CN116723720A - 发光器件、制造发光器件的方法和电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开提供了发光器件、制造发光器件的方法和包括发光器件的电子设备，发光器件包括：衬底；在衬底上的阴极；面对阴极的阳极；以及在阴极和阳极之间的包括发射层的中间层，其中，发光器件可包括热酸产生剂。

Description

发光器件、制造发光器件的方法和电子设备

相关申请的交叉引用

本申请基于并且要求于2022年3月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2022-0028961的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。

技术领域

一个或多个实施方案涉及发光器件和包括发光器件的电子设备。

背景技术

与相关技术的器件相比，发光器件(例如，有机发光器件)为自发射器件，自发光器件具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性。

在有机发光器件中，发射层可在阳极和阴极之间，其中，空穴从阳极注入发射层，并且电子从阴极注入发射层。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以生成激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。

在另一实例中，量子点可用作在光学构件和各种电子设备中执行各种光学功能(例如，光转换功能、光发射功能和类似功能)的材料。通过控制纳米晶体的尺寸和成分，为具有量子限制效应的半导体纳米晶体的量子点可具有不同的能带隙，并且因此可发射各种发射波长的光。

发明内容

一个或多个实施方案包括具有低驱动电压和优异发光效率的发光器件、制造发光器件的方法和包括发光器件的电子设备。

附加的方面部分地将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过实践本公开的呈现的实施方案而知晓。

根据一个或多个实施方案，发光器件可包括：

衬底；

布置在衬底上的阴极；

面对阴极的阳极；

在阴极和阳极之间的包括发射层的中间层；以及

热酸产生剂。

根据一个或多个实施方案，制造发光器件的方法可包括：

在衬底上形成阴极；

在阴极上形成包括热酸产生剂的电子传输区；

在电子传输区上形成发射层；并且

在发射层上形成阳极。

根据一个或多个实施方案，电子设备可包括发光器件。

附图说明

通过下面的结合附图的描述，本公开的某些实施方案的以上和其他的方面、特征和优势将更显而易见，在附图中：

图1为根据实施方案的发光器件的示意性剖视图；

图2为根据实施方案的发光设备的示意性剖视图；

图3为根据实施方案的发光设备的示意性剖视图；

图4为实施例1和实施例2以及比较例1的发光器件的电压(V)与电流密度(J，mA/cm²)的曲线图。

具体实施方式

现将更详细地参考其实施例在附图中示出的实施方案，在附图中类似的附图标记始终是指类似的元件。在这点上，本公开的实施方案可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中阐述的描述。相应地，以下仅通过参考图来描述实施方案，以解释本描述的各方面。如本文中使用，术语“和/或”包括相关联列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。贯穿本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的所有、或其变体。

由于本发明构思考虑到各种改变和许多实施方案，因此具体实施方案将在附图中示出并且在书面描述中详细地描述。通过参考附图、参考本发明构思的实例实施方案，效果、特征和实现本发明构思的方法将明显。然而，本发明构思可以许多不同形式实施并且不应被解释为限于本文中阐明的实施方案。

将理解的是，尽管可在本文中使用术语第一、第二等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于区分开一个元件和另一元件。

在本说明书中描述的实施方案中，以单数形式使用的表述包括复数形式的表述，除非在上下文中其具有清楚不同的含义。

在下面的实施方案中，当各种组件(诸如层、膜、区或板)被描述为在(另一组件)“上”时，这个表述不仅可包括层、膜、区或板“直接”在(另一组件)“上”的情况，而且可包括另一组件可置于其间的情况。此外，为了解释的便利，附图中的组件的尺寸可被夸大。换言之，由于为了解释的便利而任意示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施方案不限于此。

在本说明书中，将理解的是，诸如“包括(including)”、“具有”和“包括(comprising)”的术语旨在指示说明书中公开的特征或组件的存在，并且不旨在排除一个或多个其他特征或组件可存在或可添加的可能性。例如，除非另有限制，否则诸如“包括”或“具有”的术语可是指仅由说明书中描述的特征或组件组成，或还包括其他组件。

在本说明书中，“第1族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IA族元素，例如Li、Na、K、Rb和Cs。

在本说明书中，“第2族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIA族元素，例如Be、Mg、Ca、Sr和Ba。

在本说明书中，“第3族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIIB族元素，例如Sc、Y、La和Ac。

在本说明书中，“第4族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IVB族元素，例如Ti、Zr和Hf。

在本说明书中，“第5族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VB族元素，例如V、Nb和Ta。

在本说明书中，“第6族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIB族元素，例如Cr、Mo和W。

在本说明书中，“第7族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIIB族元素，例如Mn、Tc和Re。

在本说明书中，“第8至10族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIIIB族元素，例如Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd和Pt。

在本说明书中，“第11族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IB族元素，例如Cu、Ag和Au。

在本说明书中，“第12族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIB族元素，例如Zn、Cd和Hg。

在本说明书中，“第13族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIIA族元素，例如Al、Ga、In和Tl。

在本说明书中，“第14族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IVA族元素，例如Si、Ge、Sn和Pb。

根据一个或多个实施方案，发光器件可包括：

衬底；

布置在衬底上的阴极；

面对阴极的阳极；

在阴极和阳极之间的、包括发射层的中间层；以及

热酸产生剂。

热酸产生剂可通过参考本文中提供的对热酸产生剂的描述来理解。

在一些实施方案中，在发光器件中，中间层还可包括在阴极和发射层之间的电子传输区以及在发射层和阳极之间的空穴传输区，

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合，并且

其中，空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层或它们的组合。

在一个或多个实施方案中，在发光器件中，热酸产生剂可包括在阴极、电子传输区、发射层、空穴传输区、阳极或它们的任何组合中，

发光器件还可包括包含热酸产生剂的热酸产生层，或

它们的任何组合。

例如，在发光器件中，热酸产生剂可包括在电子传输区中，但实施方案不限于此。

例如，发光器件可包括热酸产生层，其中，热酸产生层可：在阴极和电子传输区之间；在电子传输区和发射层之间；在发射层和空穴传输区之间；在空穴传输区和阳极之间；或它们的任何组合。

在一个或多个实施方案中，发光器件中的电子传输区可包括电子传输层，并且电子传输层可包括金属氧化物。金属氧化物可通过参考本文中提供的对金属氧化物的描述来理解。

例如，发光器件中的电子传输层可包括热酸产生剂，

电子传输区还可包括热酸产生层，其中，热酸产生层可与电子传输层直接接触，或

它们的任何组合。

在实施方案中，发光器件中的发射层可包括量子点。量子点可通过参考本文中提供的对量子点的描述来理解。

在一个或多个实施方案中，发光器件可包括定位在阴极或阳极外部的覆盖层。

制造发光器件的方法可包括：在衬底上形成阴极；

在阴极上形成包括热酸产生剂的电子传输区；

在电子传输区上形成发射层；并且

在发射层上形成阳极。

全属氧化物的描述

在一个或多个实施方案中，发光器件中的电子传输区可包括电子传输层，并且电子传输层可包括金属氧化物。

在实施方案中，基于100重量份的电子传输层，电子传输层可包括50重量份的金属氧化物。例如，电子传输层可基本上由金属氧化物组成，并且包括少于1％的杂质，例如有机材料。

在实施方案中，金属氧化物可包括由式1表示的化合物：

式1

M_xO_y

其中，在式1中，

M可为选自属于元素周期表的第1至14族的元素的至少一种金属或类金属，并且

x和y可各自独立地为1至5的整数。

在实施方案中，在式1中，M可包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Si、Mg、Ga或它们的任何组合，但实施方案不限于此。

在实施方案中，金属氧化物可包括由式2表示的化合物：

式2

M1_αM2_βO_y

其中，在式2中，

M1和M2可各自独立地为选自属于元素周期表的第1至14族的元素的至少一种金属或类金属，M1与M2不同，并且

0<α≤2，0<β≤2，并且1<y≤5。

在实施方案中，在式2中，M1可包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、或它们的组合，并且

M2可包括Ti、Sn、Si、Mg、Al、Ga、In、或它们的组合，但实施方案不限于此。

例如，金属氧化物可包括ZnO、TiO₂、WO₃、SnO₂、In₂O₃、Nb₂O₅、Fe₂O₃、CeO₂、SrTiO₃、Zn₂SnO₄、BaSnO₃、ZnSiO、Mg-掺杂ZnO(ZnMgO)、Al-掺杂ZnO(AZO)、Ga-掺杂ZnO(GZO)、In-掺杂ZnO(IZO)、Al-掺杂TiO₂、Ga-掺杂TiO₂、In-掺杂TiO₂、Al-掺杂WO₃、Ga-掺杂WO₃、In-掺杂WO₃、Al-掺杂SnO₂、Ga-掺杂SnO₂、In-掺杂SnO₂、Mg-掺杂In₂O₃、Al-掺杂In₂O₃、Ga-掺杂In₂O₃、Mg-掺杂Nb₂O₅、Al-掺杂Nb₂O₅、Ga-掺杂Nb₂O₅、Mg-掺杂Fe₂O₃、Al-掺杂Fe₂O₃、Ga-掺杂Fe₂O₃、In-掺杂Fe₂O₃、Mg-掺杂CeO₂、Al-掺杂CeO₂、Ga-掺杂CeO₂、In-掺杂CeO₂、Mg-掺杂SrTiO₃、Al-掺杂SrTiO₃、Ga-掺杂SrTiO₃、In-掺杂SrTiO₃、Mg-掺杂Zn₂SnO₄、Al-掺杂Zn₂SnO₄、Ga-掺杂Zn₂SnO₄、In-掺杂Zn₂SnO₄、Mg-掺杂BaSnO₃、Al-掺杂BaSnO₃、Ga-掺杂BaSnO₃、In-掺杂BaSnO₃、Mg-掺杂ZnSiO、Al-掺杂ZnSiO、Ga-掺杂ZnSiO、In-掺杂ZnSiO、或它们的任何组合。

例如，金属氧化物可为含锌氧化物。

热酸产生剂的描述

热酸产生剂可因加热通过热解或热键合而解离质子。例如，热酸产生剂可不可逆地解离质子。热酸产生剂的类型不特别限制。也就是说，热酸产生剂可不通过暴露来解离质子或几乎不通过暴露来解离质子，但可在热处理时解离质子。在这点上，热酸产生剂不同于光致酸产生剂。

在实施方案中，在发光器件中，当阴极、电子传输区、发射层、空穴传输区、阳极或它们的任何组合包括热酸产生剂时，分别基于100重量份的阴极，基于100重量份的电子传输区，基于100重量份的发射层，基于100重量份的空穴传输区，基于100重量份的阳极，可包括大于约0重量份至约10重量份或更少的热酸产生剂。例如，发光器件可包括大于约0重量份至约10重量份或更少的热酸产生剂(基于100重量份的阴极)、大于约0重量份至约10重量份或更少的热酸产生剂(基于100重量份的电子传输区)、或它们的任何组合，但实施方案不限于此。

例如，当发光器件还包括电子传输区，电子传输区包括电子传输层，并且电子传输层包括金属氧化物和热酸产生剂时，

基于100重量份的电子传输层，可包括的热酸产生剂的量为大于约0重量份至约10重量份或更少、大于约0重量份至约5重量份或更少、大于约0重量份至约3重量份或更少、大于约0重量份至约2重量份或更少、或者大于约0重量份至约1重量份或更少。

在实施方案中，电子传输层可包括金属氧化物和热酸产生剂，并且金属氧化物与热酸产生剂的重量比(金属氧化物：热酸产生剂)可在约1,000：1至约90：1、约1,000：1至约95：1、约1,000：1至约99：1、或约1,000：1至约100：1的范围内。

在一些实施方案中，热酸产生剂可包括：含铵离子的(ammonium ion-containing)化合物、含磺酸基的(sulfonate-containing)化合物、或它们的任何组合。

在实施方案中，热酸产生剂可在热处理时产生具有小于约2(或小于约1、或小于约0)的pKa的酸。

在一些实施方案中，热酸产生剂可为由式1或式2表示的化合物：

其中，在式1和式2中，

a11可为1至5的整数，

A^-可为抗衡离子，

R₁₁、R₁₂和R₂₁至R₂₃可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-B(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)或-C(＝O)(Q₁)，其中，R₁₂和R₂₁至R₂₃可不各自为氢，

当a11为2或更大时，a11的数目的R₁₁可任选地通过以下彼此结合：单键、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基，以形成未被取代或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

R₂₁至R₂₃中的至少两个可任选地通过以下彼此结合：单键、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基，以形成未被取代或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

R_10a可为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或它们的任何组合；

C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中，Q₁和Q₂、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基、或它们的任何组合。

在实施方案中，在式1和式2中，R₁₁、R₁₂和R₂₁至R₂₃可各自独立地为：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基、C₂-C₂₀炔基或C₁-C₂₀烷氧基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)、或它们的任何组合；

环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并噻唑基、苯甲噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基或咪唑并嘧啶基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基、C₂-C₂₀炔基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、/>基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并噻唑基、苯甲噁唑基、异苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)、或它们的任何组合；或

-B(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)、或-C(＝O)(Q₁)，其中，R₁₂和R₂₁至R₂₃可不各自为氢。

在一个或多个实施方案中，在式1和式2中，R₁₁、R₁₂和R₂₁至R₂₃可各自独立地为：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；或

C₁-C₂₀烷基、C₂-C₂₀烯基、C₂-C₂₀炔基或C₁-C₂₀烷氧基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)、或它们的任何组合，其中，R₁₂和R₂₁至R₂₃可不各自为氢。

在一个或多个实施方案中，在式1和式2中，R₁₁、R₁₂和R₂₁至R₂₃可各自独立地为：氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；或

C₁-C₁₀烷基、C₂-C₁₀烯基、C₂-C₁₀炔基或C₁-C₁₀烷氧基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、或它们的任何组合，其中，R₁₂和R₂₁至R₂₃可不各自为氢。

在实施方案中，热酸产生剂可包括化合物TAG1至化合物TAG8中的至少一个：

根据实施方案的发光器件可为倒置发光器件，倒置发光器件包括在衬底上的阴极并且包括热酸产生剂。因此，由于发射层的因热处理的影响(例如，损坏)可为小的，因此可防止发光器件的劣化。例如，当发光器件还包括包含金属氧化物的电子传输层并且电子传输层包括热酸产生剂时，由于酸通过热处理在热酸产生剂中解离，因此可降低金属氧化物的缺陷密度，进而改善电子传输性质。此外，由于发光器件包括热酸产生剂而不是光致酸产生剂，因此不执行光照射，并且因此可简化发光器件的制造工艺，进而改善便利性。相应地，发光器件可具有低驱动电压和优异发光效率，并且发光器件可用于制造高质量的电子设备。

如本文中使用的表述“电子传输区和/或电子传输层包括热酸产生剂”可解释为意味着“电子传输区和/或电子传输层可包括属于热酸产生剂的一种类型的热酸产生剂或属于热酸产生剂的两种类型的热酸产生剂”。

例如，电子传输区和/或电子传输层可仅包括化合物TAG1作为热酸产生剂。在本实施方案中，化合物TAG1可位于发光器件的电子传输层中。在一些实施方案中，电子传输区可包括化合物TAG1和化合物TAG2作为热酸产生剂。在本实施方案中，化合物TAG1和化合物TAG2可位于同一层中(例如，化合物TAG1和化合物TAG2两者可位于电子传输层中)或者不同层中(例如，化合物TAG1可位于电子传输层中，并且化合物TAG2可位于电子注入层中)。

如本文中使用的术语“中间层”是指定位在发光器件的阴极和阳极之间的单层和/或多个层。

根据一个或多个实施方案，电子设备可包括发光器件。电子设备还可包括薄膜晶体管。在一些实施方案中，电子设备还可包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且发光器件的阴极或阳极可电连接到源电极或漏电极。

在实施方案中，电子设备中的衬底可包括多个子像素区域，并且像素限定膜可在子像素区域之间，其中，像素限定膜可包括热酸产生剂，包括热酸产生剂的热酸产生层包括在像素限定膜中，或它们的任何组合。

电子设备还可包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层、或它们的任何组合。电子设备可通过参考本文中提供的对电子设备的描述来理解。

图1的描述

图1为根据实施方案的发光器件10的示意性视图。发光器件10可包括衬底100、阴极110、中间层130和阳极150。

在下文中，将结合图1描述根据实施方案的发光器件10的结构以及根据实施方案的制造发光器件10的方法。

衬底100

衬底100可为相关领域中使用的任何衬底，并且可为具有高的机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易于处理性和抗水性的无机衬底或有机衬底。

衬底可为玻璃衬底或塑料衬底。衬底可为柔性衬底，柔性衬底包括具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺、或它们的任何组合。

阴极110

通过在衬底100上沉积或溅射用于形成阴极110的材料，可形成阴极110。在实施方案中，阴极110可为电子注入电极。在本实施方案中，用于形成阴极110的材料可为具有低功函的材料，例如金属、合金、导电化合物或它们的任何组合。

阴极110可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或它们的任何组合。阴极110可为透射电极、半透射电极或反射电极。

阴极110可具有单层结构或者包括两层或更多层的多层结构。

中间层130

中间层130可在阴极110上。中间层130可包括发射层。

中间层130还可包括在阴极110和发射层之间的电子传输区以及在发射层和阳极150之间的空穴传输区。

除了各种有机材料之外，中间层130还可包括含金属化合物(诸如有机金属化合物)、无机材料(诸如量子点)和类似物。

中间层130可包括：i)依次堆叠在阴极110和阳极150之间的至少两个发光单元；以及ii)定位在至少两个发光单元之间的电荷产生层。当中间层130包括至少两个发光单元和电荷产生层时，发光器件10可为串联发光器件。

中间层130中的电子传输区

电子传输区可具有：i)由单层组成的单层结构，单层由单一材料组成；ii)由单层组成的单层结构，单层包括多种不同材料；或iii)具有多层的多层结构，多层包括多种不同材料。

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或电子注入层。

在一些实施方案中，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，每种结构的各层在阴极110上以各自所陈述的顺序依次堆叠。

电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可包括不含金属的、包括至少一个缺乏π电子的含氮的C₁-C₆₀环状基团的化合物。

在一些实施方案中，电子传输区可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)、或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

其中，Q₆₀₁至Q₆₀₃可各自通过参考本文中提供的对Q₁的描述来理解，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的缺乏π电子的含氮的C₁-C₆₀环状基团。

例如，在式601中，当xe11为2或更大时，至少两个Ar₆₀₁可通过单键彼此结合。

在一些实施方案中，在式601中，Ar₆₀₁可为被取代或未被取代的蒽基。

在一些实施方案中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃可各自通过参考本文中提供的对L₆₀₁的描述来理解，

xe611至xe613可各自通过参考本文中提供的对xe1的描述来理解，

R₆₁₁至R₆₁₃可各自通过参考本文中提供的对R₆₀₁的描述来理解，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

例如，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括：化合物ET1至化合物ET45中的一个、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ、或它们的任何组合：

/>

电子传输区的厚度可在约至约/>的范围内，并且在一些实施方案中，约/>至约/>当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或它们的任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层和电子控制层的厚度可各自独立地在约/>至约/>的范围内，例如，约/>至约/>并且电子传输层的厚度可在约/>至约的范围内，例如，约/>至约/>当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度各自在这些范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得优异的电子传输特性。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)还可包括含金属的材料。

含金属的材料可包括碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碱金属配合物的金属离子可为锂(Li)离子、钠(Na)离子、钾(K)离子、铷(Rb)离子或铯(Cs)离子。碱土金属配合物的金属离子可为铍(Be)离子、镁(Mg)离子、钙(Ca)离子、锶(Sr)离子或钡(Ba)离子。与碱金属配合物和碱土金属配合物的金属离子配位的每个配体可独立地为羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。

例如，含金属的材料可包括Li配合物。Li配合物可包括例如化合物ET-D1(LiQ)或化合物ET-D2：

在一些实施方案中，电子传输层可包括金属氧化物。例如，电子传输层可基本上由金属氧化物组成并且包括少于1％的杂质(例如，有机材料)。金属氧化物可通过参考本文中提供的对金属氧化物的描述来理解。

电子传输区可包括电子注入层，电子注入层促进电子从阴极110注入。电子注入层可直接接触阴极110。

电子注入层可具有：i)由单层组成的单层结构，单层由单一材料组成；ii)由单层组成的单层结构，单层包括多种不同材料；或iii)具有多层的多层结构，多层包括多种不同材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。

碱金属可为Li、Na、K、Rb、Cs或它们的任何组合。碱土金属可为Mg、Ca、Sr、Ba或它们的任何组合。稀土金属可为Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或它们的任何组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可分别为碱金属、碱土金属和稀土金属中的每个的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或它们的任何组合。

含碱金属的化合物可为：碱金属氧化物，诸如Li₂O、Cs₂O或K₂O；碱金属卤化物，诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI；或它们的任何组合。含碱土金属的化合物可包括碱土金属氧化物，诸如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中，x为满足0<x<1的实数)、或Ba_xCa_1-xO(其中，x为满足0<x<1的实数)。含稀土金属的化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃、或它们的任何组合。在一些实施方案中，含稀土金属的化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可包括：i)上述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一个；以及ii)与离子键合的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。

电子注入层可由以下组成：如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。在一些实施方案中，电子注入层还可包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在一些实施方案中，电子注入层可由以下组成：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；或ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属、或它们的任何组合。在一些实施方案中，电子注入层可为KI：Yb共沉积层、RbI：Yb共沉积层和类似物。

当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基体中。

电子注入层的厚度可在约至约/>的范围内，并且在一些实施方案中，约/>至约/>当电子注入层的厚度在这些范围的任何内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得优异的电子注入特性。

中间层130的发射层

当发光器件10为全色发光器件时，可根据子像素将发射层图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方案中，发射层可具有堆叠结构。堆叠结构可包括选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两层或更多层。两层或更多层可彼此直接接触。在一些实施方案中，两层或更多层可彼此分开。在一个或多个实施方案中，发射层可包括两种或更多种材料。两种或更多种材料可包括红色发光材料、绿色发光材料和/或蓝色发光材料。两种或更多种材料可在单层中彼此混合。在单层中彼此混合的两种或更多种材料可发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可为磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或它们的任何组合。

基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可在约0.01重量份至约15重量份的范围内。

在一些实施方案中，发射层可包括量子点。

发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可用作发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约至约/>的范围内，并且在一些实施方案中，约至约/>当发射层的厚度在这些范围的任何内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得改善的发光特性。

主体

主体可包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xb11可为1、2或3，

xb1可为0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)、或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃可各自通过参考本文中提供的对Q₁的描述来理解。

在一些实施方案中，当式301中的xb11为2或更大时，至少两个Ar₃₀₁可通过单键结合。

在一些实施方案中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或它们的任何组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1至式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可为O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可各自通过参考本文中提供的对L₃₀₁、xb1和R₃₀₁的描述来理解，

L₃₀₂至L₃₀₄可各自通过参考本文中提供的对L₃₀₁的描述来理解，

xb2至xb4可各自通过参考本文中提供的对xb1的描述来理解，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可各自通过参考本文中提供的对R₃₀₁的描述来理解。

在一些实施方案中，主体可包括碱土金属配合物、过渡后金属配合物或它们的任何组合。例如，主体可包括Be配合物(例如，化合物H55)、Mg配合物、Zn配合物或它们的任何组合。

在一些实施方案中，主体可包括：化合物H1至化合物H124中的一个、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4′-双(N-咔唑基)-1,1′-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或它们的任何组合：

/>

/>

/>

/>

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或它们的任何组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

在一些实施方案中，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属配合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

其中，在式401和式402中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体并且xc1可为1、2或3，并且当xc1为2或更大时，至少两个L₄₀₁可彼此相同或不同，

L₄₀₂可为有机配体并且xc2可为0至4的整数，并且当xc2为2或更大时，至少两个L₄₀₂可彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、

*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

其中，Q₄₁₁至Q₄₁₄可各自通过参考本文中提供的对Q₁的描述来理解，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)、或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

其中，Q₄₀₁至Q₄₀₃可各自通过参考本文中提供的对Q₁的描述来理解，xc11和xc12可各自独立地为0至10的整数，并且

式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。

例如，在式402中，i)X₄₀₁可为氮并且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂可各自为氮。

在一个或多个实施方案中，当式401中的xc1为2或更大时，至少两个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可任选地通过作为链接基团的T₄₀₂来结合，或者两个环A₄₀₂可任选地通过作为链接基团的T₄₀₃来结合(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可各自通过参考本文中提供的对T₄₀₁的描述来理解。

在式401中，L₄₀₂可为任何合适的有机配体。例如，L₄₀₂可为卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮基团)、羧酸基(例如，吡啶甲酸酯基)、-C(＝O)、异腈基、-CN、含磷基团(例如，膦基或亚磷酸酯基)或它们的任何组合。

磷光掺杂剂可例如为化合物PD1至化合物PD39中的一个或它们的任何组合：

/>

/>

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可包括含胺基的化合物、含苯乙烯基的化合物或它们的任何组合。

在一些实施方案中，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁以及R₅₀₂可各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

_xd4可为1、2、3、4、5或6。

在一些实施方案中，在式501中，Ar₅₀₁可包括至少三个单环基团稠合的稠环基团(例如，蒽基、基、或芘基)。

在一些实施方案中，式501中的xd4可为2。

在一些实施方案中，荧光掺杂剂可包括：化合物FD1至化合物FD36中的一个；DPVBi；DPAVBi；或它们的任何组合：

/>

延迟荧光材料

发射层可包括延迟荧光材料。

本文中描述的延迟荧光材料可为可根据延迟荧光发射机制发射延迟荧光的任何合适的化合物。

根据发射层中包括的其他材料的类型，发射层中包括的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂。

在一些实施方案中，延迟荧光材料的三线态能级(eV)与延迟荧光材料的单线态能级(eV)之差可为约0eV或更大至约0.5eV或更小。当延迟荧光材料的三线态能级(eV)与延迟荧光材料的单线态能级(eV)之差在这个范围内时，延迟荧光材料中的从三线态到单线态的向上转换可有效地发生，因此提高发光器件10的发光效率和类似性能。

在一些实施方案中，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一个电子供体(例如，富含π电子的C₃-C₆₀环状基团，诸如咔唑基和类似物)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基、缺乏π电子的含氮的C₁-C₆₀环状基团和类似物)的材料；ii)包括C₈-C₆₀多环基团的材料，C₈-C₆₀多环基团包括至少两个彼此稠合的环状基团并且共享硼(B)；和类似物。

延迟荧光材料的实例可包括化合物DF1至化合物DF9中的至少一个：

量子点

发射层可包括量子点。

如本文中使用的术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何合适的材料。

量子点的直径可在例如约1nm至约10nm的范围内。

量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或任何相似的工艺合成。

湿化学工艺为通过将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂可自然地用作配位在量子点晶体表面上的分散剂并且控制晶体的生长。因此，与气相沉积工艺(诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD))或分子束外延(MBE)工艺相比，湿化学工艺可更容易地执行。此外，可以更低的制造成本来控制量子点颗粒的生长。

量子点可包括：第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；第IV族元素或第IV族化合物；或它们的任何组合。

第II-VI族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、或MgS；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、或MgZnS；四元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、或HgZnSTe；或它们的任何组合。

第III-V族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、或InSb；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、或InPSb；四元化合物，诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、或InAlPSb；或它们的任何组合。在一些实施方案中，第III-V族半导体化合物还可包括第II族元素。还包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的实例可包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP和类似物。

第III-VI族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃、InTe和类似物；三元化合物，诸如InGaS₃、InGaSe₃和类似物；或它们的任何组合。

第I-III-VI族半导体化合物的实例可包括：三元化合物，诸如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂、或AgAlO₂；或它们的任何组合。

第IV-VI族半导体化合物的实例可包括：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、或PbTe；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、或SnPbTe；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、或SnPbSTe；或它们的任何组合。

第IV族元素或第IV族化合物可为单一元素材料，诸如Si或Ge；二元化合物，诸如SiC或SiGe；或它们的任何组合。

包括在多元素化合物(诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物)中的单独元素可以均匀或非均匀的浓度存在于其颗粒中。

量子点可具有单一结构(在单一结构中包括在量子点中的每种元素的浓度为均匀的)或核-壳双重结构。在一些实施方案中，包括在核中的材料可不同于包括在壳中的材料。

量子点的壳可用作：保护层，保护层用于防止核的化学变性以保持半导体特性；和/或充电层，充电层用于赋予量子点电泳特性。壳可为单层或多层。核和壳之间的界面可具有存在于壳中的元素的浓度朝向核递减的浓度梯度。

量子点的壳的实例包括金属、类金属或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的组合。金属、类金属或非金属的氧化物的实例可包括：二元化合物，诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄、或NiO；三元化合物，诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄、或CoMn₂O₄；或它们的任何组合。半导体化合物的实例可包括：第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；或它们的任何组合。在一些实施方案中，半导体化合物可为CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb、或它们的任何组合。

量子点可具有发射波长光谱的约45nm或更小、约40nm或更小、或者约30nm或更小的半峰全宽(FWHM)。当量子点的FWHM在这个范围内时，可提高颜色纯度或颜色再现性。此外，由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可改善光学视角。

此外，量子点可特定地为球形、金字塔形、多臂、或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。

通过调节量子点的尺寸，也可调节能带隙，从而获得在量子点发射层中的各种波长的光。通过使用各种尺寸的量子点，可实现可发射各种波长的光的发光器件。在一些实施方案中，可选择量子点的尺寸以使得量子点可发射红光、绿光和/或蓝光。此外，可选择量子点的尺寸以使得量子点可通过组合各种光的颜色来发射白光。

中间层130中的空穴传输区

空穴传输区可具有：i)由单层组成的单层结构，单层由单一材料组成；ii)由单层组成的单层结构，单层包括多种不同材料；或iii)具有多层的多层结构，多层包括多种不同材料。

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层或它们的组合。

例如，空穴传输区可具有多层结构，例如空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层结构、空穴注入层/发光辅助层结构、空穴传输层/发光辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，每种结构的各层在发射层上以各自所陈述的顺序依次堆叠。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa4可各自独立地为0至5的整数，

xa5可为1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地通过以下彼此结合：单键、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基，以形成未被取代或被至少一个R_10a取代(例如，本文中描述的化合物HT16)的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基或类似物)，

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地通过以下彼此结合：单键、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基，以形成未被取代或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为1至4的整数。

在一些实施方案中，式201和式202可各自包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

其中，在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c可各自通过参考对R_10a的描述来理解，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且在式CY201至式CY217中的至少一个氢可未被取代或被R_10a取代。

在实施方案中，在式CY201至式CY217中，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方案中，式201可包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方案中，在式201中，xa1可为1，R₂₀₁可由式CY201至式CY203中的一个表示，xa2可为0，并且R₂₀₂可由式CY204至CY207中的一个表示。

在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自不包括由式CY201至式CY203表示的基团。

在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自不包括由式CY201至式CY203表示的基团，并且包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方案中，式201和式202可各自不包括由式CY201至式CY217表示的基团。

在一些实施方案中，空穴传输区可包括化合物HT1至化合物HT46中的一个和m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或它们的任何组合：

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空穴传输区的厚度可在约50(埃)至约/>的范围内，并且在一些实施方案中，约/>至约/>当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或它们的任何组合时，空穴注入层的厚度可在约/>至约/>的范围内，并且在一些实施方案中，约至约/>并且空穴传输层的厚度可在约/>至约/>的范围内，并且在一些实施方案中约/>至约/>当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围的任何内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得优异的空穴传输特性。

发光辅助层可根据由发射层发射的光的波长通过补偿光学共振距离来增大发光效率。电子阻挡层可防止电子从发射层到空穴传输区的渗漏。可包括在空穴传输区中的材料也可包括在发光辅助层和电子阻挡层中。

p型掺杂剂

空穴传输区可包括电荷产生材料以及前述材料，以改善空穴传输区的导电性质。电荷产生材料可在空穴传输区中基本上均匀或非均匀地分散(例如，作为由电荷产生材料组成的单层)。

例如，电荷产生材料可包括p型掺杂剂。

在一些实施方案中，p型掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可为-3.5eV或更小。

在一些实施方案中，p型掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基的化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物、或它们的任何组合。

醌衍生物的实例可包括TCNQ、F4-TCNQ和类似物。

含氰基的化合物的实例包括HAT-CN、由式221表示的化合物和类似物：

式221

其中，在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为：C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团被以下取代：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I、或它们的任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；或它们的任何组合。

在含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、类金属或它们的组合，并且元素EL2可为非金属、类金属或它们的组合。

金属的实例可包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)或类似物)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)或类似物)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)或类似物)；过渡后金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)或类似物)；镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)或类似物)；和类似物。

类金属的实例可包括硅(Si)、锑(Sb)、碲(Te)和类似物。

非金属的实例可包括氧(O)、卤素(例如，F、Cl、Br、I和类似物)和类似物。

例如，含元素EL1和元素EL2的化合物可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物和类似物)、类金属卤化物(例如，类金属氟化物、类金属氯化物、类金属溴化物、类金属碘化物和类似物)、金属碲化物或它们的任何组合。

金属氧化物的实例可包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃或W₂O₅)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂或V₂O₅)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃或Mo₂O₅)和铼氧化物(例如，ReO₃)。

金属卤化物的实例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、过渡后金属卤化物、镧系金属卤化物和类似物。

碱金属卤化物的实例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI和类似物。

碱土金属卤化物的实例可包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的实例可包括卤化钛(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、或TiI₄)、卤化锆(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、或ZrI₄)、卤化铪(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、或HfI₄)、卤化钒(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、或VI₃)、卤化铌(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、或NbI₃)、卤化钽(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、或TaI₃)、卤化铬(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、或CrI₃)、卤化钼(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、或MoI₃)、卤化钨(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、或WI₃)、卤化锰(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、或MnI₂)、卤化锝(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、或TcI₂)、卤化铼(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、或ReI₂)、卤化铁(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、或FeI₂)、卤化钌(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、或RuI₂)、卤化锇(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、或OsI₂)、卤化钴(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、或CoI₂)、卤化铑(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、或RhI₂)、卤化铱(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、或IrI₂)、卤化镍(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、或NiI₂)、卤化钯(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、或PdI₂)、卤化铂(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、或PtI₂)、卤化铜(例如，CuF、CuCl、CuBr、或CuI)、卤化银(例如，AgF、AgCl、AgBr、或AgI)、卤化金(例如，AuF、AuCl、AuBr、或AuI)。

过渡后金属卤化物的实例可包括卤化锌(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、或ZnI₂)、卤化铟(例如，InI₃)和卤化锡(例如，SnI₂)。

镧系金属卤化物的实例可包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。

类金属卤化物的实例可包括卤化锑(例如，SbCl₅)。

金属碲化物的实例可包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、或Cs₂Te)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、或BaTe)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、或Au₂Te)、过渡后金属碲化物(例如，ZnTe)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、或LuTe)。

阳极150

阳极150可在中间层130上。

阳极150可包括阳极材料，阳极材料可为可容易地注入空穴的高功函的材料。

阳极150可为反射电极、半透射电极或透射电极。当阳极150为透射电极时，用于形成阳极150的材料可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或它们的任何组合。在一些实施方案中，当阳极150为半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或它们的任何组合可用作用于形成阳极150的材料。

阳极150可具有由单层组成的单层结构或包括两层或更多层的多层结构。在一些实施方案中，阳极150可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

覆盖层

第一覆盖层可定位在阴极110外部和/或第二覆盖层可定位在阳极150外部。在一些实施方案中，发光器件10可具有：第一覆盖层、阴极110、中间层130和阳极150以这个所陈述的顺序依次堆叠的结构；阴极110、中间层130、阳极150和第二覆盖层以这个所陈述的顺序依次堆叠的结构；或者第一覆盖层、阴极110、中间层130、阳极150和第二覆盖层以这个所陈述的顺序依次堆叠的结构。

在发光器件10中，从中间层130中的发射层发射的光可通过阴极110(阴极110可为半透射电极或透射电极)并且通过第一覆盖层至外部。在发光器件10中，从中间层130中的发射层发射的光可通过阳极150(阳极150可为半透射电极或透射电极)并且通过第二覆盖层至外部。

基于相长干涉的原理，第一覆盖层和第二覆盖层可提高外部发光效率。相应地，可增大发光器件10的光提取效率，从而提高发光器件10的发光效率。

第一覆盖层和第二覆盖层可各自包括(在589nm)约1.6或更高的折射率的材料。

第一覆盖层和第二覆盖层可各自独立地为包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层、或者包括有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。

第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基的化合物可任选地被O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任何组合的取代基取代。在一些实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基的化合物。

在一些实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合。

在一个或多个实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可各自独立地包括：化合物HT28至化合物HT33中的一个、化合物CP1至化合物CP7中的一个、β-NPB、或它们的任何组合：

电子设备

发光器件可包括在各种电子设备中。在一些实施方案中，包括发光器件的电子设备可为发光设备或认证设备。

除了发光器件之外，电子设备(例如，发光设备)还可包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可布置在从发光器件发射的光的至少一个传播方向上。例如，从发光器件发射的光可为蓝光或白光。发光器件可通过参考本文中提供的描述来理解。在一些实施方案中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为例如本文中描述的量子点。

电子设备可包括第一衬底。第一衬底可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定膜可定位在多个子像素区域之间，以限定每个子像素区域。

滤色器也可包括多个滤色器区域和在多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层也可包括多个颜色转换区域和在多个颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括：发射第一颜色光的第一区域；发射第二颜色光的第二区域；和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有不同的最大发射波长。在一些实施方案中，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。在一些实施方案中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可各自包括量子点。在一些实施方案中，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。量子点可通过参考本文中提供的对量子点的描述来理解。第一区域、第二区域和/或第三区域还可各自包括散射体。

在一些实施方案中，发光器件可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第1-1颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第2-1颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第3-1颜色光。在本实施方案中，第1-1颜色光、第2-1颜色光和第3-1颜色光可各自具有不同的最大发射波长。在一些实施方案中，第一光可为蓝光，第1-1颜色光可为红光，第2-1颜色光可为绿光，并且第3-1颜色光可为蓝光。

除了发光器件之外，电子设备还可包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极和漏电极中的一个可电连接到发光器件的阴极和阳极中的一个。

薄膜晶体管还可包括栅电极、栅绝缘膜或类似物。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和氧化物半导体。

电子设备还可包括用于封装发光器件的封装单元。封装单元可定位在滤色器和/或颜色转换层与发光器件之间。封装单元可允许光从发光器件提取至外部并且同时防止空气和湿气渗透到发光器件中。封装单元可为包括透明玻璃或塑料衬底的封装衬底。封装单元可为包括至少一个有机层和/或无机层的薄膜封装层。当封装单元为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层还可布置在封装单元上。功能层的实例可包括触摸屏层、偏振层或类似物。触摸屏层可为电阻式触摸屏层、电容式触摸屏层或红外光束触摸屏层。认证设备可为例如根据生物测定信息(例如，指尖、瞳孔或类似物等)来认证个人的生物测定认证设备。

除了上述发光器件之外，认证设备还可包括生物测定信息收集单元。

电子设备可应用于各种显示器、光源、照明灯、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子笔记、电子词典、电子游戏机、医疗装置(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图记录仪、超声波诊断装置、或内窥镜显示装置)、鱼探测器、各种测量装置、仪表(例如，车辆、飞机或船舶的仪表)和投影仪。

图2和图3的描述

图2为发光设备的实施方案的示意性剖视图。

图2中的发射设备可包括衬底100、薄膜晶体管、发光器件和密封发光器件的封装单元300。在本文中，发射设备可是指发光设备。

衬底100可为柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可在衬底100上。缓冲层210可防止杂质穿透衬底100，并且在衬底100上提供平坦的表面。

薄膜晶体管可在缓冲层210上。薄膜晶体管可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体(诸如硅或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且包括源区域、漏区域和沟道区域。

用于将有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可在有源层220上，并且栅电极240可在栅绝缘膜230上。

中间层绝缘膜250可在栅电极240上。中间层绝缘膜250可在栅电极240和源电极260之间并且在栅电极240和漏电极270之间，以提供其间的绝缘。

源电极260和漏电极270可在中间层绝缘膜250上。中间层绝缘膜250和栅绝缘膜230可形成为暴露有源层220的源区域和漏区域，并且源电极260和漏电极270可与有源层220的暴露的源区域和暴露的漏区域相邻。

这样的薄膜晶体管可电连接到发光器件以驱动发光器件，并且可被钝化层280保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的组合。发光器件可在钝化层280上。发光器件10(例如，参见图1)可包括阴极110、中间层130和阳极150。

阴极110可在钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270并且可暴露漏电极270的特定区域，并且阴极110可布置成连接到漏电极270的暴露区域。

包括绝缘材料的像素限定膜290可在阴极110上。像素限定膜290可暴露阴极110的特定区域，并且中间层130可形成在阴极110的暴露区域上。像素限定膜290可为聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。尽管在图2中未示出，但中间层130的至少一些层可延伸至像素限定膜290的上部以便以公共层的形式定位(即，可提供为公共层)。

阳极150可在中间层130上，并且覆盖层170可附加地形成在阳极150上。可形成覆盖层170以覆盖阳极150。

封装单元300可在覆盖层170上。封装单元300可在发光器件上，以保护发光器件免受湿气或气的影响。封装单元300可包括：无机膜，无机膜包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或它们的任何组合；有机膜，有机膜包括PET、聚(萘二甲酸乙二醇酯)、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚(乙烯磺酸酯)、聚(甲醛)、聚(芳酯)、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸和类似物)、环氧树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)和类似物)或它们的任何组合；或者无机膜和有机膜的组合。

图3为发光设备的另一实施方案的示意性剖视图。

除了遮光图案500和功能区域400附加地定位在封装单元300上以外，图3中所示的发射设备与图2中所示的发射设备基本上相同。功能区域400可为i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在一些实施方案中，包括在发射设备中的图3中所示的发光器件可为串联发光器件。

制造方法

构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过利用一种或多种合适的方法在特定区中形成，方法诸如真空沉积、旋涂、流延、Langmuir-Blodgett(LB)沉积、喷墨打印、激光打印和激光诱导热成像。

当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层各自通过真空沉积形成时，根据每层中要包括的材料和要形成的每层的结构，可在约100℃至约500℃的范围内的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的范围内的真空度和约0.01埃/秒至约/>的范围内的沉积速度下执行真空沉积。

术语的一般限定

如本文中使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”是指仅由碳原子组成并且具有3至60个碳原子作为成环原子的环状基团。如本文中使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”是指除了杂原子作为除了碳原子以外的成环原子之外还具有1至60个碳原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可各自为由一个环组成的单环基团或至少两个环稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基团中的成环原子的数目可在3至61的范围内。

如本文中使用的术语“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

术语“富含π电子的C₃-C₆₀环状基团”是指具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*'作为成环部分的环状基团。如本文中使用的术语“缺乏π电子的含氮的C₁-C₆₀环状基团”是指具有1至60个碳原子和*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

在一些实施方案中，

C₃-C₆₀碳环基团可为：i)T1基团；或ii)至少两个T1基团稠合的基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、并环戊二烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、晕苯基、卵苯基、茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基团可为：i)T2基团；ii)至少两个T2基团稠合的基团；或iii)至少一个T2基团和至少一个T1基团稠合的基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和类似物)，

富含π电子的C₃-C₆₀环状基团可为：i)T1基团；ii)至少两个T1基团稠合的稠合基团；iii)T3基团；iv)至少两个T3基团稠合的稠合基团；或者v)至少一个T3基团和至少一个T1基团稠合的稠合基团(例如，C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基、硅杂环戊二烯基(silole)、硼杂环戊二烯基(borole)、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基和类似物)，并且

缺乏π电子的含氮的C₁-C₆₀环状基团可为：i)T4基团；ii)至少两个T4基团稠合的基团；iii)至少一个T4基团和至少一个T1基团稠合的基团；iv)至少一个T4基团和至少一个T3基团稠合的基团；或v)至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团稠合的基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基和类似物)，

其中，T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、双环[1.1.1]戊烷基、双环[2.1.1]己烷基、双环[2.2.2]辛烷基或苯基，

T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、硅杂环戊二烯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、硅氧环戊二烯基或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂硅杂环戊二烯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

根据应用术语的式的结构，如本文中使用的术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基团”、“C₁-C₆₀杂环基团”、“富含π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺乏π电子的含氮的C₁-C₆₀环状基团”可为与任何合适的环状基团稠合的基团、单价基团、或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团或类似物)。例如，“苯基”可为苯环、苯基、亚苯基或类似物，并且根据包括“苯基”的式的结构，这可被本领域普通技术人员理解。

在一些实施方案中，单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的实例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的实例可包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团以及二价非芳族稠合杂多环基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀烷基”是指具有1至60个碳原子的直链或支链的脂肪族烃单价基团，并且其实例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如本文中使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”是指具有与C₁-C₆₀烷基基本上相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₂-C₆₀烯基”是指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的单价烃基。其实例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文中使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”是指具有与C₂-C₆₀烯基基本上相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₂-C₆₀炔基”是指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的单价烃基。其实例包括乙炔基和丙炔基。如本文中使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”是指具有与C₂-C₆₀炔基基本上相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”是指由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中，A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)。其实例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如本文中使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”是指包括3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团。如本文中使用的C₃-C₁₀环烷基的实例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基或双环[2.2.2]辛基。如本文中使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”是指具有与C₃-C₁₀环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”是指单价环状基团，单价环状基团包括除了碳原子以外的至少一个杂原子作为成环原子，并且具有1至10个碳原子。其实例包括1,2,3,4-氧杂三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文中使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”是指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”是指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且为非芳族的单价环状基团。其实例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文中使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”是指具有与C₃-C₁₀环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”是指在其环中包括除了碳原子以外的至少一个杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如本文中使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”是指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳基”是指具有碳环芳族体系的单价基团，碳环芳族体系具有6至60个碳原子的。如本文中使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”是指具有碳环芳族体系的二价基团，碳环芳族体系具有6至60个碳原子。C₆-C₆₀芳基的实例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基(phenalenyl)、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基(pentaphenyl)、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、晕苯基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各自的环可为稠合的。

如本文中使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”是指具有杂环芳族体系的单价基团，杂环芳族体系还包括除了碳原子以外的至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。如本文中使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”是指具有杂环芳族体系的二价基团，杂环芳族体系还包括除了碳原子以外的至少一个杂原子作为成环原子以及1至60个碳原子。C₁-C₆₀杂芳基的实例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各自的环可为稠合的。

如本文中使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”是指具有两个或更多个稠合环并且仅具有碳原子(例如，8至60个碳原子)作为成环原子的单价基团，其中，当整体考虑时分子结构为非芳族的。单价非芳族稠合多环基团的实例包括茚基、芴基、螺-双芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”是指与单价非芳族稠合多环基团具有基本上相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”是指具有两个或更多个稠合环以及除了碳原子(例如，1至60个碳原子)以外的至少一个杂原子作为成环原子的单价基团，其中，当整体考虑时分子结构为非芳族的。单价非芳族稠合杂多环基团的实例包括：吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并硅杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硅杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂苯并硅杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并硅杂环戊二烯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并硅杂环戊二烯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如本文中使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”是指与单价非芳族稠合杂多环基团具有基本上相同的结构的二价基团。

如本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”是指-OA₁₀₂(其中，A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)。如本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基”是指-SA₁₀₃(其中，A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如本文中使用的术语“C₇-C₆₀芳烷基”是指-A₁₀₄A₁₀₅(其中，A₁₀₄为C₁-C₅₄亚烷基并且A₁₀₅为C₆-C₅₉芳基)。如本文中使用的术语“C₂-C₆₀杂芳烷基”是指-A₁₀₆A₁₀₇(其中，A₁₀₆为C₁-C₅₉亚烷基并且A₁₀₇为C₁-C₅₉杂芳基)。

如本文中使用的术语“R_10a”可为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或它们的任何组合；

C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、或C₂-C₆₀杂芳烷基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

Q₁和Q₂、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基。

如本文中使用的术语“杂原子”是指除了碳原子以外的任何原子。杂原子的实例可包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或它们的任何组合。

如本文中使用的第三行过渡金属可包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)或它们的任何组合。

本文中使用的“Ph”表示苯基，本文中使用的“Me”表示甲基，本文中使用的“Et”表示乙基，本文中使用的“ter-Bu”或“Bu^t”表示叔丁基，并且本文中使用的“OMe”表示甲氧基。

如本文中使用的术语“联苯基”是指被苯基取代的苯基。“联苯基”属于具有“C₆-C₆₀芳基”作为取代基的“被取代的苯基”。

如本文中使用的术语“三联苯基”是指被联苯基取代的苯基。“三联苯基”属于具有“被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基”作为取代基的“被取代的苯基”。

除非另有限定，否则如本文中使用的符号*和*'是指在对应的式或部分中与相邻原子的结合位点。

在下文中，将参考实施例更详细地描述根据一个或多个实施方案的发光器件和化合物。在描述实施例时使用的措辞“使用B代替A”意味着在摩尔当量方面使用的B的量与使用的A的量相同。

实施例

实施例1

作为阴极，将沉积有ITO的玻璃衬底切割成50毫米(mm)×50mm×0.7mm的尺寸，在异丙醇和纯水中在每种溶剂中超声处理5分钟，用紫外线清洗30分钟且然后用臭氧清洗，并且将玻璃衬底安装在真空沉积设备上。

将包括重量比为99：1的ZnMgO和化合物TAG1的溶液涂覆在ITO电极上，随后在100℃的温度下热处理10分钟，从而形成具有的厚度的电子传输层。

在电子传输层上形成具有的厚度并且包括InP/ZnSe/ZnS核-壳量子点的发射层。

在发射层上形成具有的厚度并且包括HT45的空穴传输层，并且然后形具有的厚度并且包括TCNQ的空穴注入层。

将Ag沉积在空穴注入层上以形成具有的厚度的阳极，并且将CP7真空沉积在阳极上以形成具有/>的厚度的覆盖层，从而完成发光器件的制造。/>

实施例2

除了使用ZnMgO和化合物TAG8代替ZnMgO和化合物TAG1来形成电子传输层以外，发光器件以与实施例1中的相同的方式来制造。

比较例1

除了使用ZnMgO代替ZnMgO和化合物TAG1来形成电子传输层以外，发光器件以与实施例1中的相同的方式来制造。

评估例1

通过电流伏特计(Keithley SMU 236)、亮度计PR650和滨松绝对PL测量系统(Hamamatsu Absolute PL Measurement System)C9920-2-12测量在实施例1和实施例2以及比较例1中制造的发光器件在10mA/cm²的电流密度下的驱动电压、在所需亮度(610nit)下的驱动电压(可是指表1中的工作电压)、发光效率、外部量子效率、半峰全宽、颜色坐标(CIE_x，CIE_y)和最大发射波长(λ_max)。其结果示出在表1和表2中。

此外，图4中示出了根据工作电压的电流密度的测量值。

表1

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表2

如表1和表2以及图4中所示，与比较例1的发光器件相比较，发现实施例1和实施例2的发光器件表现出低驱动电压和优异发光效率。

如通过前面的描述显而易见的，由于发光器件可包括热酸产生剂以防止发光器件的劣化，因此发光器件可用于制造具有低驱动电压和优异发光效率的高质量电子设备。

应理解的是，本文中描述的实施方案应仅以描述性意义来考虑，并且不出于限制的目的。每个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方案中的其他相似的特征或方面。虽然已参考图描述了一个或多个实施方案，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由后附权利要求书限定的精神和范围的情况下，其中可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的阴极；

面对所述阴极的阳极；

在所述阴极和所述阳极之间的、包括发射层的中间层；以及

热酸产生剂。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述中间层还包括在所述阴极和所述发射层之间的电子传输区以及在所述发射层和所述阳极之间的空穴传输区，

所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合，并且

所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，

所述热酸产生剂包括在所述阴极、所述电子传输区、所述发射层、所述空穴传输区、所述阳极或它们的任何组合中，

所述发光器件还包括包含所述热酸产生剂的热酸产生层，或

它们的任何组合。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述电子传输区包括所述热酸产生剂。

5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述热酸产生层：

在所述阴极和所述电子传输区之间；

在所述电子传输区和所述发射层之间；

在所述发射层和所述空穴传输区之间；

在所述空穴传输区和所述阳极之间；或

它们的任何组合。

6.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述电子传输区包括电子传输层和电子注入层，并且所述电子传输层包括金属氧化物。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述金属氧化物包括由式1表示的化合物：

式1

M_xO_y

其中，在式1中，

M为选自属于元素周期表的第1至14族的元素的至少一种金属或类金属，并且

x和y各自独立地为1至5的整数。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，M包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Si、Mg、Ga或它们的任何组合。

9.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述金属氧化物包括由式2表示的化合物：

式2

M1_αM2_βO_y

其中，在式2中，

M1和M2各自独立地为选自属于元素周期表的第1至14族的元素的至少一种金属或类金属，M1与M2不同，并且

0<α≤2，0<β≤2，并且1<y≤5。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，M1包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al或它们的组合，并且

M2包括Ti、Sn、Si、Mg、Al、Ga、In或它们的组合。

11.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述金属氧化物为含锌氧化物。

12.根据权利要求6所述的发光器件，其中，

所述热酸产生剂包括在所述电子传输层、所述电子注入层或它们的任何组合中，

所述电子传输区还包括包含所述热酸产生剂的热酸产生层，其中所述热酸产生层与所述电子传输层直接接触；

所述电子传输区还包括包含所述热酸产生剂的热酸产生层，其中所述热酸产生层与所述电子注入层直接接触；或

它们的任何组合。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述热酸产生剂包括含铵离子的化合物、含磺酸基的化合物、或它们的任何组合。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述热酸产生剂为由式1或式2表示的化合物：

其中，在式1和式2中，

a11为1至5的整数，

A^-为抗衡离子，

R₁₁、R₁₂和R₂₁至R₂₃各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-B(Q₁)(Q₂)、-P(Q₁)(Q₂)或-C(＝O)(Q₁)，其中R₁₂和R₂₁至R₂₃不各自为氢，

当a11为2或更大时，在a11的数目上的R₁₁任选地通过以下彼此结合：单键、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基，以形成未被取代或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，

R₂₁至R₂₃中的至少两个任选地通过以下彼此结合：单键、未被取代或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基、或者未被取代或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基，以形成未被取代或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或它们的任何组合；

C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中，Q₁和Q₂、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，它们各自未被取代或被以下取代：氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基、或它们的任何组合。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述热酸产生剂包括化合物TAG1至化合物TAG8中的至少一个：

16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层包括量子点。

17.一种制造发光器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成阴极；

在所述阴极上形成包括热酸产生剂的电子传输区；

在所述电子传输区上形成发射层；并且

在所述发射层上形成阳极。

18.一种电子设备，包括根据权利要求1所述的发光器件。

19.根据权利要求18所述的电子设备，其中，

所述衬底包括多个子像素区域，并且

像素限定膜在所述多个子像素区域之间，

其中，所述像素限定膜包括所述热酸产生剂，包括所述热酸产生剂的热酸产生层包括在所述像素限定膜中，或它们的任何组合。

20.根据权利要求19所述的电子设备，还包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层、或它们的任何组合。