CN116063724A - 一种具有uv阻隔性能的光学导电薄膜制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明揭示了一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,属于光伏技术领域,包括下述步骤,S1、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合制作UV吸收树脂层,S2、使用涂布机在对基材的低折面先涂布一层UV吸收树脂层,UV吸收树脂层厚度为1μm~5μm,基材的厚度优选为50μm、100μm、125μm或188μm,所述基材为聚苯二甲酸乙二醇酯,S3、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合下制作光稳定树脂层,S4、使用涂布机在UV吸收树脂层上,涂布一层光稳定树脂层,光稳定树脂层的厚度为200nm~1000nm,S5、使用涂布机在基材的高折面先涂布一层折射率在1.60~1.65的树脂硬化层,树脂硬化层厚度为500nm~1000nm。本发明实现透明导电薄膜材料耐磨性高,同时实现了UV阻隔性能高,达到将380nm波段的UV光的透过率降低到2%以下。
Description
技术领域
本发明属于光伏技术领域,具体涉及一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法。
背景技术
紫外线是在太阳光谱中,频率和能量是高于可见光线。其中,波段在400nm~320nm的紫外光A和波段在320nm~280nm的紫外光B长时间照射会灼伤皮肤,导致皮肤的加速老化。在户外电子显示屏上,高能量的紫外光线长时间照射会破坏显示屏膜材和内部电子元件的结构,加速其老化。因此,需要在显示屏的光学薄膜的表面增加UV吸收和光稳定助剂,从而提高光学薄膜的UV阻隔性能和对内部电子元件的保护。
在专利号ZL2019107112513中公开了一种多层透明UV阻隔膜,该发明因为只添加的一种UV阻隔剂,故需要多层叠加UV阻隔剂,提高UV阻隔剂的加入量,才可以达到80~90%的UV光阻隔率。
在专利号ZL2015106832330中公开了一种防污抗UV涂覆组合物、硬化膜及制备方法,该发明在涂覆组合物中加入纳米二氧化硅层2分散液和紫外吸收剂,使得由该涂覆组合物制成的硬化膜出具有常规硬化膜所具备的高硬度和光学性能外,还具有UV阻隔性能、疏水疏油的抗污性能以及优异耐划伤性能,但是该发明在涂布液中添加UV阻隔剂和光稳定剂,调整添加量来改变UV阻隔效果,由于涂布层功能较为单一,UV阻隔剂和光稳定剂的协同作用差,助剂的利用率较底,只能对360nm波段之前的UV光有很好的阻隔作用。
综合所述,现有技术中UV光阻隔率无法更好的解决波段在400nm~320nm的紫外光A和波段在320nm~280nm的紫外光B的长时间照射的问题,尤其是波段在380nm波段的紫外光的透过率较高。
因此,针对上述技术问题,有必要提供一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,以解决上述的问题。
为了实现上述目的,本发明一实施例提供的技术方案如下:
一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,包括下述步骤;
S1、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合制作UV吸收树脂层;
S2、使用涂布机在对基材4的低折面先涂布一层UV吸收树脂层,UV吸收树脂层厚度为1μm~5μm,基材的厚度优选为50μm、100μm、125μm或188μm,所述基材为聚苯二甲酸乙二醇酯;
S3、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合下制作光稳定树脂层;
S4、使用涂布机在UV吸收树脂层上,涂布一层光稳定树脂层,光稳定树脂层的厚度为200nm~1000nm;
S5、使用涂布机在基材的高折面先涂布一层折射率在1.60~1.65的树脂硬化层,树脂硬化层厚度为500nm~1000nm;
S6、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层二氧化硅层,二氧化硅层厚度为5~20nm;
S7、通过磁控溅射真空镀膜设备,镀上氧化铟锡导电层,氧化铟锡导电层1厚度为15nm~50nm。
作为本发明的进一步改进,所述UV吸收树脂层的制作包括下述步骤;
S11、将丙烯酸类树脂加入到溶剂中,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,使其充分稀释;
S12、然后加入二氧化硅层粒子和分散剂,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌40min,使其充分散均匀;
S13、在该上述混合液搅拌过程中,依次逐滴加入硅烷偶联剂、光引发剂和UV吸收剂;
S14、使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,从而得到UV吸收树脂液;
S15、使用涂布辊将UV吸收树脂液均匀的涂布在基材上;
S16、通过烘箱去除溶剂,再通过UV固化,最后得到干厚在1μm~5μm的UV吸收树脂层。
作为本发明的进一步改进,所述光稳定树脂层的制作包括下述步骤;
S31、将丙烯酸类树脂加入到溶剂中,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,使其充分稀释;
S32、然后加入二氧化硅层粒子和分散剂,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌40min,使其充分散均匀;
S33、在该上述混合液搅拌过程中,依次逐滴加入流平剂、光引发剂和受阻胺光稳定剂;
S34、使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,从而得到光稳定树脂液;
S35、使用涂布辊将光稳定树脂液均匀的涂布在基材上,然后通过烘箱去除溶剂;
S36、再通过UV固化,最后得到干厚在200nm~1000nm的光稳定树脂层6。
作为本发明的进一步改进,所述UV吸收树脂层制作过程中的硅烷偶联剂为1~3份,所述UV吸收树脂层制作过程中的UV吸收剂为1~10份。
作为本发明的进一步改进,所述光稳定树脂层制作过程中的受阻胺光稳定剂为1~10份。
作为本发明的进一步改进,所述光稳定树脂层制作过程中的流平剂为1~5份。
作为本发明的进一步改进,所述UV吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中的丙烯酸类树脂为15~25份。
作为本发明的进一步改进,所述UV吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中光引发剂均为1~5份。
作为本发明的进一步改进,所述UV吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中二氧化硅层粒子均为5~10份。
作为本发明的进一步改进,所述UV吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中分散剂为1~5份。
与现有技术相比,本发明具有以下优点:
本发明实现高硬度的涂覆、透明导电薄膜材料耐磨性高,且附着力较高,同时实现了UV阻隔性能高,达到将380nm波段的UV光的透过率降低到2%以下。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例中具有UV阻隔性能的光学导电薄膜的结构示意图;
图2为本发明一实施例中一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法的工艺流程图;
图3为本发明一实施例中UV吸收树脂层的制作工艺流程图;
图4为本发明一实施例光稳定树脂层的制作工艺流程图;
图5为本发明一实施例中的实施例1有无UV阻隔剂前后的UV阻隔性能对照图;
图6为本发明一实施例中的各实施例和对比例的性能数据。
图中:1.氧化铟锡导电层、2.二氧化硅层、3.硬化层、4.基材、5.UV吸收树脂层、6.光稳定树脂层。
具体实施方式
以下将结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细描述。但该等实施方式并不限制本发明,本领域的普通技术人员根据该等实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本发明的保护范围内。
本发明一实施例公开的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,参图1~图2所示,包括下述步骤;
S1、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合制作UV吸收树脂层5,包括下述步骤:
S11、将丙烯酸类树脂加入到溶剂中,使用磁力搅拌机,将磁力搅拌机温度调节旋钮调至室温以下,将定时开关顺时针旋至30min,使其在常温下磁力搅拌30min,达到充分稀释;
S12、然后在磁力搅拌机内加入二氧化硅层2粒子和分散剂,再将定时开关顺时针旋至40min,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌40min,使其充分搅拌均匀;
S13、在该上述混合液搅拌过程中,逐滴加入硅烷偶联剂、光引发剂和UV吸收剂;
S14、将磁力搅拌机的定时开关顺时针旋至30min,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,从而得到UV吸收树脂液;
S15、使用涂布辊将UV吸收树脂液均匀的涂布在基材4上;
S16、将经过上述加工的基材4放入烤箱,将烤箱温度设置为130~160℃,优选的为150℃,达到通过烘箱去除溶剂,再通过UV灯进行UV固化,最后得到干厚在1μm~5μm的UV吸收树脂层5。
其中UV吸收树脂层5是在涂布液中加入UV吸收剂,可以很好的分散在可印刷的涂布液中起到物理作用的紫外光吸收功能。
优选的,UV吸收树脂层5在制作过程中的各材料组分及重量份数详情如下;
丙烯酸类树脂15~25份,其中聚脂类丙烯酸树脂优选为聚脂类丙烯酸树脂、聚氨酯类丙烯酸树脂或环氧类丙烯酸树脂。
硅烷偶联剂1~3份,其中硅烷偶联剂优选为KH550,KH560,KH570,KH792,DL602或DL171。
UV吸收剂1~10份,其中UV吸收剂优选为邻羟基二苯甲酮类、苯并三唑类、水杨酸酯类、三嗪类或取代丙烯腈类。
光引发剂为1~5份,其中光引发剂优选为2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、4-二甲胺基-苯甲酸乙酯或羟基环己基苯基甲酮。
二氧化硅层2粒子为5~10份。
分散剂为1~5份,其中分散剂优选为乙烯基双硬脂酰胺、硬脂酸单甘油酯或三硬脂酸甘油酯。
丙酮、甲基乙基酮、丙二醇甲醚、甲基异丁基酮、异丙醇、乙酸乙酯、甲苯等溶剂其中一种或几种共占40~60份。
S2、使用涂布机在对基材4的低折面先涂布一层UV吸收树脂层5,UV吸收树脂层5厚度为1μm~5μm,基材4的厚度优选为50μm、100μm、125μm或188μm,基材4为聚苯二甲酸乙二醇酯;
S3、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合下制作光稳定树脂层6,包括下述步骤;
S31、将丙烯酸类树脂加入到溶剂中,使用磁力搅拌机,将磁力搅拌机温度调节旋钮调至室温以下,将定时开关顺时针旋至30min,在常温下磁力搅拌30min,使其充分稀释;
S32、然后加入二氧化硅层2粒子和分散剂,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌40min,使其充分散均匀;
S33、在该上述混合液搅拌过程中,逐滴依次加入流平剂、光引发剂和受阻胺光稳定剂;
S34、使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,从而得到光稳定树脂液;
S35、使用涂布辊将光稳定树脂液均匀的涂布在基材4上,将基材4放入烤箱内,将烤箱温度设置为130~160℃,然后通过烘箱去除溶剂;
S36、再通过UV灯进行UV固化,最后得到干厚在200nm~1000nm的光稳定树脂层6。
其中上层的光稳定树脂层中的光稳定剂能捕获高分子中所生成的活性自由基,从而抑制光氧化过程,达到光稳定目的,主要是受阻胺光稳定剂。
优选的,光稳定树脂层在制作过程中的各材料组分及重量份数详情如下;
丙烯酸类树脂为15~25份,其中聚脂类丙烯酸树脂优选为聚脂类丙烯酸树脂、聚氨酯类丙烯酸树脂或环氧类丙烯酸树脂。
受阻胺光稳定剂为1~10份,其中受阻胺光稳定剂优选为HS-944,HS-201,HS-508,ZX-70,LQ292或LQ622。
光引发剂为1~5份,其中光引发剂优选为2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、4-二甲胺基-苯甲酸乙酯或羟基环己基苯基甲酮。
二氧化硅层2粒子为5~10份。
分散剂为1~5份,其中分散剂优选为乙烯基双硬脂酰胺、硬脂酸单甘油酯或三硬脂酸甘油酯。
流平剂为1~5份,其中流平剂优选为BYK307,BYK325,BYK331或BYK333。
丙酮、甲基乙基酮、丙二醇甲醚、甲基异丁基酮、异丙醇、乙酸乙酯、甲苯等溶剂其中一种或几种共占40~60份。
S4、使用涂布机在UV吸收树脂层5上,涂布一层具有高耐磨性能的光稳定树脂层6,光稳定树脂层6的厚度为200nm~1000nm;
S5、使用涂布机在基材4的高折面先涂布一层折射率在1.60~1.65的树脂硬化层3,树脂硬化层3厚度为500nm~1000nm;
S6、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层打底层二氧化硅层2,二氧化硅层2厚度为5~20nm;
S7、通过磁控溅射真空镀膜设备,镀上氧化铟锡导电层1,氧化铟锡导电层1厚度为15nm~50nm,实现本发明具备UV阻隔且高硬度和耐磨的性能。
实施例1:
如图1和图5所示,有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法步骤如下:
S11、采用125μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,先通过涂布机,精密涂布一层厚度为3μm的UV吸收树脂层5。
其中UV吸收树脂层5的各材料组分及重量份数详情如下;
聚脂类丙烯酸树脂20份,KH550硅烷偶联剂1份,邻羟基二苯甲酮类UV吸收剂5份,2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮光引发剂2份,乙烯基双硬脂酰胺分散剂2份,二氧化硅粒子10份,甲基乙基酮20份,丙二醇甲醚40份。
S12、使用涂布机,再涂布一层厚度为500nm的光稳定树脂层6。
其中光稳定树脂层6的各材料组分及重量份数详情如下;
聚脂类丙烯酸树脂20份,HS~944受阻胺稳定剂5份,2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮光引发剂3份,乙烯基双硬脂酰胺分散剂2份,二氧化硅粒子8份,BYK307流平剂2份,甲基乙基酮30份,丙二醇甲醚30份。
S13、在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的高折面,使用涂布机先涂布一层折射率为1.65的厚度为1000nm的硬化层3,
S14、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为15nm的二氧化硅层2,然后镀上一层厚度为25nm的氧化铟锡导电层1。
实施例2:
如图1所示,有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法步骤如下:
S21、采用50μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,先通过涂布机,精密涂布一层厚度为1μm的UV吸收树脂层5,
其中UV吸收树脂层5的各材料组分及重量份数详情如下;
聚氨酯类丙烯酸树脂25份,KH570硅烷偶联剂1份,取代丙烯腈类UV吸收剂5份,羟基环己基苯基甲酮光引发剂2份,硬脂酸单甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子5份,丙酮10份,丙二醇甲醚50份。
S22、使用涂布机,再涂布一层厚度为200nm的光稳定树脂层6。
其中光稳定树脂层6的各材料组分及重量份数详情如下;
聚氨酯类丙烯酸树脂20份,HS~210受阻胺稳定剂5份,羟基环己基苯基甲酮光引发剂3份,硬脂酸单甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子8份,BYK325流平剂2份,丙酮30份,丙二醇甲醚30份。
S23、在基材的高折面,使用涂布机,先涂布一层折射率为1.63的厚度为800nm的硬化层3。
S24、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为20nm的二氧化硅层2,然后镀上一层厚度为50nm的氧化铟锡导电层1。
实施例3:
如图1所示,有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法步骤如下:
S31、采用188μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,先通过涂布机,精密涂布一层厚度为5μm的UV吸收树脂层5。
其中UV吸收树脂层5的各材料组分及重量份数详情如下;
环氧类丙烯酸树脂30份,KH560硅烷偶联剂1份,三嗪类UV吸收剂5份,4-二甲胺基-苯甲酸乙酯光引发剂2份,三硬脂酸甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子5份,丙酮15份,丙二醇甲醚40份。
S32、使用涂布机,再涂布一层厚度为1000nm的光稳定树脂层6。
其中光稳定树脂层6的各材料组分及重量份数详情如下;
环氧类丙烯酸树脂20份,HS~508受阻胺稳定剂5份,4-二甲胺基-苯甲酸乙酯光引发剂3份,三硬脂酸甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子8份,BYK331流平剂2份,丙酮20份,丙二醇甲醚40份。
S33、使用涂布机,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的高折面,使用涂布机,涂布一层折射率为1.60的厚度为500nm的硬化层3。
S34、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为5nm的二氧化硅层2,然后镀上一层厚度为15nm的氧化铟锡导电层1。
实施例4:
如图1所示,有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法步骤如下:
S41、采用100μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,先通过涂布机,精密涂布一层厚度为2μm的UV吸收树脂层5。
其中UV吸收树脂层5的各材料组分及重量份数详情如下;
环氧类丙烯酸树脂30份,KH792硅烷偶联剂1份,水杨酸酯类UV吸收剂5份,羟基环己基苯基甲酮光引发剂2份,三硬脂酸甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子5份,异丙醇15份,甲苯40份。
S42、再涂布一层厚度为800nm的光稳定树脂层6。
其中光稳定树脂层6的各材料组分及重量份数详情如下;
聚酯类丙烯酸树脂20份,ZX~70受阻胺稳定剂5份,羟基环己基苯基甲酮光引发剂3份,三硬脂酸甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子8份,BYK333流平剂2份,异丙醇20份,甲苯40份。
S43、在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的高折面,使用涂布机,涂布一层折射率为1.63的厚度为900nm的硬化层3。
S44、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为10nm的二氧化硅层2,然后镀上一层厚度为20nm的氧化铟锡导电层1。
实施例5:
如图1所示,有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法步骤如下:
S51、采用125μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,先通过涂布机,涂布一层厚度为2μm的UV吸收树脂层5。
其中UV吸收树脂层5的各材料组分及重量份数详情如下;
环氧类丙烯酸树脂25份,DL602硅烷偶联剂1份,水杨酸酯类UV吸收剂5份,4-二甲胺基-苯甲酸乙酯光引发剂2份,硬脂酸单甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子5份,乙酸乙酯20份,甲基异丁基酮40份。
S52、通过涂布机,再涂布一层厚度为800nm的光稳定树脂层6。
其中光稳定树脂层6的各材料组分及重量份数详情如下;
聚酯类丙烯酸树脂20份,LQ292受阻胺稳定剂5份,4-二甲胺基-苯甲酸乙酯光引发剂3份,硬脂酸单甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子7份,BYK331流平剂3份,乙酸乙酯10份,甲基异丁基酮50份。
S53、在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的高折面,通过涂布机,先涂布一层折射率为1.60的厚度为700nm的硬化层3。
S54、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为18nm的二氧化硅层2,然后镀上一层厚度为40nm的氧化铟锡导电层1。
实施例6:
如图1所示,有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法步骤如下:
S61、采用188μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,先通过涂布机,精密涂布一层厚度为1.5μm的UV吸收树脂层5。
其中UV吸收树脂层5的各材料组分及重量份数详情如下;
聚氨酯类丙烯酸树脂30份,DL171硅烷偶联剂1份,取代丙烯腈类和苯并三唑类固体组分2:1的UV吸收剂5份,2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮光引发剂2份,乙烯基双硬脂酰胺分散剂2份,二氧化硅粒子5份,甲苯15份,甲基异丁基酮40份。
S62、通过涂布机,涂布一层厚度为600nm的光稳定树脂层6。
其中光稳定树脂层6的各材料组分及重量份数详情如下;
聚氨酯类丙烯酸树脂20份,LQ622受阻胺稳定剂5份,2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮光引发剂3份,乙烯基双硬脂酰胺分散剂2份,二氧化硅粒子7份,BYK325流平剂3份,甲苯10份,甲基异丁基酮50份。
S63、在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的高折面,通过涂布机,先涂布一层折射率为1.65的厚度为700nm的硬化层3。
S64、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为15nm的二氧化硅层2,然后镀上一层厚度为35nm的氧化铟锡导电层1。
实施例7:
如图1所示,有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法步骤如下:
S71、采用100μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,先通过涂布机,精密涂布一层厚度为2.5μm的UV吸收树脂层5。
其中UV吸收树脂层5的各材料组分及重量份数详情如下;
聚氨酯类丙烯酸树脂25份,KH560硅烷偶联剂1份,取代丙烯腈类和苯并三唑类固体组分1:1的UV吸收剂5份,羟基环己基苯基甲酮光引发剂2份,硬脂酸单甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子5份,乙酸乙酯25份,丙酮35份。
S72、通过涂布机,再涂布一层厚度为800nm的光稳定树脂层6。
其中光稳定树脂层6的各材料组分及重量份数详情如下;
聚氨酯类丙烯酸树脂20份,ZX~70受阻胺稳定剂5份,羟基环己基苯基甲酮光引发剂3份,硬脂酸单甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子7份,BYK307流平剂3份,乙酸乙酯10份,丙酮50份。
S73、在基材的高折面,通过涂布机,涂布一层折射率为1.63的厚度为500nm的硬化层3。
S74、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为20nm的二氧化硅层2,然后镀上一层厚度为45nm的氧化铟锡导电层1。
实施例8:
如图1所示,有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法步骤如下:
S81、采用100μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,先通过涂布机,精密涂布一层厚度为4.5μm的UV吸收树脂层5。
UV吸收树脂层5的各材料组分及重量份数详情如下;
聚酯类丙烯酸树脂25份,KH570硅烷偶联剂1份,邻羟基二苯甲酮类、取代丙烯腈类、苯并三唑类、水杨酸酯类和三嗪类固体组分1:1:1:1:1的UV吸收剂5份,4-二甲胺基-苯甲酸乙酯光引发剂2份,三硬脂酸甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子5份,丙二醇甲醚10份,丙酮50份。
S82、通过涂布机,涂布一层厚度为900nm的光稳定树脂层6。
其中光稳定树脂层6的各材料组分及重量份数详情如下;
光稳定树脂层涂布配方:聚氨酯类丙烯酸树脂20份,HS~508受阻胺稳定剂5份,4-二甲胺基-苯甲酸乙酯光引发剂3份,三硬脂酸甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子7份,BYK307流平剂3份,丙二醇甲醚10份,丙酮50份。
S83、在基材的高折面,通过涂布机,涂布一层折射率为1.65的厚度为1000nm的硬化层3。
S84、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为15nm的二氧化硅层2,然后镀上一层厚度为20nm的氧化铟锡导电层1。
对比例1:
S1、与实例例相比,取100μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,通过涂布机,只涂布一层厚度为5μm的硬度树脂层。
硬度树脂层涂布的各材料组分及重量份数详情如下;
聚酯类丙烯酸树脂20份,KH570硅烷偶联剂1份,邻羟基二苯甲酮类UV吸收剂5份,HS-508受阻胺稳定剂5份,4-二甲胺基-苯甲酸乙酯光引发剂2份,三硬脂酸甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子5份,丙二醇甲醚20份,丙酮40份。
S2、在基材的高折面,通过涂布机,涂布一层折射率为1.65的厚度为1000nm的硬化层。
S3、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为18nm的二氧化硅,然后镀上一层厚度为25nm的氧化铟锡导电层。
对比例2:
S1、与实例例相比,取125μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯PET基材,在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,只涂布一层厚度为1000nm的耐磨树脂层。
耐磨树脂层涂布配方:
聚氨酯类丙烯酸树脂20份,水杨酸酯类UV吸收剂5份,ZX-70受阻胺稳定剂5份,羟基环己基苯基甲酮光引发剂3份,硬脂酸单甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子7份,BYK333流平剂3份,丙酮10份,异丙醇50份。
S2、在基材的高折面,先涂布一层折射率为1.63的厚度为800nm的硬化层。
S3、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层厚度为25nm的二氧化硅,然后镀上一层厚度为40nm的氧化铟锡导电层。
对比例3:
S1、与实例例相比,叠层涂布,但两层只加入UV吸收剂。取188μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材。
S2、在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,通过涂布机,精密涂布一层厚度为4μm的UV吸收树脂层。
UV吸收树脂层涂布的各材料组分及重量份数详情如下;
聚氨酯类丙烯酸树脂30份,DL171硅烷偶联剂1份,取代丙烯腈类和苯并三唑类固体组分2:1的UV吸收剂5份,2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮光引发剂2份,乙烯基双硬脂酰胺分散剂2份,二氧化硅粒子5份,甲苯15份,甲基异丁基酮40份。
S3、通过涂布机,再涂布一层厚度为800nm的UV吸收树脂层。
UV吸收树脂层涂布的各材料组分及重量份数详情如下;
聚氨酯类丙烯酸树脂20份,苯并三唑类UV吸收剂5份,2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮光引发剂3份,乙烯基双硬脂酰胺分散剂2份,二氧化硅粒子7份,BYK325流平剂3份,甲苯10份,甲基异丁基酮50份。
S4、在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的高折面,通过涂布机,涂布一层折射率为1.65的厚度为700nm的硬化层。
S5、通过磁控溅射真空镀膜设备,通过磁控溅射一层厚度为15nm的二氧化硅,然后镀上一层厚度为35nm的氧化铟锡导电层。
对比例4:
S1、与实例例相比,叠层涂布,但两层只加入受阻胺类光稳定剂。取50μm厚度的聚苯二甲酸乙二醇酯基材。
S2、在聚苯二甲酸乙二醇酯基材的低折面,通过涂布机,精密涂布一层厚度为2μm的光稳定树脂层。
光稳定树脂层涂布的各材料组分及重量份数详情如下;
环氧类丙烯酸树脂25份,DL602硅烷偶联剂1份,HS-508受阻胺稳定剂5份,4-二甲胺基-苯甲酸乙酯光引发剂2份,硬脂酸单甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子5份,乙酸乙酯20份,甲基异丁基酮40份。
S3、使用涂布机,再涂布一层厚度为800nm的光稳定树脂层。
光稳定树脂层涂布的各材料组分及重量份数详情如下;
聚酯类丙烯酸树脂20份,LQ292受阻胺稳定剂5份,4-二甲胺基-苯甲酸乙酯光引发剂3份,硬脂酸单甘油酯分散剂2份,二氧化硅粒子7份,BYK331流平剂3份,乙酸乙酯10份,甲基异丁基酮50份。
S4、在基材的高折面,通过涂布机,涂布一层折射率为1.60的厚度为700nm的硬化层。
S5、通过磁控溅射真空镀膜设备,通过磁控溅射一层厚度为18nm的二氧化硅,然后镀上一层厚度为40nm的氧化铟锡导电层。
参图6所示,综上,实施例1~实施例8和对比文件1~4相对比,得出本发明具有高硬度、高耐磨的性能,且在380nm波段的透过率低于2%,尤其是实施例2和实施例7在380nm波段的透过率较低,达到1.78%~1.72%。
而从对比例1和对比例2可以看出,单层结构的UV阻隔性能会下降,且附着力较差,尤其是对比文件1的附着力为0,同时,硬度和耐磨会有一方面严重损失,尤其是对比文件1的耐磨力较低。
从对比例3和对比例4可以看出,因为没有UV吸收剂和光稳定剂的协同作用,叠层结构的UV阻隔性能也会下降,尤其是对比文件4的在380nm波段的透过率较高,达到14.78%,无法满足现有技术的需求。
由以上技术方案可以看出,本发明具有以下有益效果:
1、本发明上层的光稳定树脂层6通过化学方法较好的的抑制自由基,下层的UV吸收树脂层5是通过物理方法达到较好的吸收紫外光,在两种助剂的协同作用下最大化提高助剂的利用率,达到紫外光的阻隔性能显著提高。
2、通过光学薄膜实现在380nm波段的透过率低于2%。
3、通过上层的高耐磨光稳定树脂层6和下层的高硬度UV吸收树脂层5结合可实现这种光学导电薄膜的硬度和耐磨力达到较高的水平。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施例加以描述,但并非每个实施例仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (10)
1.一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,包括下述步骤;
S1、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合制作UV吸收树脂层;
S2、使用涂布机在对基材的低折面先涂布一层UV吸收树脂层,UV吸收树脂层厚度为1μm~5μm,基材的厚度优选为50μm、100μm、125μm或188μm,所述基材为聚苯二甲酸乙二醇酯;
S3、通过磁力搅拌机、涂布辊和烘箱的配合下制作光稳定树脂层;
S4、使用涂布机在UV吸收树脂层上,涂布一层光稳定树脂层,光稳定树脂层的厚度为200nm~1000nm;
S5、使用涂布机在基材的高折面先涂布一层折射率在1.60~1.65的树脂硬化层,树脂硬化层厚度为500nm~1000nm;
S6、通过磁控溅射真空镀膜设备,磁控溅射一层二氧化硅层,二氧化硅层厚度为5~20nm;
S7、通过磁控溅射真空镀膜设备,镀上氧化铟锡导电层,氧化铟锡导电层厚度为15nm~50nm。
2.根据权利要求1所述的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,所述UV吸收树脂层的制作包括下述步骤;
S11、将丙烯酸类树脂加入到溶剂中,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,使其充分稀释;
S12、然后加入二氧化硅层粒子和分散剂,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌40min,使其充分散均匀;
S13、在该上述混合液搅拌过程中,依次逐滴加入硅烷偶联剂、光引发剂和UV吸收剂;
S14、使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,从而得到UV吸收树脂液;
S15、使用涂布辊将UV吸收树脂液均匀的涂布在基材上;
S16、通过烘箱去除溶剂,再通过UV固化,最后得到干厚在1μm~5μm的UV吸收树脂层。
3.根据权利要求1所述的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,所述光稳定树脂层的制作包括下述步骤;
S31、将丙烯酸类树脂加入到溶剂中,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,使其充分稀释;
S32、然后加入二氧化硅层粒子和分散剂,使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌40min,使其充分散均匀;
S33、在该上述混合液搅拌过程中,依次逐滴加入流平剂、光引发剂和受阻胺光稳定剂;
S34、使用磁力搅拌机在常温下磁力搅拌30min,从而得到光稳定树脂液;
S35、使用涂布辊将光稳定树脂液均匀的涂布在基材上,然后通过烘箱去除溶剂;
S36、再通过UV固化,最后得到干厚在200nm~1000nm的光稳定树脂层6。
4.根据权利要求2所述的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,所述UV吸收树脂层制作过程中的硅烷偶联剂为1~3份,所述UV吸收树脂层制作过程中的UV吸收剂为1~10份。
5.根据权利要求3所述的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,所述光稳定树脂层制作过程中的受阻胺光稳定剂为1~10份。
6.根据权利要求3所述的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,所述光稳定树脂层制作过程中的流平剂为1~5份。
7.根据权利要求1所述的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,所述UV吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中的丙烯酸类树脂为15~25份。
8.根据权利要求1所述的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,所述UV吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中光引发剂均为1~5份。
9.根据权利要求1所述的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,所述UV吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中二氧化硅层粒子均为5~10份。
10.根据权利要求1所述的一种具有UV阻隔性能的光学导电薄膜制备方法,其特征在于,所述UV吸收树脂层和光稳定树脂层制作过程中分散剂为1~5份。
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