CN116390525A

CN116390525A - 发光装置和包括发光装置的电子设备

Info

Publication number: CN116390525A
Application number: CN202211694144.2A
Authority: CN
Inventors: 金美更; 埃莉维拉·蒙特内格罗; 杰斯·恩格尔哈特; 克利斯汀·艾克霍夫; 罗寿焕; 金憓临; 徐智贤; 申铉秀; 张韩星
Original assignee: Merck Patent GmbH; Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Merck Patent GmbH; Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-12-31
Filing date: 2022-12-28
Publication date: 2023-07-04
Also published as: EP4216696A1; JP2023099506A; US20230217812A1

Abstract

本发明涉及发光装置和包括发光装置的电子设备。发光装置包括：第一电极；面向第一电极的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中：夹层可进一步包括在发射层和第一电极之间的空穴传输区，空穴传输区可包括第一层和第二层，第二层在第一层和发射层之间，第一层可包括第一胺类化合物，第二层可包括第二胺类化合物，并且第一胺类化合物和第二胺类化合物可彼此不同。

Description

发光装置和包括发光装置的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求分别于2021年12月31日和2022年2月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0194248号和第10-2022-0018470号的优先权和权益，其每一篇的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开的一个或多个实施方式涉及发光装置和包括其的电子设备。

背景技术

在发光装置中，自发射装置具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面卓越的特点。

在发光装置中，第一电极在基板上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次在第一电极上。从第一电极提供的空穴穿过空穴传输区朝着发射层移动，并且从第二电极提供的电子穿过电子传输区朝着发射层移动。载流子，比如空穴和电子，在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而生成光。

发明内容

本公开的一个或多个实施方式包括具有低驱动电压、高发光效率和长寿命的发光装置。

实施方式的另外的方面将部分在下述的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或可通过本公开的呈现的实施方式的实践而了解到。

根据一个或多个实施方式，提供了发光装置，包括：第一电极，

面向第一电极的第二电极，以及

在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中：

夹层可进一步包括在发射层和第一电极之间的空穴传输区，

空穴传输区可包括第一层和第二层，第二层在第一层和发射层之间，

第一层可包括第一胺类化合物，

第二层可包括第二胺类化合物，

第一胺类化合物和第二胺类化合物可彼此不同，并且

可满足选自条件1-1至条件1-3中的至少一个。

条件1-1

第一胺类化合物包括两个或更多个芴部分。

条件1-2

第二胺类化合物包括两个或更多个芴部分。

条件1-3

第一胺类化合物和第二胺类化合物各自包括两个或更多个芴部分。

根据一个或多个实施方式，提供了包括发光装置的电子设备。

附图说明

结合所附附图，本公开的某些实施方式的上面的和其他的方面和特征将从下述描述中更显而易见，其中：

图1为根据实施方式的发光装置的示意性横截面图；并且

图2和图3各自为根据实施方式的发光设备的横截面图。

具体实施方式

现将更详细地参考其示例阐释在所附附图中的实施方式，其中遍及说明书相同的附图标记指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的描述。相应地，下面只是通过参考图来描述实施方式，以解释本描述的实施方式的方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。遍及本公开，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅仅a，仅仅b，仅仅c，a和b二者，a和c二者，b和c二者，所有的a、b和c，或其变型。

本公开的主题可包括各种修改和各种实施方式，并且示例实施方式将在附图中阐释并且在详细描述中更详细地描述。下面结合附图参考在本文中描述的实施方式，本公开的主题的效果和特征以及其实施方法将变得清楚。然而，本公开的主题可具体化为许多不同的形式，并且不应解释为限于在本文中陈述的实施方式。

下文，将参考所附附图更详细地描述本公开的实施方式。相同的或对应的元件将由相同的附图标记表示，并且因此，将不再重复其冗余的描述。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一元件。

除非以单数使用的表述在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述囊括复数的表述。

在下述实施方式中，应理解，术语比如“包括”、“具有”和“包含”旨在指示存在在说明书中公开的特征或元件，并且不旨在排除可存在或可添加一个或多个其他特征或元件的可能性。

在下述实施方式中，当各种元件比如层、膜、区、板等称为“在”另一元件“上”时，这不仅可包括其中这些各种元件“直接在”层、膜、区或板“上”的情况，而且也包括其中其他元件可放置在它们之间的情况。为了方便解释，可放大附图中元件的尺寸。换句话说，因为为了方便解释，可随意阐释附图中元件的尺寸和厚度，所以下述实施方式不限于此。

如在本文中使用的，术语“夹层”指在发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层中的全部。

如在本文中使用的，表述“C由D组成”指其中区C仅由属于化合物D的类别的任何化合物或其任何组合组成的情况。相应地，当C由D组成时，不属于化合物D的类别的任何化合物可不包括在区C中。

如在本文中使用的，术语“芴部分”指包括与环戊烷稠合的两个或更多个环状基团(例如，C₅-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基)的部分，其中构成环戊烷的一些碳的取代基可彼此键合，以和与取代基键合的碳一起形成螺结构。例如，芴部分可指由式A表示的基团或由式B表示的基团。

式A

式B

下面将在本文中更详细地描述式A和式B。

另外，当特定的化合物包括两个或更多个芴部分时，可理解，“特定的化合物包括两个或更多个相同类型(或种类)或不同类型(或种类)的芴部分”。

例如，表述“化合物1包括两个芴部分”可包括：i)其中化合物1包括两个相同的由式A表示的芴部分的情况，ii)其中化合物1包括两个不同的由式A表示的芴部分的情况，iii)其中化合物1包括两个相同的由式B表示的芴部分的情况，iv)其中化合物1包括两个不同的由式B表示的芴部分的情况，以及v)其中化合物1包括由式A表示的芴部分和由式B表示的芴部分，其中由式A表示的芴部分不同于由式B表示的芴部分的情况。

在本文中，通过利用高斯程序包(高斯16，可从高斯公司获得)进行的量子化学计算来提供最低激发三重态能级(T₁)和最高占据分子轨道(HOMO)能级。利用B3LYP杂化泛函和6-31G(d)基组(B3LYP/6-31G(d)理论水平)来优化单重态基态几何学。随后，使用优化的基态几何学和相同理论水平B3LYP/6-31G(d)来计算含时密度泛函理论(TD-DFT)单重态和三重态激发能(垂直跃迁)。采用自洽场(SCF)和几何收敛的默认设置。

根据一个或多个实施方式，提供了发光装置，包括：第一电极；

面向第一电极的第二电极；以及

在第一电极和第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中：

夹层可进一步包括在发射层和第一电极之间的空穴传输区，

第一层可包括第一胺类化合物，

第二层可包括第二胺类化合物，

第一胺类化合物和第二胺类化合物可彼此不同，并且

可满足选自条件1-1至条件1-3中的至少一个：

条件1-1

第一胺类化合物包括两个或更多个芴部分；

条件1-2

第二胺类化合物包括两个或更多个芴部分；和

条件1-3

例如，第一胺类化合物和第二胺类化合物可满足：i)仅条件1-1；ii)仅条件1-2；或iii)条件1-1、条件1-2和条件1-3中的全部。

在实施方式中，第一胺类化合物和第二胺类化合物可满足条件1-2；或条件1-2和条件1-3。

在实施方式中，第一胺类化合物和第二胺类化合物可满足选自条件1-2a和条件1-3a中的至少一个：

条件1-2a

第二胺类化合物包括经两个或更多个芴部分各自的4-位附接的两个或更多个芴部分；和

条件1-3a

第一胺类化合物和第二胺类化合物各自包括经两个或更多个芴部分各自的4-位附接的两个或更多个芴部分。

在实施方式中，两个或更多个芴部分可彼此相同或不同。对于更多细节，可参考上面提供的相关描述。

在实施方式中，在发光装置中，第一电极可为阳极，

第二电极可为阴极，

夹层可进一步包括在发射层和第二电极之间的电子传输区，

空穴传输区可包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且

电子传输区可包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。

在实施方式中，空穴传输区可进一步包括空穴传输层，并且

空穴传输层可直接接触(例如，物理接触)第一层。

在实施方式中，空穴传输层可不包括p-掺杂剂。下面将在本文中更详细地描述p-掺杂剂。

在实施方式中，第一层可直接接触(例如，物理接触)第二层。

在实施方式中，第二层可直接接触(例如，物理接触)发射层。

在实施方式中，发射层可包括磷光掺杂剂。下面将在本文中更详细地描述磷光掺杂剂。

在实施方式中，发射层可发射绿光。

在实施方式中，发射层可发射具有约500nm至约600nm或约500nm至约550nm的最大发射波长范围的光。

在实施方式中，第一层可由第一胺类化合物组成。

在实施方式中，第二层可由第二胺类化合物组成。

在实施方式中，第一层的厚度可大于第二层的厚度。

在实施方式中，第一层与第二层的厚度比可在约5:5至约10:1的范围内，例如，在约5:1至约10:1的范围内或在约5:5至约9:1的范围内。

在实施方式中，第一层的厚度可为约10nm或更大并且约50nm或更小，例如，约15nm或更大并且约40nm或更小。

在实施方式中，第二层的厚度可为约0.1nm或更大并且约20nm或更小，例如，约0.5nm或更大并且约15nm或更小。

在实施方式中，通过如上述的量子化学计算确定的第一胺类化合物的最低激发三重态能级可小于约2.70eV，例如，小于约2.68eV、约2.40eV或更大并且小于约2.70eV或者约2.50eV或更大并且小于约2.68eV。在实施方式中，通过如上述的量子化学计算确定的第二胺类化合物的最低激发三重态能级可为约2.65eV或更大，例如，约2.65eV或更大并且约3.00eV或更小或者约2.70eV或更大并且约3.00eV或更小。

在实施方式中，通过如上述的量子化学计算确定的第一胺类化合物的HOMO能级可为约-4.50eV或更小，例如，约-5.10eV或更大并且约-4.50eV或更小，或者约-5.00eV或更大并且约-4.50eV或更小。

在实施方式中，通过如上述的量子化学计算确定的第二胺类化合物的HOMO能级可为约-4.50eV或更小，例如，约-5.20eV或更大并且约-4.50eV或更小，或约-5.10eV或更大并且约-4.90eV或更小。

在实施方式中，芴部分可为由式A表示的基团或由式B表示的基团：

式A

式B

其中，在式A和式B中，

CY₁至CY₄可各自独立地为C₅-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

X₁可为包括C的基团，并且

Y₁可为非键、单键、O或S。

例如，式B中的Y₁可为单键。

如在本文中使用的，术语“包括C的基团”指C原子或连接至氢或另一取代基的C原子。例如，式A中的X₁可为连接至氢或另一取代基的C原子(即，C(R₁₃)(R₁₄)，其中R₁₃和R₁₄可各自与在本文中描述的相同)。

如在本文中使用的，术语“非键”指其中连接至Y₁的两个原子彼此不键合的情况，其中每个原子可连接至氢或另一取代基。例如，Y₁可为非键，使得Y₁不存在并且不在CY₁和CY₂之间形成环。

如在本文中使用的，术语“单键”指其中连接至Y₁的两个原子通过单键彼此直接键合的情况。相应地，当Y₁为单键时，式B中的CY₁和CY₂可通过单键彼此键合。

在实施方式中，芴部分可为取代的或未取代的。

例如，芴部分可被苯基取代，但是本公开不限于此。

在实施方式中，第一胺类化合物和第二胺类化合物可都包括芴部分。例如，第一胺类化合物可包括一个或多个芴部分，第二胺类化合物也可包括一个或多个芴部分，并且第一胺类化合物的芴部分和第二胺类化合物的芴部分可彼此相同或不同。

在实施方式中，第一胺类化合物可由式1表示，并且

第二胺类化合物可由式2表示：

式1

式2

式A

式B

其中，在式1和式2中，

Ar₁₁和Ar₂₁可各自独立地为由式A表示的基团或由式B表示的基团，

Ar₁₂、Ar₁₃、Ar₂₂和Ar₂₃可各自独立地为C₅-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、由式A表示的基团或由式B表示的基团，

选自Ar₁₂和Ar₂₂中的至少一个可为由式A表示的基团或由式B表示的基团，

L₁₁至L₁₃和L₂₁至L₂₃可各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

n11至n13和n21至n23可各自独立地为选自1至3的整数，

E₁₁至E₁₃和E₂₁至E₂₃可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

d11至d13和d21至d23可各自独立地为选自0至10的整数，并且

其中，在式A和式B中，

CY₁至CY₄、X₁和Y₁与在本文中描述的相同。

R_10a可为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合；

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合，或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中，Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基。

在实施方式中，第一胺类化合物和第二胺类化合物可满足选自条件2-1至条件2-3中的一个：

条件2-1

Ar₁₂为由式A表示的基团或由式B表示的基团；

条件2-2

Ar₂₂为由式A表示的基团或由式B表示的基团；和

条件2-3

Ar₁₂和Ar₂₂各自为由式A表示的基团或由式B表示的基团。

例如，第一胺类化合物和第二胺类化合物可满足：i)仅条件2-1；ii)仅条件2-2；或iii)条件2-1、条件2-2和条件2-3中的全部。

在实施方式中，第一胺类化合物和第二胺类化合物可满足条件2-2；或条件2-2并且条件2-3。

在实施方式中，由式A表示的基团可为由式A-1表示的基团，并且由式B表示的基团可为由式B-1表示的基团：

式A-1

式B-1

其中，在式A-1和式B-1中，

CY₁至CY₄、X₁和Y₁与在本文中描述的相同，并且

*指示与相邻原子的键合位点。

在实施方式中，由式A表示的基团可为由选自式A-1-1至式A-1-4中的一个表示的基团，并且

由式B表示的基团可为由选自式B-1-1至式B-1-4中的一个表示的基团：

其中，在式A-1-1至式A-1-4和式B-1-1至式B-1-4中，

CY₂至CY₄、X₁和Y₁各自与在本文中描述的相同，并且

*指示与相邻原子的键合位点。

在实施方式中，在式2中，Ar₂₁可为由式A-1-4表示的基团或由式B-1-1表示的基团；并且Ar₂₂可为由式A-1-4表示的基团或由式B-1-1表示的基团，并且式A-1-4和式B-1-1各自与在本文中描述的相同。

在实施方式中，L₁₁至L₁₃和L₂₁至L₂₃可各自独立地为：单键，或

各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、环戊二烯基、1,2,3,4-四氢萘基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并硼杂环戊二烯基、苯并磷杂环戊二烯基、茚基、苯并噻咯基、苯并锗杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并硒吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硼杂环戊二烯基、二苯并磷杂环戊二烯基、芴基、螺二芴基、螺[芴-9,9’-呫吨]基、二苯并噻咯基、二苯并锗杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并硒吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩5-氧化物基、9H-芴-9-酮基、二苯并噻吩5,5-二氧化物基、氮杂吲哚基、氮杂苯并硼杂环戊二烯基、氮杂苯并磷杂环戊二烯基、氮杂茚基、氮杂苯并噻咯基、氮杂苯并锗杂环戊二烯基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并硒吩基、氮杂苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并硒吩基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基、氮杂-9H-芴-9-酮基、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、呫吨基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并三唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、5,6,7,8-四氢异喹啉基或5,6,7,8-四氢喹啉基。

例如，式1和式2中的L₁₁、L₁₂和L₂₁至L₂₃可各自为单键。

在实施方式中，在式1中，L₁₃可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₆₀碳环基，n13可为1，并且R_10a与在本文中描述的相同。

在实施方式中，由式1中的

的表示的部分可由选自式3-1至式3-3中的一个表示：

其中，在式3-1至式3-3中，

Ar₁₃与在本文中描述的相同，并且

*指示与相邻原子的键合位点。

在实施方式中，式1中的Ar₁₁可为由式A表示的基团。

在实施方式中，第一胺类化合物可由式1-1表示：

式1-1

其中，在式1-1中，

CY₁₁与参考CY₁描述的相同，

CY₁₂与参考CY₂描述的相同，

R₁₁至R₁₄各自与参考E₁₁描述的相同，

a11可为选自0至10的整数，

a12可为选自0至10的整数，并且

Ar₁₂、Ar₁₃、L₁₁至L₁₃、n11至n13、E₁₂、E₁₃、b12和b13各自与在本文中描述的相同。

在实施方式中，式2中的Ar₂₁可为由式B表示的基团。

在实施方式中，第二胺类化合物可由式2-1表示：

式2-1

其中，在式2-1中，

X₂₁可为C，

CY₂₁与参考CY₁描述的相同，

CY₂₂与参考CY₂描述的相同，

CY₂₃与参考CY₃描述的相同，

CY₂₄与参考CY₄描述的相同，

Y₂₁与参考Y₁描述的相同，

R₂₁至R₂₄各自与参考E₂₁描述的相同，

a21至a24可各自独立地为选自0至10的整数，并且

Ar₂₂、Ar₂₃、L₂₁至L₂₃、n21至n23、E₂₂、E₂₃、d22和d23各自与在本文中描述的相同。

在实施方式中，式A和式B中的CY₁至CY₄可各自独立地为苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、环戊二烯基、1,2,3,4-四氢萘基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并硼杂环戊二烯基、苯并磷杂环戊二烯基、茚基、苯并噻咯基、苯并锗杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并硒吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硼杂环戊二烯基、二苯并磷杂环戊二烯基、芴基、螺二芴基、螺[芴-9,9’-呫吨]基、二苯并噻咯基、二苯并锗杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并硒吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩5-氧化物基、9H-芴-9-酮基、二苯并噻吩5,5-二氧化物基、氮杂吲哚基、氮杂苯并硼杂环戊二烯基、氮杂苯并磷杂环戊二烯基、氮杂茚基、氮杂苯并噻咯基、氮杂苯并锗杂环戊二烯基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并硒吩基、氮杂苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并硒吩基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基、氮杂-9H-芴-9-酮基、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、呫吨基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并三唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、5,6,7,8-四氢异喹啉基或5,6,7,8-四氢喹啉基。

在实施方式中，式1和式2中的Ar₁₂、Ar₁₃、Ar₂₂和Ar₂₃可各自独立地为：苯基、萘基、蒽基、菲基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、环戊二烯基、1,2,3,4-四氢萘基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并硼杂环戊二烯基、苯并磷杂环戊二烯基、茚基、苯并噻咯基、苯并锗杂环戊二烯基、苯并噻吩基、苯并硒吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并硼杂环戊二烯基、二苯并磷杂环戊二烯基、芴基、螺二芴基、螺[芴-9,9’-呫吨]基、二苯并噻咯基、二苯并锗杂环戊二烯基、二苯并噻吩基、二苯并硒吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩5-氧化物基、9H-芴-9-酮基、二苯并噻吩5,5-二氧化物基、氮杂吲哚基、氮杂苯并硼杂环戊二烯基、氮杂苯并磷杂环戊二烯基、氮杂茚基、氮杂苯并噻咯基、氮杂苯并锗杂环戊二烯基、氮杂苯并噻吩基、氮杂苯并硒吩基、氮杂苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并硼杂环戊二烯基、氮杂二苯并磷杂环戊二烯基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并锗杂环戊二烯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并硒吩基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩5-氧化物基、氮杂-9H-芴-9-酮基、氮杂二苯并噻吩5,5-二氧化物基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、呫吨基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并三唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、5,6,7,8-四氢异喹啉基或5,6,7,8-四氢喹啉基；或

由式A表示的基团或由式B表示的基团。

在实施方式中，在式2-1中，由

表示的部分可由式B-2-1表示，并且A₂₂可由式A-1-4或式B-1-1表示。

在式B-2-1、式A-1-4和式B-1-1中，

CY₂₂至CY₂₄、CY₂至CY₄、X₂₁、Y₂₁、X₁和Y₁各自与在本文中描述的相同。

在实施方式中，Ar₁₂、Ar₁₃、Ar₂₂和/或Ar₂₃可不包括咔唑基。

在实施方式中，第一胺类化合物和第二胺类化合物可各自为选自化合物1-1至化合物1-4、化合物2-1和化合物2-2中的一种，但是本公开的实施方式不限于此：

例如，第一胺类化合物可选自化合物1-1至化合物1-4中的一种，并且第二胺类化合物可为选自化合物2-1和化合物2-2中的一种，但是本公开的实施方式不限于此。

本发明发光装置的空穴传输区具有包括第一层和第二层的结构，第二层在第一层和发射层之间。第一层包括第一胺类化合物，第二层包括第二胺类化合物，选自第一胺类化合物和第二胺类化合物中的至少一种包括两个或更多个芴部分，并且第一胺类化合物和第二胺类化合物彼此不同。

因为选自第一胺类化合物和第二胺类化合物中的至少一种包括两个或更多个芴部分，所以发射层中的空穴的注入被延迟，以调整在空穴传输层和发射层之间的势垒，并且因此可降低发射层中的激子浓度，从而提供具有长寿命的发光装置。

另外，因为第一胺类化合物和第二胺类化合物彼此不同，所以可控制空穴传输区中的空穴移动速度，并且因此可有效地控制发射层中的激子浓度和分布。

因此，通过一起包括第一层和第二层，本公开的发光装置可同时(例如，同步地)具有高空穴注入能力和空穴传输能力，并且因此可具有低驱动电压、卓越的发光效率和卓越的寿命。

如在本文中使用的，表述“(第一层)包括由式1表示的第一胺类化合物”可包括其中“(第一层)包括相同的由式1表示的第一胺类化合物”的情况和其中“(第一层)包括两种或更多种不同的由式1表示的第一胺类化合物”的情况。

例如，第一层可仅包括化合物1-1作为第一胺类化合物。就此而言，化合物1-1可存在于发光装置的第一层中。在一个或多个实施方式中，第一层可包括化合物1-1和化合物1-2作为第一胺类化合物。

如在本文中使用的，术语“夹层”指发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层中的全部。

在实施方式中，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可进一步包括：包括源电极和漏电极的薄膜晶体管，并且发光装置的第一电极可电连接至源电极或漏电极。

在实施方式中，电子设备可进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任何组合。例如，电子设备可为平板显示器设备，但是本公开的实施方式不限于此。

对于有关电子设备的更多细节，可参考在本文中提供的相关描述。

图1的描述

图1为根据实施方式的发光装置10的示意性横截面图。发光装置10包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

下文，将参考图1描述根据实施方式的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，基板可另外在第一电极110下方或在第二电极150上面。作为基板，可使用玻璃基板和/或塑料基板。在一个或多个实施方式中，基板可为柔性基板，并且可包括具有卓越的耐热性和耐久性的塑料，比如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任何组合。

可通过例如在基板上沉积和/或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可为利于空穴的注入的高功函材料。

第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任何组合。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任何组合。

第一电极110可具有由单个层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

夹层130

夹层130可在第一电极110上。夹层130包括发射层。

夹层130可进一步包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区以及在发射层和第二电极150之间的电子传输区。

除了各种适当的有机材料之外，夹层130可进一步包括含金属化合物比如有机金属化合物和/或无机材料比如量子点等。

在一个或多个实施方式中，夹层130可包括：i)依次堆叠在第一电极110和第二电极150之间的两个或更多个发射单元；和ii)在两个或更多个发射单元之间的电荷生成层。当夹层130如上述包括发射单元和电荷生成层时，发光装置10可为串联发光装置。

夹层130中的空穴传输区

空穴传输区可包括如上述的第一层和第二层。

空穴传输区可进一步包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合。

例如，空穴传输区可进一步包括多层结构，该多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中每个结构的层依次堆叠在第一电极110和第一层之间。

空穴传输区可包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可为*-O-*’、*-S-*’、*-N(Q₂₀₁)-*’、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可各自独立地为选自0至5的整数，

xa5可为选自1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a(例如，化合物HT16)取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基等)。

R₂₀₃和R₂₀₄可任选地经单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，并且

na1可为选自1至4的整数。

例如，式201和式202中的每一个可包括选自由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

其中，在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c各自与参考R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可为未取代的或被在本文中描述的R_10a取代。

在实施方式中，在式CY201至式CY217中，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可各自独立地为苯基、萘基、菲基或蒽基。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可包括选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201可包括选自由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，在式201中，xa1可为1，R₂₀₁可为由选自式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可为0，并且R₂₀₂可为由选自式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由选自式CY201至式CY203中的一个表示的基团。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由选自式CY201至式CY203中的一个表示的基团，并且可包括选自由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在一个或多个实施方式中，式201和式202中的每一个可不包括由选自式CY201至式CY217中的一个表示的基团。

例如，空穴传输区可包括化合物HT1至化合物HT46中的一种、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺TPD、螺NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4’,4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或其任何组合：

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空穴传输区的厚度可在约

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例如，约/>

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的范围内。当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任何组合时，空穴注入层的厚度可在约

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例如，约/>

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的范围内，并且空穴传输层的厚度可在约

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例如，约/>

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的范围内。当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得适当的或满意的空穴传输特点。

发射辅助层可根据由发射层发射的光的波长通过补偿光学共振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少来自发射层的电子泄漏至空穴传输区。可包括在空穴传输区中的材料可包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区可进一步包括用于改善导电特性的电荷生成材料。电荷生成材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以由电荷生成材料组成的单个层的形式)。

电荷生成材料可为，例如，p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可为-3.5eV或更小。

在实施方式中，p-掺杂剂可包括醌衍生物、含氰基化合物、包括元素EL1和元素EL2的化合物或其任何组合。

醌衍生物的示例可包括TCNQ和F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可包括HAT-CN、PDM和由式221表示的化合物等：

式221

其中，在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可各自独立地为各自被下述取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；或其任何组合。

在包括元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可为金属、准金属或其任何组合，并且元素EL2可为非金属、准金属或其任何组合。

金属的示例可包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)；或其任何组合。

准金属的示例可包括硅(Si)、锑(Sb)、碲(Te)或其任何组合。

非金属的示例可包括氧(O)、卤素(例如，F、Cl、Br、I等)或其任何组合。

包括元素EL1和元素EL2的化合物的示例可包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其任何组合。

金属氧化物的示例可包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)、铼氧化物(例如，ReO₃等)或其任何组合。

金属卤化物的示例可包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物或其任何组合。

碱金属卤化物的示例可包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI或其任何组合。

碱土金属卤化物的示例可包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂、BaI₂或其任何组合。

过渡金属卤化物的示例可包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)、金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)或其任何组合。

后过渡金属卤化物的示例可包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)、锡卤化物(例如，SnI₂等)或其任何组合。

镧系金属卤化物的示例可包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃、SmI₃或其任何组合。

准金属卤化物的示例可包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的示例可包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)、镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)或其任何组合。

夹层130中的发射层

当发光装置10为全色发光装置时，可根据子像素将发射层图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多个实施方式中，发射层可具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中两个或更多个层彼此接触(例如，物理接触)或彼此分开以发射白光。在一个或多个实施方式中，发射层可具有其中红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料在单个层中彼此混合在一起的结构，并且因此发射白光。

发射层可包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任何组合。

基于100重量份的主体，发射层中掺杂剂的量可为约0.01重量份至约15重量份。

在一个或多个实施方式中，发射层可包括量子点。

在一些实施方式中，发射层可包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可在约

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例如，约/>

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的范围内。当发射层的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得卓越的发光特点。

主体

主体可包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21，

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可为1、2或3，

xb1可为选自0至5的整数，

R₃₀₁可为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可为选自1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃各自与参考Q₁描述的相同。

例如，当式301中的xb11为2或更大时，两个或更多个Ar₃₀₁可经单键彼此连接。

在一个或多个实施方式中，主体可包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任何组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可为O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁各自与在本文中参考式301描述的相同，

L₃₀₂至L₃₀₄各自独立地与参考L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4各自独立地与参考xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄各自与参考R₃₀₁描述的相同。

在一个或多个实施方式中，主体可包括由式302表示的化合物：

式302

在式302中，

X₃₁₁可为C(R₃₁₁)或N，

X₃₁₂可为C(R₃₁₂)或N，

X₃₁₃可为C(R₃₁₃)或N，

选自X₃₁₁至X₃₁₃中的至少一个可为N，

L₃₁₄至L₃₁₅各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-C(Q₃₁₁)(Q₃₁₂)-、-Si(Q₃₁₁)(Q₃₁₂)-、-B(Q₃₁₁)-或-N(Q₃₁₁)-，

n314至n316可各自独立地为选自1至5的整数，

R₃₁₁至R₃₁₆各自与参考R₃₀₁描述的相同。

在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属复合物、后过渡金属复合物或其任何组合。例如，主体可包括Be复合物(例如，化合物H55)、Mg复合物、Zn复合物或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，主体可包括化合物H1至化合物H126中的一种、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4’-双(N-咔唑基)-1,1’-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)或其任何组合：

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磷光掺杂剂可包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任何组合。

磷光掺杂剂可为电中性的。

例如，磷光掺杂剂可包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2，

其中，在式401中，

M可为过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可为由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中，当xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁可彼此相同或不同，

L₄₀₂可为有机配体，并且xc2可为0、1、2、3或4，其中，当xc2为2或更大时，两个或更多个L₄₀₂可彼此相同或不同，

式402

在式402中，X₄₀₁和X₄₀₂可各自独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可各自独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可为单键、*-O-*’、*-S-*’、*-C(＝O)-*’、*-N(Q₄₁₁)-*’、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*’、

*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*’、*-C(Q₄₁₁)＝*’或*＝C＝*’，

X₄₀₃和X₄₀₄可各自独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄各自与参考Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃各自与参考Q1描述的相同，

xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且

式402中的*和*’各自指示与式401中M的键合位点。

例如，在式402中，i)X₄₀₁可为氮，并且X₄₀₂可为碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂可各自为氮。

在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1为2或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可任选地经作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，或两个环A₄₀₂可任选地经作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃各自与参考T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可为有机配体。例如，L₄₀₂可包括卤基、二酮基(例如，乙酰丙酮基)、羧酸基(例如，吡啶甲酸盐基)、-C(＝O)基、异腈基、-CN基、含磷基(例如，膦基、亚磷酸盐基等)或其任何组合。

磷光掺杂剂可包括，例如，化合物PD1至化合物PD48中的一种或其任何组合：

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荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或其任何组合。例如，荧光掺杂剂可包括由式501表示的化合物：

式501

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其中，在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可各自独立地为0、1、2或3，并且

xd4可为1、2、3、4、5或6。

例如，式501中的Ar₅₀₁可为其中三个或更多个单环基团稠合在一起的稠环基团(例如，蒽基、1,2-苯并菲基、芘基等)。

在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2。

例如，荧光掺杂剂可包括：化合物FD1至FD36中的一种；DPVBi；DPAVBi；或其任何组合：

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延迟荧光材料

发射层可包括延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可选自能够基于延迟荧光发射机制而发射延迟荧光的化合物。

取决于发射层中包括的其他材料的类型(或种类)，发射层中包括的延迟荧光材料可充当主体或掺杂剂。

在实施方式中，延迟荧光材料的三重态能级和延迟荧光材料的单重态能级之间的差可大于或等于0eV并且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级和延迟荧光材料的单重态能级之间的差满足上述范围时，可有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的上转换，并且因此，可改善发光装置10的发光效率。

例如，延迟荧光材料可包括：i)包括至少一种电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，比如咔唑基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，和ii)包括其中两个或更多个环状基团在共用硼原子(B)的同时稠合在一起的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的示例可包括选自化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：

量子点

发射层可包括量子点。

如在本文中使用的，术语“量子点”指半导体化合物的晶体，并且可包括能够根据晶体的尺寸而发射各种适当的发射波长的光的任何适当的材料。

量子点的直径可在，例如，约1nm至约10nm的范围内。

量子点可通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺和/或任何适当的与其类似的工艺来合成。

湿化学工艺为包括将前体材料与有机溶剂混合在一起并且然后使量子点颗粒晶体生长的方法。当量子点颗粒晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点颗粒晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，以便可通过比气相沉积法比如金属有机化学气相沉积工艺或分子束外延工艺成本更低并且更容易的工艺来控制量子点颗粒晶体的生长。

量子点可包括：第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；第IV族元素或化合物；或其任何组合。

第II-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，比如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，比如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；或其任何组合。

第III-V族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb；三元化合物，比如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb；四元化合物，比如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb；或其任何组合。在一些实施方式中，第III-V族半导体化合物可进一步包括第II族元素。进一步包括第II族元素的第III-V族半导体化合物的示例可包括InZnP、InGaZnP和InAlZnP等。

第III-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃和/或InTe；三元化合物，比如InGaS₃和/或InGaSe₃；或其任何组合。

第I-III-VI族半导体化合物的示例可包括：三元化合物，比如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂和/或AgAlO₂；或其任何组合。

第IV-VI族半导体化合物的示例可包括：二元化合物，比如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe和/或PbTe；三元化合物，比如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe和/或SnPbTe；四元化合物，比如SnPbSSe、SnPbSeTe和/或SnPbSTe；或其任何组合。

第IV族元素或化合物可包括：单元素材料，比如Si和/或Ge；二元化合物，比如SiC和/或SiGe；或其任何组合。

多元素化合物比如二元化合物、三元化合物和四元化合物中包括的每种元素可以均匀的浓度或非均匀的浓度存在于颗粒中。

在一些实施方式中，量子点可具有其中量子点中的每种元素的浓度为均匀的(例如，基本上均匀的)单一结构或核/壳双重结构。例如，核中包括的材料和壳中包括的材料可彼此不同。

量子点的壳可充当防止或减少核的化学变性以保持半导体特点的保护层，和/或充当赋予量子点电泳特点的充电层。壳可为单个层或多个层。核和壳之间的界面可具有其中存在于壳中的元素的浓度在沿着朝向核的中心的方向上降低的浓度梯度。

量子点的壳的示例可包括金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物，半导体化合物或其任何组合。金属的氧化物、准金属的氧化物或非金属的氧化物的示例可包括：二元化合物，比如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO；三元化合物，比如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄；或其任何组合。半导体化合物的示例可包括如在本文中描述的第II-VI族半导体化合物；第III-V族半导体化合物；第III-VI族半导体化合物；第I-III-VI族半导体化合物；第IV-VI族半导体化合物；或其任何组合。例如，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任何组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，可增加颜色纯度和/或颜色再现性。另外，因为通过量子点发射的光在所有方向上(例如，基本上在所有方向上)发射，所以可改善宽视角。

另外，量子点可为球形纳米颗粒、锥体纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米板的形式。

因为可通过控制量子点的尺寸来调整能带隙，所以可从量子点发射层获得具有各种适当的波长带的光。相应地，通过使用不同尺寸的量子点，可实施发射各种适当的波长的光的发光装置。更详细地，可选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可配置为通过各种适当的颜色的光的组合来发射白光。

夹层130中的电子传输区

电子传输区可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同的材料组成；或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

例如，电子传输区可具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，对于每个结构，构成层从发射层依次堆叠。

电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层)可包括无金属化合物，该无金属化合物包括至少一个缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，电子传输区可包括由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21，

其中，在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可为1、2或3，

xe1可为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃各自与参考Q₁描述的相同，

xe21可为1、2、3、4或5，并且

选自Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可各自独立地为未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，在式601中，当xe11为2或更大时，至少两个Ar₆₀₁可经单键彼此连接。

在一个或多个实施方式中，式601中的Ar₆₀₁可为取代的或未取代的蒽基。

在一个或多个实施方式中，电子传输区可包括由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可为N或C(R₆₁₆)，并且选自X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可为N，

L₆₁₁至L₆₁₃各自与参考L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613各自与参考xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃各自与参考R₆₀₁描述的相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。

电子传输区可包括化合物ET1至化合物ET46中的一种、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ或其任何组合：

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电子传输区的厚度可为约

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当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可各自独立地为约/>

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并且电子传输层的厚度可为约/>

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当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得适当的或满意的电子传输特点。

除了上述材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可进一步包括含金属材料。

含金属材料可包括碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碱金属复合物的金属离子可为Li离子、Na离子、K离子、Rb离子和/或Cs离子，并且碱土金属复合物的金属离子可为Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子和/或Ba离子。与碱金属复合物或碱土金属复合物的金属离子配位的配体可包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

例如，含金属材料可包括Li复合物。Li复合物可包括，例如，化合物ET-D1(Liq)或ET-D2：

电子传输区可包括利于来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可直接接触(例如，物理接触)第二电极150。

电子注入层可具有：i)由单个层组成的单层结构，该单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，该单个层由多种不同的材料组成；或iii)包括多个层的多层结构，该多个层包括多种不同的材料。

电子注入层可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。

碱金属可包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任何组合。碱土金属可包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任何组合。稀土金属可包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可为碱金属、碱土金属和/或稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物等)和/或碲化物，或其任何组合。

含碱金属化合物可包括：碱金属氧化物，比如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O；碱金属卤化物，比如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI；或其任何组合。含碱土金属化合物可包括碱土金属氧化物，比如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中，x为满足0<x<1的条件的实数)和/或Ba_xCa_1- _xO(其中，x为满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属化合物可包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任何组合。在一个或多个实施方式中，含稀土金属化合物可包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃、Lu₂Te₃或其任何组合。

碱金属复合物、碱土金属复合物和稀土金属复合物可包括：i)选自碱金属的金属离子、碱土金属的金属离子和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)与金属离子键合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任何组合。

电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：如上述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合。在一个或多个实施方式中，电子注入层可进一步包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方式中，电子注入层可包括下述(例如，由下述组成)：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)，ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任何组合。例如，电子注入层可为KI:Yb共沉积层和/或RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属复合物、碱土金属复合物、稀土金属复合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可在约

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例如，约/>

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的范围内。当电子注入层的厚度在该范围内时，可在不明显增加驱动电压的情况下获得适当的或满意的电子注入特点。

第二电极150

第二电极150可在具有如上述的结构的夹层130上。第二电极150可为作为电子注入电极的阴极，并且用于形成第二电极150的材料可包括各自具有低功函的金属、合金、导电化合物或其任何组合。

第二电极150可包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任何组合。第二电极150可为透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可具有单层结构或包括多个层的多层结构。

封盖层

第一封盖层可在第一电极110外侧，和/或第二封盖层可在第二电极150外侧。更详细地，发光装置10可具有其中第一封盖层、第一电极110、夹层130和第二电极150以叙述的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构或其中第一封盖层、第一电极110、夹层130、第二电极150和第二封盖层以叙述的顺序依次堆叠的结构。

在发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第一电极110和第一封盖层朝向外侧提取。在发光装置10的夹层130的发射层中生成的光可通过作为半透射电极或透射电极的第二电极150和第二封盖层朝向外侧提取。

第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理增加外部发光效率。相应地，可增加发光装置10的光提取效率，使得可改善发光装置10的发光效率。

第一封盖层和第二封盖层中的每一个可包括(在589nm的波长下)具有1.6或更大的折射率的材料。

第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合封盖层。

选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属复合物、碱土金属复合物或其任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可任选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任何组合的取代基取代。在实施方式中，选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括含胺基化合物。

例如，选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任何组合。

在一个或多个实施方式中，选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括选自化合物HT28至化合物HT33中的一种、选自化合物CP1至化合物CP7中的一种、β-NPB或其任何组合：

电子设备

发光装置可包括在各种适当的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可为发光设备和/或认证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可进一步包括：i)滤色器，ii)颜色转换层，或iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可为蓝光或白光。对于有关发光装置的更多细节，可参考上面提供的相关描述。在实施方式中，颜色转换层可包括量子点。量子点可为，例如，如在本文中描述的量子点。

电子设备可包括第一基板。第一基板可包括多个子像素区域，滤色器可包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可位于多个子像素区域之间，以限定多个子像素区域中的每一个。

滤色器可进一步包括多个滤色器区域和位于多个滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可进一步包括多个颜色转换区域和位于多个颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括发射第一颜色光的第一区域，发射第二颜色光的第二区域，和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可为红光，第二颜色光可为绿光，并且第三颜色光可为蓝光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可包括量子点。更详细地，第一区域可包括红色量子点，第二区域可包括绿色量子点，并且第三区域可不包括量子点。对于有关量子点的更多细节，可参考在本文中提供的相关描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可各自包括散射体(例如，光散射体)。

例如，发光装置可发射第一光，第一区域可吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可吸收第一光以发射第三-第一颜色光。就此而言，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可具有彼此不同的最大发射波长。更详细地，第一光可为蓝光，第一-第一颜色光可为红光，第二-第一颜色光可为绿光，并且第三-第一颜色光可为蓝光。

除了如上述的发光装置之外，电子设备可进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可包括源电极、漏电极和有源层，其中，选自源电极和漏电极中的任何一个可电连接至选自发光装置的第一电极和第二电极中的任何一个。

薄膜晶体管可进一步包括栅电极和/或栅绝缘膜等。

有源层可包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子设备可进一步包括用于密封发光装置的密封部分。密封部分可在颜色转换层和/或滤色器与发光装置之间。密封部分允许来自发光装置的光提取至外侧，并且同时(例如，同步地)防止或减少环境空气和/或水分渗透至发光装置中。密封部分可为包括透明的玻璃基板和/或塑料基板的密封基板。密封部分可为包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部分为薄膜封装层时，电子设备可为柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适当的功能层可另外在密封部分上。功能层的示例可包括触摸屏层和偏振层等。触摸屏层可为压敏触摸屏层、电容式触摸屏层和/或红外触摸屏层。认证设备可为，例如，通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证设备。

除了如上述的发光装置之外，认证设备可进一步包括生物识别信息收集器。

电子设备可应用于各种适当的显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字照相机、电子记事簿、电子词典、电子游戏机、医学工具(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、各种适当的测量工具、仪表(例如，用于车辆、航空器和/或船只的仪表)和/或投影仪等。

图2和图3的描述

图2为根据实施方式的发光设备的横截面图。

图2的发光设备包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部分300。

基板100可为柔性基板、玻璃基板和/或金属基板。缓冲层210可在基板100上。缓冲层210可防止或减少穿过基板100的杂质的渗透，并且可在基板100上提供平坦的表面。

TFT可在缓冲层210上。TFT可包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可包括无机半导体比如硅和/或多晶硅，有机半导体和/或氧化物半导体，并且可包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可在有源层220上，并且栅电极240可在栅绝缘膜230上。

夹层绝缘膜250可在栅电极240上。夹层绝缘膜250可在栅电极240和源电极260之间，以在栅电极240和源电极260之间提供绝缘，并且在栅电极240和漏电极270之间，以在栅电极240和漏电极270之间提供绝缘。

源电极260和漏电极270可在夹层绝缘膜250上。夹层绝缘膜250和栅绝缘膜230可暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可接触(例如，物理接触)有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且由钝化层280覆盖和保护。钝化层280可包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其任何组合。发光装置提供在钝化层280上。发光装置包括第一电极110、夹层130和第二电极150。

第一电极110可在钝化层280上。钝化层280可不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110可连接至漏电极270的暴露部分。

包括绝缘材料的像素限定层290可在第一电极110上。像素限定层290可暴露第一电极110的一部分，并且夹层130可形成在第一电极110的暴露部分中。像素限定层290可为聚酰亚胺有机膜和/或聚丙烯酸有机膜。在一些实施方式中，夹层130中的至少一些层可以公共层的形式延伸超过像素限定层290的上部。

第二电极150可在夹层130上，并且封盖层170可另外在第二电极150上。封盖层170可覆盖第二电极150。

封装部分300可在封盖层170上。封装部分300可在发光装置上，以保护发光装置免受水分和/或氧气的影响。封装部分300可包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂族缩水甘油基醚(AGE)等)或其任何组合；或无机膜和有机膜的任何组合。

图3为根据另一实施方式的发光设备的横截面图。

图3的发光设备与图2的发光设备基本上相同，只是遮光图案500和功能区400另外在封装部分300上。功能区400可为i)滤色器区域，ii)颜色转换区域，或iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方式中，图3的发光设备中包括的发光装置可为串联发光装置。

制造方法

空穴传输区中包括的各个层、发射层和电子传输区中包括的各个层可通过使用选自真空沉积、旋涂、浇铸、朗缪尔-布罗基特(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像等中的一种或多种适当的方法形成在某些区中。

当空穴传输区中包括的层、发射层和电子传输区中包括的层通过真空沉积形成时，取决于待形成的层中包括的材料和待形成的层的结构，可在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

至约/>

的沉积速度下进行真空沉积。

术语的限定

如在本文中使用的，术语“C₃-C₆₀碳环基”指仅由碳原子作为成环原子组成并且具有3至60个碳原子的环状基团，并且如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂环基”指具有1至60个碳原子并且除了碳原子之外进一步具有杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可各自为由一个环组成的单环基团或其中两个或更多个环彼此稠合在一起的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基可具有3至61个成环原子。

如在本文中使用的，术语“环状基团”可包括C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基二者。

如在本文中使用的，术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”指具有3至60个碳原子并且不包括*-N＝*’作为成环部分的环状基团。如在本文中使用的，术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指具有1至60个碳原子并且包括*-N＝*’作为成环部分的杂环基。

例如，

C₃-C₆₀碳环基可为i)T1基团或ii)其中两个或更多个T1基团彼此稠合在一起的稠环基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊烯基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基可为i)T2基团，ii)其中至少两个T2基团彼此稠合在一起的稠环基团，或iii)其中至少一个T2基团和至少一个T1基团彼此稠合在一起的稠环基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可为i)T1基团，ii)其中至少两个T1基团彼此稠合在一起的稠环基团，iii)T3基团，iv)其中至少两个T3基团彼此稠合在一起的稠环基团，或v)其中至少一个T3基团和至少一个T1基团彼此稠合在一起的稠环基团(例如，C₃-C₆₀碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可为i)T4基团，ii)其中至少两个T4基团彼此稠合在一起的稠环基团，iii)其中至少一个T4基团和至少一个T1基团彼此稠合在一起的稠环基团，iv)其中至少一个T4基团和至少一个T3基团彼此稠合在一起的稠环基团，或v)其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合在一起的稠环基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基等)，

其中T1基团可为环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚烷基)、降冰片烯基、二环[1.1.1]戊烷基、二环[2.1.1]己烷基、二环[2.2.2]辛烷基或苯基，

T2基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

T3基团可为呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可为2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如在本文中使用的，术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基”、“C₁-C₆₀杂环基”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”指根据使用该对应的术语的式的结构与任何环状基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)稠合的基团。例如，“苯基”可为苯并基、苯基或亚苯基等，这可由本领域普通技术人员根据包括“苯基”的式的结构而容易理解。

单价C₃-C₆₀碳环基和单价C₁-C₆₀杂环基的示例可包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基和二价C₁-C₆₀杂环基的示例为C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基团和二价非芳族稠合杂多环基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃单价基团，例如，C₁-C₂₀烷基，并且其示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚烷基”指具有与C₁-C₆₀烷基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的主链(例如，中间)或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚烯基”指具有与C₂-C₆₀烯基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的主链(例如，中间)或末端(例如，端部)具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例包括乙炔基和丙炔基。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀亚炔基”指具有与C₂-C₆₀炔基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁表示的单价基团(其中，A₁₀₁为C₁-C₆₀烷基)，并且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀环烷基”指具有3至10个碳原子的单价饱和烃环基团，并且其示例为环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或二环[2.2.1]庚基)、二环[1.1.1]戊基、二环[2.1.1]己基和二环[2.2.2]辛基。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指具有与C₃-C₁₀环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的1至10个碳原子的单价环状基团，并且示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀环烯基”指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且无芳香性(例如，不是芳族)的单价环状基团，并且其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在本文中使用的，术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指具有与C₃-C₁₀环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指在其环状结构中除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子，并且具有至少一个双键的1至10个碳原子的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在本文中使用的，术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的单价基团，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有6至60个碳原子的碳环芳族系统的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、三亚苯基、芘基、1,2-苯并菲基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合在一起。

如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀杂芳基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的具有1至60个碳原子的杂环芳族系统的单价基团。如在本文中使用的，术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子的具有1至60个碳原子的杂环芳族系统的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基的示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自包括两个或更多个环时，两个或更多个环可彼此稠合在一起。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合多环基团”指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，当总体考虑时不为芳族)的单价基团(例如，具有8至60个碳原子)。单价非芳族稠合多环基团的示例为茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合多环基团”指具有与上述单价非芳族稠合多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“单价非芳族稠合杂多环基团”指除了碳原子之外进一步包括至少一个杂原子作为成环原子，并且在其整个分子结构中无芳香性(例如，当总体考虑时不为芳族)的具有两个或更多个彼此稠合的环的单价基团(例如，具有1至60个碳原子)。单价非芳族稠合杂多环基团的示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如在本文中使用的，术语“二价非芳族稠合杂多环基团”指具有与上述单价非芳族稠合杂多环基团基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳氧基”指示-OA₁₀₂(其中，A₁₀₂为C₆-C₆₀芳基)，并且如在本文中使用的，术语“C₆-C₆₀芳硫基”指示-SA₁₀₃(其中，A₁₀₃为C₆-C₆₀芳基)。

如在本文中使用的，术语“C₇-C₆₀芳烷基”指-A₁₀₄A₁₀₅(其中，A₁₀₄为C₁-C₅₄亚烷基，并且A₁₀₅为C₆-C₅₉芳基)。如在本文中使用的，术语“C₂-C₆₀杂芳烷基”指-A₁₀₆A₁₀₇(其中，A₁₀₆为C₁-C₅₉亚烷基，并且A₁₀₇为C₁-C₅₉杂芳基)。

如在本文中使用的，术语“R_10a”指：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基，

各自未取代的或被下述取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任何组合，

各自未取代的或被下述取代的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任何组合；或

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

如在本文中使用的，Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可各自独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；各自未取代的或被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任何组合取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳烷基；或C₂-C₆₀杂芳烷基。

如在本文中使用的，术语“杂原子”指碳原子之外的任何原子。杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任何组合。

如在本文中使用的，术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)和金(Au)等。

如在本文中使用的，术语“Ph”指苯基，术语“Me”指甲基，术语“Et”指乙基，术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，并且术语“OMe”指甲氧基。

如在本文中使用的，术语“联苯基”指“被苯基取代的苯基”。换句话说，“联苯基”属于“具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基”。

如在本文中使用的，术语“三联苯基”指“被联苯基取代的苯基”。换句话说，“三联苯基”属于“具有被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基”。

如在本文中使用的，除非另外限定，否则*和*’各自指与对应的式或部分中的相邻原子的键合位点。

下文，将参考实施例更详细地描述根据实施方式的化合物和发光装置。在描述合成例时使用的措辞“使用B代替A”意指使用相同摩尔当量的B代替A。

实施例

评估例1：T₁和HOMO能级

通过上述方法评估下述化合物的最低激发三重态能级(T₁)和HOMO能级，并且其结果示出在表1中。

表1

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参考表1，可见，化合物1-1至化合物1-4以及化合物2-1和化合物2-2具有用于卓越的空穴注入能力和空穴传输能力的适当的最低激发三重态能级(T₁)和HOMO能级。

实施例1

作为ITO阳极，将ITO/Ag/ITO在玻璃基板上分别图案化至各自为10nm、120nm和8nm的厚度，并且对其进行氧等离子体处理，随后暴露于氩等离子体用于清洁。然后，将玻璃基板安装在真空沉积设备中。

将HT3和PDM以99:1的重量比共沉积在形成在玻璃基板上的ITO阳极上，以形成厚度为10nm的空穴注入层，并且然后将HT3真空沉积在空穴注入层上，以形成厚度为130nm的空穴传输层。

将化合物1-1真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为25nm的第一层，并且将化合物2-1真空沉积在第一层上以形成厚度为5nm的第二层。

将H125、H126和PD40以32.2:59.8:8的重量比共沉积在第二层上，以形成厚度为35nm的发射层。

接下来，将ET37沉积在发射层上，以形成厚度为5nm的空穴阻挡层，将ET46和Liq以50:50的重量比共沉积在空穴阻挡层上，以形成厚度为31nm的电子传输层，将Yb沉积在电子传输层上，以形成厚度为1.5nm的电子注入层，将Ag和Mg以91:9的重量比共沉积在电子注入层上，以形成厚度为12nm的阴极。将CP7真空沉积在阴极上，以形成厚度为80nm的封盖层，从而完成发光装置的制造。

实施例2至实施例5和比较例3至比较例6

以与实施例1基本上相同的方式制造发光装置，只是在形成第一层时，使用表2中示出的对应化合物代替化合物1-1，并且在形成第二层时，使用表2中示出的对应化合物代替化合物2-1。

比较例1

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是将化合物1-1真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为30nm的第一层，并且将H125、H126和PD40以32.2:59.8:8的重量比共沉积在第一层上，以形成厚度为35nm的发射层。

比较例2

以与实施例1中基本上相同的方式制造发光装置，只是将化合物2-1真空沉积在空穴传输层上，以形成厚度为30nm的第一层，并且将H125、H126和PD40以32.2:59.8:8的重量比共沉积在第一层上，以形成厚度为35nm的发射层。

评估例2

为了评估实施例1至实施例5和比较例1至比较例6中制造的发光装置的特点，通过基于假设朗伯辐射特点的电流-电压-亮度特点的计算来测量每个发光装置的发光效率和寿命。在15,000cd/m²的亮度下测量每个发光装置的发射光谱，并且由此测量CIE x坐标和y坐标(即，CIE x/y)。另外，通过分别使用源表(Keithley Instrument公司，2400系列)和发光效率测量设备(Hamamatsu Photonics公司的C9920-2-12)在10mA/cm²的电流密度下测量每个发光装置的驱动电压和发光效率。在评估发光效率时，使用校准了波长灵敏度的亮度计来测量亮度/电流密度，并且将寿命(T₉₇)测量为在30,000cd/m²的明度b0下达到初始亮度的97％所需要的时间。表2中示出了发光装置的特点的评估结果。

表2

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参考表2，可见，与比较例1至比较例6的发光装置相比，实施例1至实施例5的发光装置具有低驱动电压、卓越的发光效率和卓越的寿命。

根据本公开的实施方式，提供了包括第一层和第二层的发光装置，第一层和第二层分别包括彼此不同的第一胺类化合物和第二胺类化合物，第一层和第二层包括在空穴传输区中。因为选自第一胺类化合物和第二胺类化合物中的至少一种包括两个或更多个芴部分，所以可控制发射层中空穴的注入，从而实现具有低驱动电压、高发光效率和长寿命的发光装置。

应理解，在本文中描述的实施方式应仅以描述性意义考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应考虑可用于其他实施方式中其他类似的特征或方面。尽管已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求和其等效方案限定的本公开的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims

1.一种发光装置，包括：

第一电极；

面向所述第一电极的第二电极；以及

在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的夹层，其中：

所述夹层进一步包括在所述发射层和所述第一电极之间的空穴传输区，

所述空穴传输区包括第一层和第二层，所述第二层在所述第一层和所述发射层之间，

所述第一层包括第一胺类化合物，

所述第二层包括第二胺类化合物，

所述第一胺类化合物和所述第二胺类化合物彼此不同，并且

满足选自条件1-1至条件1-3中的至少一个：

条件1-1

所述第一胺类化合物包括两个或更多个芴部分；

条件1-2

所述第二胺类化合物包括两个或更多个芴部分；和

条件1-3

所述第一胺类化合物和所述第二胺类化合物各自包括两个或更多个芴部分。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输区进一步包括空穴传输层，并且

所述空穴传输层直接接触所述第一层。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层直接接触所述第二层。

4.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述发射层发射绿光。

5.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一层由所述第一胺类化合物组成。

6.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第二胺类化合物的最低激发三重态能级为2.65eV或更大。

7.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一胺类化合物的最高占据分子轨道能级为-4.50eV或更小。

8.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第二胺类化合物的最高占据分子轨道能级为-4.50eV或更小。

9.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述芴部分各自为由式A表示的基团或由式B表示的基团：

式A

式B

其中，在式A和式B中，

CY₁至CY₄各自独立地为C₅-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

X₁为包括C的基团，并且

Y₁为非键、单键、O或S。

10.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一胺类化合物和所述第二胺类化合物都包括所述芴部分。

11.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一胺类化合物由式1表示，并且

所述第二胺类化合物由式2表示：

式1

式2

式A

式B

其中，在式1和式2中，

Ar₁₁和Ar₂₁各自独立地为由式A表示的基团或由式B表示的基团，

Ar₁₂、Ar₁₃、Ar₂₂和Ar₂₃各自独立地为C₅-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、由式A表示的基团或由式B表示的基团，

选自Ar₁₂和Ar₂₂中的至少一个为由式A表示的基团或由式B表示的基团，

L₁₁至L₁₃和L₂₁至L₂₃各自独立地为单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₆₀碳环基或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

n11至n13和n21至n23各自独立地为选自1至3的整数，

E₁₁至E₁₃和E₂₁至E₂₃各自独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

d11至d13和d21至d23各自独立地为选自0至10的整数，

其中，在式A和式B中，

CY₁至CY₄各自独立地为C₅-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

X₁为包括C的基团，

Y₁为非键、单键、O或S，并且

R_10a为：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或

-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

12.根据权利要求11所述的发光装置，其中在式2中，Ar₂₁为由式A-1-4表示的基团或由式B-1-1表示的基团，并且Ar₂₂为由式A-1-4表示的基团或由式B-1-1表示的基团：

其中，在式A-1-4和式B-1-1中，

CY₂至CY₄、X₁和Y₁各自与权利要求11中描述的相同，并且

*指示与相邻原子的键合位点。

13.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一胺类化合物和所述第二胺类化合物满足选自条件2-1至条件2-3中的一个：

条件2-1

Ar₁₂为所述由式A表示的基团或所述由式B表示的基团；

条件2-2

Ar₂₂为所述由式A表示的基团或所述由式B表示的基团；和

条件2-3

Ar₁₂和Ar₂₂各自为所述由式A表示的基团或所述由式B表示的基团。

14.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述由式A表示的基团为由式A-1表示的基团，并且

所述由式B表示的基团为由式B-1表示的基团：

式A-1

式B-1

其中，在式A-1和式B-1中，

CY₁至CY₄、X₁和Y₁各自与权利要求11中描述的相同，并且

*指示与相邻原子的键合位点。

15.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述由式A表示的基团为由选自式A-1-1至式A-1-4中的一个表示的基团，并且

所述由式B表示的基团为由选自式B-1-1至式B-1-4中的一个表示的基团：

其中，在式A-1-1至式A-1-4和式B-1-1至式B-1-4中，

CY₂至CY₄、X₁和Y₁各自与权利要求11中描述的相同，并且

*指示与相邻原子的键合位点。

16.根据权利要求11所述的发光装置，其中，在式1中，L₁₃为未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₆₀碳环基，

n13为1，并且

R_10a与权利要求11中描述的相同。

17.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第一胺类化合物由式1-1表示：式1-1

其中，在式1-1中，

CY₁₁与参考权利要求11中的CY₁描述的相同，

CY₁₂与参考权利要求11中的CY₂描述的相同，

R₁₁至R₁₄各自与参考权利要求11中的E₁₁描述的相同，

a11为选自0至10的整数，

a12为选自0至10的整数，并且

Ar₁₂、Ar₁₃、L₁₁至L₁₃、n11至n13、E₁₂、E₁₃、b12和b13各自与权利要求11中描述的相同。

18.根据权利要求11所述的发光装置，其中所述第二胺类化合物由式2-1表示：式2-1

其中，在式2-1中，

X₂₁为C，

CY₂₁与参考权利要求11中的CY₁描述的相同，

CY₂₂与参考权利要求11中的CY₂描述的相同，

CY₂₃与参考权利要求11中的CY₃描述的相同，

CY₂₄与参考权利要求11中的CY₄描述的相同，

Y₂₁与参考权利要求11中的Y₁描述的相同，

R₂₁至R₂₄各自与参考权利要求11中的E₂₁描述的相同，

a21至a24各自独立地为选自0至10的整数，并且

Ar₂₂、Ar₂₃、L₂₁至L₂₃、n21至n23、E₂₂、E₂₃、d22和d23各自与权利要求11中描述的相同。

19.根据权利要求9所述的发光装置，其中Y₁为单键。

20.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第一胺类化合物和所述第二胺类化合物各自为选自化合物1-1至化合物1-4和化合物2-1至化合物2-2中的一种：

21.一种包括根据权利要求1至20中任一项所述的发光装置的电子设备。