CN114566599A - 发光装置及包括发光装置的电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及发光装置，包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的包括发射层的中间层，其中：所述中间层进一步包括位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区；相对于100wt％的所述第一电极，所述第一电极包含大于约0wt％且等于或小于约8wt％的量的氧化锡；以及所述空穴传输区包含如本文定义的由式1表示的化合物。

Description

发光装置及包括发光装置的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年11月27日提交的第10-2020-0163050号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请出于所有目的通过援引并入本文，如同在本文中完全阐述一样。

技术领域

本发明的实施方案一般涉及显示装置，并且更具体地涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

背景技术

发光装置是自发射装置，其具有广视角、高对比度和短响应时间，并且在亮度、驱动电压和响应速度方面显示出优异的特性。

在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。从第一电极注入的空穴通过无助于在发射层内部产生的激子间的光发射的非发光激子传输区移动至发射层，并且从第二电极注入的电子通过电子传输区移动至发射层。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

本背景技术章节中公开的以上信息仅用于对本发明构思的背景的理解，并且因此它可以含有不构成现有技术的信息。

发明内容

根据本发明的原理和示例性实施方式构造的发光装置和包括该发光装置的电子设备在第一电极中具有低浓度的氧化锡，并且在空穴传输区中具有由式1表示的化合物，并且因此，可以具有降低的生产成本，同时具有与现有技术的发光装置的驱动电压、效率和使用寿命相等的驱动电压、效率和使用寿命。

本发明构思的其它特征将在以下描述中阐述，并且在某种程度上根据所述描述将是显而易见的，或者可以通过本发明构思的实践而获悉。

根据本发明的一个方面，发光装置包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；以及在所述第一电极与所述第二电极之间的包括发射层的中间层，其中：所述中间层进一步包括位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区，相对于100wt％的所述第一电极，所述第一电极包含大于约0wt％且等于或小于约8wt％的量的氧化锡，以及所述空穴传输区包含由式1表示的化合物：

式1

(M)(X)n

其中，在式1中，

M是过渡金属，

X是卤素元素，以及

n是1至4的整数。

所述第一电极可以进一步包含氧化铟、氧化铟锌、氧化锌或其任意组合。

相对于100wt％的所述第一电极，可以存在大于约1wt％且等于或小于约7wt％的量的氧化锡。

所述第一电极可以具有具有约5.15eV至约5.4eV的绝对值的功函。

变量M可以是钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、锝、铼、铁、钌、锇、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、银、金、锌或其任意组合。

变量M可以是铜、银、金或其任意组合。

变量X可以是F、Cl、Br、I或其任意组合。

所述由式1表示的化合物可以是CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr或AgI。

所述空穴传输区可以进一步包含空穴传输材料。

基于100重量份的所述空穴传输材料，可以存在约0.01重量份至约49.99重量份的量的所述由式1表示的化合物。

所述由式1表示的化合物可以包括p-掺杂剂。

所述空穴传输区可以具有具有约2.0eV至约2.5eV的绝对值的最低未占据分子轨道能级。

所述第一电极可以具有具有第一绝对值的功函，并且所述空穴传输区的所述最低未占据分子轨道能级可以具有小于所述第一绝对值的第二绝对值。

所述第一电极可以具有具有第一绝对值的功函，并且所述空穴传输区可以具有具有第二绝对值的最低未占据分子轨道能级，以及所述第一绝对值与所述第二绝对值之间的差可以是约2.65eV至约3.4eV。

所述空穴传输区可以包括空穴注入层，所述空穴注入层可以直接接触所述第一电极并且可以包含所述由式1表示的化合物。

所述中间层可以进一步包括在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，并且可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

所述空穴传输区和所述发射层中的至少一个可以包含含芳基胺的化合物、含吖啶的化合物、含咔唑的化合物或其任意组合，或者所述发射层和所述电子传输区中的至少一个可以包含含硅的化合物、含氧化膦的化合物、含氧化硫的化合物、含氧化磷的化合物、含三嗪的化合物、含嘧啶的化合物、含吡啶的化合物、含二苯并呋喃的化合物、含二苯并噻吩的化合物或其任意组合。

电子设备可以包括如上描述的发光装置。

所述电子设备可以包括具有源电极和漏电极的薄膜晶体管，以及所述发光装置的所述第一电极可以电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一个。

所述电子设备可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

应理解，前述的一般描述和以下的详细描述两者是示例性且解释性的，并且旨在提供对要求保护的发明的进一步解释。

附图说明

包括附图以提供对本发明的进一步理解以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分，附图例示出本发明的实施方案，并且与描述一起用于解释本发明构思。

图1是根据本发明的原理构造的发光装置的实施方案的示意性横截面视图。

图2是根据本发明的原理构造的发光设备的实施方案的横截面视图。

图3是根据本发明的原理构造的发光设备的另一个实施方案的横截面视图。

具体实施方式

在以下描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施方案或实施方式的透彻理解。如本文使用，“实施方案”和“实施方式”是可互换的词语，其是采用本文公开的发明构思中的一种或多于一种的装置或方法的非限制性实例。然而，显而易见地，各种实施方案可以在没有这些具体细节的情况下实践，或者可以用一种或多于一种的等同的布置来实践。在其它情况中，以框图形式示出公知的结构和装置以便避免不必要地混淆各种实施方案。此外，各种实施方案可以是不同的，但不必是排它的。例如，在不背离本发明构思的情况下，实施方案的具体形状、配置和特性可以在另一个实施方案中使用或实施。

除非另外指明，例示的实施方案应被理解为提供其中可以在实践中实施本发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外指明，在不背离本发明构思的情况下，各种实施方案的特征、组件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文单独地或共同地被称为“元件”)可以以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。

通常提供交叉影线和/或阴影在附图中的使用以阐明相邻元件之间的界线。如此，交叉影线或阴影的存在或不存在均不表达或表明对特定材料、材料性质、尺寸、比例、例示的元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需要，除非指明。此外，在附图中，出于清晰和/或描述性目的，可以放大元件的尺寸和相对尺寸。当实施方案可以不同地实施时，可以与描述的顺序不同地进行具体的过程顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时进行或以与描述的顺序相反的顺序进行。此外，相同的参考数字表示相同的元件。

当诸如层的元件被称为在另一个元件或层“上”、“连接至”另一个元件或层、或者“联接至”另一个元件或层时，其可以直接在另一个元件或层上、直接连接至另一个元件或层、或者直接联接至另一个元件或层，或者可以存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接至”另一个元件或层、或者“直接联接至”另一个元件或层时，不存在介于中间的元件或层。为此，术语“连接的”可以是指物理连接、电连接和/或流体连接，具有或不具有介于中间的元件。此外，D1-轴、D2-轴和D3-轴不局限于直角坐标系的三个轴，例如x-轴、y-轴和z-轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，D1-轴、D2-轴和D3-轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开内容的目的，“X、Y和Z中的至少一个(种)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种)”可以解释为仅有X、仅有Y、仅有Z，或者X、Y和Z中的两个(种)或多于两个(种)的任意组合，例如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。

尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，以下讨论的第一元件可以被称为第二元件。

诸如“之下”、“下方”、“下”、“较低”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文用于描述性目的，并且由此，描述如附图中例示的一个元件与另一个元件的关系。空间相对术语旨在涵盖除了附图中描述的方向之外的在使用、操作和/或制造中的设备的不同方向。例如，如果附图中的设备被翻转，描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件则将被定向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”可以涵盖上方和下方的方向两者。此外，可以将设备以其它方式定向(例如，旋转90度或在其它方向上)，并且如此，本文使用的空间相对描述符被相应地解释。

本文使用的术语出于描述具体实施方案的目的，而不旨在限制。如本文使用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确说明。此外，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”当用于本说明书时指明规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或增添。还注意，如本文使用，术语“基本上”、“约”和其它类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且如此，用于解释本领域普通技术人员会认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。

参考截面图示和/或分解图示在本文描述各种实施方案，所述截面图示和/或分解图示是理想化的实施方案和/或中间结构的示意性图示。如此，应预期由于例如制造技术和/或公差而产生的图示的形状的变化。因此，本文公开的实施方案不应必须被解释为局限于区的具体例示的形状，而应包括由例如制造产生的形状的偏差。以这种方式，附图中例示的区可以在本质上是示意性的，并且这些区的形状可以不反映装置的区的实际形状，并且如此，不必旨在限制。

除非另外定义，本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在本文明确如此定义。

根据实施方案的发光装置包括：第一电极；面对第一电极的第二电极；以及位于第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层，其中中间层可以进一步包括位于第一电极与发射层之间的空穴传输区；相对于100wt％的第一电极，第一电极可以包含大于0wt％且等于或小于8wt％的量的氧化锡(SnO₂)；以及空穴传输区可以包含由式1表示的化合物：

式1

(M)(X)_n。

在式1中，

M可以是过渡金属，

X可以是卤素元素，以及

n可以是1至4的整数。

在实施方案中，在发光装置中，第一电极可以进一步包含金属氧化物。在实施方案中，第一电极可以包含氧化铟(In₂O₃)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或其任意组合，但实施方案不限于此。在实施方案中，相对于100wt％的第一电极，氧化锡(SnO₂)的量可以大于1wt％且等于或小于7wt％。在实施方案中，第一电极可以包含氧化铟(In₂O₃)和氧化锡(SnO₂)，并且相对于100wt％的第一电极，氧化锡(SnO₂)的量可以大于1wt％且等于或小于7wt％。

在实施方案中，第一电极的功函的绝对值可以是约5.15eV至约5.4eV。第一电极可以通过相对于100wt％的第一电极包含大于0wt％且等于或小于约8wt％的量的氧化锡(SnO₂)而具有深的功函。在一个或多于一个的实施方案中，第一电极的功函的绝对值可以是约5.2eV或大于5.2eV。

在式1中，M可以是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，M可以是铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)或其任意组合，但实施方案不限于此。

在式1中，X可以是F、Cl、Br、I或其任意组合。在实施方案中，X可以是I，但实施方案不限于此。在式1中，n可以是1。由式1表示的化合物可以是CuF、CuCl、CuBr、CuI、AgF、AgCl、AgBr或AgI。

在实施方案中，发光装置的空穴传输区可以进一步包含空穴传输材料。在实施方案中，基于100重量份的空穴传输材料，由式1表示的化合物的量可以是约0.01重量份至约0.20重量份。在实施方案中，由式1表示的化合物可以是p-掺杂剂。在实施方案中，空穴传输区的最低未占据分子轨道(LUMO)能级的绝对值可以是约2.0eV至约2.5eV。空穴传输区(例如，空穴传输层)可以通过包含不是有机材料的由式1表示的化合物(例如，p-掺杂剂)而具有深的LUMO能级。

在一个或多于一个的实施方案中，空穴传输区的LUMO能级的绝对值可以是约2.1eV或大于2.1eV。在实施方案中，第一电极的功函的绝对值可以大于空穴传输区的LUMO能级的绝对值。在一个或多于一个的实施方案中，第一电极的功函的绝对值与空穴传输区的LUMO能级的绝对值之间的差可以是约2.65eV至约3.4eV。在一个或多于一个的实施方案中，第一电极的功函的绝对值与空穴传输区的LUMO能级的绝对值之间的差可以是约3.1eV或大于3.1eV。在实施方案中，空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

在一个或多于一个的实施方案中，空穴传输区可以包括空穴注入层，并且空穴注入层可以与第一电极直接接触并且包含由式1表示的化合物。在实施方案中，中间层可以进一步包括位于发射层与第二电极之间的电子传输区，并且电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，空穴传输区和发射层中的至少一个可以包含含芳基胺的化合物、含吖啶的化合物、含咔唑的化合物或其任意组合；或者发射层和电子传输区中的至少一个可以包含含硅的化合物、含氧化膦的化合物、含氧化硫的化合物、含氧化磷的化合物、含三嗪的化合物、含嘧啶的化合物、含吡啶的化合物、含二苯并呋喃的化合物、含二苯并噻吩的化合物或其任意组合。

在实施方案中，第一电极可以是阳极，并且第二电极可以是阴极。在实施方案中，发光装置的发射层可以发射红色光、绿色光、蓝色光和/或白色光。在实施方案中，发光装置可以发射具有约450nm以上且约475nm以下的最大发射波长的蓝色光。在一个或多于一个的实施方案中，发光装置可以进一步包括位于第一电极外部的第一覆盖层和位于第二电极外部的第二覆盖层中的至少一个。关于第一覆盖层和/或第二覆盖层的更多细节与本文描述的相同。

在发光装置中：i)相对于100wt％的第一电极，第一电极包含大于约0wt％且等于或小于约8wt％的量的氧化锡(SnO₂)，并且区别在于具有较低浓度的氧化锡而不是氧化铟锡(ITO)。因此，可以降低具有相对浅的功函的氧化锡(SnO₂)与氧化铟(In₂O₃)的比率，并且可以实现深的功函。ii)空穴传输区(例如，空穴注入层)包含本文的由式1表示的化合物，并且区别于使用有机材料作为p-掺杂剂的常规发光装置。因此，可以形成p-掺杂剂与主体之间的C-T复合物，并且可以实现深的LUMO能级。因此，发光装置可以具有改善其空穴注入能力的大的能带间隙，从而导致与常规发光装置相比等效或改善的驱动电压和发光效率。此外，与使用有机材料作为p-掺杂剂的常规发光装置相比，本文描述的发光装置可以具有降低的生产成本，这改善了其生产率和经济可行性，从而能够以低成本制造高品质发光装置。

根据另一个方面，电子设备可以包括本文描述的发光装置。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。在一个或多于一个的实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。关于电子设备的更多细节与本文描述的相同。

如本文使用的，措辞“中间层和/或空穴传输区”包含由式1表示的化合物，并且可以进一步理解为包含一个种类的由式1表示的化合物或者两种不同种类的各自由式1表示的化合物。

本文使用的材料的LUMO能级和功函可以通过参考以下描述来理解，但实施方案不限于此。使用循环伏安法测量材料的LUMO能级，并且本文使用的循环伏安法设备得自韩国首尔的沃纳科技公司(WonATech,Ltd)以型号ZIVE SP2销售。在这点上，本文使用的各个样品溶液和电解质溶液如下，并且将二茂铁用作参考材料，以及将(Bu)₄NPF₆用作电解质：

待测量的化合物的样品溶液：5×10^-3M二氯甲烷溶液；

二茂铁样品溶液：5×10^-3M二氯甲烷溶液；以及

(Bu)₄NPF₆电介质溶液：0.1M乙腈溶液。

获得化合物和参考材料的E_we-I关系图，并且在该图中其中电流快速增加的点处绘制切线，记录其中切线与x-轴相交的点处的电压。将二茂铁的LUMO能级设定为00eV，并且计算待测量的材料的LUMO能级。

用蒸发器将材料沉积在ITO衬底上以形成具有100nm的厚度的薄膜，并且评价材料的功函。用于评价的设备是由日本东京的理研有限公司(Riken Keiki Co.,Ltd)以商品名AC-2销售的表面分析仪。

图1的描述

图1是根据本发明的原理构造的发光装置的实施方案的示意性横截面视图。

发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。在下文，将关于图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法的实例。

第一电极110

在图1中，衬底可以额外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为衬底，可以使用玻璃衬底或塑料衬底。在一个或多于一个的实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。第一电极110可以与以上描述的相同。

中间层130

中间层130可以设置在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。中间层130可以进一步包括位于第一电极110与发射层之间的空穴传输区和位于发射层与第二电极150之间的电子传输区。除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。

在一个或多于一个的实施方案中，中间层130可以包括：i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)位于两个发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。

中间层130中的空穴传输区

空穴传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

在实施方案中，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，层从第一电极110依次堆叠。空穴注入层可以包含如以上描述的由式1表示的化合物。

空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：

式201

式202

在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，

xa5可以是1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团)(例如，可以参考化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，以及

na1可以是1至4的整数。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种：

式CY201至式CY217中的R_10b和R_10c与关于R_10a描述的相同，并且环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被至少一个本文描述的R_10a取代。

在实施方案中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种以及由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。在一个或多于一个的实施方案中，式201中的xa1可以是1，R₂₀₁可以是由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以是由式CY204至式CY207中的一种表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203中的一种表示的基团。在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，并且可以包含由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY217中的一种表示的基团。

在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物HT1至化合物HT44、4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-MTDATA)、1-N,1-N-双[4-(二苯基氨基)苯基]-4-N,4-N-二苯基苯-1,4-二胺(TDATA)、4,4',4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-TNATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(NPB或NPD)、N4,N4'-二(萘-2-基)-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(β-NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基联苯胺(TPD)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺(螺-TPD)、N2,N7-二(1-萘基)-N2,N7-二苯基-9,9'-螺二[9H-芴]-2,7-二胺(螺-NPB)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基-2,2'-二甲基-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺(甲基化-NPB)、4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N,N',N'-四(3-甲基苯基)-3,3'-二甲基联苯胺(HMTPD)、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的一种或其任意组合：

空穴传输区的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

并且空穴传输层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包含如以上描述的材料。

p-掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。在实施方案中，p-掺杂剂的LUMO能级可以是约-3.5eV或小于-3.5eV。在实施方案中，p-掺杂剂可以是如以上描述的由式1表示的化合物。

在实施方案中，p-掺杂剂可以进一步包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。醌衍生物的实例可以包括四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)等。

含氰基基团的化合物的实例可以包括1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲-六甲腈(HAT-CN)和由以下式221表示的化合物。

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，以及

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基基团；或者其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在含有元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其组合。

金属的实例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、锌(Zn)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的实例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。非金属的实例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

在实施方案中，含有元素EL1和元素EL2的化合物的实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。

金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。碱金属卤化物的实例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的实例可以包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、亚铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。镧系金属卤化物的实例可以包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

中间层130中的发射层

当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此隔开。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。

发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含量子点。发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。发射层的厚度可以是约

至约

例如，约

至约

当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。

主体

主体可以包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xb11可以是1、2或3，

xb1可以是0至5的整数，

R₃₀₁可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可以是1至5的整数，以及

Q₃₀₁至Q₃₀₃与关于Q₁描述的相同。

例如，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₃₀₁可以经由单键彼此连接。

在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：

式301-1

式301-2

在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可以是O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可以各自与本文描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可以各自独立地与关于L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及

R₃₀₂至R₃₀₅以及R₃₁₁至R₃₁₄可以各自与关于R₃₀₁描述的相同。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物。在实施方案中，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任意组合。

在实施方案中，主体可以包括化合物H1至化合物H124、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或其任意组合，但实施方案不限于此：

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。磷光掺杂剂可以是电中性的。在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是二或大于二时，两个或多于两个的L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，并且当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以各自独立地是氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，

X₄₀₃和X₄₀₄可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可以各自与关于如本文描述的Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自与关于如本文描述的Q₁描述的相同，

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，

式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。

在实施方案中，在式402中，i)X₄₀₁可以是氮，并且X₄₀₂可以是碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可以是氮。

在实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，并且两个环A₄₀₂可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。变量T₄₀₂和T₄₀₃可以各自与关于如本文描述的T₄₀₁描述的相同。

式401中的变量L₄₀₂可以是有机配体。在实施方案中，L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)基团、异腈基团、-CN基团、磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。

磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物PD1至化合物PD25中的一种或其任意组合：

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

式501

在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

在实施方案中，式501中的Ar₅₀₁可以包括其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、

基团或芘基团)。在实施方案中，式501中的xd4可以是2。

在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：化合物FD1至化合物FD36；DPVBi；DPAVBi中的一种；或其任意组合：

延迟荧光材料

发射层可以包含延迟荧光材料。本文使用的延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。根据包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。

在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于约0eV并且小于或等于约0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发射效率。

在实施方案中，延迟荧光材料可以包括i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团)的材料，ii)包含其中两个或多于两个的环状基团共用硼(B)并且彼此稠合的C₈-C₆₀多环基团的材料，或其任意组合。

延迟荧光材料可以包括化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：

量子点

发射层可以包含量子点。本文使用的量子点是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射各种发射波长的光的任何材料。量子点的直径可以是，例如，约1nm至约10nm。可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。

根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))更容易进行并且需要低成本的工艺来控制。

量子点可以包括：III-VI族半导体化合物；II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或者其任意组合。

II-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或者其任意组合。

III-V族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，例如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaAlNP、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或者其任意组合。在实施方案中，III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物的实例可以包括InZnP、InGaZnP或InAlZnP。

III-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、In₂S₃、InSe、In₂Se₃或InTe；三元化合物，例如InGaS₃或InGaSe₃；或者其任意组合。I-III-VI族半导体化合物的实例可以包括：三元化合物，例如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂；或者其任意组合。IV-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或者其任意组合。

IV族元素或化合物可以包括：单一元素，例如Si或Ge；二元化合物，例如SiC或SiGe；或者其任意组合。包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。

量子点可以具有单一结构或核-壳双重结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度是均匀的。在实施方案中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。

量子点的壳可以充当防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，该浓度梯度朝向壳中存在的元素的中心降低。

量子点的壳的实例可以是金属或非金属的氧化物、半导体化合物及其任意组合。金属或非金属的氧化物的实例可以包括：二元化合物，例如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄或NiO；三元化合物，例如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄或CoMn₂O₄；及其任意组合。如本文描述的半导体化合物的实例可以包括III-VI族半导体化合物；II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；及其任意组合。在实施方案中，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm，并且在这些范围内，可以增加色纯度或色域。此外，由于由量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以改善广视角。

此外，量子点可以具体地是大致球形的纳米颗粒、大致角锥形的纳米颗粒、大致多臂的纳米颗粒、大致立方体的纳米颗粒，纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。

因为能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，所以可以从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光显示器。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。此外，可以将量子点的尺寸配置成通过组合各种颜色的光来发射白色光。

中间层130中的电子传输区

电子传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

在实施方案中，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每种结构，构成层从发射层依次堆叠。

电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团的不含金属的化合物。

在实施方案中，电子传输区可以包含由式601表示的化合物。

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃与关于如本文描述的Q₁描述的相同，

xe21可以是1、2、3、4或5，以及

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团。

在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₆₀₁可以经由单键连接。

在实施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以是取代或未取代的蒽基团。

在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：

式601-1

在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃与关于L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613与关于xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃与关于R₆₀₁描述的相同，以及

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

在实施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

电子传输区可以包含化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、双(2-甲基-8-喹啉根合-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-根合)铝(BAlq)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)中的一种或其任意组合：

电子传输区的厚度可以是约

至约

例如，约

至约

当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约

至约

例如约

至约

并且电子传输层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。

含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

在实施方案中，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括，例如，化合物ET-D1(羟基喹啉锂，LiQ)或化合物ET-D2：

电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。

电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或者其任意组合。

含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物(例如Li₂O、Cs₂O或K₂O)、碱金属卤化物(例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)、Ba_xCa_1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。

电子注入层的厚度可以是约

至约

并且例如，约

至约

当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，电子注入层可以具有令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

第二电极150

第二电极150可以设置在具有此类结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极150的材料。

第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其组合。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可以具有单层结构或者包括两层或多于两层的多层结构。

覆盖层

第一覆盖层可以设置在第一电极110外部，和/或第二覆盖层可以设置在第二电极150外部。详细地，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以此规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以此规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以此规定的顺序依次堆叠的结构。

在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部引出，以及在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部引出。

第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，增加了发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。

第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有约1.6或大于1.6的折射率(在589nm处)的材料。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。

选自第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基任选地取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。

在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。

在一个或多于一个的实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、N4,N4'-二(萘-2-基)-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(β-NPB)或其任意组合：

电子设备

发光装置可以被包括在各种电子设备中。在实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方案中，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。

电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定膜可以设置在子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和设置在滤色器区域之间的光阻挡图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的光阻挡图案。

滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包含量子点。详细地，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域中的每一个可以进一步包含散射体。

在实施方案中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。详细地，第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。

除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以与发光装置的第一电极和第二电极中的任一个电联接。薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以设置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，而同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以额外地设置在密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。除了发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。

电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。

图2和图3的描述

图2是根据本发明的原理构造的发光设备的实施方案的横截面视图。

图2的发光设备180包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)200、发光装置和密封发光装置的封装部300。

衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以形成在衬底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供基本上平坦的表面。

TFT 200可以设置在缓冲层210上。TFT 200可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以设置在有源层220上，并且栅电极240可以设置在栅绝缘膜230上。

层间绝缘膜250设置在栅电极240上。层间绝缘膜250可以设置在栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且设置在栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可以设置在层间绝缘膜250上。可以形成层间绝缘膜250和栅绝缘膜230以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。

TFT 200可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可以连接至漏电极270的暴露部分。

包含绝缘材料的像素限定层290可以设置在第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部，用以以公共层的形式定位。第二电极150可以设置在中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。

封装部300可以设置在覆盖层170上。封装部300可以设置在发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。

图3是根据本发明的原理构造的发光设备的另一个实施方案的横截面视图。

图3的发光设备190与图2的发光设备180基本上相同，但光阻挡图案500和功能区400额外地设置在封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的发光设备190中的发光装置10可以是串联发光装置。

制造方法

可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。

当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，考虑待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约

/秒的沉积速度进行沉积。

术语的定义

如本文使用，术语“原子”可以意指元素或其键合至一个或多于一个的其它原子的相应基团。

如本文使用，用于单价基团(例如，烷基)的取代基还可以独立地是用于相应的二价基团(例如，亚烷基)的取代基。

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”是指仅由碳和氢组成并且具有三个至六十个碳原子(例如3个至30个、3个至24个或3个至18个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此接合的多环基团。在实施方案中，C₁-C₆₀杂环基团的成环原子数可以是3至61。

如本文使用的“环状基团”可以包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如3个至30个、3个至24个或3个至18个碳原子)并且不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)并且包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

在实施方案中，C₃-C₆₀碳环基团可以是i)基团T1，或者ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此接合的接合环状基团，例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团。

C₁-C₆₀杂环基团可以是i)基团T2，ii)其中两个或多于两个的基团T2彼此接合的接合环状基团，或者iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此接合的接合环状基团，例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等。

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是i)基团T1，ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此接合的接合环状基团，iii)基团T3，iv)其中两个或多于两个的基团T3彼此接合的接合环状基团，或者v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此接合的接合环状基团，例如，C₃-C₆₀碳环基团、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等。

含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团可以是i)基团T4，ii)其中两个或多于两个的基团T4彼此接合的接合环状基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此接合的接合环状基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此接合的接合环状基团，或者v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此接合的接合环状基团，例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等。

基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，

基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，

基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及

基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如本文使用的术语“环状基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、富π电子的C₃-C₆₀环状基团或含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团”是指取决于与术语使用有关的式的结构，与任何环状基团接合的基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在实施方案中，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。

在实施方案中，单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的实例可以包括C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、单价非芳香族接合多环基团和单价非芳香族接合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的实例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基基团、C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、C₃-C₁₀亚环烯基基团、C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、C₆-C₆₀亚芳基基团、C₁-C₆₀亚杂芳基基团、二价非芳香族接合多环基团和二价非芳香族接合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。在一些实施方案中，C₁-C₆₀烷基基团可以是C₁-C₃₀烷基基团、C₁-C₂₀烷基基团或C₁-C₁₀烷基基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基基团”是指具有对应于C₁-C₆₀烷基基团的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。在一些实施方案中，C₂-C₆₀烯基基团可以是C₂-C₃₀烯基基团、C₂-C₂₀烯基基团或C₂-C₁₀烯基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基基团”是指具有对应于C₂-C₆₀烯基基团的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。在一些实施方案中，C₂-C₆₀炔基基团可以是C₂-C₃₀炔基基团、C₂-C₂₀炔基基团或C₂-C₁₀炔基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基基团”是指具有对应于C₂-C₆₀炔基基团的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基基团”是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁是C₁-C₆₀烷基基团)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基基团”是指具有对应于C₃-C₁₀环烷基基团的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子并且具有1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基基团”是指具有对应于C₁-C₁₀杂环烷基基团的结构的二价基团。

本文使用的术语“C₃-C₁₀环烯基基团”是指在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基基团”是指具有对应于C₃-C₁₀环烯基基团的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基基团”是指在其环状结构中具有作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基基团的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基基团”是指具有对应于C₁-C₁₀杂环烯基基团的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基基团的实例包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。在一些实施方案中，C₆-C₆₀芳基基团可以是C₆-C₃₀芳基基团、C₆-C₂₄芳基基团或C₆-C₁₈芳基基团。当C₆-C₆₀芳基基团和C₆-C₆₀亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此接合。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基基团的实例包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。在一些实施方案中，C₁-C₆₀杂芳基基团可以是C₁-C₃₀杂芳基基团、C₁-C₂₄杂芳基基团或C₁-C₁₈杂芳基基团。当C₁-C₆₀杂芳基基团和C₁-C₆₀亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此接合。

如本文使用的术语“单价非芳香族接合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如8个至30个或8个至24个碳原子)，其具有彼此接合的两个或多于两个的环、仅具有碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中具有非芳香性。单价非芳香族接合多环基团的实例包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族接合多环基团”是指具有对应于单价非芳香族接合多环基团的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳香族接合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如1个至30个或1个至24个碳原子)，其具有彼此接合的两个或多于两个的环、除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子并且在其整个分子结构中具有非芳香性。单价非芳香族接合杂多环基团的实例包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族接合杂多环基团”是指具有对应于单价非芳香族接合杂多环基团的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基基团”表示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基基团)，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基基团”表示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基基团)。

如本文使用的术语“R_10a”是指：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团或C₆-C₆₀芳硫基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

本文使用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃以及Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子和氢原子之外的任何原子。杂原子的实例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及其任意组合。

如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。

如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有C₆-C₆₀芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。

如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“三联苯基基团”是具有被C₆-C₆₀芳基基团取代的C₆-C₆₀芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。

除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。

在下文，将参考实施例和比较例详细地描述根据本发明的原理和某些实施方案制备的化合物以及根据本发明的原理和某些实施方案制备的发光装置。

实施例

实施例1

作为阳极，将In₂O₃和SnO₂以95:5的重量比真空沉积在玻璃衬底上至

的厚度，并且将阳极用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且通过紫外线照射和暴露于臭氧30分钟来清洁。然后，将阳极装载到真空沉积设备上。

将化合物NPB和CuI以98:2的重量比真空沉积在阳极上以形成具有30nm的厚度的空穴注入层，并且然后，将TCTA真空沉积在空穴注入层上以形成具有20nm的厚度的空穴传输层。将化合物ADN和DPAVBi以95:5的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有

的厚度的发射层。

随后，将化合物TSPO1沉积在发射层上以形成具有30nm的厚度的电子传输层，将碱金属卤化物LiF沉积在电子传输层上以形成具有1nm的厚度的电子注入层，并且将铝真空沉积至300nm的厚度以形成LiF/Al阴极，从而完成发光装置的制造。

阳极(In₂O₃和SnO₂的重量比＝95:5)的功函：-5.20eV

E_{LOMO_HIL}：-2.1eV

比较例1

以与实施例1中相同的方式制造发光装置，但在形成阳极时，将来自纽约康宁的康宁公司(Corning Inc.)的在其上具有15Ωcm²

ITO的玻璃衬底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，而不是将化合物In₂O₃和SnO₂以95:5的重量比真空沉积在玻璃衬底上至

的厚度。

阳极(ITO)的功函：-5.10eV

E_{LOMO_HIL}：-2.1eV

比较例2

以实施例1中相同的方式制造发光装置，但在形成空穴注入层时，将化合物NPB真空沉积以形成具有30nm的厚度的空穴注入层，而不是将化合物NPB和CuI以98:2的重量比真空沉积以形成具有30nm的厚度的空穴注入层。

阳极(In₂O₃和SnO₂的重量比＝95:5)的功函：-5.20eV

E_{LOMO_HIL}：-0.00eV

评价例1

通过使用来自吉时利仪器(Keithley Instrument)以商品名MU 236销售的源测量单元、俄勒冈比弗顿的泰克公司(Tektronix,Inc.)的2400系列和来自洛杉矶查兹沃斯的光研究公司(Photo Research Inc.)以商品名PR650销售的亮度计测量在实施例1以及比较例1和比较例2中制造的发光装置中的每一个的在1000cd/m²下的驱动电压(V)、电流密度(mA/cm²)、电流效率(cd/A)、功率效率(Im/W)、颜色坐标、相对效率(Cd/A/y)和最大发射波长(nm)，并且其结果显示在表1和表2中。

表1

表2

表1和表2显示实施例1的发光装置的驱动电压、电流效率、功率效率和相对效率显著且出乎意料地大于或等于比较例1和比较例2的发光装置的驱动电压、电流效率、功率效率和相对效率。

可以通过本发明的示例性实施方式和/或本发明的示例性方法实现的优点中的一些包括发光装置具有与现有技术中的发光装置的驱动电压和发光效率相等的驱动电压和发光效率，但具有降低的生产成本，这据信是由于在第一电极中的低浓度的氧化锡以及在空穴传输区中的由式1表示的化合物。

尽管本文已经描述了某些实施方案和实施方式，但其它实施方案和修改从该描述中将是显而易见的。因此，本发明构思不限于此类实施方案，而是限于所附权利要求以及对本领域普通技术人员将显而易见的各种明显的修改和等同布置的较宽范围。

Claims (10)

1.发光装置，包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；以及

在所述第一电极与所述第二电极之间的包括发射层的中间层，其中：

所述中间层进一步包括位于所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区；

相对于100wt％的所述第一电极，所述第一电极包含大于0wt％且等于或小于8wt％的量的氧化锡；以及

所述空穴传输区包含由式1表示的化合物：

式1

(M)(X)_n

其中，在式1中，

M是过渡金属，

X是卤素元素，以及

n是1至4的整数。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极进一步包含氧化铟、氧化铟锌、氧化锌或其任意组合。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中第一电极具有具有5.15eV至5.4eV的绝对值的功函。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中M是钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、锝、铼、铁、钌、锇、钴、铑、铱、镍、钯、铂、铜、银、金、锌或其任意组合。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中X是F、Cl、Br、I或其任意组合。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述由式1表示的化合物包括p-掺杂剂。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输区具有具有2.0eV至2.5eV的绝对值的最低未占据分子轨道能级。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一电极具有具有第一绝对值的功函，并且所述空穴传输区的最低未占据分子轨道能级具有小于所述第一绝对值的第二绝对值。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括空穴注入层，

所述空穴注入层直接接触所述第一电极，并且包含所述由式1表示的化合物。

10.电子设备，包括权利要求1至9中任一项所述的发光装置。

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