CN116143498A - 近红外荧光陶瓷材料及其制备方法和近红外发光装置 - Google Patents
近红外荧光陶瓷材料及其制备方法和近红外发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116143498A CN116143498A CN202211473296.XA CN202211473296A CN116143498A CN 116143498 A CN116143498 A CN 116143498A CN 202211473296 A CN202211473296 A CN 202211473296A CN 116143498 A CN116143498 A CN 116143498A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- source
- near infrared
- ceramic material
- fluorescent ceramic
- infrared fluorescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 80
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 23
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 10
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000009694 cold isostatic pressing Methods 0.000 claims description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims description 3
- 241001580033 Imma Species 0.000 claims description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 3
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001748 luminescence spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 235000012041 food component Nutrition 0.000 description 1
- 239000005417 food ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
- C04B2235/3206—Magnesium oxides or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3241—Chromium oxides, chromates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3287—Germanium oxides, germanates or oxide forming salts thereof, e.g. copper germanate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/44—Metal salt constituents or additives chosen for the nature of the anions, e.g. hydrides or acetylacetonate
- C04B2235/442—Carbonates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明涉及近红外发光材料技术领域，具体地涉及一种近红外荧光陶瓷材料及其制备方法和近红外发光装置，近红外荧光陶瓷材料的表达式为Mg3Ga2‑x‑yGeO8:xCr3+,yYb3+，其中，0＜x≤0.08，0＜y≤0.08，该近红外荧光陶瓷材料可被蓝光LED芯片有效激发，具有发射光谱宽、导热性良好、发光效率高、使用寿命长、封装简单的优点，且制备方法简单，参数易控，原料易得，成本较低，可工业化生产。
Description
技术领域
本发明涉及近红外发光材料技术领域，具体地涉及一种近红外荧光陶瓷材料及其制备方法和近红外发光装置。
背景技术
宽带近红外光谱分析技术由于非破坏性和高穿透性，在生物传感、食品成分分析和医学测量等领域具有广泛应用。传统的近红外光源有钨灯和近红外二极管。钨灯存在其效率低、能耗高、体积大、寿命短的问题。近红外二极管虽然具有体积小，寿命长，高效、环保、节能等优点。但发射光谱窄，通常小于50nm，需采取多芯片集合的方案来拓宽发光光谱，由于每一个芯片都需要独立的供电电路，这将导致成本高且稳定性差。
大功率近红外LED光源要求近红外发光材料具有更高的效率，近红外LED器件具有更多的辐射功率。传统的封装工艺中，由于采用的环氧树脂或者硅胶的导热性能较差，而LED芯片工作时的温度高达150℃，这很容易导致荧光粉发光的热衰减以及环氧树脂或者硅胶的老化、变黄。尤其是在大功率LED中，芯片表面会产生大量热量，严重降低器件性能和使用寿命。
CN113308242A公开了一种新型Cr3+掺杂堇青石结构宽带近红外荧光粉及其制备方法，其特征在于化学组成如下：(AxBy)2-bC4-aD5O18:aCr3+,bRE，其中A、B为Mg、Ca、Zn、Ni、Li、Na、K、Sc、Lu、Gd等中的一种或几种组合；C为Al、Ga、Lu、Gd等中的一种或多种组合；D为Si、Ge、Te、Sn等中的一种或多种组合；RE为Yb、Nd、Ce、Er、Pr中的一种或几种组合，具有较高的发光效率，然而，该近红外发光材料为粉状，难以封装，且发发射光谱覆盖范围还有待拓展，发光效率也有待提升。
因此，可被蓝光LED芯片有效激发、具有高效率、封装简单的近红外荧光发光材料亟待开发。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中近红外发光材料难以兼具发射光谱宽、发光效率高、导热性好、封装容易的缺陷。
为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种近红外荧光陶瓷材料，所述近红外荧光陶瓷材料的表达式为Mg3Ga2-x-yGeO8:xCr3+,yYb3+，其中，0＜x≤0.08，0＜y≤0.08。
优选地，0.03＜x≤0.06，0.05＜y≤0.08，Cr3+、Yb3+。在此掺杂范围下，Mg3Ga2-x- yGeO8:xCr3+,yYb3+近红外荧光材料具有更高的内量子效率。
优选地，在激发波长为300nm～650nm的条件下，所述近红外荧光陶瓷材料的发射光谱范围包括650nm～1300nm。
进一步优选地，所述近红外荧光陶瓷材料的晶体结构属于空间群Imma，正交晶系。
本发明的第二方面提供一种近红外荧光陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
S1：将Mg源、Ga源、Ge源、Cr源和Yb源进行混合处理，得到混合物，其中，所述Mg源、Ga源、Ge源、Cr源和Yb源以元素计的摩尔用量比为3:(2-x-y):1:x:y，且0＜x≤0.08，0＜y≤0.08；
S2：在氧气气氛存在下，将所述混合物进行第一烧结处理，得到烧结体；
S3：将所述烧结体进行毛坯形成处理，得到毛坯；
S4：在还原气氛存在下，将所述毛坯进行第二烧结处理，得到所述近红外荧光陶瓷材料。
优选地，所述Mg源为MgO和/或MgCO3。
优选地，所述Ga源为Ga2O3和/或Ga2(CO3)3。
优选地，所述Ge源为GeO2和/或Ge(CO3)2。
优选地，所述Cr源为Cr2O3和/或Cr2(CO3)3。
优选地，所述Yb源为Yb2O3和/或Yb2(CO3)3。
优选地，在所述S1中，所述混合处理的操作包括：
在溶剂存在下，将所述Mg源、所述Ga源、所述Ge源、所述Cr源和所述Yb源进行第一研磨处理，以得到所述混合物。
进一步优选地，所述第一研磨处理的处理时间为30min～60min。
进一步优选地，所述溶剂为无水乙醇。
优选地，在所述S3中，所述毛坯形成处理包括以下步骤：
先将所述烧结体冷却至0℃～40℃，再将冷却后的所述烧结体进行第二研磨处理，得到平均粒径不大于74μm的粉体；
将所述粉体进行压制处理，得到素胚；
将所述素胚进行冷等静压处理，得到毛坯。
进一步优选地，所述第二研磨处理的处理时间为30min～60min。
进一步优选地，所述压制处理的压力为10MPa～30MPa。
进一步优选地，所述冷等静压处理的压力为150MPa～200MPa。
优选地，所述氧气气氛中的氧气体积分数为15％～100％。
优选地，所述第一烧结处理的温度为1300℃～1500℃，处理时间为2h～6h。
优选地，所述还原气氛选自氢气气氛、氨气气氛、一氧化碳气氛、氮氢混合气气氛中的至少一种。
优选地，所述第二烧结处理的温度为1300℃～1450℃，处理时间为2～6h。
进一步优选地，所述第一烧结处理的升温方式为程序性升温，升温速率为5～10℃/min。
更进一步优选地，所述还原气氛为氮氢混合气气氛，其中，所述氮氢混合气气氛中氢气体积分数为10％～40％。
进一步优选地，所述第二烧结处理的升温方式为程序性升温，升温速率为5～10℃/min。
本发明的第三方面提供一种近红外发光装置，所述近红外发光装置包括：
发光件，所述发光件由本发明第一方面提供的近红外荧光陶瓷材料或本发明第二方面提供的制备方法制备的近红外荧光陶瓷材料制成；以及
激发光源，所述激发光源用于激发所述发光件发射近红外光。
优选地，所述激发光源为紫光光源或蓝光光源；
进一步优选地，所述激发光源为发射波长范围为300～650nm的半导体芯片
本发明提供的近红外荧光陶瓷材料可被蓝光LED芯片有效激发，具有发射光谱宽、导热性良好、发光效率高、使用寿命长、封装简单的优点，且制备方法简单，参数易控，采用该近红外荧光陶瓷材料制得的近红外发光装置具有发射光谱宽、发光效率高、使用寿命长、稳定性优良和成本低的优点。
具体地，本发明提供的近红外荧光陶瓷材料具有以下有益效果：
第一：本发明提供的近红外荧光陶瓷材料导热性良好，不用环氧树脂或硅胶即可以远离芯片热源的方式直接与LED芯片封装，这样减小了荧光材料的热光衰，提高了LED器件的发光效率和使用寿命，降低了封装难度。
第二：本发明提供地近红外荧光陶瓷材料可被LED芯片有效激发，发射光谱覆盖范围宽，具有极高的内量子效率(内量子效率最高可达91％)。
第三：本发明提供的近红外荧光陶瓷材料为固体陶瓷块状，可直接用作发光件，发光件直接由单一的荧光组分(即Mg3Ga2-x-yGeO8:xCr3+,yYb3+)形成，不需要采用玻璃基体，既简化了发光件的制备工艺，又避免了现有近红外荧光陶瓷材料多为粉状，在制备发光件时混合不均匀的问题。
附图说明
图1是本发明实施例2提供的近红外荧光陶瓷材料的X射线衍射分析图；
图2是本发明实施例2提供的近红外荧光陶瓷材料的激发光谱图；
图3是本发明实施例2提供的近红外荧光陶瓷材料的发射光谱图；
图4是本发明实施例2提供的近红外荧光陶瓷材料的荧光发射光谱的归一化强度测试图。
具体实施方式
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
如前所述，本发明的第一方面提供了一种近红外荧光陶瓷材料，所述近红外荧光陶瓷材料的表达式为Mg3Ga2-x-yGeO8:xCr3+,yYb3+，其中，0＜x≤0.08，0＜y≤0.08。
本发明提供的近红外荧光陶瓷材料通过Cr3+/Yb3+共掺杂构筑能量传递来改善近红外发光，上述近红外荧光陶瓷材料的激活离子是Cr3+和Yb3+。其中，Cr3+是宽带发射，发光原理是4T2→4A2跃迁，Yb3+的发光原理是2F5/2→2F7/2跃迁。上述近红外荧光陶瓷材料可被蓝光LED芯片有效激发，具有发射光谱宽、导热性良好、发光效率高、使用寿命长、封装简单的优点。
根据一种特别优选的具体实施方式，0.03＜x≤0.06，0.05＜y≤0.08，本发明的发明人发现，当Cr3+和Yb3+在此掺杂范围条件下，制得的近红外荧光陶瓷材料具有导热性更好、发光效率更高、使用寿命更长的优点。
根据一种特别优选的具体实施方式，在激发波长为300nm～650nm的条件下，所述近红外荧光陶瓷材料的发射光谱范围包括650nm～1300nm。激发波长优选为400～500nm，进一步优选为420nm～500nm，可以更有效地激发所述近红外荧光陶瓷材料。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述近红外荧光陶瓷材料的晶体结构属于空间群Imma，正交晶系，为尖晶石结构，该结构具有良好的力学和热学稳定性。
如前所述，本发明的第二方面提供了一种近红外荧光陶瓷材料的制备方法，包括以下步骤：
S1：将Mg源、Ga源、Ge源、Cr源和Yb源进行混合处理，得到混合物，其中，所述Mg源、Ga源、Ge源、Cr源和Yb源以元素计的摩尔用量比为3:(2-x-y):1:x:y，且0＜x≤0.08，0＜y≤0.08；
S2：在氧气气氛存在下，将所述混合物进行第一烧结处理，得到烧结体；
S3：将所述烧结体进行毛坯形成处理，得到毛坯；
S4：在还原气氛存在下，将所述毛坯进行第二烧结处理，得到所述近红外荧光陶瓷材料。
本发明第二方面提供的制备方法，可用于制备本发明第一方面提供的近红外荧光陶瓷材料，且制备过程简单，参数易控，所用原料均来自市售，原料易得、成本较低、获得的产品质量稳定可靠，利于工业化生产，制得的近红外荧光陶瓷材料可被蓝光LED芯片有效激发，具有发射光谱宽、导热性良好、发光效率高、使用寿命长、封装简单的优点。
需要说明的是，在本发明提供的制备方法中，Mg源、Ga源、Ge源、Cr源和Yb源分别为能够提供Mg元素、Ga元素、Ge元素、Cr元素和Yb元素的物质。根据一种特别优选的具体实施方式，所述Mg源为MgO和/或MgCO3。根据一种特别优选的具体实施方式，所述Ga源为Ga2O3和/或Ga2(CO3)3，所述Ge源为GeO2和/或Ge(CO3)2，所述Cr源为Cr2O3和/或Cr2(CO3)3，所述Yb源为Yb2O3和/或Yb2(CO3)3。
根据一种特别优选的具体实施方式，在所述S1中，所述混合处理的操作包括：
将所述Mg源、所述Ga源、所述Ge源、所述Cr源和所述Yb源在溶剂中进行第一研磨处理，以得到所述混合物。
优选地，所述第一研磨处理的处理时间为30min～60min；处理时间进一步优选为30～45min。需要说明的是，本发明对第一研磨处理的温度没有特殊要求，示例性地，本发明所述的第一研磨处理在室温下进行。
根据一种特别优选的具体实施方式，相对于1g Mg源，溶剂的用量为2～5ml。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述溶剂无水乙醇。
根据一种特别优选的具体实施方式，在所述S3中，所述毛坯形成处理包括以下步骤：
先将所述烧结体冷却至0℃～40℃，再将冷却后的所述烧结体进行第二研磨处理，得到平均粒径不大于74μm的粉体；
将所述粉体进行压制处理，得到素胚；
将所述素胚进行冷等静压处理，得到毛坯。
需要说明的是，本发明对冷却的方式没有特别的要求，只要能够实现烧结体冷却至0℃～40℃的目标即可；优选地，冷却方式为自然冷却，冷却至室温即可。
优选地，所述第二研磨处理的处理时间为30min～60min；进一步地，所述第二研磨处理的处理时间优选为30～45min。
优选地，所述压制处理的压力为10MPa～30MPa；根据一种特别优选的具体实施方式，所述压制处理的压力为20MPa。
优选地，所述冷等静压处理的压力为150MPa～200MPa；根据一种特别优选的具体实施方式，所述冷等静压处理的压力为180MPa。
优选地，所述氧气气氛中的氧气体积分数为15％～100％；根据一种特别优选的具体实施方式，所述氧气气氛为空气气氛，空气中氧气体积分数为21％，廉价易得，且满足本发明进行所述第一烧结处理所需的氧气含量要求，在空气中进行第一烧结处理，能够得到所述烧结体。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述第一烧结处理的温度为1300℃～1500℃，处理时间为2h～6h，处理时间优选为4h。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述还原气氛选自氢气气氛、氨气气氛、一氧化碳气氛、氮氢混合气气氛中的至少一种。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述第二烧结处理的温度为1300℃～1450℃，处理时间为2～6h，处理时间优选为4h。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述第一烧结处理的升温方式为程序性升温，升温速率为5～10℃/min。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述还原气氛为氮氢混合气气氛，其中，所述氮氢混合气气氛中氢气体积分数为10％～40％。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述第二烧结处理的升温方式为程序性升温，升温速率为5～10℃/min。
如前所述，本发明的第三方面提供了一种近红外发光装置，所述近红外发光装置包括：
发光件，所述发光件由本发明第一方面提供的近红外荧光陶瓷材料或本发明第二方面提供的制备方法制备的近红外荧光陶瓷材料制成；以及
激发光源，所述激发光源用于激发所述发光件发射近红外光。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述激发光源为紫光光源或蓝光光源。
根据一种特别优选的具体实施方式，所述激发光源为发射波长范围为300～650nm的半导体芯片。
本发明提供的近红外发光装置，采用本发明第一方面提供的近红外荧光陶瓷材料制成发光件，不需要采用玻璃基体，既简化了发光件的制备工艺，又避免了现有近红外荧光陶瓷材料多为粉状，在制备发光件时混合不均匀的问题，制得的近红外发光装置具有发射光谱宽、发光效率高、使用寿命长、稳定性优良、和成本低的优点。
以下将通过实施例对本发明进行详细描述。以下实例中，本发明所述室温为25℃±3℃，在没有特别说明的情况下，使用的各种原料均为市售品。
实施例1：Mg3Ga1.92GeO8:0.03Cr3+,0.05Yb3+近红外荧光陶瓷材料
本实施例提供的近红外荧光陶瓷材料的制备过程包括以下步骤：
S1：按照元素摩尔比为3：1.92：1：0.03：0.05的比例称取MgO、Ga2O3、GeO2、Cr2O3和Yb2O3，其中，MgO的质量为1g，将称量好的MgO、Ga2O3、GeO2、Cr2O3和Yb2O3原料置于玛瑙研钵中，加入5ml无水乙醇，进行第一研磨处理，研磨30min使其充分混合均匀，得到混合物；
S2：将混合物装入刚玉坩埚中，并转移至箱式高温烧结炉内，在空气气氛下，进行第一烧结处理，以5℃/min升温速率升温到1400℃，并保温4h，
得到烧结体；
S3：待烧结体自然冷却到室温后，进行第二研磨处理，研磨时间为30min，得到平均粒径为74μm的粉体；
在20MPa下，将上述粉体进行压制处理，得到素胚，然后在180MPa下，对素胚进行冷等静压处理，得到毛坯；
S4：在氮氢混合气气氛(氢气体积分数约为20％)下，对上述毛坯进行第二烧结处理，以5℃/min升温速率升温到1400℃，并保温4h，然后自然冷却，得到固体块状的近红外荧光陶瓷材料。
实施例2：Mg3Ga1.90GeO8:0.05Cr3+,0.05Yb3+近红外荧光陶瓷材料
本实施例提供的近红外荧光陶瓷材料的制备过程中，称取的原料MgO、Ga2O3、GeO2、Cr2O3和Yb2O3的元素摩尔比为3：1.90：1：0.05：0.05，其余步骤及参数同实施例1。
实施例3：Mg3Ga1.86GeO8:0.06Cr3+，0.08Yb3+近红外荧光陶瓷材料
本实施例提供的近红外荧光陶瓷材料的制备过程中，称取的原料MgO、Ga2O3、GeO2、Cr2O3和Yb2O3的元素摩尔比为3：1.86：1：0.06：0.08，其余步骤及参数同实施例1。
实施例4：Mg3Ga1.96GeO8:0.01Cr3+，0.03Yb3+近红外荧光陶瓷材料
本实施例提供的近红外荧光陶瓷材料的制备过程中，称取的原料MgO、Ga2O3、GeO2、Cr2O3和Yb2O3的元素摩尔比为3：1.96：1：0.01：0.03，其余步骤及参数同实施例1。
对比例1：Mg3Ga2GeO8陶瓷材料
本对比例提供的陶瓷材料的制备过程中，称取的原料MgO、Ga2O3、GeO2的元素摩尔比为3:2:1，其余步骤及参数同实施例1。
对比例2：Mg3Ga1.82GeO8:0.09Cr3+，0.09Yb3+近红外荧光陶瓷材料
本实施例提供的近红外荧光陶瓷材料的制备过程中，称取的原料MgO、Ga2O3、GeO2、Cr2O3和Yb2O3的元素摩尔比为3：1.82：1：0.09：0.09，其余步骤及参数同实施例1。
测试例1
将本发明实施例制得的近红外荧光陶瓷材料进行X射线粉末衍射分析，所采用的X射线粉末衍射仪型号为D8 Advance，购自德国Bruker公司。其中较为典型的，本发明在图1中示例性地提供了实施例2的近红外荧光陶瓷材料的X射线衍射分析图，将上述近红外荧光陶瓷材料的X射线衍射分析图与Mg3Ga2GeO8标准卡片比对，确认所得近红外荧光陶瓷材料为纯相且与Mg3Ga2GeO8同构，说明本发明提供的制备方法制得的近红外荧光陶瓷材料不含其他杂相，掺杂Cr元素和Yb元素近红外荧光陶瓷材料的分子结构不变，与Mg3Ga2GeO8基质相同，为尖晶石结构，具有良好的力学和热学稳定性。
测试例2
对本发明实施例和对比例提供的近红外荧光陶瓷材料进行激发光谱测试，测试方法及结果如下：
采用购自英国爱丁堡仪器公司的型号为FLSP920的多功能光谱测试系统，测试本发明实施例和对比例提供的近红外荧光陶瓷材料的激发光谱，固定近红外荧光陶瓷材料发射光的波长为750nm，测试结果如表1所示，其中，较为典型地，本发明在图2中示例性地提供了实施例2的近红外荧光陶瓷材料的激发光谱图，该激发光谱覆盖了300nm～650nm，其中最佳激发范围覆盖了420nm～500nm的蓝光区域，最强峰位于450nm附近，这与商用的蓝光LED能很好的匹配在一起。
测试例3
对本发明实施例和对比例提供的近红外荧光陶瓷材料进行激发光谱测试，测试方法及结果如下：
采用购自英国爱丁堡仪器公司的型号为FLSP920的多功能光谱测试系统，测试本发明实施例和对比例提供的近红外荧光陶瓷材料的发射光谱，在波长450nm蓝光激发下，测试结果如表1所示，其中，较为典型地，本发明在图3中示例性地提供了实施例2的近红外荧光陶瓷材料的发射光谱图，该近红外荧光陶瓷材料具有宽广的发射带，覆盖650nm～1300nm，其中发射主峰在870nm左右，半高宽180nm左右。
测试例4
采用购自英国爱丁堡仪器公司的型号为FLSP920的多功能光谱测试系统，配备牛津仪器公司生产的温度控制装置，对本发明实施例和对比例提供的近红外荧光陶瓷材料进行发光光谱的温度稳定性测试，测试结果如表1所示，其中，较为典型地，本发明在图4中示例性地提供了实施例2的近红外荧光陶瓷材料的荧光发射光谱的归一化强度测试图，在150℃下，该近红外荧光陶瓷材料的归一化强度仅衰减了8％，说明本发明实施例提供的近红外荧光陶瓷材料耐热性优良。
表1
| 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | 实施例4 | 对比例1 | 对比例2 | |
| 激发光谱/nm | 300～650 | 300～650 | 300～650 | 300～650 | 300～650 | 300～650 |
| 最佳激发范围/nm | 420～500 | 420～500 | 420～500 | 420～500 | —— | 420～500 |
| 激发光谱最强/nm | 450 | 450 | 450 | 450 | —— | 450 |
| 发射光谱/nm | 655～1295 | 650～1300 | 660～1290 | 680-1250 | —— | 680-1000 |
| 发射主峰/nm | 870 | 870 | 870 | 870 | —— | 870 |
| 发射主峰半高宽/nm | 175 | 180 | 170 | 150 | —— | 120 |
| 150℃归一化强度 | 衰减8.5％ | 衰减8％ | 衰减9％ | 衰减15％ | —— | 衰减20％ |
| 25℃时内量子效率(％) | 89 | 91 | 88 | 50 | —— | 30 |
由上述结果可知，本发明实施例1～3制得的近红外荧光陶瓷材料能够被300nm～650nm的蓝光光源和紫光光源有效激发，发射光谱覆盖范围宽，具有极高的内量子效率；对比例1制得的陶瓷材料不能被300nm～650nm的蓝光光源或紫光光源激发，相应的，也没有发射光谱，无法作为近红外发光材料；对比例2制得的近红外荧光陶瓷材料Cr元素和Yb元素掺杂量过高，内量子效率低、耐热性差，发射光谱覆盖范围窄。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种近红外荧光陶瓷材料，其特征在于，所述近红外荧光陶瓷材料的表达式为Mg3Ga2-x-yGeO8:xCr3+,yYb3+，其中，0＜x≤0.08，0＜y≤0.08。
2.根据权利要求1所述的近红外荧光陶瓷材料，其特征在于，0.03＜x≤0.06，0.05＜y≤0.08；
和/或，在激发波长为300nm～650nm的条件下，所述近红外荧光陶瓷材料的发射光谱范围包括650nm～1300nm；
和/或，所述近红外荧光陶瓷材料的晶体结构属于空间群Imma，正交晶系。
3.一种近红外荧光陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：将Mg源、Ga源、Ge源、Cr源和Yb源进行混合处理，得到混合物，其中，所述Mg源、Ga源、Ge源、Cr源和Yb源以元素计的摩尔用量比为3:(2-x-y):1:x:y，且0＜x≤0.08，0＜y≤0.08；
S2：在氧气气氛存在下，将所述混合物进行第一烧结处理，得到烧结体；
S3：将所述烧结体进行毛坯形成处理，得到毛坯；
S4：在还原气氛存在下，将所述毛坯进行第二烧结处理，得到所述近红外荧光陶瓷材料。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述Mg源为MgO和/或MgCO3；
和/或，所述Ga源为Ga2O3和/或Ga2(CO3)3；
和/或，所述Ge源为GeO2和/或Ge(CO3)2；
和/或，所述Cr源为Cr2O3和/或Cr2(CO3)3；
和/或，所述Yb源为Yb2O3和/或Yb2(CO3)3。
5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，在所述S1中，所述混合处理的操作包括：
在溶剂存在下，将所述Mg源、所述Ga源、所述Ge源、所述Cr源和所述Yb源进行第一研磨处理，以得到所述混合物；
优选地，所述第一研磨处理的处理时间为30min～60min；
优选地，所述溶剂为无水乙醇。
6.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，在所述S3中，所述毛坯形成处理包括以下步骤：
先将所述烧结体冷却至0℃～40℃，再将冷却后的所述烧结体进行第二研磨处理，得到平均粒径不大于74μm的粉体；
将所述粉体进行压制处理，得到素胚；
将所述素胚进行冷等静压处理，得到毛坯。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二研磨处理的处理时间为30min～60min；
和/或，所述压制处理的压力为10MPa～30MPa；
和/或，所述冷等静压处理的压力为150MPa～200MPa。
8.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述氧气气氛中的氧气体积分数为15％～100％；
和/或，所述第一烧结处理的温度为1300℃～1500℃，处理时间为2h～6h；
和/或，所述还原气氛选自氢气气氛、氨气气氛、一氧化碳气氛、氮氢混合气气氛中的至少一种；
和/或，所述第二烧结处理的温度为1300℃～1450℃，处理时间为2～6h。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一烧结处理的升温方式为程序性升温，升温速率为5～10℃/min；
和/或，所述还原气氛为氮氢混合气气氛，其中，所述氮氢混合气气氛中氢气体积分数为10％～40％；
和/或，所述第二烧结处理的升温方式为程序性升温，升温速率为5～10℃/min。
10.一种近红外发光装置，其特征在于，所述近红外发光装置包括：
发光件，所述发光件由权利要求1～2任一所述的近红外荧光陶瓷材料或权利要求3～9任一所述的制备方法制备的近红外荧光陶瓷材料制成；以及
激发光源，所述激发光源用于激发所述发光件发射近红外光；
优选地，所述激发光源为紫光光源或蓝光光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211473296.XA CN116143498A (zh) | 2022-11-21 | 2022-11-21 | 近红外荧光陶瓷材料及其制备方法和近红外发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211473296.XA CN116143498A (zh) | 2022-11-21 | 2022-11-21 | 近红外荧光陶瓷材料及其制备方法和近红外发光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116143498A true CN116143498A (zh) | 2023-05-23 |
Family
ID=86339716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211473296.XA Pending CN116143498A (zh) | 2022-11-21 | 2022-11-21 | 近红外荧光陶瓷材料及其制备方法和近红外发光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116143498A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105255478A (zh) * | 2015-10-15 | 2016-01-20 | 广东工业大学 | 具有近红外长余辉发光的可逆光致变色材料及其制备方法 |
| CN107384398A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-24 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种yag荧光粉及其制备方法和由其制备的yag荧光陶瓷 |
| CN108231979A (zh) * | 2017-01-24 | 2018-06-29 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种红外led光源 |
| CN108998019A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-12-14 | 陕西师范大学 | 一种宽带发射近红外荧光粉及其制备方法 |
| CN113683398A (zh) * | 2020-05-18 | 2021-11-23 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种近红外荧光陶瓷块、制备方法及应用 |
| CN113736461A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-12-03 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种Cr3+/Yb3+共掺杂的宽带近红外发光材料、其制备方法及照明与显示光源 |
| CN114717003A (zh) * | 2022-04-19 | 2022-07-08 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种宽带近红外发射的无机荧光材料及其制备方法 |
| WO2022163269A1 (ja) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 蛍光体、発光装置、センシングシステム用光源及びセンシングシステム用照明システム |
| CN115873595A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-03-31 | 华南理工大学 | 一种可调控红光与近红外稀土发光材料及制备方法和红外led装置 |
-
2022
- 2022-11-21 CN CN202211473296.XA patent/CN116143498A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105255478A (zh) * | 2015-10-15 | 2016-01-20 | 广东工业大学 | 具有近红外长余辉发光的可逆光致变色材料及其制备方法 |
| CN108231979A (zh) * | 2017-01-24 | 2018-06-29 | 江苏博睿光电有限公司 | 一种红外led光源 |
| CN107384398A (zh) * | 2017-07-20 | 2017-11-24 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种yag荧光粉及其制备方法和由其制备的yag荧光陶瓷 |
| CN108998019A (zh) * | 2018-08-07 | 2018-12-14 | 陕西师范大学 | 一种宽带发射近红外荧光粉及其制备方法 |
| CN113683398A (zh) * | 2020-05-18 | 2021-11-23 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种近红外荧光陶瓷块、制备方法及应用 |
| WO2022163269A1 (ja) * | 2021-01-29 | 2022-08-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 蛍光体、発光装置、センシングシステム用光源及びセンシングシステム用照明システム |
| CN113736461A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-12-03 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种Cr3+/Yb3+共掺杂的宽带近红外发光材料、其制备方法及照明与显示光源 |
| CN114717003A (zh) * | 2022-04-19 | 2022-07-08 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种宽带近红外发射的无机荧光材料及其制备方法 |
| CN115873595A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-03-31 | 华南理工大学 | 一种可调控红光与近红外稀土发光材料及制备方法和红外led装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110857389B (zh) | 一种近红外荧光粉以及含该荧光粉的发光装置 | |
| CN104446428B (zh) | 一种用于白光led器件的复相透明陶瓷及其制备方法 | |
| CN109467453A (zh) | 一种具有特征微观结构的荧光陶瓷及其制备方法和应用 | |
| TW200530374A (en) | Phosphor and light-emitting equipment using phosphor | |
| CN108264899A (zh) | 一种应用于led的荧光陶瓷及其制备方法 | |
| WO2020228066A1 (zh) | 一种绿色荧光透明陶瓷的制备方法和应用 | |
| CN108863317A (zh) | 一种荧光复合陶瓷及其制备方法和应用 | |
| CN113736461B (zh) | 一种Cr3+/Yb3+共掺杂的宽带近红外发光材料、其制备方法及照明与显示光源 | |
| CN109971477B (zh) | 一种钐掺杂硼磷酸盐橙红色荧光粉及其制备方法和应用 | |
| CN104449718A (zh) | 用于白光LED封装的双层YAG:Ce/(Gd,Y)AG:Ce复合透明陶瓷荧光体及其制备方法 | |
| CN108018040A (zh) | 一种荧光陶瓷材料、其制备方法以及一种低色温白光led | |
| CN102173773A (zh) | 用于高亮度白光发光二极管的透明陶瓷及其制备方法 | |
| DU et al. | Ce: YAG transparent ceramics enabling high luminous efficacy for high-power LEDs/LDs | |
| CN107353900B (zh) | 一种铌酸盐荧光粉、其制备方法及发光二极管 | |
| CN107098582B (zh) | 一种热稳定性高的硼酸盐基质led用白光发光玻璃及其制备方法 | |
| CN102093887A (zh) | 一种低色温白光led用氮化硅橙红光发光材料及其制备方法 | |
| CN111116207A (zh) | 一种具有长波段发射、高显指的氧氮化物荧光陶瓷材料及其制备方法 | |
| CN103382390B (zh) | 一种白光led用磷酸盐荧光粉及其制备 | |
| CN116143498A (zh) | 近红外荧光陶瓷材料及其制备方法和近红外发光装置 | |
| CN113683398B (zh) | 一种近红外荧光陶瓷块、制备方法及应用 | |
| Wang et al. | A single-component white-light-emitting fluorescent material with high color rendering index based on resonance energy transfer | |
| CN110373188B (zh) | 一种紫外激发的Eu单掺杂单相白光发射荧光粉及其制备方法 | |
| CN107163943A (zh) | 一种适于近紫外激发的光谱可调控的荧光粉及其制备方法 | |
| CN111040762A (zh) | 单一基质色度可调的发光材料及其制备方法与应用 | |
| CN110257068A (zh) | 一种黄绿色磷酸盐荧光材料及其制备方法与应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |