CN116134629A - 显示设备和用于显示设备的制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示设备和用于显示设备的制造方法。用于显示设备的制造方法包括以下步骤：准备其上形成有第一电极和第二电极的基底的步骤；在第一电极与第二电极之间布置发光元件的步骤；在发光元件上形成牺牲图案的步骤，牺牲图案暴露发光元件的一个端部和另一端部；在牺牲图案以及发光元件的一个端部和另一端部上形成接触电极材料层的步骤，一个端部和另一端部被牺牲图案暴露；以及通过去除与牺牲图案叠置的接触电极材料层来形成第一接触电极和第二接触电极的步骤。

Description

显示设备和用于显示设备的制造方法
技术领域
本公开涉及一种显示设备和用于显示设备的制造方法。
背景技术
随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步地增大。响应于此，已经使用诸如有机发光显示器(OLED)、液晶显示器(LCD)等的各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括例如发光二极管(LED)的发光元件，并且发光二极管的示例包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
发明内容
技术问题
本公开的目的是提供一种其中减少掩模工艺以改善工艺效率的显示设备。
本公开的另一目的是提供一种用于其中减少掩模工艺以改善工艺效率的显示设备的制造方法。
应注意的是，公开的方面不限于此，并且通过以下描述，在此未提及的其它方面对于本领域普通技术人员而言将是明显的。
技术方案
根据公开的实施例，提供了一种用于显示设备的制造方法，该制造方法包括以下步骤：准备其上形成有第一电极和第二电极的基底；在第一电极与第二电极之间设置发光元件；在发光元件上形成暴露发光元件的一个端部和另一端部的牺牲图案；在牺牲图案以及发光元件的被牺牲图案暴露的一个端部和另一端部上形成接触电极材料层；以及通过去除与牺牲图案叠置的接触电极材料层来形成第一接触电极和第二接触电极。
牺牲图案的剖面形状可以具有锥形形状。
接触电极材料层可以包括第一区域、第二区域和第三区域，第一区域与牺牲图案叠置并且具有第一厚度，第二区域与发光元件的被牺牲图案暴露的一个端部和另一端部叠置并且具有第二厚度，第三区域不与发光元件叠置并且具有第三厚度，并且第一厚度可以小于第二厚度和第三厚度。
可以通过使用第一蚀刻剂的正蚀刻来执行通过去除接触电极材料层而形成第一接触电极和第二接触电极的步骤。
第一蚀刻剂相对于牺牲图案的蚀刻选择性可以大于第一蚀刻剂相对于接触电极材料层的蚀刻选择性。
在通过去除接触电极材料层而形成第一接触电极和第二接触电极的步骤期间，可以蚀刻牺牲图案上的具有第一厚度的第一区域以暴露牺牲图案，并且可以通过第一蚀刻剂蚀刻所暴露的牺牲图案。
牺牲图案可以包括自组装单层。
通过去除接触电极材料层而形成第一接触电极和第二接触电极的步骤可以包括在接触电极材料层的一个表面上形成胶层和去除胶层。
接触电极材料层可以包括与牺牲图案和胶层叠置的第一部分以及不与牺牲图案叠置但与胶层叠置的第二部分，并且在去除胶层的步骤中，可以通过将接触电极材料层的第一部分附着到胶层的一个表面而去除接触电极材料层的第一部分，以形成第一接触电极和第二接触电极。
制造方法还可以包括在去除胶层之后去除牺牲图案。
根据公开的另一实施例，提供了一种用于显示设备的制造方法，该制造方法包括以下步骤：准备其上形成有第一电极和第二电极的基底；在第一电极与第二电极之间设置发光元件；在第一电极和发光元件的一个端部上形成第一接触电极；在第一接触电极上形成覆盖第一接触电极的牺牲图案；在牺牲图案和发光元件的另一端部上形成第二接触电极材料层；以及通过去除与牺牲图案叠置的第二接触电极材料层来形成第二接触电极。
牺牲图案可以包括自组装单层。
通过去除第二接触电极材料层而形成第二接触电极的步骤可以包括在第二接触电极材料层的一个表面上形成胶层和去除胶层。
第二接触电极材料层可以包括与牺牲图案和胶层叠置的第一部分以及不与牺牲图案叠置但与胶层叠置的第二部分，并且在去除胶层的步骤中，可以通过将第二接触电极材料层的第一部分附着到胶层的一个表面而去除第二接触电极材料层的第一部分，以形成第二接触电极。
根据公开的实施例，显示设备包括：基底；发光元件，设置在基底上；第一接触电极，与发光元件的一个端部接触；以及第二接触电极，与发光元件的另一端部接触，其中，第一接触电极和第二接触电极彼此分隔开以彼此面对，并且第二接触电极的面对第一接触电极的一个端部具有倒锥形形状的剖面形状。
第一接触电极的面对第二接触电极的一个端部可以具有倒锥形形状的剖面形状。
第二接触电极的一个端部可以设置在发光元件的另一端部上，并且第二接触电极可以包括与发光元件叠置的第一区域和不与发光元件叠置的第二区域，并且第一区域可以具有小于第二区域的厚度的厚度。
第二接触电极的上表面的至少部分区域可以具有表面粗糙度。
第二接触电极在与发光元件叠置的区域中在第二接触电极上可以具有表面粗糙度，并且第一接触电极在与发光元件叠置的区域中在第一接触电极上可以具有表面粗糙度。
显示设备还可以包括设置在第一接触电极和第二接触电极上的绝缘层，其中，绝缘层可以包括设置在第一接触电极和第二接触电极上的第一部分以及设置在其中第一接触电极和第二接触电极彼此分隔开的空间中的第二部分，并且第一部分和第二部分可以成一体。
其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。
技术效果
根据本公开的一个实施例，通过同一工艺使用牺牲图案来形成第一接触电极和第二接触电极，使得可以减少掩模的数量，由此可以改善显示设备的工艺效率。
根据实施例的效果不限于以上例示的内容，更多样的效果包括在本公开中。
附图说明
图1是示出了根据一个实施例的显示设备的平面图。
图2是示出了根据一个实施例的显示设备的一个像素的平面图。
图3是沿着图2的线III-III'截取的示意性剖视图。
图4是示出了根据一个实施例的发光元件的示意图。
图5是示出了图3的放大的区域A的示例的放大剖视图。
图6是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
图7是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
图8是示出了图7的区域B1的放大剖视图。
图9是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
图10是示出了图9的区域B2的放大剖视图。
图11是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
图12是示出了图11的区域B3的放大剖视图。
图13是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
图14是示出了图3的放大的区域A的另一示例的放大剖视图。
图15是示出了沿着图2的线III-III'截取的另一示例的剖视图。
图16是示出了图15的放大的区域C的示例的放大剖视图。
图17至图22是示出了图15的显示设备的制造工艺的剖视图。
图23是示出了沿着图2的线III-III'截取的又一示例的剖视图。
图24是示出了沿着图2的线III-III'截取的又一示例的剖视图。
图25是示出了图24的放大的区域E的放大剖视图。
图26是示出了图24的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
图27是示出了图26的放大的区域D的放大剖视图。
图28至图31是示出了图24的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
图32是示出了沿着图2的线III-III'截取的又一示例的剖视图。
具体实施方式
在下文中，现在将参照附图更充分地描述发明，在附图中示出了发明的优选实施例。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是，虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。
在下文中，将参照附图描述实施例。
图1是示出了根据一个实施例的显示设备的平面图。
参照图1，显示设备10显示运动图像或静止图像。显示设备10可以指提供显示屏幕的所有电子装置。例如，提供显示屏幕的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子日记、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器、游戏机、数码相机、摄像机等可以包括在显示设备10中。
显示设备10包括用于提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在下文中，无机发光二极管显示面板被用作显示面板的示例，但不限于此。当相同的技术精神适用于其它显示面板时，可以使用其它显示面板。
在下文中，在其中描述有显示设备10的实施例的附图中，定义了第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1和第二方向DR2可以是在一个平面中彼此垂直的方向。第三方向DR3可以是与其中定位有第一方向DR1和第二方向DR2的平面垂直的方向。第三方向DR3与第一方向DR1和第二方向DR2中的每个垂直。在其中描述有显示设备10的实施例中，第三方向DR3指显示设备10的厚度方向(显示方向)。
显示设备10可以在平面上具有包括在第一方向DR1上比在第二方向DR2上长的长边以及短边的矩形形状。显示设备10的长边和短边在平面上彼此相交的拐角部分可以是直角，但不限于此，并且拐角部分可以具有圆角形状。可以对显示设备10的形状进行各种修改，而不限于示出的示例。例如，显示设备10可以具有诸如平面上的正方形形状、具有圆角(顶点)的正方形形状、其它多边形形状和圆形形状的其它形状。
显示设备10的显示表面可以在作为厚度方向的第三方向DR3上设置在一侧处。在其中描述有显示设备10的实施例中，除非另有说明，否则“上部”指在第三方向DR3上的一侧处的显示方向，并且“上表面”指朝向第三方向DR3上的一侧定向的表面。此外，“下部”指在第三方向DR3上的另一侧处的显示方向的相反方向，并且“下表面”指朝向第三方向DR3上的另一侧定向的表面。此外，“左”、“右”、“上”和“下”指当在平面上观看显示设备10时的方向。例如，“右侧”指第一方向DR1的一侧，“左侧”指第一方向DR1的另一侧，“上侧”指第二方向DR2的一侧，“下侧”指第二方向DR2的另一侧。
显示设备10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA是其中可以显示有画面的区域，并且非显示区域NDA是其中不显示画面的区域。
显示区域DPA可以具有遵循显示设备10的形状的形状。例如，显示区域DPA可以在平面上具有与显示设备10的整体形状类似的矩形形状。显示区域DPA可以大体占据显示设备10的中心。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以布置为矩阵。每个像素PX的形状在平面上可以是矩形形状或正方形形状。在示例性实施例中，每个像素PX可以包括由无机颗粒制成的多个发光元件。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA的附近。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。非显示区域NDA可以构成显示设备10的边框。
图2是示出了根据一个实施例的显示设备的一个像素的平面图。图3是沿着图2的线III-III'截取的示意性剖视图。
参照图2，显示设备10的每个像素PX可以包括发光区域EMA和非发光区域(未示出)。发光区域EMA可以是其中发射有从发光元件30发射的光的区域，并且非发光区域可以被定义为其中从发光元件30发射的光未到达其并且因此不发射光的区域。
发光区域EMA可以包括其中设置有发光元件30的区域及其相邻区域。另外，发光区域还可以包括其中从发光元件30发射的光通过被其它构件反射或折射而发射的区域。
每个像素PX还可以包括设置在非发光区域中的切割区域CBA。切割区域CBA可以在一个像素PX中设置在发光区域EMA的上侧(或在第二方向DR2上的一侧)处。切割区域CBA可以设置在沿第二方向DR2设置为彼此相邻的像素PX的发光区域EMA之间。
切割区域CBA可以是其中包括在彼此相邻的相应的像素PX中的电极21和22沿着第二方向DR2彼此分开的区域。设置在每个像素PX中的电极21和22可以在切割区域CBA中彼此分开，并且设置在每个像素PX中的电极21和22的一部分可以设置在切割区域CBA中。发光元件30可以不设置在切割区域CBA中。
参照图2和图3，显示设备10可以包括基底SUB、设置在基底SUB上的电路元件层PAL和设置在电路元件层PAL上的发光元件层。发光元件层可以包括第一堤40、第一电极21和第二电极22、第二堤60、发光元件30、第一接触电极71和第二接触电极72、第一绝缘层51以及第二绝缘层52。
基底SUB可以是绝缘基底。基底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料形成。基底SUB可以是刚性基底，但是可以是能够经受弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。
电路元件层PAL可以设置在基底SUB上。电路元件层PAL可以包括至少一个晶体管以驱动发光元件层。
第一堤40可以设置在电路元件层PAL上。虽然未在附图中示出，但是电路元件层PAL可以包括过孔层，并且第一堤40可以设置在电路元件层PAL的过孔层上。
第一堤40可以包括在平面上在每个像素PX中沿第二方向DR2延伸的形状。第一堤40可以包括彼此分隔开的第一子堤41和第二子堤42。其中第一子堤41和第二子堤42彼此分隔开的间隙空间可以提供其中设置有多个发光元件30的区域。
第一子堤41和第二子堤42可以具有其中第一子堤41和第二子堤42的至少一部分从基底SUB的上表面突出的结构。第一子堤41和第二子堤42的突出部可以具有倾斜的侧面。由于第一子堤41和第二子堤42包括倾斜的侧面，因此第一子堤41和第二子堤42可以用于将从发光元件30发射并且朝向第一子堤41和第二子堤42的侧面移动的光的移动方向改变为向上方向(例如，显示方向)。
第一电极21和第二电极22可以分别设置在第一子堤41和第二子堤42上。第一电极21和第二电极22可以彼此分隔开。
第一电极21可以在平面上沿第二方向DR2延伸，以便与第二堤60的在第一方向DR1上延伸的部分区域叠置。第一电极21可以通过第一接触孔CT1电连接到电路元件层PAL。
第二电极22可以在平面上沿第二方向DR2延伸，以便与第二堤60的在第一方向DR1上延伸的部分区域叠置。第二电极22可以通过第二接触孔CT2电连接到电路元件层PAL。
第一电极21和第二电极22可以分别电连接到发光元件30，并且预定电压可以被施加到发光元件30以发射光。例如，多个电极21和22可以通过稍后将描述的接触电极71和72电连接到设置在第一电极21与第二电极22之间的发光元件30，并且可以通过接触电极71和72将施加到电极21和22的电信号传输到发光元件30。
第一绝缘层51可以设置在多个电极21和22上。第一绝缘层51可以设置在第一电极21和第二电极22上，以暴露第一电极21和第二电极22的至少一部分。第一绝缘层51可以保护第一电极21和第二电极22，并且同时使第一电极21和第二电极22彼此绝缘。另外，可以防止设置在第一绝缘层51上的发光元件30由于与其它构件直接接触而损坏。
第二堤60可以设置在第一绝缘层51上。第二堤60可以包括在平面上沿第一方向DR1和第二方向DR2延伸的部分，并且可以以格子图案设置。第二堤60可以形成为具有大于第一堤40的高度的高度。第二堤60可以执行在显示设备10的制造工艺的喷墨印刷工艺期间防止墨溢出到相邻的像素PX(未示出)的功能。
发光元件30可以在电极21和22之间设置在第一绝缘层51上。发光元件30可以具有在一个方向上延伸的形状。另外，发光元件30可以具有在一个方向上延伸的形状，电极21和22延伸所沿的方向可以与发光元件30延伸所沿的方向基本上垂直。
第一接触电极71和第二接触电极72可以分别设置在第一电极21和第二电极22上。第一接触电极71和第二接触电极72可以彼此分隔开。第一接触电极71可以包括与第二接触电极72分隔开以面对第二接触电极72的一个端部，并且第二接触电极72可以包括与第一接触电极71分隔开以面对第一接触电极71的一个端部。在本公开中，第一接触电极71和第二接触电极72中的每个的一个端部可以指设置在彼此分隔开以彼此面对的侧面中的每个处的端部。
第一接触电极71和第二接触电极72可以具有在平面上沿一个方向延伸的形状。第一接触电极71和第二接触电极72中的每个可以具有在第二方向DR2上延伸的形状。第一接触电极71和第二接触电极72可以在第一方向DR1上彼此分隔开以彼此面对。
第一接触电极71可以与第一电极21和发光元件30的一个端部接触。第一接触电极71可以设置在第一电极21上，使得其部分区域可以与第一电极21的被第一绝缘层51暴露的一个表面接触，并且其另一部分区域可以与发光元件30的一个端部接触。
第二接触电极72可以与第二电极22和发光元件30的另一端部接触。第二接触电极72可以设置在第二电极22上，使得其部分区域可以与第二电极22的被第一绝缘层51暴露的一个表面接触，并且其另一部分区域可以与发光元件30的另一端部接触。
第一接触电极71和第二接触电极72可以平行地设置在发光元件30上。第一接触电极71和第二接触电极72可以在发光元件30上彼此分隔开以彼此面对。第一接触电极71和第二接触电极72可以在发光元件30上彼此分隔开以暴露发光元件30的一部分。被第一接触电极71和第二接触电极72暴露的发光元件30可以在暴露区域中与稍后将描述的第二绝缘层52接触。在与发光元件30相邻的区域中，第一接触电极71和第二接触电极72可以针对每个区域具有不同的厚度。这将在稍后参照图5详细描述。
第二绝缘层52可以整个地设置在基底SUB上。第二绝缘层52可以用于保护设置在基底SUB上的构件免受外部环境的影响。
图4是示出了根据一个实施例的发光元件的示意图。
参照图4，发光元件30是颗粒型元件，并且可以具有具备预定纵横比的棒或圆柱形形状。发光元件30可以具有大于其直径的长度，并且可以具有3:1至10:1的纵横比，但不限于此。
发光元件30可以具有纳米级(1nm或更大且小于1μm)至微米级(1μm或更大且小于1mm)的尺寸。在一个实施例中，发光元件30的直径和长度两者可以具有纳米级的尺寸，或者可以具有微米级的尺寸。在一些其它实施例中，发光元件30的直径可以具有纳米级的尺寸，而发光元件30的长度可以具有微米级的尺寸。在一些实施例中，发光元件30中的一部分可以具有纳米级的直径和/或长度，而发光元件30中的另一部分可以具有微米级的直径和/或长度。
在一个实施例中，发光元件30可以是无机发光二极管。详细地，发光元件30可以包括掺杂有任何导电型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以接收从外部电源施加的电信号，并且因此可以发射特定波长范围的光。
根据一个实施例的发光元件30可以包括在纵向方向上顺序地堆叠的第一半导体层31、活性层33、第二半导体层32和电极层37。发光元件还可以包括围绕第一半导体层31、第二半导体层32和活性层33的外表面的绝缘层38。
第一半导体层31可以是例如具有第一导电型的n型半导体。第一半导体层31可以掺杂有第一导电型掺杂剂，例如，第一导电掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。在示例性实施例中，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。
第二半导体层32可以设置为与第一半导体层31分隔开。第二半导体层32可以是例如具有第二导电型的p型半导体。第二半导体层32可以掺杂有第二导电掺杂剂，例如，第二导电掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。在示例性实施例中，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。
活性层33可以设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。活性层33可以包括单量子阱结构或多量子阱结构的材料。活性层33可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号通过电子-空穴对的结合来发射光，但不限于此。活性层33可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，并且可以根据发射的光的波长带包括III族或V族半导体材料。
从活性层33发射的光不仅可以在发光元件30的纵向方向上发射，而且可以在发光元件30的两侧上发射。从活性层33发射的光的方向性不限于在一个方向上。
电极层37可以设置在第二半导体层32上。电极层37可以是欧姆连接电极，但不限于此。电极层37可以是肖特基(Schottky)接触电极。
当发光元件30与显示设备10中的电极或接触电极电连接时，电极层37可以降低发光元件30与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。另外，电极层37可以包括掺杂有n型或p型的半导体材料。
绝缘层38设置为围绕多个半导体层和电极层的外表面。在示例性实施例中，绝缘层38可以设置为围绕至少活性层33的外表面，并且可以在发光元件30延伸所沿的一个方向上延伸。绝缘层38可以用于保护以上构件。例如，绝缘层38可以形成为围绕构件的侧面，并且暴露发光元件30的在纵向方向上的两端。绝缘层38可以包括具有绝缘性质的材料。因此，绝缘层38可以防止在发光元件30与电信号被传输到其的电极直接接触时在活性层33中会发生的电短路。此外，绝缘层38可以保护发光元件30的外表面，从而防止发光效率被劣化。
此外，在一些实施例中，绝缘层38的外表面可以被表面处理。当制造显示设备10时，发光元件30可以通过以其分散在预定墨中的状态被喷射到电极上来对准。绝缘层38的表面可以进行疏水处理或亲水处理，使得发光元件30可以被保持为分散在墨中而不与同其相邻的其它的发光元件30缩聚。
图5是示出了图3的放大的区域A的示例的放大剖视图。
参照图5，设置在发光元件30的相邻区域中的第一接触电极71(或第一接触电极71的一个端部)可以包括设置为在第三方向DR3上与发光元件30叠置的第一区域71A和设置为在第三方向DR3上不与发光元件30叠置的第二区域71B。第一接触电极71的第一区域71A可以设置在发光元件30上。
设置在发光元件30上的第一接触电极71(即，第一接触电极71的第一区域71A)可以在剖面上包括第一表面71S1、第二表面71S2和第三表面71S3。第一表面71S1可以是在发光元件30上与发光元件30的绝缘层38接触的表面，第二表面71S2可以是面对第一表面71S1的表面，第三表面71S3可以是连接第一表面71S1与第二表面71S2的表面。例如，第一接触电极71的第一表面71S1可以是第一接触电极71的第一区域71A的下表面，第一接触电极71的第二表面71S2可以是第一接触电极71的第一区域71A的上表面，并且第一接触电极71的第三表面71S3可以是第一接触电极71的第一区域71A的侧面。在下文中，第一接触电极71的第一表面71S1、第二表面71S2和第三表面71S3可以分别被称为第一接触电极71的设置在发光元件30上的第一区域71A的下表面71S1、上表面71S2和侧面71S3。
同样地，在发光元件30的相邻区域中，第二接触电极72可以包括设置为在第三方向DR3上与发光元件30叠置的第一区域72A和设置为在第三方向DR3上不与发光元件30叠置的第二区域72B。第一接触电极71的第一区域71A可以设置在发光元件30上。
设置在发光元件30上的第二接触电极72(即，第二接触电极72的第一区域72A)可以在剖面上包括第一表面72S1、第二表面72S2和第三表面72S3。例如，第二接触电极72的第一表面72S1可以是第二接触电极72的第一区域72A的下表面，第二接触电极72的第二表面72S2可以是第二接触电极72的第一区域72A的上表面，第二接触电极72的第三表面72S3可以是第二接触电极72的第一区域72A的侧面。在下文中，第二接触电极72的第一表面72S1、第二表面72S2和第三表面72S3可以分别称为第二接触电极72的设置在发光元件30上的第一区域72A的下表面72S1、上表面72S2和侧面72S3。
第一接触电极71和第二接触电极72可以设置为在发光元件30上沿第一方向DR1彼此分隔开。第一接触电极71的侧面71S3和第二接触电极72的侧面72S3可以在发光元件30上彼此面对。
第一接触电极71的与第二接触电极72分隔开并且面对第二接触电极72的一个端部的剖面形状可以具有倒锥形形状。同样地，第二接触电极72的与第一接触电极71分隔开并且面对第一接触电极71的一个端部的剖面形状可以具有倒锥形形状。
详细地，设置在发光元件30上的第一接触电极71的剖面形状可以具有倒锥形形状。在本公开中，倒锥形形状可以被定义为其中剖面的上表面比下表面突出得多以具有倾斜侧面的形状。即，当剖面形状是倒锥形形状时，由下表面与侧面形成的角的大小可以是钝角。另外，正锥形形状可以被定义为其中剖面的下表面比上表面突出得多以具有倾斜侧面的形状。即，当剖面形状是正锥形形状时，由下表面与侧面形成的角可以是锐角。
第一接触电极71的第一区域71A的剖面形状可以具有倒锥形形状。因此，由第一接触电极71的第一区域71A的下表面71S1和侧面71S3形成的角可以是钝角。在示例性实施例中，由第一接触电极71的第一区域71A的下表面71S1和侧面71S3形成的第一锥角θ1可以在大于90°且小于或等于145°的范围内，但不限于此。第一接触电极71的一个端部的剖面形状可以具有正锥形形状。
设置在发光元件30上的第二接触电极72的剖面形状可以具有倒锥形形状。第二接触电极72的第一区域72A的剖面形状可以具有倒锥形形状。因此，由第二接触电极72的第一区域72A的下表面72S1与侧面72S3形成的角可以是钝角。在示例性实施例中，由第二接触电极72的下表面72S1与侧面72S3形成的第二锥角θ2可以在大于90°且小于或等于145°的范围内，但不限于此。第二接触电极72的一个端部的剖面形状可以具有正锥形形状。
设置在与发光元件30相邻的区域中的第一接触电极71和第二接触电极72可以针对每个区域具有不同的厚度。
设置在与发光元件30相邻的区域中的第一接触电极71可以根据与发光元件30的相对布置关系而具有不同的厚度。第一接触电极71的设置在发光元件30上的第一区域71A可以具有第一厚度t1，并且第一接触电极71的未设置在发光元件30上的第二区域72A可以具有与第一厚度t1不同的第二厚度t2。第二厚度t2可以大于第一厚度t1。
设置在与发光元件30相邻的区域中的第二接触电极72的第一区域72A和第二区域72B之间的厚度关系可以与第一接触电极71基本上相同。设置在与发光元件30相邻的区域中的第二接触电极72的第一区域72A和第二区域72B的厚度的描述将被替换为第一接触电极71的第一区域71A和第二区域71B的厚度的描述。
第二绝缘层52可以设置在第一接触电极71和第二接触电极72上。第二绝缘层52可以设置在第一接触电极71和第二接触电极72上，以包括在形成在发光元件30上的第一接触电极71和第二接触电极72之间的间隙空间，从而完全地覆盖第一接触电极71和第二接触电极72。
第二绝缘层52可以包括设置在第一接触电极71和第二接触电极72上的第一部分以及在发光元件30上设置在第一接触电极71与第二接触电极72之间的间隙空间中的第二部分。第二绝缘层52的第一部分和第二部分可以成一体以形成单个层，而没有单独的边界线。
在下文中，将描述图3的显示设备的制造工艺。
图6是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
首先，参照图6，准备基底SUB和形成在基底SUB上的电路元件层PAL。随后，在基底SUB上形成包括第一子堤41和第二子堤42的第一堤40。可以通过同一掩模工艺形成第一子堤41和第二子堤42。随后，在第一子堤41和第二子堤42上分别形成第一电极21和第二电极22。第一电极21和第二电极22可以包括相同的材料，并且可以通过同一掩模工艺形成。接着，在第一电极21和第二电极22上形成第一绝缘层51，在第一绝缘层51上形成第二堤60，在第一电极21与第二电极22之间在第一绝缘层51上设置发光元件30。发光元件30可以设置为以其分散在墨中的状态通过印刷工艺喷射到基底SUB上。
图7是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。图8是示出了图7的区域B1的放大剖视图。
参照图7和图8，在发光元件30上形成牺牲图案SP。在本实施例中，可以通过掩模工艺形成牺牲图案SP。详细地，在第一电极21和第二电极22以及第一绝缘层51上整个地沉积用于牺牲层的材料层。然后，在用于牺牲层的材料层上涂覆光致抗蚀剂层并且通过曝光和显影形成光致抗蚀剂图案之后，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻用于牺牲层的材料层。然后，如图7和图8中所示，可以通过剥离或灰化工艺去除光致抗蚀剂图案，以形成牺牲图案SP。
牺牲图案SP可以包括下表面SP_S1、上表面SP_S2、第一侧面SP_S3和第二侧面SP_S4。牺牲图案SP的剖面形状可以包括正锥形形状。牺牲图案SP的下表面SP_S1的在剖面上的宽度W1可以大于牺牲图案SP的上表面SP_S2的宽度W2。由牺牲图案SP的下表面SP_S1与牺牲图案SP的第一侧面SP_S3形成的角可以是锐角。在示例性实施例中，由牺牲图案SP的下表面SP_S1与牺牲图案SP的第一侧面SP_S3形成的第三锥角θ3可以在大于或等于35°且小于90°的范围内。同样地，由牺牲图案SP的下表面SP_S1与牺牲图案SP的第二侧面SP_S4形成的角可以是锐角。在示例性实施例中，由牺牲图案SP的下表面SP_S1与牺牲图案SP的第二侧面SP_S4形成的第四锥角θ4可以在大于或等于35°且小于90°的范围内，但不限于此。牺牲图案SP的剖面形状可以具有倒锥形形状。
牺牲图案SP的第三锥角θ3可以是第一接触电极71的第一锥角θ1的补角。另外，牺牲图案SP的第四锥角θ4可以是第二接触电极72的第二锥角θ2的补角。补角可以被定义为当两个角的和是180°时相对于另一角的角。由于第一接触电极71的第一锥角θ1和第二接触电极72的第二锥角θ2分别与牺牲图案SP的第三锥角θ3和牺牲图案SP的第四锥角θ4互补，因此牺牲图案SP的剖面形状可以具有正锥形形状，使得形成为在牺牲图案SP上沉积并且蚀刻的第一接触电极71和第二接触电极72的剖面形状可以具有如图5中所示的倒锥形形状。此外，为了使整个地沉积在牺牲图案SP上的接触电极材料层70(见图9)针对每个区域具有不同的厚度，牺牲图案SP的第三锥角θ3和第四锥角θ4可以在大于或等于35°且小于90°的范围内，但不限于此。
可以在第一电极21与第二电极22之间在第一绝缘层51上设置牺牲图案SP。可以在第一电极21与第二电极22之间在发光元件30上设置牺牲图案SP的部分区域。牺牲图案SP的设置在发光元件30上的部分区域可以暴露发光元件30的两端的至少一部分。因此，牺牲图案SP的最大宽度可以小于发光元件30的在延伸方向上的长度“h”。在示例性实施例中，牺牲图案SP的下表面SP_S1的宽度W1可以小于发光元件30的在延伸方向上的长度“h”。由于牺牲图案SP的最大宽度小于发光元件30的长度“h”，因此牺牲图案SP可以在发光元件30上暴露发光元件30的两端。
牺牲图案SP可以包括与包括在稍后将描述的接触电极材料层70(见图9)中的材料不同的材料。详细地，牺牲图案SP可以包括相对于用于蚀刻接触电极材料层70的蚀刻剂具有与接触电极材料层70的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的材料。这将在稍后详细描述。
图9是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。图10是示出了图9的区域B2的放大剖视图。
参照图9和图10，在第一电极21和第二电极22、第一绝缘层51以及其上形成有牺牲图案SP的发光元件30上形成接触电极材料层70。可以在牺牲图案SP和发光元件30的被牺牲图案SP暴露的两端上设置接触电极材料层70。另外，接触电极材料层70可以向外延伸以设置在第一电极21和第二电极22以及第一绝缘层51上。即，可以在基底SUB上整个地沉积接触电极材料层70。
接触电极材料层70可以通过设置在其下方的构件的台阶差而沉积为针对每个区域具有不同的厚度。详细地，在与发光元件30相邻的区域中，根据牺牲图案SP与发光元件30之间的相对布置关系，接触电极材料层70可以沉积为具有不同的厚度。接触电极材料层70可以在与发光元件30相邻的区域中包括第一区域、第二区域和第三区域。接触电极材料层70的第一区域可以与牺牲图案SP和发光元件30叠置，并且可以具有第一厚度d1。接触电极材料层70的第二区域可以是与被牺牲图案SP暴露的发光元件30叠置并且具有第二厚度d2的区域。接触电极材料层70的第三区域可以是不与牺牲图案SP和发光元件30叠置并且具有第三厚度d3的区域。第一厚度d1可以小于第二厚度d2和第三厚度d3，并且第二厚度d2可以小于第三厚度d3。
由于由设置在接触电极材料层70下方的牺牲图案SP和发光元件30形成的台阶差，接触电极材料层70可以沉积为具有不同的厚度。另外，牺牲图案SP形成为具有在大于或等于35°且小于90°的范围内的第三锥角θ3和第四锥角θ4，接触电极材料层70的形成在牺牲图案SP上的第一区域的第一厚度d1可以小于其它区域的厚度。接触电极材料层70可以包括ITO、IZO、ITZO等，但不限于此。
图11是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。图12是示出了图11的区域B3的放大剖视图。图13是示出了图3的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
参照图11至图13，可以通过去除与牺牲图案SP叠置的接触电极材料层70来形成第一接触电极71和第二接触电极72。可以通过在其上形成有接触电极材料层70的基底SUB上进行正蚀刻来形成去除与牺牲图案SP叠置的接触电极材料层70的步骤，而没有单独的掩模工艺。详细地，可以通过诸如对其上形成有接触电极材料层70的基底SUB的回蚀工艺的工艺来形成第一接触电极71和第二接触电极72。
详细地，可以使用第一蚀刻剂执行正蚀刻。第一蚀刻剂相对于牺牲图案SP的蚀刻选择性可以与第一蚀刻剂相对于接触电极材料层70的蚀刻选择性不同。在本实施例中，第一蚀刻剂相对于牺牲图案SP的蚀刻选择性可以大于第一蚀刻剂相对于接触电极材料层70的蚀刻选择性。在示例性实施例中，第一蚀刻剂相对于牺牲图案SP的蚀刻选择性可以具有第一蚀刻剂相对于接触电极材料层70的蚀刻选择性的三倍或更大倍的值。例如，在接触电极材料层70包括ITO的情况下，牺牲图案SP可以包括苯甲醛、氯苯、四氯乙烯、三氯乙烯等。
在通过第一蚀刻剂蚀刻接触电极材料层70时，接触电极材料层70的厚度可以大体上变薄。在这种情况下，如图12中所示，可以首先去除设置在牺牲图案SP上的最薄的接触电极材料层70，使得接触电极材料层70可以被分为第一区域71'和第二区域72'。另外，可以首先去除设置在牺牲图案SP上的接触电极材料层70，使得可以暴露设置在其下方的牺牲图案SP'。因此，牺牲图案SP'可以被接触电极材料层70暴露，并且因此被第一蚀刻剂蚀刻。随后，如图13中所示，可以去除对于第一蚀刻剂具有高蚀刻选择性的牺牲图案SP，并且可以形成设置在发光元件30上的图案化的第一接触电极71和第二接触电极72。如上已经描述了第一接触电极71和第二接触电极72的结构，因此将省略其详细描述。随后，可以在第一接触电极71和第二接触电极72上形成第二绝缘层52，使得可以制造如图3中所示的显示设备。
在根据本实施例的制造显示设备的方法中，在没有分别用于形成第一接触电极71和第二接触电极72的单独的掩模工艺的情况下，可以使用牺牲图案SP同时形成第一接触电极71和第二接触电极72。因此，可以减少用于形成第一接触电极71和第二接触电极72的掩模的数量，使得可以改善显示设备的制造工艺效率。此外，由于在用于形成第一接触电极71和第二接触电极72的蚀刻工艺中所使用的第一蚀刻剂相对于牺牲图案SP的蚀刻选择性大于第一蚀刻剂相对于接触电极材料层70的蚀刻选择性，因此也可以在同一工艺中去除牺牲图案SP。因此，由于不需要用于去除牺牲图案SP的单独工艺，因此可以改善工艺效率。
图14是示出了图3的放大的区域A的另一示例的放大剖视图。
参照图14，在本实施例中，第一接触电极71_1和第二接触电极72_1还可以包括在其中第一接触电极71_1和第二接触电极72_1彼此分隔开的区域中在第一接触电极71_1和第二接触电极72_1彼此面对所沿的方向上彼此突出的区域。即，第一接触电极71_1和第二接触电极72_1中的每个可以包括在发光元件30上的台阶空间。第二绝缘层52可以在发光元件30上设置在第一接触电极71_1和第二接触电极72_1中的每个的台阶空间中。
牺牲图案残留物SP”可以保留在设置于发光元件30上的第一接触电极71_1的台阶区域与发光元件30之间的空间中。同样地，牺牲图案残留物SP”可以保留在设置于发光元件30上的第二接触电极72_1的台阶区域与发光元件30之间的空间中。当在如图11和图12中所示回蚀工艺期间蚀刻时间不足时，由于设置在牺牲图案SP上的接触电极材料层70的一部分和牺牲图案残留物SP”保留而可以形成根据本实施例的第一接触电极71_1和第二接触电极72_1。
第一接触电极71_1和第二接触电极72_1被示出为使得牺牲图案残留物SP”在发光元件30上保留在台阶空间中，但不限于此。在一些实施例中，在设置于发光元件30上的第一接触电极71_1和第二接触电极72_1中的每个的台阶区域与发光元件30之间完全地去除牺牲图案SP，使得包括在第二绝缘层52中的材料可以填充在其间。
在下文中，将描述另一实施例。在下面的实施例中，将省略或简化对于与之前描述的实施例的元件相同的元件的冗余描述，并且描述将基于与之前描述的实施例的不同之处。
图15是示出了沿着图2的线III-III'截取的另一示例的剖视图。图16是示出了图15的放大的区域C的示例的放大剖视图。
参照图15和图16，根据本实施例的显示设备与图3和图5的实施例的显示设备的不同之处在于，第一接触电极71_2的一个端部的剖面形状包括正锥形形状，第二接触电极72_2的一个端部的剖面形状包括倒锥形形状，并且第二接触电极72_2的上表面72US具有预定的表面粗糙度。
详细地，设置在发光元件30上的第一接触电极71_2的剖面形状可以具有正锥形形状。因此，设置在发光元件30上的第一接触电极71_2的下表面71S1_2可以比其上表面71S2_2突出得多，并且由第一接触电极71_2的下表面71S1_2与侧面71S3_2形成的第一锥角θ1_2可以是锐角。
设置在发光元件30上的第二接触电极72_2的剖面形状可以具有倒锥形形状。因此，设置在发光元件30上的第二接触电极72_2的上表面72S2_2可以比其下表面72S1_2突出得多，并且由第二接触电极72_2的下表面72S1_2与侧面72S3_3形成的第二锥角θ2_2可以是钝角。
第二接触电极72_2的上表面72US可以具有预定的表面粗糙度。在本公开中，“表面粗糙度”可以被定义为“其上形成有细的不均匀图案的表面(或不均匀表面)”，并且“细的不均匀图案”可以包括具有特定图案的不均匀图案和“无规的不均匀图案”两者。即，“具有表面粗糙度的一个表面”可以意指“非平坦表面”。形成在第二接触电极72_2的上表面72US上的表面粗糙度可以整个地形成在第二接触电极72_2的上表面72US上，但不限于此。第二接触电极72_2的上表面72US的部分区域可以具有平坦表面，并且第二接触电极72_2的上表面72US的另一部分区域可以具有表面粗糙度。
形成在第二接触电极72_2的上表面72US上的表面粗糙度可以在稍后将描述的显示设备的制造工艺期间在用于形成第二接触电极72_2的工艺中形成。第二接触电极72_2的上表面72US由于在显示设备的制造工艺期间对表面的一部分的损坏而可以形成为具有增大的表面粗糙度。因此，形成在第二接触电极72_2的上表面72US上的表面粗糙度可以无规地形成，而不在第二接触电极72_2的上表面72US的整个表面上具有预定图案。
在下文中，将描述图15的显示设备的制造工艺。
图17至图22是示出了图15的显示设备的制造工艺的剖视图。
参照图17，在发光元件30上形成图案化的第一接触电极71_2。可以通过掩模工艺形成图案化的第一接触电极71_2。详细地，在基底SUB上整个地沉积第一接触电极材料层。随后，在第一接触电极材料层上涂覆光致抗蚀剂层，并且通过曝光和显影形成具有第一接触电极71_2的图案形状并且应保留的光致抗蚀剂图案。然后，如图17中所示，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻第一接触电极材料层，使得形成第一接触电极71_2。
参照图18，在第一接触电极71_2上形成牺牲图案。在本实施例中，牺牲图案可以包括自组装单层SAM。可以在第一接触电极71_2上形成自组装单层SAM以完全地覆盖第一接触电极71_2。可以通过涂覆方法、印刷方法、沉积方法等形成自组装单层SAM。
自组装单层SAM可以是形成为有机分子的有机组件，所述有机分子以溶液或气相存在，彼此吸附并且可以自发地对准以形成晶体结构。自组装单层SAM具有几纳米(nm)的膜厚度，因此形成了非常薄且均匀的膜。因此，自组装单层SAM可以用于容易地控制第一接触电极71_2和第二接触电极72_2，使得第一接触电极71_2和第二接触电极72_2在具有纳米单位至微米单位的尺寸的发光元件30上彼此分隔开。自组装单层SAM可以包括十八烷基三氯硅烷、氟烷基三氯硅烷、全氟烷基三乙氧基硅烷等。
参照图19，在其上形成有自组装单层SAM的基底SUB上整个地沉积第二接触电极材料层72”_2。随后，如图20中所示，在基底SUB上形成胶层GLUE。胶层GLUE的面对(或接触)第二接触电极材料层72”_2的一个表面可以具有粘合力。具有粘合力的胶层GLUE可以附着到第二接触电极材料层72”_2以去除第二接触电极材料层72”_2的部分区域。
详细地，参照图20，第二接触电极材料层72”_2可以包括设置在沿第三方向DR3与自组装单层SAM叠置的区域中的第一区域72”A和设置在沿第三方向DR3不与自组装单层SAM叠置的区域中的第二区域72”B。
参照图20和图21，可以通过剥离工艺通过去除胶层GLUE来形成第二接触电极72_2。可以通过将其附着到胶层GLUE来去除第二接触电极材料层72”_2的设置在沿第三方向DR3与自组装单层SAM叠置的区域中的第一区域72”A，并且第二接触电极材料层72”_2的第二区域72”B的一部分可以保留在基底SUB上。然而，在去除胶层GLUE的步骤中，第二接触电极材料层72”_2的第二区域72”B的上表面的一部分可以附着到胶层GLUE的一个表面，并且因此保留为残留物72”B_1。即，如图21中所示，在通过剥离工艺通过去除胶层GLUE来形成第二接触电极72_2的工艺中，可以通过将其附着到胶层GLUE来在基底SUB上去除第二接触电极材料层72”_2的第一区域72”A，并且可以通过胶层GLUE的粘合力部分地撕裂第二接触电极材料层72”_2的第二区域72”B的表面，使得可以通过将其作为残留物72”B_1附着到胶层GLUE而去除第二区域72”B的表面的一部分，并且其另一部分可以保留在基底SUB上以形成其上形成有预定的表面粗糙度的第二接触电极72_2。
参照图22，可以去除自组装单层SAM。可以通过蚀刻工艺去除自组装单层SAM。随后，可以在基底SUB的整个表面上形成第二绝缘层52，使得可以制造如图15中所示的显示设备。
图23是示出了沿着图2的线III-III'截取的又一示例的剖视图。
参照图23，根据本实施例的显示设备与图15的实施例的显示设备的不同之处在于，自组装单层SAM还设置在第一接触电极71_2上。
详细地，自组装单层SAM可以设置在第一接触电极71_2上。自组装单层SAM可以在发光元件30上设置在第一接触电极71_2与第二接触电极72_2之间。第二绝缘层52可以设置在自组装单层SAM上。在执行形成第二接触电极72_2的工艺之后，可以通过形成第二绝缘层52来制造根据本实施例的显示设备，而无需去除自组装单层SAM的单独工艺。在这种情况下，由于可以省略用于去除自组装单层SAM的单独工艺，因此可以增大显示设备的制造工艺的效率。
图24是示出了沿着图2的线III-III'截取的又一示例的剖视图。图25是示出了图24的放大的区域E的放大剖视图。
参照图24，本实施例与图3的实施例的不同之处在于，第一接触电极71_3和第二接触电极72_3中的每个在与发光元件30相邻的区域中具有形成在其上表面上的表面粗糙度。
详细地，第一接触电极71_3可以包括其上形成有表面粗糙度的第一区域71A_3和其上未形成表面粗糙度的第二区域71B_3(即，具有平坦表面的第二区域71B_3)。第一区域71A_3可以定位在与其中设置有发光元件30的区域相邻的区域中，并且第二区域71B_3可以定位在第一区域71A_3与第二堤60之间。
同样地，第二接触电极72_3可以包括其上形成有表面粗糙度的第一区域72A_3和其上未形成表面粗糙度的第二区域72B_3(即，具有平坦表面的第二区域72B_3)。第一区域72A_3可以定位在与其中设置有发光元件30的区域相邻的区域中，并且第二区域72B_3可以定位在第一区域72A_3与第二堤60之间。
第一接触电极71_3和第二接触电极72_3可以具有形成在彼此面对的一个端部的上表面上的表面粗糙度。即，预定的表面粗糙度可以形成在第一接触电极71_3和第二接触电极72_3的设置在与发光元件30相邻的区域中的上表面上。可以在显示设备的制造工艺期间在用于形成第一接触电极71_3和第二接触电极72_3的工艺中形成表面粗糙度。表面粗糙度被示出为仅形成在第一接触电极71_3和第二接触电极72_3的设置在与发光元件30相邻的区域中的上表面上，但不限于此。例如，表面粗糙度可以整个地形成在第一接触电极71_3和第二接触电极72_3的上表面上。
本实施例的第一接触电极71_3的一个端部和第二接触电极72_3的一个端部中的每个的剖面形状可以具有倒锥形形状。详细地，参照图25，由设置在发光元件30上的第一接触电极71_3的第一区域71A_3的下表面71S1_3与侧面71S3_3形成的角可以是钝角。在示例性实施例中，由第一接触电极71_3的第一区域71A_3的下表面71S1_3与侧面71S3_3形成的第一锥角θ1_3可以在大于90°且小于或等于145°的范围内，但不限于此。第一接触电极71_3的一个端部的剖面形状可以具有正锥形形状。同样地，由设置在发光元件30上的第二接触电极72_3的下表面72S1_3与侧面72S3_3形成的角可以是钝角。在示例性实施例中，由第二接触电极72_3的第一区域72A_3的下表面72S1_3与侧面72S3_3形成的第二锥角θ2_3可以在大于90°且小于或等于145°的范围内，但不限于此。第二接触电极72_3的一个端部的剖面形状可以具有正锥形形状。
在下文中，将描述图24的显示设备的制造工艺。
图26是示出了图24的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。图27是示出了图26的区域D的放大剖视图。
参照图26和图27，在发光元件30上形成自组装单层SAM_1。形成在发光元件30上的自组装单层SAM_1可以形成为暴露发光元件30的两端。自组装单层SAM_1的剖面形状可以与上述牺牲图案SP的剖面形状基本上相同。例如，自组装单层SAM_1的剖面形状可以包括正锥形形状。另外，自组装单层SAM_1的第三锥角θ3_3可以是第一接触电极71_3的第一锥角θ1_3的补角。另外，自组装单层SAM_1的第四锥角θ4_3可以是第二接触电极72_3的第二锥角θ2_3的补角。
图28至图31是示出了图24的显示设备的制造工艺的一部分的剖视图。
参照图28，在其上形成有自组装单层SAM_1的基底SUB上整个地沉积接触电极材料层70'。可以在自组装单层SAM_1以及发光元件30的被自组装单层SAM_1暴露的两端上设置接触电极材料层70'。另外，接触电极材料层70'可以向外延伸以设置在第一电极21和第二电极22以及第一绝缘层51上。
参照图29，在第一子堤41与第二子堤42之间的区域中在接触电极材料层70'上形成胶层GLUE_1。胶层GLUE_1的一个表面可以与设置在第一子堤41与第二子堤42之间的接触电极材料层70'接触。
根据与自组装单层SAM_1和胶层GLUE_1的相对布置关系，接触电极材料层70'可以包括第一区域70'A、第二区域70'B和第三区域70'C。
接触电极材料层70'的第一区域70'A可以是在第三方向DR3上与自组装单层SAM_1和胶层GLUE_1叠置的区域。接触电极材料层70'的第二区域70'B可以是在第三方向DR3上与胶层GLUE_1叠置但在第三方向DR3上不与自组装单层SAM_1叠置的区域。接触电极材料层70'的第三区域70'C可以是在第三方向DR3上不与胶层GLUE_1和自组装单层SAM_1叠置的区域。
胶层GLUE_1被示出为在第一子堤41与第二子堤42之间的区域中在接触电极材料层70'上仅形成在部分区域中，但不限于此。例如，可以在基底SUB上整个地形成胶层GLUE_1。
参照图29和图30，可以通过剥离工艺通过去除胶层GLUE_1来形成第一接触电极71_3和第二接触电极72_3。
当去除胶层GLUE_1时，可以通过将其附着到胶层GLUE_1的一个表面来去除接触电极材料层70'的在第三方向DR3上与自组装单层SAM_1和胶层GLUE_1叠置的第一区域70'A。
接触电极材料层70'的第二区域70'B可以保留在基底SUB上。然而，在去除胶层GLUE_1的步骤中，接触电极材料层70'的第二区域70'B的上表面的一部分可以附着到胶层GLUE_1的一个表面，以作为残留物71'A_3和72'A_3保留。即，如图30中所示，可以通过胶层GLUE_1的粘合力部分地撕裂接触电极材料层70'的第二区域70'B的表面，使得可以通过将其作为残留物71'A_3和72'A_3附着到胶层GLUE_1而去除第二区域70'B的表面的一部分，并且其另一部分可以保留在基底SUB上，以形成第一接触电极71_3的第一区域71A_3和第二接触电极72_3的第一区域72A_3，在第一区域71A_3和第一区域72A_3上形成有预定的表面粗糙度。
接触电极材料层70'的第三区域70'C可以保留在基底SUB上。第一接触电极71_3的第二区域71B_3和第二接触电极72_3的第二区域72B_3可以具有平坦的上表面，第一接触电极71_3的第二区域71B_3和第二接触电极72_3的第二区域72B_3与接触电极材料层70'的在第三方向DR3上不与胶层GLUE_1和自组装单层SAM_1叠置的第三区域70'C对应。
参照图31，可以去除自组装单层SAM_1。可以通过蚀刻工艺去除自组装单层SAM_1。随后，可以在基底SUB的整个表面上形成第二绝缘层52，使得可以制造如图24中所示的显示设备。
图32是示出了沿着图2的线III-III'截取的又一示例的剖视图。
参照图32，本实施例与图24的实施例的不同之处在于，自组装单层SAM_1还在发光元件30上设置在第一接触电极71_3与第二接触电极72_3之间。
详细地，自组装单层SAM_1可以在发光元件30上设置在第一接触电极71_3与第二接触电极72_3之间。第二绝缘层52可以设置在第一接触电极71_3、第二接触电极72_3和自组装单层SAM_1上。自组装单层SAM_1可以与第一接触电极71_3和第二接触电极72_3中的每个的一个端部的上表面平行地对准。
在本实施例中，在执行形成第一接触电极71_3和第二接触电极72_3的工艺之后，当在没有去除自组装单层SAM_1的单独工艺的情况下形成第二绝缘层52时，可以制造如图32中所示的显示设备。
在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的发明的优选实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种用于显示设备的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
准备其上形成有第一电极和第二电极的基底；
在所述第一电极与所述第二电极之间设置发光元件；
在所述发光元件上形成暴露所述发光元件的一个端部和另一端部的牺牲图案；
在所述牺牲图案以及所述发光元件的被所述牺牲图案暴露的所述一个端部和所述另一端部上形成接触电极材料层；以及
通过去除与所述牺牲图案叠置的所述接触电极材料层来形成第一接触电极和第二接触电极。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述牺牲图案的剖面形状具有锥形形状。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述接触电极材料层包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域与所述牺牲图案叠置并且具有第一厚度，所述第二区域与所述发光元件的被所述牺牲图案暴露的所述一个端部和所述另一端部叠置并且具有第二厚度，所述第三区域不与所述发光元件叠置并且具有第三厚度，并且
所述第一厚度小于所述第二厚度和所述第三厚度。
4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，通过使用第一蚀刻剂的正蚀刻来执行通过去除所述接触电极材料层而形成第一接触电极和第二接触电极的步骤。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述第一蚀刻剂相对于所述牺牲图案的蚀刻选择性大于所述第一蚀刻剂相对于所述接触电极材料层的蚀刻选择性。
6.根据权利要求4所述的制造方法，其中，在通过去除所述接触电极材料层而形成第一接触电极和第二接触电极的步骤期间，蚀刻所述牺牲图案上的具有所述第一厚度的所述第一区域以暴露所述牺牲图案，并且通过所述第一蚀刻剂蚀刻所暴露的牺牲图案。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述牺牲图案包括自组装单层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，通过去除所述接触电极材料层而形成第一接触电极和第二接触电极的步骤包括在所述接触电极材料层的一个表面上形成胶层和去除所述胶层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，所述接触电极材料层包括与所述牺牲图案和所述胶层叠置的第一部分以及不与所述牺牲图案叠置但与所述胶层叠置的第二部分，并且在去除所述胶层的所述步骤中，通过将所述接触电极材料层的所述第一部分附着到所述胶层的一个表面而去除所述接触电极材料层的所述第一部分，以形成所述第一接触电极和所述第二接触电极。
10.根据权利要求8所述的制造方法，所述制造方法还包括在去除所述胶层之后去除所述牺牲图案。
11.一种用于显示设备的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：
准备其上形成有第一电极和第二电极的基底；
在所述第一电极与所述第二电极之间设置发光元件；
在所述第一电极和所述发光元件的一个端部上形成第一接触电极；
在所述第一接触电极上形成覆盖所述第一接触电极的牺牲图案；
在所述牺牲图案和所述发光元件的另一端部上形成第二接触电极材料层；以及
通过去除与所述牺牲图案叠置的所述第二接触电极材料层来形成第二接触电极。
12.根据权利要求11所述的制造方法，其中，所述牺牲图案包括自组装单层。
13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，通过去除所述第二接触电极材料层而形成第二接触电极的步骤包括在所述第二接触电极材料层的一个表面上形成胶层和去除所述胶层。
14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，所述第二接触电极材料层包括与所述牺牲图案和所述胶层叠置的第一部分以及不与所述牺牲图案叠置但与所述胶层叠置的第二部分，并且在去除所述胶层的所述步骤中，通过将所述第二接触电极材料层的所述第一部分附着到所述胶层的一个表面而去除所述第二接触电极材料层的所述第一部分，以形成所述第二接触电极。
15.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底；
发光元件，设置在所述基底上；
第一接触电极，与所述发光元件的一个端部接触；以及
第二接触电极，与所述发光元件的另一端部接触，
其中，所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此分隔开以彼此面对，并且所述第二接触电极的面对所述第一接触电极的一个端部具有倒锥形形状的剖面形状。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一接触电极的面对所述第二接触电极的一个端部具有倒锥形形状的剖面形状。
17.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第二接触电极的一个端部设置在所述发光元件的所述另一端部上，并且所述第二接触电极包括与所述发光元件叠置的第一区域和不与所述发光元件叠置的第二区域，并且
所述第一区域具有小于所述第二区域的厚度的厚度。
18.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第二接触电极的上表面的至少部分区域具有表面粗糙度。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述第二接触电极在与所述发光元件叠置的区域中在所述第二接触电极上具有表面粗糙度，并且
所述第一接触电极在与所述发光元件叠置的区域中在所述第一接触电极上具有表面粗糙度。
20.根据权利要求15所述的显示设备，所述显示设备还包括设置在所述第一接触电极和所述第二接触电极上的绝缘层，
其中，所述绝缘层包括设置在所述第一接触电极和所述第二接触电极上的第一部分以及设置在其中所述第一接触电极和所述第二接触电极彼此分隔开的空间中的第二部分，并且所述第一部分和所述第二部分成一体。
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