CN115207235A

CN115207235A - 发光装置及包括其的电子设备

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Publication number: CN115207235A
Application number: CN202210350492.1A
Authority: CN
Inventors: 金瑟雍; 高三一; 金亨根; 林英智; 郑惠仁
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-04-05
Filing date: 2022-04-02
Publication date: 2022-10-18
Also published as: US20220320436A1; KR20220138555A

Abstract

电子设备包括发光装置。发光装置包括第一电极，面向第一电极的第二电极，以及夹层，其包括在第一电极和第二电极之间的发射层以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，其中发射层包括由式1表示的化合物，并且电子传输区包括含第一金属化合物和第二金属：式1

Description

发光装置及包括其的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2021年4月5日提交的韩国专利申请第10-2021-0044305号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的实施方式的一个或多个方面涉及发光装置和包括其的电子设备。

背景技术

有机发光装置为自发射发光装置，与现有技术的装置相比，其具有宽视角、高对比度、短响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的卓越的或适当的特点。

示例有机发光装置包括位于基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝着发射层移动。载流子(比如空穴和电子)可在发射层中复合以产生激子。这些激子可从激发态跃迁到基态，从而生成光。

发明内容

本公开的实施方式的一个或多个方面涉及具有低驱动电压、卓越的或适当的光效率和/或长寿命的发光装置，以及包括发光装置的电子设备。

另外的方面将在随后的描述中部分阐述，并且部分将从描述中显而易见，或可通过所呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

本公开的一个或多个实施方式提供了发光装置，其包括：

第一电极，

面向第一电极的第二电极，以及

夹层，其包括在第一电极和第二电极之间的发射层以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，

其中发射层包括由式1表示的化合物，并且

电子传输区包括含第一金属化合物和第二金属。

式1

在式1中，

环CY₁至环CY₅可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

R₁至R₅可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1至a5可各自独立地为选自0至10的整数，并且

R_10a可为：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基，

各自未被取代或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合，

各自未被取代或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基或C₂-C₆₀杂芳基烷基、：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合，或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢，氘，-F，-Cl，-Br，-I，羟基，氰基，硝基，C₁-C₆₀烷基，C₂-C₆₀烯基，C₂-C₆₀炔基，C₁-C₆₀烷氧基，或者各自未被取代或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基。

本公开的一个或多个实施方式提供包括发光装置的电子设备。

附图说明

本公开的某些实施方式的上面的以及其他的方面、特征和优势将从参照所附附图的以下描述中更显而易见，其中：

图1显示根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；并且

图2和图3各自为显示根据实施方式的发光设备的横截面图。

具体实施方式

现将更详细地参考其实例示出在所附附图中的实施方式，其中在整个说明书中，相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。相应地，下面仅通过参照附图来描述实施方式，以解释本描述的各方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任意和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a，仅b，仅c，a和b二者(例如，同时)，a和c二者，b和c二者，所有的a、b和c，或其变体。表述比如“……中的至少一个”、“……中的一个”和“选自……”，当在元件的列表之前或之后时，修饰元件的整个列表而不修饰列表的单个元素。

如本文使用的，单数形式比如“一个(a)”、“一个(an)”和“所述(the)”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。将进一步理解，术语“包括(includes)”、“包括(including)”、“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”，当在本说明书中使用时，指定规定特征、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。

如本文使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可视为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。进一步，当描述本公开的实施方式时，“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。

根据一方面，发光装置包括：第一电极，面向第一电极的第二电极；以及夹层，其包括在第一电极和第二电极之间的发射层以及在发射层和第二电极之间的电子传输区，其中发射层包括根据本说明书的由式1表示的化合物，并且电子传输区包括含第一金属化合物和第二金属。下面更详细地分别描述由式1表示的化合物、含第一金属化合物和第二金属。

在实施方式中，

发光装置的第一电极可为阳极，

发光装置的第二电极可为阴极，

夹层可进一步包括位于第一电极和发射层之间的空穴传输区，

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层，电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

在实施方式中，空穴传输区可包括电荷生成材料。电荷生成材料可与本说明书中描述的相同。

在实施方式中，空穴传输区可包括空穴注入层，并且空穴注入层可直接接触第一电极。

在实施方式中，电子注入层可包括含第一金属化合物和/或第二金属。

在实施方式中，电子注入层可直接接触第二电极。

在实施方式中，电子注入层可直接接触发射层。

在实施方式中，电子传输区中的含第一金属化合物的量可大于第二金属的量。

在实施方式中，基于总100重量份的电子传输区，电子传输区中的含第一金属化合物的量可为大于等于约50重量份且小于约100重量份，且基于总100重量份的电子传输区，第二金属的量可为小于等于约50重量份且大于约0重量份。

在实施方式中，基于总100重量份的电子传输区，电子传输区中的含第一金属化合物的量可为大于等于约80重量份且小于约100重量份，并且基于总100重量份的电子传输区，第二金属的量可为小于等于约20重量份且大于约0重量份，但是本公开的实施方式不限于此。

在实施方式中，基于总100重量份的电子传输区，电子传输区中的含第一金属化合物的量可为大于等于约80重量份且小于约90重量份，并且基于总100重量份的电子传输区，第二金属的量可为小于等于约20重量份且大于约10重量份，但是本公开的实施方式不限于此。

在实施方式中，基于总100重量份的电子传输区，电子传输区中的含第一金属化合物的量可为大于等于约90重量份且小于约100重量份，并且基于总100重量份的电子传输区，第二金属的量可为小于等于约10重量份且大于约0重量份，但是本公开的实施方式不限于此。

在实施方式中，发射层可包括掺杂剂和主体，并且掺杂剂可包括由式1表示的化合物。例如，由式1表示的化合物可充当掺杂剂。发射层可以发射红光、绿光、蓝光和/或白光。在实施方式中，发射层可以发射蓝光。蓝光可具有范围为例如约400nm至约480nm的最大发射波长。

在实施方式中，发射层可包括掺杂剂和主体，掺杂剂可包括由式1表示的化合物，并且主体可包括含蒽基化合物。

在实施方式中，含蒽基化合物可为由式2表示的化合物。

式2

在式2中，

X₁可为O、S、N(Z_1a)或Si(Z_1a)(Z_1b)，

L₁可为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

b1可为选自0至5的整数，

Z₁、Z₂、Z_1a和Z_1b可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

c17可为选自0至7的整数，

c19可为选自0至9的整数，

当c19为2或更大时c19个Z₁中的两个以及当c17为2或更大时c17个Z₂中的两个可任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

R_10a和Q₁至Q₃可各自独立地与本说明书中描述的相同。

在实施方式中，式2中由

表示的基团可选自式2(1)至式2(8)：

其中，在式2(1)至式2(8)中，

X₁、L₁、b1、Z₂、c17和c19可各自独立地与本说明书中描述的相同，并且

*指示与相邻原子的结合位点。

在实施方式中，式2中由

表示的基团可选自式2-1至式2-3：

其中，在式2-1至式2-3中，

L₁、b1、Z₁和c19可各自独立地与本说明书中描述的相同，并且

*指示与相邻原子的结合位点。

在实施方式中，主体可选自化合物2-1至2-39：

在实施方式中，发光装置可包括位于第一电极外侧和/或第二电极外侧的封盖层(例如，在与发射层相对侧上的第一电极上，和/或在与发射层相对侧上的第二电极上)。

在实施方式中，发光装置可进一步包括位于第一电极外侧的第一封盖层和位于第二电极外侧的第二封盖层中的至少一个，并且第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可包括由式1表示的化合物。第一封盖层和/或第二封盖层可与本说明书中描述的相同。

在实施方式中，发光装置可进一步包括：

位于第一电极外侧且包括由式1表示的化合物的第一封盖层；

位于第二电极外侧且包括由式1表示的化合物的第二封盖层；或

第一封盖层和第二封盖层(例如，同时)。

含第一金属化合物和第二金属的描述

在实施方式中，含第一金属化合物可为碱金属卤化物。

在实施方式中，含第一金属化合物可为LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI或其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。

在实施方式中，含第一金属化合物可为LiI、NaI、KI、RbI、CsI或其任意组合，但是本公开的实施方式不限于此。

在实施方式中，第二金属可为镧系金属。

在实施方式中，第二金属可为镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)或其任意组合。

在实施方式中，第二金属可为镱(Yb)，但是本公开的实施方式不限于此。

由式1表示的化合物的描述

式1

在式1中，环CY₁至环CY₅可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基。

在实施方式中，式1中的环CY₁至环CY₅可各自独立地为富π电子的C₃-C₆₀环状基团。

在实施方式中，富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为苯基、庚搭烯基、茚基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、芴基、螺-联芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、并四苯基、苉基、苝基、并五苯基、并六苯基、戊芬基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、呋喃基、噻吩基、异吲哚基、吲哚基、茚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、萘并吡咯基、萘并呋喃基、萘并噻吩基、萘并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、二苯并噻咯基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、三吲哚并苯基、吡咯并菲基、呋喃并菲基、噻吩并菲基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、(吲哚并)菲基、(苯并呋喃并)菲基或(苯并噻吩并)菲基。

在实施方式中，式1中的环CY₁至环CY₅可各自独立地为苯基、萘基、吲哚基、茚基、苯并呋喃基或苯并噻吩基。

在实施方式中，式1中的环CY₃至环CY₅可各自独立地为苯基或萘基。

在实施方式中，式1中由

表示的基团可为选自式CY1-1至式CY1-24中的至少一个：

其中，在式CY1-1至式CY1-24中，

R₁可与本说明书中描述的相同，

R₁₁和R₁₂可各自独立地与本说明书中参照R₁描述的相同，

a14可为选自0至4的整数，

a16可为选自0至6的整数，

当a14为2或更大时a14个R₁中的至少两个；当a16为2或更大时a16个R₁中的至少两个；或R₁、R₁₁和R₁₂中的至少两个，可任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R_10a可与本说明书中描述的相同，

*指示与N的结合位点，并且

*'指示与B的结合位点。

在实施方式中，式1中由

表示的基团可选自式CY2-1至式CY2-24：

其中，在式CY2-1至式CY2-24中，

R₂可与本说明书中描述的相同，

R₂₁和R₂₂可各自独立地与本说明书中参照R₂描述的相同，

a24可为选自0至4的整数，

a26可为选自0至6的整数，

当a24为2或更大时a24个R₂中的至少两个；当a26为2或更大时a26个R₂中的至少两个；或R₂、R₂₁和R₂₂中的至少两个，可任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R_10a可与本说明书中描述的相同，

*指示与N的结合位点，并且

*'指示与B的结合位点。

式1中的R₁至R₅可各自独立地为：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。R_10a和Q₁至Q₃可各自独立地与本说明书中描述的相同。

在实施方式中，式1中的R₁至R₅可各自独立地为：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代或被以下取代的C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基、C₂-C₂₀炔基或C₁-C₂₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)或其任意组合；

各自未被取代或被以下取代的苯基或萘基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基、C₂-C₂₀炔基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)或其任意组合；或

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)或-B(Q₁)(Q₂)。Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地与本说明书中描述的相同。

式1中的a1至a5可各自独立地为选自0至10的整数。在实施方式中，式1中的a1至a5可各自独立地为选自0至5的整数，但是本公开的实施方式不限于此。在实施方式中，式1中的a1和a2可各自独立地为选自0至2的整数，但是本公开的实施方式不限于此。在实施方式中，式1中的a3和a5可各自独立地为选自0至5的整数，但是本公开的实施方式不限于此。在实施方式中，式1中的a4可为0或1，但是本公开的实施方式不限于此。

在实施方式中，由式1表示的化合物可选自化合物1至48：

在实施方式中，由式1表示的化合物可以发射最大发射波长为大于等于约400nm且小于等于约480nm的蓝光。

当发光装置的发射层包括根据本说明书的由式1表示的化合物时，发光装置可具有窄的半峰全宽和/或在颜色纯度和/或效率方面具有卓越的或适当的特点，并且发射层中的发光区被聚集，使得电子和空穴可有效地形成激子，因此可提高发光效率。此外，当电子传输区包括含第一金属化合物和第二金属时，与其中仅包括含金属化合物和金属中的一种的情况相比，可以容易控制或影响电子注入特点(例如，行为)，从而改善电子注入，并且与其中仅包括金属的情况相比，可以改善(例如，抑制)由于光吸收导致的效率降低，从而提高发光装置的效率。因此，发光装置可以通过改善电荷平衡同时在发射层中保留激子而具有低驱动电压和/或卓越的或适当的发光效率，因此，可以用于制造高质量的电子设备。

通过参考提供的合成例和/或实施例，由式1表示的化合物的合成方法、含第一金属化合物和第二金属可由本领域普通技术人员识别。

如本文所用的表述“(发射层)包括由式1表示的化合物”可包括其中“(发射层)包括一种由式1表示的化合物或者两种或更多种不同的由式1表示的化合物”的情况。表述“(电子传输区)包括含第一金属化合物和第二金属”可包括这样的情况，其中“(电子传输区)包括属于含第一金属化合物的类别的一种化合物或者属于含第一金属化合物的类别的两种或更多种不同化合物，并且也包括属于第二金属的类别的一种第二金属或者属于第二金属的类别的两种或更多种不同的第二金属”。

在实施方式中，发射层可仅包括化合物1作为由式1表示的化合物。在实施方式中，发射层可包括化合物1和化合物2(例如，同时)作为由式1表示的化合物。

在实施方式中，电子传输区可仅包括KI作为含第一金属化合物。在实施方式中，电子传输区可包括KI和LiF(例如，同时)作为含第一金属化合物。在该情况下，KI和LiF可存在于同一层中(例如，KI和LiF可一起存在于电子注入层中)，或可存在于不同层中(例如，KI可存在于电子注入层中并且LiF可存在于电子传输层中)。

取决于上下文，如本文所用的术语“夹层”可指位于发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有多个层。

根据另一方面，提供了包括发光装置的电子设备。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管，其包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可电连接至源电极和漏电极中的一个。在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。电子设备可与本说明书中下面描述的相同。

图1的描述

图1为根据本公开的实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110，包括发射层131和电子传输区140的夹层130，以及第二电极150。

下文，将参照图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为基板，可使用玻璃基板和/或塑料基板。在实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的或适当的耐热性和/或耐久性的塑料(比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合)。

第一电极110可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料而形成。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任意组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合可用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可具有包括单个层(例如，由其组成)的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130可位于第一电极110上。夹层130可包括发射层131。

夹层130可进一步包括第一电极110和发射层131之间的空穴传输区(未显示)，以及发射层131和第二电极150之间的电子传输区140。

除了一种或多种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和/或无机材料(比如量子点)等。

在实施方式中，夹层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发光单元，和ii)位于两个发光单元之间的电荷生成层。当夹层130包括如上所述的发光单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区

空穴传输区可具有：i)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括单一材料(例如，由其组成)，ii)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由其组成)，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

例如，空穴传输区可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构，空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构，空穴注入层/发射辅助层结构，空穴传输层/发射辅助层结构，或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每种结构的构成层从第一电极110依次堆叠。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物，由式202表示的化合物，或其任意组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

式CY201至式CY217中的R_10b和R_10c可各自独立地与参照R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可未被取代或被R_10a取代。

在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201中的xa1可为1，R₂₀₁可为由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY217表示的基团。

在实施方式中，空穴传输区可包括化合物HT1至HT47中的一种，m-MTDATA，TDATA，2-TNATA，NPB(NPD)，β-NPB，TPD，螺-TPD，螺-NPB，甲基化的NPB，TAPC，HMTPD，4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)，聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)，聚(3,4-乙撑二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)，聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)，聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)，或其任意组合：

空穴传输区的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的空穴传输特点。

发射辅助层可通过补偿由发射层131发射的光的波长的光学共振距离来提高光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少电子从发射层131到空穴传输区的泄漏。可包括在空穴传输区中的材料也可包括在发射辅助层和/或电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电特性的电荷生成材料。电荷生成材料可基本上均匀地或非均匀地分散于空穴传输区中(例如，以包括电荷生成材料(例如，由其组成)的单个层的形式)。

电荷生成材料可为例如p-掺杂剂。

在实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可为约-3.5eV或更小。

在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含有元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。

醌衍生物的实例可包括TCNQ和/或F4-TCNQ等。

含氰基化合物的实例可包括HAT-CN和/或由式221表示的化合物等：

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被以下取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基；或其任意组合。

在含有元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其组合。

金属的实例可包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和/或镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的实例可包括硅(Si)、锑(Sb)和/或碲(Te)。

非金属的实例可包括氧(O)和/或卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

在实施方式中，含有元素EL1和元素EL2的化合物的实例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。

金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和/或铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和/或镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的实例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和/或CsI。

碱土金属卤化物的实例可包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和/或BaI₂。

过渡金属卤化物的实例可包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和/或金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的实例可包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和/或锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的实例可包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和/或SmI₃。

准金属卤化物的实例可包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和/或镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

夹层130中的发射层131

发射层131可包括根据本说明书的由式1表示的化合物。由式1表示的化合物可与本说明书中描述的相同。

当发光装置10为全色发光装置时，发射层131可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层131可具有包括选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层可彼此接触或可彼此分开。在一个或多个实施方式中，发射层131可包括选自红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料可在单层中彼此混合以发射白光。

发射层131可包括主体和掺杂剂。

掺杂剂可包括根据本说明书的由式1表示的化合物。

掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。

基于100重量份的主体，发射层131中掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。

在实施方式中，发射层131可包括量子点。

在实施方式中，发射层131可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层131中的主体或掺杂剂。

发射层131的厚度可在约

至约

例如，约

至约

的范围内。当发射层131的厚度在该范围内时，在驱动电压没有显著增加的情况下可获得卓越的或适当的光发射特点。

主体

主体可为含蒽基化合物。含蒽基化合物可与本说明书中描述的相同。

主体可进一步包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21，

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃可各自独立地与参照Q₁描述的相同。

在实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar₃₀₁可经由单键彼此连接。

在实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物，由式301-2表示的化合物，或其任意组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可为O、S、N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可各自独立地与在本说明书中描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可各自独立地与参照L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可各自独立地与参照xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可各自独立地与参照R₃₀₁描述的相同。

在实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任意组合。在实施方式中，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其任意组合。

在实施方式中，主体可包括化合物H1至H124中的一种，9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)，2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)，9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)，4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)，1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)，1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)，或其任意组合：

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

在实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2，

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，且xc1可为1、2或3，其中当xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

L₄₀₂可为有机配体，且xc2可为0、1、2、3或4，其中，当xc2为2或更大时，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

式402

在式402中，X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮(N)或碳(C)，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'，或*＝C＝*'，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可各自独立地与参照Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可各自独立地与参照Q₁描述的相同，

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。

在实施方式中，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可为氮。

在实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个A₄₀₁环可任选地经由T₄₀₂(其为连接基团)彼此连接，并且两个A₄₀₂环可任选地经由T₄₀₃(其为连接基团)彼此连接(见化合物PD1至PD4和PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可各自独立地与参照T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可为有机配体。在实施方式中，L₄₀₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-C(＝O)、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任意组合。

磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至PD39中的一种或其任意组合：

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任意组合。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

在实施方式中，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。

在实施方式中，式501中的xd4可为2。

在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物FD1至FD36中的一种；DPVBi；DPAVBi；或其任意组合：

延迟荧光材料

发射层131可包括延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。

包括在发射层131中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层131中的其他材料的类型或种类。

在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可大于或等于0eV且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围时，可有效发生延迟荧光材料的从三重态到单重态的上转换，因此，可提高发光装置10的发射效率。

在实施方式中，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，比如咔唑基)和至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共享硼(B)的同时稠合的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的实例可包括化合物DF1至DF9中的至少一种：

量子点

发射层131可包括量子点。

在本说明书中，术语“量子点”可指半导体化合物的晶体，并且可包括能够发射对应于晶体的尺寸的各种适当的发射波长的光的任意材料。

量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。

量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或类似于它们的任何工艺来合成。

根据湿化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。随着晶体的生长，有机溶剂可以自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂，并且可以根据比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)和/或分子束外延(MBE))更容易进行且具有低成本的工艺来控制量子点颗粒晶体的生长。

量子点可包括：第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；第IV族元素或化合物；或其任意组合。

第II-VI族半导体化合物的实例可包括：二元化合物(比如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS)；三元化合物(比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS)；四元化合物(比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe)；或其任意组合。

第III-V族半导体化合物的实例可包括：二元化合物(比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb)；三元化合物(比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb等)；四元化合物(比如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb)；或其任意组合。在实施方式中，第III-V族半导体化合物可进一步包括一种或多种第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的实例可包括InZnP、InGaZnP和/或InAlZnP等。

第III-VI族半导体化合物的实例可包括：二元化合物(比如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃和/或InTe)；三元化合物(比如InGaS₃和/或InGaSe₃)；或其任意组合。

第I-III-VI族半导体化合物的实例可包括：三元化合物(比如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂和/或AgAlO₂)。

第IV-VI族半导体化合物的实例可包括：二元化合物(比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe等)；三元化合物(比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe等)；四元化合物(比如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe等)；或其任意组合。

第IV族元素或化合物可包括：单元素(比如Si和/或Ge)；二元化合物(比如SiC和/或SiGe)；或其任意组合。

包括在多元化合物(比如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中的每种元素可以基本上均匀的浓度(例如，分布)或非均匀浓度存在于颗粒中。

在实施方式中，量子点可具有单一结构或核-壳双重结构。在量子点具有单一结构的情况下，包括在对应的量子点中的每种元素的浓度基本上是均匀的(例如，遍及整个颗粒)。在实施方式中(例如在核-壳双重结构的情况下)，核中含有的材料(例如元素组成)和壳中含有的材料(例如元素组成)可以彼此不同。

量子点的壳可充当保护层以防止或减少核的化学变性，从而保持半导体特性，和/或用作充电层以赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。量子点的核和壳之间的界面中存在的元素可以具有朝向量子点的中心减小的浓度梯度。

量子点的壳的实例可为或包括金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物，半导体化合物或其任意组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的实例可包括：二元化合物(比如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO)；三元化合物(比如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄)；或其任意组合。半导体化合物的实例可包括，如本文描述的，第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第III-VI族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物或其任意组合。在一些实施方式中，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，颜色纯度和/或颜色再现性可增加。在一些实施方式中，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善发光装置10的宽视角。

量子点可为或包括球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米板。

因为能带隙可通过控制量子点的尺寸来调节，所以具有各种适当的波长带的光可获自量子点发射层。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可实现发射一种或多种适当的波长的光的发光装置。在实施方式中，可以选择量子点的尺寸来发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方式中，量子点的尺寸可配置为通过组合一种或多种适当的颜色的光来发射白光。

夹层130中的电子传输区140

电子传输区140可具有：i)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括单一材料(例如，由其组成)，ii)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由其组成)，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。

电子传输区140可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

在实施方式中，电子传输区140可具有电子传输层/电子注入层结构，空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，电子控制层/电子传输层/电子注入层结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每种结构的构成层依次堆叠在发射层131上。

电子传输区140可包括含第一金属化合物和第二金属。含第一金属化合物和第二金属可各自独立地与本说明书中描述的相同。

在实施方式中，电子传输区140(例如，电子传输区140中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，其包括至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，电子传输区140可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21，

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃与参照Q₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁(s)可经由单键连接。

在实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在实施方式中，电子传输区140可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自独立地与参照L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可各自独立地与参照xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自独立地与参照R₆₀₁描述的相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

在实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区140可包括化合物ET1至ET45中的一种，2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)，4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)，Alq₃，BAlq，TAZ，NTAZ，或其任意组合：

电子传输区140的厚度可为约

至约

例如，约

至约

当电子传输区140包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层的厚度、空穴阻挡层的厚度和/或电子控制层的厚度可各自独立地为约

至约

例如，约

至约

并且电子传输层的厚度可为约

至约

例如，约

至约

当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的电子传输特点。

除了上述材料之外，电子传输区140(例如，电子传输区140中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

在实施方式中，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：

电子传输区140可包括利于电子从第二电极150注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。

电子注入层可具有：i)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括单一材料(例如，由其组成)，ii)包括单个层(例如，由其组成)的单层结构，单个层包括多种不同材料(例如，由其组成)，或iii)包括多个层的多层结构，多个层包括多种不同材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。

碱金属可包括锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)或其任意组合。碱土金属可包括镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)或其任意组合。稀土金属可包括钪(Sc)、钇(Y)、铈(Ce)、铽(Tb)、镱(Yb)、钆(Gd)或其任意组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可分别包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物。

含碱金属化合物可包括一种或多种碱金属氧化物(比如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O)和/或一种或多种碱金属卤化物(比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI)。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物(比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)和/或Ba_xCa_1-xO(x为满足0<x<1的条件的实数)等)。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任意组合。在实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和/或Lu₂Te₃。

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可分别包括：i)碱金属离子、碱土金属离子和稀土金属离子，和ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

电子注入层可包括(例如，由以下组成)：如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。在实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层可包括(例如，由以下组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在实施方式中，电子注入层可为KI:Yb共沉积层和/或RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合可基本上均匀地或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

至约

和，例如，约

至约

的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，可在驱动电压没有显著增加的情况下获得令人满意的电子注入特点。

第二电极150

第二电极150可位于具有此类结构的夹层130上。第二电极150可为阴极(其为电子注入电极)，并且可使用金属、合金、导电化合物或其任意组合(各自具有低功函)作为用于第二电极150的材料。

在实施方式中，第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层(未显示)可位于第一电极110的外侧，和/或第二封盖层(未显示)可位于第二电极150的外侧。例如，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。

发光装置10的夹层130的发射层131中生成的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层，和/或通过第二电极150(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层向外提取。

根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可提高装置的外部发射效率。因此，可提高发光装置10的光提取效率，从而可提高发光装置10的发射效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括折射率(在589nm)为1.6或更大的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地各自独立地被含有氧(O)、氮(N)、硫(S)、硒(Se)、硅(Si)、氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)或其任意组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物，由式202表示的化合物，或其任意组合。

在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至HT33中的一种，化合物CP1至CP6中的一种，β-NPB，或其任意组合：

膜

由式1表示的化合物可包括在一个或多个适当的膜(例如，薄膜)中。因此，另一方面提供包括由式1表示的化合物的膜。膜可为或包括例如光学构件(例如，光控制手段)(例如，滤色器、颜色转换构件、封盖层、光提取效率增强层、选择性光吸收层、偏振层和/或含量子点层)、阻光构件(例如，光反射层和/或光吸收层)和/或保护构件(例如，绝缘层和/或介电层)。

电子设备

发光装置可包括在一个或多个适当的电子设备中。在实施方式中，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括，i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在一个或多个实施方式中，要从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置可与如上所述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可，例如，如本文描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可位于多个子像素区域之中(例如，之间)以限定每个子像素区域。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之中(例如，之间)的遮光图案，并且颜色转换层可包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之中(例如，之间)的遮光图案。

滤色器区域(和/或颜色转换区域)可各自独立地包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在实施方式中，滤色器区域(和/或颜色转换区域)可包括量子点。例如，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点。量子点与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括散射体。

在实施方式中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光(例如，可透射第一光)。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有不同的最大发射波长。例如，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。

除了如上所述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。

有源层可包括结晶硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光被提取到外侧，同时(或同步)防止或减少环境空气和/或湿气渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板和/或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可另外位于密封部分上。功能层可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。

除了发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可应用于一种或多种适当的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种适当的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和/或船只的仪表)和/或投影仪等。

图2和图3的描述

图2为根据本公开的实施方式的发光设备的横截面图。

图2的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板和/或金属基板。缓冲层210可形成在基板100上。缓冲层210可防止或减少通过基板100的杂质的渗透并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可位于缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体(比如硅和/或多晶硅)，有机半导体，和/或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电极240可位于栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可置于栅电极240和源电极260之间以将栅电极240与源电极260绝缘，以及置于栅电极240和漏电极270之间以将栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接到发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。

含有绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区，并且夹层130可形成于第一电极110的暴露区。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。在一些实施方式中，夹层130的至少一些层可延伸超出像素限定层290的上部以成为公共层的形式。

第二电极150可位于夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可位于封盖层170上。封装部分300可位于发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或其任意组合；和/或有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其任意组合。在一些实施方式中，例如，封装部分300可包括无机膜和有机膜的组合。

图3为根据本公开的实施方式的发光设备的横截面图。

图3的发光设备与图2的发光设备基本相同，不同在于遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可包括：i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，包括在图3的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。

制造方法

包括于空穴传输区中的层、发射层131和包括于电子传输区140中的层可各自独立地通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多种适当的方法而形成于特定区中。

当构成空穴传输区的层、发射层131和构成电子传输区140的层通过真空沉积形成时，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

至约

的沉积速度下进行，这取决于要包括的材料和要形成的层的结构。

术语的定义

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基”指仅由碳作为成环原子组成且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基”指具有1至60个碳原子和杂原子(除碳原子之外)作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可各自为包括一个环(例如，由其组成)的单环基团，或者其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。在实施方式中，C₁-C₆₀杂环基具有3至61个成环原子。

如本文使用的“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基。

如本文使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3至60个碳原子且不包括*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指具有1至60个碳原子且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基。

在实施方式中，

C₃-C₆₀碳环基可为i)基团T1(下面定义的)或ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基可为i)基团T2(下面定义的)，ii)其中两个或更多个基团T2彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为i)基团T1，ii)其中两个或更多个基团T1彼此稠合的稠环基团，iii)基团T3(下面定义的)，iv)其中两个或更多个基团T3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团(例如，C₃-C₆₀碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，并且

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为i)基团T4(下面定义的)，ii)其中两个或更多个基团T4彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

其中基团T1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

基团T2可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

基团T3可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

基团T4可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如本文使用的术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基”、“C₁-C₆₀杂环基”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”可各自指与任意环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团，这取决于参照其使用术语的式的结构。在实施方式中，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，其可根据包括“苯基”的式的结构容易被本领域普通技术人员理解。

单价C₃-C₆₀碳环基和单价C₁-C₆₀杂环基的实例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和/或单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基和二价C₁-C₆₀杂环基的实例可包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和/或二价非芳族稠合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如，C₁-C₂₀烷基，且其实例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和/或叔癸基。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”指具有基本上与C₁-C₆₀烷基相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，例如，C₂-C₂₀烯基，且其实例可包括乙烯基、丙烯基和/或丁烯基。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”指具有基本上与C₂-C₆₀烯基相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，例如，C₂-C₂₀炔基，且其实例可包括乙炔基和/或丙炔基。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”指具有基本上与C₂-C₆₀炔基相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，例如，C₁-C₂₀烷氧基，且其实例可包括甲氧基、乙氧基和/或异丙氧基。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，且其实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和/或二环[2.2.2]辛基。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指具有基本上与C₃-C₁₀环烷基相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且具有1至10个碳原子的单价环状基团，且其实例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和/或四氢噻吩基。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指具有基本上与C₁-C₁₀杂环烷基相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”指具有3至10个碳原子、其环中的至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环状基团，且其实例可包括环戊烯基、环己烯基和/或环庚烯基。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指具有基本上与C₃-C₁₀环烯基相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指除了碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和在其环状结构中的至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的实例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和/或2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指具有基本上与C₁-C₁₀杂环烯基相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有具备6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的实例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和/或卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，除了碳原子之外其还具有至少一个杂原子作为成环原子，以及1至60个碳原子。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，除了碳原子之外其还具有至少一个杂原子作为成环原子，以及1至60个碳原子。C₁-C₆₀杂芳基的实例可包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和/或萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，各环可彼此稠合。

如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子(例如，具有8至60个碳原子)作为成环原子，且作为整体考虑时在其分子结构中无芳香性(例如，无芳族共轭系统延伸穿过整个结构，尽管该基团的部分可含有共轭系统)的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的实例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和/或茚并蒽基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有基本上与单价非芳族稠合多环基团相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，至少一个除碳原子(例如，具有1至60个碳原子)之外的杂原子作为成环原子，并且作为整体考虑时在其分子结构中无芳香性(例如，无芳族共轭系统延伸穿过整个结构，尽管该基团的部分可含有共轭系统)的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的实例可包括苯并噻咯基、二苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、苯并噻咯并咔唑基和/或苯并萘并噻咯基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有基本上与单价非芳族稠合杂多环基团相同结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”指示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基”指示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如本文使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基”指-A₁₀₄A₁₀₅(其中A₁₀₄可为C₁-C₅₄亚烷基，且A₁₀₅可为C₆-C₅₉芳基)，并且如本文使用的术语“C₂-C₆₀杂芳基烷基”指-A₁₀₆A₁₀₇(其中A₁₀₆可为C₁-C₅₉亚烷基，且A₁₀₇可为C₁-C₅₉杂芳基)。

R_10a可为：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代或被以下取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合；

各自未被取代或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基或C₂-C₆₀杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)，-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

如本文使用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；各自未被取代或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳基烷基；或C₂-C₆₀杂芳基烷基。

如本文使用的术语“杂原子”可指除碳原子和氢原子之外的任意原子。杂原子的实例包括氧(O)、硫(S)、氮(N)、磷(P)、硅(Si)、硼(B)、锗(Ge)、硒(Se)或其任意组合。

如本文使用的术语“第三行过渡金属”可指铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和/或金(Au)等。

如本文使用的术语“Ph”指苯基，如本文使用的术语“Me”指甲基，如本文使用的术语“Et”指乙基，如本文使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如本文使用的术语“OMe”指甲氧基。

如本文使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如本文使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。“三联苯基”为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自指与相应的式或部分中的相邻原子的结合位点。

下文，将参考合成例和实施例更详细地描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置。在描述合成例中使用的措辞“使用B代替A”指示使用相同的摩尔当量的B替代A。

实施例

实施例1

作为阳极，将形成有15Ω/cm²

ITO的玻璃基板(康宁公司的产品)切成50mm x 50mm x 0.75mm的尺寸，使用丙酮、异丙醇和纯水各自超声15分钟，然后通过照射紫外线和臭氧暴露30分钟进行清洁。然后，将所得的玻璃基板安装在真空沉积设备上。

将HT3真空沉积在阳极上以形成厚度为120nm的空穴注入层，并且将HT47真空沉积在空穴注入层上以形成厚度为10nm的空穴传输层。

将化合物2-8(主体)和化合物1(掺杂剂)以98:2的重量比真空沉积在空穴传输层上以形成厚度为20nm的发射层。

将ET1真空沉积在发射层上以形成厚度为40nm的电子传输层，并将KI和Yb以8:2的重量比真空沉积在电子传输层上以形成厚度为1nm的电子注入层。将Ag和Mg以90:10的重量比真空沉积在电子注入层上以形成厚度为10nm的阴极，从而完成发光装置的制造。

实施例2至6和比较例1至5

另外的发光装置以与实施例1基本相同的方式制造，不同在于，在形成发射层时，分别使用表1中显示的化合物代替化合物2-8和化合物1，以及在形成电子注入层时，分别使用表1中显示的化合物和重量比代替使用重量比为8:2的KI和Yb。

评估例1

对于实施例1至6和比较例1至5中制造的发光装置，使用Keithley MU 236和亮度计PR650在1,000cd/m²下分别测量驱动电压差(ΔV)和发光效率(％)，结果显示于表1中。驱动电压差被报告为基于比较例1的驱动电压(例如，作为基线)的差值，并且发光效率是基于比较例1的发光效率(作为100％)的换算(例如，相对)值。

表1

从表1可以证实，与比较例1至5的发光装置相比，实施例1至6的发光装置各自具有更低的驱动电压和更高的发光效率。

如本文使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语，而不用作程度的术语，并且旨在说明本领域普通技术人员会认识到的测量或计算值的固有偏差。考虑到所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文使用的“约”或“近似”包括规定值并意味着在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可意味着在规定值的一个或多个标准偏差内，或在规定值的±30％、±20％、±10％或±5％内。

本文叙述的任意数值范围旨在包括囊括在叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括叙述的最小值1.0和叙述的最大值10.0之间(并且包括1.0和10.0)的所有子范围，也就是，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。本文叙述的任意最大数值限制旨在包括囊括于其中的所有较低数值限制，并且本说明书中叙述的任意最小数值限制旨在包括囊括于其中的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书，包括权利要求的权利，以明确地叙述囊括在本文明确地叙述的范围内的任意子范围。

将理解，本文描述的实施方式应该仅以描述性意义考虑，而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同方式限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上在其中进行各种适当的改变。

Claims

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；和

夹层，其包括：

在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层，以及；

在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，

其中所述发射层包括由式1表示的化合物，并且

所述电子传输区包括含第一金属化合物和第二金属：

式1

其中，在式1中，

环CY₁至环CY₅各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

R₁至R₅各自独立地为：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1至a5各自独立地为选自0至10的整数，并且

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未被取代或被以下取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基或C₂-C₆₀杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者各自未被取代或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极为阳极，

所述第二电极为阴极，

所述夹层进一步包括在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区，

所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且

所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

3.如权利要求2所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括所述空穴注入层，并且

所述空穴注入层直接接触所述第一电极。

4.如权利要求2所述的发光装置，其中所述电子注入层包括所述含第一金属化合物和所述第二金属。

5.如权利要求2所述的发光装置，其中所述电子注入层直接接触所述发射层。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中，在所述电子传输区中，所述含第一金属化合物的量大于所述第二金属的量。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括掺杂剂和主体，并且

所述掺杂剂包括所述由式1表示的化合物。

8.如权利要求7所述的发光装置，其中所述主体包括由式2表示的化合物：

式2

并且

其中，在式2中，

X₁为O、S、N(Z_1a)或Si(Z_1a)(Z_1b)，

L₁为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

b1为选自0至5的整数，

Z₁、Z₂、Z_1a和Z_1b各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

c17为选自0至7的整数，

c19为选自0至9的整数，并且

R_10a和Q₁至Q₃各自独立地与权利要求1中描述的相同。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述含第一金属化合物为碱金属卤化物。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二金属为镧系金属。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中式1中的环CY₁至环CY₅各自独立地为富π电子的C₃-C₆₀环状基团。

12.如权利要求1所述的发光装置，其中式1中的环CY₃至环CY₅各自独立地为苯基或萘基。

13.如权利要求1所述的发光装置，其中式1中由