CN116133449A - 发光元件以及包括所述发光元件的电子装置 - Google Patents

Abstract

公开一种发光元件以及包括所述发光元件的电子装置。发光元件包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层，其中，所述发光层包括第一发光层和第二发光层，其中，所述第一发光层包括磷光发射体和第一主体，其中，所述第二发光层包括荧光发射体和第二主体，其中，所述磷光发射体能够发出具有第一发光光谱的第一光，所述第一光是蓝色光。

Description

发光元件以及包括所述发光元件的电子装置

技术领域

涉及一种包括发光层的发光元件以及包括所述发光元件的电子装置。

背景技术

发光元件中的自发光型元件不仅视角宽、对比度优异，而且响应时间快，且亮度、驱动电压以及响应速度特性优异。

所述发光元件在基板上部布置有第一电极，可以具有在所述第一电极上部依次地布置空穴传输区域(hole transport region)、发光层、电子传输区域(electrontransport region)以及第二电极的结构。从所述第一电极注入的空穴经由空穴传输区域而朝向发光层移动，从第二电极注入的电子经由电子传输区域而朝向发光层移动。诸如所述空穴及电子之类的载流子在发光层区域中再结合而产生激子(exciton)。所述激子从激发态跃迁到基态的同时产生光。

发明内容

提供一种包括发光层的发光元件、包括所述发光元件的电子装置。

根据一方面，提供一种发光元件包括：

第一电极；

第二电极，与所述第一电极对向；以及

中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层，

所述发光层包括第一发光层和第二发光层，

所述第一发光层包括磷光发射体和第一主体，

所述第二发光层包括荧光发射体和第二主体，

所述磷光发射体发出具有第一发光光谱的第一光，

所述第一光是蓝色光。

根据另一方面，提供包括所述发光元件的电子装置。

根据一实现例的发光元件相比于现有技术的发光元件能够获得发光效率得到提高的效果。

附图说明

图1是示意性地示出根据一实现例的发光元件的结构的图。

图2是示意性地示出根据一实现例的电子装置的结构的图。

图3是示意性地示出根据另一实现例的电子装置的结构的图。

具体实施方式

所述发光元件可以包括：

第一电极；

第二电极，与所述第一电极对向；以及

中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层，

所述发光层包括第一发光层和第二发光层，

所述第一发光层包括磷光发射体和第一主体，

所述第二发光层包括荧光发射体和第二主体，

所述磷光发射体可以发出具有第一发光光谱的第一光，

所述第一光可以是蓝色光。

根据一实现例，所述荧光发射体可以发出具有第二发光光谱的第二光，所述第二光可以是蓝色光。

根据一实现例，所述第一发光层和所述第二发光层可以彼此直接接触(directlycontact)。

根据一实现例，还可以包括：空穴传输区域，布置于所述第一电极与所述发光层之间；以及电子传输区域，布置于所述发光层与所述第二电极之间，其中，所述第一发光层布置于所述空穴传输区域与所述第二发光层之间。

根据一实现例，所述第一发光光谱的发光峰值波长可以为400nm至500nm。

根据一实现例，所述第二发光光谱的发光峰值波长可以为400nm至500nm。

根据一实现例，所述发光层能够发出具有第三发光光谱的第三光，所述第三光可以是蓝色光。

根据一实现例，所述第三光可以是所述第一光与所述第二光的混色光。

根据一个实现例，所述第三发光光谱的发光峰值波长可以为400nm至500nm。

根据一实现例，所述磷光发射体可以是有机金属化合物，并且所述有机金属化合物包括过渡金属以及与所述过渡金属结合的第一配体。

根据一实例，所述过渡金属可以是铂，并且所述第一配体包括四齿(tetradentate)配体或三齿(tridentate)配体。

根据一实现例，所述铂和所述第一配体之间的化学键可以包括铂-碳键。

根据一实现例，所述过渡金属可以是铱，并且所述第一配体是含氟基(-F)的配体或含碳烯(carbene)的配体。

根据一实现例，所述有机金属化合物可以由下述化学式11和化学式12中的一个表示。

<化学式11>

<化学式12>

在所述化学式11或化学式12中，

M₁或M₂彼此独立地选自铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、铱(Ir)、钌(Ru)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)以及铥(Tm)，

X₁₁至X₁₄、X₂₁及X₂₂彼此独立地为N或C；

CY₁₁至CY₁₄、CY₂₁及CY₂₂彼此独立地选自C₅-C₆₀碳环基团以及C₁-C₆₀杂环基团，

T₁₁至T₁₄、T₂₁及T₂₂彼此独立地选自单键、*-O-*'以及*-S-*'；

L₁₁至L₁₄、L₂₁彼此独立地选自单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(R₄₅)(R₄₆)-*'、*-C(R₄₅)＝*'、*＝C(R₄₅)-*'、*-C(R₄₅)＝C(R₄₅)-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R₄₅)-*'、*-N(R₄₅)-*'、*-P(R₄₅)-*'、*-Si(R₄₅)(R₄₆)-*'以及*-Ge(R₄₅)(R₄₆)-*'；

a11至a14、a21彼此独立地选自0至3的整数；

n21选自0至3的整数，

R₁₁至R₁₄、R₂₁、R₂₂、R₄₅及R₄₆彼此独立地选自氢、重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、被取代或未被取代的C₁-C₂₀烷基、被取代或未被取代的C₁-C₂₀烷氧基、被取代或未被取代的C₃-C₁₀环烷基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀杂环烷基、被取代或未被取代的C₃-C₁₀环烯基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀杂环烯基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳氧基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳硫基、被取代或未被取代的C₁-C₆₀杂芳基、被取代或未被取代的单价非芳香族缩合多环基团以及被取代或未被取代的单价非芳香族缩合杂多环基团、-Si(Q₄₁)(Q₄₂)(Q₄₃)、-N(Q₄₁)(Q₄₂)、-B(Q₄₁)(Q₄₂)、-C(＝O)(Q₄₁)、-S(＝O)₂(Q₄₁)以及-P(＝O)(Q₄₁)(Q₄₂)，

R₄₅和R₁₁、R₄₅和R₁₂、R₄₅和R₁₃或者R₄₅和R₁₄能够选择性地彼此结合而形成被取代或未被取代的C₅-C₆₀碳环基团或者被取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

b11至b14、b21及b22彼此独立地选自1至8的整数；

*和*'是与相邻的原子之间的结合位点。

根据一实现例，所述荧光发射体可以是不含过渡金属的化合物(transitionmetal-free compound)，并且所述第二发光层不包含过渡金属。

根据一实现例，所述第二发光层可以满足下式(1)。

<式(1)>

T₁(H-2)≤1.7eV

上述式(1)中的T₁(H-2)为所述第二主体的三重态能级(eV)，在所述第二主体为彼此不同的两种以上的化合物的混合物的情况下，意指所述两种以上的化合物中的每一个的三重态能级中的最大值。

根据一实施例，所述第一发光层和所述第二发光层可以满足下式(2)。

<式(2)>

T₁(H-1)>T₁(H-2)

在上述式(2)中，

T₁(H-1)为所述第一主体的三重态能级(eV)，在所述第一主体为彼此不同的两种以上的化合物的混合物的情况下，意指所述两种以上的化合物中的每一个的三重态能级中的最大值，

T₁(H-2)为所述第二主体的三重态能级(eV)，在所述第二主体为彼此不同的两种以上的化合物的混合物的情况下，意指所述两种以上的化合物中的每一个的三重态能级中的最大值。

根据一实现例，可能因三重态-三重态湮灭(TTA：triplet-tripletannihilation)效果而导致在所述第二主体发生反向系间窜越(reverse intersystemcrossing)现象。

根据一实施例，所述荧光发射体可以通过三重态-三重态湮灭(TTA)而发光，并且所述第二发光层发出TTA荧光。

根据一实现例，所述发光层的厚度可以是

至

根据一实现例，所述第一发光层的厚度与所述发光层的总厚度之比可以是0.875至0.94。

根据一实现例，所述第二发光层的厚度与所述发光层的总厚度之比可以是0.06至0.125。

根据一实现例，相对于总计100重量份的所述第一发光层，所述第一主体的含量可以为85重量份至约99.9重量份，相对于总计100重量份的第二发光层，所述第二主体的含量可以为85重量份至约99.9重量份。

根据一实现例，相对于总计100重量份的所述第一发光层，所述磷光发射体可以包括0.1重量份至15重量份。

根据一实施例，所述磷光发射体可以是以下化合物中的任一种。

根据一实现例，所述第一主体可以包括电子传输主体和空穴传输主体。

根据一实现例，所述电子传输主体可以由以下化学式13表示。

<化学式13>

在上述化学式13中，

L₁₃₁至L₁₃₃彼此独立地选自被取代或未被取代的C₃-C₁₀亚环烷基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、被取代或未被取代的C₃-C₁₀亚环烯基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀亚芳基、被取代或未被取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、被取代或未被取代的二价非芳香族缩合多环基团以及被取代或未被取代的二价非芳香族缩合杂多环基团，

xe131至xe133彼此独立地选自0至5的整数，

R₁₃₁至R₁₃₃彼此独立地选自被取代或未被取代的C₃-C₁₀环烷基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀杂环烷基、被取代或未被取代的C₃-C₁₀环烯基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀杂环烯基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳氧基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳硫基、被取代或未被取代的C₁-C₆₀杂芳基、被取代或未被取代的单价非芳香族缩合多环基团、被取代或未被取代的单价非芳香族缩合杂多环基团、-Si(Q₁₃₁)(Q₁₃₂)(Q₁₃₃)、-C(＝O)(Q₁₃₁)、-S(＝O)₂(Q₁₃₁)以及-P(＝O)(Q₁₃₁)(Q₁₃₂)，

Q₁₃₁至Q₁₃₃彼此独立地为C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基。

根据一实现例，所述电子传输主体可以是以下化合物中的任一种。

根据一实现例，所述空穴传输主体可以选自4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP：4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP：1,3-di-9-carbazolylbenzene)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP：1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene)以及3,3'-二(9H-咔唑-9-基)联苯(mCBP：3,3'-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl)，更优选为CBP。

根据一实现例，相对于总计100重量份的所述第一主体，所述电子传输主体的含量可以为20重量份至40重量份，优选为25重量份至35重量份，进一步优选为28重量份至32重量份。

根据一实现例，相对于总计100重量份的所述第一主体，所述空穴传输主体的含量为60重量份至80重量份，优选为65重量份至75重量份，进一步优选为68重量份至72重量份。

根据一实现例的发光元件，所述荧光发射体包括由以下化学式21表示的化合物：

<化学式21>

在上述化学式21中，

Ar₂₁可以为被取代或未被取代的C₅-C₆₀碳环基团或者被取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₁₁至L₂₁₃可以彼此独立地选自被取代或未被取代的C₃-C₁₀亚环烷基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、被取代或未被取代的C₃-C₁₀亚环烯基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀亚芳基、被取代或未被取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、被取代或未被取代的二价非芳香族缩合多环基团以及被取代或未被取代的二价非芳香族缩合杂多环基团，xd1至xd3可以彼此独立地选自0至3的整数，

R₂₁₁和R₂₁₂可以彼此独立地选自被取代或未被取代的C₃-C₁₀环烷基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀杂环烷基、被取代或未被取代的C₃-C₁₀环烯基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀杂环烯基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳氧基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳硫基、被取代或未被取代的C₁-C₆₀杂芳基、被取代或未被取代的单价非芳香族缩合多环基团以及被取代或未被取代的单价非芳香族缩合杂多环基团，

xd4可以选自1至6的整数。

根据一实现例，所述荧光发射体可以包括1,4-二-[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基-苯(DSA-ph：1,4-di-[4-(N,N-diphenyl)amino]styryl-benzene)、4,4'-双(2,2'-二苯基乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi：4,4'-bis(2,2'-diphenylvinyl)-1,1'-biphenyl)、(1,4-双-2,2-二苯基乙烯基)联苯(DPAVBi：(1,4-bis-2,2-diphenylvinyl)biphenyl)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BczVBi：4,4'-bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-1,1'-biphenyl)或者2,5,8,11-四叔丁基苝(TBP：2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene)中的一个以上。

根据一实现例的发光元件，所述第二主体可以包含由以下化学式22表示的化合物：

<化学式22>

[Ar₂₂]a₂₂-[(L₂₂)b₂₂-R₂₂]c₂₂。

在所述化学式22中，

Ar₂₂为被取代或未被取代的C₅-C₆₀碳环基团或者被取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

a₂₂为1、2或3，

L₂₂选自被取代或未被取代的C₃-C₁₀亚环烷基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀亚杂环烷基、被取代或未被取代的C₃-C₁₀亚环烯基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀亚杂环烯基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀亚芳基、被取代或未被取代的C₁-C₆₀亚杂芳基、被取代或未被取代的二价非芳香族缩合多环基团以及被取代或未被取代的二价非芳香族缩合杂多环基团，

b₂₂选自0至5的整数，

R₂₂为重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、被取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、被取代或未被取代的C₂-C₆₀烯基、被取代或未被取代的C₂-C₆₀炔基、被取代或未被取代的C₁-C₆₀烷氧基、被取代或未被取代的C₃-C₁₀环烷基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀杂环烷基、被取代或未被取代的C₃-C₁₀环烯基、被取代或未被取代的C₁-C₁₀杂环烯基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳氧基、被取代或未被取代的C₆-C₆₀芳硫基、被取代或未被取代的C₁-C₆₀杂芳基、被取代或未被取代的单价非芳香族缩合多环基团、被取代或未被取代的1价非芳香族缩合杂多环基团、-Si(Q₂₂₁)(Q₂₂₂)(Q₂₂₃)、-N(Q₂₂₁)(Q₂₂₂)、-B(Q₂₂₁)(Q₂₂₂)、-C(＝O)(Q₂₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₂₁)以及-P(＝O)(Q₂₂₁)(Q₂₂₂)，

c₂₂选自1至5的整数，

Q₂₂₁至Q₂₂₃彼此独立地选自C₁-C₁₀烷基、C₁-C₁₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基以及萘基。

根据一实现例，所述化学式22的Ar₂₂可以包括萘基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、二苯并芴基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、

基团、并四苯基团、苉基团、苝基团、戊芬基团、茚并蒽基团、二苯并呋喃基团或二苯并噻吩基团中的一个。

根据一实现例，所述第二主体可以是选自9,10-二(2-萘基)蒽(ADN：9,10-Di(2-naphthyl)anthracene)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN：2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN：9,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene)以及以下化学式H1至H165中的一个以上。

根据示例性的实施例的发光元件可以包括第一发光层和第二发光层而分别发出第一光和第二光。并且，第一光可以是磷光，第二光可以是TTA荧光，第一光和第二光均可以是蓝色光。

第一光和第二光借由不同的发光机制产生，并且属于相同光谱区域的光可以分别在第一发光层和第二发光层中产生。因此，通过进一步包括第二发光层，能够进一步提高发光元件的色感及发光效率。

根据一实现例，

所述发光元件的第一电极为阳极，

所述发光元件的第二电极为阴极，

所述中间层还可以包括布置于所述第一电极与所述发光层之间的空穴传输区域以及布置于所述发光层与所述第二电极之间的电子传输区域，

所述空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层、缓冲层或者它们的任意组合，

所述电子传输区域可以包括空穴阻挡层、电子调节层、电子传输层、电子注入层或者它们的任意组合。

根据又一实现例，所述发光元件可以包括布置于第一电极的外侧或第二电极的外侧的封盖层。

在本说明书中所指的“(中间层和/或封盖层)包括有机金属化合物”可以被理解为“(中间层和/或封盖层)可以包括属于所述化学式11的范畴的有机金属化合物或者属于所述化学式12的范畴的有机金属化合物”。

本说明书中的术语“中间层”指布置于所述发光元件中的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。

根据又一方面，提供一种包括如上述的发光元件的电子装置。所述电子装置还可以包括薄膜晶体管。例如，所述电子装置还包括包含源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且所述发光元件的第一电极可以电连接于所述源电极或所述漏电极。另外，所述电子装置还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或者它们的任意组合。关于所述电子装置的更详细的说明将参照本说明书中的记载。

[对图1的说明]

图1是示意性地示出根据本发明的一实现例的发光元件10的剖面图。所述发光元件10包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。

以下，将参照图1对根据本发明的一实现例的发光元件10的结构及制造方法进行如下说明。

[第一电极110]

基板可以附加地布置于图1的第一电极110的下部或第二电极150的上部。作为所述基板，可以使用玻璃基板或塑料基板。或者，所述基板可以是柔性基板，例如，可以包括诸如聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethylene terephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚芳酯(PAR：polyarylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)或者它们的任意组合之类的耐热性及耐久性优异的塑料。

所述第一电极110例如，可以通过在所述基板上部利用沉积法或溅射法等提供第一电极110用物质来形成。在所述第一电极110是阳极的情形下，可以利用能够容易地注入空穴的高功函数物质作为第一电极110用物质。

所述第一电极110可以是反射型电极、半透射型电极或透射型电极。为了形成作为透射型电极的第一电极110，可以利用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或者它们的任意组合作为第一电极110用物质。或者，为了形成作为半透射型电极或反射型电极的第一电极110，可以利用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或者它们的任意组合作为第一电极110用物质。

所述第一电极110可以具有由单个层组成(consist of)的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，所述第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[中间层130]

中间层130布置于所述第一电极110上部。所述中间层130包括发光层。

所述中间层130还可以包括布置于所述第一电极110与所述发光层之间的空穴传输区域(hole transport region)以及布置于所述发光层与所述第二电极150之间的电子传输区域(electron transport region)。

除了各种有机物之外，所述中间层130还可以包括如有机金属化合物的含金属化合物、如量子点的无机物等。

另外，所述中间层130可以包括：i)两个以上的发光单元(emitting unit)，按序地堆叠在所述第一电极110与所述第二电极150之间；以及ii)电荷产生层(chargegeneration layer)，布置于所述两个发光单元之间。在所述中间层130包括如上所述的发光单元及电荷产生层的情形下，所述发光元件10可以是串联(tandem)发光元件。

[中间层130中的空穴传输区域]

所述空穴传输区域可以具有如下结构：i)由利用单一物质组成(consist of)的单个层组成(consist of)的单层结构；ii)由包含多个彼此不同的物质的单个层组成(consist of)的单层结构；或者iii)包括包含多个彼此不同的物质的多个层的多层结构。

所述空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层或者它们的任意组合。

例如，所述空穴传输区域可以具有从第一电极110开始依次堆叠的空穴注入层/空穴传输层、空穴注入层/空穴传输层/发光辅助层、空穴注入层/发光辅助层、空穴传输层/发光辅助层或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的多层结构。

所述空穴传输区域可以包括由下述化学式201表示的化合物、由下述化学式202表示的化合物或者它们的任意组合(any combination thereof)：

<化学式201>

<化学式202>

在所述化学式201及所述化学式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₂₀亚烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₂₀亚烯基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa4彼此独立地为0至5的整数中的一个，

xa5为1至10的整数中的一个，

R₂₀₁至R₂₀₄以及Q₂₀₁彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₅亚烷基或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参照下述化合物HT16等)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₅亚烷基或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₈-C₆₀多环基团，

na1可以是1至4的整数中的一个。

例如，所述化学式201及所述化学式202可以分别包括由下述化学式CY201至化学式CY217表示的基团中的至少一个：

在所述化学式CY201至所述化学式CY217中，对R_10b及R_10c的说明分别参照本说明书中对R_10a的说明，并且环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以彼此独立地为C₃-C₂₀碳环基团或者C₁-C₂₀杂环基团，所述化学式CY201至所述化学式CY217中的至少一个氢可以被如在本说明书中记载的R_10a取代或未被取代。

根据一实现例，所述化学式CY201至所述化学式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以彼此独立地为苯基团、萘基团、菲基团或者蒽基团。

根据另一实现例，所述化学式201及所述化学式202可以分别包括由所述化学式CY201至所述化学式CY203表示的基团中的至少一个。

根据又一实施例，所述化学式201可以分别包括由所述化学式CY201至所述化学式CY203表示的基团中的至少一个以及由所述化学式CY204至所述化学式CY217表示的基团中的至少一个。

根据又一实现例，在所述化学式201中，xa1可以为1，R₂₀₁可以为由所述化学式CY201至所述化学式CY203中的一个表示的基团，xa2可以为0，R₂₀₂可以为由所述化学式CY204至所述化学式CY207中的一个表示的基团。

根据又一实现例，所述化学式201及所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至所述化学式CY203表示的基团。

根据又一实现例，所述化学式201及所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至所述化学式CY203表示的基团，但可以包括由所述化学式CY204至所述化学式CY217表示的基团中的至少一个。

根据又一示例，所述化学式201及所述化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至所述化学式CY217表示的基团。

例如，所述空穴传输区域可以包括下述化合物HT1至化合物HT46中的一个、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4″-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA：4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA：Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS：Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate))、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA：Polyaniline/Camphor sulfonic acid)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS：Polyaniline/Poly(4-styrenesulfonate))或者它们的任意组合：

所述空穴传输区域的厚度可以为约

至约

(例如，约

至约

)。在所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层或者它们的任意组合的情形下，所述空穴注入层的厚度可以为约

至约

(例如，约

至约

)，所述空穴传输层的厚度可以为约

至约

(例如，约

至约

)。在所述空穴传输区域、空穴注入层以及空穴传输层的厚度满足如前述的范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下获得令人满意程度的空穴传输特性。

所述发光辅助层是起到通过补偿由从发光层发出的光的波长引起的光学谐振距离而增加光发出效率的作用的层，所述电子阻挡层是起到防止电子从发光层向空穴传输区域泄漏(leakage)的作用的层。上述的可以包括在空穴传输区域的物质可以包含在发光辅助层及电子阻挡层。

[p-掺杂剂]

除了如上所述的物质之外，所述空穴传输区域可以包括用于改善导电性的电荷产生物质。所述电荷产生物质可以均匀地或者不均匀地分散(例如，由电荷产生物质组成(consist of)的单个层的形态)在所述空穴传输区域内。

所述电荷产生物质例如可以是p-掺杂剂。

例如，所述p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可以是-3.5eV以下。

根据一实现例，所述p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素EL1及元素EL2的化合物或者它们的任意组合。

所述醌衍生物的示例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。

所述含氰基化合物的示例可以包括HAT-CN、由下述化学式221表示的化合物等。

<化学式221>

在所述化学式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

所述R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以彼此独立地为被以下基团取代的C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或它们的任意组合取代的C₁-C₂₀烷基；或者它们的任意组合。

在所述含元素EL1及元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或者它们的组合，元素EL2可以是非金属、准金属或者它们的组合。

所述金属的示例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)等。

所述准金属的示例可以包括硅(Si)、锑(Sb)、碲(Te)等。

所述非金属的示例可以包括氧(O)、卤素(例如，F、Cl、Br、I等)等。

例如，所述含元素EL1及元素EL2的化合物可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或者它们的任意组合。

所述金属氧化物的示例可以包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)、铼氧化物(例如，ReO₃等)等。

所述金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物等。

所述碱金属卤化物的示例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI等。

所述碱土金属卤化物的示例可以包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂、BaI₂等。

所述过渡金属卤化物的示例可以包括钛的卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆的卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪的卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒的卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌的卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽的卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬的卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼的卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨的卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰的卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝的卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼的卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁的卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌的卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇的卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴的卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑的卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱的卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍的卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯的卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂的卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜的卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银的卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)、金的卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)等。

所述后过渡金属卤化物的示例可以包括锌的卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟的卤化物(例如，InI₃等)、锡的卤化物(例如，SnI₂等)等。

所述镧系金属卤化物的示例可以包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃、SmI₃等。

所述准金属卤化物的示例可以包括锑的卤化物(例如，SbCl₅等)等。

所述金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)、镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)等。

[中间层130中的发光层]

在所述发光元件10是全色发光元件的情形下，发光层可以按照独立的子像素被图案化为红色发光层、绿色发光层和/或蓝色发光层。或者，所述发光层可以具有红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层中的两个以上的层以接触或者间隔开的方式堆叠的结构，或者具有红色光发出物质、绿色光发出物质以及蓝色光发出物质中的两个以上的物质不区分层地混合的结构，从而发出白色光。

所述发光层可以包括主体及掺杂剂。所述掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或者它们的任意组合。

基于100重量份的主体，所述发光层中的掺杂剂的含量可以是约0.01重量份至约15重量份。

此外，所述发光层可以包括量子点。

另外，所述发光层可以包括延迟荧光物质。所述延迟荧光物质可以起到发光层中的主体或掺杂剂的作用。

所述发光层的厚度可以为约

至约

(例如，约

至约

)。在所述发光层的厚度满足上述范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下呈现出优异的发光特性。

[主体]

所述主体可以包括由下述化学式301表示的化合物：

<化学式301>

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21。

在所述化学式301中，

Ar₃₀₁及L₃₀₁彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xb11为1、2或者3，

xb1为0至5的整数中的一个，

R₃₀₁为氢、重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀烯基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀炔基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀烷氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或者-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21为1至5的整数中的一个，

对Q₃₀₁至Q₃₀₃的说明分别参照本说明书中对Q₁₁的说明。

例如，在所述化学式301中的xb11是2以上的情形下，两个以上的Ar₃₀₁可以通过单键彼此连接。

作为另一例，所述主体可以包括由下述化学式301-1表示的化合物、由下述化学式301-2表示的化合物或者它们的任意组合：

<化学式301-1>

<化学式301-2>

在所述化学式301-1及所述化学式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁为O、S、N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或者Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22及xb23彼此独立地为0、1或者2，

对L₃₀₁、xb1及R₃₀₁的说明分别参照本说明书中的记载，

对L₃₀₂至L₃₀₄的说明彼此独立地参照对所述L₃₀₁的说明，

对xb2至xb4的说明彼此独立地参照对所述xb1的说明，

对R₃₀₂至R₃₀₅以及R₃₁₁至R₃₁₄的说明分别参照对所述R₃₀₁的说明。

作为又一例，所述主体可以包括碱土金属配合物、后过渡金属配合物或者它们的任意组合。例如，所述主体可以包括Be配合物(例如，下述化合物H55)、Mg配合物、Zn配合物或者它们的任意组合。

作为又一例，所述主体可以包括下述化合物H1至化合物H124中的一个、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN：9,10-Di(2-naphthyl)anthracene)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN：2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN：9,10-di-(2-naphthyl)-2-t-butyl-anthracene)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP：4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP：1,3-di-9-carbazolylbenzene)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP：1,3,5-tri(carbazol-9-yl)benzene)或者它们的任意组合：

[磷光掺杂剂]

所述磷光掺杂剂可以包括至少一个过渡金属作为中心金属。

所述磷光掺杂剂可以包括单齿(monodenate)配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或者它们的任意组合。

所述磷光掺杂剂可以是电中性(neutral)的。

例如，所述磷光掺杂剂可以包括由下述化学式401表示的有机金属化合物：

<化学式401>

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2；

<化学式402>

在所述化学式401及所述化学式402中，

M为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或者铥(Tm))，

L₄₀₁是由所述化学式402表示的配体，xc1可以为1、2或者3，其中，在xc1为2以上的情形下，两个以上的L₄₀₁彼此相同或不同，

L₄₀₂为有机配体，xc2为0、1、2、3或者4，在xc2为2以上的情形下，两个以上的L₄₀₂彼此相同或不同，

X₄₀₁及X₄₀₂彼此独立地为氮或者碳，

环A₄₀₁及环A₄₀₂彼此独立地为C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁为单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或者*＝C＝*'，

X₄₀₃及X₄₀₄彼此独立地为化学键(例如，共价键或者配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或者Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

对所述Q₄₁₁至所述Q₄₁₄的说明分别参照本说明书中对Q₁的说明，

R₄₀₁及R₄₀₂彼此独立地为氢、重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₂₀烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₂₀烷氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或者-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

对所述Q₄₀₁至所述Q₄₀₃的说明分别参照本说明书中对Q₁的说明，

xc11及xc12彼此独立地为0至10的整数中的一个，

所述化学式402中的*及*'分别为与所述化学式401中的M的结合位点。

例如，所述化学式402中，i)X₄₀₁可以是氮，X₄₀₂可以是碳，或者ii)X₄₀₁和X₄₀₂均可以是氮。

作为另一例，在所述化学式401中，在xc1为2以上的情形下，两个以上的L₄₀₁中的两个环A₄₀₁选择性地(optionally)通过作为连接基的T₄₀₂彼此连接，或者两个环A₄₀₂选择性地通过作为连接基的T₄₀₃彼此连接(参照下述化合物PD1至化合物PD4以及化合物PD7)。对所述T₄₀₂及T₄₀₃的说明分别参照本说明书中对T₄₀₁的说明。

所述化学式401中的L₄₀₂可以为任意的有机配体。例如，所述L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮(化物)基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸盐基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN基团、磷基团(例如，膦(phosphine)基团、亚磷酸盐(phosphite)基团等)或者它们的任意组合。

所述磷光掺杂剂可以包括例如下述化合物PD1至化合物PD39中的一个或者它们的任意组合：

[荧光掺杂剂]

所述荧光掺杂剂可以包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或者它们的任意组合。

例如，所述荧光掺杂剂可以包括由下述化学式501表示的化合物：

<化学式501>

在所述化学式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁以及R₅₀₂彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xd1至xd3彼此独立地为0、1、2或者3，并且

xd4可以为1、2、3、4、5或者6。

例如，在所述化学式501中，Ar₅₀₁可以包括三个以上的单环基团彼此缩合的缩合环基团(例如，蒽基团、

基团或者芘基团等)。

作为另一例，在所述化学式501中，xd4可以是2。

例如，所述荧光掺杂剂可以包括：下述化合物FD1至化合物FD36中的一个、DPVBi、DPAVBi或者它们的任意组合：

[延迟荧光物质]

所述发光层可以包括延迟荧光物质。

在本说明书中，延迟荧光物质可以从能够基于延迟荧光发出机理发出延迟荧光的任意化合物中选择。

根据包括在所述发光层的其他物质的种类，包括在所述发光层的延迟荧光物质可以起到主体或掺杂剂的作用。

根据一实现例，所述延迟荧光物质的三重态能级(eV)与所述延迟荧光物质的单重态能级(eV)之间的差可以是0eV以上且0.5eV以下。通过使所述延迟荧光物质的三重态能级(eV)与所述延迟荧光物质的单重态能级(eV)之间的差满足如上所述的范围，可以有效地实现所述延迟荧光物质中从三重态转变为单重态的反向能量转移(up-conversion)，因此可以改善所述发光元件10的发光效率等。

例如，所述延迟荧光物质可以包括：i)包括至少一个电子供体(例如，咔唑基团之类的富π电子的C₃-C₆₀环基团(πelectron-rich C₃-C₆₀ cyclic group)等)以及至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基团、贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团(πelectron-deficientnitrogen-containing C₁-C₆₀ cyclic group)等)的物质；ii)包括包含共用硼(B)而缩合的两个以上的环基团的C₈-C₆₀多环基团的物质等。

所述延迟荧光物质的示例可以包括下述化合物DF1至化合物DF9中的至少一个：

[量子点]

所述发光层可以包括量子点。

在本说明书中，量子点是指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发出各种发光波长的光的任意物质。

所述量子点的直径例如可以为约1nm至约10nm。

所述量子点可以通过湿式化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与这些工艺相似的工艺等来合成。

所述湿式化学工艺是将有机溶剂和前驱体物质混合后生长量子点颗粒晶体的方法。当所述晶体生长时，有机溶剂起到自然地配位在量子点晶体表面的分散剂的作用，并且调节所述晶体的生长，因此，可以通过利用比气相沉积法(诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或分子束外延(MBE：MolecularBeam Epitaxy)等)更容易且成本低的工艺来控制量子点颗粒的生长。

所述量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者它们的任意组合。

所述II-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS等；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS等；四元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe等；或者它们的任意组合。

所述III-V族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等；四元化合物，诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等；或者它们的任意组合。另外，所述III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。还包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

所述III-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃、InTe等；三元化合物，诸如InGaS₃、InGaSe₃等；或者它们的任意组合。

所述I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括：三元化合物，诸如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂、AgAlO₂等；或者它们的任意组合。

所述IV-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；或者它们的任意组合。

所述IV族元素或者化合物可以包括：单元素，诸如Si、Ge等；二元化合物，诸如SiC、SiGe等；或者它们的任意组合。

包括在诸如所述二元化合物、三元化合物以及四元化合物的多元化合物中的每一个元素可以以均匀的浓度或者不均匀的浓度存在于颗粒内。

另外，所述量子点可以具有包括在对应的量子点中的每一个元素的浓度均匀的单个结构或者核-壳的双重结构。例如，包括在所述核中的物质可以与包括在所述壳中的物质彼此不同。

所述量子点的壳可以执行用于防止所述核的化学变性而维持半导体特性的保护层的作用和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。所述壳可以是单层或者多层。核与壳之间的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度朝向中心逐渐减小的浓度梯度(gradient)。

所述量子点的壳的示例可以包括金属、准金属或者非金属的氧化物、半导体化合物或者它们的组合等。所述金属、准金属或者非金属的氧化物的示例可以包括：二元化合物，诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄、NiO等；三元化合物，诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄、CoMn₂O₄等；或者它们的任意组合。所述半导体化合物的示例可以包括如在本说明书中记载的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或者它们的任意组合。例如，所述半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或者它们的任意组合。

量子点可以具有约45nm以下(具体为约40nm以下，更具体为约30nm以下)的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM：full width of half maximum)，并且在该范围内，可以改善色纯度或颜色再现性。此外，通过这种量子点发出的光向所有方向发出，因此，可以改善宽视角。

此外，量子点的形态可以具体为球形、角锥形、多臂(multi-arm)形或者立方体(cubic)的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米板等的形态。

通过调节所述量子点的尺寸，可以调节能带隙，从而可以在量子点发光层中获得各种波长带的光。因此，通过使用彼此不同的尺寸的量子点，可以实现发出各种波长的光的发光元件。具体地，所述量子点的尺寸可以选择为能够发出红色光、绿色光和/或蓝色光的尺寸。此外，所述量子点的尺寸可以构成为使多种颜色的光结合以发出白色光。

[中间层130中的电子传输区域]

所述电子传输区域可以具有如下结构：i)由利用单一物质组成(consist of)的单个层组成(consist of)的单层结构；ii)由包含多个彼此不同的物质的单个层组成(consist of)的单层结构；或者iii)包括包含多个彼此不同物质的多个层的多层结构。

所述电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层、电子传输层、电子注入层或者它们的任意组合。

例如，所述电子传输区域可以具有从发光层开始依次堆叠的电子传输层/电子注入层、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层、电子调节层/电子传输层/电子注入层或者缓冲层/电子传输层/电子注入层等的结构。

所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层或者电子传输层)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing C₁-C₆₀ cyclic group)的无金属(metal-free)化合物。

例如，所述电子传输区域可以包括由下述化学式601表示的化合物。

<化学式601>

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

在所述化学式601中，

Ar₆₀₁及L₆₀₁彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11为1、2或者3，

xe1为0、1、2、3、4或者5，

R₆₀₁为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或者-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

对所述Q₆₀₁至Q₆₀₃的说明分别参照本说明书中对Q₁的说明，

xe21为1、2、3、4或者5，

所述Ar₆₀₁、L₆₀₁以及R₆₀₁中的至少一个可以彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团。

例如，在所述化学式601中，xe11为2以上的情形下，两个以上的Ar₆₀₁可以通过单键彼此连接。

作为另一例，在所述化学式601中，Ar₆₀₁可以为被取代或未被取代的蒽基团。

作为又一例，所述电子传输区域可以包括由下述化学式601-1表示的化合物：

<化学式601-1>

在所述化学式601-1中，

X₆₁₄为N或者C(R₆₁₄)，X₆₁₅为N或者C(R₆₁₅)，X₆₁₆为N或者C(R₆₁₆)，X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个为N，

对L₆₁₁至L₆₁₃的说明分别参照对所述L₆₀₁的说明，

对xe611至xe613的说明分别参照对所述xe1的说明，

对R₆₁₁至R₆₁₃的说明分别参照对所述R₆₀₁的说明，

R₆₁₄至R₆₁₆可以彼此独立地为氢、重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团。

例如，在所述化学式601及所述化学式601-1中，xe1及xe611至xe613可以彼此独立地为0、1或者2。

所述电子传输区域可以包括下述化合物ET1至化合物ET45中的一个、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP：2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen：4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ或者它们的任意组合：

所述电子传输区域的厚度可以为约

至约

(例如，约

至约

)。在所述电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层、电子传输层或者它们的任意组合的情形下，所述缓冲层、所述空穴阻挡层或者所述电子调节层的厚度可以彼此独立地为约

至约

(例如，约

至约

)，所述电子传输层的厚度可以为约

至约

(例如，约

至约

)。在所述缓冲层、所述空穴阻挡层、所述电子调节层、所述电子传输层和/或所述电子传输区域的厚度满足如前所述的范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下获得令人满意程度的电子传输特性。

除了如上所述的物质之外，所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属物质。

所述含金属物质可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或者它们的任意组合。所述碱金属配合物的金属离子可以为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或者Cs离子，所述碱土金属配合物的金属离子可以为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或者Ba离子。与所述碱金属配合物及碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以彼此独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者它们的任意组合。

例如，所述含金属物质可以包括Li配合物。所述Li配合物可以包括例如下述化合物ET-D1(LiQ)或者化合物ET-D2：

所述电子传输区域可以包括使来自第二电极150的电子容易地注入的电子注入层。所述电子注入层可以与所述第二电极150直接(directly)接触。

所述电子注入层可以具有如下结构：i)由利用单一物质组成(consist of)的单个层组成(consist of)的单层结构；ii)由包含多个彼此不同的物质的单个层组成(consistof)的单层结构；或者iii)具有包含多个彼此不同的物质的多个层的多层结构。

所述电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或者它们的任意组合。

所述碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或者它们的任意组合。所述碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或者它们的任意组合。所述稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或者它们的任意组合。

所述含碱金属化合物、所述含碱土金属化合物以及所述含稀土金属化合物可以包括所述碱金属、所述碱土金属以及所述稀土金属各自的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)、碲化物或者它们的任意组合。

所述含碱金属化合物可以包括诸如Li₂O、Cs₂O、K₂O等的碱金属氧化物、诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI等的碱金属卤化物或者它们的任意组合。所述含碱土金属化合物可以包括诸如，BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x是满足0<x<1的实数)、Ba_xCa_1-xO(x是满足0<x<1的实数)等的碱土金属化合物。所述含稀土金属化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或者它们的任意组合。或者，所述含稀土金属化合物可以包括镧系金属碲化物。所述镧系金属碲化物的示例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃、Lu₂Te₃等。

所述碱金属配合物、所述碱土金属配合物以及所述稀土金属配合物可以包括：i)如上所述的碱金属、碱土金属以及稀土金属的离子中的一个；以及ii)与所述金属离子结合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或者它们的任意组合。

所述电子注入层可以仅由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或者它们的任意组合来组成，或者还可以包括有机物(例如，由所述化学式601表示的化合物)。

根据一实现例，所述电子注入层可以i)由含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)组成(consist of)，或者ii)由a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或者它们的任意组合组成。例如，所述电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层等。

在所述电子注入层还包括有机物的情形下，所述碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或者它们的任意组合可以均匀地或者不均匀地分散在包括所述有机物的基质中。

所述电子注入层的厚度可以为约

至约

约

至约

在所述电子注入层的厚度满足如上所述的范围的情形下，可以在不实质性地增大驱动电压的情况下具备令人满意程度的电子注入特性。

[第二电极150]

第二电极150布置于如上所述的中间层130上部。所述第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极(cathode)，此时，可以使用具有低功函数的金属、合金、导电性化合物或者它们的任意组合作为所述第二电极150用物质。

所述第二电极150可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或者它们的任意组合。所述第二电极150可以是透射型电极、半透射型电极或者反射型电极。

所述第二电极150可以具有单个层的单层结构或者包括多个层的多层结构。

[封盖层]

第一封盖层可以布置于第一电极110的外侧，和/或第二封盖层可以布置于第二电极150的外侧。具体地，所述发光元件10可以具有：第一封盖层、第一电极110、中间层130以及第二电极150依次堆叠的结构；第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二封盖层依次堆叠的结构；或者第一封盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二封盖层依次堆叠的结构。

在所述发光元件10的中间层130中，从发光层产生的光可以通过作为半透射型电极或透射型电极的第一电极110以及第一封盖层朝向外部提取，并且在发光元件10的中间层130中，从发光层产生的光可以通过作为半透射型电极或透射型电极的第二电极150以及第二封盖层朝向外部提取。

所述第一封盖层及所述第二封盖层可以根据相长干涉的原理而起到增大外部发光效率的作用。由此，所述发光元件10的光提取效率增大，使得可以改善所述发光元件10的发光效率。

所述第一封盖层及所述第二封盖层中的每一个可以包括具有1.6以上的折射率(在589nm处)的物质。

所述第一封盖层及所述第二封盖层可以彼此独立地为包括有机物的有机封盖层、包括无机物的无机封盖层或者包括有机物及无机物的有机-无机复合封盖层。

所述第一封盖层及所述第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟吩衍生物(porphine derivatives)、酞菁衍生物(phthalocyanine derivatives)、萘酞菁衍生物(naphthalocyanine derivatives)、碱金属配合物、碱土金属配合物或者它们的任意组合。所述碳环化合物、杂环化合物以及含胺基化合物可以选择性地被包含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或者它们的任意组合的取代基取代。根据一实现例，所述第一封盖层及所述第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括含胺基化合物。

例如，所述第一封盖层及所述第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括由所述化学式201表示的化合物、由所述化学式202表示的化合物或者它们的任意组合。

根据又一实现例，所述第一封盖层及所述第二封盖层中的至少一个可以彼此独立地包括所述化合物HT28至所述化合物HT33中的一个、下述化合物CP1至化合物CP6中的一个、β-NPB或者它们的任意组合：

[薄膜]

由所述化学式11或所述化学式12表示的有机金属化合物可以被包括在各种薄膜中。因此，根据另一方面，提供一种包含由所述化学式11或所述化学式12表示的有机金属化合物的薄膜。所述薄膜例如可以为光学部件(或光控制单元)(例如，滤色器、颜色转换部件、封盖层、光提取效率提高层、选择性光吸收层、偏振层、含量子点层等)、遮光部件(例如，光反射层、光吸收层等)、保护部件(例如，绝缘层、电介质层等)等。

[电子装置]

所述发光元件10可以包括在各种电子装置中。例如，包括所述发光元件10的电子装置可以是发光装置、认证装置等。

除了所述发光元件10之外，所述电子装置(例如，发光装置)还可以包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器及颜色转换层。所述滤色器和/或颜色转换层可以布置于从发光元件10发出的光中的至少一个的行进方向上。例如，从所述发光元件10发出的光可以是蓝色光或者白色光。对所述发光元件10的说明参照上述的说明。根据一实现例，所述颜色转换层可以包括量子点。所述量子点可以是例如与本说明书中记载的量子点相同的量子点。

所述电子装置可以包括第一基板。所述第一基板可以包括多个子像素区域，所述滤色器可以包括与所述多个子像素区域分别对应的多个滤色器区域，所述颜色转换层可以包括与所述多个子像素区域分别对应的多个颜色转换区域。

像素限定膜布置于所述多个子像素区域之间以限定各个子像素区域。

所述滤色器还可以包括多个滤色器区域及布置于多个滤色器区域之间的阻光图案，所述颜色转换层还可以包括多个颜色转换区域及布置于多个颜色转换区域之间的阻光图案。

所述多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)包括：第一区域，发出第一颜色光；第二区域，发出第二颜色光；和/或第三区域，发出第三颜色光，其中，所述第一颜色光、所述第二颜色光和/或所述第三颜色光可以具有彼此不同的最大发光波长。例如，所述第一颜色光可以是红色光，所述第二颜色光可以是绿色光，所述第三颜色光可以是蓝色光。例如，所述多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括量子点。具体地，所述第一区域可以包括红色量子点，所述第二区域可以包括绿色量子点，并且所述第三区域可以不包括量子点。对于量子点的说明参照本说明书中的记载。所述第一区域、所述第二区域和/或所述第三区域中的每一个还可以包括散射体。

例如，所述发光元件10可以发出第1光，所述第一区域可以吸收所述第1光并发出第1-1颜色光，所述第二区域可以吸收所述第1光并发出第2-1颜色光，所述第三区域可以吸收所述第1光并发出第3-1颜色光。此时，所述第1-1颜色光、所述第2-1颜色光以及所述第3-1颜色光可以具有彼此不同的最大发光波长。具体地，所述第1光可以是蓝色光，所述第1-1颜色光可以是红色光，所述第2-1颜色光可以是绿色光，所述第3-1颜色光可以是蓝色光。

除了如上所述的发光元件10之外，所述电子装置还可以包括薄膜晶体管。所述薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极以及有源层，其中，所述源电极及所述漏电极中的任意一个可以电连接到所述发光元件10的第一电极110及第二电极150中的任意一个。

所述薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘膜等。

所述有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。

所述电子装置还可以包括用于密封发光元件10的密封部。所述密封部可以布置于所述滤色器和/或颜色转换层与所述发光元件10之间。所述密封部可以允许来自所述发光元件10的光被提取到外部，同时防止外部空气及湿气渗透到所述发光元件10。所述密封部可以是包括透明的玻璃基板或塑料基板的密封基板。所述密封部可以是包括一层以上的有机层和/或无机层的薄膜封装层。在所述密封部是薄膜封装层的情形下，所述电子装置可以是柔性的。

在所述密封部上，除了所述滤色器和/或颜色转换层之外，还可以根据所述电子装置的用途而附加地布置多种功能层。所述功能层的示例可以包括触摸屏层、偏振层等。所述触摸屏层可以是压敏式触摸屏层、电容式触摸屏层或者红外线式触摸屏层。所述认证装置例如可以是通过利用生物体(例如，指尖、瞳孔等)的生物体信息来认证个体的生物体认证装置。

除了如上所述的发光元件10之外，所述认证装置还可以包括生物体信息收集单元。

所述电子装置可以应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、便携式电话、数码相机、电子手册、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示装置、超声诊断装置、内窥镜用显示装置)、寻鱼器、各种测量仪器、仪表类(例如，用于车辆、飞机、船舶的仪表类)、投影仪等。

[针对图2及图3的说明]

图2是根据本发明的一实施例的发光装置的剖面图。

图2的发光装置包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光元件以及密封发光元件的封装部300。

所述基板100可以是柔性基板、玻璃基板或者金属基板。缓冲层210可以布置于所述基板100上。所述缓冲层210起到防止杂质通过基板100而渗透且在基板100上部提供平坦的表面的作用。

薄膜晶体管(TFT)可以布置于所述缓冲层210上。所述薄膜晶体管(TFT)可以包括有源层220、栅电极240、源电极260以及漏电极270。

所述有源层220可以包括诸如硅或多晶硅之类的无机半导体、有机半导体或氧化物半导体，并且包括源极区域、漏极区域以及沟道区域。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230可以布置于所述有源层220的上部，栅电极240可以布置于栅极绝缘膜230上部。

层间绝缘膜250可以布置于所述栅电极240的上部。所述层间绝缘膜250分别布置于栅电极240与源电极260之间以及栅电极240与漏电极270之间，从而起到使栅电极240与源电极260、栅电极240与漏电极270绝缘的作用。

源电极260及漏电极270可以布置于所述层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250及栅极绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源极区域及漏极区域，并且源电极260及漏电极270可以布置为与这种有源层220的源极区域及漏极区域的暴露部分接触。

如上述的薄膜晶体管(TFT)可以电连接到发光元件以驱动发光元件，并且可以被钝化层280覆盖而保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或者它们的组合。发光元件可以设置在钝化层280上。所述发光元件包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。

所述第一电极110可以布置于钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270而以暴露漏电极270的预定的区域的方式布置，第一电极110可以布置为与暴露的漏电极270连接。

包括绝缘物的像素限定膜290可以布置于所述第一电极110上。像素限定膜290暴露第一电极110的预定区域，中间层130可以形成在暴露的区域。像素限定膜290可以是聚酰亚胺类有机膜或聚丙烯酸类有机膜。虽然未图示于图2，但中间层130中的一部分以上的层可以延伸至像素限定膜290的上部，并且以公共层的形式布置。

第二电极150可以布置于所述中间层130上，封盖层170可以附加地形成在第二电极150上。封盖层170可以形成为覆盖第二电极150。

封装部300可以布置于所述封盖层170上。封装部300可以布置于发光元件上且具有保护发光元件免受水分或氧气的影响的作用。封装部300可以包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、铟锡氧化物、铟锌氧化物或者它们的组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂肪烃缩水甘油醚(AGE：aliphatic glycidyl ether)等)或者它们的任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。

图3是根据本发明的另一实施例的发光装置的剖面图。

除了阻光图案500及功能性区域400追加地布置于封装部300上部这一点之外，图3的发光装置与图2的发光装置为相同的发光装置。所述功能区域400可以是：i)滤色器区域；ii)颜色转换区域；或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。根据一实现例，包括在图3的发光装置的发光元件可以是串联发光元件。

[制造方法]

包括在所述空穴传输区域的各个层、发光层以及包括在电子传输区域的各个层分别可以通过利用真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布洛杰特法(LB：Langmuir-Blodgett)、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(LITI：Laser Induced ThermalImaging)等之类的多种方法形成在预定区域。

在通过真空沉积法来分别形成包括在所述空穴传输区域的各个层、发光层以及包括在电子传输区域的各个层的情形下，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度以及约

/秒至约

/秒的沉积速度范围内，考虑欲包括在要形成的层中的材料及要形成的层的结构而选择沉积条件。

[术语的定义]

在本说明书中C₃-C₆₀碳环基团是指仅利用碳作为成环原子组成的碳原子数为3至60的环基团，C₁-C₆₀杂环基团是指除了碳之外，还包括杂原子作为成环原子的碳原子数为1至60的环基团。所述C₃-C₆₀碳环基团及C₁-C₆₀杂环基团可以分别是由一个环组成的单环基团或者是两个以上的环彼此缩合的多环基团。例如，所述C₁-C₆₀杂环基团的成环原子数可以是3个至61个。

在本说明书中环基团包括所述C₃-C₆₀碳环基团及C₁-C₆₀杂环基团这两者。

在本说明书中，富π电子的C₃-C₆₀环基团(πelectron-rich C₃-C₆₀ cyclic group)是指不包括*-N＝*'作为成环部分的碳原子数为3至60的环基团，贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing C₁-C₆₀ cyclic group)是指包括*-N＝*'作为成环部分的碳原子数为1至60的杂环基团。

例如，

所述C₃-C₆₀碳环基团可以是：i)基团T1；或者ii)两个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、

基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或者茚并蒽基团)，

所述C₁-C₆₀杂环基团可以是：i)基团T2；ii)两个以上的基团T2彼此缩合的缩合环基团；或者iii)一个以上的基团T2和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

所述富π电子的C₃-C₆₀环基团可以是：i)基团T1；ii)两个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团；iii)基团T3；iv)两个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团T3和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，所述C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯(borole)基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，

所述贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团可以是：i)基团T4；ii)两个以上的基团T4彼此缩合的缩合环基团；iii)一个以上的基团T4和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团；iv)一个以上的基团T4和一个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团T4、一个以上的基团T1及一个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

所述基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷(adamantane)基团、降冰片烷(norbornane)(或双环[2.2.1]庚烷(bicyclo[2.2.1]heptane))基团、降冰片烯(norbornene)基团、双环[1.1.1]戊烷(bicyclo[1.1.1]pentane)基团、双环[2.1.1]己烷(bicyclo[2.1.1]hexane)基团、双环[2.2.2]辛烷基团或者苯基团，

所述基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯(borole)基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑(isoxazole)基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或者二氢哒嗪基团，

所述基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或者硼杂环戊二烯(borole)基团，并且

所述基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑(isoxazole)基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或者四嗪基团。

在本说明书中的术语环基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、富π电子的C₃-C₆₀环基团或贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团是指根据使用该术语的化学式的结构与任意环基团缩合的基团，可以是单价基团或者多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基、亚苯基等，本领域普通技术人员可以根据包括“苯基团”的化学式的结构而容易地理解。

例如，单价C₃-C₆₀碳环基团及单价C₁-C₆₀杂环基团的示例可以包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳香族缩合多环基团以及单价非芳香族缩合杂多环基团；二价C₃-C₆₀碳环基团及二价C₁-C₆₀杂环基团的示例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳香族缩合多环基团以及二价非芳香族缩合杂多环基团。

在本说明书中C₁-C₆₀烷基是指碳原子数为1至60的直链型或支链型的脂肪烃单价(monovalent)基团，其具体示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基、叔癸基等。本说明书中的C₁-C₆₀亚烷基是指具有与所述C₁-C₆₀烷基相同结构的二价(divalent)基团。

在本说明书中C₂-C₆₀烯基是指在C₂-C₆₀烷基的中间或者末端包括一个以上的碳-碳双键的单价烃基团，其具体示例包括乙烯基、丙烯基、丁烯基等。在本说明书中C₂-C₆₀亚烯基是指具有与所述C₂-C₆₀烯基相同结构的二价基团。

在本说明书中C₂-C₆₀炔基是指在C₂-C₆₀烷基的中间或者末端包括一个以上的碳-碳三键的单价烃基团，其具体示例包括乙炔基、丙炔基等。本说明书中C₂-C₆₀亚炔基是指具有与所述C₂-C₆₀炔基相同结构的二价基团。

在本说明书中C₁-C₆₀烷氧基是指具有-OA₁₀₁(其中，A₁₀₁是所述C₁-C₆₀烷基)的化学式的单价基团，其具体示例包括甲氧基、乙氧基、异丙氧基等。

在本说明书中C₃-C₁₀环烷基是指碳原子数为3至10的单价饱和烃环基团，其具体示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)(或双环[2.2.1]庚基(bicyclo[2.2.1]heptyl))、双环[1.1.1]戊基(bicyclo[1.1.1]pentyl)、双环[2.1.1]己基(bicyclo[2.1.1]hexyl)、双环[2.2.2]辛基等。在本说明书中C₃-C₁₀亚环烷基是指具有与C₃-C₁₀环烷基相同结构的二价基团。

在本说明书中C₁-C₁₀杂环烷基是指除了碳原子之外，还包括至少一个杂原子作为成环原子的碳原子数为1至10的单价环基团，其具体示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基(1,2,3,4-oxatriazolidinyl)、四氢呋喃基(tetrahydrofuranyl)、四氢噻吩基等。在本说明书中C₁-C₁₀亚杂环烷基是指具有与所述C₁-C₁₀杂环烷基相同结构的二价基团。

在本说明书中C₃-C₁₀环烯基是指碳原子数为3至10的单价环基团，其表示在环内具有至少一个碳-碳双键，但不具有芳香性(aromaticity)的基团，其具体示例包括环戊烯基、环己烯基、环庚烯基等。在本说明书中C₃-C₁₀亚环烯基是指与所述C₃-C₁₀环烯基具有相同结构的二价基团。

在本说明书中C₁-C₁₀杂环烯基是指除了碳原子之外还包括至少一个杂原子作为成环原子的碳原子数为1至10的单价环基团，在环内具有至少一个双键。所述C₁-C₁₀杂环烯基的具体示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基、2,3-二氢噻吩基等。在本说明书中C₁-C₁₀亚杂环烯基是指具有与所述C₁-C₁₀杂环烯基相同结构的二价基团。

在本说明书中C₆-C₆₀芳基是指具有碳原子数为6至60的碳环芳香族体系的单价(monovalent)基团，C₆-C₆₀亚芳基是指具有碳原子数为6至60的碳环芳香族体系的二价(divalent)基团。所述C₆-C₆₀芳基的具体示例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基等。在所述C₆-C₆₀芳基及C₆-C₆₀亚芳基包括两个以上的环的情况下，所述两个以上的环可以彼此缩合。

在本说明书中C₁-C₆₀杂芳基是指除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香族体系的单价基团，C₁-C₆₀亚杂芳基是指除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香族体系的二价基团。所述C₁-C₆₀杂芳基的具体示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基等。在所述C₁-C₆₀杂芳基及C₁-C₆₀亚杂芳基包括两个以上的环的情况下，两个以上的环可以彼此缩合。

在本说明书中单价非芳香族缩合多环基团(non-aromatic condensedpolycyclic group)是指两个以上的环彼此缩合，并且作为成环原子仅包括碳原子，且整个分子具有非芳香性(non-aromaticity)的单价基团(例如，具有8至60的碳原子数)。所述单价非芳香族缩合多环基团的具体示例包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、茚并蒽基等。在本说明书中二价非芳香族缩合多环基团是指具有与所述单价非芳香族缩合多环基团相同结构的二价基团。

在本说明书中单价非芳香族缩合杂多环基团(non-aromatic condensedheteropolycyclic group)是指两个以上的环彼此缩合，并且除了碳原子以外还包括至少一个杂原子作为成环原子，且整个分子具有非芳香性的单价基团(例如，具有1至60的碳原子数)。所述单价非芳香族缩合杂多环基团的具体示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二并苯并噻吩基等。在本说明书中二价非芳香族缩合杂多环基团是指具有与所述单价非芳香族缩合杂多环基团相同结构的二价基团。

在本说明书中C₆-C₆₀芳氧基是指-OA₁₀₂(其中，A₁₀₂是所述C₆-C₆₀芳基)，所述C₆-C₆₀芳硫基(arylthio)是指-SA₁₀₃(其中，A₁₀₃是所述C₆-C₆₀芳基)。

在本说明书中“C₇-C₆₀芳烷基”是指-A₁₀₄A₁₀₅(其中，A₁₀₄是C₁-C₅₄亚烷基，A₁₀₅是C₆-C₅₉芳基)，在本说明书中C₂-C₆₀杂芳烷基是指-A₁₀₆A₁₀₇(其中，A₁₀₆是C₁-C₅₉亚烷基，A₁₀₇是C₁-C₅₉杂芳基)。

在本说明书中“R_10a”可以为：

重氢(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或者硝基；

被重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或者它们的任意组合取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或者C₁-C₆₀烷氧基；

被重氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或者它们的任意组合取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或者C₂-C₆₀杂芳烷基；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或者-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

在本说明书中所述Q₁₁至所述Q₁₃、所述Q₂₁至所述Q₂₃以及所述Q₃₁至所述Q₃₃可以彼此独立地为：氢；重氢；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者被重氢、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或者它们的任意组合取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团；C₇-C₆₀芳烷基或者C₂-C₆₀杂芳烷基。

在本说明书中杂原子是指除了碳原子以外的任意原子。所述杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或者它们的任意组合。

在本说明书中第三行过渡金属(third-row transition metal)包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)以及金(Au)等。

在本说明书中“Ph”是指苯基、“Me”是指甲基、“Et”是指乙基、“tert-Bu”或“Bu^t”是指叔丁基、“OMe”是指甲氧基。

在本说明书中“联苯基”是指“被苯基取代的苯基”。所述“联苯基”属于取代基为“C₆-C₆₀芳基”的“被取代的苯基”。

在本说明书中“三联苯基”是指“被联苯基取代的苯基”。所述“三联苯基”属于取代基为“被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基”的“被取代的苯基”。

在本说明书中，除非另有定义，否则*及*'意指在对应的化学式或者部分中与相邻的原子之间的结合位点。

在下文中，通过合成例及实施例对本发明的一实现例的化合物及发光元件进行更具体的说明。在下述合成例中，“用B替代了A”的表述中A的摩尔当量和B的摩尔当量彼此相同。

[实施例]

通过模拟而得到表1的各个化合物的能级，具体条件如下。

TD DFT:B3LYP/6-31G*TD＝(50-50,Nstates＝3)

[表1]

包括在第一主体中ET(1)和ET(2)的结构式如下。

发光元件的制造

实施例1

将沉积有ITO阳极的基底切割为50mm×50mm×0.7mm的尺寸，利用异丙醇和纯水分别超声清洗所述基板5分钟，用紫外线照射所述基板30分钟，并通过将所述基板暴露于臭氧进行清洗，并将经清洗的基板设置于真空沉积装置。

在ITO基板上部真空沉积化合物2-TNATA而形成厚度为

的空穴注入层之后，在所述空穴注入层上部真空沉积4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯(NPB：4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl)而形成了厚度为

的空穴传输层。并且在所述空穴传输层上部，真空沉积4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA：4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)而形成了厚度为

的缓冲层。

然后，在所述缓冲层的上部以45:45:10的重量比共沉积作为空穴传输主体的4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP：4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl)、作为电子传输主体的5-(二苯并[b,d]呋喃-4-基)-1-(4,6-二苯基-1,3,5-三嗪-2-基)-1H-吲哚(FITRZ：(ET(1)，5-(dibenzo[b,d]furan-4-yl)-1-(4,6-diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-1H-indole))以及作为磷光发射体的PtNON而形成了厚度为

的第一发光层。

此外，在所述第一发光层的上部以90:10的重量比共沉积作为第二主体的2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN：2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene)以及作为荧光发射体的1,4-二-[4-(N,N-二苯基)氨基]苯乙烯基-苯(DSA-ph：1,4-di-[4-(N,N-diphenyl)amino]styryl-benzene)而形成了厚度为

的第二发光层。

通过在所述发光层上真空沉积二苯基-(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)-氧化膦(TSPO1：diphenyl-(4-(triphenylsilyl)phenyl)-phosphine oxide)至

的厚度来形成空穴阻挡层之后，在所述发光层上部沉积Alq₃至

的厚度来形成电子传输层，然后在所述电子传输层上部沉积作为卤化碱金属的LiF至

的厚度来形成电子注入层，并真空沉积Al至

的厚度来形成LiF/Al阴极，从而制造了发光元件。

实施例2

除了第一发光层的厚度为

且第二发光层的厚度为

这一点之外，以与实施例1相同的方式准备了发光元件。

实施例3

除了第一发光层的厚度为

且第二发光层的厚度为

这一点之外，以与实施例1相同的方式准备了发光元件。

实施例4

除了第一发光层的厚度为

且第二发光层的厚度为

这一点之外，以与实施例1相同的方式准备了发光元件。

比较例1

除了第一发光层的厚度为

且不包括第二发光层这一点之外，以与实施例1相同的方式准备了发光元件。

评价例

向根据实施例1至实施例4和比较例1制造的发光元件施加相同的5V驱动电压。分别利用Keithley MU 236及亮度计PR650测量了电流密度(mA/cm²)、发光效率(cd/A)、量子效率(％)、功率效率(lm/W)、发光颜色以及最大波长(nm)，并将其结果示于下述表2中。

[表2]

从上述表2可以确定，相比于比较例1的发光元件，根据实施例的发光元件在发光效率、量子效率、功率效率方面均优异，并且能够稳定且有效地发出蓝色光。

Claims (10)

1.一种发光元件，包括：

第一电极；

第二电极，与所述第一电极对向；以及

中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括发光层，

其中，所述发光层包括第一发光层和第二发光层，

其中，所述第一发光层包括磷光发射体和第一主体，

其中，所述第二发光层包括荧光发射体和第二主体，

其中，所述磷光发射体能够发出具有第一发光光谱的第一光，

所述第一光是蓝色光。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述荧光发射体能够发出具有第二发光光谱的第二光，

所述第二光是蓝色光。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一发光层和所述第二发光层彼此直接接触。

4.根据权利要求1所述的发光元件，还包括：

空穴传输区域，布置于所述第一电极与所述发光层之间；以及

电子传输区域，布置于所述发光层与所述第二电极之间，

其中，所述第一发光层布置于所述空穴传输区域与所述第二发光层之间。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一发光光谱的发光峰值波长为400nm至500nm。

6.根据权利要求2所述的发光元件，其中，

所述第二发光光谱的发光峰值波长为400nm至500nm。

7.根据权利要求2所述的发光元件，其中，

所述发光层能够发出具有第三发光光谱的第三光，

所述第三光是蓝色光。

8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，

所述第三光是所述第一光与所述第二光的混色光。

9.一种电子装置，包括权利要求1所述的发光元件。

10.根据权利要求9所述的电子装置，还包括：

薄膜晶体管，

所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，

所述发光元件的第一电极电连接于所述薄膜晶体管的源电极和漏电极中的至少一个。

Images