CN116469986A - 发光装置及包括该发光装置的电子设备 - Google Patents

发光装置及包括该发光装置的电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116469986A
CN116469986A CN202310012919.1A CN202310012919A CN116469986A CN 116469986 A CN116469986 A CN 116469986A CN 202310012919 A CN202310012919 A CN 202310012919A CN 116469986 A CN116469986 A CN 116469986A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
emission
electrode
light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310012919.1A
Other languages
English (en)
Inventor
崔晶浩
宋河珍
郑栋燮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN116469986A publication Critical patent/CN116469986A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/19—Tandem OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及发光装置和包括该发光装置的电子设备。发光装置包括第一电极；面向第一电极的第二电极；和在第一电极和第二电极之间的夹层。夹层包括：包括电子阻挡层的空穴传输区、在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层、在第一发射层和第二电极之间的第二发射层以及在第二发射层和第二电极之间且包括空穴阻挡层的电子传输区。

Description

发光装置及包括该发光装置的电子设备
相关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局(KIPO)于2022年1月18日提交的韩国专利申请第10-2022-0007353号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及发光装置和包括其的电子设备。
背景技术
发光装置中的有机发光装置为自发射装置，其与现有技术中的装置相比，具有宽视角，高对比度，短响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性。
有机发光装置可包括：位于基板上的第一电极，和在第一电极上彼此依次堆叠的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁至基态，因此生成光。
应理解，该背景技术章节部分旨在提供用于理解该技术的有用的背景。然而，该背景技术章节也可包括在本文公开的主题的相应有效申请日之前不是被相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、概念或认知。
发明内容
实施方式涉及具有卓越的发光效率和长寿命的发光装置。
另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。
根据实施方式，提供了发光装置，其可包括第一电极，
面向第一电极的第二电极，和
在第一电极和第二电极之间的夹层，其中，
夹层可包括：包括电子阻挡层的空穴传输区，在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层，在第一发射层和第二电极之间的第二发射层，以及在第二发射层和第二电极之间的电子传输区，电子传输区包括空穴阻挡层，
第一发射层的折射率可大于电子阻挡层的折射率，
第二发射层的折射率可等于或大于空穴阻挡层的折射率，并且
在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大。
在实施方式中，电子阻挡层可直接接触第一发射层，第一发射层可直接接触第二发射层，第二发射层可直接接触空穴阻挡层，或其任意组合。
在实施方式中，在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地在约1.70至约1.90的范围内。
在实施方式中，在450nm的波长下测量的第一发射层的折射率和第二发射层的折射率可各自独立地在约1.70至约2.30的范围内。
在实施方式中，在450nm的波长下测量的第一发射层的折射率可在约1.85至约2.30的范围内。
在实施方式中，第二发射层的折射率可等于或大于第一发射层的折射率。
在实施方式中，第一发射层和第二发射层可各自独立地发射最大发射波长在约450nm至约490nm的范围内的蓝光。
在实施方式中，第一发射层可包括第一主体和第一掺杂剂，第二发射层可包括第二主体和第二掺杂剂，并且第一主体和第二主体可彼此不同。
在实施方式中，电子阻挡层可包括含芳胺化合物。
在实施方式中，第一发射层可包括第一主体和第一掺杂剂，并且第一主体可包括含芘化合物；第二发射层可包括第二主体和第二掺杂剂，并且第二主体可包括含蒽化合物；或其任意组合。
在实施方式中，空穴阻挡层可包括含三嗪化合物。
根据实施方式，提供了发光装置，其可包括第一电极，
面向第一电极的第二电极，
位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件，和
位于m个发射部件中的两个相邻发射部件之间的m-1个电荷生成层，其中，
m可为2或更大的整数，
m个发射部件中的每一个可包括发射层，
m-1个电荷生成层中的每一个可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层，
m个发射部件中的至少一个可包括：包括电子阻挡层的空穴传输区，在电子阻挡层和第二电极之间的发射层，以及位于发射层和第二电极之间的电子传输区，电子传输区包括空穴阻挡层，
在电子阻挡层和第二电极之间的发射层可包括：在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层，以及在第一发射层和第二电极之间的第二发射层，
第一发射层的折射率可大于电子阻挡层的折射率，
第二发射层的折射率可等于或大于空穴阻挡层的折射率，并且
在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大。
在实施方式中，从m个发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长可不同于从其余发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长。
在实施方式中，m个发射部件中的至少一个可发射最大发射波长在约410nm至约490nm的范围内的蓝光。
在实施方式中，m个发射部件中的至少一个可发射最大发射波长在约490nm至约580nm的范围内的绿光。
在实施方式中，m个发射部件中的至少一个可包括量子点。
根据实施方式，提供了发光装置，其可包括：
位于第一子像素、第二子像素和第三子像素上的多个第一电极，
面向多个第一电极的第二电极；
位于多个第一电极和第二电极之间的m个发射部件，和
位于m个发射部件中的两个相邻发射部件之间的m-1个电荷生成层，其中，
m可为2或更大的整数，
m个发射部件中的每一个可包括发射层，
m-1个电荷生成层中的每一个可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层，
m个发射部件中的至少一个可包括：包括电子阻挡层的空穴传输区，在电子阻挡层和第二电极之间的发射层，以及位于发射层和第二电极之间的电子传输区，电子传输区包括空穴阻挡层。
在电子阻挡层和第二电极之间的发射层可包括在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层以及在第一发射层和第二电极之间的第二发射层，
第一发射层的折射率可大于电子阻挡层的折射率，
第二发射层的折射率可等于或大于空穴阻挡层的折射率，并且
在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大。
在实施方式中，第一发射层可包括位于第一子像素上且发射第一颜色光的第一a发射层，位于第二子像素上且发射第二颜色光的第一b发射层，和位于第三子像素上且发射第三颜色光的第一c发射层。第二发射层可包括位于第一子像素上且发射第一颜色光的第二a发射层，位于第二子像素上且发射第二颜色光的第二b发射层，和位于第三子像素上且发射第三颜色光的第二c发射层。第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。
根据实施方式，提供了可包括发光装置的电子设备。
根据实施方式，提供了电子设备，其可包括位于基板上的发光装置和位于从发光装置发射的光传播的至少一个方向上的颜色转换层，其中颜色转换层可包括量子点。
应理解，上面的实施方式仅以一般性和解释性的含义描述，并非出于限制目的，并且本公开不限于上述实施方式。
附图说明
通过参考所附附图详细地描述其实施方式，本公开的上面和其他方面和特征将更加显而易见，其中：
图1为根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；
图2为根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；
图3为根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；
图4为根据实施方式的电子设备的示意性横截面图；并且
图5为根据另一实施方式的电子设备的示意性横截面图。
具体实施方式
下文参考其中显示了实施方式的所附附图，现将更充分地描述本公开。然而，本公开可体现为不同的形式并且不应解释为限于本文陈述的实施方式。而是，提供这些实施方式以便本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。
在附图中，为了易于描述和为了清楚起见，可放大元件的尺寸、厚度、比率和维度。相同的附图标记通篇指相同的元件。
在描述时，将理解，当元件(或区、层、部分等)被称为“在”另一元件(或区、层、部分等)“上”，“连接至”或“耦合至”另一元件(或区、层、部分等)时，其可直接在另一元件(或区、层、部分等)上、连接至或耦合至另一元件(或区、层、部分等)，或在它们之间可存在一个或多个居间元件(或区、层、部分等)。在类似的意义上，当元件(或区、层、部分等)被描述为“覆盖”另一元件(或区、层、部分等)时，其可直接覆盖另一元件(或区、层、部分等)，或在它们之间可存在一个或多个居间元件(或区、层、部分等)。
在描述时，当元件(或区、层、部分等)“直接在”另一元件(或区、层、部分等)“上”，“直接连接至”或“直接耦合至”另一元件(或区、层、部分等)时，不存在居间元件(或区、层、部分等)。例如，“直接在……上”可意思是设置两个层或两个元件(或区、部分等)而在它们之间没有另外的元件(或区、层、部分等)比如粘附元件。
如本文使用的，以单数形式使用的表述，比如“一个”、“一种”和“所述”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。例如，“A和/或B”可理解为意思是“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以以连接意义或分隔意义使用，并且可理解为等同于“和/或”。
在说明书和权利要求书中，术语“……中的至少一个”旨在包括“选自下述的组中的至少一个”的含义，用于其含义和解释的目的。例如，“A和B中的至少一个”可理解为意思是“A、B或者A和B”。当在元件的列表之前/之后时，术语“……中的至少一个”修饰元件的整个列表，并且不修饰列表的单个元件。
将理解，尽管术语第一、第二等可在本文用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。因此，在不背离本公开教导的情况下，第一元件可称为第二元件。类似地，在不背离本公开的范围的情况下，第二元件可称为第一元件。
为了易于描述，可在本文使用空间相对术语“下面”、“之下”、“下”、“上面”或“上”等，以描述如附图中阐释的一个元件或组件和另一元件或组件之间的关系。将理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在囊括使用或操作中的装置的不同定向。例如，在将附图中阐释的装置翻转的情况下，位于另一装置“下面”或“之下”的装置可放置在另一装置“上面”。相应地，阐释性术语“下面”可包括下部位置和上部位置。装置也可在其他方向上定向，并且因此可取决于定向而不同地解释空间相对术语。
如本文中使用的术语“约”或“近似”包括规定值并意味着在由本领域普通技术人员确定的叙述值的可接受偏差范围内，考虑到讨论的测量和与叙述量的测量相关的误差(即测量系统的限制)。例如，“约”可以意味着在一个或多个标准偏差之内，或者在规定值的±20％、±10％或±5％之内。
应理解，术语“包含(comprises)”、“包含(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”、“具有(have)”、“具有(having)”、“含有(contains)”和“含有(containing)”等旨在指定规定特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其任意组合在本公开中的存在，但不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件或其任意组合的存在或添加。
除非本文中另外定义或暗示，否则使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。进一步应当理解，术语，比如那些在常用词典中定义的术语，应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在说明书中明确定义，否则不应当以理想的或过分正式的意义来解释。
根据实施方式，发光装置可包括：第一电极；
面向第一电极的第二电极；和
在第一电极和第二电极之间的夹层，其中，
夹层可包括：包括电子阻挡层的空穴传输区；在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层；在第一发射层和第二电极之间的第二发射层；以及在第二发射层和第二电极之间的电子传输区，电子传输区包括空穴阻挡层，
第一发射层的折射率可大于电子阻挡层的折射率，
第二发射层的折射率可等于或大于空穴阻挡层的折射率，并且
在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大。在实施方式中，在发光装置中，电子阻挡层可直接接触第一发射层，
第一发射层可直接接触第二发射层，
第二发射层可直接接触空穴阻挡层，或
其任意组合。
在实施方式中，在发光装置中，在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大且约1.90或更小。例如，在发光装置中，在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大且约1.85或更小、约1.70或更大且约1.80或更小、约1.70或更大且约1.73或更小、约1.73或更大且约1.77或更小，或者约1.77或更大且约1.80或更小。
在实施方式中，在发光装置中，电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可彼此相同。
在实施方式中，在发光装置中，在450nm的波长下测量的第一发射层的折射率和第二发射层的折射率可各自独立地在约1.70至约2.30的范围内。例如，在发光装置中，第一发射层的折射率和第二发射层的折射率可各自独立地在约1.75至约2.20的范围内、在约1.75至约2.10的范围内或者在约1.75至约2.00的范围内。
在实施方式中，发光装置的第一发射层的折射率可在约1.85至约2.30的范围内。例如，第一发射层的折射率可在约1.85至约2.20的范围内。
在实施方式中，发光装置的第二发射层的折射率可在约1.85至约2.30的范围内。例如，第二发射层的折射率可在约1.85至约2.20的范围内。
在实施方式中，在发光装置中，第二发射层的折射率可等于或大于第一发射层的折射率。
在实施方式中，在发光装置中，第二发射层的折射率可小于第一发射层的折射率。
在实施方式中，在发光装置中，第一发射层和第二发射层可各自独立地发射最大发射波长在约450nm至约490nm的范围内的蓝光。
在实施方式中，在发光装置中，第一发射层可包括第一主体和第一掺杂剂，第二发射层可包括第二主体和第二掺杂剂，并且第一主体和第二主体可彼此不同。第一主体和第二主体可各自与说明书中主体的描述相同，并且第一掺杂剂和第二掺杂剂可各自与说明书中掺杂剂的描述相同。
在实施方式中，发光装置的电子阻挡层可包括含芳胺化合物。例如，含芳胺化合物可为包括芳胺基的有机化合物。含芳胺化合物可为稍后将描述的由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合，并且式201中的R201至R203以及式202中的R201至R204中的至少一个可为未取代的或者被至少一个R10a取代的C6-C60芳基。例如，含芳胺化合物可进一步包括咔唑基。例如，含芳胺化合物可为4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)，但不限于此。
在实施方式中，在发光装置中，第一发射层可包括第一主体和第一掺杂剂，并且第一主体可包括含芘化合物；
第二发射层可包括第二主体和第二掺杂剂，并且第二主体可包括含蒽化合物；或
其任意组合。
例如，含芘化合物可为包括芘基的有机化合物。例如，含芘化合物可为稍后将描述的由式301表示的化合物，并且式301中的Ar301可为未取代的或者被至少一个R10a取代的芘基。例如，含芘化合物可为化合物1-1至1-18和H29至H35中的一个，但不限于此：
例如，含蒽化合物可为包括蒽基的有机化合物。在实施方式中，含蒽化合物可为被至少一个氘取代的含蒽化合物。例如，含蒽化合物可为稍后将描述的由式301表示的化合物，并且式301中的Ar301可为未取代的或者被至少一个R10a取代的蒽基。例如，式301中的Ar301可为被至少一个R10a取代的蒽基且至少一个R10a为氘。例如，含蒽化合物可为化合物2-1至2-3、H1至H26和H56至H120中的一个，但不限于此：
/>
/>
/>
在实施方式中，发光装置的空穴阻挡层可包括含三嗪化合物。例如，含三嗪化合物可为包括三嗪基的有机化合物。例如，含三嗪化合物可为稍后要描述的由式601表示的化合物，并且式601中的Ar601可为未取代的或者被至少一个R10a取代的三嗪基。例如，含三嗪化合物可为化合物ET25至ET28、ET30、ET37至ET39和ET46至ET48中的一个，但不限于此：
在实施方式中，发光装置中的第一电极可为阳极，
第二电极可为阴极，
空穴传输区可进一步包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层或其任意组合，并且
电子传输区可进一步包括缓冲层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
在发光装置中，因为第一发射层的折射率可大于空穴传输区的折射率，并且第二发射层的折射率可等于或大于电子传输区的折射率，因此可减少从发射层(第一发射层和/或第二发射层)生成的光因波导模式而损失的现象，从而增加发光效率。这是因为折射率越低，所以由发射层生成的光通过波导模式在水平方向上损失越少。因为发光效率增加，所以可以提高发光装置的发光效率(例如，外部量子效率)。
因为发光装置的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大，因此可减少装置内捕获的光的量，并且因此可减少热量，从而增加发光装置的稳定性和寿命。
相应地，发光装置可具有卓越的发光效率和长寿命，并且因此可用于制造高质量电子设备。
根据实施方式，发光装置可包括：第一电极；
面向第一电极的第二电极；
位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件；和
m-1个电荷生成层，该电荷生成层位于m个发射部件中的两个相邻发射部件之间，其中，
m可为2或更大的整数，
m个发射部件中的每一个可包括发射层，
m-1个电荷生成层中的每一个可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层，
m个发射部件中的至少一个可包括：包括电子阻挡层的空穴传输区，在电子阻挡层和第二电极之间的发射层，以及位于发射层和第二电极之间的电子传输区，电子传输区包括空穴阻挡层，
在电子阻挡层和第二电极之间的发射层可包括：在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层，以及在第一发射层和第二电极之间的第二发射层，
第一发射层的折射率可大于电子阻挡层的折射率，
第二发射层的折射率可等于或大于空穴阻挡层的折射率，并且
在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大。电子阻挡层、第一发射层、第二发射层和空穴阻挡层可各自与如本文描述的电子阻挡层、第一发射层、第二发射层和空穴阻挡层相同。
发射部件的数量m可根据目的而变化，并且数量的上限没有特别限制。在实施方式中，发光装置可包括2、3、4、5或6个发射部件。本文的发射部件没有特别限制，只要该发射部件具有能够发射光的功能。在实施方式中，发射部件可包括一个或多个发射层。在必要的情况下，发射部件可进一步包括除发射层之外的有机层。
位于m个发射部件中的发射层可各自独立地发射红光、绿光、蓝光和/或白光。例如，在m个发射部件中，包括在a个发射部件中的发射层可发射蓝光，包括在b个发射部件中的发射层可发射红光，包括在c个发射部件中的发射层可发射绿光，并且包括在d个发射部件中的发射层可发射白光。a、b、c和d可各自为0或更大的整数，并且a、b、c和d之和可为m。例如，包括在m个发射部件中的a个发射部件中的发射层可各自发射蓝光，并且基于前峰波长，蓝光可各自独立地具有在约400nm至约490nm的范围内的最大发射波长。例如，包括在a个发射部件中的发射层中的至少一个可发射蓝光，并且蓝光的最大发射波长可在约400nm至约490nm的范围内。
m个发射部件中的至少一个发射部件可包括第一发射层和第二发射层。在实施方式中，第一发射层和第二发射层可各自独立地发射红光、绿光、蓝光和/或白光。例如，第一发射层和第二发射层可各自发射蓝光，并且蓝光的最大发射波长可在约400nm至约490nm的范围内。
在实施方式中，从m个发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长可不同于从其余发射部件中的至少一个发射部件发射的光的最大发射波长。在实施方式中，在其中第一发射部件和第二发射部件彼此堆叠的发光装置中，从第一发射部件发射的光的最大发射波长可不同于从第二发射部件发射的光的最大发射波长。第一发射部件的发射层和第二发射部件的发射层各自独立地可具有i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单一材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同材料组成，和iii)具有多个层的多层结构，该多个层由多种不同材料组成。相应地，从第一发射部件或第二发射部件发射的光可为单色光或混色光。
例如，m个发射部件中的至少一个可发射最大发射波长在约410nm至约490nm的范围内的蓝光。例如，m个发射部件中的至少一个可发射最大发射波长在约490nm至约580nm的范围内的绿光。
在实施方式中，在其中第一发射部件、第二发射部件和第三发射部件彼此堆叠的发光装置中，从第一发射部件发射的光的最大发射波长可与从第二发射部件发射的光的最大发射波长相同，但是不同于从第三发射部件发射的光的最大发射波长。在实施方式中，从第一发射部件发射的光的最大发射波长、从第二发射部件发射的光的最大发射波长和从第三发射部件发射的光的最大发射波长可彼此不同。
在实施方式中，在m为4的情况下，发光装置可为这样的装置：其中第一发射部件、第二发射部件、第三发射部件和第四发射部件彼此堆叠，第一发射部件至第三发射部件可各自发射蓝光，并且第四发射部件可发射绿光。
在实施方式中，从m个发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长可与从其余发射部件中的至少一个发射部件发射的光的最大发射波长相同。
在实施方式中，m个发射部件中包括的m个发射层可各自独立地包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂、延迟荧光材料或其任意组合。磷光掺杂剂、荧光掺杂剂和延迟荧光材料可分别与如本文描述的磷光掺杂剂、荧光掺杂剂和延迟荧光材料相同。
在实施方式中，所有的m个发射层可包括：磷光掺杂剂；荧光掺杂剂；或延迟荧光材料。
在实施方式中，m个发射层中的至少一个可包括磷光掺杂剂并且其余的发射层可包括荧光掺杂剂。在实施方式中，m个发射层中的至少一个可包括磷光掺杂剂并且其余的发射层可包括延迟荧光材料。在实施方式中，m个发射层中的至少一个可包括荧光掺杂剂并且其余的发射层可包括延迟荧光材料。
在实施方式中，m个发射层中的至少一个可包括磷光掺杂剂，m个发射层中的至少一个可包括荧光掺杂剂，并且其余的发射层可包括延迟荧光材料。
在实施方式中，m个发射部件中的至少一个可包括量子点。例如，量子点可包括在m个发射部件中包括的m个发射层中的至少一个发射层中。
电荷生成层可包括在m个发射部件中的两个相邻的发射部件之间，并且“相邻”可指所有层中彼此最接近的层的布置关系。在实施方式中，“两个相邻的发射部件”可指多个发射部件中彼此最接近的两个发射部件的位置关系。“相邻”可指其中两个层彼此物理接触的情况，或其中第三层位于两个层之间的情况。例如，“与第二电极相邻的发射部件”可指最接近第二电极的发射部件。而且，第二电极和发射部件可物理接触。然而，在实施方式中，除了发射部件之外的其他层可位于第二电极和发射部件之间。在实施方式中，电子传输层可位于第二电极和发射部件之间。然而，电荷生成层也可位于两个相邻的发射部件之间。
“电荷生成层”可相对于两个相邻的发射部件中的一个发射部件生成电子，并且因此充当阴极，并且可相对于另一发射部件生成空穴，并且因此充当阳极。电荷生成层可不直接连接至电极，并且可使相邻的发射部件分开。包括m个发射部件的发光装置可含有m-1个电荷生成层。
m-1个电荷生成层中的每一个可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层。n型电荷生成层和p型电荷生成层可彼此直接接触，以形成NP结。通过NP结，在n型电荷生成层和p型电荷生成层之间可同时生成电子和空穴。生成的电子可通过n型电荷生成层转移到两个相邻的发射部件中的一个。生成的空穴可通过p型电荷生成层转移到两个相邻的发射部件中的另一个。因为电荷生成层各自包括n型电荷生成层和p型电荷生成层，所以包括m-1个电荷生成层的发光装置可包括m-1个n型电荷生成层和m-1个p型电荷生成层。
n型可具有n型半导体特性，例如，注入或传输电子的特性。p型可具有p型半导体特性，例如，注入或传输空穴的特性。
m个发射部件可进一步包括位于第一电极和发射层之间的空穴传输区以及位于发射层和第二电极之间的电子传输区。例如，在m个发射部件中，a个发射部件可进一步包括空穴传输区和电子传输区，并且b个发射部件可包括：包括电子阻挡层的空穴传输区；位于电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层；位于第一发射层和第二电极之间的第二发射层；以及位于第二发射层和第二电极之间且包括空穴阻挡层的电子传输区。a可为1或更大的整数，b可为0或更大的整数，并且a和b之和可为m。空穴传输区和电子传输区可各自与本文描述的相同。
在实施方式中，发光装置可包括：位于第一子像素、第二子像素和第三子像素上的多个第一电极；
面向多个第一电极的第二电极；
位于多个第一电极和第二电极之间的m个发射部件；和
m-1个电荷生成层，该电荷生成层位于m个发射部件中的两个相邻发射部件之间，其中，
m可为2或更大的整数，
m个发射部件中的每一个可包括发射层，
m-1个电荷生成层中的每一个可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层，
m个发射部件中的至少一个可包括：包括电子阻挡层的空穴传输区，在电子阻挡层和第二电极之间的发射层，以及位于发射层和第二电极之间的电子传输区，电子传输区包括空穴阻挡层，
在电子阻挡层和第二电极之间的发射层可包括在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层以及在第一发射层和第二电极之间的第二发射层，
第一发射层的折射率可大于电子阻挡层的折射率，
第二发射层的折射率可等于或大于空穴阻挡层的折射率，并且
在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大。电子阻挡层、第一发射层、第二发射层和空穴阻挡层可各自与本文描述的相同。
在实施方式中，在发光装置中，
第一发射层可包括位于第一子像素上且发射第一颜色光的第一a发射层，位于第二子像素上且发射第二颜色光的第一b发射层，和位于第三子像素上且发射第三颜色光的第一c发射层，
第二发射层可包括位于第一子像素上且发射第一颜色光的第二a发射层，位于第二子像素上且发射第二颜色光的第二b发射层，和位于第三子像素上且发射第三颜色光的第二c发射层，并且
第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。
在实施方式中，m个发射部件可进一步包括空穴传输区和电子传输区。
在实施方式中，空穴传输区可位于发射层之间呈公共层形式，并且电子传输区可位于发射层和第二电极之间呈公共层形式。
在实施方式中，发光装置的第一电极可为阳极，并且发光装置的第二电极可为阴极。
在实施方式中，发光装置可包括位于第一电极外侧或第二电极外侧的封盖层。量子点的细节可与本文描述的相同。
在实施方式中，电子设备可包括发光装置。电子设备可进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可进一步包括含有源电极和漏电极的薄膜晶体管，其中发光装置的第一电极可电连接至薄膜晶体管的源电极或漏电极。在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。
电子设备可包括：位于基板上的发光装置，和位于从发光装置发射的光传播的至少一个方向上的颜色转换层，其中颜色转换层包括量子点。电子设备的更多细节可参考本文提供的相关描述。
[图1的描述]
图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10可包括第一电极110、夹层150和第二电极190，并且夹层150可包括空穴传输区140、第一发射层152、第二发射层154和电子传输区160。
下文将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。
[第一电极110]
在图1中，基板可另外位于第一电极110下方或第二电极190上方。作为基板，可使用玻璃基板或塑料基板。在实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳族酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。
例如，第一电极110可通过在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。在第一电极110为阳极的情况下，用于形成第一电极110的材料可为利于注入空穴的高功函材料。
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。在第一电极110为透射电极的情况下，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)或其任意组合。在实施方式中，在第一电极110为半透射电极或反射电极的情况下，用于形成第一电极110的材料可包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合。
第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
[夹层150]
夹层150位于第一电极110上。夹层150可包括：包括电子阻挡层的空穴传输区140；位于电子阻挡层和第二电极190之间的第一发射层152；位于第一发射层152和第二电极190之间的第二发射层154；以及位于第二发射层154和第二电极190之间且包括空穴阻挡层的电子传输区160。
除了各种有机材料之外，夹层150可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物和无机材料比如量子点等。
在实施方式中，夹层150可包括，i)彼此依次堆叠在第一电极110和第二电极190之间的两个或更多个发射部件，和ii)位于两个或更多个发射部件之间的电荷生成层。在夹层150包括如上所述的发射部件和电荷生成层的情况下，发光装置10可为串联发光装置。
[夹层150中的空穴传输区140]
空穴传输区140可包括电子阻挡层。
空穴传输区140可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单一材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同材料组成；或iii)包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。
空穴传输区140可进一步包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层或其任意组合。
例如，空穴传输区140可具有包括空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层/电子阻挡层结构、空穴注入层/发射辅助层/电子阻挡层结构、空穴传输层/发射辅助层/电子阻挡层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中在每种结构中，从第一电极110彼此依次堆叠各个层。
空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：
[式201]
[式202]
/>
其中在式201和式202中，
L201至L204可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基，或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
L205可为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q201)-*'、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20亚烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C20亚烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，
xa5可为选自1至10的整数，
R201至R204和Q201可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
R201和R202可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C8-C60多环基团(例如，咔唑基等)(例如，化合物HT16)，
R203和R204可任选地经由单键、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C5亚烷基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C5亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R10a取代的C8-C60多环基团，并且
na1可为选自1至4的整数。
例如，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个。
在式CY201至式CY217中，R10b和R10c可各自与关于R10a描述的相同，环CY201至环CY204可各自独立地为C3-C20碳环基或C1-C20杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可未被取代或被如上所述的R10a取代。
在实施方式中，式CY201至式CY217中的环CY201至环CY204可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。
在实施方式中，式201和式202中的每一个可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。
在实施方式中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。
在实施方式中，在式201中，xa1可为1，R201可为由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R202可为由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团。
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，并且可包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。
在实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由式CY201至式CY217中的一个表示的基团。
在实施方式中，空穴传输区140可包括化合物HT1至HT47中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任意组合：
/>
/>
/>
/>
空穴传输区140可具有在约至约/>(例如，约/>至约/>)的范围内的厚度。在空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合的情况下，空穴注入层的厚度可在约/>至约/>(例如，约/>至约/>)的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约/>至约/>(例如，约/>至约/>)的范围内。在空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内的情况下，可在驱动电压没有明显增加的情况下获得满意的空穴传输特性。
发射辅助层可通过根据通过发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡来自发射层的电子泄漏至空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。
[p-掺杂剂]
除了如上述的材料之外，空穴传输区140可进一步包括用于改善导电特性的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散于空穴传输区140中(例如，以由电荷生成材料组成的单个层的形式)。
电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。
例如，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可为约-3.5eV或更小。
在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、包括元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。
醌衍生物的示例可包括TCNQ、F4-TCNQ等。
含氰基化合物的示例可包括HAT-CN和由式221表示的化合物：
[式221]
在式221中，
R221至R223可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，并且
R221至R223中的至少一个可各自独立地为各自被下述取代的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C1-C20烷基；或其任意组合。
例如，由式221表示的化合物可为化合物P1：
在包括元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任意组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任意组合。
金属的示例可包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。
准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。
非金属的示例可包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。
包括元素EL1和元素EL2的化合物的示例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。
金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W2O3、WO2、WO3、W2O5等)、钒氧化物(例如，VO、V2O3、VO2、V2O5等)、钼氧化物(MoO、Mo2O3、MoO2、MoO3、Mo2O5等)和铼氧化物(例如，ReO3等)。
金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。
碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。
碱土金属卤化物的示例可包括BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2和BaI2。
过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF4、TiCl4、TiBr4、TiI4等)、锆卤化物(例如，ZrF4、ZrCl4、ZrBr4、ZrI4等)、铪卤化物(例如，HfF4、HfCl4、HfBr4、HfI4等)、钒卤化物(例如，VF3、VCl3、VBr3、VI3等)、铌卤化物(例如，NbF3、NbCl3、NbBr3、NbI3等)、钽卤化物(例如，TaF3、TaCl3、TaBr3、TaI3等)、铬卤化物(例如，CrF3、CrCl3、CrBr3、CrI3等)、钼卤化物(例如，MoF3、MoCl3、MoBr3、MoI3等)、钨卤化物(例如，WF3、WCl3、WBr3、WI3等)、锰卤化物(例如，MnF2、MnCl2、MnBr2、MnI2等)、锝卤化物(例如，TcF2、TcCl2、TcBr2、TcI2等)、铼卤化物(例如，ReF2、ReCl2、ReBr2、ReI2等)、铁卤化物(例如，FeF2、FeCl2、FeBr2、FeI2等)、钌卤化物(例如，RuF2、RuCl2、RuBr2、RuI2等)、锇卤化物(例如，OsF2、OsCl2、OsBr2、OsI2等)、钴卤化物(例如，CoF2、CoCl2、CoBr2、CoI2等)、铑卤化物(例如，RhF2、RhCl2、RhBr2、RhI2等)、铱卤化物(例如，IrF2、IrCl2、IrBr2、IrI2等)、镍卤化物(例如，NiF2、NiCl2、NiBr2、NiI2等)、钯卤化物(例如，PdF2、PdCl2、PdBr2、PdI2等)、铂卤化物(例如，PtF2、PtCl2、PtBr2、PtI2等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。
后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF2、ZnCl2、ZnBr2、ZnI2等)、铟卤化物(例如，InI3等)和锡卤化物(例如，SnI2等)。
镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF2、YbF3、SmF3、YbCl、YbCl2、YbCl3、SmCl3、YbBr、YbBr2、YbBr3、SmBr3、YbI、YbI2、YbI3和SmI3。
准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl5等)。
金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li2Te、Na2Te、K2Te、Rb2Te、Cs2Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe2、ZrTe2、HfTe2、V2Te3、Nb2Te3、Ta2Te3、Cr2Te3、Mo2Te3、W2Te3、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu2Te、CuTe、Ag2Te、AgTe、Au2Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。
[夹层150中的发射层152和154]
在发光装置10为全色发光装置的情况下，发射层可根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触或彼此分开以发射白光。在实施方式中，发射层可包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中两种或更多种材料在单层中彼此混合以发射白光。
发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。
基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。
在实施方式中，发射层可包括量子点。
发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。
发射层的厚度可在约至约/>(例如，约/>至约/>)的范围内。在发射层的厚度在这些范围内的情况下，可在驱动电压没有明显增加的情况下获得卓越的光发射特性。
[主体]
在实施方式中，主体可包括由下面的式301表示的化合物：
[式301]
[Ar301]xb11-[(L301)xb1-R301]xb21。
在式301中，
Ar301和L301可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
xb11可为1、2或3，
xb1可为选自0至5的整数，
R301可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60烯基、未取代的或被至少一个R10a取代的C2-C60炔基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、-Si(Q301)(Q302)(Q303)、-N(Q301)(Q302)、-B(Q301)(Q302)、-C(＝O)(Q301)、-S(＝O)2(Q301)或-P(＝O)(Q301)(Q302)，
xb21可为选自1至5的整数，并且
Q301至Q303可各自与本文关于Q11描述的相同。
例如，在式301中的xb11为2或更大的情况下，两个或更多个Ar301可经由单键彼此连接。
在实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：
[式301-1]
[式301-2]
在式301-1和式301-2中，
环A301至环A304可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
X301可为O、S、N-[(L304)xb4-R304]、C(R304)(R305)或Si(R304)(R305)，
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
L301、xb1和R301可各自与本文描述的相同，
L302至L304可各自独立地与本文关于L301描述的相同，
xb2至xb4可各自独立地与本文关于xb1描述的相同，并且
R302至R305和R311至R314可各自与本文关于R301描述的相同。
在实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任意组合。例如，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其任意组合。
在实施方式中，主体可包括化合物H1至H124中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(2-萘基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCP)或其任意组合：
/>
/>
/>
/>
/>
/>
[磷光掺杂剂]
在实施方式中，磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。
磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。
磷光掺杂剂可为电中性的。
例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：
[式401]
M(L401)xc1(L402)xc2，
其中在式401中，
M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，
L401可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中在xc1为2或更大的情况下，两个或更多个L401可彼此相同或不同，
[式402]
/>
L402可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，并且在xc2为2或更大的情况下，两个或更多个L402可彼此相同或不同，
在式402中，X401和X402可各自独立地为氮或碳，
环A401和环A402可各自独立地为C3-C60碳环基或C1-C60杂环基，
T401可为单键，比如*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q411)-*'、*-C(Q411)(Q412)-*'、*-C(Q411)＝C(Q412)-*'、*-C(Q411)＝*'或*＝C＝*'，
X403和X404可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q413)、B(Q413)、P(Q413)、C(Q413)(Q414)或Si(Q413)(Q414)，
Q411至Q414可各自与本文关于Q11描述的相同，
R401和R402可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C20烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、-Si(Q401)(Q402)(Q403)、-N(Q401)(Q402)、-B(Q401)(Q402)、-C(＝O)(Q401)、-S(＝O)2(Q401)或-P(＝O)(Q401)(Q402)，
Q401至Q403可各自与本文关于Q11描述的相同，
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
式402中的*和*'各自可指示与式401中的M的结合位点。
例如，在式402中，i)X401可为氮，并且X402可为碳，或ii)X401和X402中的每一个可为氮。
在实施方式中，在式401中的xc1为2或更大的情况下，两个或更多个L401中的两个环A401可任选地经由作为连接基团的T402彼此连接，或两个环A402可任选地经由作为连接基团的T403彼此连接(见化合物PD1至PD4和PD7)。T402和T403可各自与本文关于T401描述的相同。
式401中的L402可为有机配体。例如，L402可包括卤素基团、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶羧酸盐基)、-C(＝O)、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任意组合。
磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至PD39中的一种或其任意组合：
/>
/>
[荧光掺杂剂]
荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任意组合。
例如，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：
[式501]
其中在式501中，
Ar501、L501至L503、R501和R502可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且
xd4可为1、2、3、4、5或6。
例如，式501中的Ar501可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基或芘基)。
在实施方式中，式501中的xd4可为2。
在实施方式中，荧光掺杂剂可包括：化合物FD1至FD37中的一种；DPVBi；DPAVBi；或其任意组合：
/>
/>
[延迟荧光材料]
发射层可包括延迟荧光材料。
在说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制发射延迟荧光的化合物。
包括在发射层中的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂，这取决于包括在发射层中的其他材料的类型。
在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可大于或等于约0eV且小于或等于约0.5eV。在延迟荧光材料的三重态能级(eV)和延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上述范围的情况下，延迟荧光材料从三重态至单重态的上转换可有效发生，并且因此，可提高发光装置10的发光效率。
例如，延迟荧光材料可包括i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的C3-C60环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮C1-C60环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼(B)的同时稠合的C8-C60多环基团的材料。
延迟荧光材料的示例可包括下述化合物DF1至DF14中的至少一个：
/>
[量子点]
发射层可包括量子点。
如本文使用的术语“量子点”可为半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。
量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。
量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与它们类似的任何工艺来合成。
湿化学工艺可为包括将前体材料与有机溶剂混合并且然后使量子点颗粒晶体生长的方法。在晶体生长的情况下，有机溶剂可天然充当在量子点晶体的表面上配位的分散剂并且可控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可通过比气相沉积方法(比如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))成本更低并且更容易的工艺来控制。
量子点可包括第II-VI族半导体化合物、第III-V族半导体化合物、第III-VI族半导体化合物、第I-III-VI族半导体化合物、第IV-VI族半导体化合物、第IV族元素或化合物或其任意组合。
第II-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；或其任意组合。
第III-V族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，比如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs或InAlPSb；或其任意组合。第III-V族半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的示例为InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
第III-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2S3、In2Se3或InTe；三元化合物，比如InGaS3或InGaSe3；或其任意组合。
第I-III-VI族半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuGaO2、AgGaO2或AgAlO2；或其任意组合。
第IV-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；或其任意组合。
第IV族元素或化合物可包括：单个元素，比如Si或Ge；二元化合物，比如SiC或SiGe；或其任意组合。
包括在多元素化合物(比如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。
量子点可具有单一结构(其中量子点中每种元素的浓度为均匀的)，或核壳双重结构。例如，包括在核中的材料和包括在壳中的材料可彼此不同。
量子点的壳可充当防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层，和/或充当向量子点提供电泳特性的充电层。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中壳中的元素的浓度朝着核的中心减小。
量子点的壳的示例可包括金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物，和其任意组合。壳的金属、准金属或非金属的氧化物的示例可包括：二元化合物，比如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO；三元化合物，比如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4；和其任意组合。壳的半导体化合物的示例可包括如本文描述的第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；和其任意组合。例如，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可为约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加颜色纯度或颜色再现性。因为通过量子点发射的光可在所有方向上发射，所以可改善宽视角。
量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。
因为能带隙可通过控制量子点的尺寸来调节，所以具有各种波长带的光可从量子点发射层获得。相应地，通过使用不同尺寸的量子点，可实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方式中，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。可控制量子点的尺寸通过组合各种颜色的光来发射白光。
[夹层150中的电子传输区160]
电子传输区160可包括空穴阻挡层。
电子传输区160可具有i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单一材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同材料组成，或iii)包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。
电子传输区160可进一步包括缓冲层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。
在实施方式中，电子传输区可具有空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中对于每种结构，构成层从发射层彼此依次堆叠。
在实施方式中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C1-C60环状基团。
例如，电子传输区可包括由下面的式601表示的化合物：
[式601]
[Ar601]xe11-[(L601)xe1-R601]xe21，
其中在式601中，
Ar601和L601可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基，
xe11可为1、2或3，
xe1可为0、1、2、3、4或5，
R601可为未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基、未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基、-Si(Q601)(Q602)(Q603)、-C(＝O)(Q601)、-S(＝O)2(Q601)或-P(＝O)(Q601)(Q602)，
Q601至Q603可各自与本文关于Q11描述的相同，
xe21可为1、2、3、4或5，
Ar601、L601和R601中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R10a取代的缺π电子的含氮C1-C60环状基团。
例如，在式601中的xe11为2或更大的情况下，两个或更多个Ar601可经由单键彼此连接。
在实施方式中，式601中的Ar601可为未取代的或被至少一个R10a取代的蒽基。
在实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：
[式601-1]
其中在式601-1中，
X614可为N或C(R614)，X615可为N或C(R615)，X616可为N或C(R616)，并且X614至X616中的至少一个可为N，
L611至L613可各自与本文关于L601描述的相同，
xe611至xe613可各自与本文关于xe1描述的相同，
R611至R613可各自与本文关于R601描述的相同，并且
R614至R616可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、未取代的或被至少一个R10a取代的C3-C60碳环基或者未取代的或被至少一个R10a取代的C1-C60杂环基。
例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
电子传输区可包括化合物ET1至ET48中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq3、BAlq、TAZ、NTAZ或其任意组合：
/>
/>
电子传输区的厚度可在约100埃至约/>或约/>至约/>的范围内。在电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任意组合的情况下，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地为约/>至约1000/>例如，约至约/>并且电子传输层的厚度可为约/>至约/>例如，约/>至约在缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内的情况下，可在驱动电压没有明显增加的情况下获得满意的电子传输特性。
除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。
含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
例如，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：
电子传输区可包括利于电子从第二电极190注入的电子注入层。电子注入层可接触(例如，直接接触)第二电极190。
电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单一材料组成，ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同材料组成，或iii)包括包含多种不同材料的多个层的多层结构。
电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合。
电子注入层的碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。电子注入层的碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。电子注入层的稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。
电子注入层的含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物，或其任意组合。
电子注入层的含碱金属化合物可包括：碱金属氧化物，比如Li2O、Cs2O或K2O；碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI；或其任意组合。电子注入层的含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、BaxSr1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)或BaxCa1-xO(其中x为满足0<x<1的条件的实数)等。电子注入层的含稀土金属化合物可包括YbF3、ScF3、Sc2O3、Y2O3、Ce2O3、GdF3、TbF3、YbI3、ScI3、TbI3或其任意组合。在实施方式中，电子注入层的含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La2Te3、Ce2Te3、Pr2Te3、Nd2Te3、Pm2Te3、Sm2Te3、Eu2Te3、Gd2Te3、Tb2Te3、Dy2Te3、Ho2Te3、Er2Te3、Tm2Te3、Yb2Te3和Lu2Te3。
电子注入层的碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。
电子注入层可由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合组成。在实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
在实施方式中，电子注入层可由下述组成：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；或ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。例如，电子注入层可为KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层或LiF:Yb共沉积层等。
在电子注入层进一步包括有机材料的情况下，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任意组合可均匀地或非均匀地分散于包括有机材料的基质中。
电子注入层的厚度可在约至约/>(例如，约/>至约/>)的范围内。在电子注入层的厚度在上述范围内的情况下，可在驱动电压没有明显增加的情况下获得满意的电子注入特性。
[第二电极190]
第二电极190可位于具有此类结构的夹层150上。第二电极190可为作为电子注入电极的阴极，并且作为用于第二电极190的材料，可使用各自具有低功函的金属、合金、导电性化合物或其任意组合。
第二电极190可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。第二电极190可为透射电极、半透射电极或反射电极。
第二电极190可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
[封盖层]
第一封盖层可布置在第一电极110的外侧，和/或第二封盖层可布置在第二电极190的外侧。详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层150和第二电极190以该叙述的顺序彼此依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层150、第二电极190和第二封盖层以该叙述的顺序彼此依次堆叠的结构，或其中第一封盖层、第一电极110、夹层150、第二电极190和第二封盖层以该叙述的顺序彼此依次堆叠的结构。
发光装置10的夹层150的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第一电极110和第一封盖层向外发送。发光装置10的夹层150的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第二电极190和第二封盖层向外发送。
根据相长干涉的原理，第一封盖层和第二封盖层可增加外部发射效率。相应地，可增加发光装置10的发光效率，使得可改善发光装置10的发光效率。
第一封盖层和第二封盖层可各自包括折射率为约1.6或更大(在589nm)的材料。
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层，包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。
第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任意组合。任选地，碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基取代。在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。
例如，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。
在实施方式中，第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括化合物HT28至HT33中的一种、化合物CP1至CP6中的一种、β-NPB或其任意组合：
[电子设备]
发光装置可包括在各种电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备或认证设备等。
除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括，i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可位于在从发光装置发射的光的至少一个传播方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。关于发光装置的细节，可参考上面提供的相关描述。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如本文描述的量子点。
电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素，滤色器可包括分别对应于多个子像素的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素的多个颜色转换区域。
像素限定层可位于多个子像素之间以限定多个子像素中的每一个。
滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。
滤色器区域(或颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，滤色器区域(或颜色转换区域)可包括量子点。尤其，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。关于量子点的细节，可参考本文提供的相关描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体。
例如，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三-第一颜色光。就此而言，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有不同的最大发射波长。尤其，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。
除了如上述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任意一个可电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任意一个。
薄膜晶体管可进一步包括栅电极或栅绝缘膜等。
有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体或氧化物半导体等。
电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部分可允许来自发光装置的光被发送至外侧，并且同时防止环境空气和水分渗透到发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。在密封部分为薄膜封装层的情况下，电子设备可为柔性的。
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可另外位于密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层、偏振层和认证设备等。触摸屏层可为压敏式触摸屏层、电容式触摸屏层或红外式触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物测定信息来认证个体的生物测定认证设备。
除了如上述的发光装置，认证设备可进一步包括生物测定信息收集器。
电子设备可应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学仪器(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和船只的仪表)和投影仪等。
[图2的描述]
图2为根据实施方式的发光装置20的示意性横截面图。发光装置20为在m为4的情况下的发光装置的示例，但是本公开的实施方式不限于此。
如在图2中所阐释的，发光装置20可包括第一电极110、面向第一电极110的第二电极190和夹层150。夹层150可包括四个发射部件150-1、150-2、150-3和150-4以及彼此堆叠在第一电极110和第二电极190之间三个电荷生成层170-1、170-2和170-3。
发光装置20可包括最接近第一电极110的第一发射部件150-1、最接近第二电极190的第四发射部件150-4、位于第一发射部件150-1和第四发射部件150-4之间的第二发射部件150-2以及位于第二发射部件150-2和第四发射部件150-4之间的第三发射部件150-3。
例如，第一发射部件至第三发射部件150-1、150-2、150-3可各自发射蓝光，并且第四发射部件150-4可发射绿光。
发光装置20可包括：位于第一发射部件150-1和第二发射部件150-2之间的第一电荷生成层170-1，位于第二发射部件150-2和第三发射部件150-3之间的第二电荷生成层170-2，以及位于第三发射部件150-3和第四发射部件150-4之间的第三电荷生成层170-3。
第一发射部件150-1可包括彼此依次堆叠的第一空穴传输区140-1、第一第一发射层152-1、第一第二发射层154-1和第一电子传输区160-1。
第二发射部件150-2可包括彼此依次堆叠的第二空穴传输区140-2、第二第一发射层152-2、第二第二发射层154-2和第二电子传输区160-2。
第三发射部件150-3可包括彼此依次堆叠的第三空穴传输区140-3、第三第一发射层152-3、第三第二发射层154-3和第三电子传输区160-3。
第四发射部件150-4可包括彼此依次堆叠的第四空穴传输区140-4、第四第一发射层152-4、第四第二发射层154-4和第四电子传输区160-4。
图2显示了第一发射部件150-1、第二发射部件150-2、第三发射部件150-3和第四发射部件150-4，它们分别包括第一至第四空穴传输区140-1、140-2、140-3和140-4，分别包括第一第一发射层至第四第一发射层152-1、152-2、152-3和152-4，分别包括第一第二发射层至第四第二发射层154-1、154-2、154-3和154-4，并且分别包括第一电子传输区至第四电子传输区160-1、160-2、160-3和160-4，但是本公开的实施方式不限于此。
第一电荷生成层170-1可包括第一n型电荷生成层171-1和第一p型电荷生成层172-1。第一n型电荷生成层171-1可直接接触第一p型电荷生成层172-1。
第二电荷生成层170-2可包括第二n型电荷生成层171-2和第二p型电荷生成层172-2。第二n型电荷生成层171-2可直接接触第二p型电荷生成层172-2。
第三电荷生成层170-3可包括第三n型电荷生成层171-3和第三p型电荷生成层172-3。第三n型电荷生成层171-3可直接接触第三p型电荷生成层172-3。
第一电荷生成层170-1至第三电荷生成层170-3可各自彼此相同或不同。
[图3的描述]
图3显示根据实施方式的发光装置30的示意性横截面图。发光装置30为在m为2的情况下的发光装置的示例，但是本公开的实施方式不限于此。因为图3中的一些组件与图2中所阐释的组件相同或相似，所以将省略这些组件的细节。
如在图3中所阐释的，发光装置30可包括：位于第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3上的多个第一电极110；面向多个第一电极110的第二电极190；和夹层150。夹层150可包括在多个第一电极110和第二电极190之间彼此堆叠的两个发射部件150-1和150-2和一个电荷生成层170-1。
第一发射部件150-1可包括彼此依次堆叠的第一空穴传输区140-1、第一第一发射层152-1、第一第二发射层154-1和第一电子传输区160-1。
第一第一发射层152-1可包括：位于第一子像素SP1上且发射第一第一a颜色光的第一第一a发射层152a-1，位于第二子像素SP2上且发射第一第一b颜色光的第一第一b发射层152b-1，和位于第三子像素SP3上且发射第一第一c颜色光的第一第一c发射层152c-1。在实施方式中，第一第一a颜色光可为红光，第一第一b颜色光可为绿光，并且第一第一c颜色光可为蓝光。
第一第二发射层154-1可包括：位于第一子像素SP1上且发射第一第二a颜色光的第一第二a发射层154a-1，位于第二子像素SP2上且发射第一第二b颜色光的第一第二b发射层154b-1，以及位于第三子像素SP3上且发射第一第二c颜色光的第一第二c发射层154c-1。在实施方式中，第一第二a颜色光可为红光，第一第二b颜色光可为绿光，并且第一第二c颜色光可为蓝光。
第二发射部件150-2可包括彼此依次堆叠的第二空穴传输区140-2、第二第一发射层152-2、第二第二发射层154-2和第二电子传输区160-2。
第二第一发射层152-2可包括：位于第一子像素SP1上且发射第二第一a颜色光的第二第一a发射层152a-2，位于第二子像素SP2上且发射第二第一b颜色光的第二第一b发射层152b-2，和位于第三子像素SP3上且发射第二第一c颜色光的第二第一c发射层152c-2。在实施方式中，第二第一a颜色光可为红光，第二第一b颜色光可为绿光，并且第二第一c颜色光可为蓝光。
第二第二发射层154-2可包括位于第一子像素SP1上且发射第二第二a颜色光的第二第二a发射层154a-2，位于第二子像素SP2上且发射第二第二b颜色光的第二第二b发射层154b-2，和位于第三子像素SP3上且发射第二第二c颜色光的第二第二c发射层154c-2。在实施方式中，第二第二a颜色光可为红光，第二第二b颜色光可为绿光，并且第二第二c颜色光可为蓝光。
[图4和图5的描述]
图4为显示根据实施方式的电子设备的示意性横截面图。
图4的电子设备可包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。
基板100可为柔性基板、玻璃基板或金属基板。缓冲层210可位于基板100上。缓冲层210可防止杂质渗透通过基板100，并且可在基板100上提供平坦的表面。
TFT可位于缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。
有源层220可包括无机半导体(比如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。
用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可位于有源层220上，并且栅电极240可位于栅绝缘膜230上。
夹层绝缘膜250可位于栅电极240上。夹层绝缘膜250可位于栅电极240和源电极260之间以及栅电极240和漏电极270之间，以使彼此绝缘。
源电极260和漏电极270可位于夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可定位成接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。
TFT可电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可被钝化层280覆盖。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任意组合。发光装置可提供在钝化层280上。发光装置可包括第一电极110、夹层150和第二电极190。
第一电极110可位于钝化层280上。钝化层280可定位成暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可定位成电连接至漏电极270的暴露部分。
包括绝缘材料的像素限定层290可位于第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的特定区，并且夹层150可形成于第一电极110的暴露区中。像素限定层290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管未在图4中显示，但是夹层150的至少一些层可延伸超过像素限定层290的上部，并且可因此以公共层的形式定位。
第二电极190可位于夹层150上，并且封盖层195可另外形成在第二电极190上。封盖层195可形成为覆盖第二电极190。
封装部分300可位于封盖层195上。封装部分300可位于发光装置上以保护发光装置免受水分或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，其包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，其包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其任意组合；或无机膜和有机膜的任意组合。
图5为根据另一实施方式的电子设备的示意性横截面图。
图5的电子设备与图4的电子设备的不同之处至少在于，至少遮光图案500和功能区400另外位于封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，包括在图5的电子设备中的发光装置可为串联发光装置。
[制造方法]
包括在空穴传输区中的各层、发射层(包括第一和第二发射层)和包括在电子传输区中的各层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇注、朗缪尔-布罗基特(LB)方法、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像(LITI)的一种或多种适当的方法形成于特定区中。
在包括在空穴传输区中的各层、发射层(包括第一和第二发射层)和包括在电子传输区中的各层通过真空沉积形成的情况下，沉积可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8托至约10-3托的真空度和约/秒至约/>/秒的沉积速度下进行，这取决于待包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构。
[术语的定义]
如本文所使用的术语“C3-C60碳环基”可为仅由碳原子作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，且如本文所使用的术语“C1-C60杂环基”可为具有1至60个碳原子且除了碳原子进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。C3-C60碳环基和C1-C60杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或者其中两个或更多个环彼此稠合的多环基团。例如，C1-C60杂环基可具有3至61个成环原子。
如本文使用的术语“环状基团”可包括C3-C60碳环基和C1-C60杂环基。
如本文使用的术语“富π电子的C3-C60环状基团”可为具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮C1-C60环状基团”可为具有1至60个碳原子并且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基。
例如，
C3-C60碳环基可为i)T1基团，或ii)其中两个或更多个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，
C1-C60杂环基可为i)T2基团，ii)其中至少两个T2基团彼此稠合的稠环基团，或iii)其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基或氮杂二苯并呋喃基等)，
富π电子的C3-C60环状基团可为i)T1基团，ii)其中至少两个T1基团彼此稠合的稠环基团，iii)T3基团，iv)其中至少两个T3基团彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团(例如，C3-C60碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基或苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，
缺π电子的含氮C1-C60环状基团可为i)T4基团，ii)其中至少两个T4基团彼此稠合的稠环基团，iii)其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合的稠环基团，iv)其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团，或v)其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和氮杂二苯并呋喃基等)，
T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或二环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，
T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，
T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且
T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。
如本文使用的术语“环状基团”、“C3-C60碳环基”、“C1-C60杂环基”、“富π电子的C3-C60环状基团”或“缺π电子的含氮C1-C60环状基团”指与环状基团稠合(例如，与环状基团结合在一起)的单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团或四价基团等)。例如，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，其可根据包括“苯基”的式的结构容易被本领域普通技术人员理解。
单价C3-C60碳环基和单价C1-C60杂环基的示例可包括C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团。二价C3-C60碳环基和二价C1-C60杂环基的示例可包括C3-C10亚环烷基、C1-C10亚杂环烷基、C3-C10亚环烯基、C1-C10亚杂环烯基、C6-C60亚芳基、C1-C60亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。
如本文所使用的术语“C1-C60烷基”可为具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，且其具体示例可包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文所使用的术语“C1-C60亚烷基”可为具有与C1-C60烷基基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60烯基”可为在C2-C60烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例可包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“C2-C60亚烯基”可为具有与C2-C60烯基基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C2-C60炔基”可为在C2-C60烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例可包括乙炔基和丙炔基等。如本文使用的术语“C2-C60亚炔基”可为具有与C2-C60炔基基本上相同的结构的二价基团。
如本文所使用的术语“C1-C60烷氧基”可为由-OA101表示的单价基团(其中A101为C1-C60烷基)，且其示例可包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
如本文所使用的术语“C3-C10环烷基”可为具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，且其示例可包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如本文所使用的术语“C3-C10亚环烷基”可为具有与C3-C10环烷基基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烷基”可为除碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的1至10个碳原子的单价环状基团，并且具体示例可包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烷基”可为具有与C1-C10杂环烷基基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C3-C10环烯基”可为在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环状基团，且其具体示例可包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文所使用的术语“C3-C10亚环烯基”可为具有与C3-C10环烯基基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C1-C10杂环烯基”可为除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子且在其环状结构中具有至少一个双键的1至10个碳原子的单价环状基团。C1-C10杂环烯基的示例可包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“C1-C10亚杂环烯基”可为具有与C1-C10杂环烯基基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳基”可为具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如本文使用的术语“C6-C60亚芳基”可为具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C6-C60芳基的示例可包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。在C6-C60芳基和C6-C60亚芳基各自包括两个或更多个环的情况下，各环可彼此稠合。
如本文使用的术语“C1-C60杂芳基”可为具有1至60个碳原子的杂环芳族系统的单价基团，除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子。如本文使用的术语“C1-C60亚杂芳基”可为具有1至60个碳原子的杂环芳族系统的二价基团，除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子。C1-C60杂芳基的示例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。在C1-C60杂芳基和C1-C60亚杂芳基各自包括两个或更多个环的情况下，各环可彼此稠合。
如本文所使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”可为具有两个或更多个彼此稠合的环，仅具有碳原子作为成环原子，且在其整个分子结构中无芳香性的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的示例可包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文所使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”可为具有与上述的单价非芳族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”可为具有两个或更多个彼此稠合的环的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)，除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中不具有芳香性。单价非芳族稠合杂多环基团的示例可包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”可为具有与上述的单价非芳族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。
如本文使用的术语“C6-C60芳氧基”可指示-OA102(其中A102为C6-C60芳基)，并且如本文使用的术语“C6-C60芳硫基”可指示-SA103(其中A103为C6-C60芳基)。
如本文使用的术语“C7-C60芳基烷基”可为-A104A105(其中A104可为C1-C54亚烷基，并且A105可为C6-C59芳基)，并且如本文使用的术语“C2-C60杂芳基烷基”可为-A106A107(其中A106可为C1-C59亚烷基，并且A107可为C1-C59杂芳基)。
如本文使用的术语“R10a”可为：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基，
各自未取代的或被下述取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基或C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)、-P(＝O)(Q11)(Q12)或其任意组合，
各自未取代的或被下述取代的C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基或C2-C60杂芳基烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C60碳环基、C1-C60杂环基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C7-C60芳基烷基、C2-C60杂芳基烷基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)、-P(＝O)(Q21)(Q22)或其任意组合；或
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)或-P(＝O)(Q31)(Q32)，
如本文使用的Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C1-C60烷基；C2-C60烯基；C2-C60炔基；C1-C60烷氧基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C1-C60烷基、C1-C60烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代的C3-C60碳环基或C1-C60杂环基；C7-C60芳基烷基；或C2-C60杂芳基烷基。
如本文使用的术语“杂原子”可为除碳原子以外的任何原子。杂原子的示例可包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se和其任意组合。
如本文使用的术语“第三行过渡金属”可指示铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和金(Au)等。
如本文使用的术语“Ph”可为苯基，如本文使用的术语“Me”可为甲基，如本文使用的术语“Et”可为乙基，如本文使用的术语“tert-Bu”或“But”可为叔丁基，并且如本文使用的术语“OMe”可为甲氧基。
如本文使用的术语“联苯基”可为“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”可为具有C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
如本文使用的术语“三联苯基”可为“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”可为具有被C6-C60芳基取代的C6-C60芳基作为取代基的取代的苯基。
除非另外定义，否则如本文使用的*和*'各自可为与相应的式或部分中的相邻原子的结合位点。
下文将参考实施例详细地描述根据实施方式的发光装置。描述实施例中使用的措辞“使用B代替A”可意指使用相同摩尔当量的B代替A。
[实施例]
实施例1-1
作为阳极，将由康宁公司制造的其上具有15Ω/cm2 ITO的玻璃基板切成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，并且将玻璃基板通过使用异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且然后向其照射紫外光30分钟且向其暴露臭氧用于清洁。将所得的玻璃基板装载到真空沉积设备上。
将P1沉积在ITO阳极上以形成厚度为10nm的第一空穴注入层，并且沉积HT3以形成厚度为10nm的第一空穴传输层。随后，将TCTA沉积于其上以形成厚度为5nm的第一电子阻挡层。将化合物1-1(第一主体)：DF13(第一掺杂剂)以98：2的重量比共沉积在第一电子阻挡层上，以形成厚度为10nm的第一第一发射层，并且将化合物2-1(第二主体)：DF13(第二掺杂剂)以98：2的重量比共沉积于其上，以形成厚度为10nm的第一第二发射层。将ET46沉积在第一第二发射层上以形成厚度为5nm的第一空穴阻挡层，从而形成第一发射部件。
将BCP和Li(其中Li的量为1wt％)共沉积在第一发射部件上以形成厚度为5nm的n型电荷生成层，并且将HAT-CN沉积于其上以形成厚度为5nm的p型电荷生成层，从而形成第一电荷生成层。
将HT3沉积在第一电荷生成层上以形成厚度为10nm的第二空穴传输层。随后，将第二电子阻挡层、第二第一发射层、第二第二发射层和第二空穴阻挡层以与用于形成第一电子阻挡层、第一第一发射层、第一第二发射层和第一空穴阻挡层相同的方式形成，从而形成第二发射部件。
第二电荷生成层以与用于形成第一电荷生成层相同的方式形成在第二发射部件上。
第三发射部件以与用于形成第二发射部件相同的方式形成在第二电荷生成层上。
第三电荷生成层以与用于形成第一电荷生成层相同的方式形成在第三发射部件上。
将HT3沉积在第三电荷生成层上以形成厚度为10nm的第四空穴传输层，将化合物1-1(主体):Ir(ppy)3(掺杂剂)以98：2的重量比共沉积于其上，以形成厚度为10nm的第四发射层。将Yb沉积在第四发射层上以形成厚度为1nm的第四电子注入层，从而形成第四发射部件。
将Ag和Mg以9：1的重量比共沉积在第四发射部件上，以形成厚度为100nm的阴极，从而完成发光装置的制造。
实施例1-2
以与实施例1-1基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成第一空穴阻挡层时使用ET47代替实施例1-1的第一发射部件的ET46。
比较例1-1
以与实施例1-1基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成第一电子阻挡层时使用HT47代替实施例1-1的第一发射部件的TCTA。
评估例1
1)折射率的测量
使用Elipsometer(由J.A.Woollam Co.制造，RC2)测量实施例1-1和1-2以及比较例1-1中使用的化合物在450nm的波长下的折射率，并且结果显示在表1中。
2)发光效率的测量
为了评估根据实施例1-1和1-2以及比较例1-1制造的发光装置的特性，使用源表(由Keithley Instrument制造，2400系列)和亮度计PR650测量其在10mA/cm2的电流密度下的发光效率，并且结果显示在表1中。表1中的发光效率显示为基于与比较例1-1的发光效率相比的百分比。
在表1中的电子阻挡层、第一发射层、第二发射层和空穴阻挡层分别与第一发射部件至第三发射部件的第一电子阻挡层至第三电子阻挡层、第一第一发射层至第三第一发射层、第一第二发射层至第三第二发射层和第一空穴阻挡层至第三空穴阻挡层相同。第一发射部件至第三发射部件发射蓝色荧光，并且第四发射部件发射绿色磷光。
[表1]
由表1证实，与比较例1-1的发光装置相比，实施例1-1和1-2的发光装置具有卓越的发光效率特性。
实施例2-1
作为阳极，将由康宁公司制造的其上具有15Ω/cm2 ITO的玻璃基板切成50mm×50mm×0.5mm的尺寸，并且将玻璃基板通过使用异丙醇和纯水各自超声15分钟，并且然后向其照射紫外光30分钟且向其暴露臭氧用于清洁。将所得的玻璃基板装载到真空沉积设备上。
将P1真空沉积在ITO阳极上以形成厚度为10nm的空穴注入层，并且将HT3真空沉积在空穴注入层上以形成厚度为100nm的空穴传输层。将TCTA真空沉积在空穴传输层上以形成厚度为5nm的电子阻挡层。
将化合物1-1(第一主体)：DF13(第一掺杂剂)以98：2的重量比共沉积在电子阻挡层上以形成厚度为10nm的第一发射层。将化合物1-1(第二主体)：DF13(第二掺杂剂)以98：2的重量比共沉积在第一发射层上以形成厚度为10nm的第二发射层。
随后，将ET46沉积在第二发射层上以形成厚度为5nm的空穴阻挡层，将ET37沉积在空穴阻挡层上以形成厚度为10nm的电子传输层，并且将Yb沉积在电子传输层上以形成厚度为1nm的电子注入层。
将Ag：Mg以97：3的重量比共沉积在电子注入层上，以形成厚度为10nm的阴极，从而完成发光装置的制造。
比较例2-1至2-3
以与实施例2-1基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成比较例2-1至2-3的电子阻挡层、第一发射层的主体、第二发射层的主体和空穴阻挡层时使用表2中的化合物。
评估例2
1)折射率的测量
使用Elipsometer(由J.A.Woollam Co.制造，RC2)测量实施例2-1和比较例2-1至2-3中使用的化合物在450nm的波长下的折射率，并且结果显示在表2中。
2)发光效率的测量
为了评估根据实施例2-1和比较例2-1至2-3制造的发光装置的特性，使用源表(由Keithley Instrument制造，2400系列)和亮度计PR650测量其在10mA/cm2的电流密度下的发光效率，并且结果显示在表2中。表2中的发光效率显示为基于与比较例2-1的发光效率相比的百分比。
[表2]
由表2证实，与比较例2-1至2-3的发光装置相比，实施例2-1的发光装置具有卓越的发光效率特性。
实施例3-1至3-3和比较例3-1至3-4
在通过模拟获得满足表3的折射率的化合物后，根据评估例3对与实施例2-1基本上相同的实施例3-1至3-3的发光装置(不同之处在于实施例3-1至3-3包括分别作为电子阻挡层、第一发射层、第二发射层和空穴阻挡层的模拟化合物)进行模拟评估。
评估例3
使用FDTD(由Lumerical制造)和LightTools(由Synopsys制造)进行化合物的折射率和实施例3-1至3-3和比较例3-1至3-4的发光装置的发光效率进行模拟评估。表3中的发光效率显示为基于与比较例2-1的发光效率相比的百分比。
[表3]
由表3证实，与比较例2-1和3-1至3-4的发光装置相比，实施例3-1至3-3的发光装置具有卓越的发光效率特性。
相应地，由于光提取效率的增加，发光装置可具有卓越的发光效率，并且因此可用于制造高质量电子设备。
本文已经公开了实施方式，并且尽管使用了术语，但是它们仅在一般和描述性的意义上使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员会明白的，结合实施方式描述的特征、特点和/或元件可以单独使用或者与结合其他实施方式描述的特征、特点和/或元件结合使用，除非以其他方式具体地指示。因此，本领域普通技术人员将会理解，在不脱离权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；和
在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，其中
所述夹层包括：
包括电子阻挡层的空穴传输区；
在所述电子阻挡层和所述第二电极之间的第一发射层；
在所述第一发射层和所述第二电极之间的第二发射层；和
在所述第二发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述电子传输区包括空穴阻挡层，
所述第一发射层的折射率大于所述电子阻挡层的折射率，
所述第二发射层的折射率等于或大于所述空穴阻挡层的折射率，并且
在450nm的波长下测量的所述电子阻挡层的所述折射率和所述空穴阻挡层的所述折射率各自独立地为1.70或更大。
2.如权利要求1所述的发光装置，其中，
所述电子阻挡层直接接触所述第一发射层；
所述第一发射层直接接触所述第二发射层；
所述第二发射层直接接触所述空穴阻挡层；或
其任意组合。
3.如权利要求1所述的发光装置，其中在450nm的波长下测量的所述电子阻挡层的所述折射率和所述空穴阻挡层的所述折射率各自独立地在1.70至1.90的范围内。
4.如权利要求1所述的发光装置，其中在450nm的波长下测量的所述第一发射层的所述折射率和所述第二发射层的所述折射率各自独立地在1.70至2.30的范围内。
5.如权利要求1所述的发光装置，其中在450nm的波长下测量的所述第一发射层的所述折射率在1.85至2.30的范围内。
6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二发射层的所述折射率等于或大于所述第一发射层的所述折射率。
7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发射层和所述第二发射层各自独立地发射最大发射波长在450nm至490nm的范围内的蓝光。
8.如权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一发射层包括第一主体和第一掺杂剂，
所述第二发射层包括第二主体和第二掺杂剂，并且
所述第一主体和所述第二主体彼此不同。
9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述电子阻挡层包括含芳胺化合物。
10.如权利要求1所述的发光装置，其中，
所述第一发射层包括第一主体和第一掺杂剂，并且所述第一主体包括含芘化合物；
所述第二发射层包括第二主体和第二掺杂剂，并且所述第二主体包括含蒽化合物；或
其任意组合。
11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴阻挡层包括含三嗪化合物。
12.一种发光装置，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；
位于所述第一电极和所述第二电极之间的m个发射部件；和
m-1个电荷生成层，所述电荷生成层位于所述m个发射部件中的两个相邻发射部件之间，其中，
m为2或更大的整数，
所述m个发射部件中的每一个包括发射层，
所述m-1个电荷生成层中的每一个包括n型电荷生成层和p型电荷生成层，
所述m个发射部件中的至少一个包括：
包括电子阻挡层的空穴传输区；
在所述电子阻挡层和所述第二电极之间的发射层；以及
在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述电子传输区包括空穴阻挡层，
在所述电子阻挡层和所述第二电极之间的所述发射层包括：
在所述电子阻挡层和所述第二电极之间的第一发射层；和
在所述第一发射层和所述第二电极之间的第二发射层，
所述第一发射层的折射率大于所述电子阻挡层的折射率，
所述第二发射层的折射率等于或大于所述空穴阻挡层的折射率，并且
在450nm的波长下测量的所述电子阻挡层的所述折射率和所述空穴阻挡层的所述折射率各自独立地为1.70或更大。
13.如权利要求12所述的发光装置，其中从所述m个发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长不同于从其余发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长。
14.如权利要求12所述的发光装置，其中所述m个发射部件中的至少一个发射最大发射波长在410nm至490nm的范围内的蓝光。
15.如权利要求12所述的发光装置，其中所述m个发射部件中的至少一个发射最大发射波长在490nm至580nm的范围内的绿光。
16.如权利要求12所述的发光装置，其中所述m个发射部件中的至少一个包括量子点。
17.一种发光装置，包括：
位于第一子像素、第二子像素和第三子像素上的多个第一电极；
面向所述多个第一电极的第二电极；
位于所述多个第一电极和所述第二电极之间的m个发射部件；和
m-1个电荷生成层，所述电荷生成层位于所述m个发射部件中的两个相邻发射部件之间，其中，
m为2或更大的整数，
所述m个发射部件中的每一个包括发射层，
所述m-1个电荷生成层中的每一个包括n型电荷生成层和p型电荷生成层，
所述m个发射部件中的至少一个包括：
包括电子阻挡层的空穴传输区；
在所述电子阻挡层和所述第二电极之间的发射层；和
在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，所述电子传输区包括空穴阻挡层，
在所述电子阻挡层和所述第二电极之间的所述发射层包括：
在所述电子阻挡层和所述第二电极之间的第一发射层；和
在所述第一发射层和所述第二电极之间的第二发射层，
所述第一发射层的折射率大于所述电子阻挡层的折射率，
所述第二发射层的折射率等于或大于所述空穴阻挡层的折射率，并且
在450nm的波长下测量的所述电子阻挡层的所述折射率和所述空穴阻挡层的所述折射率各自独立地为1.70或更大。
18.如权利要求17所述的发光装置，其中，
所述第一发射层包括：
位于所述第一子像素上且发射第一颜色光的第一a发射层；
位于所述第二子像素上且发射第二颜色光的第一b发射层；和
位于所述第三子像素上且发射第三颜色光的第一c发射层，
所述第二发射层包括：
位于所述第一子像素上且发射第一颜色光的第二a发射层；
位于所述第二子像素上且发射第二颜色光的第二b发射层；和
位于所述第三子像素上且发射第三颜色光的第二c发射层，
所述第一颜色光为红光，
所述第二颜色光为绿光，并且
所述第三颜色光为蓝光。
19.一种电子设备，包括如权利要求1-18中任一项所述的发光装置。
20.一种电子设备，包括：
设置在基板上的如权利要求1-18中任一项所述的发光装置；和
位于其中从所述发光装置发射的光传播的至少一个方向上的颜色转换层，其中，所述颜色转换层包括量子点。
CN202310012919.1A 2022-01-18 2023-01-05 发光装置及包括该发光装置的电子设备 Pending CN116469986A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0007353 2022-01-18
KR1020220007353A KR20230111704A (ko) 2022-01-18 2022-01-18 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116469986A true CN116469986A (zh) 2023-07-21

Family

ID=87177598

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310012919.1A Pending CN116469986A (zh) 2022-01-18 2023-01-05 发光装置及包括该发光装置的电子设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230301134A1 (zh)
KR (1) KR20230111704A (zh)
CN (1) CN116469986A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
US20230301134A1 (en) 2023-09-21
KR20230111704A (ko) 2023-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115207257A (zh) 发光装置和包括发光装置的电子设备
CN114068830A (zh) 发光装置
CN116171058A (zh) 发光装置和包括其的电子设备
CN114725292A (zh) 发光装置和包括其的电子设备
CN114824144A (zh) 发光二极管和包括发光二极管的电子装置
CN113851590A (zh) 发光装置及包括所述发光装置的电子设备
CN220755379U (zh) 发光装置以及包括发光装置的显示设备和电子设备
CN116469986A (zh) 发光装置及包括该发光装置的电子设备
CN116209294A (zh) 发光装置和包括其的电子设备
CN116723720A (zh) 发光器件、制造发光器件的方法和电子设备
CN116322130A (zh) 发光装置和包括其的电子设备
CN114725302A (zh) 发光装置和包括其的电子设备
CN115835675A (zh) 发光装置和包括其的电子设备
CN115207235A (zh) 发光装置及包括其的电子设备
CN116456737A (zh) 发光装置及包括发光装置的电子设备
CN114765248A (zh) 发光装置和包括其的电子设备
CN116347910A (zh) 发光装置和包括发光装置的电子设备
CN116096122A (zh) 发光装置和包括其的电子设备
CN116648085A (zh) 发光装置及包括发光装置的电子设备
CN116419588A (zh) 发光装置及包括发光装置的电子设备和消费品
CN116419589A (zh) 发光装置及包括发光装置的电子设备和消费品
CN116156960A (zh) 发光装置及包括发光装置的电子设备
CN116133450A (zh) 发光装置和包括其的电子设备
CN116896916A (zh) 发光装置及包括发光装置的电子设备
CN116419590A (zh) 发光装置及包括发光装置的电子设备和消费品

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication