CN116178180A - 发光装置、电子设备及基于胺的化合物 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及由式1表示的基于胺的化合物。发光装置包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，以及所述基于胺的化合物。电子设备包括所述发光装置：[式1]
Figure DDA0003966217610000011
式1的描述与说明书中描述的相同。

Description

发光装置、电子设备及基于胺的化合物
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年11月29日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0167728号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
技术领域
实施方案涉及包含基于胺的化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子设备以及所述基于胺的化合物。
背景技术
有机发光装置是自发射装置，其与本领域的装置相比具有广视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的特性，并且产生全色图像。
有机发光装置可以包括位于衬底上的第一电极，以及依次堆叠在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子可以在此类发射层区中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。
应理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括在本文所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的构思、概念或认知。
发明内容
提供了包含基于胺的化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子设备以及所述基于胺的化合物。
其它的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实施方案的实践而获悉。
根据实施方案，发光装置可以包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，以及由式1表示的基于胺的化合物。
[式1]
Figure BDA0003966217590000021
[式1A]
Figure BDA0003966217590000022
[式2]
Figure BDA0003966217590000023
在式1、式1A和式2中，
X1可以是C(Z1)，X2可以是C(Z2)，X3可以是C(Z3)，并且X4可以是C(Z4)，
其中在Z1至Z4中：Z1和Z2可以键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；Z2和Z3可以键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；或者Z3和Z4可以键合在一起以形成在式1A中表示的环A2，
环A1和在式1A中表示的环A2可以彼此稠合，
式1A中的
Figure BDA0003966217590000031
可以表示单键或双键，
环A2可以是C3-C30碳环基团，
Z1至Z4可以各自独立地是由式2表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
Z1至Z4中的至少一个可以是由式2表示的基团，
T1和T2可以各自独立地是由式2表示的基团，
a1和a2可以各自独立地是0至4的整数，
a1和a2的和可以是1或大于1，
R1至R4可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b1至b3可以各自独立地是0至4的整数，
b4可以是0至10的整数，
L1可以是单键、未取代或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团、或者未取代或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
n1可以是1至5的整数，
Ar1和Ar2可以各自独立地是未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
*可以表示与相邻原子的结合位点，以及
R10a可以是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，以及
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其任意组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团。
在实施方案中，所述中间层可以包含基于胺的化合物。
在实施方案中，所述第一电极可以是阳极，所述第二电极可以是阴极，所述中间层可以进一步包括在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输区，以及所述空穴传输区可以包含所述基于胺的化合物。
在实施方案中，所述空穴传输区可以包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个，以及所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一个可以包含所述基于胺的化合物。
在实施方案中，所述发光装置可以进一步包括位于第一电极外部或位于第二电极外部的覆盖层，其中所述覆盖层可以包含所述基于胺的化合物。
在实施方案中，所述发光装置可以进一步包括：位于所述第一电极外部并且包含所述基于胺的化合物的第一覆盖层；位于所述第二电极外部并且包含所述基于胺的化合物的第二覆盖层；或者所述第一覆盖层和所述第二覆盖层。
根据实施方案，电子设备可以包括所述发光装置。
在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的第一电极可以电连接至所述源电极或所述漏电极。
在实施方案中，所述电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。
根据实施方案，基于胺的化合物可以由式1表示。
在实施方案中，环A2可以是苯基团或萘基团。
在实施方案中，所述由式1表示的基于胺的化合物可以由以下解释的式1-1至式1-3中的一种表示。
在实施方案中，Z1至Z4可以各自独立地是：由式2表示的基团、氢或氘；未取代的或被氘、苯基基团或其任意组合取代的C1-C10烷基基团；或者各自未取代的或被氘、C1-C10烷基基团、苯基基团或其任意组合取代的苯基基团或萘基基团。
在实施方案中，Z1至Z4中的一个可以是由式2表示的基团。
在实施方案中，a1和a2的和可以是1。
在实施方案中，L1可以是：单键；或者各自未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团或萘基团。
在实施方案中，Ar1和Ar2可以各自独立地是未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂芳基基团、未取代或被至少一个R10a取代的单价非芳香族稠合多环基团、或者未取代或被至少一个R10a取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
在实施方案中，Ar1和Ar2可以各自独立地是由以下解释的式2A-1至式2A-14中的一种表示的基团。
在实施方案中，所述由式1表示的基于胺的化合物可以由以下解释的式1-1-1至式1-1-16、式1-2-1至式1-2-16和式1-3-1至式1-3-16中的一种表示。
附图说明
通过参考附图详细地描述本公开内容的实施方案，本公开内容的以上和其它的方面和特征将更加明显，在附图中：
图1是根据实施方案的发光装置的结构的示意性横截面视图；
图2是根据实施方案的电子设备的结构的示意性横截面视图；以及
图3是根据另一个实施方案的电子设备的结构的示意性横截面视图。
具体实施方式
现在将参考其中示出了实施方案的附图在下文更全面地描述本公开内容。然而，本公开内容可以以不同的形式实施，并且不应解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本公开内容将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开内容的范围。
在附图中，为了便于描述且为了清晰，可以放大元件的大小、厚度、比例和尺寸。相同的数字通篇是指相同的元件。
在描述中，应理解，当元件(或区、层、部件等)被称为在另一个元件“上”、“连接至”另一个元件或“联接至”另一个元件时，它可以直接在其它元件上、直接连接至其它元件或直接联接至其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。在类似的含义中，当元件(或区、层、部件等)被描述为“覆盖”另一个元件时，它可以直接覆盖其它元件，或者一个或多于一个的介于中间的元件可以存在于其间。
在描述中，当元件“直接在”另一个元件“上”、“直接连接至”另一个元件或“直接联接至”另一个元件时，不存在介于中间的元件。例如，“直接在......上”可以意指设置两个层或两个元件，而在其间没有额外的元件，例如粘合元件。
如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的用于单数的表述旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确指出。
如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。术语“和”和“或”可以以连接词或反意连接词的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“......中的至少一个(种)”旨在包括“选自......的组中的至少一个(种)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种)”可以理解为意指“A、B、或者A和B”。当在一列要素之前时，术语“......中的至少一个(种)”修饰整列的要素而不修饰该列的单个要素。
应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不背离本公开内容的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。
为了便于描述，空间相对术语“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”等可以在本文用于描述如附图中例示的一个元件或组件与另一个元件或组件之间的关系。应理解，空间相对术语旨在涵盖除了附图中描绘的方向之外的装置在使用或操作时的不同方向。例如，在其中附图中例示的装置被翻转的情况下，位于另一个装置“下方”或“之下”的装置可以被放置在另一个装置“上方”。因此，示例性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以定向在其它方向上，并且因此空间相对术语可以根据方向进行不同地解释。
如本文使用的术语“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的所述值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的±20％、±10％或±5％内。
应理解，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”、“包含(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”、“含有(containing)”等旨在指明本公开内容中的规定的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其组合的存在或增添。
除非本文另外定义或暗示，使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的相同含义。应进一步理解，术语(例如在常用词典中定义的那些术语)应解释为具有与其在相关领域的语境中的含义相符的含义，并且不应以理想化或过于形式的含义进行解释，除非在说明书中明确定义。
发光装置可以包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，以及由式1表示的基于胺的化合物：
[式1]
Figure BDA0003966217590000081
在式1中，X1可以是C(Z1)，X2可以是C(Z2)，X3可以是C(Z3)，并且X4可以是C(Z4)。
在式1中，在Z1至Z4中，Z1和Z2可以键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；Z2和Z3可以键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；或者Z3和Z4可以键合在一起以形成在式1A中形成的环A2。在式1中，环A1和在式1A中表示的环A2可以彼此稠合。式1A与说明书中描述的相同。
[式1A]
Figure BDA0003966217590000091
式1A中，
Figure BDA0003966217590000092
表示单键或双键。
在式1A中，环A2可以是C3-C30碳环基团。
在实施方案中，环A2可以是C6-C60芳基基团。
在实施方案中，环A2可以是苯基团或萘基团。
在实施方案中，由式1表示的基于胺的化合物可以由式1-1至式1-3中的一种表示：
[式1-1]
Figure BDA0003966217590000093
式1-2
Figure BDA0003966217590000101
式1-3
Figure BDA0003966217590000102
在式1-1至式1-3中，b4可以是0至4的整数，并且X1至X4、T1、T2、a1、a2、R1至R4和b1至b3分别与说明书中描述的相同。
在式1中，Z1至Z4可以各自独立地是由式2表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)。
[式2]
Figure BDA0003966217590000111
式2与说明书中描述的相同。
在实施方案中，Z1至Z4可以各自独立地是：
由式2表示的基团；
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团或C1-C20烷硫基基团；
各自被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C10烷基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团或其任意组合取代的C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团或C1-C20烷硫基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、C1-C20烷硫基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C1-C10烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0003966217590000112
基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C1-C10烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、/>
Figure BDA0003966217590000121
基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂芴基基团或氮杂二苯并噻咯基基团；或者
-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，以及
Q1至Q3和Q31至Q33可以各自独立地是：-CH3、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CH2CH3、-CH2CD3、-CH2CD2H、-CH2CDH2、-CHDCH3、-CHDCD2H、-CHDCDH2、-CHDCD3、-CD2CD3、-CD2CD2H或-CD2CDH2；或者
各自未取代的或者被氘、C1-C10烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团和三嗪基基团中的至少一个取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。
在实施方案中，Z1至Z4可以各自独立地是：
由式2表示的基团、氢或氘；
未取代的或被氘、苯基基团或其任意组合取代的C1-C10烷基基团；或者
各自未取代的或被氘、C1-C10烷基基团、苯基基团或其任意组合取代的苯基基团或萘基基团。
在式1中，Z1至Z4中的至少一个可以是由式2表示的基团。
在实施方案中，Z1至Z4中的一个可以是由式2表示的基团。
在式1中，T1和T2可以各自独立地是由式2表示的基团。
[式2]
Figure BDA0003966217590000131
式2与说明书中描述的相同。
在式1中，a1和a2可以各自独立地是0至4的整数。
在式1中，a1和a2的和可以是1或大于1。
在实施方案中，在式1中，a1和a2的和可以是1。
在式1中，R1至R4可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)。R10a和Q1至Q3分别与说明书中描述的相同。
在实施方案中，R1至R4可以各自独立地是：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团或C1-C20烷硫基基团；
各自被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C10烷基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团或其任意组合取代的C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团或C1-C20烷硫基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、C1-C20烷硫基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C1-C10烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0003966217590000141
基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其任意组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C1-C10烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、/>
Figure BDA0003966217590000151
基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂芴基基团或氮杂二苯并噻咯基基团；或者
-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，以及
Q1至Q3和Q31至Q33可以各自独立地是：-CH3、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CH2CH3、-CH2CD3、-CH2CD2H、-CH2CDH2、-CHDCH3、-CHDCD2H、-CHDCDH2、-CHDCD3、-CD2CD3、-CD2CD2H或-CD2CDH2；或者
各自未取代的或者被氘、C1-C10烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团和三嗪基基团中的至少一个取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。
在实施方案中，R1至R4可以各自独立地是：氢或氘；
未取代的或被氘、苯基基团或其任意组合取代的C1-C10烷基基团；或者
各自未取代的或被氘、C1-C10烷基基团、苯基基团或其任意组合取代的苯基基团或萘基基团。
在式1中，b1至b3可以各自独立地是0至4的整数。
在式1中，b4可以是0至10的整数。
[式2]
Figure BDA0003966217590000161
在式2中，L1可以是单键、未取代或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团或者未取代或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团。R10a可以与说明书中描述的相同。
在实施方案中，L1可以是：单键；或者
各自未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、
Figure BDA0003966217590000162
基团、环戊二烯基团、1,2,3,4-四氢萘基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并硼杂环戊二烯基团、苯并磷杂环戊二烯基团、茚基团、苯并噻咯基团、苯并锗杂环戊二烯基团、苯并噻吩基团、苯并硒吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并硼杂环戊二烯基团、二苯并磷杂环戊二烯基团、芴基团、二苯并噻咯基团、二苯并锗杂环戊二烯基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩5-氧化物基团、9H-芴-9-酮基团、二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、氮杂吲哚基团、氮杂苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂茚基团、氮杂苯并噻咯基团、氮杂苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂苯并噻吩基团、氮杂苯并硒吩基团、氮杂苯并呋喃基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基团、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基团、氮杂-9H-芴-9-酮基团、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、5,6,7,8-四氢异喹啉基团或5,6,7,8-四氢喹啉基团。R10a可以与说明书中描述的相同。
在实施方案中，L1可以是：单键；或者各自未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团或萘基团。R10a可以与说明书中描述的相同。
在式2中，n1可以是1至5的整数。
在式2中，Ar1和Ar2可以各自独立地是未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团。R10a可以与说明书中描述的相同。
在实施方案中，Ar1和Ar2可以各自独立地是未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂芳基基团、未取代或被至少一个R10a取代的单价非芳香族稠合多环基团、或者未取代或被至少一个R10a取代的单价非芳香族稠合杂多环基团。
在实施方案中，Ar1和Ar2可以各自独立地是未取代或被至少一个R10a取代的苯基基团、联苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0003966217590000171
基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂芴基基团或氮杂二苯并噻咯基基团。R10a可以与说明书中描述的相同。
在实施方案中，Ar1和Ar2可以各自独立地是式2A-1至式2A-14中的一种表示的基团。
Figure BDA0003966217590000181
在式2A-1至式2A-14中，
Y1可以是O、S、N(R1a)、C(R1a)(R1b)或Si(R1a)(R1b)，
R21可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
R1a和R1b可以各自独立地是氢、氘、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
b21可以是0至5的整数，
b22可以是0至4的整数，
b23可以是0至7的整数，
b24可以是0至3的整数，
b25可以是0至8的整数，
*可以表示与相邻原子的结合位点，以及
R10a和Q1至Q3分别与说明书中描述的相同。
在实施方案中，R1a和R1b可以各自独立地是氢、氘、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C20烷基基团、或者未取代或被至少一个R10a取代的C6-C30芳基基团。R10a可以与说明书中描述的相同。
在式2中，*可以表示与相邻原子的结合位点。
在实施方案中，由式1表示的基于胺的化合物可以由式1-1-1至式1-1-16、式1-2-1至式1-2-16和式1-3-1至式1-3-16中的一种表示。
Figure BDA0003966217590000201
/>
Figure BDA0003966217590000211
在式1-1-1至式1-1-16、式1-2-1至式1-2-16和式1-3-1至式1-3-16中，
T1、T2和T11至T14可以各自独立地是由式2表示的基团，
R5可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b1、b2和b3可以各自独立地是0至4的整数，
b11和b12可以各自独立地是0至3的整数，
b15可以是0至5的整数，以及
R1至R3、R10a和Q1至Q3分别于说明书中描述的相同。
在实施方案中，基于胺的化合物可以是化合物1至化合物563中的一种：
Figure BDA0003966217590000231
/>
Figure BDA0003966217590000241
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Figure BDA0003966217590000251
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Figure BDA0003966217590000261
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Figure BDA0003966217590000271
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Figure BDA0003966217590000281
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Figure BDA0003966217590000291
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Figure BDA0003966217590000301
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Figure BDA0003966217590000311
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Figure BDA0003966217590000321
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Figure BDA0003966217590000331
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Figure BDA0003966217590000341
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Figure BDA0003966217590000351
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Figure BDA0003966217590000361
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Figure BDA0003966217590000371
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Figure BDA0003966217590000381
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Figure BDA0003966217590000391
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Figure BDA0003966217590000401
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Figure BDA0003966217590000411
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Figure BDA0003966217590000421
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Figure BDA0003966217590000431
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Figure BDA0003966217590000441
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Figure BDA0003966217590000451
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Figure BDA0003966217590000461
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Figure BDA0003966217590000471
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Figure BDA0003966217590000481
/>
Figure BDA0003966217590000491
/>
Figure BDA0003966217590000501
由式1表示的基于胺的化合物包括包含与环A2稠合的环A1的核部分，并且包括键合至环A1的胺基团和键合至环A3或环A4的胺基团。
Figure BDA0003966217590000511
式1-A和式1-B分别与关于式1和式1A描述的相同，并且式2与说明书中描述的相同。
[式2]
Figure BDA0003966217590000512
在由式1表示的基于胺的化合物中，核部分的共轭结构是不连续的，并且通过引入两个胺基团和通过胺基团的各种变化的取代基(例如，式2中的Ar1和Ar2)，化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级可以各种变化。因此，可以各种改变空穴注入层和空穴传输层，并且可以在空穴传输区与发射层之间保持适当的能级，以增加发射层内的激子产生效率。
因此，通过包含由式1表示的基于胺的化合物，可以制造具有低驱动电压、高亮度、高效率和长使用寿命的发光装置(例如，有机发光装置)。
通过参考本文描述的合成例和/或实施例，本领域普通技术人员可以容易理解合成由式1表示的基于胺的化合物的方法。
在发光装置(例如，有机发光装置)中可以使用至少一种由式1表示的基于胺的化合物。因此，提供了发光装置，所述发光装置可以包括第一电极、第二电极、在第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层，以及如说明书中描述的由式1表示的基于胺的化合物。
在实施方案中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，中间层可以进一步包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区以及在发射层与第二电极之间的电子传输区，并且空穴传输区可以包含基于胺的化合物。
在实施方案中，空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合，并且电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
在实施方案中，发光装置可以进一步包括位于第一电极外部或位于第二电极外部的覆盖层。
在实施方案中，发光装置可以进一步包括位于第一电极外部的第一覆盖层和位于第二电极外部的第二覆盖层中的至少一个，并且第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以包含由式1表示的基于胺的化合物。关于第一覆盖层和/或第二覆盖层的更多细节分别与说明书中描述的相同。
在实施方案中，发光装置可以进一步包括：位于第一电极外部并且包含由式1表示的基于胺的化合物的第一覆盖层；位于第二电极外部并且包含由式1表示的基于胺的化合物的第二覆盖层；或者第一覆盖层和第二覆盖层。
如本文使用的措辞“(中间层和/或覆盖层)包含基于胺的化合物”可以理解为“(中间层和/或覆盖层)可以包含一个种类的由式1表示的基于胺的化合物或者各自由式1表示的至少两个不同种类的基于胺的化合物”。
在实施方案中，中间层和/或覆盖层可以仅包含化合物1作为基于胺的化合物。在这点上，化合物1可以包含在发光装置中的空穴传输区中。在实施方案中，中间层可以包含化合物1和化合物2作为基于胺的化合物。在这点上，化合物1和化合物2可以存在于相同的层中(例如，化合物1和化合物2二者可以存在于空穴传输层中)，或者可以存在于不同的层中(例如，化合物1可以存在于空穴注入层中，并且化合物2可以存在于空穴传输层中)。
如本文使用的术语“中间层”是指位于发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。
根据实施方案，提供了可以包括发光装置的电子设备。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。在实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，其中发光装置的第一电极可以电连接至源电极或漏电极。在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。电子设备的更多细节如说明书中描述。
[图1的描述]
图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
在下文，将关于图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[第一电极110]
在图1中，衬底可以进一步包括在第一电极110下方或第二电极150上方。衬底可以是玻璃衬底或塑料衬底，但不限于此。在实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函材料。
第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或其任意组合。在实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合可以用作用于形成第一电极的材料。
第一电极110可以具有由单个层组成的结构或者包括多个层的结构。在实施方案中，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
[中间层130]
中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层。
中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。
除了各种有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。
在实施方案中，中间层130可以包括堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，以及位于两个或多于两个的发射单元之间的至少一个电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的两个或多于两个的发光单元和至少一个电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。
[中间层130中的空穴传输区]
空穴传输区可以具有由由单一材料组成的层组成的结构，由由不同材料组成的层组成的结构，或者包括包含不同材料的多个层的结构。
空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。
例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中每种结构的层可以从第一电极110按其各自规定的顺序堆叠，但空穴传输区的结构不限于此。
空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
[式201]
Figure BDA0003966217590000541
[式202]
Figure BDA0003966217590000551
/>
在式201和式202中，
L201至L204可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
L205可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20亚烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C20亚烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，以及*和*'是指与相邻原子的结合位点，
xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，
xa5可以是1至10的整数，
R201至R204和Q201可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
R201和R202可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R10a取代的二价C8-C60多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物HT16)，
R203和R204可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R10a取代的二价C8-C60多环基团，以及
na1可以是1至4的整数，以及R10a可以与说明书中描述的相同。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种。
Figure BDA0003966217590000561
在式CY201至式CY217中，R10b和R10c可以各自独立地与关于R10a描述的相同，环CY201至环CY204可以各自独立地是C3-C20碳环基团或C1-C20杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被如本文描述的R10a取代。
在实施方案中，式CY201至式CY217中的环CY201至环CY204可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。
在实施方案中，式201可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。
在实施方案中，在式201中，xa1可以是1，R201可以是由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且R202可以是由式CY204至式CY207中的一种表示的基团。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203表示的基团。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY203表示的基团，并且可以包含由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。
在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含由式CY201至式CY217表示的基团。
在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的一种或其任意组合：
Figure BDA0003966217590000571
/>
Figure BDA0003966217590000581
/>
Figure BDA0003966217590000591
/>
Figure BDA0003966217590000601
/>
Figure BDA0003966217590000611
空穴传输区的厚度可以是约
Figure BDA0003966217590000612
至约/>
Figure BDA0003966217590000613
例如，空穴传输区的厚度可以是约/>
Figure BDA0003966217590000614
至约/>
Figure BDA0003966217590000615
当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约/>
Figure BDA0003966217590000616
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Figure BDA0003966217590000617
并且空穴传输层的厚度可以是约/>
Figure BDA0003966217590000618
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Figure BDA0003966217590000619
例如，空穴注入层的厚度可以是约/>
Figure BDA00039662175900006110
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Figure BDA00039662175900006111
例如，空穴传输层的厚度可以是约/>
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至约/>
Figure BDA00039662175900006113
当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。
[p-掺杂剂]
除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)。
电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。
在实施方案中，p-掺杂剂的LUMO能级可以等于或小于约-3.5eV。
在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。
醌衍生物的实例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。
含氰基基团的化合物的实例可以包括HAT-CN、由式221表示的化合物等。
Figure BDA0003966217590000621
[式221]
Figure BDA0003966217590000622
在式221中，
R221至R223可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，以及R10a可以与说明书中描述的相同，以及
R221至R223中的至少一个可以各自独立地是各自被：氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C1-C20烷基基团；或者其任意组合取代的C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团。
在含有元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其组合。
金属的实例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。
准金属的实例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。
非金属的实例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。
在实施方案中，含有元素EL1和元素EL2的化合物的实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。
金属氧化物的实例可以包括钨氧化物(例如，WO、W2O3、WO2、WO3、W2O5等)、钒氧化物(例如，VO、V2O3、VO2、V2O5等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo2O3、MoO2、MoO3、Mo2O5等)和铼氧化物(例如，ReO3等)。
金属卤化物的实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
碱金属卤化物的实例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。
碱土金属卤化物的实例可以包括BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2和BaI2。
过渡金属卤化物的实例可以包括钛卤化物(例如，TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4等)、锆卤化物(例如，ZrF4、ZrCl4、ZrBr4、ZrI4等)、铪卤化物(例如，HfF4、HfCl4、HfBr4、HfI4等)、钒卤化物(例如，VF3、VCl3、VBr3、VI3等)、铌卤化物(例如，NbF3、NbCl3、NbBr3、NbI3等)、钽卤化物(例如，TaF3、TaCl3、TaBr3、TaI3等)、铬卤化物(例如，CrF3、CrCl3、CrBr3、CrI3等)、钼卤化物(例如，MoF3、MoCl3、MoBr3、MoI3等)、钨卤化物(例如，WF3、WCl3、WBr3、WI3等)、锰卤化物(例如，MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2等)、锝卤化物(例如，TcF2、TcCl2、TcBr2、TcI2等)、铼卤化物(例如，ReF2、ReCl2、ReBr2、ReI2等)、铁卤化物(例如，FeF2、FeCl2、FeBr2、FeI2等)、钌卤化物(例如，RuF2、RuCl2、RuBr2、RuI2等)、锇卤化物(例如，OsF2、OsCl2、OsBr2、OsI2等)、钴卤化物(例如，CoF2、CoCl2、CoBr2、CoI2等)、铑卤化物(例如，RhF2、RhCl2、RhBr2、RhI2等)、铱卤化物(例如，IrF2、IrCl2、IrBr2、IrI2等)、镍卤化物(例如，NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2等)、钯卤化物(例如，PdF2、PdCl2、PdBr2、PdI2等)、铂卤化物(例如，PtF2、PtCl2、PtBr2、PtI2等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。
后过渡金属卤化物的实例可以包括锌卤化物(例如，ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2等)、铟卤化物(例如，InI3等)和锡卤化物(例如，SnI2等)。
镧系金属卤化物的实例可以包括YbF、YbF2、YbF3、SmF3、YbCl、YbCl2、YbCl3、SmCl3、YbBr、YbBr2、YbBr3、SmBr3、YbI、YbI2、YbI3和SmI3。
准金属卤化物的实例可以包括锑卤化物(例如，SbCl5等)。
金属碲化物的实例可以包括碱金属碲化物(例如，Li2Te、Na2Te、K2Te、Rb2Te、Cs2Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe2、ZrTe2、HfTe2、V2Te3、Nb2Te3、Ta2Te3、Cr2Te3、Mo2Te3、W2Te3、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu2Te、CuTe、Ag2Te、AgTe、Au2Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。
[中间层130中的发射层]
当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层可以彼此接触或可以彼此隔开。在实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。
发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。
在实施方案中，发射层可以包含量子点。
在实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以用作发射层中的主体或掺杂剂。
发射层的厚度可以是约
Figure BDA0003966217590000651
至约/>
Figure BDA0003966217590000652
例如，发射层的厚度可以是约
Figure BDA0003966217590000653
至约/>
Figure BDA0003966217590000654
当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。
[主体]
主体可以包括由式301表示的化合物。
[式301]
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21
在式301中，
Ar301可以是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，L301可以是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
xb11可以是1、2或3，
xb1可以是0至5的整数，
R301可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可以是1至5的整数，以及
Q301至Q303各自独立地与关于Q1描述的相同，以及R10a与说明书中描述的相同。
在实施方案中，在式301中，当xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar301可以经由单键彼此连接。
在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合。
[式301-1]
Figure BDA0003966217590000661
[式301-2]
Figure BDA0003966217590000662
在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
X301可以是O、S、N[(L304)xb4-R304]、C(R304)(R305)或Si(R304)(R305)，
xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，
L301、xb1和R301各自与说明书中描述的相同，
L302至L304各自独立地与关于L301描述的相同，
xb2至xb4各自独立地与关于xb1描述的相同，以及
R302至R305和R311至R314各自独立地与关于R301描述的相同,R10a与说明书中描述的相同。
在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其组合。在实施方案中，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其组合。
在实施方案中，主体可以包括化合物H1至化合物H124、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或其任意组合。
Figure BDA0003966217590000671
/>
Figure BDA0003966217590000681
/>
Figure BDA0003966217590000691
/>
Figure BDA0003966217590000701
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Figure BDA0003966217590000711
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Figure BDA0003966217590000721
/>
Figure BDA0003966217590000731
[磷光掺杂剂]
磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属。
磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
磷光掺杂剂可以是电中性的。
在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物。
[式401]
M(L401)xc1(L402)xc2
[式402]
Figure BDA0003966217590000741
在式401和式402中，
M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，
L401可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是二或大于二时，两个或多于两个的L401可以彼此相同或不同，
L402可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L402可以彼此相同或不同，
X401和X402可以各自独立地是氮或碳，
环A401和环A402可以各自独立地是C3-C60碳环基团或者C1-C60杂环基团，
T401可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，以及*和*'是指与相邻原子的结合位点，
X403和X404可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或Si(Q413)(Q414)，
Q411至Q414各自独立地与关于Q1描述的相同，
R401和R402可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)或-P(＝O)(Q401)(Q402)，以及R10a可以与说明书中描述的相同，
Q401至Q403各自独立地与关于Q1描述的相同，
xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及
式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。
在实施方案中，在式402中，X401可以是氮，并且X402可以是碳，或者X401和X402中的每一个可以是氮。
在实施方案中，在式401中，当xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L401中的两个环A401可以任选地经由作为连接基团的T402彼此连接，并且两个环A402可以任选地经由作为连接基团的T403彼此连接(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T402和T403各自独立地与关于T401描述的相同。
在式401中，L402可以是有机配体。在实施方案中，L402可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。
磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物PD1至化合物PD39中的一种或其任意组合。
Figure BDA0003966217590000751
/>
Figure BDA0003966217590000761
/>
Figure BDA0003966217590000771
[荧光掺杂剂]
荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物。
[式501]
Figure BDA0003966217590000781
在式501中，
Ar501、L501至L503、R501和R502可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，L501至L503可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，以及R10a可以与说明书中描述的相同，
xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
在实施方案中，在式501中，Ar501可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、
Figure BDA0003966217590000782
基团或芘基团)。
在实施方案中，在式501中，xd4可以是2。
在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括化合物FD1至化合物FD36、DPVBi、DPAVBi中的一种或其任意组合。
Figure BDA0003966217590000791
/>
Figure BDA0003966217590000801
/>
Figure BDA0003966217590000811
[延迟荧光材料]
发射层可以包含延迟荧光材料。
在说明书中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。
取决于包含在发射层中的其它材料的类型，包含在发射层中的延迟荧光材料可以用作主体或掺杂剂。
在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于约0eV并且小于或等于约0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。
在实施方案中，延迟荧光材料可以包括：包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C3-C60环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或缺π电子的含氮C1-C60环状基团)的材料；或者包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(B)的C8-C60多环基团的材料。
延迟荧光材料的实例可以包括化合物DF1至化合物DF9中的至少一种。
Figure BDA0003966217590000821
[量子点]
发射层可以包含量子点。
在说明书中，量子点可以是半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。
可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。
根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))更容易进行并且需要低成本的工艺来控制。
量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者其任意组合。
II-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或者其任意组合。
III-V族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或者其任意组合。在实施方案中，III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物的实例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2S3、In2Se3或InTe；三元化合物，例如InGaS3或InGaSe3；或者其任意组合。
I-III-VI族半导体化合物的实例可以包括：三元化合物，例如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2或AgAlO2；或者其任意组合。
IV-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；或者其任意组合。
IV族元素或化合物的实例可以包括：单一元素材料，例如Si或Ge；二元化合物，例如SiC或SiGe；或者其任意组合。
包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或以非均匀的浓度存在于颗粒中。
在实施方案中，量子点可以具有单一结构或核-壳结构。在量子点具有单一结构的情况下，包含在相应量子点中的每种元素的浓度可以是均匀的。在量子点具有核-壳结构的情况下，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
量子点的壳可以用作防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或可以用作向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。量子点的核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向量子点的中心降低。
量子点的壳的实例可以包括金属氧化物、准金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物及其任意组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的实例可以包括二元化合物，例如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO；三元化合物，例如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4；或者其任意组合。半导体化合物的实例可以包括如本文描述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或其任意组合。半导体化合物的实例可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以等于或小于约45nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可以等于或小于约40nm。例如，量子点的发射波长光谱的FWHM可以等于或小于约30nm。在这些范围内，可以增加颜色纯度或颜色再现性。通过量子点发射的光可以在所有方向上发射，使得可以改善广视角。
量子点可以是球形颗粒、角锥形颗粒、多臂颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。
由于能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，因此可以从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。可以将量子点的尺寸配置成通过组合各种颜色的光来发射白色光。
[中间层130中的电子传输区]
电子传输区可以具有由由单一材料组成的层组成的结构，由由不同材料组成的层组成的结构，或者包括包含不同材料的多个层的结构。
所述电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中每种结构的层可以从发射层按其各自规定的顺序堆叠，但电子传输区的结构不限于此。
在实施方案中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一种缺π电子的含氮C1-C60环状基团的不含金属的化合物。
在实施方案中，电子传输区可以包含由式601表示的化合物。
[式601]
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21
在式601中，
Ar601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，L601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团，或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
xe11可以是1、2或3，
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
R601可以是未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603各自独立地与关于Q1描述的相同，以及R10a可以与说明书中描述的相同，
xe21可以是1、2、3、4或5，以及
Ar601、L601和R601中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个R10a取代的含缺π电子的氮的(二价)C1-C60环状基团。
在实施方案中，在式601中，当xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar601可以经由单键连接。
在实施方案中，在式601中，Ar601可以是取代或未取代的蒽基团。
在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物。
[式601-1]
Figure BDA0003966217590000861
在式601-1中，
X614可以是N或C(R614)，X615可以是N或C(R615)，X616可以是N或C(R616)，并且X614至X616中的至少一个可以是N，
L611至L613各自独立地与关于L601描述的相同，
xe611至xe613各自独立地与关于xe1描述的相同，
R611至R613各自独立地与关于R601描述的相同，以及
R614至R616可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，以及R10a可以与说明书中描述的相同。
在实施方案中，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。
电子传输区可以包含化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、TAZ、NTAZ中的一种或其任意组合。
Figure BDA0003966217590000871
/>
Figure BDA0003966217590000881
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Figure BDA0003966217590000891
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Figure BDA0003966217590000901
电子传输区的厚度可以是约
Figure BDA0003966217590000902
至约/>
Figure BDA0003966217590000903
例如，电子传输区的厚度可以是约/>
Figure BDA0003966217590000904
至约/>
Figure BDA0003966217590000905
当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约/>
Figure BDA0003966217590000906
至约/>
Figure BDA0003966217590000907
并且电子传输层的厚度可以是约/>
Figure BDA0003966217590000908
至约/>
Figure BDA0003966217590000909
例如，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约/>
Figure BDA00039662175900009010
至约/>
Figure BDA00039662175900009011
Figure BDA00039662175900009012
例如，电子传输层的厚度可以是约/>
Figure BDA00039662175900009013
至约/>
Figure BDA00039662175900009014
当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。
除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。
含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物的金属离子或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以各自独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
在实施方案中，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2。
Figure BDA0003966217590000911
电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。
电子注入层可以具有由由单一材料组成的层组成的结构，由由不同材料组成的层组成的结构，或者包括包含不同材料的多个层的结构。
电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。
碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。
含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或者其任意组合。
含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物，例如Li2O、Cs2O或K2O；碱金属卤化物，例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI；或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)、BaxCa1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La2Te3、Ce2Te3、Pr2Te3、Nd2Te3、Pm2Te3、Sm2Te3、Eu2Te3、Gd2Te3、Tb2Te3、Dy2Te3、Ho2Te3、Er2Te3、Tm2Te3、Yb2Te3和Lu2Te3。
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含：碱金属的离子、碱土金属的离子和稀土金属的离子中的一种；以及键合至金属离子的配体(例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合)。
电子注入层可以由以下组成：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
在实施方案中，电子注入层可以由含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)组成；或者电子注入层可以由含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)以及碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合组成。例如，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层、LiF:Yb共沉积层等。
当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。
电子注入层的厚度可以是约
Figure BDA0003966217590000921
至约/>
Figure BDA0003966217590000922
例如，电子注入层的厚度可以是约
Figure BDA0003966217590000923
至约/>
Figure BDA0003966217590000924
当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。
[第二电极150]
第二电极150可以位于具有如以上描述的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极。第二电极150可以包含具有低功函的材料，例如金属、合金、导电化合物或其任意组合。
在实施方案中，第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。
第二电极150可以具有单层结构或者包括两层或多于两层的多层结构。
[覆盖层]
发光装置10可以包括位于第一电极110外部的第一覆盖层和/或位于第二电极150外部的第二覆盖层。例如，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按此规定的顺序堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序堆叠的结构。
发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其可以是半透反射电极或透射电极)并且通过第一覆盖层朝向外部引出。发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其可以是半透反射电极或透射电极)并且通过第二覆盖层朝向外部引出。
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自根据相长干涉的原理来增加外部发射效率。因此，可以增加发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发光效率。
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自包含具有等于或大于约1.6(相对于约589nm的波长)的折射率的材料。
第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基任选地取代。
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含含胺基团的化合物。
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或其任意组合。
Figure BDA0003966217590000941
[膜]
由式1表示的基于胺的化合物可以包含在各种膜中。根据实施方案，可以提供包含由式1表示的基于胺的化合物的膜。膜可以是，例如，光学构件(或光控制装置)(例如，滤色器、颜色转换构件、覆盖层、出光效率增强层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点的层等)、光阻挡构件(例如，光反射层、光吸收层等)或保护构件(例如，绝缘层、介电层等)。
[电子设备]
发光装置可以被包括在各种电子设备中。在实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括滤色器、颜色转换层、或者滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与本文描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。
电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的颜色转换区域。
像素限定层可以位于子像素之间以限定每个子像素。
滤色器可以进一步包括滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以包括颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包含量子点。例如，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含量子点。量子点可以与说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含散射体。
在实施方案中，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。
除了如本文描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。
薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。
有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部可以允许来自发光装置的光被引出至外部，并且可以同时地防止环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和/或无机层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以进一步包括在密封部上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层、验证设备等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。
除了发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。
电子设备可以应用于各种显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子日志、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和船舶的仪表)、投影仪等。
[图2和图3的描述]
图2是根据实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
图2的电子设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。
衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以形成在衬底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。
TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
有源层220可以包含无机半导体(例如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。
层间绝缘膜250位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以置于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以分别接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
第一电极110可以形成在钝化层280上。钝化层280可以不完全覆盖漏电极270并且可以暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可以电连接至漏电极270的暴露部分。
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图2中未示出，但中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部以提供成公共层的形式。
第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。
封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以定位在发光装置上以保护发光装置免受湿气和/或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。
图3是根据另一个实施方案的电子设备的示意性横截面视图。
图3的电子设备可以与图2的电子设备不同，至少在于遮光图案500和功能区400进一步包括在封装部300上。功能区400可以是滤色器区域、颜色转换区域、或者滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的电子设备中的发光装置可以是串联发光装置。
[制造方法]
可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。
当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约
Figure BDA0003966217590000981
至约/>
Figure BDA0003966217590000982
的沉积速度进行沉积。
[术语的定义]
如本文使用的术语“C3-C60碳环基团”可以是由碳原子作为唯一成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“C1-C60杂环基团”可以是具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的环状基团。C3-C60碳环基团和C1-C60杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。在实施方案中，C1-C60杂环基团可以具有3个至61个成环原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个成环原子)。
如本文使用的术语“环状基团”可以包括C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团。
如本文使用的术语“富π电子的C3-C60环状基团”可以是具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)并且可以不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的C1-C60环状基团”可以是具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且可以包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。
在实施方案中，
C3-C60碳环基团可以是T1基团或者其中两个或多于两个的T1基团彼此稠合的环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、
Figure BDA0003966217590000991
基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，
C1-C60杂环基团可以是T2基团，其中两个或多于两个的T2基团彼此稠合的环状基团，或者其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合的环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
富π电子的C3-C60环状基团可以是T1基团，其中两个或多于两个的T1基团彼此稠合的环状基团，T3基团，其中两个或多于两个的T3基团彼此稠合的环状基团，或者其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的环状基团(例如，C3-C60碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，
含缺π电子的氮的C1-C60环状基团可以是T4基团，其中两个或多于两个的T4基团彼此稠合的环状基团，其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合的环状基团，其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合的环状基团，或者其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，
其中T1基团可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
T2基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，
T3基团可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及
T4基团可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
如本文使用的术语“环状基团”、“C3-C60碳环基团”、“C1-C60杂环基团”、“富π电子的C3-C60环状基团”或“含缺π电子的氮的C1-C60环状基团”可以各自是取决于使用相应术语的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。
单价C3-C60碳环基团和单价C1-C60杂环基团的实例可以包括C3-C10环烷基基团、C1-C10杂环烷基基团、C3-C10环烯基基团、C1-C10杂环烯基基团、C6-C60芳基基团、C1-C60杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团。二价C3-C60碳环基团和二价C1-C60杂环基团的实例可以包括C3-C10亚环烷基基团、C1-C10亚杂环烷基基团、C3-C10亚环烯基基团、C1-C10亚杂环烯基基团、C6-C60亚芳基基团、C1-C60亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷基基团”可以是具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例可以包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“C1-C60亚烷基基团”可以是具有与C1-C60烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60烯基基团”可以是在C2-C60烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“C2-C60亚烯基基团”可以是具有与C2-C60烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60炔基基团”可以是在C2-C60烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“C2-C60亚炔基基团”可以是具有与C2-C60炔基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C60烷氧基基团”可以是由-O(A101)(其中A101可以是C1-C60烷基基团)表示的单价基团，并且其实例可以包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烷基基团”可以是具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例可以包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C3-C10亚环烷基基团”可以是具有与C3-C10环烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烷基基团”可以是进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子并且具有1个至10个碳原子的单价环状基团，并且其实例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烷基基团”可以是具有与C1-C10杂环烷基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烯基基团”可以是在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例可以包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C3-C10亚环烯基基团”可以是具有与C3-C10环烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烯基基团”可以是在其环状结构中具有作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。C1-C10杂环烯基基团的实例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烯基基团”可以是具有与C1-C10杂环烯基基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳基基团”可以是具有含六个至六十个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C6-C60亚芳基基团”可以是具有含6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。C6-C60芳基基团的实例可以包括苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure BDA0003966217590001041
基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当C6-C60芳基基团和C6-C60亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，各自的环可以彼此稠合。
如本文使用的术语“C1-C60杂芳基基团”可以是具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子和1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C1-C60亚杂芳基基团”可以是具有含作为成环原子的除了碳原子之外的至少一个杂原子(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个和1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。C1-C60杂芳基基团的实例可以包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当C1-C60杂芳基基团和C1-C60亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，各自的环可以彼此稠合。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”可以是具有彼此稠合的两个或多于两个的环，仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子，例如8至30、8至20、8至15或8至10个碳原子)作为成环原子，并且当视为整体时在其分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳香族稠合多环基团的实例可以包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”可以是具有与单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”可以是具有彼此稠合的两个或多于两个的环，除了碳原子(例如，具有1个至60个碳原子，例如1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)之外还有至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子，并且当视为整体时在其分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例可以包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”可以是具有与单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳氧基基团”可以由-O(A102)(其中A102可以是C6-C60芳基基团)表示，并且如本文使用的术语“C6-C60芳硫基基团”可以由-S(A103)(其中A103可以是C6-C60芳基基团)表示。
如本文使用的术语“C7-C60芳基烷基基团”可以由-(A104)(A105)(其中A104可以是C1-C54亚烷基基团，并且A105可以是C6-C59芳基基团)表示，并且如本文使用的术语“C2-C60杂芳基烷基基团”可以由-(A106)(A107)(其中A106可以是C1-C59亚烷基基团，并且A107可以是C1-C59杂芳基基团)。
如本文使用的术语R10a可以是：
氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C7-C60芳基烷基基团、C2-C60杂芳基烷基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C7-C60芳基烷基基团、C2-C60杂芳基烷基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、C7-C60芳基烷基基团或C2-C60杂芳基烷基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)。
如本文使用的基团Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其任意组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团；C7-C60芳基烷基基团；或C2-C60杂芳基烷基基团。
如本文使用的术语“杂原子”可以是除了碳原子或氢原子之外的任何原子。杂原子的实例可以包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任意组合。
如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-Bu”、“t-Bu”或“tBu”各自是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。
如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有C6-C60芳基基团(例如，苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
如本文使用的术语“三联苯基基团”可以是被联苯基基团取代的苯基基团。如本文使用的术语“三联苯基基团”可以是具有被C6-C60芳基基团取代的C6-C60芳基基团(例如，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。
除非另外定义，如本文使用的符号*和*'各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。
在下文，将参考合成例和实施例详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述合成例的措辞“使用B代替A”意指使用等摩尔当量的B代替A。
[实施例]
合成例1：化合物1的合成
Figure BDA0003966217590001081
中间体1-2的合成
将中间体1-1(2.85g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体1-2(3.06g，产率：82％)。
中间体1-3的合成
将中间体1-2(3.74g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体1-3(2.70g，产率：60％)。
中间体1-4的合成
将通过将中间体1-3(4.50g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将2-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体1-4(4.41g，产率：70％)。
中间体1-5的合成
将中间体1-4(6.30g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体1-5(5.01g，产率：82％)。
化合物1的合成
将中间体1-5(6.12g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物1(5.67g，产率：81％)。
合成例2：化合物32的合成
Figure BDA0003966217590001091
中间体32-1的合成
将中间体1-1(2.85g)、N,9-二苯基-9H-咔唑-2-胺(3.34g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体32-1(4.15g，产率：77％)。
中间体32-2的合成
将中间体32-1(5.39g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体32-2(4.24g，产率：69％)。
中间体32-3的合成
将通过将中间体32-2(6.15g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将2-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体32-3(5.80g，产率：73％)。
中间体32-4的合成
将中间体32-3(7.95g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体32-4(6.44g，产率：83％)。
化合物32的合成
将中间体32-4(7.77g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物32(7.01g，产率：81％)。
合成例3：化合物36的合成
Figure BDA0003966217590001111
化合物36的合成
将中间体1-5(6.12g)、N,9-二苯基-9h-咔唑-2-胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物36(6.66g，产率：77％)。
合成例4：化合物40的合成
Figure BDA0003966217590001112
中间体40-1的合成
将中间体1-1(2.85g)、9,9-二甲基-N-苯基-9H-芴-2-胺(2.85g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体40-1(3.72g，产率：76％)。
中间体40-2的合成
将中间体40-1(4.90g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体40-2(3.16g，产率：56％)。
中间体40-3的合成
将通过将中间体40-2(5.66g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将2-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体40-3(3.95g，产率：53％)。
中间体40-4的合成
将中间体40-3(7.46g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体40-4(6.11g，产率：84％)。
化合物40的合成
将中间体40-4(7.28g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物40(6.37g，产率：78％)。
合成例5：化合物92的合成
Figure BDA0003966217590001131
中间体92-1的合成
将通过将中间体32-2(6.15g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将3-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体92-1(4.45g，产率：56％)。
中间体92-2的合成
将中间体92-1(7.95g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体92-2(6.60g，产率：85％)。
化合物92的合成
将中间体92-2(7.77g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物92(6.58g，产率：76％)。
合成例6：化合物95的合成
Figure BDA0003966217590001141
中间体95-1的合成
将通过将中间体1-3(4.50g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将3-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体95-1(2.89g，产率：46％)。
中间体95-2的合成
将中间体95-1(7.95g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体95-2(5.38g，产率：88％)。
化合物95的合成
将中间体95-2(6.12g)、N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(3.34g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物95(6.14g，产率：71％)。
合成例7：化合物124的合成
Figure BDA0003966217590001151
中间体124-1的合成
将通过将中间体1-3(4.50g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将4-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体124-1(3.84g，产率：61％)。
中间体124-2的合成
将中间体124-1(6.30g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体124-2(5.14g，产率：84％)。
化合物124的合成
将中间体124-2(6.12g)、N-苯基二苯并[b,d]呋喃-3-胺(2.59g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物124(5.68g，产率：72％)。
合成例8：化合物139的合成
Figure BDA0003966217590001161
中间体139-1的合成
将中间体1-1(2.85g)、9,9-二甲基-N-苯基-9H-芴-3-胺(2.85g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体139-1(3.57g，产率：73％)。
中间体139-2的合成
将中间体139-1(4.90g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体139-2(3.45g，产率：61％)。
中间体139-3的合成
将通过将中间体139-2(5.66g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将4-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体139-3(4.17g，产率：56％)。
中间体139-4的合成
将中间体139-3(7.46g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体139-4(6.40g，产率：88％)。
化合物139的合成
将中间体139-4(7.28g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物139(6.04g，产率：74％)。
合成例9：化合物147的合成
Figure BDA0003966217590001181
中间体147-1的合成
将中间体1-1(2.85g)、N,9,9-三苯基-9H-芴-3-胺(4.09g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体147-1(4.29g，产率：70％)。
中间体147-2的合成
将中间体147-1(6.14g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体147-2(4.62g，产率：67％)。
中间体147-3的合成
将通过将中间体147-2(6.90g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将4-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体147-3(5.22g，产率：60％)。
中间体147-4的合成
将中间体147-3(8.70g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体147-4(6.73g，产率：79％)。
化合物147的合成
将中间体147-4(8.52g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物147(6.68g，产率：71％)。
合成例10：化合物191的合成
Figure BDA0003966217590001191
中间体191-2的合成
将中间体191-1(3.32g)、N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(3.34g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体191-2(3.89g，产率：73％)。
中间体191-3的合成
将中间体191-2(5.38g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体191-3(3.69g，产率：60％)。
中间体191-4的合成
将通过将中间体191-3(6.15g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将2-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体191-4(5.00g，产率：63％)。
中间体191-5的合成
将中间体191-4(7.95g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体191-5(5.98g，产率：77％)。
化合物191的合成
将中间体191-5(7.77g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物191(7.53g，产率：87％)。
合成例11：化合物195的合成
Figure BDA0003966217590001211
中间体195-1的合成
将中间体191-1(3.32g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体195-1(2.99g，产率：80％)。
中间体195-2的合成
将中间体195-1(3.74g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体195-2(2.52g，产率：56％)。
中间体195-3的合成
将通过将中间体195-2(4.50g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将2-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体195-3(3.45g，产率：55％)。
中间体195-4的合成
将中间体195-3(6.30g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体195-4(4.46g，产率：73％)。
化合物195的合成
将中间体195-4(6.12g)、N,9-二苯基-9H-咔唑-3-胺(3.34g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物195(7.79g，产率：90％)。
合成例12：化合物200的合成
Figure BDA0003966217590001221
中间体200-1的合成
将中间体191-1(3.32g)、9,9-二甲基-N-苯基-9H-芴-2-胺(2.85g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体200-1(3.48g，产率：71％)。
中间体200-2的合成
将中间体200-1(4.90g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体200-2(3.45g，产率：61％)。
中间体200-3的合成
将通过将中间体200-2(5.66g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将2-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体200-3(4.17g，产率：56％)。
中间体200-4的合成
将中间体200-3(7.46g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体200-4(5.60g，产率：77％)。
化合物200的合成
将中间体200-4(7.28g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物200(7.18g，产率：88％)。
合成例13：化合物240的合成
Figure BDA0003966217590001241
化合物240的合成
将中间体95-2(6.12g)、N-苯基-9,9'-螺二[芴]-2-胺(4.07g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物240(7.88g，产率：84％)。
合成例14：化合物275的合成
Figure BDA0003966217590001251
中间体275-1的合成
将中间体191-1(3.32g)、N,9-二苯基-9H-咔唑-2-胺(3.34g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体275-1(3.88g，产率：72％)。
中间体275-2的合成
将中间体275-1(5.39g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体275-2(3.62g，产率：59％)。
中间体275-3的合成
将通过将中间体275-2(6.15g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将3-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体275-3(5.00g，产率：63％)。
中间体275-4的合成
将中间体275-3(7.95g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体275-4(6.29g，产率：81％)。
化合物275的合成
将中间体275-4(7.77g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物275(7.71g，产率：89％)。
合成例15：化合物282的合成
Figure BDA0003966217590001261
中间体282-1的合成
将中间体191-1(3.32g)、9,9-二甲基-N-苯基-9H-芴-3-胺(2.85g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体282-1(3.77g，产率：77％)。
中间体282-2的合成
将中间体282-1(4.90g)、Pd(PPh3)4(0.56g)、K2CO3(3.45g)和(2-溴苯基)硼酸(2.00g)溶解在THF/H2O(100ml/25ml)中并且在80℃下搅拌12小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体282-2(3.56g，产率：63％)。
中间体282-3的合成
将通过将中间体282-2(5.66g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将3-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体282-3(4.02g，产率：54％)。
中间体282-4的合成
将中间体282-3(7.46g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体282-4(6.62g，产率：91％)。
化合物282的合成
将中间体282-4(7.28g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物282(6.20g，产率：76％)。
合成例16：化合物315的合成
Figure BDA0003966217590001281
中间体315-1的合成
将通过将中间体195-2(4.50g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将4-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体315-1(3.15g，产率：50％)。
中间体315-2的合成
将中间体315-1(6.30g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体315-2(5.32g，产率：87％)。
化合物315的合成
将中间体315-2(6.12g)、N-苯基-[1,1'-联苯]-3-胺(2.45g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物315(6.28g，产率：80％)。
合成例17：化合物334的合成
Figure BDA0003966217590001291
中间体334-1的合成
将通过将中间体191-3(6.15g)溶解在THF(50ml)中获得的溶液在-78℃下搅拌。在-78℃下，将4ml的n-BuLi(2.5M在己烷中)缓慢逐滴添加至反应溶液中并且搅拌30分钟。在-78℃下，将4-溴-9H-芴-9-酮(2.59g)逐滴添加至反应溶液中并且在室温下搅拌12小时。通过使用水终止反应溶液，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体334-1(4.84g，产率：61％)。
中间体334-2的合成
将中间体334-1(7.95g)溶解在HCl(6ml)和乙酸(30ml)中并且在60℃下搅拌6小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中萃取的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得中间体334-2(6.99g，产率：90％)。
化合物334的合成
将中间体334-2(7.77g)、二苯胺(1.69g)、Pd2(dba)3(0.46g)、P(t-Bu)3(0.21g)和NaOtBu(2.44g)溶解在甲苯(50ml)中并且在100℃下搅拌1小时。在将反应溶液冷却至室温后，通过使用水终止反应，并且通过使用乙醚对其进行三次萃取过程。将从其中分离的有机层通过无水硫酸镁干燥并且减压蒸馏，并且将由此获得的残余物通过柱色谱法分离和纯化，由此获得化合物334(6.40g，产率：74％)。
比较例1
作为阳极，将15Ω/cm2(
Figure BDA0003966217590001301
)ITO玻璃衬底(购自康宁有限公司(Corning Co.,Ltd))切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，在异丙醇和纯水中超声处理，在每种溶剂中持续5分钟，并且通过紫外线照射和将其暴露于臭氧清洁30分钟，并且将玻璃衬底装载到真空沉积设备上。
将2-TNATA真空沉积在衬底上以形成具有
Figure BDA0003966217590001302
的厚度的空穴注入层，并且将作为空穴传输化合物的空穴传输材料的4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(在下文，NPB)真空沉积在其上以形成具有/>
Figure BDA0003966217590001307
Figure BDA0003966217590001308
的厚度的空穴传输层。
将作为主体的9,10-二(萘-2-基)蒽(在下文，DNA)和作为掺杂剂的4,4'-双[2-(4-(N,N-二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(在下文，DPAVBi)以98:2的重量比共沉积在空穴传输层上以形成具有
Figure BDA0003966217590001306
的厚度的发射层。
将Alq3沉积在发射层上以形成具有
Figure BDA0003966217590001303
的厚度的电子传输层，并且将作为卤代碱金属的LiF沉积在电子传输层上以形成具有/>
Figure BDA0003966217590001304
的厚度的电子注入层，并且将Al真空沉积在其上以形成具有/>
Figure BDA0003966217590001305
的厚度的阴极，以形成LiF/Al电极，从而完成有机电致发光装置的制造。
Figure BDA0003966217590001311
比较例2至比较例4以及实施例1至实施例17
以与比较例1中相同的方式制造有机电致发光装置，但使用表1中示出的化合物代替NPB形成空穴传输层。
评估例1
为了评估根据比较例1至比较例4和实施例1至实施例17制造的有机电致发光装置的特性，测量其在50mA/cm2的电流密度下的驱动电压、亮度和发光效率。通过使用V7000OLED IVL测试系统(Polaronix)测量发光装置的驱动电压和电流密度。表1示出了有机电致发光装置的特性的评估结果。
[表1]
Figure BDA0003966217590001312
Figure BDA0003966217590001321
/>
Figure BDA0003966217590001331
根据表1，证实与根据比较例1至比较例4的有机电致发光装置的驱动电压、亮度、发光效率和使用寿命相比，根据实施例1至实施例17的有机电致发光装置具有更低的驱动电压、更高的亮度、更高的发光效率和更长的使用寿命的特性。
通过包含由式1表示的基于胺的化合物，发光装置可以具有优异的发光效率和长使用寿命。因此，可以通过使用发光装置来制造高品质的电子设备。
本文已经公开了实施方案，并且尽管使用了术语，但它们仅以一般性和描述性的意义使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将显而易见的，关于实施方案描述的特征、特性和/或要素可以单独使用或与关于其它实施方案描述的特征、特性和/或要素组合使用，除非另外具体指出。因此，本领域普通技术人员将理解，在不背离如在权利要求中阐述的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以进行形式和细节的各种改变。

Claims (20)

1.发光装置，包括：
第一电极；
面对所述第一电极的第二电极；
在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及
由式1表示的基于胺的化合物：
[式1]
Figure FDA0003966217580000011
[式1A]
Figure FDA0003966217580000012
[式2]
Figure FDA0003966217580000013
其中在式1、式1A和式2中，
X1是C(Z1)，
X2是C(Z2)，
X3是C(Z3)，
X4是C(Z4)，
其中在Z1至Z4中：
Z1和Z2键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；
Z2和Z3键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；或者
Z3和Z4键合在一起以形成在式1A中表示的环A2，
环A1和在式1A中表示的环A2彼此稠合，
式1A中的
Figure FDA0003966217580000021
表示单键或双键，
环A2是C3-C30碳环基团，
Z1至Z4各自独立地是由式2表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
Z1至Z4中的至少一个是由式2表示的基团，
T1和T2各自独立地是由式2表示的基团，
a1和a2各自独立地是0至4的整数，
a1和a2的和是1或大于1，
R1至R4各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b1至b3各自独立地是0至4的整数，
b4是0至10的整数，
L1可以是单键、未取代或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团、或者未取代或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，
n1是1至5的整数，
Ar1和Ar2各自独立地是未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
*表示与相邻原子的结合位点，
R10a是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，以及
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述中间层包含所述基于胺的化合物。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中
所述第一电极是阳极，
所述第二电极是阴极，
所述中间层进一步包括在所述发射层与所述第一电极之间的空穴传输区，以及
所述空穴传输区包含所述基于胺的化合物。
4.如权利要求3所述的发光装置，其中
所述空穴传输区包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一个，以及
所述空穴注入层和所述空穴传输层中的至少一个包含所述基于胺的化合物。
5.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括位于所述第一电极外部或位于所述第二电极外部的覆盖层，其中
所述覆盖层包含所述基于胺的化合物。
6.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括：
位于所述第一电极外部并且包含所述基于胺的化合物的第一覆盖层；
位于所述第二电极外部并且包含所述基于胺的化合物的第二覆盖层；或者
所述第一覆盖层和所述第二覆盖层。
7.电子设备，包括权利要求1所述的发光装置。
8.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，以及
所述发光装置的所述第一电极电连接至所述源电极或所述漏电极。
9.如权利要求7所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其组合。
10.由式1表示的基于胺的化合物：
[式1]
Figure FDA0003966217580000051
[式1A]
Figure FDA0003966217580000052
[式2]
Figure FDA0003966217580000053
其中在式1、式1A和式2中，
X1是C(Z1)，
X2是C(Z2)，
X3是C(Z3)，
X4是C(Z4)，
其中在Z1至Z4中：
Z1和Z2键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；
Z2和Z3键合在一起以形成在式1A中表示的环A2；或者Z3和Z4键合在一起以形成在式1A中表示的环A2，
环A1和在式1A中表示的环A2彼此稠合，
式1A中的
Figure FDA0003966217580000061
表示单键或双键，
环A2是C3-C30碳环基团，
Z1至Z4各自独立地是由式2表示的基团、氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
Z1至Z4中的至少一个是由式2表示的基团，
T1和T2各自独立地是由式2表示的基团，
a1和a2各自独立地是0至4的整数，
a1和a2的和是1或大于1，
R1至R4各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，b1至b3各自独立地是0至4的整数，
b4是0至10的整数，
L1可以是单键、未取代或被至少一个R10a取代的二价C3-C60碳环基团、或者未取代或被至少一个R10a取代的二价C1-C60杂环基团，n1是1至5的整数，
Ar1和Ar2各自独立地是未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团或者未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
*表示与相邻原子的结合位点，
R10a是：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团或C1-C60烷氧基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团、C6-C60芳硫基基团、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其组合取代的C3-C60碳环基团、C1-C60杂环基团、C6-C60芳氧基基团或C6-C60芳硫基基团；或者
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，以及
Q1至Q3、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C1-C60烷基基团、C1-C60烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其组合取代的C1-C60烷基基团、C2-C60烯基基团、C2-C60炔基基团、C1-C60烷氧基基团、C3-C60碳环基团或C1-C60杂环基团。
11.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中环A2是苯基团或萘基团。
12.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中所述由式1表示的基于胺的化合物由式1-1至式1-3中的一种表示：
[式1-1]
Figure FDA0003966217580000081
[式1-2]
Figure FDA0003966217580000082
[式1-3]
Figure FDA0003966217580000091
其中在式1-1至式1-3中，
b4是0至4的整数，以及
X1至X4、T1、T2、a1、a2、R1至R4和b1至b3分别与式1中描述的相同。
13.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中Z1至Z4各自独立地是：
由式2表示的基团、氢或氘；
未取代的或被氘、苯基基团或其组合取代的C1-C10烷基基团；或者
各自未取代的或被氘、C1-C10烷基基团、苯基基团或其组合取代的苯基基团或萘基基团。
14.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中Z1至Z4中的一个是由式2表示的基团。
15.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中a1和a2的和是1。
16.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中R1至R4各自独立地是：
氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团或C1-C20烷硫基基团；
各自被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C10烷基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团或其组合取代的C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团或C1-C20烷硫基基团；
各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CF3、-CF2H、-CFH2、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1-C20烷基基团、C1-C20烷氧基基团、C1-C20烷硫基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C1-C10烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、
Figure FDA0003966217580000101
基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-B(Q31)(Q32)、-P(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)、-P(＝O)(Q31)(Q32)或其组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C1-C10烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、/>
Figure FDA0003966217580000111
基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂芴基基团或氮杂二苯并噻咯基基团；或者
-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，以及
Q1至Q3和Q31至Q33各自独立地是：
-CH3、-CD3、-CD2H、-CDH2、-CH2CH3、-CH2CD3、-CH2CD2H、-CH2CDH2、-CHDCH3、-CHDCD2H、-CHDCDH2、-CHDCD3、-CD2CD3、-CD2CD2H或-CD2CDH2；或者
各自未取代的或者被氘、C1-C10烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团和三嗪基基团中的至少一个取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。
17.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中L1是：
单键；或者
各自未取代的或被至少一个R10a取代的苯基团或萘基团，以及
R10a与式1中定义的相同。
18.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中
Ar1和Ar2各自独立地是未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂芳基基团、未取代或被至少一个R10a取代的单价非芳香族稠合多环基团、或者未取代或被至少一个R10a取代的单价非芳香族稠合杂多环基团，以及
R10a与式1中定义的相同。
19.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中Ar1和Ar2各自独立地是由式2A-1至式2A-14中的一种表示的基团：
Figure FDA0003966217580000131
其中在式2A-1至式2A-14中，
Y1是O、S、N(R1a)、C(R1a)(R1b)或Si(R1a)(R1b)，
R21是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
R1a和R1b各自独立地是氢、氘、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、或者未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团，
b21是0至5的整数，
b22是0至4的整数，
b23是0至7的整数，
b24是0至3的整数，
b25是0至8的整数，
*表示与相邻原子的结合位点，以及
R10a和Q1至Q3分别与式1中描述的相同。
20.如权利要求10所述的基于胺的化合物，其中所述由式1表示的基于胺的化合物由式1-1-1至式1-1-16、式1-2-1至式1-2-16和式1-3-1至式1-3-16中的一种表示：
Figure FDA0003966217580000141
/>
Figure FDA0003966217580000151
/>
Figure FDA0003966217580000161
其中在式1-1-1至式1-1-16、式1-2-1至式1-2-16和式1-3-1至式1-3-16中，
T1、T2和T11至T14各自独立地是由式2表示的基团，
R5是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60烷硫基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳氧基基团、未取代或被至少一个R10a取代的C6-C60芳硫基基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)或-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b1、b2和b3各自独立地是0至4的整数，
b11和b12各自独立地是0至3的整数，
b15是0至5的整数，以及
R1至R3、R10a和Q1至Q3分别与式1中描述的相同。
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