CN116896916A - 发光装置及包括发光装置的电子设备 - Google Patents

Abstract

实施方案提供了发光装置以及包括发光装置的电子设备。所述发光装置包括：第一电极；面对所述第一电极的第二电极；堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间的m个发光单元；以及在所述m个发光单元中的相邻发光单元之间的m‑1个电荷产生层。每个发光单元包括发射层；所述m个发光单元包括第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元、第四发光单元和第五发光单元；所述m‑1个电荷产生层包括第一电荷产生层、第二电荷产生层、第三电荷产生层和第四电荷产生层；所述第一发光单元和所述第二发光单元各自发射绿色光；以及所述第三发光单元、所述第四发光单元和所述第五发光单元各自发射蓝色光。

Description

发光装置及包括发光装置的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年3月31日向韩国知识产权局提交的第10-2022-0040459号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。

技术领域

实施方案涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

背景技术

在发光装置中，自发射装置具有广视角、高对比度、短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性。

在发光装置中，第一电极布置在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

应理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。

发明内容

实施方案包括具有低驱动电压、高发光效率和长使用寿命的发光装置。

其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

根据实施方案，发光装置可以包括第一电极，

面对所述第一电极的第二电极，

堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间的m个发光单元，以及

在所述m个发光单元中的相邻发光单元之间的m-1个电荷产生层，其中

m可以是5或大于5的整数，

每个发光单元可以包括发射层，

所述m个发光单元可以包括第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元、第四发光单元和第五发光单元，

所述m-1个电荷产生层可以包括第一电荷产生层、第二电荷产生层、第三电荷产生层和第四电荷产生层，

所述第一发光单元和所述第二发光单元可以各自发射绿色光，以及

所述第三发光单元、所述第四发光单元和所述第五发光单元可以各自发射蓝色光。

根据实施方案，m可以是5。

根据实施方案，所述第一发光单元和所述第二发光单元可以彼此不相邻。

根据实施方案，所述第一发光单元和所述第二发光单元的所述发射层可以各自发射具有约500nm至约600nm的最大发射波长的光。

根据实施方案，所述第三发光单元、所述第四发光单元和所述第五发光单元的所述发射层可以各自发射具有约400nm至约500nm的最大发射波长的光。

根据实施方案，所述第一发光单元可以是最接近所述第一电极的发光单元；或者所述第二发光单元可以是最接近所述第二电极的发光单元。

根据实施方案，所述第一发光单元或所述第二发光单元可以在所述第三发光单元与所述第五发光单元之间。

根据实施方案，所述第一电荷产生层可以在所述第三发光单元与所述第四发光单元之间，所述第二电荷产生层可以在所述第四发光单元与所述第一发光单元之间，所述第三电荷产生层可以在所述第一发光单元与所述第五发光单元之间，以及所述第四电荷产生层可以在所述第五发光单元与所述第二发光单元之间。

根据实施方案，所述第一电荷产生层可以在所述第一发光单元与所述第三发光单元之间，所述第二电荷产生层可以在所述第三发光单元与所述第四发光单元之间，所述第三电荷产生层可以在所述第四发光单元与所述第二发光单元之间，以及所述第四电荷产生层可以在所述第二发光单元与所述第五发光单元之间。

根据实施方案，所述第一电荷产生层可以在所述第一发光单元与所述第三发光单元之间，所述第二电荷产生层可以在所述第三发光单元与所述第二发光单元之间，所述第三电荷产生层可以在所述第二发光单元与所述第四发光单元之间，以及所述第四电荷产生层可以在所述第四发光单元与所述第五发光单元之间。

根据实施方案，所述发光装置可以满足以下解释的式1。

根据实施方案，所述发光装置可以满足以下解释的式2-1。

根据实施方案，所述发光装置可以满足以下解释的式2-2。

根据实施方案，所述m-1个电荷产生层中的至少一个可以包括n型电荷产生层和p型电荷产生层。

根据实施方案，至少一个发射层可以包含第一主体和第二主体，以及所述第一主体和所述第二主体可以彼此不同。

根据实施方案，至少一个发射层可以包括第一发射层和第二发射层。

根据实施方案，所述发光装置可以进一步包括布置在所述第二电极外部的覆盖层。

根据实施方案，电子设备可以包括所述发光装置。

根据实施方案，所述电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极可以电连接至所述源电极和所述漏电极中的至少一个。

根据实施方案，所述电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

应理解，以上实施方案仅以一般性且解释性的意义来描述，而不是出于限制的目的，并且本公开内容不限于以上描述的实施方案。

附图说明

根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和优点将更加明显，在附图中：

图1至图4各自是根据实施方案的发光装置的示意性横截面视图；

图5是根据实施方案的电子设备的示意性横截面视图；以及

图6是根据另一个实施方案的电子设备的示意性横截面视图。

具体实施方式

现在将参考其中示出了实施方案的附图在下文更全面地描述本公开内容。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开内容的范围。

在附图中，为了便于描述且为了清晰，可以放大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的数字通篇是指相同的元件。

在描述中，应理解，当元件(或区、层、部件等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件或“联接至”另一个元件时，它可以直接在其它元件上、直接连接至其它元件或直接联接至其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。在类似的含义中，当元件(或区、层、部件等)被描述为“覆盖”另一个元件时，它可以直接覆盖其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。

在描述中，当元件“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件或“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。例如，“直接在......上”可以意指设置两个层或两个元件，而在其间没有额外的元件，例如粘合元件。

应理解，术语“连接至”或“联接至”可以包括物理或电连接或联接。

如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的用于单数的表述旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。

如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......的组中的至少一个(种)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种)”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。当在一列要素之前时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而不修饰该列的单个要素。

应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不背离本公开内容的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。

为了便于描述，空间相对术语“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”等可以在本文用于描述如附图中例示的一个元件或组件与另一个元件或组件之间的关系。应理解，空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方向之外的装置在使用或操作时的不同方向。例如，在其中附图中例示的装置被翻转的情况下，位于另一个装置“下方”或“之下”的装置可以被放置在另一个装置“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以定向在其它方向上，并且因此空间相对术语可以根据方向进行不同地解释。

如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的所述值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的±20％、±10％或±5％内。

应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。

除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。

如本文使用的术语“中间层”可以是布置在发光装置中的第一电极与第二电极之间的单个层或多个层。

如本文使用的发光单元的术语“最大发射波长”可以是在其中发光单元的低温光致发光(PL)光谱中出现最大强度峰的点处的波长。

如本文使用，术语“D₁”可以是第一电极与最接近第一电极的发光单元之间的界面和第二电极与最接近第二电极的发光单元之间的界面之间的距离。例如，D₁对应于图1中的中间层130的厚度。

本公开内容的发光装置可以包括：第一电极；

面对第一电极的第二电极；

堆叠在第一电极与第二电极之间的m个发光单元；以及

在m个发光单元中的相邻发光单元之间的m-1个电荷产生层，

其中m可以是5或大于5的整数，

每个发光单元可以包括发射层，

m个发光单元可以包括第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元、第四发光单元和第五发光单元，

m-1个电荷产生层可以包括第一电荷产生层、第二电荷产生层、第三电荷产生层和第四电荷产生层，

第一发光单元和第二发光单元可以各自发射绿色光，以及

第三发光单元、第四发光单元和第五发光单元可以各自发射蓝色光。

根据本公开内容的实施方案的发光装置可以具有包括第一发光单元至第五发光单元的结构，所述第一发光单元至第五发光单元包括发射绿色光的两个发光单元和发射蓝色光的三个发光单元。由于包括五个发光单元，发光装置可以发射蓝色光，同时进一步包括与荧光蓝色光相比具有高亮度和高效率特性的磷光绿色光，从而实现高效率发光装置。

在实施方案中，m可以是5。

例如，本公开内容的发光装置可以包括：堆叠在第一电极与第二电极之间并且各自包括发射层的五个发光单元；以及

在五个发光单元中的两个相邻发光单元之间的四个电荷产生层。

在实施方案中，第一发光单元和第二发光单元可以彼此不相邻。

例如，发射绿色光的第一发光单元和第二发光单元可以彼此不相邻。措辞“不相邻”意指发光单元可以布置成彼此不邻近，并且表示在第一发光单元与第二发光单元之间存在另一个发光单元。

在实施方案中，第一发光单元和第二发光单元的发射层可以各自发射具有约500nm至约600nm的最大发射波长的光。

在实施方案中，第三发光单元、第四发光单元和第五发光单元的发射层可以各自发射具有约400nm至约500nm的最大发射波长的光。

在实施方案中，第一发光单元可以是最接近第一电极的发光单元。

例如，第一发光单元可以是最靠近第一电极的发光单元。例如，在第一发光单元与第一电极之间可以不存在另一个发光单元。

在实施方案中，第二发光单元可以是最接近第二电极的发光单元。

例如，第二发光单元可以是最靠近第二电极的发光单元。例如，在第二发光单元与第二电极之间可以不存在另一个发光单元。

在实施方案中，第一发光单元可以是最接近第一电极的发光单元；或者第二发光单元可以是最接近第二电极的发光单元。

在实施方案中，第一发光单元可以接触第一电极；或者第二发光单元可以接触第二电极。

在实施方案中，第一发光单元可以在第三发光单元与第五发光单元之间；或者第二发光单元可以在第三发光单元与第五发光单元之间。

如果第一发光单元在第三发光单元与第五发光单元之间，仅第一发光单元可以存在于第三发光单元与第五发光单元之间；或者，也可以存在除了第一发光单元之外的发光单元。

在实施方案中，第一电荷产生层可以在第三发光单元与第四发光单元之间，

第二电荷产生层可以在第四发光单元与第一发光单元之间，

第三电荷产生层可以在第一发光单元与第五发光单元之间，以及

第四电荷产生层可以在第五发光单元与第二发光单元之间。

例如，发光单元和电荷产生层可以从第一电极处于“第三发光单元-第一电荷产生层-第四发光单元-第二电荷产生层-第一发光单元-第三电荷产生层-第五发光单元-第四电荷产生层-第二发光单元”的顺序。

在实施方案中，第一电荷产生层可以在第一发光单元与第三发光单元之间，

第二电荷产生层可以在第三发光单元与第四发光单元之间，

第三电荷产生层可以在第四发光单元与第二发光单元之间，以及

第四电荷产生层可以在第二发光单元与第五发光单元之间。

例如，发光单元和电荷产生层可以从第一电极处于“第一发光单元-第一电荷产生层-第三发光单元-第二电荷产生层-第四发光单元-第三电荷产生层-第二发光单元-第四电荷产生层-第五发光单元”的顺序。

在实施方案中，第一电荷产生层可以在第一发光单元与第三发光单元之间，

第二电荷产生层可以在第三发光单元与第二发光单元之间，

第三电荷产生层可以在第二发光单元与第四发光单元之间，以及

第四电荷产生层可以在第四发光单元与第五发光单元之间。

例如，发光单元和电荷产生层可以从第一电极处于“第一发光单元-第一电荷产生层-第三发光单元-第二电荷产生层-第二发光单元-第三电荷产生层-第四发光单元-第四电荷产生层-第五发光单元”的顺序。

在实施方案中，本公开内容的发光装置可以满足式1：

[式1]

在式1中，D₁表示第一电极与最接近第一电极的发光单元之间的界面和第二电极与最接近第二电极的发光单元之间的界面之间的距离。

如果本公开内容的发光装置满足式1，发光装置可以具有改善的发光效率或使用寿命。

在实施方案中，本公开内容的发光装置可以满足式2-1：

[式2-1]

3≤D₁/(2×λ₁)≤4

在式2-1中，D₁与式1中描述的相同，以及

λ₁表示第一发光单元的最大发射波长。

如果本公开内容的发光装置满足式2-1，发光装置可以包括两个绿色发光单元，从而具有改善的发光效率或使用寿命。

在实施方案中，本公开内容的发光装置可以满足式2-2：

[式2-2]

4≤D₁/(2×λ₃)≤5

在式2-2中，D₁与式1中描述的相同，以及

λ₃表示第三发光单元的最大发射波长。

如果本公开内容的发光装置满足式2-2，发光装置可以包括三个蓝色发光单元，从而具有改善的发光效率或使用寿命。

在实施方案中，第一电极可以是阳极，

第二电极可以是阴极，

m个发光单元可以包含包括发射层的中间层，

中间层可以进一步包括布置在发射层与第一电极之间的空穴传输区，

中间层可以进一步包括布置在发射层与第二电极之间的电子传输区，

空穴传输区可以包括空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，以及

电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

在实施方案中，m-1个电荷产生层中的至少一个可以包括n型电荷产生层和p型电荷产生层。

在实施方案中，至少一个发射层可以包含第一主体和第二主体，以及第一主体和第二主体可以彼此不同。

在实施方案中，至少一个发射层可以包括第一发射层和第二发射层。

在实施方案中，发光装置可以进一步包括布置在第二电极外部的覆盖层。

在实施方案中，第一发光单元和第二发光单元中的至少一个可以包含有机金属化合物。

在实施方案中，第三发光单元、第四发光单元和第五发光单元中的至少一个可以包含含硼的化合物。

本公开内容的另一方面提供了包括如以上描述的发光装置的电子设备。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

关于电子设备的更多细节可以与本文描述的相同。

[图1至图4的描述]

图1示出了本公开内容的发光装置10的实施方案的示意性横截面视图。

图1的发光装置10具有其中第一电极110、中间层130和第二电极150可以按该规定的顺序堆叠的结构。

中间层130包括：m个发光单元153(1)至153(m)；以及布置在m个发光单元中的两个相邻发光单元之间的m-1个电荷产生层155(1)至155(m-1)。

图2至图4示出了图1的发光装置10的实施方案，并且具体地，示出了发光装置11至发光装置13的横截面视图，其中m是5。

图2的发光装置11具有其中第一电极110、第三发光单元153-3、第一电荷产生层155-1、第四发光单元153-4、第二电荷产生层155-2、第一发光单元153-1、第三电荷产生层155-3、第五发光单元153-5、第四电荷产生层155-4、第二发光单元153-2和第二电极150可以按该规定的顺序堆叠的结构。

图3的发光装置12具有其中第一电极110、第一发光单元153-1、第一电荷产生层155-1、第三发光单元153-3、第二电荷产生层155-2、第四发光单元153-4、第三电荷产生层155-3、第二发光单元153-2、第四电荷产生层155-4、第五发光单元153-5和第二电极150可以按该规定的顺序堆叠的结构。

图4的发光装置13具有其中第一电极110、第一发光单元153-1、第一电荷产生层155-1、第三发光单元153-3、第二电荷产生层155-2、第二发光单元153-2、第三电荷产生层155-3、第四发光单元153-4、第四电荷产生层155-4、第五发光单元153-5和第二电极150可以按该规定的顺序堆叠的结构。

在下文，将关于图1至图4描述根据实施方案的发光装置10至发光装置13中的每一个的结构以及制造其的方法。

[第一电极110]

在图1中，衬底可以额外地设置在第一电极110下或第二电极150上。作为衬底，可以使用玻璃衬底或塑料衬底。在实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。

可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。如果第一电极110是阳极，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函数材料。

第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。如果第一电极110是透射电极，用于形成第一电极110的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任意组合。在实施方案中，如果第一电极110是半透反射电极或反射电极，用于形成第一电极110的材料可以是镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合。

第一电极110可以具有由单个层组成的结构或者包括多个层的结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[中间层130]

中间层130可以设置在第一电极110上。中间层130可以包括包含发射层的发光单元。

中间层130可以进一步包括布置在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和布置在发射层与第二电极150之间的电子传输区。

除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。

在实施方案中，中间层130可以包括堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发光单元，以及在两个或多于两个的发光单元之间的至少一个电荷产生层。如果中间层130包括如以上描述的发光单元和电荷产生层，发光装置10可以是串联发光装置。

[中间层130中的空穴传输区]

空穴传输区可以具有由由单一材料组成的单个层组成的结构，由由不同材料组成的层组成的结构，或者包括包含不同材料的多个层的结构。

空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每种结构的层可以从第一电极110按其各自规定的顺序堆叠，但空穴传输区的结构不限于此。

空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：

[式201]

[式202]

在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，*和*'各自是指与相邻原子的结合位点，

xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，

xa5可以是1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参见化合物HT16等)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，以及

na1可以是1至4的整数，R_10a与说明书中描述的相同。

例如，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种：

其中在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c可以各自独立地与关于R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被如本文描述的R_10a取代。

在实施方案中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。

在实施方案中，式201可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在实施方案中，在式201中，xa1可以是1，R₂₀₁可以是由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以是由式CY204至式CY207中的一种表示的基团。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203中的一种表示的基团。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，并且可以包含由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY217中的一种表示的基团。

例如，空穴传输区可以包含化合物HT1至化合物HT46中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)或其任意组合：

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空穴传输区的厚度可以是约至约/>例如，空穴传输区的厚度可以是约/>至约/>如果空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合，空穴注入层的厚度可以是约/>至约/>并且空穴传输层的厚度可以是约/>至约/>例如，空穴注入层的厚度可以是约/>至约/>例如，空穴传输层的厚度可以是约/>至约/>如果空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在以上描述的范围内，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。

[p-掺杂剂]

除了如以上描述的材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。

电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是-3.5eV或小于-3.5eV。

在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。

醌衍生物的实例可以包括TCNQ和F4-TCNQ。

含氰基基团的化合物的实例可以包括HAT-CN和由式221表示的化合物：

[式221]

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，R_10a与说明书中描述的相同，以及

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基基团；或者其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在含有元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其组合。

金属的实例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的实例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的实例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

例如，含有元素EL1和元素EL2的化合物可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其任意组合。

金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的实例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的实例可以包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的实例可以包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。

准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

在实施方案中，如以上描述的p-掺杂剂可以包含在本公开内容的电荷产生层中。例如，p-掺杂剂可以包含在p型电荷产生层中。

[中间层130中的发射层]

如果发光装置10是全色发光装置，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此分开以发射白色光。在实施方案中，发射层可以具有其中发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合的结构，并且因此发射白色光。

发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。

基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。

在实施方案中，发射层可以包含量子点。

在实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可以是约至约/>例如，发射层的厚度可以是约/>至约/>如果发射层的厚度在以上描述的范围内，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。

[主体]

在实施方案中，主体可以包括由式301表示的化合物：

[式301]

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

在式301中，

Ar₃₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₃₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xb11可以是1、2或3，

xb1可以是0至5的整数，

R₃₀₁可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可以是1至5的整数，以及

Q₃₀₁至Q₃₀₃可以各自独立地与关于Q₁描述的相同，R_10a与说明书中描述的相同。

在实施方案中，在式301中，如果xb11是2或大于2，两个或多于两个的Ar₃₀₁可以经由单键彼此连接。

在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：

[式301-1]

[式301-2]

在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可以是O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可以分别与本文描述的那些相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可以各自独立地与关于L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可以各自独立地与关于R₃₀₁描述的相同，R_10a与说明书中描述的相同。

在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其任意合。例如，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其任意组合。

在实施方案中，主体可以包括化合物H1至化合物H126、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或其任意组合：

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[磷光掺杂剂]

磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可以包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。

磷光掺杂剂可以是电中性的。

例如，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：

[式401]

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

[式402]

在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中如果xc1是2或大于2，两个或多于两个的L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中如果xc2是2或大于2，两个或多于两个的L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以各自独立地是氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，*和*'各自是指与相邻原子的结合位点，

X₄₀₃和X₄₀₄可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可以各自独立地与关于Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自独立地与关于Q₁描述的相同，R_10a与说明书中描述的相同,

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及

式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。

例如，在式402中，X₄₀₁可以是氮，并且X₄₀₂可以是碳，或者X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可以是氮。

在实施方案中，如果式401中的xc1是2或大于2，两个或多于两个的L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可以任选地经由可以是连接基团的T₄₀₂彼此连接，或者两个环A₄₀₂可以任选地经由可以是连接基团的T₄₀₃彼此连接(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可以各自独立地与关于T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可以是有机配体。例如，L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN、含磷的基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。

磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物PD1至化合物PD39中的一种或其任意组合：

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/>

[荧光掺杂剂]

荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。

例如，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

[式501]

在式501中，

Ar₅₀₁、R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₅₀₁至L₅₀₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，R_10a与说明书中描述的相同，

xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

例如，式501中的Ar₅₀₁可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、基团、芘基团等)。

在实施方案中，式501中的xd4可以是2。

例如，荧光掺杂剂可以包括：化合物FD1至化合物FD36、DPVBi、DPAVBi中的一种或其任意组合：

/>

/>

[延迟荧光材料]

发射层可以包含延迟荧光材料。

在说明书中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光光的化合物。

取决于包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以用作主体或掺杂剂。

在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以等于或大于约0eV且等于或小于约0.5eV。如果延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。

例如，延迟荧光材料可以包括：包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料；以及包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(B)的C₈-C₆₀多环基团的材料。

在实施方案中，延迟荧光材料可以由式200表示：

[式200]

在式200中，

X₂₁可以是C(R₂₄)(R₂₅)、N(R₂₄)、O或S，

X₂₂可以是C(R₂₆)(R₂₇)、N(R₂₆)、O或S，

CY₂₁至CY₂₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₂₁至L₂₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

a21至a23可以各自独立地是0至5的整数，

R₂₁至R₂₇可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

b21至b23可以各自独立地是1至10的整数，

n21至n23可以各自独立地是0至10的整数，

R_10a可以是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，以及

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团。

延迟荧光材料的实例可以包括化合物DF1至化合物DF10中的至少一种：

[量子点]

发射层可以包含量子点。

在说明书中，量子点可以是半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。

可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。

湿法化学工艺是可以包括将前体材料与有机溶剂混合并且生长量子点颗粒晶体的方法。如果晶体生长，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))成本更低且可以更容易地进行的工艺来控制。

量子点可以包括：II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或其任意组合。

II-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或者其任意组合。

III-V族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或者其任意组合。在实施方案中，III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物的实例可以包括InZnP、InGaZnP和InAlZnP。

III-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃或InTe；三元化合物，例如InGaS₃或InGaSe₃；或者其任意组合。

I-III-VI族半导体化合物的实例可以包括：三元化合物，例如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂；或者其任意组合。

IV-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或者其任意组合。

IV族元素或化合物的实例可以包括：单一元素材料，例如Si或Ge；二元化合物，例如SiC或SiGe；或者其任意组合。

包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物或四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或以非均匀的浓度存在于颗粒中。

在实施方案中，量子点可以具有单一结构，其中量子点中的每种元素的浓度可以是均匀的，或者量子点可以具有核-壳结构。例如，如果量子点具有核-壳结构，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。

量子点的壳可以用作防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或用作向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的材料的浓度朝向核的中心降低。

量子点的壳的实例可以包括金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物，半导体化合物或其任意组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的实例可以包括二元化合物，例如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄或NiO；三元化合物，例如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄或CoMn₂O₄；或者其任意组合。半导体化合物的实例可以包括如本文描述的II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物或其任意组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以等于或小于约45nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可以等于或小于约40nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可以等于或小于约30nm。在这些范围内，可以改善颜色纯度或颜色再现性。通过量子点发射的光可以在所有方向上发射，使得可以改善光的广视角。

量子点可以是球形、角锥形、多臂或立方体的纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维或纳米板的形式。

由于能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，因此可以从包含量子点的发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。可以将量子点的尺寸配置成通过组合各种颜色的光来发射白色光。

[中间层130中的电子传输区]

电子传输区可以具有由由单一材料组成的层组成的结构，由由不同材料组成的层组成的结构，或者包括包含不同材料的多个层的结构。

电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每种结构的层可以从发射层按其各自规定的顺序堆叠，但电子传输区的结构不限于此。

电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一种缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团的不含金属的化合物。

例如，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：

[式601]

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

在式601中，

Ar₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可以各自独立地与关于Q₁描述的相同，R_10a与说明书中描述的相同，

xe21可以是1、2、3、4或5，以及

可以满足以下条件中的至少一个：Ar₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团；R₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团；以及L₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，如果式601中的xe11是2或大于2，两个或多于两个的Ar₆₀₁可以经由单键彼此连接。

在实施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以是取代或未取代的蒽基团。

在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：

[式601-1]

在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃可以各自独立地与关于L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可以各自独立地与关于xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可以各自独立地与关于R₆₀₁描述的相同，以及

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

例如，式601中的xe1和式601-1中的xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

电子传输区可以包含化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ、TPM-TAZ、T2T中的一种或其任意组合：

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电子传输区的厚度可以是约至约/>例如，电子传输区的厚度可以是约/>至约/>如果电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约/>至约/>并且电子传输层的厚度可以是约/>至约/>例如，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约/>至约/>例如，电子传输层的厚度可以是约/>至约/>如果缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在以上描述的范围内，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。

含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

例如，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：

电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。

电子注入层可以具有由由单一材料组成的层组成的结构、由由不同材料组成的层组成的结构、或者包括包含不同材料的多个层的结构。

电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)或碲化物，或者其任意组合。

含碱金属的化合物可以包括：碱金属氧化物，例如Li₂O、Cs₂O或K₂O；碱金属卤化物，例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI；或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x是满足0<x<1的条件的实数)、或Ba_xCa_1-xO(其中x是满足0<x<1的条件的实数)。含稀土金属的化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一种，以及作为键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方案中，电子注入层可以由以下组成：含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；以及碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。例如，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层、LiF:Yb共沉积层等。

如果电子注入层进一步包含有机材料，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。

电子注入层的厚度可以是约至约/>例如，电子注入层的厚度可以是约至约/>如果电子注入层的厚度在以上描述的范围内，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

[第二电极150]

第二电极150可以设置在如以上描述的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其任意组合作为用于形成第二电极150的材料。

第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。

第二电极150可以具有单层结构或者多层结构。

[覆盖层]

第一覆盖层可以布置在第一电极110外部和/或第二覆盖层可以布置在第二电极150外部。例如，发光装置10可以具有其中可以依次堆叠第一电极110、发光单元153-3、电荷产生层155-1、发光单元153-4、电荷产生层155-2、发光单元153-1、电荷产生层155-3、发光单元153-5、电荷产生层155-4、发光单元153-2、第二电极150和第二覆盖层(未示出)的结构。

发光装置10的中间层130中产生的光可以通过第一电极110(其可以是半透反射电极或透射电极)并且通过第一覆盖层朝向外部引出。在实施方案中，发光装置10的中间层130中产生的光可以通过第二电极150(其可以是半透反射电极或透射电极)并且通过第二覆盖层朝向外部引出。

第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发光效率。因此，可以增加发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。

第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有等于或大于约1.6(相对于约589nm的波长)的折射率的材料。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。

第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、膦衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基任选地取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。

例如，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。

在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP7中的一种、β-NPB或其任意组合：

[电子设备]

发光装置可以被包括在各种电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括滤色器、颜色转换层、或者滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以布置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。关于发光装置的细节可以与本文描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。

电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的颜色转换区域。

像素限定层可以布置在子像素之间以限定每个子像素。

滤色器可以进一步包括滤色器区域和布置在滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以包括颜色转换区域和布置在颜色转换区域之间的遮光图案。

滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。在实施方案中，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点可以与本文描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含散射体。

例如，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一的第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二的第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三的第一颜色光。在这点上，第一的第一颜色光、第二的第一颜色光和第三的第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。在实施方案中，第一光可以是蓝色光，第一的第一颜色光可以是红色光，第二的第一颜色光可以是绿色光，并且第三的第一颜色光可以是蓝色光。

除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的一个。

薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。

有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以布置在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部可以允许来自发光装置的光被引出至外部，并且可以同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层中的至少一个层的薄膜封装层。如果密封部是薄膜封装层，电子设备可以是柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以额外地设置在密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。

除了如以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。

电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。

[图5和图6的描述]

图5示出了根据本公开内容的实施方案的电子设备的示意性横截面视图。

图5的设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。

衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。可以在衬底100上设置缓冲层210。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。

TFT可以设置在缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以设置在有源层220上，并且栅电极240可以设置在栅绝缘膜230上。

层间绝缘膜250可以设置在栅电极240上。层间绝缘膜250可以布置在栅电极240与源电极260之间以及栅电极240与漏电极270之间以在其间提供绝缘。

源电极260和漏电极270可以设置在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以分别接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。可以在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以设置在钝化层280上。钝化层280可以布置成暴露漏电极270的一部分，而不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可以连接至漏电极270的暴露部分。

包含绝缘材料的像素限定层290可以设置在第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图5中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以布置成公共层的形式。

第二电极150可以设置在中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。

封装部300可以设置在覆盖层170上。封装部300可以设置在发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。

图6示出了根据本公开内容的另一个实施方案的电子设备的示意性横截面视图。

图6的电子设备可以与图5的电子设备不同，至少在于遮光图案500和功能区400进一步设置在封装部300上。功能区400可以是滤色器区域、颜色转换区域、或者滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图6的电子设备中的发光装置可以是串联发光装置。

[制造方法]

包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层可以通过使用各种方法(例如真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像等)形成在特定区中。

如果通过真空沉积形成包括在空穴传输区的各层、发射层和包括在电子传输区的各层，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约至约/>的沉积速度进行沉积。

[术语的定义]

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”可以是仅由碳作为成环原子组成并且具有3个至60个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”可以是具有1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基团可以具有3个至61个成环原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个成环原子)。

如本文使用的术语“环状基团”可以包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团二者。

如本文使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”可以是具有3个至60个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)并且可以不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团。如本文使用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”可以是具有1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)以及可以包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

在实施方案中，

C₃-C₆₀碳环基团可以是T1基团，或者其中至少两个T1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，

C₁-C₆₀杂环基团可以是T2基团，其中至少两个T2基团彼此稠合的稠合环状基团，或者其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是T1基团，其中至少两个T1基团彼此稠合的稠合环状基团，T3基团，其中至少两个T3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可以是T4基团，其中至少两个T4基团彼此稠合的稠合环状基团，其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠合环状基团，其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠合环状基团，或者其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

T1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，

T2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，

T3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及

T4基团可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如本文使用的术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基团”、“C₁-C₆₀杂环基团”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”可以是根据可以使用相应术语的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构更容易理解的。

单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的实例可以包括C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的实例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基基团、C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、C₃-C₁₀亚环烯基基团、C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、C₆-C₆₀亚芳基基团、C₁-C₆₀亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基基团”可以是具有1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例可以包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基基团”可以是具有与C₁-C₆₀烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基基团”可以是在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基基团”可以是具有与C₂-C₆₀烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基基团”可以是在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基基团”可以是具有与C₂-C₆₀炔基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基基团”可以是由-O(A₁₀₁)(其中A₁₀₁可以是C₁-C₆₀烷基基团)表示的单价基团，并且其实例可以包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基基团”可以是具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例可以包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基基团”可以是具有与C₃-C₁₀环烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基基团”可以是进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子并且具有1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基基团”可以是具有与C₁-C₁₀杂环烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烯基基团”可以是在其环中具有3个至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例可以包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基基团”可以是具有与C₃-C₁₀环烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基基团”可以是在其环状结构中具有作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基基团的实例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基基团”可以是具有与C₁-C₁₀杂环烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基基团”可以具有6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基基团”可以是具有6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基基团的实例可以包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。如果C₆-C₆₀芳基基团和C₆-C₆₀亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基基团”可以是具有1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团，并且可以进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基基团”可以是具有1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团，并且可以进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子。C₁-C₆₀杂芳基基团的实例可以包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。如果C₁-C₆₀杂芳基基团和C₁-C₆₀亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”可以是单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如8至30、8至20、8至15或8至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例可以包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”可以是具有与单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”可以是具有彼此稠合的两个或多于两个的环的单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)，并且可以进一步包含除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例可以包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”可以是具有与单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基基团”可以是由-O(A₁₀₂)(其中A₁₀₂可以是C₆-C₆₀芳基基团)表示的基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基基团”可以是由-S(A₁₀₃)(其中A₁₀₃可以是C₆-C₆₀芳基基团)表示的基团。

如本文使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基基团”可以是由-(A₁₀₄)(A₁₀₅)(其中A₁₀₄可以是C₁-C₅₄亚烷基基团，并且A₁₀₅可以是C₆-C₅₉芳基基团)表示的基团，并且如本文使用的术语“C₂-C₆₀杂芳基烷基基团”可以是由-(A₁₀₆)(A₁₀₇)(其中A₁₀₆可以是C₁-C₅₉亚烷基基团，并且A₁₀₇可以是C₁-C₅₉杂芳基基团)表示的基团。

如本文使用的基团“R_10a”可以是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

如本文使用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团；C₇-C₆₀芳基烷基基团；或者C₂-C₆₀杂芳基烷基基团。

如本文使用的术语“杂原子”可以是除了碳原子或氢原子之外的任何原子，杂原子的数量可以是1至10，例如1、2、3、4或5。杂原子的实例可以包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任意组合。

如本文使用的术语“第三行过渡金属”可以包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和金(Au)。

如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”各自是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。

如本文使用的术语“联苯基基团”可以是“被苯基基团取代的苯基基团”。例如，“联苯基基团”可以是具有C₆-C₆₀芳基基团(例如，苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。

如本文使用的术语“三联苯基基团”可以是“被联苯基基团取代的苯基基团”。例如，“三联苯基基团”可以是具有被C₆-C₆₀芳基基团取代的C₆-C₆₀芳基基团(例如，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。

除非另外定义，如本文使用的符号*和*'各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。

在下文，将参考比较例和实施例详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述比较例的措辞“使用B代替A”意指使用等摩尔当量的B代替A。

[实施例]

实施例1(BBGBG)

阳极的形成

作为衬底和阳极，将由康宁公司(Corning Inc.)制造的具有15Ω/cm² ITO在其上的玻璃衬底切割成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，用丙酮、异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且通过暴露于紫外线和臭氧30分钟来清洁。将玻璃衬底装载到真空沉积设备上，将Ag在其上图案化至/>的厚度，并且将ITO在其上图案化至/>的厚度，从而形成ITO/Ag/ITO阳极。

发光单元1的形成

将HAT-CN沉积在ITO/Ag/ITO阳极上以形成具有的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有/>的厚度的空穴传输层，并且将TCTA沉积在空穴传输层上以形成具有/>的厚度的电子阻挡层，从而形成空穴传输区。

将H8和DF10(1wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有的厚度的第一的第一发射层，并且将H125和DF10(1wt％)共沉积在第一的第一发射层上以形成具有/>的厚度的第一的第二发射层。

将T2T沉积在第一的第二发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层，并且将TPM-TAZ和Liq以50:50的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有/>的厚度的电子传输层，从而形成发光单元1。

第一电荷产生层的形成

将BCP和Li(10wt％)共沉积在发光单元1上以形成具有的厚度的n型电荷产生层，并且将HAT-CN沉积在n型电荷产生层上以形成具有/>的厚度的p型电荷产生层，从而形成第一电荷产生层。

发光单元2的形成

将HAT-CN沉积在第一电荷产生层上以形成具有的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有/>的厚度的空穴传输层，并且将TCTA沉积在空穴传输层上以形成具有/>的厚度的电子阻挡层，从而形成空穴传输区。

将H8和DF10(1wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有的厚度的第二的第一发射层，并且将H125和DF10(1wt％)共沉积在第二的第一发射层上以形成具有/>的厚度的第二的第二发射层。

将T2T沉积在第二的第二发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层，并且将TPM-TAZ和Liq以50:50的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有/>的厚度的电子传输层，从而形成发光单元2。

第二电荷产生层的形成

将BCP和Li(1wt％)共沉积在发光单元2上以形成具有的厚度的n型电荷产生层，并且将HAT-CN沉积在n型电荷产生层上以形成具有/>的厚度的p型电荷产生层，从而形成第二电荷产生层。

发光单元3的形成

将HAT-CN沉积在第二电荷产生层上以形成具有的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有/>的厚度的空穴传输层，并且将TCTA沉积在空穴传输层上以形成具有/>的厚度的电子阻挡层，从而形成空穴传输区。

将作为主体的H39和H126(1:1的重量比)和作为掺杂剂的PD13(9wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有的厚度的第三发射层。

将TPM-TAZ和Liq以50:50的重量比共沉积在第三发射层上以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成发光单元3。

第三电荷产生层的形成

将BCP和Li(10wt％)共沉积在发光单元3上以形成具有的厚度的n型电荷产生层，并且将HAT-CN沉积在n型电荷产生层上以形成具有/>的厚度的p型电荷产生层，从而形成第三电荷产生层。

发光单元4的形成

将HAT-CN沉积在第三电荷产生层上以形成具有的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有/>的厚度的空穴传输层，并且将TCTA沉积在空穴传输层上以形成具有/>的厚度的电子阻挡层，从而形成空穴传输区。

将H8和DF10(1wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有的厚度的第四的第一发射层，并且将H125和DF10(1wt％)共沉积在第四的第一发射层上以形成具有/>的厚度的第四的第二发射层。/>

将T2T沉积在第四的第二发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层，并且将TPM-TAZ和Liq以50:50的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有/>的厚度的电子传输层，从而形成发光单元4。

第四电荷产生层的形成

将BCP和Li(10wt％)共沉积在发光单元4上以形成具有的厚度的n型电荷产生层，并且将HAT-CN沉积在n型电荷产生层上以形成具有/>的厚度的p型电荷产生层，从而形成第四电荷产生层。

发光单元5的形成

将HAT-CN沉积在第四电荷产生层上以形成具有的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有/>的厚度的空穴传输层，并且将TCTA沉积在空穴传输层上以形成具有/>的厚度的电子阻挡层，从而形成空穴传输区。

将作为主体的H39和H126(1:1的重量比)和作为掺杂剂的PD13(9wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有的厚度的第五发射层。

将TPM-TAZ和Liq以50:50的重量比共沉积在第五发射层上以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成发光单元5。

第二电极的形成

将Yb沉积在发光单元5上以形成具有的厚度的电子注入层，将Ag和Mg(10wt％)共沉积在电子注入层上以形成具有/>的厚度的第二电极(阴极)，并且将CP7沉积在第二电极上以形成具有/>的厚度的覆盖层，从而完成发光装置的制造。

实施例2(GBGBB)和实施例3(GBBGB)

以与实施例1中相同的方式制造发光装置，但如表1中显示改变发光单元1至发光单元5的材料和厚度。

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比较例1(BBBG)

阳极的形成

作为衬底和阳极，将由康宁公司(Corning Inc.)制造的具有15Ω/cm² ITO在其上的玻璃衬底切割成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，用丙酮、异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且通过暴露于紫外线和臭氧30分钟来清洁。将玻璃衬底装载到真空沉积设备上，将Ag在其上图案化至/>的厚度，并且将ITO在其上图案化至/>的厚度，从而形成ITO/Ag/ITO阳极。

发光单元1的形成

将HAT-CN沉积在ITO/Ag/ITO阳极上以形成具有的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有/>的厚度的空穴传输层，并且将TCTA沉积在空穴传输层上以形成具有/>的厚度的电子阻挡层，从而形成空穴传输区。

将H8和DF10(1wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有的厚度的第一的第一发射层，并且将H125和DF10(1wt％)共沉积在第一的第一发射层上以形成具有/>的厚度的第一的第二发射层。

将T2T沉积在第一的第二发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层，并且将TPM-TAZ和Liq以50:50的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有/>的厚度的电子传输层，从而形成发光单元1。

第一电荷产生层的形成

将BCP和Li(10wt％)共沉积在发光单元1上以形成具有的厚度的n型电荷产生层，并且将HAT-CN沉积在n型电荷产生层上以形成具有/>的厚度的p型电荷产生层，从而形成第一电荷产生层。

发光单元2的形成

将HAT-CN沉积在第一电荷产生层上以形成具有的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有/>的厚度的空穴传输层，并且将TCTA沉积在空穴传输层上以形成具有/>的厚度的电子阻挡层，从而形成空穴传输区。

将H8和DF10(1wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有的厚度的第二的第一发射层，并且将H125和DF10(1wt％)共沉积在第二的第一发射层上以形成具有/>的厚度的第二的第二发射层。

将T2T沉积在第二的第二发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层，并且将TPM-TAZ和Liq以50:50的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有/>的厚度的电子传输层，从而形成发光单元2。

第二电荷产生层的形成

将BCP和Li(10wt％)共沉积在发光单元2上以形成具有的厚度的n型电荷产生层，并且将HAT-CN沉积在n型电荷产生层上以形成具有/>的厚度的p型电荷产生层，从而形成第二电荷产生层。

发光单元3的形成

将HAT-CN沉积在第二电荷产生层上以形成具有的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有/>的厚度的空穴传输层，并且将TCTA沉积在空穴传输层上以形成具有/>的厚度的电子阻挡层，从而形成空穴传输区。

将H8和DF10(1wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有的厚度的第三的第一发射层，并且将H125和DF10(1wt％)共沉积在第三的第一发射层上以形成具有/>的厚度的第三的第二发射层。

将T2T沉积在第三的第二发射层上以形成具有的厚度的空穴阻挡层，并且将TPM-TAZ和Liq以50:50的重量比共沉积在空穴阻挡层上以形成具有/>的厚度的电子传输层，从而形成发光单元3。

第三电荷产生层的形成

将BCP和Li(1wt％)共沉积在发光单元3上以形成具有的厚度的n型电荷产生层，并且将HAT-CN沉积在n型电荷产生层上以形成具有/>的厚度的p型电荷产生层，从而形成第三电荷产生层。

发光单元4的形成

将HAT-CN沉积在第三电荷产生层上以形成具有的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有/>的厚度的空穴传输层，并且将TCTA沉积在空穴传输层上以形成具有/>的厚度的电子阻挡层，从而形成空穴传输区。

将作为主体的H39和H126(1:1的重量比)和作为掺杂剂的PD13(9wt％)共沉积在空穴传输区上以形成具有的厚度的第四发射层。

将TPM-TAZ和Liq以50:50的重量比共沉积在第四发射层上以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成发光单元4。

第二电极的形成

将Yb沉积在发光单元4上以形成具有的厚度的电子注入层，将Ag和Mg(10wt％)共沉积在电子注入层上以形成具有/>的厚度的第二电极(阴极)，并且将CP7沉积在第二电极上以形成具有/>的厚度的覆盖层，从而完成发光装置的制造。

[表1]

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评估例1

使用吉时利(Keithley)MU 236和亮度计PR650测量根据实施例1至实施例3和比较例1制造的发光装置的电流效率(Cd/A)、功率效率(Cd/W)和使用寿命(T₉₅)，并且结果显示在表2中。(在0.2mA/cm²的电流密度下进行实施例1至实施例3的测量，并且在0.25mA/cm²的电流密度下进行比较例1的测量)。

以下术语“OL”是指装置的厚度，并且是从阳极(ITO/Ag/ITO)与空穴注入层(HAT-CN)之间的界面到电子注入层(Yb)与电子传输层(TPM-TAZ+Liq，5:5)之间的界面的厚度值。

使用寿命(T₉₅)是指亮度变成100％的初始亮度的95％所花费的时间。

将以下电流效率、功率效率和使用寿命值转化为基于100％的比较例1的测量值的值。

[表2]

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参考表2，证实了与比较例1的发光装置相比，实施例1至实施例3的发光装置具有明显更优的电流效率、功率效率和使用寿命。

根据公开内容的实施方案的发光装置可以包括发射绿色光的两个发光单元和发射蓝色光的三个发光单元，从而实现了具有高发光效率和长使用寿命的发光装置。

本文已经公开了实施方案，并且尽管使用了术语，但它们仅以一般性和描述性的意义进行使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如对于本领域普通技术人员将显而易见的，关于实施方案描述的特征、特性和/或要素可以单独使用或与关于其它实施方案描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另外具体指出。因此，本领域普通技术人员将理解，在不背离如权利要求中阐述的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以进行形式和细节的各种改变。

Claims (20)

1.发光装置，包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；

堆叠在所述第一电极与所述第二电极之间的m个发光单元；以及

在所述m个发光单元中的相邻发光单元之间的m-1个电荷产生层，其中

m是5或大于5的整数，

每个发光单元包括发射层，

所述m个发光单元包括第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元、第四发光单元和第五发光单元，

所述m-1个电荷产生层包括第一电荷产生层、第二电荷产生层、第三电荷产生层和第四电荷产生层，

所述第一发光单元和所述第二发光单元各自发射绿色光，以及

所述第三发光单元、所述第四发光单元和所述第五发光单元各自发射蓝色光。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中m是5。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发光单元和所述第二发光单元彼此不相邻。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发光单元和所述第二发光单元的所述发射层各自发射具有500nm至600nm的最大发射波长的光。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第三发光单元、所述第四发光单元和所述第五发光单元的所述发射层各自发射具有400nm至500nm的最大发射波长的光。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一发光单元是最接近所述第一电极的发光单元；或者

所述第二发光单元是最接近所述第二电极的发光单元。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发光单元或所述第二发光单元在所述第三发光单元与所述第五发光单元之间。

8.如权利要求2所述的发光装置，其中

所述第一电荷产生层在所述第三发光单元与所述第四发光单元之间，

所述第二电荷产生层在所述第四发光单元与所述第一发光单元之间，

所述第三电荷产生层在所述第一发光单元与所述第五发光单元之间，以及

所述第四电荷产生层在所述第五发光单元与所述第二发光单元之间。

9.如权利要求2所述的发光装置，其中

所述第一电荷产生层在所述第一发光单元与所述第三发光单元之间，

所述第二电荷产生层在所述第三发光单元与所述第四发光单元之间，

所述第三电荷产生层在所述第四发光单元与所述第二发光单元之间，以及

所述第四电荷产生层在所述第二发光单元与所述第五发光单元之间。

10.如权利要求2所述的发光装置，其中

所述第一电荷产生层在所述第一发光单元与所述第三发光单元之间，

所述第二电荷产生层在所述第三发光单元与所述第二发光单元之间，

所述第三电荷产生层在所述第二发光单元与所述第四发光单元之间，以及

所述第四电荷产生层在所述第四发光单元与所述第五发光单元之间。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中满足式1：

[式1]

其中在式1中，

D₁表示所述第一电极与最接近所述第一电极的发光单元之间的界面和所述第二电极与最接近所述第二电极的发光单元之间的界面之间的距离。

12.如权利要求1所述的发光装置，其中满足式2-1：

[式2-1]

3≤D₁/(2×λ₁)≤4

其中在式2-1中，

D₁表示所述第一电极与最接近所述第一电极的发光单元之间的界面和所述第二电极与最接近所述第二电极的发光单元之间的界面之间的距离，以及

λ₁表示所述第一发光单元的最大发射波长。

13.如权利要求1所述的发光装置，其中满足式2-2：

[式2-2]

4≤D₁/(2×λ₃)≤5

其中在式2-2中，

D₁表示所述第一电极与最接近所述第一电极的发光单元之间的界面和所述第二电极与最接近所述第二电极的发光单元之间的界面之间的距离，以及

λ₃表示所述第三发光单元的最大发射波长。

14.如权利要求1所述的发光装置，其中所述m-1个电荷产生层中的至少一个包括n型电荷产生层和p型电荷产生层。

15.如权利要求1所述的发光装置，其中

至少一个发射层包含第一主体和第二主体，以及

所述第一主体和所述第二主体彼此不同。

16.如权利要求1所述的发光装置，其中至少一个发射层包括第一发射层和第二发射层。

17.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括布置在所述第二电极外部的覆盖层。

18.电子设备，包括权利要求1至17中任一项所述的发光装置。

19.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中

所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及

所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极和所述漏电极中的至少一个。

20.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、量子点颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。