CN114725301A - 发光装置及包括发光装置的电子设备 - Google Patents

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郑惠仁
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

本申请涉及发光装置，其包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、以及包括在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层和在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区的中间层，其中所述发射层可以包含掺杂剂，所述空穴传输区可以包括第一空穴传输层、在所述第一空穴传输层与所述发射层之间的第二空穴传输层和在所述第二空穴传输层与所述发射层之间的第三空穴传输层，所述第一空穴传输层可以包含第一化合物，所述第二空穴传输层可以包含第二化合物，所述第三空穴传输层可以包含第三化合物，以及所述第一化合物至所述第三化合物可以各自独立地是基于胺的化合物，但可以彼此不同。

Description

发光装置及包括发光装置的电子设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年1月4日提交韩国知识产权局的第10-2021-0000446号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。
技术领域
一个或多于一个的实施方案涉及发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。
背景技术
发光装置中的有机发光装置是自发射装置，并且与现有技术中的装置相比，具有广视角、优异的对比度，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面优异的特性。
有机发光装置可以具有其中第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上的结构。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
发明内容
根据一个或多于一个的实施方案的方面涉及具有优异的光效率的发光装置和包括所述发光装置的电子设备。
其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
根据本公开内容的实施方案，发光装置包括第一电极，
面对所述第一电极的第二电极，以及
包括在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层和在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区的中间层，
其中所述发射层可以包含掺杂剂，
所述空穴传输区可以包括第一空穴传输层、在所述第一空穴传输层与所述发射层之间的第二空穴传输层和在所述第二空穴传输层与所述发射层之间的第三空穴传输层，
所述第一空穴传输层可以包含第一化合物，
所述第二空穴传输层可以包含第二化合物，
所述第三空穴传输层可以包含第三化合物，
所述第一化合物至所述第三化合物可以各自独立地是基于胺的化合物，但可以彼此不同，以及
可以满足等式1。
等式1
T1(HTM3)≥T1(D)+0.3eV
在等式1中，
T1(HTM3)是所述第三化合物的三重态能级(eV)，
T1(D)是所述掺杂剂的三重态能级(eV)，以及
T1(HTM3)和T1(D)是使用在B3LYP/6-31G(d,p)水平上结构优化的高斯(Gaussian)程序的密度泛函理论(DFT)方法评价的值。
根据本公开内容的另一个实施方案，电子设备包括所述发光装置。
附图说明
根据以下结合附图的描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和改进将更加明显，在附图中：
图1是根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图；
图2是根据实施方案的发光设备的横截面视图；
图3是根据实施方案的发光设备的横截面视图；以及
图4是根据实施方案的发光设备的横截面视图。
具体实施方式
现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示出所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下通过参考附图仅描述实施方案，以解释当前描述的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个(种)”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，所有的a、b和c，或其变体。
根据本公开内容的实施方案的发光装置包括：第一电极；
面对第一电极的第二电极；以及
包括在第一电极与第二电极之间的发射层和在第一电极与发射层之间的空穴传输区的中间层，
其中发射层可以包含掺杂剂，
空穴传输区可以包括第一空穴传输层、在第一空穴传输层与发射层之间的第二空穴传输层和在第二空穴传输层与发射层之间的第三空穴传输层，
第一空穴传输层可以包含第一化合物，
第二空穴传输层可以包含第二化合物，
第三空穴传输层可以包含第三化合物，
第一化合物至第三化合物可以各自独立地是基于胺的化合物，但可以彼此不同，以及
可以满足等式1：
等式1
T1(HTM3)≥T1(D)+0.3eV
其中，在等式1中，
T1(HTM3)是第三化合物的三重态能级(eV)，
T1(D)是掺杂剂的三重态能级(eV)，以及
T1(HTM3)和T1(D)是使用在B3LYP/6-31G(d,p)水平上结构优化的高斯程序的密度泛函理论(DFT)方法评价的值。
在实施方案中，第一化合物至第三化合物可以各自独立地是由式1-1或式1-2表示的基团：
式1-1
Figure BDA0003400799380000041
式1-2
Figure BDA0003400799380000042
其中，在式1-1中，X1可以是*-C(Z1a)(Z1b)-*'，
在式1-2中，X2可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(Z2a)(Z2b)-*'或*-N(Z2a)(Z2b)-*'，
在式1-1和式1-2中，
CY1至CY4可以各自独立地是C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
L1至L3可以各自独立地是单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20亚烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C20亚烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
a1至a3可以各自独立地是0至5的整数，
Ar1和Ar2可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
R1至R4、Z1a、Z1b、Z2a和Z2b可以各自独立地是：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或者-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b1至b4可以各自独立地是0至10的整数，
当b1是2或大于2时，两个或多于两个的R1中的两个R1可以任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C4-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
当b2是2或大于2时，两个或多于两个的R2中的两个R2可以任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C4-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
当b3是2或大于2时，两个或多于两个的R3中的两个R3可以任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C4-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
当b4是2或大于2时，两个或多于两个的R4中的两个R4可以任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C4-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
R10a可以是：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1-C60烷基基团；C2-C60烯基基团；C2-C60炔基基团；C1-C60烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，以及
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。
在实施方案中，第一化合物可以是不含咔唑的化合物。
在实施方案中，第一化合物可以不包含由式2-1至式2-3表示的基团：
Figure BDA0003400799380000061
其中，在式2-1至式2-3中，
CY21和CY22可以各自独立地是C3-C20碳环基团或C1-C20杂环基团，以及
R10b与关于R10a描述的相同。
在实施方案中，第二化合物可以是含咔唑的化合物。
在实施方案中，第二化合物可以包含由式2-1至式2-3表示的基团。
在实施方案中，式1-1和式1-2中的CY1至CY4、Ar1和Ar2可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的富π电子的C3-C60环状基团。
在实施方案中，富π电子的C3-C60环状基团可以是：a)第二环或者b)其中两个或多于两个的第二环彼此稠合的稠合环状基团，以及
第二环可以是苯基团、环戊二烯基团、吡咯基团、呋喃基团、噻吩基团或噻咯基团。
在实施方案中，式1-1和式1-2中的CY1至CY4、Ar1和Ar2可以各自独立地是各自未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团、庚搭烯基团、茚基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团，苯并菲基团、芘基团、
Figure BDA0003400799380000071
基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、并五苯基团、并六苯基团、五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、吡咯基团、呋喃基团、噻吩基团、异吲哚基团、吲哚基团、茚基团、苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、萘并吡咯基团、萘并呋喃基团、萘并噻吩基团、萘并噻咯基团、苯并咔唑基团、二苯并咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、三吲哚并苯基团、吡咯并菲基团、呋喃并菲基团、噻吩并菲基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、(吲哚并)菲基团、(苯并呋喃并)菲基团或(苯并噻吩并)菲基团。
在实施方案中，式1-1和式1-2中的CY1至CY4可以各自独立地是各自未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团或萘基团。
在实施方案中，式1-1和式1-2中的Ar1和Ar2可以各自独立地是各自未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团、萘基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、吡咯基团、呋喃基团、噻吩基团、异吲哚基团、吲哚基团、茚基团、苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、萘并吡咯基团、萘并呋喃基团、萘并噻吩基团、萘并噻咯基团、苯并咔唑基团、二苯并咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、三吲哚并苯基团、苯并萘并呋喃基团或苯并萘并噻吩基团。
在实施方案中，式1-1和式1-2中的L1至L3可以各自独立地是：单键；或者各自未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、
Figure BDA0003400799380000081
基团、环戊二烯基团、1,2,3,4-四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并硼杂环戊二烯基团、苯并磷杂环戊二烯基团、茚基团、苯并噻咯基团、苯并锗杂环戊二烯基团、苯并噻吩基团、苯并硒吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并硼杂环戊二烯基团、二苯并磷杂环戊二烯基团、芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并锗杂环戊二烯基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩5-氧化物基团、9H-芴-9-酮基团、二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、氮杂吲哚基团、氮杂苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂茚基团、氮杂苯并噻咯基团、氮杂苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂苯并硒吩基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基团、氮杂-9H-芴-9-酮基团、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8-四氢异喹啉基团或5,6,7,8-四氢喹啉基团。
在实施方案中，式1-1和式1-2中的L1至L3可以各自独立地是：单键；或者各自未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团、芴基团或咔唑基团。
在实施方案中，式1-1和式1-2中的R1至R4、Z1a、Z1b、Z2a和Z2b可以各自独立的是：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其任意组合取代的C1-C20烷基基团、C2-C20烯基基团、C2-C20炔基基团或C1-C20烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C2-C20烯基基团、C2-C20炔基基团、C1-C20烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0003400799380000091
基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0003400799380000101
基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团或咪唑并嘧啶基基团；或者
-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)。Q1至Q3和Q31至Q33各自与本说明书中描述的相同。
在实施方案中，式1-1和式1-2中的R1至R4、Z1a、Z1b、Z2a和Z2b可以各自独立地是：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、环戊基基团、环己基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、萘基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其任意组合取代的C1-C20烷基基团、C2-C20烯基基团、C2-C20炔基基团或C1-C20烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C2-C20烯基基团、C2-C20炔基基团、C1-C20烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0003400799380000113
基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、苯基基团、萘基基团、芴基基团、螺-芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0003400799380000112
基基团、咔唑基基团、苯并呋喃基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团或二苯并咔唑基基团；或者
-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)。Q1至Q3和Q31至Q33各自与本说明书中描述的相同。
在实施方案中，第一化合物至第三化合物可以各自独立地选自化合物1至化合物57，但实施方案不限于此：
Figure BDA0003400799380000111
Figure BDA0003400799380000121
Figure BDA0003400799380000131
Figure BDA0003400799380000141
在实施方案中，第一化合物可以选自化合物1至化合物21、化合物56和化合物57，但实施方案不限于此。
在实施方案中，第二化合物可以选自化合物22至化合物46和化合物54，但实施方案不限于此。
在实施方案中，第三化合物可以选自化合物47至化合物55，但实施方案不限于此。
通过参考以下提供的实施例，本领域普通技术人员可以认识到第一化合物至第三化合物的合成方法。
在实施方案中，发光装置的第一电极可以是阳极，
发光装置的第二电极可以是阴极，
中间层可以进一步包括在发射层与第二电极之间的电子传输区，
空穴传输区可以进一步包括空穴注入层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，以及
电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
在实施方案中，发光装置的空穴传输区可以进一步包含p-掺杂剂。
在实施方案中，在发光装置中，i)第一空穴传输层可以与第二空穴传输层直接接触，
ii)第二空穴传输层可以与第三空穴传输层直接接触，或者
iii)第一空穴传输层可以与第二空穴传输层直接接触，并且第二空穴传输层可以与第三空穴传输层直接接触。
在实施方案中，在发光装置中，第三空穴传输层可以与发射层直接接触。
在实施方案中，第一空穴传输层和第三空穴传输层的厚度可以各自独立地是约5nm至约80nm。
在实施方案中，第一空穴传输层和第三空穴传输层的厚度可以各自独立地是约5nm至约30nm。
在实施方案中，第一空穴传输层和第三空穴传输层的厚度可以各自独立地是约30nm至约50nm。
在实施方案中，第一空穴传输层和第三空穴传输层的厚度可以各自独立地是约50nm至约80nm。
在实施方案中，第一空穴传输层和第三空穴传输层的厚度可以各自独立地是约5nm至约65nm。
在实施方案中，第二空穴传输层的厚度可以大于或等于第一空穴传输层或第三空穴传输层的厚度。
在实施方案中，第二空穴传输层的厚度可以大于第一空穴传输层或第三空穴传输层的厚度。
在实施方案中，T1(HTM3)可以是约1.7eV以上且约2.8eV以下。
在实施方案中，T1(HTM3)与T1(D)之间的差可以是约0.3eV以上且约0.8eV以下。
在实施方案中，T1(HTM3)与T1(D)之间的差可以是约0.3eV以上且约0.6eV以下。
在实施方案中，发光装置的第一电极可以根据第一子像素、第二子像素和第三子像素图案化，
发射层可以包括形成在第一子像素中并且发射第一颜色光的第一发射层、形成在第二子像素中并且发射第二颜色光的第二发射层、以及形成在第三子像素中并且发射第三颜色光的第三发射层，
第一空穴传输层和第二空穴传输层可以是形成在所有的第一子像素、第二子像素和第三子像素上方的公共层，
第三空穴传输层可以包括形成在第一子像素中的空穴传输层3-1、形成在第二子像素中的空穴传输层3-2、以及形成在第三子像素中的空穴传输层3-3，
第一发射层可以包含第一掺杂剂，
第二发射层可以包含第二掺杂剂，
第三发射层可以包含第三掺杂剂
空穴传输层3-1可以包含第三化合物(例如，第一第三化合物)，
空穴传输层3-2可以包含第三化合物(例如，第二第三化合物)，
空穴传输层3-3可以包含第三化合物(例如，第三第三化合物)，
包含在空穴传输层3-1中的第三化合物、包含在空穴传输层3-2中的第三化合物和包含在空穴传输层3-3中的第三化合物可以彼此相同或不同，以及
可以满足等式2：
等式2
T1(HTM3-1)>T1(D1)；
T1(HTM3-2)>T1(D2)；以及
T1(HTM3-3)>T1(D3)，
其中，在等式2中，
T1(HTM3-1)是包含在空穴传输层3-1中的第一第三化合物的三重态能级(eV)，
T1(HTM3-2)是包含在空穴传输层3-2中的第二第三化合物的三重态能级(eV)，
T1(HTM3-3)是包含在空穴传输层3-3中的第三第三化合物的三重态能级(eV)，
T1(D1)是第一掺杂剂的三重态能级(eV)，
T1(D2)是第二掺杂剂的三重态能级(eV)，
T1(D3)是第三掺杂剂的三重态能级(eV)，以及
T1(HTM3-1)至T1(HTM3-3)和T1(D1)至T1(D3)是使用在B3LYP/6-31G(d,p)水平上结构优化的高斯程序的DFT方法评价的值。
在实施方案中，发光装置可以进一步满足等式2-1：
等式2-1
T1(HTM3-1)≥T1(D1)+0.3eV；
T1(HTM3-2)≥T1(D2)+0.3eV；以及
T1(HTM3-3)≥T1(D3)+0.3eV。
在实施方案中，发光装置的第一颜色光至第三颜色光中的至少两个可以彼此不同。即，选自发光装置的第一颜色光至第三颜色光中的至少两个可以具有彼此不同的颜色。
在实施方案中，发光装置的发射层可以发射红色光、绿色光、蓝色光和/或白色光。在实施方案中，所述发射层可以发射蓝色光。蓝色光可以具有例如约400nm至约490nm的最大发射波长。发射层与本说明书中描述的相同。
在发光装置中，第一空穴传输层包含第一化合物，第二空穴传输层包含第二化合物，第三空穴传输层包含第三化合物，并且第一化合物至第三化合物各自独立地是基于胺的化合物，但彼此不同。因此，快速的空穴注入和传输是可能的，并且因此，可以改善薄膜稳定性和层到层的电荷转移性能。
此外，因为发光装置满足本说明书中的等式1，所以电子和空穴可以有效地在发射层中产生激子，并且防止或减少激子的扩散，使得激子被有效地限制于发射层，并且因此可以改善发光效率。因此，调节发光装置中的电荷平衡(例如，发光装置具有适合的电荷平衡)，并且因此发光装置可以具有低驱动电压、高效率和长使用寿命。
在实施方案中，发光装置可以包括位于第一电极外部或位于第二电极外部的覆盖层。
在实施方案中，发光装置可以进一步包括位于第一电极外部的第一覆盖层和/或位于第二电极外部的第二覆盖层，并且第一覆盖层和/或第二覆盖层可以包含由式1表示的杂环化合物。第一覆盖层和/或第二覆盖层各自与本说明书中描述的相同。
在实施方案中，发光装置可以包括：
位于第一电极外部(例如，背离第二电极)并且包含第一化合物至第三化合物中的至少一种的第一覆盖层；或者
位于第二电极外部(例如，背离第一电极)并且包含第一化合物至第三化合物中的至少一种的第二覆盖层；或者
第一覆盖层和第二覆盖层。即，发光装置可以包括位于第一电极外部的第一覆盖层和位于第二电极外部的第二覆盖层两者。
如本文使用的措辞“(中间层和/或覆盖层)包含第一化合物”可以理解为“(中间层和/或覆盖层)可以包含一个种类的基于胺的化合物或者属于所述基于胺的化合物的分类的两种或多于两种的不同种类的基于胺的化合物”。
在实施方案中，中间层和/或覆盖层可以仅包含化合物1作为基于胺的化合物。例如，化合物1可以存在于发光装置的空穴传输区中。在实施方案中，中间层可以包含化合物1、化合物2和化合物3作为第一化合物至第三化合物。例如，化合物1和化合物2可以存在于相同的层中(例如，化合物1和化合物2可以均存在于空穴传输区中)，或者存在于不同的层中(例如，化合物1可以存在于空穴传输区中并且化合物2可以存在于电子传输区中)。
如本文使用的术语“中间层”是指位于发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层或多个层。
根据本公开内容的另一个实施方案，电子设备包括如以上描述的发光装置。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。在实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。关于电子设备的更多细节与本说明书中描述的相同。
图1的描述
图1是根据本公开内容的实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、空穴传输区120、第一空穴传输层121、第二空穴传输层122、第三空穴传输层123、发射层131、中间层130和第二电极150。即，发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。中间层130包括空穴传输区120(包括第一空穴传输层121、第二空穴传输层122和第三空穴传输层123)和发射层131。
在下文，将关于图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
第一电极110
在图1中，衬底可以额外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为衬底，可以使用玻璃衬底或塑料衬底。在实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有适合的(例如，优异的)耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是可以促进空穴注入的高功函材料。
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合可以用作用于形成第一电极110的材料。
第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
中间层130
中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。
除了各种适合的有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
在实施方案中，中间层130可以包括i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)位于两个相邻发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。
中间层130中的空穴传输区120
空穴传输区120可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
在实施方案中，空穴传输区120可以包括第一空穴传输层121、在第一空穴传输层121与发射层之间的第二空穴传输层122和在第二空穴传输层122与发射层之间的第三空穴传输层123。
空穴传输区120可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
在实施方案中，空穴传输区120可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，构成层从第一电极110按各自规定的顺序依次堆叠。
空穴传输区120可以包含根据本说明书的第一化合物至第三化合物。
在实施方案中，第一空穴传输层121可以包含第一化合物，第二空穴传输层122可以包含第二化合物，第三空穴传输层123可以包含第三化合物，并且第一化合物至第三化合物可以各自独立地是基于胺的化合物，但可以彼此不同。
空穴传输区120可以进一步包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
式201
Figure BDA0003400799380000211
式202
Figure BDA0003400799380000212
其中，在式201和式202中，
L201至L204可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
L205可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20亚烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C20亚烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
xa5可以是1至10的整数，
R201至R204和Q201可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
R201和R202可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C8-C60多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物HT16)，
R203和R204可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C8-C60多环基团，以及
na1可以是1至4的整数。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种。
Figure BDA0003400799380000221
在式CY201至式CY217中，R10b和R10c各自与本说明书中关于R10a描述的相同，CY201至CY204可以各自独立地是C3-C20碳环基团或C1-C20杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被如本说明书中描述的R10a取代。
在实施方案中，式CY201至式CY217中的CY201至CY204可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。
在实施方案中，式201可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。
在实施方案中，式201中的xa1可以是1，R201可以是由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且R202可以是由式CY204至式CY207中的一种表示的基团。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203表示的基团。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203表示的基团，并且可以包含由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY217表示的基团。
在实施方案中，空穴传输区120可以包含化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的一种或其任意组合：
Figure BDA0003400799380000241
Figure BDA0003400799380000251
Figure BDA0003400799380000261
Figure BDA0003400799380000271
Figure BDA0003400799380000281
空穴传输区120的厚度可以是约
Figure BDA0003400799380000282
至约
Figure BDA0003400799380000283
例如，约
Figure BDA0003400799380000284
至约
Figure BDA0003400799380000285
当空穴传输区120包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约
Figure BDA0003400799380000286
至约
Figure BDA0003400799380000287
例如约
Figure BDA0003400799380000288
至约
Figure BDA0003400799380000289
并且空穴传输层的厚度可以是约
Figure BDA00034007993800002810
至约
Figure BDA00034007993800002811
例如约
Figure BDA00034007993800002812
至约
Figure BDA00034007993800002813
当空穴传输区120、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡从发射层至空穴传输区的电子泄露。可以包含在空穴传输区120中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。
p-掺杂剂
除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以包含电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单个层的形式)。
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
在实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是约-3.5eV或小于-3.5eV。
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素EL1和元素EL2的化合物(以下将更详细地描述)或其任意组合。
醌衍生物的实例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。
含氰基基团的化合物的实例可以包括HAT-CN、由以下式221表示的化合物等。
Figure BDA0003400799380000291
在式221中，
R221至R223可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，以及
R221至R223中的至少一个可以各自独立地是各自被：氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C1-C20烷基基团；或者其任意组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团。
在含有元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其组合。
金属的实例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au))；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。
准金属的实例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。
非金属的实例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。
在实施方案中，含有元素EL1和元素EL2的化合物的实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。
金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，WO、W2O3、WO2、WO3、W2O5等)、钒氧化物(例如，VO、V2O3、VO2、V2O5等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo2O3、MoO2、MoO3、Mo2O5等)和铼氧化物(例如，ReO3等)。
金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
碱金属卤化物的实例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。
碱土金属卤化物的实例可以包括BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2和BaI2。
过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4等)、锆卤化物(例如，ZrF4、ZrCl4、ZrBr4、ZrI4等)、铪卤化物(例如，HfF4、HfCl4、HfBr4、HfI4等)、钒卤化物(例如，VF3、VCl3、VBr3、VI3等)、铌卤化物(例如，NbF3、NbCl3、NbBr3、NbI3等)、钽卤化物(例如，TaF3、TaCl3、TaBr3、TaI3等)、铬卤化物(例如，CrF3、CrCl3、CrBr3、CrI3等)、钼卤化物(例如，MoF3、MoCl3、MoBr3、MoI3等)、钨卤化物(例如，WF3、WCl3、WBr3、WI3等)、锰卤化物(例如，MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2等)、锝卤化物(例如，TcF2、TcCl2、TcBr2、TcI2等)、铼卤化物(例如，ReF2、ReCl2、ReBr2、ReI2等)、铁卤化物(例如，FeF2、FeCl2、FeBr2、FeI2等)、钌卤化物(例如，RuF2、RuCl2、RuBr2、RuI2等)、锇卤化物(例如，OsF2、OsCl2、OsBr2、OsI2等)、钴卤化物(例如，CoF2、CoCl2、CoBr2、CoI2等)、铑卤化物(例如，RhF2、RhCl2、RhBr2、RhI2等)、铱卤化物(例如，IrF2、IrCl2、IrBr2、IrI2等)、镍卤化物(例如，NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2等)、钯卤化物(例如，PdF2、PdCl2、PdBr2、PdI2等)、铂卤化物(例如，PtF2、PtCl2、PtBr2、PtI2等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。
后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2等)、铟卤化物(例如，InI3等)和锡卤化物(例如，SnI2等)。
镧系金属卤化物的实例可以包括YbF、YbF2、YbF3、SmF3、YbCl、YbCl2、YbCl3、SmCl3、YbBr、YbBr2、YbBr3、SmBr3、YbI、YbI2、YbI3和SmI3。
准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，SbCl5等)。
金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，Li2Te、Na2Te、K2Te、Rb2Te、Cs2Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe2、ZrTe2、HfTe2、V2Te3、Nb2Te3、Ta2Te3、Cr2Te3、Mo2Te3、W2Te3、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu2Te、CuTe、Ag2Te、AgTe、Au2Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。
中间层130中的发射层
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此隔开。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。
发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
在实施方案中，发射层可以包含量子点。
在实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作(例如，充当)发射层中的主体或掺杂剂。
发射层的厚度可以是约
Figure BDA0003400799380000321
至约
Figure BDA0003400799380000322
例如约
Figure BDA0003400799380000323
至约
Figure BDA0003400799380000324
当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得适合的(例如，优异的)光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。
主体
主体可以包括由以下式301表示的化合物：
式301
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21
其中，在式301中，
Ar301和L301可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
xb11可以是1、2或3，
xb1可以是0至5的整数，
R301可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可以是1至5的整数，以及
Q301至Q303各自与关于Q1描述的相同。
在实施方案中，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar301可以经由单键彼此连接。
在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：
式301-1
Figure BDA0003400799380000331
式301-2
Figure BDA0003400799380000332
其中，在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
X301可以是O、S、N[(L304)xb4-R304]、C(R304)(R305)或Si(R304)(R305)，
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
L301、xb1和R301各自与本说明书中描述的相同，
L302至L304各自独立地与关于L301描述的相同，
xb2至xb4各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
R302至R305和R311至R314各自与关于R301描述的相同。
在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其组合。在实施方案中，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其组合。
在实施方案中，主体可以包括化合物H1至化合物H124、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或其任意组合：
Figure BDA0003400799380000341
Figure BDA0003400799380000351
Figure BDA0003400799380000361
Figure BDA0003400799380000371
Figure BDA0003400799380000381
Figure BDA0003400799380000391
磷光掺杂剂
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属(例如，中心金属原子)。
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
磷光掺杂剂可以是电中性的。
在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
式401
M(L401)xc1(L402)xc2
式402
Figure BDA0003400799380000401
其中，在式401和式402中，
M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，
L401可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是二或大于二时，两个或多于两个的L401可以彼此相同或不同，
L402可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L402可以彼此相同或不同，
X401和X402可以各自独立地是氮或碳，
环A401和环A402可以各自独立地是C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团，
T401可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，
X403和X404可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或Si(Q413)(Q414)，
Q411至Q414各自与关于Q1描述的相同，
R401和R402可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)或-P(＝O)(Q401)(Q402)，
Q401至Q403各自与关于Q1描述的相同，
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。
在实施方案中，在式402中，i)X401可以是氮，并且X402可以是碳，或ii)X401和X402中的每一个可以是氮。
在实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L401中的两个A401可以任选地经由作为连接基团的T402彼此连接，和/或两个或多于两个的L401中的两个A402可以任选地经由作为连接基团的T403彼此连接(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T402和T403各自与关于T401描述的相同。
式401中的L402可以是有机配体。在实施方案中，L402可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN基团、磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。
磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物PD1至化合物PD25中的一种或其任意组合：
Figure BDA0003400799380000411
Figure BDA0003400799380000421
荧光掺杂剂
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
式501
Figure BDA0003400799380000422
其中，在式501中，
Ar501、L501至L503、R501和R502可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
在实施方案中，式501中的Ar501可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、
Figure BDA0003400799380000423
基团和/或芘基团)。
在实施方案中，式501中的xd4可以是2。
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括化合物FD1至化合物FD37、DPVBi、DPAVBi中的一种或其任意组合：
Figure BDA0003400799380000431
Figure BDA0003400799380000441
Figure BDA0003400799380000451
延迟荧光材料
发射层可以包含延迟荧光材料。
在本说明书中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。
根据包含在发射层中的其它材料的种类(例如，类型)，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于约0eV并且小于或等于约0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。
在实施方案中，延迟荧光材料可以包括：i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C3-C60环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团和/或含缺π电子的氮的C1-C60环状基团)的材料，和/或ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(B)的C8-C60多环基团的材料。
延迟荧光材料的实例可以包括以下化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：
Figure BDA0003400799380000461
Figure BDA0003400799380000471
量子点
发射层可以包含量子点。
在本说明书中，量子点是指半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸能够发射各种适合的发射波长的光的任何材料。
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
可以通过湿法化学工艺、金属有机(例如，有机金属)化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何适合的工艺合成量子点。
根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点晶体颗粒。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)和/或分子束外延(MBE))更容易进行并且需要低成本的工艺来控制。
量子点可以包括II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或者其任意组合。
II-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或者其任意组合。
III-V族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等；或者其任意组合。在实施方案中，III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物的实例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2S3、In2Se3、InTe等；三元化合物，例如InGaS3、InGaSe3等；或者其任意组合。
I-III-VI族半导体化合物的实例可以包括：三元化合物，例如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2和/或AgAlO2；或者其任意组合。
IV-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；或者其任意组合。
IV族元素或化合物可以包括：单一元素，例如Si和/或Ge；二元化合物，例如SiC和/或SiGe；或者其任意组合。
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于(例如，可以存在于)颗粒中。
在实施方案中，量子点可以具有单一结构或双核-壳结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度是均匀的。在实施方案中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
量子点的壳可以用作(例如，充当)防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。存在于量子点的核与壳之间的界面中的元素可以具有浓度梯度，所述浓度梯度朝向量子点的中心降低。
量子点的壳的实例可以是金属氧化物、准金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物及其任意组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的实例可以包括：二元化合物，例如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO；三元化合物，例如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4；或者其任意组合。半导体化合物的实例可以包括如本文描述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或其任意组合。此外，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，例如约30nm或小于30nm，并且在这些范围内，可以增加(例如，改善)颜色纯度或颜色再现性。此外，因为由量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以改善广视角。
此外，量子点可以是球形颗粒、角锥形颗粒、多臂颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。
因为能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，所以可以从量子点发射层获得具有各种适合的波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种适合的波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。此外，可以将量子点的尺寸配置成通过组合各种适合的颜色的光来发射白色光。
中间层130中的电子传输区
电子传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
在实施方案中，电子传输区可以具有包括电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构的结构，其中，在每种结构中，构成层从发射层按各自规定的顺序依次堆叠。
电子传输区(例如，在电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一个含缺π电子的氮的C1-C60环状基团的不含金属的化合物。
在实施方案中，电子传输区可以包含由以下式601表示的化合物：
式601
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21
其中，在式601中，
Ar601和L601可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
xe11可以是1、2或3，
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
R601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或-P(＝O)(Q601)(Q602)，Q601至Q603各自与关于Q1描述的相同，
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
Ar601、L601和/或R601可以(例如，可以各自)独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的含缺π电子的氮的C1-C60环状基团。
在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar601可以经由单键彼此连接。
在实施方案中，式601中的Ar601可以是取代或未取代的蒽基团。
在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：
式601-1
Figure BDA0003400799380000511
其中，在式601-1中，
X614可以是N或C(R614)，X615可以是N或C(R615)，X616可以是N或C(R616)，并且X614至X616中的至少一个可以是N，
L611至L613各自与关于L601描述的相同，
xe611至xe613各自与关于xe1描述的相同，
R611至R613各自与关于R601描述的相同，以及
R614至R616可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团。
在实施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
电子传输区可以包含化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、TAZ、NTAZ中的一种或其任意组合：
Figure BDA0003400799380000512
Figure BDA0003400799380000521
Figure BDA0003400799380000531
Figure BDA0003400799380000541
电子传输区的厚度可以是约
Figure BDA0003400799380000542
至约
Figure BDA0003400799380000543
例如，约
Figure BDA0003400799380000544
至约
Figure BDA0003400799380000545
当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约
Figure BDA0003400799380000546
至约
Figure BDA0003400799380000547
例如约
Figure BDA0003400799380000548
至约
Figure BDA0003400799380000549
并且电子传输层的厚度可以是约
Figure BDA00034007993800005410
至约
Figure BDA00034007993800005411
例如约
Figure BDA00034007993800005412
至约
Figure BDA00034007993800005413
当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的厚度在如以上描述的这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
在实施方案中，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(LiQ)或化合物ET-D2：
Figure BDA00034007993800005414
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极150直接接触。
电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由由多种不同材料组成的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物。
含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物(例如Li2O、Cs2O和/或K2O)、碱金属卤化物(例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)、BaxCa1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La2Te3、Ce2Te3、Pr2Te3、Nd2Te3、Pm2Te3、Sm2Te3、Eu2Te3、Gd2Te3、Tb2Te3、Dy2Te3、Ho2Te3、Er2Te3、Tm2Te3、Yb2Te3和Lu2Te3。
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，和ii)键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
电子注入层可以包含以下(例如，由以下组成)：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
在实施方案中，电子注入层可以包括以下(例如，由以下组成)：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，或者ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层等。
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
电子注入层的厚度可以是约
Figure BDA0003400799380000561
至约
Figure BDA0003400799380000562
并且例如，约
Figure BDA0003400799380000563
至约
Figure BDA0003400799380000564
当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
第二电极150
第二电极150可以位于具有此类结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于第二电极150的材料。
在实施方案中，第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极150可以具有单层结构或者包括两层或多于两层的多层结构。
覆盖层
第一覆盖层可以位于第一电极110外部(例如，第一电极110的反向背离第二电极150的一侧上)，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150外部(例如，第二电极150的反向背离第一电极110的一侧上)。在一个实施方案中，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以此规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以此规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以此规定的顺序依次堆叠的结构。
在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其可以是半透射电极或透射电极)和第一覆盖层(其可以是半透射层或透射层)朝向外部引导或引出，或者在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其可以是半透射电极或透射电极)和第二覆盖层(其可以是半透射层或透射层)朝向外部引导或引出。
第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，可以增加发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发射效率。
第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有1.6或大于1.6的折射率(在589nm处)的材料。
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
第一覆盖层和/或第二覆盖层可以(例如，可以各自)独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基任选地取代。在实施方案中，第一覆盖层和/或第二覆盖层可以(例如，可以各自)独立地包含含胺基团的化合物。
在实施方案中，第一覆盖层和/或第二覆盖层可以(例如，可以各自)独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
在实施方案中，第一覆盖层和/或第二覆盖层可以(例如，可以各自)独立地包含化合物HT28至化合物HT33、化合物CP1至化合物CP6、β-NPB中的一种或其任意组合：
Figure BDA0003400799380000581
膜
第一化合物至第三化合物中的至少一种可以包含在各种适合的膜(例如层)中。因此，根据本公开内容的另一个实施方案，可以提供包含第一化合物至第三化合物中的至少一种的膜。膜可以是，例如，光学构件(或光控制装置)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、出光效率改善层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点的层等)、光阻挡构件(例如，光反射层、吸光层等)、保护层(例如，绝缘层、介电层等)等。
电子设备
发光装置可以被包括在各种适合的电子设备中。在实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方案中，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以与本文描述的相同。
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。
像素限定膜可以位于子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。
滤色器可以包括多个滤色器区域并且可以进一步包括位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以包括多个颜色转换区域并且可以进一步包括位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。
多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包含量子点。更详细地，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点可以与本说明书中描述的相同。
第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含散射体。
在实施方案中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。更详细地，第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。
除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极或漏电极可以电连接至发光装置的第一电极或第二电极。
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部和/或颜色转换层可以位于滤色器与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，而并行地(或同时地)防止或基本上防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适合的功能层可以额外地位于密封部上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。
除了发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。
电子设备可以应用于各种适合的显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子日志(或电子记事本)、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种适合的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
图2至图4的描述
图2是根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。
图2的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部(或封装层)300。
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以形成在衬底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透通过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
有源层220可以包含无机半导体(例如硅和/或多晶硅)、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
层间绝缘膜250位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以置于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。可以形成层间绝缘膜250和栅绝缘膜230以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。可以在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
第一电极110可以形成在钝化层280上。钝化层280可以不完全覆盖漏电极270并且可以暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可以连接至漏电极270的暴露部分。
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸的有机膜。在一个实施方案中，中间层130的一个或多于一个的层可以以公共层的形式延伸超过像素限定层290的上部。
第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
封装部300可以形成在覆盖层170上。封装部300可以形成在发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。
图3是根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。
图3的发光设备与图2的发光设备相同，但遮光图案500和功能区400额外地置于封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。
图4是根据本公开内容的实施方案的全色发光装置30的示意性横截面视图。在下文，仅更详细地描述与发光装置10的区别。
发光装置30可以包括：划分成第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域的衬底；分别位于衬底的第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域中的多个阳极(第一电极)110；面对多个阳极110的阴极(第二电极)150；在阴极150上的覆盖层170；以及位于多个阳极110与阴极150之间并且包括分别位于衬底的第一子像素区域、第二子像素区域和第三子像素区域中的第一发射层131a、第二发射层131b和第三发射层131c的中间层，其中中间层进一步包括：在第一电极与第一发射层131a、第二发射层131b和第三发射层131c之间的公共空穴传输区132；以及在第二电极与第一发射层131a、第二发射层131b和第三发射层131c之间的公共电子传输区133。
空穴传输区132可以包含如以上描述的第一化合物至第三化合物。
第一发射层131a可以发射第一颜色光，第二发射层131b可以发射第二颜色光，并且第三发射层131c可以发射第三颜色光。
第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。
第一颜色光、第二颜色光和第三颜色光可以被混合以发射白色光。
在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光，但本公开内容的实施方案不限于此。
当第一颜色光是蓝色光时，第一发射层131a可以包含适合的发蓝色光的材料，当第一颜色光是红色光时，第一发射层131a可以包含适合的发红色光的材料，并且当第一颜色光是绿色光时，第一发射层131a可以包含适合的发绿色光的材料。在实施方案中，第一发射层131a可以包含适合的主体和适合的掺杂剂。主体和掺杂剂可以各自参考图1的描述来理解。
第一电极110、空穴传输区132、电子传输区133、第二电极150和覆盖层170可以各自参考图1的描述来理解，并且第一发射层131a、第二发射层131b和第三发射层131c可以各自与关于图1的描述中的发射层131描述的相同。
制造方法
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。
当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约
Figure BDA0003400799380000631
/秒至约
Figure BDA0003400799380000632
/秒的沉积速度进行真空沉积。
术语的定义
如本文使用的术语“C3-C60碳环基团”是指仅由碳原子作为成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子(例如3个至30个、3个至24个或3个至18个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“C1-C60杂环基团”是指进一步包含除了碳原子之外的杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子并且具有1个至60个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)的环状基团。C3-C60碳环基团和C1-C60杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。在实施方案中，C1-C60杂环基团可以具有3个至61个成环原子。
如本文使用的术语“环状基团”可以包括C3-C60碳环基团和C1-C60杂环基团。
如本文使用的术语“富π电子的C3-C60环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如3个至30个、3个至24个或3个至18个碳原子)并且不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的C1-C60环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如1个至30个、1个至24个或1个至18个碳原子)并且包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。
在实施方案中，
C3-C60碳环基团可以是i)T1基团，或者ii)其中两个或多于两个的T1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、
Figure BDA0003400799380000641
基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
C1-C60杂环基团可以是i)T2基团，ii)其中两个或多于两个的T2基团彼此稠合的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
富π电子的C3-C60环状基团可以是i)T1基团，ii)其中两个或多于两个的T1基团彼此稠合的稠合环状基团，iii)T3基团，iv)其中两个或多于两个的T3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，C3-C60碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
含缺π电子的氮的C1-C60环状基团可以是i)T4基团，ii)其中两个或多于两个的T4基团彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
T1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团(或双环[2.2.1]庚烷基团)、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
T2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，
T3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
T4基团可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
如本文使用的术语“环状基团”、“C3-C60碳环基团”、“C1-C60杂环基团”、“富π电子的C3-C60环状基团”或“含缺π电子的氮的C1-C60环状基团”各自是指取决于与术语使用有关的式的结构，与任何环状基团稠合的基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在实施方案中，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。
单价C3-C60碳环基团和单价C1-C60杂环基团的实例可以包括C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团，并且二价C3-C60碳环基团和二价C1-C60杂环基团的实例可以包括C3-C10亚环烷基基团、C1-C10亚杂环烷基基团、C3-C10亚环烯基基团、C1-C10亚杂环烯基基团、C6-C60亚芳基基团、C1-C60亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例可以包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。在一些实施方案中，C1-C60烷基基团可以是C1-C30烷基基团、C1-C20烷基基团或C1-C10烷基基团。如本文使用的术语“C1-C60亚烷基基团”是指具有与C1-C60烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60烯基基团”是指在C2-C60烷基基团的中间或末端(例如，端点)处具有至少一个双键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。在一些实施方案中，C2-C60烯基基团可以是C2-C30烯基基团、C2-C20烯基基团或C2-C10烯基基团。如本文使用的术语“C2-C60亚烯基基团”是指具有与C2-C60烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60炔基基团”是指在C2-C60烷基基团的中间或末端(例如，端点)处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙炔基基团和丙炔基基团。在一些实施方案中，C2-C60炔基基团可以是C2-C30炔基基团、C2-C20炔基基团或C2-C10炔基基团。如本文使用的术语“C2-C60亚炔基基团”是指具有与C2-C60炔基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷氧基基团”是指由-OA101(其中A101是C1-C60烷基基团)表示的单价基团，并且其实例可以包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例可以包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C3-C10亚环烷基基团”是指具有与C3-C10环烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子并且具有1个至10个碳原子的单价饱和的单环基团，并且其实例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烷基基团”是指具有与C1-C10杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语C3-C10环烯基基团是指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例可以包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C3-C10亚环烯基基团”是指具有与C3-C10环烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烯基基团”是指在其环状结构中具有作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。C1-C10杂环烯基基团的实例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烯基基团”是指具有与C1-C10杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳基基团”是指具有含六个至六十个碳原子的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C6-C60亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子的碳环芳香族体系的二价基团。C6-C60芳基基团的实例可以包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0003400799380000691
基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、芴基基团和卵苯基基团。在一些实施方案中，C6-C60芳基基团可以是C6-C30芳基基团、C6-C24芳基基团或C6-C18芳基基团。当C6-C60芳基基团和C6-C60亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。
如本文使用的术语“C1-C60杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C1-C60亚杂芳基基团”是指具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子和1个至60个碳原子的杂环芳香族体系的二价基团。C1-C60杂芳基基团的实例可以包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩并呋喃基基团和萘啶基基团。在一些实施方案中，C1-C60杂芳基基团可以是C1-C30杂芳基基团、C1-C24杂芳基基团或C1-C18杂芳基基团。当C1-C60杂芳基基团和C1-C60亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多于两个的环，仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子，例如8个至30个或8个至24个碳原子)作为成环原子，并且当视为整体时在其分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不是芳香族)的单价基团。单价非芳香族稠合多环基团的实例可以包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团、金刚烷基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多于两个的环，除了1个至60个碳原子(例如1个至30个或1个至24个碳原子)之外的至少一个杂原子(例如1个至5个或1个至3个杂原子，例如1、2、3、4或5个杂原子)作为成环原子，并且当视为整体时在其分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不是芳香族)的单价基团。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例可以包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团、氮杂金刚烷基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳氧基基团”是指由-OA102(其中A102是C6-C60芳基基团)表示的单价基团，并且如本文使用的术语“C6-C60芳硫基基团”是指由-SA103(其中A103是C6-C60芳基基团)表示的单价基团。
如本文使用的术语“C7-C60芳基烷基基团”是指由-A104A105(其中A104可以是C1-C54亚烷基基团，并且A105可以是C6-C59芳基基团)表示的单价基团，并且如本文使用的术语“C2-C60杂芳基烷基基团”是指由-A106A107(其中A106可以是C1-C59亚烷基基团，并且A107可以是C1-C59杂芳基基团)表示的单价基团。
R10a可以是：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C7-C60芳基烷基基团、C2-C60杂芳基烷基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C7-C60芳基烷基基团、C2-C60杂芳基烷基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C7-C60芳基烷基基团或C2-C60杂芳基烷基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)。
本文使用的Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1-C60烷基基团；C2-C60烯基基团；C2-C60炔基基团；C1-C60烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团；C7-C60芳基烷基基团；或者C2-C60杂芳基烷基基团。
如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子和氢原子之外的任何原子。杂原子的实例可以包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任意组合。
本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。
如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-Bu”或“But”是指叔丁基基团，以及如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有C6-C60芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。“三联苯基基团”是具有被C6-C60芳基基团取代的C6-C60芳基基团作为取代基的取代的苯基基团。
除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。
在下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。在描述实施例中使用的措辞“使用B代替A”是指使用等摩尔当量的B代替等摩尔当量的A。
实施例
评价例1：三重态能级(T1)的测量
化合物48、化合物51、化合物54、FD37、PD11和PD13的三重态能级(T1)各自使用在B3LYP/6-31G(d,p)水平上结构优化的高斯程序的DFT方法进行评价并且显示在表1中。
表1
化合物 三重态能级(T<sub>1</sub>，eV)
39 2.6
48 2.6
51 2.7
54 2.6
FD37 2.0
PD13 2.4
PD11 2.0
Figure BDA0003400799380000731
在表1中，化合物48、化合物51和化合物54相对于FD37、PD13和PD11，各自分别满足本公开内容的等式1。
实施例1-1
作为阳极，将购自康宁公司(Corning Inc.)的15Ω/cm2
Figure BDA0003400799380000742
ITO玻璃衬底切割成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且然后通过对其照射紫外线和暴露臭氧30分钟来清洁。将ITO玻璃衬底提供至真空沉积设备。
将化合物8真空沉积在形成在玻璃衬底上的ITO阳极上以形成具有10nm的厚度的第一空穴传输层。
将化合物31真空沉积在第一空穴传输层上以形成具有110nm的厚度的第二空穴传输层，并且将化合物48真空沉积在第二空穴传输层上以形成具有10nm的厚度的第三空穴传输层。
将H8(主体)和FD37(掺杂剂)以97:3的重量比共沉积在第三空穴传输层上以形成具有20nm的厚度的发射层。
接下来，将ET46沉积在发射层上以形成具有5nm的厚度的第一电子传输层，并且将ET47和ET-D1以50:50的重量比共沉积在第一电子传输层上以形成具有30nm的厚度的第二电子传输层。
将ET-D1沉积在第二电子传输层上以形成具有1nm的厚度的电子注入层，并且将Mg和Ag以10:90的重量比共沉积以形成具有10nm的厚度的电极，从而制造发光装置。
Figure BDA0003400799380000741
Figure BDA0003400799380000751
实施例1-2、实施例1-4和实施例1-6
以与实施例1-1中相同的方式制造发光装置，但在形成第一空穴传输层时，将表2中的各第一化合物形成为具有60nm的厚度，并且在形成第二空穴传输层时，将表2中的各第二化合物形成为具有60nm的厚度。
实施例1-3和实施例1-5
以与实施例1-1中相同的方式制造发光装置，但在形成第一空穴传输层时，使用表2中的各第一化合物，并且在形成第二空穴传输层时，使用表2中的各第二化合物。
比较例1-1
以与实施例1-1中相同的方式制造发光装置，但在ITO阳极上没有形成第一空穴传输层，将化合物31真空沉积在ITO阳极上以形成具有120nm的厚度的第二空穴传输层。
比较例1-2
以与实施例1-1中相同的方式制造发光装置，但将化合物39和HAT-CN以98:2的重量比共沉积在ITO阳极上以形成具有10nm的厚度的第一空穴传输层，将化合物31真空沉积在第一空穴传输层上以形成具有40nm的厚度的第二空穴传输层，将化合物39和HAT-CN以98:2的重量比共沉积在第二空穴传输层上以形成具有20nm的厚度的第三空穴传输层，将化合物31真空沉积在第三空穴传输层上以形成具有40nm的厚度的第四空穴传输层，并且将化合物39真空沉积在第四空穴传输层上以形成具有20nm的厚度的缓冲层。
Figure BDA0003400799380000761
评价例2
为了评价在实施例1-1至实施例1-6、比较例1-1和比较例1-2中制造的发光装置的特性，使用吉时利(Keithley)MU 236和亮度计PR650测量发光装置的在1,000cd/m2下的驱动电压(△V)、发光效率(％)、使用寿命(％)和发射颜色中的每一个并且结果显示在表2中。通过将比较例1-1的驱动电压假定为0，将驱动电压转换为差值。即，将驱动电压值计算为样品的驱动电压与比较例1-1的驱动电压之间的差。使用比较例1-1的发光效率作为100％来转换发光效率。通过测量亮度相对于初始亮度达到95％所花费的时间，并且然后使用比较例1-1的寿命作为100％进行转换来获得使用寿命。
表2
Figure BDA0003400799380000762
Figure BDA0003400799380000771
根据表2，可以确认，与比较例1-1和比较例1-2的发光装置相比，实施例1-1至实施例1-6的发光装置各自具有降低的驱动电压、增加的发光效率和增加的使用寿命。
实施例2-1
作为阳极，将购自康宁公司的15Ω/cm2
Figure BDA0003400799380000772
ITO玻璃衬底切割成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且然后通过对其照射紫外线和暴露臭氧30分钟来清洁。将ITO玻璃衬底提供至真空沉积设备。
将化合物8真空沉积在形成在玻璃衬底上的ITO阳极上以形成具有10nm的厚度的第一空穴传输层。
将化合物31真空沉积在第一空穴传输层上以形成具有110nm的厚度的第二空穴传输层，并且将化合物51真空沉积在第二空穴传输层上以形成具有30nm的厚度的第三空穴传输层。
将CBP(主体)和PD13(掺杂剂)以90:10的重量比共沉积在第三空穴传输层上以形成具有40nm的厚度的发射层。
接下来，将ET46沉积在发射层上以形成具有5nm的厚度的第一电子传输层，并且将ET47和ET-D1以50:50的重量比共沉积在第一电子传输层上以形成具有30nm的厚度的第二电子传输层。
将ET-D1沉积在第二电子传输层上以形成具有1nm的厚度的电子注入层，并且将Mg和Ag以10:90的重量比共沉积以形成具有10nm的厚度的电极，从而制造发光装置。
Figure BDA0003400799380000781
实施例2-2和实施例2-3
以与实施例2-1中相同的方式制造发光装置，但在形成第一空穴传输层时，使用表3中的第一化合物，并且在形成第二空穴传输层时，使用表3中的第二化合物。
比较例2-1
以与实施例2-1中相同的方式制造发光装置，但在ITO阳极上没有形成第一空穴传输层，将化合物31真空沉积在ITO阳极上以形成具有120nm的厚度的第二空穴传输层。
评价例3
为了评价在实施例2-1至实施例2-3和比较例2-1中制造的发光装置的特性，使用吉时利MU 236和亮度计PR650测量发光装置的在12,000cd/m2下的驱动电压(△V)、发光效率(％)、使用寿命(％)和发射颜色中的每一个并且结果显示在表3中。通过将比较例2-1的驱动电压假定为0，将驱动电压转换为差值。即，将驱动电压值计算为样品的驱动电压与比较例2-1的驱动电压之间的差。使用比较例2-1的发光效率作为100％来转换发光效率。通过测量亮度相对于初始亮度达到95％所花费的时间，并且然后使用比较例2-1的寿命作为100％进行转换来获得使用寿命。
表3
Figure BDA0003400799380000791
Figure BDA0003400799380000792
根据表3，可以确认，与比较例2-1的发光装置相比，实施例2-1至实施例2-3的发光装置各自具有降低的驱动电压、增加的发光效率、增加的使用寿命和增加的最大量子效率。
实施例3-1
作为阳极，将购自康宁公司的15Ω/cm2
Figure BDA0003400799380000801
ITO玻璃衬底切割成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且然后通过对此照射紫外线和暴露臭氧30分钟来清洁。将ITO玻璃衬底提供至真空沉积设备。
将化合物8真空沉积在形成在玻璃衬底上的ITO阳极上以形成具有10nm的厚度的第一空穴传输层。
将化合物31真空沉积在第一空穴传输层上以形成具有110nm的厚度的第二空穴传输层，并且将化合物54真空沉积在第二空穴传输层上以形成具有60nm的厚度的第三空穴传输层。
将CBP(主体)和PD11(掺杂剂)以98:2的重量比共沉积在第三空穴传输层上以形成具有40nm的厚度的发射层。
接下来，将ET46沉积在发射层上以形成具有5nm的厚度的第一电子传输层，并且将ET47和ET-D1以50:50的重量比共沉积在第一电子传输层上以形成具有30nm的厚度的第二电子传输层。
将ET-D1沉积在第二电子传输层上以形成具有1nm的厚度的电子注入层，并且将Mg和Ag以10:90的重量比共沉积以形成具有10nm的厚度的电极，从而制造发光装置。
Figure BDA0003400799380000802
Figure BDA0003400799380000811
实施例3-2和实施例3-3
以与实施例3-1中相同的方式制造发光装置，但在形成第一空穴传输层时，使用表4中的第一化合物，并且在形成第二空穴传输层时，使用表4中的第二化合物。
比较例3-1
以与实施例3-1中相同的方式制造发光装置，但在ITO阳极上没有形成第一空穴传输层，将化合物31真空沉积在ITO阳极上以形成具有120nm的厚度的第二空穴传输层。
评价例4
为了评价在实施例3-1至实施例3-3和比较例3-1中制造的发光装置的特性，使用吉时利MU 236和亮度计PR650测量发光装置的在3,500cd/m2下的驱动电压(△V)、发光效率(％)、使用寿命(％)和发射颜色中的每一个并且结果显示在表4中。通过将比较例3-1的驱动电压假定为0，将驱动电压转换为差值。即，将驱动电压值计算为样品的驱动电压与比较例3-1的驱动电压之间的差。使用比较例3-1的发光效率作为100％来转换发光效率。通过测量亮度相对于初始亮度达到95％所花费的时间，并且然后使用比较例3-1的寿命作为100％进行转换来获得使用寿命。
表4
Figure BDA0003400799380000812
Figure BDA0003400799380000821
根据表4，可以确认，与比较例3-1的发光装置相比，实施例3-1至实施例3-3的发光装置各自具有降低的驱动电压、增加的发光效率、增加的使用寿命和增加的最大量子效率。
应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求及其等同物限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的各种适合的改变。

Claims (20)

1.发光装置，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；以及
包括在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层和在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区的中间层，
其中所述发射层包含掺杂剂，
所述空穴传输区包括第一空穴传输层、在所述第一空穴传输层与所述发射层之间的第二空穴传输层和在所述第二空穴传输层与所述发射层之间的第三空穴传输层，
所述第一空穴传输层包含第一化合物，
所述第二空穴传输层包含第二化合物，
所述第三空穴传输层包含第三化合物，
所述第一化合物至所述第三化合物各自独立地是基于胺的化合物，并且彼此不同，以及
满足等式1：
等式1
T1(HTM3)≥T1(D)+0.3eV，以及
其中，在等式1中，
T1(HTM3)是所述第三化合物的以eV计的三重态能级，
T1(D)是所述掺杂剂的以eV计的三重态能级，以及
T1(HTM3)和T1(D)是使用在B3LYP/6-31G(d,p)水平上结构优化的高斯程序的密度泛函理论方法评价的值。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中
所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极，
所述中间层进一步包括在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区，
所述空穴传输区进一步包括空穴注入层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，以及
所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输区进一步包含p-掺杂剂。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中
i)所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层直接接触，
ii)所述第二空穴传输层与所述第三空穴传输层直接接触，或者
iii)所述第一空穴传输层与所述第二空穴传输层直接接触，并且所述第二空穴传输层与所述第三空穴传输层直接接触。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第三空穴传输层与所述发射层直接接触。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一空穴传输层的厚度和所述第三空穴传输层的厚度各自独立地是5nm至80nm。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二空穴传输层的厚度大于或等于所述第一空穴传输层的厚度或所述第三空穴传输层的厚度。
8.如权利要求1所述的发光装置，其中T1(HTM3)是1.7eV以上且2.8eV以下。
9.如权利要求1所述的发光装置，其中T1(HTM3)与T1(D)之间的差是0.3eV以上且0.8eV以下。
10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一化合物至所述第三化合物各自独立地由式1-1或式1-2表示：
式1-1
Figure FDA0003400799370000031
式1-2
Figure FDA0003400799370000032
其中，在式1-1中，X1是*-C(Z1a)(Z1b)-*'，
在式1-2中，X2是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(Z2a)(Z2b)-*'或*-N(Z2a)(Z2b)-*'，
在式1-1和式1-2中，
CY1至CY4各自独立地是C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，
L1至L3各自独立地是单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20亚烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C20亚烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
a1至a3各自独立地是0至5的整数，
Ar1和Ar2各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
R1至R4、Z1a、Z1b、Z2a和Z2b各自独立地是：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或者-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b1至b4各自独立地是0至10的整数，
当b1是2或大于2时，两个或多于两个的R1中的两个R1任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C4-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
当b2是2或大于2时，两个或多于两个的R2中的两个R2任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C4-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
当b3是2或大于2时，两个或多于两个的R3中的两个R3任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C4-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
当b4是2或大于2时，两个或多于两个的R4中的两个R4任选地连接在一起以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C4-C60碳环基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
R10a是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或
-P(＝O)(Q31)(Q32)，
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C1-C60烷基基团；C2-C60烯基基团；C2-C60炔基基团；C1-C60烷氧基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团，以及
*和*'各自表示与相邻原子的结合位点。
11.如权利要求10所述的发光装置，其中所述第一化合物是不含咔唑的化合物。
12.如权利要求10所述的发光装置，其中所述第一化合物不包含由式2-1至式2-3表示的基团：
Figure FDA0003400799370000051
其中，在式2-1至式2-3中，
CY21和CY22各自独立地是C3-C20碳环基团或C1-C20杂环基团，以及
R10b与关于R10a描述的相同。
13.如权利要求10所述的发光装置，其中所述第二化合物是含咔唑的化合物。
14.如权利要求10所述的发光装置，其中所述第二化合物包含由式2-1至式2-3表示的基团：
Figure FDA0003400799370000061
其中，在式2-1至式2-3中，
CY21和CY22各自独立地是C3-C20碳环基团或C1-C20杂环基团，以及
R10b与关于R10a描述的相同。
15.如权利要求10所述的发光装置，其中CY1至CY4、Ar1和Ar2各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的富π电子的C3-C60环状基团。
16.如权利要求1所述的发光装置，其中
所述第一电极根据第一子像素、第二子像素和第三子像素图案化，
所述发射层包括形成在所述第一子像素中并且旨在发射第一颜色光的第一发射层、形成在所述第二子像素中并且旨在发射第二颜色光的第二发射层、以及形成在所述第三子像素中并且旨在发射第三颜色光的第三发射层，
所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层是形成在所有的所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素上方的公共层，
所述第三空穴传输层包括形成在所述第一子像素中的空穴传输层3-1、形成在所述第二子像素中的空穴传输层3-2、以及形成在所述第三子像素中的空穴传输层3-3，
所述第一发射层包含第一掺杂剂，
所述第二发射层包含第二掺杂剂，
所述第三发射层包含第三掺杂剂，
所述空穴传输层3-1包含第一第三化合物，
所述空穴传输层3-2包含第二第三化合物，
所述空穴传输层3-3包含第三第三化合物，
包含在所述空穴传输层3-1中的所述第一第三化合物、包含在所述空穴传输层3-2中的所述第二第三化合物和包含在所述空穴传输层3-3中的所述第三第三化合物彼此相同或不同，以及
满足等式2：
等式2
T1(HTM3-1)>T1(D1)；
T1(HTM3-2)>T1(D2)；以及
T1(HTM3-3)>T1(D3)，
其中，在等式2中，
T1(HTM3-1)是包含在所述空穴传输层3-1中的所述第一第三化合物的以eV计的三重态能级，
T1(HTM3-2)是包含在所述空穴传输层3-2中的所述第二第三化合物的以eV计的三重态能级，
T1(HTM3-3)是包含在所述空穴传输层3-3中的所述第三第三化合物的以eV计的三重态能级，
T1(D1)是所述第一掺杂剂的以eV计的三重态能级，
T1(D2)是所述第二掺杂剂的以eV计的三重态能级，
T1(D3)是所述第三掺杂剂的以eV计的三重态能级，以及
T1(HTM3-1)至T1(HTM3-3)和T1(D1)至T1(D3)是使用在B3LYP/6-31G(d,p)水平上结构优化的高斯程序的密度泛函理论方法评价的值。
17.如权利要求16所述的发光装置，其中进一步满足等式2-1：
等式2-1
T1(HTM3-1)≥T1(D1)+0.3eV；
T1(HTM3-2)≥T1(D2)+0.3eV；以及
T1(HTM3-3)≥T1(D3)+0.3eV，
其中，在等式2-1中，T1(HTM3-1)、T1(HTM3-2)和T1(HTM3-3)各自与关于等式2描述的相同。
18.电子设备，包括权利要求1至17中任一项所述的发光装置。
19.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，
其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及
所述发光装置的所述第一电极电连接至所述薄膜晶体管的所述源电极或所述漏电极。
20.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。
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