CN116322130A - 发光装置和包括其的电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明涉及发光装置和包括其的电子设备。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层包括发射层以及在第一电极和发射层之间的空穴传输区，空穴传输区包括空穴传输层以及在空穴传输层和发射层之间的空穴传输辅助层，空穴传输层具有单层结构或多层结构，并且空穴传输层的折射率比空穴传输辅助层的折射率高。

Description

发光装置和包括其的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年12月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0183126号的优先权和权益，其公开通过引用以其整体并入本文。

技术领域

一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

背景技术

发光装置中的有机发光装置为自发射装置，与本领域的其他装置相比，其具有相对宽视角、高对比度、短响应时间和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面卓越的或适当的特点。

有机发光装置可包括位于基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合而产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。

发明内容

根据本公开的一个或多个实施方式的方面涉及具有卓越的或适当的发光效率和长寿命的发光装置。

另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

根据一个或多个实施方式，发光装置包括第一电极，

面向第一电极的第二电极，以及

在第一电极和第二电极之间的夹层，

其中夹层包括发射层以及在第一电极和发射层之间的空穴传输区，

空穴传输区包括空穴传输层以及在空穴传输层和发射层之间的空穴传输辅助层，

空穴传输层具有单层结构或多层结构，其中，当空穴传输层具有包括在第一空穴传输层和发射层之间的第一空穴传输层和第二空穴传输层的多层结构时，第一空穴传输层的折射率比第二空穴传输层的折射率高，

空穴传输层的折射率比空穴传输辅助层的折射率高，并且

空穴传输辅助层的折射率为1.8或更小。

根据一个或多个实施方式，电子设备包括发光装置。

附图说明

结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的和其他的方面、特征和增强将从下述描述中更显而易见，其中：

图1为根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；

图2为根据实施方式的发光设备的横截面图；并且

图3为根据实施方式的发光设备的横截面图。

具体实施方式

现将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件，并且可不提供其重复的描述。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考附图描述实施方式，以解释本描述的方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b或c中的至少一个”、“选自a、b和c中的至少一个”等指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者(例如，同时a和b)，a和c二者(例如，同时a和c)，b和c二者(例如，同时b和c)，所有的a、b和c，或其变型。

本公开可包括一个或多个适当的修改和一个或多个适当的实施方式，并且具体的实施方式将在附图中阐释并且在详细描述中更详细地描述。参考稍后结合附图描述的实施方式，本公开的效果和特征及其实施方法将变得清楚。然而，本公开可具体化为许多不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的实施方式。

下文，将参考所附附图更详细地描述本公开的实施方式。相同的或对应的组件将由相同的附图标记表示，并且因此将不提供其冗余的描述。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述一个或多个适当的组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用于区分一个组件与另一组件。

以单数形式使用的表述囊括复数形式的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。

将进一步理解，如在本文中使用的，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指出存在叙述的特征或元件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征或元件。

在下述实施方式中，当一个或多个适当的组件比如层、膜、区、板等称为“在”另一组件“上”时，这不仅可包括其中其他组件“直接在”层、膜、区或板上的情况，而且也包括其中居间组件可放置在它们之间的情况。为了方便解释，可放大附图中元件的尺寸。换句话说，因为为了方便解释，随意阐释了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下述实施方式不限于此。

根据一个或多个实施方式，发光装置包括：第一电极；

面向第一电极的第二电极；以及

在第一电极和第二电极之间的夹层，

其中夹层包括发射层以及在第一电极和发射层之间的空穴传输区，

空穴传输区包括空穴传输层以及在空穴传输层和发射层之间的空穴传输辅助层，

空穴传输层具有单层结构或多层结构，其中，当空穴传输层具有包括第一空穴传输层以及在第一空穴传输层和发射层之间的第二空穴传输层的多层结构时，第一空穴传输层的折射率比第二空穴传输层的折射率高，

空穴传输层的折射率比空穴传输辅助层的折射率高，并且

空穴传输辅助层的折射率为1.8或更小。

在实施方式中，空穴传输层的折射率可为1.8或更大并且2.4或更小。

在实施方式中，空穴传输辅助层的折射率可为1.3或更大并且1.8或更小。在实施方式中，空穴传输辅助层的折射率可为1.5或更大并且小于1.8。

在实施方式中，空穴传输层的折射率和空穴传输辅助层的折射率之间的差可为0.1或更大。例如，空穴传输层的折射率和空穴传输辅助层的折射率之间的差可为0.1或更大并且0.3或更小。例如，空穴传输层的折射率可比空穴传输辅助层的折射率大0.1或更多并且0.3或更少。

在实施方式中，空穴传输辅助层可直接接触发射层。

在实施方式中，空穴传输区可进一步包括在空穴传输辅助层和发射层之间的电子阻挡层，空穴传输辅助层可直接接触电子阻挡层，并且电子阻挡层可直接接触发射层。

在实施方式中，电子阻挡层的折射率可比空穴传输辅助层的折射率高。例如，电子阻挡层的折射率可为1.6或更大并且2.1或更小。

在实施方式中，空穴传输层和空穴传输辅助层中的每一个可比电子阻挡层厚。

在实施方式中，发射层的折射率可比空穴传输辅助层的折射率高。例如，发射层的折射率可为1.8或更大。在一个或多个实施方式中，发射层的折射率可为1.8或更大并且2.4或更小。折射率可为在约620nm的波长下测量的折射率的值。

在实施方式中，空穴传输层的厚度可等于或大于空穴传输辅助层的厚度。例如，空穴传输层的厚度可为100nm或更大并且300nm或更小，并且空穴传输辅助层的厚度可大于0nm并且100nm或更小。

在实施方式中，空穴传输层可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

其中，式201和式202的描述与本说明书中描述的相同。例如，可通过由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合来控制或选择空穴传输层的折射率。例如，由于由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合，空穴传输层的折射率可比空穴传输辅助层的折射率高。

在一个或多个实施方式中，空穴传输层可包括含芴基的胺类化合物。

在实施方式中，空穴传输辅助层可包括作为第一化合物的含环己基的胺类化合物。在实施方式中，可通过第一化合物来控制或选择空穴传输辅助层的折射率。例如，由于第一化合物(例如，第一化合物的类别中包括的化合物1-1，或化合物1-1和化合物1-2的组合)，空穴传输层的折射率可比空穴传输辅助层的折射率高。

在实施方式中，第一化合物可为由式1表示的化合物：

式1

其中，在式1中，

L₁₁至L₁₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

a11至a13可各自独立地为选自0至5的整数，

R₁₁至R₁₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，其中R₁₁至R₁₃中的至少一个可为未取代的或被至少一个R_10a取代的环己基，

R₁₁和R₁₂可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

R_10a可为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基。

在实施方式中，第一化合物可选自化合物1-1至化合物1-17：

在实施方式中，发射层可包括主体和掺杂剂，并且主体可包括由式2-1至式2-3中的至少一个表示的第二化合物：

其中，在式2-1至式2-3中，

X₂可为O、S或N(Z₂₁)，

L₂₂可为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

a22可为选自0至2的整数，

A₂₂可为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

R₂₁至R₂₄和Z₂₁可各自独立地为由式3表示的基团、由式4表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)或-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

b23可为选自0至3的整数，

b24可为选自0至4的整数，

b26可为选自0至6的整数，

在式2-1中，b24个R₂₁中的两个可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

在式2-2中，b23个R₂₁中的两个；或b26个R₂₂中的两个可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

在式2-3中，b23个R₂₁中的两个；b26个R₂₂中的两个；或b23个R₂₃中的两个可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

其中，在式3和式4中，

X₃₁可为N或C(Z₃₁)，X₃₂可为N或C(Z₃₂)，并且X₃₃可为N或C(Z₃₃)，

L₃₁至L₃₃和L₄₁至L₄₃可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

a31至a33和a41至a43可各自独立地为选自0至3的整数，

R₃₂、R₃₃、R₄₂、R₄₃和Z₃₁至Z₃₃可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)或-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

在式3中，Z₃₂和R₃₂；Z₃₃和R₃₂；Z₃₃和R₃₃；Z₃₁和R₃₃；或其任何组合可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

在式4中，R₄₂和R₄₃可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

*指示与相邻原子的键合位点，并且

R_10a、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃分别与参考式1描述的R_10a、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃相同，并且Q₁至Q₃分别与参考Q₁₁至Q₁₃描述的相同。

在一个或多个实施方式中，可通过第二化合物来控制或选择发射层的折射率。例如，由于第二化合物(例如，第二化合物的类别中包括的化合物2-1，或化合物2-1和化合物2-2的组合)，发射层的折射率可比空穴传输辅助层的折射率高。

掺杂剂的详细描述与本说明书中描述的相同。

在一个或多个实施方式中，第二化合物可为由式2-1a至式2-1m、式2-2a至式2-2f和式2-3a至式2-3f中的一个(例如，至少一个)表示的化合物：

/>

其中，在式2-1a至式2-1m、式2-2a至式2-2f和式2-3a至式2-3f中，

X₂、L₂₂、a22、A₂₂、R₂₂至R₂₄、b23、b24和b26分别与参考式2-1至式2-3描述的相同，

b25可为选自0至5的整数，

b27可为选自0至7的整数，

b28可为选自0至8的整数，

R_21a和R_21b各自与参考R₂₁描述的相同，并且

R_23a与参考R₂₃描述的相同。

例如，式2-1中的b24个R₂₁；以及式2-2和式2-3中的R₂₄中的至少一个可各自独立地为由式3表示的基团或由式4表示的基团。

在实施方式中，第二化合物可选自化合物2-1至化合物2-34：

/>

/>

在实施方式中，发射层可发射磷光。

在实施方式中，发射层可发射红光。

在实施方式中，第一电极可为阳极，

第二电极可为阴极，

夹层可进一步包括在发射层和第二电极之间的电子传输区，

空穴传输区可进一步包括空穴注入层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，发光装置可进一步包括：在第一电极外侧(例如，在第一电极的背对第二电极的一侧上)的第一封盖层；

在第二电极外侧(例如，在第二电极的背对第一电极的一侧上)的第二封盖层；或

第一封盖层和第二封盖层，

其中第一封盖层和第二封盖层各自独立地可包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物或其任何组合。

在根据本公开的实施方式的发光装置中，因为空穴传输层的折射率比空穴传输辅助层的折射率高，所以可增加发射至发光装置的第一电极(例如，阳极)和/或第二电极(例如，阴极)的外侧的光量，从而实现卓越的或适当的电荷平衡。当发光装置的空穴传输层具有包括第一空穴传输层以及在第一空穴传输层和发射层之间的第二空穴传输层的多层结构时，因为第一空穴传输层的折射率比第二空穴传输层的折射率高，也就是说，因为堆叠在空穴传输层和空穴传输辅助层之间的层具有逐渐降低的折射率，使得可进一步增加发射至外侧的光量，所以可增加发光装置的光提取效率，从而实现卓越的或适当的发光效率。

另外，当发光装置的发射层的折射率比空穴传输辅助层的折射率高时，由于折射率的差，可增加发光效率，并且因此，由于在保持相同亮度时需要相对低的电流，所以增加了发光装置的寿命。

相应地，发光装置可具有卓越的或适当的发光效率和长寿命，并且因此可用于制造高质量电子设备。

如在本文中使用的，措辞“(空穴传输辅助层)包括由式1表示的第一化合物”可理解为“(空穴传输辅助层)可包括一个种类的由式1表示的第一化合物或两个或更多个不同种类的各自由式1表示的第一化合物”。

例如，空穴传输辅助层可仅包括化合物1-1作为第一化合物。就此而言，化合物1-1可存在于发光装置的空穴传输辅助层中。在实施方式中，空穴传输辅助层可包括化合物1-1和化合物1-2作为第一化合物。就此而言，当空穴传输辅助层具有单层结构或多层结构时，化合物1-1和化合物1-2可存在于同一层中(例如，化合物1-1和化合物1-2可都(例如，同时)存在于第一空穴传输辅助层中)，或者，当空穴传输辅助层具有多层结构时，化合物1-1和化合物1-2可存在于不同的层中(例如，化合物1-1可存在于第一空穴传输辅助层中，并且化合物1-2可存在于第二空穴传输辅助层中)。这可同样适用于如本文中使用的措辞“空穴传输层包括含芴基的胺类化合物”和“发射层包括作为主体的第二化合物”中的每一个。

如在本文中使用的，术语“夹层”指位于发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有的多个层。

根据一个或多个实施方式，电子设备包括发光装置。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可进一步包括：包括源电极和漏电极的薄膜晶体管，其中发光装置的第一电极可电连接至源电极或漏电极。在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。电子设备的详细描述与本说明书中描述的相同。

图1的描述

图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。夹层130包括空穴传输区120和发射层131，空穴传输区120包括空穴传输层121和空穴传输辅助层122。

下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外设置在第一电极110下方和/或设置在第二电极150上。作为基板，可利用玻璃基板和/或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的或适当的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)，氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任何组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合。

第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130可设置在第一电极110上。夹层130可包括发射层131。

夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层131之间的空穴传输区120以及在发射层131和第二电极150之间的电子传输区。

除了一种或多种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物，和/或无机材料比如量子点等。

在一个或多个实施方式中，夹层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元，和ii)位于两个或更多个发射单元之间的电荷生成层。当夹层130包括如上述的两个或更多个发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区120

空穴传输区120可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)；或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

空穴传输区120可包括空穴传输层121和空穴传输辅助层122。

空穴传输区120可进一步包括空穴注入层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

例如，空穴传输区120可具有包括空穴注入层/空穴传输层121/空穴传输辅助层122结构、空穴注入层/空穴传输层121/空穴传输辅助层122/发射辅助层结构、空穴注入层/空穴传输层121/空穴传输辅助层122/电子阻挡层结构、空穴传输层121/空穴传输辅助层122/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层121/空穴传输辅助层122/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在各个结构中，从第一电极110以各自叙述的顺序依次堆叠构成层。

空穴传输区120可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可为*-O-*’、*-S-*’、*-N(Q₂₀₁)-*’、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

其中，在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c各自与本说明书中参考R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可为未取代的或被如本说明书中描述的至少一个R_10a取代。

在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，R₂₀₁可为由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任一个。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任一个，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括(例如，可排除)由式CY201至式CY217表示的基团中的任一个。

例如，空穴传输区120可包括化合物HT1至化合物HT48中的至少一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺TPD、螺NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合：

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空穴传输辅助层122可包括作为第一化合物的含环己基的胺类化合物。第一化合物的详细描述与本说明书中描述的相同。

空穴传输区120的厚度可在约

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例如，约/>

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的范围内。当空穴传输区120包括空穴注入层、空穴传输层121或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约/>

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的范围内，并且空穴传输层121的厚度可在约/>

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的范围内。当空穴传输区120、空穴注入层和空穴传输层121的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的空穴传输特点。

发射辅助层可根据由发射层131发射的光的波长通过补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少电子从发射层131泄露至空穴传输区。可包括在空穴传输区120中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了上述材料之外，空穴传输区120可进一步包括用于改善传导特点的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可为-3.5eV或更小。

在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物(将在下面更详细地描述)或其任何组合。

醌衍生物的示例可包括TCNQ和/或F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可包括HAT-CN和/或由式221表示的化合物等：

式221

其中，在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被下述取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；或其任何组合。

在含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。

金属的示例可包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)；或其任何组合。

准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)、碲(Te)或其任何组合。

非金属的示例可包括氧(O)、卤素(例如，F、Cl、Br、I等)或其任何组合。

例如，含元素EL1和元素EL2的化合物可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)、铼氧化物(例如，ReO₃等)或其任何组合。

金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物或其任何组合。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI或其任何组合。

碱土金属卤化物的示例可包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂、BaI₂或其任何组合。

过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)、金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)或其任何组合。

后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)、锡卤化物(例如，SnI₂等)或其任何组合。

镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃、SmI₃或其任何组合。

准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)、镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)或其任何组合。

夹层130中的发射层131

当发光装置10为全色发光装置时，发射层131可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层131可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开以发射白光。在一个或多个实施方式中，发射层131可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。

发射层131可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。

基于100重量份的主体，发射层131中掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。

在一个或多个实施方式中，发射层131可包括量子点。

在一些实施方式中，发射层131可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当(例如，用作)发射层131中的主体或掺杂剂。

发射层131的厚度可在约

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的范围内。当发射层131的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得卓越的或适当的光发射特点。

主体

主体可包括由式2-1至式2-3中的至少一个表示的第二化合物。式2-1至式2-3的描述与本说明书中描述的相同。

主体可进一步包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21，

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃可各自独立地与参考Q₁描述的相同。

在一个或多个实施方式中，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar₃₀₁可经单键彼此连接。

在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可为O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可分别与本说明书中参考式301描述的L₃₀₁、xb1和R₃₀₁相同，L₃₀₂至L₃₀₄可各自独立地与参考L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可各自独立地与参考xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可各自独立地与参考R₃₀₁描述的相同。

在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任何组合。例如，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其任何组合。

在实施方式中，主体可包括化合物H1至化合物H124中的至少一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或其任何组合：

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磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

在实施方式中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2，

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

L₄₀₂可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，其中，当xc2为2或更大时，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

式402

在式402中，X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可为单键、*-O-*’、*-S-*’、*-C(＝O)-*’、*-N(Q₄₁₁)-*’、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*’、

*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*’、*-C(Q₄₁₁)＝*’或*＝C＝*’，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可各自独立地与参考Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可各自独立地与参考Q₁描述的相同，

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*’各自指示与式401中的M的键合位点。

在实施方式中，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，并且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可为氮。

在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可任选地经作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，和/或两个环A₄₀₂可任选地经作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可各自独立地与参考T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可为有机配体。例如，L₄₀₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶甲酸盐基)、-C(＝O)基、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。

磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至化合物PD40中的至少一种或其任何组合：

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荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

在一个或多个实施方式中，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基、芘基等)。

在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。

在实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物FD1至化合物FD36中的至少一种；DPVBi；DPAVBi；或其任何组合：

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延迟荧光材料

发射层131可包括延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够通过延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。

取决于发射层131中包括的其他材料的类型和种类，发射层131中包括的延迟荧光材料可充当(例如，用作)主体或掺杂剂。

在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(单位：eV)和延迟荧光材料的单重态能级(单位：eV)之间的差可大于或等于0eV并且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(单位：eV)和延迟荧光材料的单重态能级(单位：eV)之间的差满足上述范围时，可有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的上转换，并且因此，可改善发光装置10的发光效率。

在实施方式中，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基和/或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(B)的同时稠合的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的示例可包括化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：

量子点

发射层131可包括量子点。

如在本文中使用的，术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸而发射一个或多个适当的发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。

可通过湿化学工艺、金属有机(例如，有机金属)化学气相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺或与其类似的任何工艺来合成量子点。

湿化学工艺为包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后使量子点颗粒晶体生长的方法。当晶体生长时，有机溶剂天然充当(例如，用作)配位在量子点颗粒晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长，以便可通过比气相沉积法，比如金属有机化学气相沉积工艺和/或分子束外延工艺更容易进行，成本低的工艺来控制或选择量子点颗粒晶体的生长。

量子点可包括：第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；第IV族元素或化合物；或其任何组合。

第II-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或其任何组合。

第III-V族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb；三元化合物，比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb；四元化合物，比如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb；或其任何组合。在一些实施方式中，第III-V族半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的示例可包括InZnP、InGaZnP和InAlZnP。

第III-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃和/或InTe；三元化合物，比如InGaS₃和/或InGaSe₃；或其任何组合。

第I-III-VI族半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂和/或AgAlO₂；或其任何组合。

第IV-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe；或其任何组合。

第IV族元素或化合物可包括：单元素材料，比如Si和/或Ge；二元化合物，比如SiC和/或SiGe；或其任何组合。

多元素化合物比如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物中包括的每种元素可以基本上均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。

在一些实施方式中，量子点可具有其中量子点中的每种元素的浓度为基本上均匀的单一结构，或核/壳双重结构。在实施方式中，在具有核/壳双重结构的量子点中，核中包含的材料和壳中包含的材料可彼此不同。

量子点的壳可充当(例如，用作)防止或减少核的化学变性以保持半导体特点的保护层，和/或充当赋予量子点电泳特点的充电层。壳可为单个层或多个层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝着核的中心降低的浓度梯度。

量子点的壳的示例可包括金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物、半导体化合物或其任何组合。金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物的示例可包括：二元化合物，比如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO；三元化合物，比如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄；或其任何组合。半导体化合物的示例可包括如在本文中描述的第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；或其任何组合。例如，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可等于或小于约45nm，例如，等于或小于约40nm，或，等于或小于约30nm，并且在这些范围内，可改善颜色纯度和/或颜色再现性。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善宽视角。

在一些实施方式中，量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。

因为可通过控制量子点的尺寸来调整能带隙，所以可从量子点发射层获得具有一个或多个适当的波长带的光。相应地，通过利用不同尺寸的量子点，可实施发射一个或多个适当的波长的光的发光装置。在实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。在一些实施方式中，量子点的尺寸可配置为通过组合一种或多种适当的颜色的光来发射白光。

夹层130中的电子传输区

电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)；或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施方式中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每个结构中，从发射层131以各自叙述的顺序依次堆叠构成层。

电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一种缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21,

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可各自独立地与参考Q₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar₆₀₁、L₆₀₁或R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，当式601中的xe11为2或更大时，两个或更多个Ar₆₀₁可经单键彼此连接。

在一个或多个实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自独立地与参考L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可各自独立地与参考xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自独立地与参考R₆₀₁描述的相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

在实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至ET47中的至少一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ或其任何组合：

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电子传输区的厚度可在约

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的范围内。当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地在约/>

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的范围内，并且电子传输层的厚度可在约/>

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的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子传输特点。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

在实施方式中，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：

电子传输区可包括利于来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极150。

电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层包括多种不同的材料(例如，由多种不同的材料组成)；或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可包括碱金属、碱土金属和/或稀土金属的一种或多种氧化物、一种或多种卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)或一种或多种碲化物，或其任何组合。

含碱金属化合物可包括：一种或多种碱金属氧化物，比如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O；一种或多种碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI；或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)和/或Ba_xCa_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任何组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃、Lu₂Te₃或其任何组合。

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括：i)碱金属的金属离子、碱土金属的金属离子和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。例如，电子注入层可为KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层和/或LiF:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

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的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得满意的电子注入特点。

第二电极150

第二电极150可设置在具有上述结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且用于形成第二电极150的材料可包括各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任何组合。

第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层可在第一电极110外侧(例如，在第一电极110的背对第二电极150的一侧上)，和/或第二封盖层可在第二电极150外侧(例如，在第二电极150的背对第一电极110的一侧上)。在实施方式中，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构。

发光装置10的夹层130的发射层131中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第一电极110和第一封盖层朝向外侧提取(例如，发射至外侧)，和/或发光装置10的夹层130的发射层131中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第二电极150和第二封盖层朝向外侧提取(例如，发射至外侧)。

第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理增加外部发光效率。相应地，可增加发光装置10的光提取效率，使得可改善发光装置10的发光效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括(在589nm的波长下)折射率为1.6或更大的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

第一封盖层或第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层或第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

在实施方式中，第一封盖层或第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，第一封盖层或第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至化合物HT33中的至少一种、化合物CP1至化合物CP6中的至少一种、β-NPB或其任何组合：

电子设备

发光装置可包括在一个或多个适当的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。发光装置的详细描述与上述的相同。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如在本文中描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可位于多个子像素区域之间，以限定多个子像素区域中的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。例如，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括(例如，可排除)量子点。量子点的详细描述与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自进一步包括散射体。

在实施方式中，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三-第一颜色光。就此而言，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。在实施方式中，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。

除了如上述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极或漏电极可电连接至发光装置的第一电极或第二电极。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光提取至外侧，并且同时(例如，并发地)防止或减少环境空气和/或水分渗透至发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板和/或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适当的功能层可另外设置在密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过利用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。

除了如上述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可应用于一个或多个适当的显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、一个或多个适当的测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和/或船只的仪表)和/或投影仪等。

图2和图3的描述

图2为根据实施方式的发光设备的横截面图。

图2的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板和/或金属基板。缓冲层210可设置在基板100上。缓冲层210可防止或减少穿过基板100的杂质的渗透，并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可设置在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体比如硅或多晶硅，有机半导体和/或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可设置在有源层220上，并且栅电极240可设置在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可设置在栅电极240上。夹层绝缘膜250可位于栅电极240和源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，以及位于栅电极240和漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可设置在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可放置为接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT可电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可设置在钝化层280上。钝化层280可放置为暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可放置为连接至漏电极270的暴露部分。

包括绝缘材料的像素限定层290可设置在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的一部分，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露部分中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。在一个实施方式中，夹层130的一个或多个层可以公共层的形式延伸超过像素限定层290的上部。

第二电极150可设置在夹层130上，并且封盖层170可另外形成在第二电极150上。封盖层170可形成为覆盖第二电极150。

封装部分300可设置在封盖层170上。封装部分300可设置在发光装置上以保护发光装置免受水分和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳族酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其任何组合；或无机膜和有机膜的任何组合。

图3为根据另一实施方式的发光设备的横截面图。

图3的发光设备与图2的发光设备基本上相同，只是遮光图案500和功能区400另外设置在封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，图3的发光设备中包括的发光装置可为串联发光装置。

制造方法

空穴传输区120中包括的各个层、发射层131和电子传输区中包括的各个层可通过利用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和/或激光诱导热成像等中的一种或多种适当的方法形成在某些区中。

当空穴传输区120中包括的层、发射层131和电子传输区中包括的层通过真空沉积形成时，真空沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

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的沉积速度下进行，这取决于待待形成的层中包括的材料和待形成的层的结构。

[术语的限定]

如在本文中使用的，术语“C₃-C₆₀碳环基”指仅由碳原子作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂环基”指除了1至60个碳原子之外具有杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基可具有3至61个成环原子。

如在本文中使用的，术语“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基。

如在本文中使用的，术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*’作为成环部分的环状基团。如在本文中使用的，术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指具有1至60个碳原子并且包括*-N＝*’作为成环部分的杂环基。

例如，

C₃-C₆₀碳环基可为i)T1基团或ii)其中两个或更多个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，C₃-C₆₀碳环基可为环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基可为i)T2基团，ii)其中至少两个T2基团彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，C₁-C₆₀杂环基可为吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为i)T1基团，ii)其中至少两个T1基团彼此稠合的稠环基团，iii)T3基团，iv)其中至少两个T3基团彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为C₃-C₆₀碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为i)T4基团，ii)其中至少两个T4基团彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团(例如，缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

基团T1可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

基团T2可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

基团T3可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

基团T4可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如在本文中使用的，术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基”、“C₁-C₆₀杂环基”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”各自指根据使用该对应的术语的式的结构，与任何环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团。例如，“苯基”可为苯并基、苯基和/或亚苯基等，这可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构而容易理解。

单价C₃-C₆₀碳环基和单价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基和二价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如，C₁-C₂₀烷基，并且其示例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚烷基”指具有与C₁-C₆₀烷基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间和/或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例可包括(例如，可为)乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚烯基”指具有与C₂-C₆₀烯基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间和/或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例可包括(例如，可为)乙炔基和/或丙炔基等。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚炔基”指具有与C₂-C₆₀炔基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，并且其示例可包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，并且其示例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指具有与C₃-C₁₀环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了1至10个碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的单价环状基团，并且其示例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且无芳香性的单价环状基团，并且其示例可包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指具有与C₃-C₁₀环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指在其环结构中除了1至10个碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子，以及至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的示例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、芴基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自独立地包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了1至60个碳原子之外还具有至少一个杂原子作为成环原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子作为成环原子(例如，具有8至60个碳原子)，并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，当总体考虑时不为芳族)的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的示例可包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、金刚烷基和茚并蒽基。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有与单价非芳族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，除了1至60个碳原子之外具有至少一个杂原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，当总体考虑时不为芳族)的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的示例可包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、氮杂金刚烷基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有与单价非芳族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳氧基”指由-OA₁₀₂表示的单价基团(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳硫基”指由-SA₁₀₃表示的单价基团(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如在本文中使用的，术语“C₇-C₆₀芳烷基”指由-A₁₀₄A₁₀₅表示的单价基团(其中A₁₀₄为C₁-C₅₄亚烷基，并且A₁₀₅为C₆-C₅₉芳基)，并且如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀杂芳烷基”指由-A₁₀₆A₁₀₇表示的单价基团(其中A₁₀₆为C₁-C₅₉亚烷基，并且A₁₀₇为C₁-C₅₉杂芳基)。

如在本文中使用的，术语“R_10a”指：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

如在本文中使用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基。

如在本文中使用的，术语“杂原子”指碳原子之外的任何原子。杂原子的示例可包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任何组合。

如在本文中使用的，术语“第三行过渡金属”如包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和/或金(Au)等。

如在本文中使用的，术语“Ph”指苯基，如在本文中使用的，术语“Me”指甲基，如在本文中使用的，术语“Et”指乙基，如在本文中使用的，术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如在本文中使用的，术语“OMe”指甲氧基。

如在本文中使用的，术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如在本文中使用的，术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另外限定，否则如在本文中使用的，*和*’各自指与对应的式或部分中的相邻原子的键合位点。

下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方式的发光装置。描述实施例中使用的措辞“使用B代替A”指利用相同摩尔当量的B代替A。

实施例

实施例1和比较例1和2

作为阳极，将康宁15Ω/cm²

ITO玻璃基板切成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且然后等离子体处理。然后，将所得玻璃基板装载至真空沉积设备上。

将PEDOT/PSS真空沉积在形成在玻璃基板上的ITO阳极上，以形成厚度为100nm的空穴注入层。将表1中显示的对应的空穴传输层化合物真空沉积在空穴注入层上，以形成厚度为130nm的空穴传输层。将表1中显示的对应的空穴传输辅助层化合物真空沉积在空穴传输层上，以形成具有表1中显示的对应厚度的空穴传输辅助层。

将表1中显示的对应的主体和PD40(掺杂剂)以98:2的重量比共沉积在空穴传输辅助层上，以形成厚度为40nm的发射层。

接下来，将ET46沉积在发射层上以形成厚度为5nm的第一电子传输层，并且然后，将ET47和ET-D1以1:1的重量比共沉积在第一电子传输层上以形成厚度为30nm的第二电子传输层。将LiF真空沉积在第二电子传输层上以形成厚度为1nm的电子注入层。

将Ag和Mg以95:5的重量比共沉积在电子注入层上以形成厚度为10nm的阴极，并且然后，将CP1沉积在阴极上以形成厚度为60nm的封盖层，从而完成发光装置的制造。

实施例2至实施例5和比较例3至比较例5

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是将HT47沉积在空穴传输辅助层上，以形成厚度为5nm的电子阻挡层。

表1

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评估例1：折射率的测量

利用椭圆计(美国，J.A.Wollam公司)测量实施例1至实施例5和比较例1至实施例5的发光装置中的每一个的空穴传输层和空穴传输辅助层在620nm的波长下的折射率，并且结果显示在表2中。在表2中，“Δ折射率”表示空穴传输层的折射率和空穴传输辅助层的折射率之间的差。以与上述基本上相同的方式测量实施例2至实施例5和比较例3至比较例5的电子阻挡层在620nm的波长下的折射率，并且测量值为1.84。

评估例2

为了评估根据实施例1至实施例5和比较例1至比较例5制造的发光装置的特点，通过利用源表(Keithley Instrument公司，2400系列)和亮度计PR650测量在10mA/cm²的电流密度下的驱动电压、发光效率和其寿命，并且结果显示在表2中。表2中的寿命为亮度达到初始亮度的90％时所用时间的度量，并且是基于比较例3的寿命值转换成百分比的值。表2中的发光效率是基于比较例3的发光效率值转换成百分比的值。

表2

从表2中确认了，实施例1至实施例5的空穴传输层各自具有比对应的空穴传输辅助层的折射率高的折射率。此外，确认了尽管比较例1至比较例5的空穴传输层各自具有比对应的空穴传输辅助层的折射率高的折射率，但是比较例1至比较例5的空穴传输辅助层具有大于1.8的折射率。

从表2中确认了，与比较例1至比较例5的发光装置相比，实施例1至实施例5的发光装置各自具有低驱动电压、改善的寿命和/或改善的发光效率。

如上述，根据一个或多个实施方式，发光装置由于其光提取效率的增加，可具有卓越的或适当的发光效率和长寿命，并且因此可用于制造高质量电子设备。

当描述本发明构思的实施方式时，“可”的使用指“本公开的一个或多个实施方式”。

将理解，当元件或层称为“在”另一元件或层“上”、“连接至”、“联接至”或“邻近”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、连接至、联接至或邻近另一元件或层，或可存在一个或多个居间元件或层。相比之下，当元件或层称为“直接在”另一元件或层上、“直接连接至”、“直接联接至”或“紧邻”另一元件或层时，不存在居间元件或层。

如在本文中使用的，术语“基本上”、“约”和类似的术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值中的固有偏差。如在本文中使用的，“约”或“近似”包括叙述的值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)而确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可意指在叙述的值的一个或多个标准偏差以内，或在叙述的值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。

并且，在本文中阐述的任何数值范围旨在包括落入阐述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括阐述的1.0的最小值和阐述的10.0的最大值之间(并且包括1.0和10.0)，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值的所有子范围，比如，例如，2.4至7.6。在本文中阐述的任何最大数值界限旨在包括落入其中的所有较低数值界限，并且本说明书中阐述的任何最小数值界限旨在包括落入其中的所有较高数值界限。相应地，申请人保留修改本说明书，包括权利要求书的权利，以明确地阐述落入在本文中明确地阐述的范围内的任何子范围。

可利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合，实施根据本文中描述的本发明的实施方式的电子设备和/或任何其他相关装置或组件。例如，可在一个集成电路(IC)芯片上或在分开的IC芯片上形成设备的各种组件。进一步，设备的各种组件可在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实施，或形成在一个基板上。进一步，设备的各种组件可为在一个或多个计算装置中的一个或多个处理器上运行的进程或线程，其执行计算机程序指令并与其他系统组件交互，用于进行本文中描述的各种功能。计算机程序指令存储在存储器中，该存储器可在使用标准存储装置的计算装置比如，例如，随机存取存储器(RAM)中实施。计算机程序指令也可存储在其他非瞬态计算机可读的介质比如，例如，CD-ROM或闪存驱动器等中。并且，本领域技术人员应认识到，在不背离本发明的示例性实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可横跨一个或多个其他计算装置分布。

应该理解，在本文中描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由下述权利要求和其等效方案限定的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，

其中所述夹层包括发射层以及在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区，

所述空穴传输区包括空穴传输层以及在所述空穴传输层和所述发射层之间的空穴传输辅助层，

所述空穴传输层具有单层结构或多层结构，其中，当所述空穴传输层具有包括第一空穴传输层以及在所述第一空穴传输层和所述发射层之间的第二空穴传输层的多层结构时，所述第一空穴传输层的折射率比所述第二空穴传输层的折射率高，

所述空穴传输层的折射率比所述空穴传输辅助层的折射率高，并且

所述空穴传输辅助层的折射率为1.8或更小。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输层的折射率为1.8或更大并且2.4或更小。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输层的所述折射率和所述空穴传输辅助层的所述折射率之间的差为0.1或更大。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输辅助层直接接触所述发射层。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输区进一步包括在所述空穴传输辅助层和所述发射层之间的电子阻挡层，

所述空穴传输辅助层直接接触所述电子阻挡层，并且

所述电子阻挡层直接接触所述发射层。

6.根据权利要求5所述的发光装置，其中所述空穴传输层和所述空穴传输辅助层中的每一个比所述电子阻挡层厚。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输层的厚度等于或大于所述空穴传输辅助层的厚度。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输层包括含芴基的胺类化合物。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输辅助层包括作为第一化合物的含环己基的胺类化合物。

10.根据权利要求9所述的发光装置，其中所述第一化合物为由式1表示的化合物：

式1

其中，在式1中，

L₁₁至L₁₃各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

a11至a13各自独立地为选自0至5的整数，

R₁₁至R₁₃各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，其中R₁₁至R₁₃中的至少一个为未取代的或被至少一个R_10a取代的环己基，

R₁₁和R₁₂任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或

-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基。

11.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层包括主体和掺杂剂，并且

所述主体包括由式2-1至式2-3中的至少一个表示的第二化合物：

其中，在式2-1至式2-3中，

X₂为O、S或N(Z₂₁)，

L₂₂为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

a22为选自0至2的整数，

A₂₂为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

R₂₁至R₂₄和Z₂₁各自独立地为由式3表示的基团、由式4表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)或-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

b23为选自0至3的整数，

b24为选自0至4的整数，

b26为选自0至6的整数，

在式2-1中，b24个R₂₁中的两个任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

在式2-2中，b23个R₂₁中的两个；或b26个R₂₂中的两个任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

在式2-3中，b23个R₂₁中的两个；b26个R₂₂中的两个；或b23个R₂₃中的两个任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

其中，在式3和式4中，

X₃₁为N或C(Z₃₁)，X₃₂为N或C(Z₃₂)，并且X₃₃为N或C(Z₃₃)，

L₃₁至L₃₃和L₄₁至L₄₃各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

a31至a33和a41至a43各自独立地为选自0至3的整数，

R₃₂、R₃₃、R₄₂、R₄₃和Z₃₁至Z₃₃各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)、-P(＝O)(Q₁)(Q₂)或-P(＝S)(Q₁)(Q₂)，

在式3中，Z₃₂和R₃₂；Z₃₃和R₃₂；Z₃₃和R₃₃；Z₃₁和R₃₃；或其任何组合任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

在式4中，R₄₂和R₄₃任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

*指示与相邻原子的键合位点，并且

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或

-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基。

12.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第二化合物为由式2-1a至式2-1m、式2-2a至式2-2f和式2-3a至式2-3f中的至少一个表示的化合物：

其中，在式2-1a至式2-1m、式2-2a至式2-2f和式2-3a至式2-3f中，

X₂、L₂₂、a22、A₂₂、R₂₂至R₂₄、b23、b24和b26分别与参考式2-1至式2-3描述的相同，

b25为选自0至5的整数，

b27为选自0至7的整数，

b28为选自0至8的整数，

R_21a和R_21b各自与参考R₂₁描述的相同，并且

R_23a与参考R₂₃描述的相同。

13.根据权利要求11所述的发光装置，其中式2-1中的b24个R₂₁；以及式2-2和式2-3中的R₂₄中的至少一个各自独立地为由式3表示的基团或由式4表示的基团。

14.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射磷光。

15.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射红光。

16.根据权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一电极为阳极，

所述第二电极为阴极，

所述夹层进一步包括在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，

所述空穴传输区进一步包括空穴注入层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且

所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

17.根据权利要求1所述的发光装置，进一步包括：

在所述第一电极外侧的第一封盖层；

在所述第二电极外侧的第二封盖层；或

所述第一封盖层和所述第二封盖层，

其中所述第一封盖层和/或所述第二封盖层各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物或其任何组合。

18.一种电子设备，包括根据权利要求1至17中任一项所述的发光装置。

19.根据权利要求18所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，

其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且

所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极。

20.根据权利要求18所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。

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