基基团；

Ph可以是苯基基团；

1-Naph可以是1-萘基基团；

2-Naph可以是2-萘基基团；以及

*表示与相邻原子的结合位点。

在实施方案中，式1中的R_x和R_y可以各自是由选自式2-1至式2-3中的一种表示的基团，并且R_x和R_y可以彼此相同：

其中，在式2-1至式2-3中，

R₂₁可以是环己基基团、叔丁基基团或正己基基团，以及

*表示与相邻原子的结合位点。

更详细地，式1中的R_x和R_y可以各自是由式2-3表示的基团，并且R_x和R_y可以彼此相同。当R_x和R_y由式2-3表示时，具有大空间位阻的取代基可以在对位处取代，并且因此，相应化合物的降低电荷迁移率的效果可以是相对大的。

更详细地，式1中的R_x和R_y可以各自是由式2-11表示的基团，或者R_x和R_y可以各自是由式2-12表示的基团：

其中，在式2-11和式2-12中，

*表示与相邻原子的结合位点。

在实施方案中，第一化合物可以选自组I的化合物：

组I

在实施方案中，第二化合物可以由式201表示：

式201

其中，在式201中，

L₂₀₁至L₂₀₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa3可以各自独立地是0至5的整数，

R₂₀₁至R₂₀₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，以及

R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团。

以下本文将更详细地描述式201。

更详细地，第二化合物可以包括NPB(NPD)、β-NPB、TPD或其任意组合，但本公开内容的实施方案不限于此。

一个或多于一个的实施方案的另一个方面提供了发光装置，其包括：被分割成第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域的衬底；分别在衬底的第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域中的多个阳极；面向多个阳极的阴极；在多个阳极与阴极之间的包括发射层的中间层；以及在多个阳极与发射层之间的空穴传输区，其中空穴传输区包括第一层和第二层，第一层包含由式1表示的第一化合物，第二层包含第二化合物，以及第一化合物和第二化合物彼此不同。

式1

在式1中，

a11可以是0至5的整数，

式2

其中，在式2中，

*表示与相邻原子的结合位点。

一个或多于一个的实施方案的另一个方面提供了包括发光装置的电子设备。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。在实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源极和漏极，并且发光装置的阳极可以电联接至源极或漏极。在一个或多于一个的实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。电子设备的进一步细节与本说明书中别处描述的相同。

图1的描述

图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括阳极110、中间层130和阴极150。

在下文，将结合图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

阳极110

在图1中，衬底可以额外地在阳极110下方或阴极150上方。作为衬底，可以使用玻璃衬底和/或塑料衬底。在一个或多于一个的实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包括具有优异的耐热性和/或耐久性的塑料(例如，聚合物)，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。

可以通过例如在衬底上沉积和/或溅射用于形成阳极110的材料来形成阳极110。作为用于形成阳极110的材料，可以使用具有有助于空穴注入的高功函的材料。

阳极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。在实施方案中，阳极110可以包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)、镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合。

更详细地，当阳极110是透射电极时，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任意组合可以用作用于形成阳极110的材料。在一个或多于一个的实施方案中，当阳极110是半透反射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合可以用作用于形成阳极110的材料。

阳极110可以具有包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构或包括多个层的多层结构。在实施方案中，阳极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

中间层130

中间层130可以在阳极110上。中间层130可以包括发射层。

中间层130可以进一步包括在阳极110与发射层之间的空穴传输区、以及在发射层与阴极150之间的电子传输区。

除了各种适合的有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。

在一个或多于一个的实施方案中，中间层130可以包括，i)依次堆叠在阳极110与阴极150之间的两个或多于两个的发光单元，以及ii)在两个或多于两个的发光单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发光单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。

中间层130中的空穴传输区

空穴传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。

空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

空穴传输区可以包括第一层和第二层，并且例如可以具有从阳极110依次堆叠的第一层和第二层。

在实施方案中，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，层从阳极110依次堆叠。在这一点上，第一层可以用作空穴注入层，并且第二层可以用作空穴传输层。

除了由式1表示的第一化合物之外，空穴传输区可以进一步包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，

xa5可以是1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，以及

na1可以是1至4的整数。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含选自由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种(例如，作为基团R₂₀₁至R₂₀₄中的一种)：

其中，在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c各自与关于R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被R_10a取代。

在实施方案中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种以及选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，在式201中，xa1可以是1，R₂₀₁可以是由选自式CY201至式CY203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以是由选自式CY204至式CY217中的一种表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由选自式CY201至式CY203中的一种表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由选自式CY201至式CY203中的一种表示的基团，并且可以包含选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由选自式CY201至式CY217中的一种表示的基团。

在实施方案中，空穴传输区可以包含选自化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的一种或其任意组合：

空穴传输区的厚度可以是约

至约

例如，约

至约

当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

并且空穴传输层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得适合的或令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡或减少从发射层至空穴传输区的电子泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了以上描述的材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质(例如，导电性质)的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以包含电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单个层的形式)。

电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。

在实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是-3.5eV或小于-3.5eV。

在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素EL1和元素EL2的化合物、或其任意组合。

醌衍生物的实例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基基团的化合物的实例可以包括HAT-CN、4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰基甲基]-2,3,5,6-四氟苄腈(NDP9)、由式221表示的化合物等。

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，以及

选自R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以各自独立地是各自被：氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基基团；或者其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在含有元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其任意组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其任意组合。

金属的实例包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的实例包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的实例包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

在一个或多于一个的实施方案中，含有元素EL1和元素EL2的化合物的实例包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。

金属氧化物的实例包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的实例是碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的实例包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的实例包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的实例是钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的实例包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的实例包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。

准金属卤化物的实例包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的实例包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

中间层130中的发射层

当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触(例如，物理接触)或彼此隔开。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。

发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。

基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。

在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含量子点。

在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当发射层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。

主体

主体可以包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

其中，在式301中，

Ar₃₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₃₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xb11可以是1、2或3，

xb1可以是0至5的整数，

R₃₀₁可以是氢、-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可以是1至5的整数，以及

Q₃₀₁至Q₃₀₃各自与关于Q₁描述的相同。

在实施方案中，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₃₀₁可以经由单键彼此连接。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可以是O、S、N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁各自与本说明书中描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄各自独立地与关于L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4各自独立地与关于xb1描述的相同，以及

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄各自与关于R₃₀₁描述的相同。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任意组合。在实施方案中，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任意组合。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括选自化合物H1至化合物H124、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或其任意组合：

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。

磷光掺杂剂可以是电中性的。

在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

其中，在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以各自独立地是氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，

X₄₀₃和X₄₀₄可以各自独立地是化学键(例如，共价键(例如，单键)或配位键(例如，配位共价键或配价键))、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄各自与关于Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地是氢、-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃各自与关于Q₁描述的相同，

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及

式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。

在实施方案中，在式402中，i)X₄₀₁可以是氮，并且X₄₀₂可以是碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可以是氮。

在一个或多于一个的实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，并且两个环A₄₀₂可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃各自与关于T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可以是有机配体。在实施方案中，L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN基团、磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。

磷光掺杂剂可以包括例如选自化合物PD1至PD39中的一种或其任意组合：

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。

在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₅₀₁至L₅₀₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

在实施方案中，式501中的Ar₅₀₁可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起(例如，结合在一起)的稠合环状基团(例如，蒽基团、

基团或芘基团)。

在一个或多于一个的实施方案中，式501中的xd4可以是2。

在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：选自化合物FD1至化合物FD36、DPVBi、DPAVBi中的一种或其任意组合：

延迟荧光材料

发射层可以包含延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。

根据包含在发射层中的其它材料的类型(或组成)，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。

在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于0eV且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。

在实施方案中，延迟荧光材料可以包括：i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团)的材料，以及ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合(例如，结合在一起)同时共用硼(B)(例如，具有作为两个或多于两个的环状基团中的成环原子的硼原子)的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的实例可以包括选自化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：

量子点

发射层可以包含量子点。

在本说明书中，量子点是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射各种适合的发射波长的光的任何适合的材料。

量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。

可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何适合的工艺合成量子点。

根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))更容易进行并且需要低成本的工艺来控制。

量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物、或者其任意组合。

II-VI族半导体化合物的实例包括：二元化合物，例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或者其任意组合。

III-V族半导体化合物的实例是：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等；四元化合物，例如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、GaAlNP、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等；或者其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物的实例包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

III-VI族半导体化合物的实例包括：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃和/或InTe；三元化合物，例如InGaS₃和/或InGaSe₃；或者其任意组合。

I-III-VI族半导体化合物的实例包括：三元化合物，例如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂和/或AgAlO₂；或者其任意组合。

IV-VI族半导体化合物的实例包括：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；或者其任意组合。

IV族元素或化合物可以包括：单一元素材料，例如Si或Ge；二元化合物，例如SiC和/或SiGe；或者其任意组合。

包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以存在于具有均匀的浓度或非均匀的浓度的颗粒中。

在一个或多于一个的实施方案中，量子点可以具有单一结构或双核-壳结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度是均匀的(例如，基本上均匀的)。在一个或多于一个的实施方案中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。

量子点的壳可以充当防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或充当向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，所述浓度梯度沿朝向壳中存在的元素的中心的方向降低。

量子点的壳的实例可以包括金属、准金属和/或非金属的氧化物、半导体化合物及其任意组合。金属、准金属和/或非金属的氧化物的实例包括二元化合物，例如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO；三元化合物，例如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄；及其任意组合。半导体化合物的实例包括如本文描述的II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；及其任意组合。此外，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm，并且在这些范围内，可以增加颜色纯度和/或色域。此外，因为由量子点发射的光在所有方向(或基本上所有方向)上发射，所以量子点可以提供改善的广视角。

此外，量子点可以包括球形颗粒、角锥形颗粒、多臂颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米板。

因为能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，所以可以从量子点发射层获得具有各种适合的波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种适合的波长的光的发光装置。在一个或多于一个的实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。此外，可以配置量子点的尺寸以通过组合各种适合的颜色的光来发射白色光。

中间层130中的电子传输区

电子传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。

电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

在实施方案中，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，构成层从发射层依次堆叠。

在实施方案中，电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团的不含金属的化合物。

在实施方案中，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

其中，在式601中，

Ar₆₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₆₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，Q₆₀₁至Q₆₀₃各自与关于Q₁描述的相同，

xe21可以是1、2、3、4或5，以及

选自Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的含缺π电子的氮的(二价)C₁-C₆₀环状基团。

在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₆₀₁可以经由单键彼此连接。

在一个或多于一个的实施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以是取代或未取代的蒽基团。

在一个或多于一个的实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且选自X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃各自与关于L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613各自与关于xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃各自与关于R₆₀₁描述的相同，以及

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地是氢、-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

在实施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

电子传输区可以包含选自化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ中的一种或其任意组合：

电子传输区的厚度可以是约

至约

例如，约

至约

当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约

至约

例如约

至约

并且电子传输层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在以上描述的范围内时，可以获得适合的或令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。

含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

在实施方案中，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(LiQ)或化合物ET-D2：

电子传输区可以包括促进来自阴极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触(例如，物理接触)阴极150。

电子注入层可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。

电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物，或者其任意组合。

含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物(例如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O)、碱金属卤化物(例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)、Ba_xCa_1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，以及ii)作为键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

电子注入层可以包含以下(例如，由以下组成)：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方案中，电子注入层可以包含以下(例如，由以下组成)：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以包括KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。

电子注入层的厚度可以是约

至约

并且例如，约

至约

当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，电子注入层可以具有适合的或令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

阴极150

阴极150可以在具有此类结构的中间层130上。阴极150可以是电子注入电极，并且作为用于阴极150的材料，可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合。

阴极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。阴极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。

阴极150可以具有单层结构或者包括两个或多于两个的层的多层结构。

覆盖层

第一覆盖层可以在阳极110外部和/或第二覆盖层可以在阴极150外部。更详细地，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、阳极110、中间层130和阴极150以这种规定的顺序依次堆叠的结构，其中阳极110、中间层130、阴极150和第二覆盖层以这种规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、阳极110、中间层130、阴极150和第二覆盖层以这种规定的顺序依次堆叠的结构。

在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过阳极110(其是半透反射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部引出，或者在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过阴极150(其是半透反射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部引出。

第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，增加了发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。

第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有1.6或大于1.6的折射率(在589nm的波长处)的材料。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地包括包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。

选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基任选地取代。在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。

在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。

在一个或多于一个的实施方案中，选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含选自化合物HT28至化合物HT33中的一种或多于一种、选自化合物CP1至化合物CP6中的一种或多于一种、β-NPB或其任意组合：

电子设备

发光装置可以被包括在各种适合的电子设备中。在实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方案中，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。

电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可以位于子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。

滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。

滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。更详细地，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自包含散射体(例如，光散射体)。

在实施方案中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这一点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。更详细地，第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。

除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源极、漏极和有源层，其中选自源极和漏极中的任一个可以电联接至选自发光装置的阳极和阴极中的任一个。

薄膜晶体管可以进一步包括栅极、栅绝缘膜等。

有源层可以包含晶体硅、无定形硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部和/或颜色转换层可以置于滤色器与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，而并发地或同时地防止或减少环境空气和/或湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底和/或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适合的功能层可以额外地在密封部上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层和/或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。

除了发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。

电子设备可以应用于各种适合的显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种适合的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和/或船舶的仪表)、投影仪等。

图2和图3的描述

图2是示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。

图2的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。

衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底和/或金属衬底。缓冲层210可以形成在衬底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透通过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面(例如，基本上平坦的表面)。

TFT可以在缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅极240、源极260和漏极270。

有源层220可以包含无机半导体(例如硅和/或多晶硅)、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅极240绝缘的栅绝缘膜230可以在有源层220上，并且栅极240可以在栅绝缘膜230上。

层间绝缘膜250可以在栅极240上。层间绝缘膜250可以在栅极240与源极260之间以使栅极240与源极260绝缘以及在栅极240与漏极270之间以使栅极240与漏极270绝缘。

源极260和漏极270可以在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源极260和漏极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触(例如，物理接触)。

TFT电联接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括阳极110、中间层130和阴极150。

阳极110可以在钝化层280上。钝化层280可以不完全覆盖漏极270并且暴露漏极270的一部分，并且阳极110联接至漏极270的暴露部分。

包含绝缘材料的像素限定层290可以在阳极110上。像素限定层290可以暴露阳极110的区，并且可以在阳极110的暴露区中形成中间层130。像素限定层290可以包括聚酰亚胺和/或聚丙烯酸有机膜。在一些实施方案中，中间层130中的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以呈公共层的形式。

阴极150可以在中间层130上，并且覆盖层170可以额外地形成在阴极150上。覆盖层170可以形成为覆盖阴极150。

封装部300可以在覆盖层170上。封装部300可以在发光装置上以保护发光装置免于湿气和/或氧气。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的任意组合。

图3是根据本公开内容的另一个实施方案的发光设备的横截面视图。

图3的发光设备与图2的发光设备基本上相同，但遮光图案500和功能区400额外地在封装部300上。功能区400可以是：i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。

制造方法

可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。

当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约

/秒的沉积速度进行沉积。

至少一些术语的定义

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”是指仅包含碳作为成环原子并且具有三个至六十个碳原子的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子并且进一步具有除了碳之外的杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合(例如，结合在一起)的多环基团。在实施方案中，C₁-C₆₀杂环基团的成环原子数可以是3至61。

如本文使用的“环状基团”可以包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”是指具有三个至六十个碳原子并且不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团”是指具有一个至六十个碳原子并且包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

在实施方案中，

C₃-C₆₀碳环基团可以是i)基团T1或者ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，

C₁-C₆₀杂环基团可以是i)基团T2，ii)其中两个或多于两个的基团T2彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是i)基团T1，ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团，iii)基团T3，iv)其中两个或多于两个的基团T3彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团(例如，C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，

含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团可以是i)基团T4，ii)其中两个或多于两个的基团T4彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合(例如，结合在一起)的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，

基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，

基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及

基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如本文使用的术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基团”、“C₁-C₆₀杂环基团”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团”是指取决于与术语使用有关的式的结构，与任何环状基团稠合的基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在实施方案中，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以被本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解。

单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的实例包括C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的实例是C₃-C₁₀亚环烷基基团、C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、C₃-C₁₀亚环烯基基团、C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、C₆-C₆₀亚芳基基团、C₁-C₆₀亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基基团”是指具有与C₁-C₆₀烷基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的主链(例如，在中间)处或末端(例如，端部)处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基基团”是指具有与C₂-C₆₀烯基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的主链(例如，在中间)处或末端(例如，端部)处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基基团”是指具有与C₂-C₆₀炔基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基基团”是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁是C₁-C₆₀烷基基团)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子并且具有1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烯基基团”是指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且无芳香性(例如，非芳香族)的单价环状基团，并且其实例包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基基团”是指在其环状结构中具有除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基基团的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(其中碳原子数可以是6至30、6至20、6至15、6至10或6至8)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基基团的实例包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当C₆-C₆₀芳基基团和C₆-C₆₀亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合(例如，结合在一起)。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基基团”是指具有含除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子以及1个至60个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基基团”是指具有含除了碳原子之外的至少一个杂原子(其中杂原子数可以是1至5或1至3，例如1、2、3、4或5)作为成环原子以及1个至60个碳原子(其中碳原子数可以是1至30、1至20、1至15、1至10、1至8或1至6)的杂环芳香族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基基团的实例包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当C₁-C₆₀杂芳基基团和C₁-C₆₀亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合(例如，结合在一起)。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指具有彼此稠合(例如，结合在一起)的两个或多于两个的环，仅碳原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，尽管基团的一部分可以含有共轭体系，但没有芳香族共轭体系延伸跨过整个结构)的单价基团(例如，具有8个至60个碳原子)。单价非芳香族稠合多环基团的实例包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有彼此稠合(例如，彼此结合在一起)的两个或多于两个的环、除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，尽管基团的一部分可以含有共轭体系，但没有芳香族共轭体系延伸跨过整个结构)的单价基团(例如，具有1个至60个碳原子)。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基基团”表示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基基团)，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基基团”表示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基基团)。

如本文使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基基团”是指-A₁₀₄A₁₀₅(其中A₁₀₄可以是C₁-C₅₄亚烷基基团，并且A₁₀₅可以是C₆-C₅₉芳基基团)，并且如本文使用的术语“C₂-C₆₀杂芳基烷基基团”是指-A₁₀₆A₁₀₇(其中A₁₀₆可以是C₁-C₅₉亚烷基基团，并且A₁₀₇可以是C₁-C₅₉杂芳基基团)。

如本文使用的术语“R_10a”是指：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自未取代的或者被-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

如本文描述的Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；-D；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；各自未取代的或者被-D、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团；C₇-C₆₀芳基烷基基团；或者C₂-C₆₀杂芳基烷基基团。

如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的实例是O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及其任意组合。

如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。

如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“ter-Bu”或“Bu^t”是指叔丁基基团，以及如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。

如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有C₆-C₆₀芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。

如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被C₆-C₆₀芳基基团取代的C₆-C₆₀芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。

除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。

实施例

评估例1：电荷迁移率的测量

制造包含表1的化合物的仅空穴装置(HOD)，并且测量根据HOD的电压的电流量。拟合电流-电压图以找到其中形成空间电荷限制电流(SCLC)的间隔，并且然后由此计算电荷迁移率。其结果显示在表1中。

表1

实施例1

作为阳极，将ITO衬底切割成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，分别用丙酮、异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧清洁30分钟。然后，将ITO衬底提供至真空沉积设备。

将化合物1沉积在ITO衬底上以形成具有15nm的厚度的第一层(NDP9 1wt％掺杂，1nm)，将HT3真空沉积在第一层上以形成具有85nm的厚度的第二层，在第二层上形成发射层，并且在发射层上形成电子传输层。将Al沉积在电子传输层上以形成具有

的厚度的阴极，从而完成发光装置的制造。

实施例2和实施例3以及比较例1至比较例3

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，但通过使用表2中显示的化合物形成第一层和第二层。

评估例2

对于根据实施例1至实施例3以及比较例1至比较例3制造的发光装置，在0V至9V的驱动电压下通过探针台测量在与注入电流的子像素最靠近的子像素的阳极中流动的电流量。其结果显示在表2和图4中。

表2

参考表2和图4，可以看出实施例1、实施例2和实施例3分别显示了相对于比较例1的横向电流损失的约29％、约30％和约16％的横向电流损失。

在比较例2和比较例3的情况下，横向电流损失分别是相对于比较例1的横向电流损失的约85％和约93％，并且因此，没有显示出显著的改善。

评估例3

通过使用源表(吉时利仪器(Keithley Instrument)，2400系列)测量根据实施例1至实施例3和比较例1制造的发光装置的驱动电压和电流密度。其J-V图显示在图5中。

参考图5，可以看出，实施例1至实施例3各自显示出与比较例1的J-V曲线相当的J-V曲线。根据这些结果可以看出，实施例1至实施例3可以仅减小横向电流损失，而在垂直方向上没有电流损失。

可以提供具有减小的横向电流损失的发光装置。

应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离如由权利要求及其等同物限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的各种改变。

Claims

1.发光装置，包括：

阳极；

阴极；

在所述阳极与所述阴极之间的包括发射层的中间层；以及

在所述阳极与所述发射层之间的空穴传输区，

其中所述空穴传输区包括第一层和第二层，

所述第一层在所述阳极与所述第二层之间，

所述第一层包含由式1表示的第一化合物，

所述第二层包含第二化合物，以及

所述第一化合物的电荷迁移率低于所述第二化合物的电荷迁移率：

式1

其中，在式1中，

L₁₁是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₅-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

a11是0至5的整数，

R₁₁是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₁₀环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₁₀杂环烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂芳基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合多环基团、或者未取代或被至少一个R_10a取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，

R_x和R_y各自是由式2表示的基团，并且R_x和R_y彼此相同，

式2

其中，在式2中，

R₂₁是环戊基基团、环己基基团、叔丁基基团或C₅-C₁₀烷基基团，以及

R_10a是：

-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或被-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-C(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-P(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)、-P(＝S)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自未取代的或被-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-C(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-P(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)、-P(＝S)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团或C₆-C₆₀芳硫基基团；或者

其中Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地是：氢；-D；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；或者各自未取代的或被-D、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，以及

*表示与相邻原子的结合位点。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一化合物的所述电荷迁移率是1×10^- ⁶cm²/Vs或大于1×10^-6cm²/Vs。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一化合物的所述电荷迁移率是5×10^- ⁶cm²/Vs至5×10^-5cm²/Vs，以及

所述第二化合物的所述电荷迁移率是1×10^-4cm²/Vs至9×10^-4cm²/Vs。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层的厚度是30nm或小于30nm。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层进一步包含电荷产生材料。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中R_x和R_y各自是由选自式2-1至式2-3中的一种表示的基团，并且R_x和R_y彼此相同：

其中，在式2-1至式2-3中，

R₂₁是环己基基团、叔丁基基团或正己基基团，以及

*表示与相邻原子的结合位点。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一化合物选自组I的化合物：

组I

8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二化合物由式201表示：

式201

其中，在式201中，

L₂₀₁至L₂₀₃各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa3各自独立地是0至5的整数，

R₂₀₁至R₂₀₃各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，以及

R₂₀₁和R₂₀₂任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团。

9.发光装置，包括：

被分割成第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域的衬底；

分别在所述衬底的所述第一子像素区域、所述第二子像素区域和所述第三子像素区域中的多个阳极；

面向所述多个阳极的阴极；以及

其中所述空穴传输区包括第一层和第二层，

所述第一层包含由式1表示的第一化合物，

所述第二层包含第二化合物，以及

所述第一化合物和所述第二化合物彼此不同：

式1

其中，在式1中，

a11是0至5的整数，

R_x和R_y各自是由式2表示的基团，并且R_x和R_y彼此相同，

式2

其中，在式2中，

R_10a是：

-D、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

*表示与相邻原子的结合位点。

10.电子设备，包括权利要求1所述的发光装置和薄膜晶体管，

其中所述薄膜晶体管包括源极和漏极，并且所述发光装置的所述阳极电联接至选自所述薄膜晶体管的所述源极和所述漏极中的一个。