CN116083861A - 电子束真空蒸镀制备超薄锂电铜箔的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种电子束真空蒸镀制备超薄锂电铜箔的方法,属于超薄铜箔制备技术领域。所述方法可包括如下步骤:基底带材料清洗:清洗基底带材料,然后干燥;蒸镀:清洗结束后,立即用真空电子束蒸发镀膜系统在基底带材料上进行蒸镀铜箔;剥离:将得到的铜箔与基底带材料进行剥离,收卷后得到超薄铜箔。本发明的采用电子束真空蒸镀制备超薄锂电铜箔的方法,大大缩短制备锂电铜箔工艺流程,降低制备成本,有较好的社会经济效益。
Description
技术领域
本发明涉及超薄铜箔制备领域,特别是一种应用于锂电池的超薄铜箔制备方法。
背景技术
随着新能源行业的蓬勃发展,对锂离子电池的容量密度指标也越来越高,降低锂电铜箔厚度,可有效提高锂离子电池的容量密度。锂电铜箔一般为6~20μm厚度的双光铜箔,锂电铜箔是锂电池负极的关键基础材料,在锂离子电池中既是负极活性物质的载体,又是负极电子的收集体和传导体。目前锂电铜箔主要采用电解沉积法制备,电解法由溶铜-生箔制造-表面处理-分切包装四个工序组成,工艺流程长。现有电解铜箔工艺较难实现超薄铜箔(<6μm)批量生产,且电解工艺中用到的阴极辊多为进口材料,容易受国际贸易环境影响。使用压延铜箔生产工艺等其他方法生产超薄铜箔,工艺成本又较高。所以需要一种新的超薄铜箔的短流程、低成本的生产工艺技术。
CN115029739A的专利申请公开了一种新型铜箔制造方法,该方法包括:对载体膜进行预处理后在表面沉积种子层,并置于电镀槽中进行电镀处理,以在种子层表面电镀增厚铜层,对覆铜薄膜进行清洗、抗氧化处理、二次清洗、干燥处理后,从干燥覆铜薄膜表层剥离出铜箔。该专利申请存在以下不足:1)该专利申请虽然用载体膜取代阴极辊,但仍然采用的是传统的电镀工艺;2)该专利申请工艺较长,表面沉积种子层、电镀、覆铜薄膜进行清洗、抗氧化处理、二次清洗、干燥、剥离;3)该专利申请使用电镀/电沉积工艺,其本质上还是传统的电解技术,难以生产6μm以下的超薄铜箔。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种超薄铜箔制备方法,该方法可以制备得到6μm以下的超薄铜箔。
电子束真空蒸镀制备超薄锂电铜箔的方法,包括以下步骤:
步骤S1、基底带材料清洗:清洗基底带材料,然后干燥;
步骤S2、蒸镀:S1步骤清洗结束后,立即用真空电子束蒸发镀膜系统在基底带材料上进行蒸镀铜箔;
步骤S3、剥离:将步骤S2得到的铜箔与基底带材料进行剥离,收卷后得到超薄铜箔。
其中,步骤S1中所述的基底带材料为不锈钢带。
优选的,步骤S1中所述的基底带材料为型号304或316不锈钢带。
其中,所述的不锈钢带基底材料,宽度为100-700mm,厚度为0.1-2mm。
其中,步骤S1中采用有机溶剂清洗基底带材料,所述的有机溶剂为乙醇、丙酮、盐酸或硫酸溶液。
其中,步骤S2所述的真空电子束蒸发所镀铜膜纯度为99%-99.99%,铜膜厚度为0.1-40μm。
其中,步骤S2所述的真空电子束镀膜为连续镀膜,基底带材料走带速度为0.1-60m/min。
其中,步骤S2所述的真空电子束镀膜过程中,真空度范围在0.1-10-3Pa,镀膜电子枪功率为10-100kW。
其中,S3步骤所述的铜箔与基底带材料剥离的方法为机械剥离。
本发明所提供的电子束真空蒸镀制备超薄锂电铜箔的方法,通过电子束真空蒸镀制备超薄锂电铜箔制备方法及系统,通过工艺的改进优化能够稳定制备厚度小于6μm的铜箔,与传统电解法溶铜、生箔制造、表面处理、分切包装四个工序相比,缩短了工艺流程,降低了生产成本,有利于超薄铜箔批量生产,有较好的社会经济效益。
附图说明
图1为采用本发明电子束真空蒸镀制备超薄锂电铜箔方法的结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实例对本发明的实施方案进行详细描述,但是本领域技术人员将会理解,下列实施例仅用于说明本发明,而不应该视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件进行。
实施例1
以幅宽400mm、厚度0.5mm的304不锈钢卷为基底材料,将304不锈钢卷带表面用0.1%浓度盐酸、乙醇进行清洗,清洗时间8分钟,清洗后干燥,将干燥后的304不锈钢卷置入卷绕系统。将纯度99.9%的铜靶材置入电子束真空镀膜设备中,通过前置真空预处理腔室及后置真空预处理腔室,控制工作腔真空度为5×10-2Pa。控制电源条件为:频率20KHz,工作电压400V。电源正负脉冲占空比80%。304钢卷运动速度为1.2m/min。采用电子束镀膜,电子束镀膜功率60kW,镀膜的时间为5min。铜箔厚度为2.7μm。
实施例2
以幅宽600mm、厚度0.5mm的304不锈钢卷为基底材料,将304不锈钢卷带表面用0.1%浓度盐酸、乙醇进行清洗,清洗时间5分钟,清洗后干燥,将干燥后的304不锈钢卷置入卷绕系统。将纯度99.99%的铜靶材置入电子束真空镀膜设备中,通过前置真空预处理腔室及后置真空预处理腔室,控制工作腔真空度为1×10-3Pa。控制电源条件为:频率20KHz,工作电压400V。电源正负脉冲占空比60%。304钢卷运动速度为2m/min。采用电子束镀膜,电子束镀膜功率80kW,镀膜的时间为4min。铜箔厚度为1.4μm。
本具体实施例仅仅是对本发明的解释,并不是对本发明的限制,本领域技术人员在阅读完本发明说明书后,在本发明基础上做一些修改或改进,但是只要在本发明的权利要求范围内都受到专利法的保护。
Claims (9)
1.电子束真空蒸镀制备超薄锂电铜箔的方法,其特征在于包括如下步骤:
步骤S1、基底带材料清洗:清洗基底带材料,然后干燥;
步骤S2、蒸镀:S1步骤清洗结束后,立即用真空电子束蒸发镀膜系统在基底带材料上进行蒸镀铜箔;
步骤S3、剥离:将步骤S2得到的铜箔与基底带材料进行剥离,收卷后得到超薄铜箔。
2.根据权利要求1所述的真空电子束蒸镀制备超薄锂电铜箔的方法,其特征在于:所述的基底带材料为不锈钢带。
3.根据权利要求2所述的真空电子束蒸镀制备超薄锂电铜箔的方法,其特征在于:所述的基底带材料为型号304或316不锈钢带。
4.根据权利要求2或3所述的真空电子束蒸镀制备超薄铜箔的方法,其特征在于:所述的不锈钢带基底材料,宽度为100-700mm,厚度为0.1-2mm。
5.根据权利要求1所述的真空电子束蒸镀制备超薄铜箔的方法,其特征在于:步骤S1中采用有机溶剂清洗基底带材料,所述的有机溶剂为乙醇、丙酮、盐酸或硫酸溶液。
6.根据权利要求1所述的真空电子束蒸镀制备超薄铜箔的方法,其特征在于:S2步骤所述的真空电子束蒸发所镀铜膜纯度为99%-99.99%,铜膜厚度为0.1-40μm。
7.根据权利要求6所述的真空电子束蒸镀制备超薄铜箔的方法,其特征在于:S2步骤所述的真空电子束镀膜为连续镀膜,基底带材料走带速度为0.1-60m/min。
8.根据权利要求7所述的真空电子束蒸镀制备超薄铜箔的方法,其特征在于:S2步骤所述的真空电子束镀膜过程中,真空度范围在0.1-10-3Pa,镀膜电子枪功率为10-100kW。
9.根据权利要求1-8所述的真空电子束蒸镀制备超薄铜箔的方法,其特征在于:S3步骤所述的铜箔与基底带材料剥离的方法为机械剥离。
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CN116892000A (zh) * | 2023-07-11 | 2023-10-17 | 安徽立光电子材料股份有限公司 | 一种复合铜箔的制备方法及复合铜箔 |
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- 2023-02-13 CN CN202310114287.XA patent/CN116083861A/zh active Pending
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