CN116209294A

CN116209294A - 发光装置和包括其的电子设备

Info

Publication number: CN116209294A
Application number: CN202211523828.6A
Authority: CN
Inventors: 朴镇佑; 金富倍; 李硕宰; 李在津
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-11-30
Filing date: 2022-11-30
Publication date: 2023-06-02
Also published as: KR20230081928A; US20230171984A1

Abstract

本申请提供了发光装置和包括其的电子设备。该发光装置包括第一电极；面向第一电极的第二电极；位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件；以及m‑1个电荷生成层。包括在m个发射部件中的第一发射部件中的第一空穴传输区包括第一空穴传输材料，包括在m个发射部件中的第二发射部件中的第二空穴传输区包括第二空穴传输材料，并且第一空穴传输材料的折射率大于第二空穴传输材料的折射率。

Description

发光装置和包括其的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请基于并且要求在韩国知识产权局(KIPO)于2021年11月30日提交的韩国专利申请第10-2021-0169333号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

背景技术

发光装置中的有机发光装置为自发射装置，其与本领域中的装置相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性。

有机发光装置可包括位于基板上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁到基态，从而生成光。

发明内容

一个或多个实施方式包括具有改善的效率的发光装置和包括其的电子设备。

另外的方面将部分地在如下的描述中陈述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过本公开呈现的实施方式的实践而了解到。

根据一个或多个实施方式，发光装置包括第一电极、面向第一电极的第二电极、位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件以及各自位于m个发射部件中的两个相邻发射部件之间并且各自包括n型电荷生成层和p型电荷生成层的m-1个电荷生成层，其中m为2或更大的整数，m个发射部件各自包括按顺序依次设置的空穴传输区、发射层和电子传输区，包括在m个发射部件中的第一发射部件中的第一空穴传输区包括第一空穴传输材料，包括在m个发射部件中的第二发射部件中的第二空穴传输区包括第二空穴传输材料，并且第一空穴传输材料的折射率大于第二空穴传输材料的折射率。

从m个发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长可不同于从m个发射部件中的其余发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长。

从m个发光部件中的每一个发射的光的最大发射波长可彼此相等。

第一空穴传输区的厚度和第二空穴传输区的厚度可彼此相等。

第一空穴传输区可直接接触第一电极；第二空穴传输区可直接接触第一电荷生成层的p型电荷生成层，并且第一电荷生成层位于第一发射部件和第二发射部件之间；或第一空穴传输区直接接触第一电极，并且第二空穴传输区可直接接触第一电荷生成层的p型电荷生成层，并且第一电荷生成层位于第一发射部件和第二发射部件之间。

第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个，并且电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。

第一空穴传输区可包括包含第一空穴传输材料的第一空穴传输层，并且第二空穴传输区可包括包含第二空穴传输材料的第二空穴传输层。

第一空穴传输层的厚度和第二空穴传输层的厚度可彼此相等。

第一空穴传输层可直接接触第一电极；第二空穴传输层可直接接触m-1个电荷生成层中的第一电荷生成层的p型电荷生成层，并且第一电荷生成层位于第一发射部件和第二发射部件之间；或第一空穴传输层可直接接触第一电极，并且第二空穴传输层可直接接触m-1个电荷生成层中的第一电荷生成层的p型电荷生成层，并且第一电荷生成层位于第一发射部件和第二发射部件之间。

第一空穴传输材料的折射率可为约1.8或更大且约2.8或更小，并且第二空穴传输材料的折射率可为约1.5或更大且约2.5或更小。

第一空穴传输材料的折射率和第二空穴传输材料的折射率之间的差可为约0.1或更大且约0.5或更小。

根据一个或多个实施方式，发光装置包括分别根据第一子像素、第二子像素和第三子像素布置的第一电极，面向第一电极的第二电极，位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件，以及各自位于m个发射部件中的两个相邻发射部件之间并且各自包括n型电荷生成层和p型电荷生成层的m-1个电荷生成层，其中m为2或更大的整数，m个发射部件各自包括按顺序设置的空穴传输区、发射层和电子传输区，发射层包括位于第一子像素中并且发射第一颜色光的第一发射层、位于第二子像素中并且发射第二颜色光的第二发射层以及位于第三子像素中并且发射第三颜色光的第三发射层，包括在m个发射部件中的第一发射部件中的第一空穴传输区包括第一空穴传输材料，包括在m个发射部件中的第二发射部件中的第二空穴传输区包括第二空穴传输材料，并且第一空穴传输材料的折射率大于第二空穴传输材料的折射率。

第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。

根据一个或多个实施方式，发光装置包括分别根据第一子像素、第二子像素和第三子像素布置的第一电极，面向第一电极的第二电极，位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件，以及各自位于m个发射部件中的两个相邻发射部件之间并且各自包括n型电荷生成层和p型电荷生成层的m-1个电荷生成层，其中m为2或更大的整数，m个发射部件各自包括按顺序依次设置的空穴传输区、辅助层、发射层和电子传输层，发射层包括位于第一子像素中并且发射第一颜色光的第一发射层、位于第二子像素中并且发射第二颜色光的第二发射层以及位于第三子像素中并且发射第三颜色光的第三发射层，辅助层包括位于第一子像素中并且位于空穴传输区和第一发射层之间的第一辅助层、位于第二子像素中并且位于空穴传输区和第二发射层之间的第二辅助层以及位于第三子像素中并且位于空穴传输区和第三发射层之间的第三辅助层，包括在m个发射部件中的第一发射部件中的第一辅助层包括第一第一辅助层、第一第二辅助层和第一第三辅助层，包括在m个发射部件中的第二发射部件中的第二辅助层包括第二第一辅助层、第二第二辅助层和第二第三辅助层，第一第一辅助层、第一第二辅助层和第一第三辅助层各自独立地包括第一空穴传输材料，第二第一辅助层、第二第二辅助层和第二第三辅助层各自独立地包括第二空穴传输材料，并且第一空穴传输材料的折射率大于第二空穴传输材料的折射率。

第一第一辅助层的厚度和第二第一辅助层的厚度可彼此相等，第一第二辅助层的厚度和第二第二辅助层的厚度可彼此相等，并且第一第三辅助层的厚度和第二第三辅助层的厚度可彼此相等。

电子设备可包括发光装置。

电子设备可进一步包括薄膜晶体管，其中薄膜晶体管可包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可电连接至源电极或漏电极。

电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层和偏振层中的至少一个。

根据一个或多个实施方式，电子设备包括发光装置。

附图说明

本公开的某些实施方式的上述以及其他的方面、特征和优势将从结合所附附图的下述描述中更显而易见，其中：

图1至图3各自显示根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；

图4和图5各自为根据实施方式的发光设备的示意性横截面图；

图6为测量化合物A和化合物B在每个波长下的折射率的结果；并且

图7A至图7C为分别在红光、绿光和蓝光下测量实施例1和比较例1的发光装置的室温寿命的结果。

具体实施方式

现将详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的描述。因此，以下通过参考图仅描述实施方式，以解释描述的各方面。术语“和/或”包括相关配置可以限定的一个或多个的所有组合。例如，“A和/或B”可理解为意指“A，B，或A和B”。出于其含义和解释的目的，短语“中的至少一个”旨在包括“选自……的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可理解为意指“A，B，或A和B”(即，A，B，或其任何组合)。

因为本公开可具有不同的修改的实施方式，所以在附图中阐释实施方式并且在详细描述中描述实施方式。当参考参照附图描述的实施方式时，本公开的效果和特性以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本公开可具体化为许多不同的形式，并且不应解释为限于本文陈述的实施方式。

下文中，将参考所附附图详细地描述本公开的实施方式。相同的或对应的组件将由相同的附图标记表示，并且因此将省略其冗余的描述。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种组件，但是这些组件不应受这些术语的限制。这些组件仅用于区分一个组件与另一组件。

以单数使用的表述囊括复数的表述，除非其在上下文中具有明显不同的含义。

将进一步理解，本文中使用的术语“包含”和/或“包括”指定存在叙述的特征或元件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征或元件。将理解，术语“接触”、“连接至”和“联接至”可包括物理和/或电接触、连接或联接。

在下述实施方式中，当各种组件比如层、膜、区、板等被称为“在”另一组件“上”时，这不仅可包括其中其他组件“直接在”层、膜、区或板“上”的情况，而且可包括其中其他组件可放置在它们之间的情况。为了方便解释，可放大附图中元件的尺寸。换句话说，因为为了方便解释，随意阐释了附图中的组件的尺寸和厚度，所以下述实施方式不限于此。

如本文中使用的术语“夹层”指在发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有层。

在实施方式中，发光装置可包括第一电极，面向第一电极的第二电极，位于第一电极和第二电极之间的m个发射单元(或部件)，以及各自位于m个发射单元中的两个相邻发射单元之间并且各自包括n型电荷生成层和p型电荷生成层的m-1个电荷生成层，其中m可为2或更大的整数，m个发射单元可各自包括以叙述的顺序依次设置的空穴传输区、发射层和电子传输区，包括在m个发射单元中的第一发射单元中的第一空穴传输区可包括第一空穴传输材料，包括在m个发射单元中的第二发射单元中的第二空穴传输区可包括第二空穴传输材料，并且第一空穴传输材料的折射率可大于第二空穴传输材料的折射率。

发射单元的数量m可根据目的而变化，并且数量的上限没有特别限制。在实施方式中，发光装置可包括2个、3个、4个、5个或6个发射单元。本文中的发射单元没有特别限制，只要发射单元具有能够发射光的功能即可。在实施方式中，发射单元可包括一个或多个发射层。当需要时，发射单元可进一步包括除发射层之外的有机层。

包括在m个发射单元中的发射层可各自独立地发射红光、绿光、蓝光和/或白光。例如，包括在m个发射单元中的a个发射单元中的发射层可发射蓝光，包括在b个发射单元中的发射层可发射红光，包括在c个发射单元中的发射层可发射绿光，并且包括在d个发射单元中的发射层可发射白光。a、b、c和d的总和(它们中的每一个为0或更大的整数)为m。例如，包括在m个发射单元中的a个发射单元中的发射层中的每一个可发射蓝光，并且蓝光可各自独立地具有基于前峰(front peak)波长的大于或等于约400nm且小于或等于约490nm的最大发射波长。例如，包括在a个发射单元中的发射层中的至少一个可发射蓝光，并且蓝光的最大发射波长可大于或等于约450nm且小于或等于约490nm。

在实施方式中，从m个发射单元中的至少一个发射的光的最大发射波长可不同于从其余发射单元中的至少一个发射单元发射的光的最大发射波长。例如，在其中第一发射单元和第二发射单元堆叠的发光装置中，从第一发射单元发射的光的最大发射波长可不同于从第二发射单元发射的光的最大发射波长。在该情况下，第一发射单元的发射层和第二发射单元的发射层可各自独立地具有i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由不同材料组成，或iii)具有由不同材料组成的多个层的多层结构。因此，从第一发射单元或第二发射单元发射的光可为单色光或混色光。在实施方式中，在其中第一发射单元、第二发射单元和第三发射单元堆叠的发光装置中，从第一发射单元发射的光的最大发射波长可与从第二发射单元发射的光的最大发射波长相同，但是不同于从第三发射单元发射的光的最大发射波长。在实施方式中，从第一发射单元发射的光的最大发射波长、从第二发射单元发射的光的最大发射波长和从第三发射单元发射的光的最大发射波长可彼此不同。

在另一实施方式中，在m为4的情况下，发光装置可为其中第一发射单元、第二发射单元、第三发射单元和第四发射单元堆叠的装置，第一发射单元至第三发射单元可各自发射蓝色荧光，并且第四发射单元可发射绿色磷光。在实施方式中，m个发射单元中的至少一个发射单元可包括第一发射层和第二发射层。

在另一实施方式中，在m为4的情况下，因为第一发射单元包括具有如上所述的多层结构的发射层，所以从第一发射单元发射的光可为混色光，第二发射单元和第三发射单元可发射蓝色荧光，并且第四发射单元可发射绿色磷光。

在另一实施方式中，从m个发射单元发射的光的最大发射波长可均相同。

在实施方式中，包括在m个发射单元中的m个发射层可各自独立地包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料或其任何组合。

例如，所有m个发射层可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或延迟荧光材料。

在一个或多个实施方式中，m个发射层中的至少一个可包括磷光掺杂剂并且其余发射层可包括荧光掺杂剂。在一个或多个实施方式中，m个发射层中的至少一个可包括磷光掺杂剂并且其余发射层可包括延迟荧光材料。在一个或多个实施方式中，m个发射层中的至少一个可包括荧光掺杂剂并且其余发射层可包括延迟荧光材料。

在一个或多个实施方式中，m个发射层中的至少一个可包括磷光掺杂剂，其余发射层中的至少一个可包括荧光掺杂剂，并且其余发射层中的剩余发射层可包括延迟荧光材料。

电荷生成层包括在m个发射单元中的两个相邻发射单元之间。在本文中，术语“相邻”指相邻发射单元中位于彼此最接近的发射单元的位置关系。在实施方式中，“两个相邻发射单元”指发射单元中位于彼此最接近的两个发射单元的位置关系。“相邻”可指其中两个层彼此物理接触的情况，以及其中未提及的另一层可位于两个层之间的情况。例如，“与第二电极相邻的发射单元”指位于最接近第二电极的发射单元。并且，第二电极和发射单元可彼此物理接触。然而，在实施方式中，除发射单元之外的层可位于第二电极和发射单元之间。在实施方式中，电子传输层可位于第二电极和发射单元之间。然而，电荷生成层可位于两个相邻发射单元之间。

“电荷生成层”可相对于两个相邻发射单元中的一个发射单元生成电子，并且因此充当阴极，并且可相对于另一个发射单元生成空穴，并且因此充当阳极。电荷生成层不直接连接至电极，并且可分隔相邻发射单元。包括m个发射单元的发光装置可含有m-1个电荷生成层。

m-1个电荷生成层中的每一个可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层。这里，n型电荷生成层和p型电荷生成层可直接彼此接触以形成NP结。通过NP结，可在n型电荷生成层和p型电荷生成层之间同时生成电子和空穴。所生成的电子可通过n型电荷生成层转移到两个相邻发射单元中的一个。所生成的空穴可通过p型电荷生成层转移到两个相邻发射单元中的另一个。另外，因为m-1电荷生成层中的每一个包括n型电荷生成层和p型电荷生成层，所以包括m-1个电荷生成层的发光装置可各自包括m-1个n型电荷生成层和m-1个p型电荷生成层。

n型指n型半导体特性，即注入或传输电子的特性。p型指p型半导体特性，即注入或传输空穴的特性。

m个发射单元各自包括以叙述的顺序依次设置的空穴传输区、发射层和电子传输区。包括在m个发射单元中的第一发射单元中的第一空穴传输区可包括第一空穴传输材料，包括在m个发射单元中的第二发射单元中的第二空穴传输区可包括第二空穴传输材料，并且第一空穴传输材料的折射率大于第二空穴传输材料的折射率。

在实施方式中，在m为2的情况下，第一发射单元可位于第一电极和第一电荷生成层之间，并且第二发射单元可位于第一电荷生成层和第二电极之间。包括在第一发射单元中的第一空穴传输区可包括第一空穴传输材料，并且包括在第二发射单元中的第二空穴传输区可包括第二空穴传输材料。

在一个或多个实施方式中，在m为3的情况下，第一发射单元可位于第一电极和第一电荷生成层之间，第二发射单元可位于第一电荷生成层和第二电荷生成层之间，并且第三发射单元可位于第二电荷生成层和第二电极之间。包括在第一发射单元中的第一空穴传输区可包括第一空穴传输材料，包括在第二发射单元中的第二空穴传输区可包括第二空穴传输材料，并且包括在第三发射单元中的第三空穴传输区可包括第三空穴传输材料。第一空穴传输材料的折射率可大于第二空穴传输材料的折射率，并且第二空穴传输材料的折射率可大于第三空穴传输材料的折射率。

在实施方式中，第一空穴传输区的厚度和第二空穴传输区的厚度可彼此相同。

在实施方式中，第一空穴传输区可直接接触第一电极，第二空穴传输区可直接接触位于第一发射单元和第二发射单元之间的第一电荷生成层的p型电荷生成层，或其组合是可能的。

在一个或多个实施方式中，第一空穴传输区可直接接触包括在第一发射单元中的第一发射层，第二空穴传输区可直接接触包括在第二发射单元中的第二发射层，或其组合是可能的。

在一个或多个实施方式中，第一空穴传输区可直接接触第一电极和包括在第一发射单元中的第一发射层，第二空穴传输区可直接接触位于第一发射单元和第二发射单元之间的第一电荷生成层以及包括在第二发射单元中的第二发射层，或其组合是可能的。

在实施方式中，第一电极可为阳极，第二电极可为阴极，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施方式中，第一空穴传输区可包括包含第一空穴传输材料的第一空穴传输层，并且第二空穴传输区可包括包含第二空穴传输材料的第二空穴传输层。

在实施方式中，第一空穴传输层的厚度和第二空穴传输层的厚度可彼此相同。在实施方式中，第一空穴传输层的厚度和第二空穴传输层的厚度可各自独立地为约

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在实施方式中，第一空穴传输层可直接接触第一电极，第二空穴传输层可直接接触位于第一发射单元和第二发射单元之间的第一电荷生成层的p型电荷生成层，或其组合是可能的。

在一个或多个实施方式中，第一空穴传输层可直接接触包括在第一发射单元中的第一发射层，第二空穴传输层可直接接触包括在第二发射单元中的第二发射层，或其组合是可能的。

在一个或多个实施方式中，第一空穴传输层可直接接触第一电极和包括在第一发射单元中的第一发射层，第二空穴传输层可直接接触位于第一发射单元和第二发射单元之间的第一电荷生成层以及包括在第二发射单元中的第二发射层，或其组合是可能的。

在实施方式中，第一空穴传输材料的折射率可为约1.8或更大且约2.8或更小，并且第二空穴传输材料的折射率可为约1.5或更大且约2.5或更小。例如，折射率可为在约380nm至约480nm的波长下的折射率。在实施方式中，第一空穴传输材料的折射率可为约1.8或更大且约2.6或更小，并且第二空穴传输材料的折射率可为约1.6或更大且约2.3或更小。在实施方式中，第一空穴传输材料的折射率可为约1.8或更大且约2.0或更小，并且第二空穴传输材料的折射率可为约1.6或更大且约1.8或更小。

在实施方式中，第一空穴传输材料的折射率和第二空穴传输材料的折射率之间的差可为约0.1或更大且约0.5或更小。在实施方式中，第一空穴传输材料的折射率和第二空穴传输材料的折射率之间的差可为约0.1或更大且约0.4或更小。在实施方式中，第一空穴传输材料的折射率和第二空穴传输材料的折射率之间的差可在约0.1或更大且约0.3或更小的范围内。

第一空穴传输材料和第二空穴传输材料的类型没有限制，只要材料的类型满足以上折射率的条件即可。

例如，第一空穴传输层和第二空穴传输层可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

式201和式202各自与说明书中描述的相同。

在实施方式中，第一空穴传输材料可为含芴基化合物、含咔唑基化合物、含芳基胺基化合物、含二芳基胺基化合物、含三芳基胺基化合物、含二苯并呋喃基化合物、含二苯并噻吩基化合物、含二苯并噻咯基化合物或其任何组合，并且第二空穴传输材料可为含苯基化合物、含萘基化合物、被至少一个C₃-C₃₀碳环基取代的含芳基胺基化合物或其任何组合，但是实施方式不限于此。例如，C₃-C₃₀碳环基可为环己烷基、降冰片烷基、金刚烷基或其任何组合。

因为发光装置中的第一空穴传输材料的折射率大于第二空穴传输材料的折射率，所以形成内部反射界面以增加相长干涉，并且因此，共振增加，从而改善外耦合效率。另外，在第一空穴传输材料的折射率和第二空穴传输材料的折射率之间的差为约0.1或更大且约0.5或更小的情况下，如从菲涅尔方程可见，可进一步改善外耦合效率。特别地，因为空穴传输材料的外耦合效率根据折射率差而改善，而与其他特性(例如，空穴迁移率)无关，所以可改善发光效率和寿命特性。因此，发光装置，例如，有机发光装置，可具有高发光效率和长寿命。

<菲涅尔方程>

折射率

在菲涅尔方程中，n1为第一空穴传输材料的折射率，并且n2为第二空穴传输材料的折射率。

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，每种结构的构成层从发射层依次堆叠。电子传输区与说明书中描述的相同。

根据一个或多个实施方式，发光装置可包括根据第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个布置的第一电极，面向第一电极的第二电极，位于第一电极和第二电极之间的m个发射单元，以及各自位于m个发射单元中的两个相邻发射单元之间并且各自包括n型电荷生成层和p型电荷生成层的m-1个电荷生成层，其中m可为2或更大的整数，m个发射单元可各自包括以叙述的顺序依次设置的空穴传输区、发射层和电子传输区，发射层可包括位于第一子像素中并且发射第一颜色光的第一发射层、位于第二子像素中并且发射第二颜色光的第二发射层以及位于第三子像素中并且发射第三颜色光的第三发射层，第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可彼此相同或不同，包括在m个发射单元中的第一发射单元中的第一空穴传输区可包括第一空穴传输材料，包括在m个发射单元中的第二发射单元中的第二空穴传输区可包括第二空穴传输材料，并且第一空穴传输材料的折射率可大于第二空穴传输材料的折射率。第一空穴传输材料和第二空穴传输材料可各自与说明书中描述的相同。

在实施方式中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。

在一个或多个实施方式中，发光装置可包括根据第一子像素、第二子像素和第三子像素布置的第一电极，面向第一电极的第二电极，位于第一电极和第二电极之间的m个发射单元，以及各自位于m个发射单元中的两个相邻发射单元之间并且各自包括n型电荷生成层和p型电荷生成层的m-1个电荷生成层，其中m为2或更大的整数，m个发射单元可各自包括以叙述的顺序依次设置的空穴传输区、辅助层、发射层和电子传输层，发射层可包括位于第一子像素中并且发射第一颜色光的第一发射层、位于第二子像素中并且发射第二颜色光的第二发射层和位于第三子像素中并且发射第三颜色光的第三发射层，其中第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光彼此相同或不同，辅助层可包括位于第一子像素中并且位于空穴传输区和第一发射层之间的第一辅助层，位于第二子像素中并且位于空穴传输区和第二发射层之间的第二辅助层，以及位于第三子像素中并且位于空穴传输区和第三发射层之间的第三辅助层，包括在m个发射单元中的第一发射单元中的第一辅助层可包括第一第一辅助层、第一第二辅助层和第一第三辅助层，包括在m个发射单元中的第二发射单元中的第二辅助层可包括第二第一辅助层、第二第二辅助层和第二第三辅助层，第一第一辅助层、第一第二辅助层和第一第三辅助层可各自独立地包括第一空穴传输材料，第二第一辅助层、第二第二辅助层和第二第三辅助层可各自独立地包括第二空穴传输材料，并且第一空穴传输材料的折射率可大于第二空穴传输材料的折射率。第一空穴传输材料和第二空穴传输材料各自与说明书中描述的相同。

在实施方式中，第一第一辅助层的厚度和第二第一辅助层的厚度可相同，第一第二辅助层的厚度和第二第二辅助层的厚度可相同，并且第一第三辅助层的厚度和第二第三辅助层的厚度可相同。

在实施方式中，包括在第一第一辅助层、第一第二辅助层和第一第三辅助层中的第一空穴传输材料可相同，并且包括在第二第一辅助层、第二第二辅助层和第二第三辅助层中的第二空穴传输材料可相同。

在一个或多个实施方式中，电子设备可包括发光装置。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可进一步包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管，其中发光装置的第一电极可电连接至源电极或漏电极。在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。关于电子设备的更多细节，可参考本文中提供的相关描述。

[图1的描述]

图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10为例示在m为2的情况下的发光装置的附图，但是实施方式不限于此。

如在图1中阐释，发光装置10可包括第一电极110，面向第一电极110的第二电极190，和夹层150。夹层150可包括堆叠在第一电极110和第二电极190之间的两个发射单元150-1和150-2(下文中也称为第一发射单元150-1和第二发射单元150-2)，以及电荷生成层170-1(下文中也称为第一电荷生成层170-1)。

发光装置10可包括最接近第一电极110的第一发射单元150-1和最接近第二电极190的第二发射单元150-2。

发光装置10可包括位于第一发射单元150-1和第二发射单元150-2之间的第一电荷生成层170-1。

第一发射单元150-1可包括以叙述的顺序依次设置的第一空穴传输区140-1、第一发射层152-1和第一电子传输区160-1。

第二发射单元150-2可包括以叙述的顺序依次设置的第二空穴传输区140-2、第二发射层152-2和第二电子传输区160-2。

第一空穴传输区140-1和第二空穴传输区140-2可各自独立地包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

第一空穴传输区140-1可包括第一空穴传输材料，并且第二空穴传输区140-2可包括第二空穴传输材料。第一空穴传输材料和第二空穴传输材料各自与说明书中描述的相同。

例如，第一空穴传输区140-1可包括第一空穴传输层(未显示)，并且第一空穴传输层可包括第一空穴传输材料。

例如，第二空穴传输区140-2可包括第二空穴传输层(未显示)，并且第二空穴传输层可包括第二空穴传输材料。

第一电荷生成层170-1可包括第一n型电荷生成层171-1和第一p型电荷生成层172-1。第一n型电荷生成层171-1可直接接触第一p型电荷生成层172-1。

下文中，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

[第一电极110]

在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极190上方。作为基板，可使用玻璃基板或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过，例如，在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。在第一电极110为透射电极的情况下，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任何组合。在一个或多个实施方式中，在第一电极110为半透射电极或反射电极的情况下，用于形成第一电极110的材料可包含镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合。

第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[夹层150]

夹层150位于第一电极110上。夹层150可包括发射层152-1和152-2。

夹层150可包括i)依次堆叠在第一电极110和第二电极190之间的两个发射单元150-1和150-2或更多个发射单元，和ii)位于两个发射单元150-1和150-2之间的电荷生成层170-1，或位于更多个发射单元之间的电荷生成层。在夹层150包括发射单元150-1和150-2以及电荷生成层170-1的情况下，发光装置10可为串联发光装置。

两个发光单元150-1和150-2可各自包括以叙述的顺序依次设置的空穴传输区140-1和140-2、发射层152-1和152-2以及电子传输区160-1和160-2，或更多个发射单元可各自包括以叙述的顺序依次设置的空穴传输区、发射层和电子传输区。

除了各种有机材料之外，夹层150可进一步包括含金属化合物(比如有机金属化合物)和无机材料(比如量子点)等。

[夹层150中的空穴传输区140-1和140-2]

空穴传输区140-1和140-2可具有i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由不同材料组成，或iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

空穴传输区140-1和140-2可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

例如，空穴传输区140-1和140-2可具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每个结构中，各层从第一电极110以叙述的顺序依次堆叠。

空穴传输区140-1和140-2可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

例如，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c可各自为与R_10a的描述相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可未被取代或被如上所述的R_10a取代。

在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY201至环CY204可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，R₂₀₁可由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY217中的一个表示的基团。

在实施方式中，空穴传输区140-1和140-2可包括化合物HT1至HT46中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合：

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空穴传输区140-1和140-2的厚度可在约

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的范围内。在空穴传输区140-1和140-2包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合的情况下，空穴注入层的厚度可在约/>

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的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约/>

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的范围内。在空穴传输区140-1和140-2、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在驱动电压没有明显增加的情况下获得满意的空穴传输特性。

发射辅助层可通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡电子从发射层泄漏到空穴传输区。可包括在空穴传输区140-1和140-2中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

[p-掺杂剂]

除了如上所述的材料之外，空穴传输区140-1和140-2可进一步包括用于改善导电特性的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区140-1和140-2中(例如，以由电荷生成材料组成的单层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可为约-3.5eV或更小。

在一个或多个实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或其任何组合。

醌衍生物的示例为TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例为HAT-CN和由式221表示的化合物：

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被下述取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基：氰基，-F，-Cl，-Br，-I，被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任何组合取代的C₁-C₂₀烷基，或其任何组合。

在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。

金属的示例为碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)。碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)、过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)、后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的示例为硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的示例为氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

包含元素EL1和元素EL2的化合物的示例为金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例为钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的示例为碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的示例为LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的示例为BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的示例为钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的示例为锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的示例为YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。

准金属卤化物的示例为锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的示例为碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

[夹层150中的发射层152-1和152-2]

在发光装置10为全色发光装置的情况下，对于每个子像素，发射层152-1和152-2可被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层152-1和152-2可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开以发射白光。在一个或多个实施方式中，发射层152-1和152-2可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。

发射层152-1和152-2可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。

基于100重量份的主体，发射层152-1和152-2中掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。

在一个或多个实施方式中，发射层152-1和152-2可包括量子点。

在一个或多个实施方式中，发射层152-1和152-2可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层152-1和152-2中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度152-1和152-2可在约

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的范围内。在发射层152-1和152-2的厚度在这些范围内的情况下，可在驱动电压没有明显增加的情况下获得卓越的发光特性。

[主体]

在一个或多个实施方式中，主体可包括由以下式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21。

在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃各自与本文中关于Q₁₁描述的相同。

例如，在式301中的xb11为2或更大的情况下，两个或更多个Ar₃₀₁可经由单键彼此连接。

在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：

式301-1

式301-2

在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可为O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可各自与本文中描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可各自独立地为与本文中关于L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可各自独立地为与本文中关于xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可各自与本文中关于R₃₀₁描述的相同。

在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任何组合。例如，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其任何组合。

在实施方式中，主体可包括化合物H1至H124中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或其任何组合：

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[磷光掺杂剂]

在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2。

在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，并且在xc1为2或更大的情况下，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

式402

/>

L₄₀₂可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，并且在xc2为2或更大的情况下，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

在式402中，

X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、

*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可各自与本文中关于Q₁₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可各自与本文中关于Q₁₁描述的相同，

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。

例如，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，并且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂可各自为氮。

在一个或多个实施方式中，在式401中的xc1为2或更大的情况下，两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可任选地经由作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，并且两个环A₄₀₂可任选地经由作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(见化合物PD1至PD4和PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可各自与本文中关于T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可为有机配体。例如，L₄₀₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸基)、-C(＝O)、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。

磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至PD39中的一种，或其任何组合：

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[荧光掺杂剂]

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。

例如，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

例如，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。

在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。

例如，荧光掺杂剂可包括化合物FD1至FD36中的一种、DPVBi、DPAVBi或其任何组合：

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[延迟荧光材料]

在一个或多个实施方式中，发射层152-1和152-2可包括延迟荧光材料。

在说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。

包括在发射层152-1和152-2中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层152-1和152-2中的其他材料的类型。

在一个或多个实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可大于或等于约0eV且小于或等于约0.5eV。在延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围的情况下，可有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的上转换，并且因此，可改善发光装置10的发光效率。

例如，延迟荧光材料可包括i)包括至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，比如咔唑基)和至少一个电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(B)的同时稠合的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的示例可包括下述化合物DF1至DF9中的至少一种：

[量子点]

在一个或多个实施方式中，发射层152-1和152-2可包括量子点。

如本文中使用的术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。

量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺来合成。

湿化学工艺为包括将前体材料与有机溶剂混合并且使量子点颗粒晶体生长的方法。在晶体生长的情况下，有机溶剂天然充当配位在量子点颗粒晶体的表面上的分散剂，并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒晶体的生长可通过比气相沉积方法(比如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))的成本更低且更容易进行的工艺来控制。

量子点可包括第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第III-VI族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物、第IV族元素或化合物或其任何组合。

第II-VI族半导体化合物的示例可包括二元化合物，比如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS，三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS，四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe或其任何组合。

第III-V族半导体化合物的示例可包括二元化合物，比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，比如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或其任何组合。第III-V族半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的示例为InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

第III-VI族半导体化合物的示例可包括二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃或InTe；三元化合物，比如InGaS₃或InGaSe₃；或其任何组合。

第I-III-VI族半导体化合物的示例可包括三元化合物，比如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂，或其任何组合。

第IV-VI族半导体化合物的示例可包括二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或其任何组合。

第IV族元素或化合物可包括单元素，比如Si或Ge；二元化合物，比如SiC或SiGe，或其任何组合。

包括在多元素化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。

量子点可具有其中量子点中的每种元素的浓度为均匀的单一结构，或核和壳的双重结构。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可彼此不同。

量子点的壳可充当防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层，并且/或者充当赋予量子点电泳特性的充电层。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有其中壳中存在的元素的浓度朝向核的中心降低的浓度梯度。

量子点的壳的示例可为金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物，或其任何组合。金属、准金属或非金属的氧化物的示例可包括二元化合物，比如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄或NiO；三元化合物，比如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄或CoMn₂O₄；或其任何组合。半导体化合物的示例可包括如本文中描述的第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第III-VI族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物或其任何组合。例如，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加颜色纯度或颜色再现性。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可改善宽视角。

另外，量子点可呈球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。

因为能带隙可通过控制量子点的尺寸来调节，所以可从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可实施发射各种波长的光的发光装置。在一个或多个实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可配置为通过各种颜色的光的组合来发射白光。

[夹层150中的电子传输区160-1和160-2]

电子传输区160-1和160-2可具有i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由不同材料组成，或iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

电子传输区160-1和160-2可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

例如，电子传输区160-1和160-2可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每种结构的构成层从发射层依次堆叠。

在实施方式中，电子传输区160-1和160-2(例如，电子传输区160-1和160-2中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

在实施方式中，电子传输区160-1和160-2可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21。

在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可各自与本文中关于Q₁₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，在式601中的xe11为2或更大的情况下，两个或更多个Ar₆₀₁可经由单键彼此连接。

在其他实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在一个或多个实施方式中，电子传输区160-1和160-2可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自与本文中关于L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可各自与本文中关于xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自与本文中关于R₆₀₁描述的相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区160-1和160-2可包括化合物ET1至ET45中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ或其任何组合：

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电子传输区160-1和160-2的厚度可在约

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的范围内。在电子传输区160-1和160-2包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合的情况下，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地为约/>

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并且电子传输层的厚度可为约/>

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在缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区160-1和160-2的厚度在这些范围内的情况下，可在驱动电压没有明显增加的情况下获得满意的电子传输特性。

除了上述材料之外，电子传输区160-1和160-2(例如，电子传输区160-1和160-2中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

例如，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：

电子传输区160-1和160-2可包括利于电子从第二电极190注入的电子注入层。电子注入层可直接接触第二电极190。

电子注入层可具有i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由不同材料组成，或iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或其任何组合。

含碱金属化合物可包括碱金属氧化物，比如Li₂O、Cs₂O或K₂O，碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)或Ba_xCa_1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任何组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合作为与金属离子键合的配体。

电子注入层可由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合组成。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在一个或多个实施方式中，电子注入层可由i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合组成。例如，电子注入层可为LiF:Yb共沉积层、KI:Yb共沉积层或RbI:Yb共沉积层等。

在电子注入层进一步包括有机材料的情况下，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

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的范围内。在电子注入层的厚度在上述范围内的情况下，可在驱动电压没有明显增加的情况下获得满意的电子注入特性。

[第二电极190]

第二电极190可位于上述的夹层150上。第二电极190可为作为电子注入电极的阴极，并且作为用于第二电极190的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、电导性化合物或其任何组合。

第二电极190可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。第二电极190可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极190可具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。

[封盖层]

第一封盖层可布置在第一电极110外部，和/或第二封盖层可布置在第二电极190外部。详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层150和第二电极190以该叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层150、第二电极190和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层150、第二电极190和第二封盖层以该叙述的顺序依次堆叠的结构。

发光装置10的夹层150的发射层152-1和152-2中生成的光可通过第一电极110(其为半透射电极或透射电极)和第一封盖层向外提取，并且发光装置10的夹层150的发射层152-1和152-2中生成的光可通过第二电极190(其为半透射电极或透射电极)和第二封盖层向外提取。

根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可增加外部发射效率。因此，发光装置10的光提取效率增加，从而发光装置10的发光效率可得到改善。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括具有约1.6或更大的折射率(在约589nm)的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。任选地，碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

例如，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至HT33中的一种、化合物CP1至CP6中的一种、β-NPB或其任何组合：

[图2的描述]

图2为根据实施方式的发光装置20的示意性横截面图。发光装置20为例示在m为2的情况下的发光装置的附图，但是实施方式不限于此。因为作为图1中通常阐释的图2的组件的功能与图1的组件的功能相同或相似，所以将省略其详细解释。

如在图2中显示，发光装置20可包括分别根据第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3布置的第一电极110，面向第一电极110的第二电极190，和夹层150。夹层150可包括堆叠在第一电极110和第二电极190之间的两个发射单元150-1和150-2以及电荷生成层170-1。

第一发射层152-1可包括位于第一子像素SP1中并且发射第一第一颜色光的第一第一发射层152a-1，位于第二子像素SP2中并且发射第二第一颜色光的第二第一发射层152b-1，和位于第三子像素SP3中并且发射第三第一颜色光的第三第一发射层152c-1。在实施方式中，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。

第二发射层152-2可包括位于第一子像素SP1中并且发射第一第二颜色光的第一第二发射层152a-2，位于第二子像素SP2中并且发射第二第二颜色光的第二第二发射层152b-2，和位于第三子像素SP3中并且发射第三第二颜色光的第三第二发射层152c-2。在实施方式中，第一第二颜色光可为红光，第二第二颜色光可为绿光，并且第三第二颜色光可为蓝光。

第一空穴传输区140-1可以以公共层的形式位于第一电极110与包括第一第一发射层152a-1、第二第一发射层152b-1和第三第一发射层152c-1的第一发射层152-1之间。

第二空穴传输区140-2可以以公共层的形式位于包括在第一电荷生成层170-1中的第一p型电荷生成层172-1与包括第一第二发射层152a-2、第二第二发射层152b-2和第三第二发射层152c-2的第二发射层152-2之间。

第一电子传输区160-1可以以公共层的形式位于包括第一第一发射层152a-1、第二第一发射层152b-1和第三第一发射层152c-1的第一发射层152-1与包括在第一电荷生成层170-1中的第一n型电荷生成层171-1之间。

第二电子传输区160-2可以以公共层的形式位于包括第一第二发射层152a-2、第二第二发射层152b-2和第三第二发射层152c-2的第二发射层152-2与第二电极190之间。

第一空穴传输区140-1可包括第一空穴传输材料，并且第二空穴传输区140-2可包括第二空穴传输材料。

[图3的描述]

图3阐释了根据实施方式的发光装置30的示意性横截面图。发光装置30为例示在m为2的情况下的发光装置的附图，但是实施方式不限于此。因为图3的组件的功能与图1或图2的组件的功能相同或相似，所以将省略其详细解释。

如图3中显示，第一发射单元150-1可包括以叙述的顺序依次设置的第一空穴传输区140-1、第一辅助层151-1、第一发射层152-1和第一电子传输区160-1。

第一辅助层151-1可包括布置在第一子像素SP1中的第一第一辅助层151a-1、布置在第二子像素SP2中的第二第一辅助层151b-1和布置在第三子像素SP3中的第三第一辅助层151c-1。

第二发射单元150-2可包括以叙述的顺序依次设置的第二空穴传输区140-2、第二辅助层151-2、第二发射层152-2和第二电子传输区160-2。

第二辅助层151-2可包括布置在第一子像素SP1中的第一第二辅助层151a-2、布置在第二子像素SP2中的第二第二辅助层151b-2和布置在第三子像素SP3中的第三第二辅助层151c-2。

第一第一辅助层151a-1、第二第一辅助层151b-1和第三第一辅助层151c-1可各自独立地包括第一空穴传输材料。包括在第一第一辅助层151a-1中的第一第一空穴传输材料、包括在第二第一辅助层151b-1中的第二第一空穴传输材料和包括在第三第一辅助层151c-1中的第三第一空穴传输材料可各自彼此相同或不同。例如，第一第一空穴传输材料、第二第一空穴传输材料和第三第一空穴传输材料可彼此相同。

第一第二辅助层151a-2、第二第二辅助层151b-2和第三第二辅助层151c-2可各自独立地包括第二空穴传输材料。包括在第一第二辅助层151a-2中的第一第二空穴传输材料、包括在第二第二辅助层151b-2中的第二第二空穴传输材料和包括在第三第二辅助层151c-2中的第三第二空穴传输材料可彼此相同或不同。例如，第一第二空穴传输材料、第二第二空穴传输材料和第三第二空穴传输材料可彼此相同。

第一第一空穴传输材料的折射率可大于第一第二空穴传输材料的折射率。

第二第一空穴传输材料的折射率可大于第二第二空穴传输材料的折射率。

第三第一空穴传输材料的折射率可大于第三第二空穴传输材料的折射率。

[电子设备]

发光装置可包括在各种电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。关于发光装置的细节，可参考以上提供的相关描述。在一个或多个实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如本文中描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括子像素区域，滤色器可包括分别对应于子像素区域的滤色器区域，并且颜色转换层可包分别对应于子像素区域的括颜色转换区域。

像素限定膜可位于多个子像素区域之间以限定多个子像素区域中的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的多个遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的多个遮光图案。

滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，滤色器区域(或颜色转换区域)可包括量子点。尤其，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。关于量子点的细节，可参考本文中提供的相关描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。

例如，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三第一颜色光。就此而言，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可具有不同的最大发射波长。尤其，第一光可为蓝光，第一第一颜色光可为红光，第二第一颜色光可为绿光，并且第三第一颜色光可为蓝光。

除了上述发光装置之外电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任何一个可电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任何一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可位于颜色转换层和/或滤色器与发光装置之间。密封部分允许光来自发光装置的光被提取到外部，并且同时防止环境空气和水分渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。在密封部分为薄膜封装层的情况下，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的使用，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可另外位于密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。

除了如上所述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。

电子设备可应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医疗工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉冲测量装置、脉冲波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、仪表(例如，用于车辆、飞机和船只的仪表)和投影仪等。

[图4和图5的描述]

图4为阐释根据本公开的实施方式的发光设备的示意性横截面图。

图4的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可位于基板100上。缓冲层210可防止通过基板100的杂质的渗透并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可位于缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电极240可位于栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可位于栅电极240和源电极260之间以及在栅电极240和漏电极270之间，以使它们彼此绝缘。

源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可布置为接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层150和第二电极190。

第一电极110可位于钝化层280上。钝化层280可布置为暴露漏电极270的一部分而不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可布置为连接至漏电极270的暴露部分。

包括绝缘材料的像素限定膜290可位于第一电极110上。像素限定膜290可暴露第一电极110的特定区，并且夹层150可形成于第一电极110的暴露区中。像素限定膜290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图4中未显示，但是夹层150中的至少一些层可延伸至像素限定膜290的上部，从而以公共层的形式布置。

第二电极190可设置在夹层150上，并且封盖层195可另外形成在第二电极190上。封盖层195可形成为覆盖第二电极190。

封装部分300可沉积在封盖层195上。封装部分300可位于发光装置上以保护发光装置免受水分或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，该无机膜包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，该有机膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其任何组合，或无机膜和有机膜的任何组合。

图5为根据另一实施方式的发光设备的示意性横截面图。

图5的发光设备与图4的发光设备基本上相同，只是遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一个或多个实施方式中，包括在图5的发光设备中的发光装置可为串联发光装置。

[制造方法]

构成空穴传输区140-1和140-2、发射层152-1和152-2、电子传输区160-1和160-2的各个层可各自通过使用各种方法比如真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像(LITI)形成于特定区中。

在空穴传输区140-1和140-2、发射层152-1和152-2以及电子传输区160-1和160-2的层中的每一个通过真空沉积形成的情况下，可根据待形成的层的材料和结构来选择沉积条件，例如，以包括约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约/>

/秒的沉积速度。

[术语的定义]

如本文中使用的术语“C₃-C₆₀碳环基”指仅由碳原子作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如本文中使用的术语“C₁-C₆₀杂环基”指具有1至60个碳原子并且除了碳原子之外进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基具有3至61个成环原子。

如本文中使用的“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基。

如本文中使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文中使用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指具有1至60个碳原子并且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基。

例如，

C₃-C₆₀碳环基可为i)T1基团或ii)其中两个或更多个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基可为i)T2基团，ii)其中两个或更多个T2基团彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为i)T1基团，ii)其中两个或更多个T1基团彼此稠合的稠环基团，iii)T3基团，iv)其中两个或更多个T3基团彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，C₃-C₆₀碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为i)T4基团，ii)其中两个或更多个T4基团彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如本文中使用的术语“环状基团、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、富π电子的C₃-C₆₀环状基团或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指根据使用对应术语的式的结构，与任何环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团。例如，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，这可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构容易理解。

单价C₃-C₆₀碳环基和单价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团。二价C₃-C₆₀碳环基和二价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，并且其具体示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文中使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”指与C₁-C₆₀烷基具有相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文中使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”指与C₂-C₆₀烯基具有相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例包括乙炔基和丙炔基。如本文中使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”指与C₂-C₆₀炔基具有相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)表示的单价基团，并且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如本文中使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文中使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指与C₃-C₁₀环烷基具有相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的1至10个碳原子的单价环状基团，并且具体示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文中使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指与C₁-C₁₀杂环烷基具有相同的结构的二价基团。

本文中使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”指具有3至10个碳原子，在其环中具有至少一个碳-碳双键并且无芳香性的单价环状基团，并且其具体示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文中使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指与C₃-C₁₀环烯基具有相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子并且在其环状结构(或环结构)中具有至少一个双键的1至10个碳原子的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文中使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指与C₁-C₁₀杂环烯基具有相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文中使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。在C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环的情况下，这些环可彼此稠合。

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有1至60个碳原子的杂环芳族系统的单价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子。如本文中使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有1至60个碳原子的杂环芳族系统的二价基团，该杂环芳族系统除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。在C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环的情况下，这些环可彼此稠合。

如本文中使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环，仅碳原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的示例包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”指与上述的单价非芳族稠合多环基团具有相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指具有彼此稠合的两个或更多个环，除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子，且在其整个分子结构中具有无芳香性的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指与上述的单价非芳族稠合杂多环基团具有相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”指示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基”指示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

本文中使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基”指-A₁₀₄A₁₀₅(其中A₁₀₄可为C₁-C₅₄亚烷基，并且A₁₀₅可为C₆-C₅₉芳基)，并且本文中使用的术语“C₂-C₆₀杂芳基烷基”指-A₁₀₆A₁₀₇(其中A₁₀₆可为C₁-C₅₉亚烷基，并且A₁₀₇可为C₁-C₅₉杂芳基)。

如本文中使用的术语“R_10a”指

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基，

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基或C₂-C₆₀杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合，或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中本文中使用的Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为氢，氘，-F，-Cl，-Br，-I，羟基，氰基，硝基，C₁-C₆₀烷基，C₂-C₆₀烯基，C₂-C₆₀炔基，C₁-C₆₀烷氧基，各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，C₇-C₆₀芳基烷基，或C₂-C₆₀杂芳基烷基。

如本文中使用的术语“杂原子”指碳原子之外的任何原子。杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se和其任何组合。

本文中使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和金(Au)等。

如本文中使用的“Ph”指苯基，如本文中使用的“Me”指甲基，如本文中使用的“Et”指乙基，如本文中使用的“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且如本文中使用的“OMe”指甲氧基。

如本文中使用的术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”为具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如本文中使用的术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”为具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另外定义，否则如本文中使用的*和*'各自指与对应的式或部分中的相邻原子的结合位点。

下文中，将参考下述合成例和实施例详细地描述根据实施方式的化合物和根据实施方式的发光装置。描述合成例中使用的措辞“使用B代替A”意指使用相同摩尔当量的B代替A。

[实施例]

实施例1

第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极通过在厚度为约

/约/>

的玻璃基板上图案化Ag/ITO作为阳极电极来形成。

将NDP-9(4-[[2,3-双[氰基-(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]-氰甲基]-2,3,5,6-四氟苯甲腈，Novaled)沉积在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极上以形成厚度为约

的第一空穴注入层，并且将化合物A(其为含芳基胺基化合物)沉积在其上以形成厚度为约/>

的第一空穴传输层。

在蓝色子像素区域内，将作为主体的CBP和作为蓝色掺杂剂的FD14以约97:约3的重量比共沉积在第一空穴传输层上，以形成厚度为约

的蓝色有机发射层。在红色子像素区域内，将作为主体的CBP和作为红色掺杂剂的Ir(btp)₂(acac)以约97:约3的重量比共沉积在第一空穴传输层上，以形成厚度为约/>

的红色有机发射层。在绿色子像素区域内，将作为主体的CBP和作为绿色掺杂剂的Ir(ppy)₃以约96:约4的重量比沉积在空穴传输层上，以形成厚度为约/>

的绿色有机发射层，从而形成包括蓝色有机发射层、红色有机发射层和绿色有机发射层的第一发射层。

将ET37沉积在蓝色有机发射层、红色有机发射层和绿色有机发射层上，以形成厚度为约

的第一缓冲层，将ET29和Liq以约1:约1的比率共沉积在其上，以形成厚度为约

的第一电子传输层，从而形成包括第一空穴注入层、第一空穴传输层、第一发射层、第一缓冲层和第一电子传输层的第一发射单元。

将ET36和Yb(Yb的量为约1wt％)共沉积在第一电子传输层上，以形成厚度为约

的n型电荷生成层，并且将HT3沉积在其上以形成厚度为约/>

的p型电荷生成层，从而形成第一电荷生成层。

将NDP-9(Novaled)沉积在第一电荷生成层上以形成厚度为约

的第二空穴注入层，并且将化合物B(其为被至少一个C₃-C₃₀碳环基取代的含芳基胺基化合物)沉积在其上以形成厚度为约/>

的第二空穴传输层。将与第一发射层相同的第二发射层形成在第二空穴传输层上。

在第二发射层上，形成分别与第一缓冲层和第一电子传输层相同的第二缓冲层和第二电子传输层，从而形成包括第二空穴注入层、第二空穴传输层、第二发射层、第二缓冲层和第二电子传输层的第二发射单元。

将AgMg沉积在第二电子传输层上以形成厚度为约

的阴极，并且将HT28沉积在阴极上以形成厚度为约/>

的封盖层，从而完成有机发光装置的制造。

/>

比较例1

有机发光装置以与实施例1基本上相同的方式制造，只是当形成第一空穴传输层时使用化合物B。

评估例1：折射率的测量

关于化合物A和化合物B，使用Ellipsometer(由韩国的K-mac制造)测量在每种波长下的折射率，并且其结果显示在图6和表1中。

表1

化合物	折射率(在460nm)	折射率(在530nm)	折射率(在620nm)
				A	2.043	1.954	1.907
B	1.871	1.811	1.779

从表1和图6可见，化合物B的折射率小于化合物A的折射率。

评估例2

对于根据实施例1和比较例1制造的有机发光装置，通过使用彩色亮度仪、Keithley源表设备和固定电流室温寿命设备测量在1,500尼特的亮度下的电流效率(Cd/A)。其结果显示在表2和表3中。室温寿命显示在图7A至图7C中。

表2

表3

从表2和表3以及图7A至图7C可见，与比较例1的有机发光装置相比，实施例1的有机发光装置具有改善的红光、绿光、蓝光和白光的发光效率以及室温寿命。

虽然已参考附图中阐释的实施方式描述了本公开，但是本文中提供的这些实施方式仅用于阐释性目的，并且本领域普通技术人员可理解，这些实施方式包括各种修改和其等效实施方式。因此，本公开的真实范围应由所附权利要求的技术构思来确定。

发光装置可具有高效率，并且因此可用于制造具有卓越的发光效率和长寿命的高质量电子设备。

上述描述是本公开的技术特征的示例，并且本公开所属领域的技术人员将能够进行各种修改和变更。因此，上述公开的实施方式可以单独实施或彼此组合实施。

因此，本公开中公开的实施方式不旨在限制本公开的技术精神，而是旨在描述本公开的技术精神，并且本公开的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。本公开的保护范围应由所附权利要求来解释，并且应解释为等效范围内的所有技术精神都包括在本公开的范围内。

Claims

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

位于所述第一电极和所述第二电极之间的m个发射部件；以及

各自位于所述m个发射部件中的两个相邻发射部件之间并且各自包括n型电荷生成层和p型电荷生成层的m-1个电荷生成层，其中

m为2或更大的整数，

所述m个发射部件各自包括按顺序设置的空穴传输区、发射层和电子传输区，

包括在所述m个发射部件中的第一发射部件中的第一空穴传输区包括第一空穴传输材料，

包括在所述m个发射部件中的第二发射部件中的第二空穴传输区包括第二空穴传输材料，并且

所述第一空穴传输材料的折射率大于所述第二空穴传输材料的折射率。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中从所述m个发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长不同于从所述m个发射部件中的其余发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中从所述m个发光部件中的每一个发射的光的最大发射波长彼此相等。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一空穴传输区的厚度和所述第二空穴传输区的厚度彼此相等。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中：

所述第一空穴传输区直接接触所述第一电极；

所述第二空穴传输区直接接触所述m-1个电荷生成层中的第一电荷生成层的所述p型电荷生成层，并且所述第一电荷生成层位于所述第一发射部件和所述第二发射部件之间；或

所述第一空穴传输区直接接触所述第一电极，并且所述第二空穴传输区直接接触所述m-1个电荷生成层中的所述第一电荷生成层的所述p型电荷生成层，并且所述第一电荷生成层位于所述第一发射部件和所述第二发射部件之间。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中：

所述第一电极为阳极，

所述第二电极为阴极，

所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一个，并且

所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中：

所述第一空穴传输区包括包含所述第一空穴传输材料的第一空穴传输层，并且

所述第二空穴传输区包括包含所述第二空穴传输材料的第二空穴传输层。

8.如权利要求7所述的发光装置，其中所述第一空穴传输层的厚度和所述第二空穴传输层的厚度彼此相等。

9.如权利要求7所述的发光装置，其中：

所述第一空穴传输层直接接触所述第一电极；

所述第二空穴传输层直接接触所述m-1个电荷生成层中的第一电荷生成层的所述p型电荷生成层，并且所述第一电荷生成层位于所述第一发射部件和所述第二发射部件之间；或

所述第一空穴传输层直接接触所述第一电极，并且所述第二空穴传输层直接接触所述m-1个电荷生成层中的所述第一电荷生成层的所述p型电荷生成层，并且所述第一电荷生成层位于所述第一发射部件和所述第二发射部件之间。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中：

所述第一空穴传输材料的折射率为1.8或更大且2.8或更小，并且

所述第二空穴传输材料的折射率为1.5或更大且2.5或更小。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一空穴传输材料的所述折射率和所述第二空穴传输材料的所述折射率之间的差为0.1或更大且0.5或更小。

12.一种发光装置，包括：

分别根据第一子像素、第二子像素和第三子像素布置的第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；

位于所述第一电极和所述第二电极之间的m个发射部件；以及

m为2或更大的整数，

所述发射层包括位于所述第一子像素中并且发射第一颜色光的第一发射层、位于所述第二子像素中并且发射第二颜色光的第二发射层以及位于所述第三子像素中并且发射第三颜色光的第三发射层，

13.如权利要求12所述的发光装置，其中所述第一空穴传输材料的所述折射率和所述第二空穴传输材料的所述折射率之间的差为0.1或更大且0.5或更小。

14.如权利要求12所述的发光装置，其中：

所述第一颜色光为红光，

所述第二颜色光为绿光，并且

所述第三颜色光为蓝光。

15.一种发光装置，包括：

面向所述第一电极的第二电极；

位于所述第一电极和所述第二电极之间的m个发射部件；以及

m为2或更大的整数，

所述m个发射部件各自包括按顺序设置的空穴传输区、辅助层、发射层和电子传输区，

所述发射层包括：

位于所述第一子像素中并且发射第一颜色光的第一发射层；

位于所述第二子像素中并且发射第二颜色光的第二发射层；以及

位于所述第三子像素中并且发射第三颜色光的第三发射层，

所述辅助层包括：

位于所述第一子像素中并且在所述空穴传输区和所述第一发射层之间的第一辅助层；

位于所述第二子像素中并且在所述空穴传输区和所述第二发射层之间的第二辅助层；以及

位于所述第三子像素中并且在所述空穴传输区和所述第三发射层之间的第三辅助层，

包括在所述m个发射部件中的第一发射部件中的所述第一辅助层包括第一第一辅助层、第一第二辅助层和第一第三辅助层，

包括在所述m个发射部件中的第二发射部件中的所述第二辅助层包括第二第一辅助层、第二第二辅助层和第二第三辅助层，

所述第一第一辅助层、所述第一第二辅助层和所述第一第三辅助层各自独立地包括第一空穴传输材料，

所述第二第一辅助层、所述第二第二辅助层和所述第二第三辅助层各自独立地包括第二空穴传输材料，并且

16.如权利要求15所述的发光装置，其中所述第一空穴传输材料的所述折射率和所述第二空穴传输材料的所述折射率之间的差为0.1或更大且0.5或更小。

17.如权利要求16所述的发光装置，其中：

所述第一第一辅助层的厚度和所述第二第一辅助层的厚度彼此相等，

所述第一第二辅助层的厚度和所述第二第二辅助层的厚度彼此相等，并且

所述第一第三辅助层的厚度和所述第二第三辅助层的厚度彼此相等。

18.一种电子设备，包括如权利要求1至17中任一项所述的发光装置。

19.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括：

薄膜晶体管，其中

所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且

所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。

20.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括：

滤色器、颜色转换层、触摸屏层和偏振层中的至少一个。