CN116023946B - 一种氮化硅掩膜层蚀刻液、制备方法、用途和蚀刻方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种用于蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻液、制备方法、用途和使用其的蚀刻方法，所述蚀刻液包含磷酸、氟化物、二咪唑类化合物、多元醇醚和高纯水。所述蚀刻液通过多个特定组分的选择、协同和相互促进作用，从而可取得优异的氮化硅掩膜层蚀刻效果，极大地提高了制程效率和降低了工艺成本，尤其是可以显著改善产品良率，对于氮化硅掩膜层的蚀刻处理改进具有重大意义。

Description

一种氮化硅掩膜层蚀刻液、制备方法、用途和蚀刻方法

技术领域

本发明涉及一种晶圆加工的组合物、制备方法、用途及使用其的晶圆加工方法等，更特别地涉及一种氮化硅掩膜层蚀刻液、其制备方法、其用途和使用该蚀刻液的氮化硅掩膜层的蚀刻方法等多个方面，属于精密半导体加工技术与应用领域。

背景技术

在半导体加工工序中，常使用热磷酸蚀刻法来去除晶圆例如硅晶圆(以下有时也称为“晶片”、“硅片”等，其具有相同的指代含义)上的氮化硅掩膜层。该处理方法在工业生产工艺中通常采用批处理式清洗设备，硅片的蚀刻反应是在充满磷酸的化学槽中进行的，其中热磷酸在循环泵的作用下以一定的流速在化学槽中自下而上的不断循环。循环系统的作用有两个：1、在循环过程中不断地带走反应副产物，从而保持化学槽内溶液的洁净度；2、通过循环流动来保持溶液温度的均一性，该工艺温度通常在150-180℃之间，槽内的硅片是依靠重力垂直安放在卡槽中。但太高的循环流速容易产生诸多缺陷，例如：1、容易导致硅片倾倒破碎，从而影响正常工艺进行；2、溶液产生气泡，从而导致蚀刻不均匀。但太低的循环流速又无法有效地带走反应副产物，从而导致在化学槽侧壁产生了SiO₂颗粒堆积，且晶片表面也容易沉积该杂质颗粒，从而导致晶片表面光滑度和洁净度欠佳，严重影响后续制程的洁净度要求，该SiO₂颗粒的形成反应如下：

3Si₃N₄+4H₃PO₄+27H₂O＝4(NH₄)₃PO₄+9H₃SiO₃；

H₂SiO₃＝SiO₂+H₂O。

因此，需要对蚀刻液进行研究，使其在反应过程中产生的颗粒尽量减少，从而保持化学槽内溶液的洁净度和蚀刻后晶圆的表面洁净度和光滑度。

基于上述问题，如何避免氮化硅掩膜在进行蚀刻时产生大量二氧化硅颗粒，以及如何保持蚀刻液的洁净度以延长其使用时间和循环次数，更以及如何避免晶圆硅片上沉积二氧化硅颗粒而影响其后续制程和表面洁净度等，都是目前氮化硅掩膜蚀刻处理中的必须考虑的关键问题，这对于降低生产成本、提高工序处理效率，尤其是保持蚀刻后晶圆硅片的表面光滑度、洁净度具有非常重要的意义，也是首要考虑的关键指标。

但迄今为止，尚未有可避免或解决上述问题的专用氮化硅掩膜蚀刻液，从而导致目前氮化硅掩膜层的蚀刻工艺存在上述诸多缺陷，这降低了工艺效率，尤其是降低了产品良率，无形中显著提高了工艺成本，成为目前氮化硅掩膜层蚀刻领域中的最重要技术障碍。

因此，如何得到能够最大程度克服二氧化硅沉积、聚集的专用氮化硅掩膜层的蚀刻液，以此提高晶圆硅片的表面光滑度、洁净度、蚀刻液清洁度等具有非常显著的工业意义，这可以显著改善整个制程工序的加工效率、提高产品良率、降低工艺成本，也是目前该技术领域中亟待解决的技术难题所在。

发明内容

本发明是改善氮化硅掩膜层的上述蚀刻缺陷而做出，从而旨在提供专用于氮化硅掩膜层的蚀刻的蚀刻液、该蚀刻液的制备方法、该蚀刻液的蚀刻用途和使用该蚀刻液的氮化硅掩膜层的蚀刻方法等多个相互关联的技术方案，所述蚀刻液通过特定组分的选择、复配和协同，具有诸多优异的技术效果，从而克服了目前现有技术中存在的诸多技术缺陷，可以极大地提高制程效率和降低工艺成本，尤其是可以显著改善产品良率，对于氮化硅掩膜层的蚀刻处理改进具有重大意义。

需要注意的是，在本发明中，除非另有规定，涉及组成限定和描述的“包括”的具体含义，既包含了开放式的“包括”、“包含”等及其类似含义，也包含了封闭式的“由…组成”等及其类似含义。

本发明主要涉及如下几个具体技术方案。

[第一个技术方案]

第一个技术方案，本发明的一个目的在于提供一种用于蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻液(以下有时也称为“蚀刻液”或“掩膜层蚀刻液”或“氮化硅掩膜层蚀刻液”，三者均具有相同的指代含义)，所述蚀刻液包含磷酸、氟化物、二咪唑类化合物、多元醇醚和高纯水。

更进一步的，所述蚀刻液以质量份计，包括如下组分：

在本发明的所述蚀刻液中，所述磷酸的质量份为70-90份，例如可为70份、75份、80份、85份或90份。

其中，所述磷酸的质量百分比浓度并无严格的限定，例如其质量百分比浓度可为70-90％，例如可为70％、75％、80％、85％或90％。

在本发明的所述蚀刻液中，所述氟化物的质量份为1-5份，例如可为1份、2份、3份、4份或5份。

其中，所述氟化物为氢氟酸和/或金属氟化物。

优选地，所述氟化物选自氢氟酸、氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化铝、氟氢酸钾、氟氢酸钠或氟氢酸铵中的任意一种或任意多种的混合物。最优选地，所述氟化物为氢氟酸。

在本发明的所述蚀刻液中，所述二咪唑类化合物的质量份为1-10份，例如可为1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份或10份。

其中，所述二咪唑类化合物为N,N’-羰基二咪唑、N,N’-硫羰基二咪唑、N,N’-二咪唑基甲烷或2,2’-二咪唑基甲烷中的任意一种，优选为N,N’-羰基二咪唑或N,N’-硫羰基二咪唑，最优选为N,N’-羰基二咪唑。

在本发明的所述蚀刻液中，所述多元醇醚的质量份为1-10份，例如可为1份、2份、3份、4份、5份、6份、7份、8份、9份或10份。

其中，所述多元醇醚为二乙二醇单醚或二元醚、二丙二醇单醚或二元醚中的任意一种或任意多种，例如可为二乙二醇单甲醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇单丙醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇二乙醚中的任意一种或任意多种，最优选为二乙二醇单乙醚。

在本发明的所述蚀刻液中，所述高纯水的质量份为5-15份，例如可为5份、6份、7份、8份、9份、10份、11份、12份、13份、14份或15份。

所述高纯水为电阻≥18MΩ的去离子水。

本发明人发现，在本发明的所述用于氮化硅掩膜层蚀刻的蚀刻液中，通过选择特定的、最优选的氟化物、二咪唑类化合物和多元醇醚，可以取得优异的技术效果(具体可见随后的“性能表征”部分)，例如蚀刻液的高洁净度、蚀刻后晶圆表面的高光滑度和高洁净度等等技术效果，进而可以显著提高氮化硅掩膜层的蚀刻效果，提高了半导体加工的产品良率，延长了蚀刻液的循环周期，这是令人意想不到和非显而易见的。

[第二个技术方案]

第二个技术方案，本发明的一个目的在于提供上述用于蚀刻氮化硅掩膜层的所述蚀刻液的制备方法。

所述制备方法包括如下步骤：

A1：按照各自的质量份，分别称取各个组分；

A2：向高纯水中缓慢加入磷酸，搅拌均匀后加入氟化物，继续搅拌得到A组分；

将多元醇醚在搅拌下加入二咪唑类化合物，继续搅拌均匀得到B组分；

A3：将所述A、B组分混合搅拌均匀，即得所述蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻液。

其中，在所述步骤A2中，向高纯水中缓慢加入磷酸后，以合适的搅拌速度搅拌一段时间，该搅拌速度和搅拌时间并未严格的限定，只要能将两者充分混合均匀即可，例如可以60-120r/min的速度搅拌5-10min。搅拌均匀后，再加入氟化物，继续搅拌一定时间，同样的，该搅拌速度和搅拌时间并未严格的限定，只要能将各个组分充分混合均匀即可，例如可以60-120r/min的速度搅拌5-10min。

其中，在所述步骤A2中，将多元醇醚在搅拌下加入二咪唑类化合物，继续搅拌均匀得到B组分；此处的两处“搅拌”的搅拌速度并未严格的限定，只要能够适合将相应各个组分搅拌均匀即可，通常可为60-120r/min。

在加入二咪唑类化合物后的继续搅拌的搅拌时间也无严格的限定，只要能够均匀混合即可，通常可为5-15min，例如可为5min、10min或15min。

其中，在所述步骤A3中，将组分A、B组合混合后的搅拌速度和搅拌时间也无严格的限定，只要能够均匀混合即可，通常可为60-120r/min的速度，搅拌时间通常可为10-15min，例如可为10min、12min、14min或15min。

[第三个技术方案]

第三个技术方案，本发明的一个目的在于提供上述蚀刻液在蚀刻氮化硅掩膜层中的用途。

所述蚀刻液具有优异的诸多效果，例如可以显著提高蚀刻后液槽中液体的洁净度，延长其循环周期，而且能够显著改善蚀刻后晶圆表面的洁净度和光滑度，从而提高了后续产品良率等，可以取得显著的技术效果，特别适用于氮化硅掩膜层的硅片晶圆的蚀刻工序工艺中。

[第四个技术方案]

第四个技术方案，本发明的一个目的在于提供一种使用上述蚀刻液的氮化硅掩膜层的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下步骤：

步骤1：将所述蚀刻液放于蚀刻槽中，升温至160-170℃，将具有氮化硅掩膜层的晶圆垂直放置在卡槽内进行蚀刻液循环蚀刻；

步骤2：待蚀刻结束后，将蚀刻后晶圆用超纯水进行充分洗涤；

步骤3：用氮气充分吹扫洗涤后晶圆表面，即完成晶圆表面的氮化硅掩膜层的蚀刻处理。

其中，在步骤1中，蚀刻液的循环速度可根据蚀刻槽的大小而进行合适的选择和确定，这是本领域技术人员所应具备的常规能力与知识，在此不再进行详细描述，通常的，按照目前工业中使用的蚀刻槽的体积而言，该循环速度通常可为4-5L/分钟。

其中，所述步骤2中，所述超纯水为电阻≥18MΩ的去离子水。

其中，在所述步骤3中，氮气的吹扫速度和吹扫时间并无特别的严格限定，但通常分别可为40-100L/min和1-3分钟，本领域技术人员可根据实际情况进行合适选择与确定，只要能够将晶圆表面吹扫彻底、干净和干燥完全即可。

综上所述，本发明提供了一种用于氮化硅掩膜层的蚀刻液及其制备方法、用途和使用其的蚀刻方法，例如：

1、该蚀刻液中的多元醇醚可以显著促进二咪唑类化合物与氮化硅蚀刻后所生成的二氧化硅之间的单分子亲核反应，从而极大降低蚀刻液中的颗粒浓度，提高了其洁净度，延长了其循环使用周期。

2、该蚀刻液刻液中的二咪唑类化合物，尤其是最优选的N,N'-羰基二咪唑可以与蚀刻后产生的二氧化硅颗粒反生反应，从而减少体系中颗粒的产生，使得槽内溶液有更好的洁净度，尤其是避免了二氧化硅颗粒在晶圆表面上的沉积，使得晶圆在蚀刻后的缺陷更少。

藉上述的诸多优异技术效果，通过使用所述蚀刻，能够显著改善氮化硅掩膜层的蚀刻效果，从而在半导体精密芯片的先进制程工艺中具有显著的技术效果和应用前景。

附图说明

附图1是使用蚀刻液S1蚀刻后得到的晶圆原子力显微镜表面粗糙度显示图(左侧为2D图，右侧为3D图)。

附图2是使用蚀刻液S4蚀刻后得到的晶圆原子力显微镜表面粗糙度显示图(左侧为2D图，右侧为3D图)。

附图3是使用蚀刻液S6蚀刻后得到的晶圆原子力显微镜表面粗糙度显示图(左侧为2D图，右侧为3D图)。

具体实施方式

下面通过具体的实施例对本发明进行详细说明，但这些例举性实施方式的用途和目的仅用来例举本发明，并非对本发明的实际保护范围构成任何形式的任何限定，更非将本发明的保护范围局限于此。

其中，除非另有规定，否则下述所有实施例和/或性能测试中所使用的任何超纯水和/或高纯水均为电阻≥18MΩ的去离子水。

实施例1：氮化硅掩膜层蚀刻液的制备

A1：分别称取如下质量份的各个组分：磷酸80份(质量百分比浓度为80％)、氢氟酸2份、N,N’-羰基二咪唑5.5份、二乙二醇单乙醚5.5份、高纯水10份；

A2：向所述高纯水中缓慢加入所述磷酸，然后以90r/min的搅拌速度搅拌8分钟，然后加入所述氢氟酸，并继续以90r/min的搅拌速度搅拌8分钟，得到A组分；

将所述二乙二醇单乙醚在90r/min的搅拌速度下加入N,N’-羰基二咪唑，并继续以90r/min的搅拌速度搅拌10分钟，得到B组分；。

A3：将所述A、B组分混合并以90r/min的搅拌速度搅拌12分钟，得到均匀溶液，即得到蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻液，将其命名为S1。

实施例2：氮化硅掩膜层蚀刻液的制备

A1：分别称取如下质量份的各个组分：磷酸70份(质量百分比浓度为70％)、氢氟酸3份、N,N’-羰基二咪唑1份、二乙二醇单乙醚10份、高纯水5份；

A2：向所述高纯水中缓慢加入所述磷酸，然后以90r/min的搅拌速度搅拌8分钟，然后加入所述氢氟酸，并继续以90r/min的搅拌速度搅拌8分钟，得到A组分；

将所述二乙二醇单乙醚在90r/min的搅拌速度下加入N,N’-羰基二咪唑，并继续以90r/min的搅拌速度搅拌10分钟，得到B组分；。

A3：将所述A、B组分混合并以90r/min的搅拌速度搅拌12分钟，得到均匀溶液，即得到蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻液，将其命名为S2。

实施例3：氮化硅掩膜层蚀刻液的制备

A1：分别称取如下质量份的各个组分：磷酸90份(质量百分比浓度为90％)、氢氟酸1份、N,N’-羰基二咪唑10份、二乙二醇单乙醚1份、高纯水15份；

A2：向所述高纯水中缓慢加入所述磷酸，然后以90r/min的搅拌速度搅拌8分钟，然后加入所述氢氟酸，并继续以90r/min的搅拌速度搅拌8分钟，得到A组分；

将所述二乙二醇单乙醚在90r/min的搅拌速度下加入N,N’-羰基二咪唑，并继续以90r/min的搅拌速度搅拌10分钟，得到B组分；。

A3：将所述A、B组分混合并以90r/min的搅拌速度搅拌12分钟，得到均匀溶液，即得到蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻液，将其命名为S3。

实施例4-6：氮化硅掩膜层蚀刻液的制备

除分别将实施例1-3中的N,N’-羰基二咪唑依次替换为相同用量的N,N’-硫羰基二咪唑(按照实施例1)、N,N’-二咪唑基甲烷(按照实施例2)和2,2’-二咪唑基甲烷(按照实施例3)外，其他操作均不变，将得到的蚀刻液依次命名为S4、S5和S6。

实施例7-12：氮化硅掩膜层蚀刻液的制备

除分别顺次将实施例1-3中的多元醇醚二乙二醇单乙醚替换为相同用量的二乙二醇单甲醚(按照实施例1)、二乙二醇二甲醚(按照实施例2)、二乙二醇二乙醚(按照实施例3)、二乙二醇单丙醚(按照实施例1)、二丙二醇单甲醚(按照实施例2)、二丙二醇二乙醚(按照实施例3)外，其他操作均不变，将得到的蚀刻液依次命名为S7、S8、S9、S10、S11和S12。

蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻性能测试

按照如下的蚀刻方法进行氮化硅掩膜层的蚀刻：

步骤1：将蚀刻液放于容量为1L的蚀刻槽中，升温至165℃，将具有氮化硅掩膜层(氮化硅掩膜层厚度为)的8寸晶圆垂直放置在蚀刻槽中的卡槽内进行蚀刻液循环蚀刻，循环速度为4.5L/分钟；

步骤2：待蚀刻结束后(蚀刻终点的判定以晶圆表面颜色由蓝绿色变为硅本色为准)，将蚀刻后的晶圆用超纯水进行充分洗涤；

步骤3：用氮气充分吹扫洗涤后晶圆表面，即完成晶圆表面的氮化硅掩膜层的蚀刻处理，其中氮气吹扫速度为70L/min，吹扫时间为150秒。

I、蚀刻液中颗粒度数量测试

在上述蚀刻处理的步骤2完成后，即得到了蚀刻后的蚀刻液，测量其中粒径大于0.1μm的二氧化硅颗粒数量(换算为每1L蚀刻液中的数量)，结果见下表1。

表1

其中，S1-S3中的颗粒数量分别为150、115和143。

由此可见，在本申请的蚀刻液中，二咪唑类化合物最优选N,N’-羰基二咪唑，而多元醇醚类化合物最优选二乙二醇单乙醚，当同时选择N,N’-羰基二咪唑和二乙二醇单乙醚的组合时，能够取得大幅度降低颗粒杂质数量的最优技术效果。

而当改变N,N’-羰基二咪唑时，导致颗粒数量有显著的增大(见S4-S6)。当改变二乙二醇单乙醚时，颗粒数量也有明显的增大(见S7-S12)，但仍优于S5-S6。

发明人认为，这应是因N,N'-羰基二咪唑遇到带有活性氢的羟基(蚀刻下来的二氧化硅颗粒在溶液中吸附氢，从而在颗粒表面形成大量的活性羟基)后，可以同时失去二个咪唑生成碳酰衍生物或者失去一个咪唑生成N-咪唑甲酰酯或者N-咪唑甲酰胺，从而使得N,N'-羰基二咪唑极易与二氧化硅颗粒反生单分子亲核反应，进而减少了体系中大颗粒的产生，使得槽内蚀刻液具有更好的洁净度。而其它二咪唑类化合物无法或者生成更少的碳酰衍生物或甲酰类化合物，从而无法或仅能与少量的二氧化硅颗粒反应，导致蚀刻液中大颗粒杂质的数量急剧增大。

出人意料的是多元醇醚的具体种类对于颗粒杂质数量的影响也有着不可预测的影响，其中，二乙二醇单乙醚与N,N’-羰基二咪唑的协同效应最为优异，这应是因二乙二醇单乙醚一方面能够溶解体系中的有机杂质，另一方面对N,N’-羰基二咪唑与二氧化硅颗粒表面活性羟基的单分子亲核反应具有最佳的促进作用。更为具体的协同原因，发明人将在今后进行进一步的深入研究，以期揭示其中的深层次反应机理。

II、蚀刻后晶圆的表面粗糙度测试

在使用不同蚀刻液进行上述蚀刻后，对步骤3中所得的蚀刻后晶圆进行原子力显微镜表面粗糙度测试，该测试方法是一种非常常规的表面测试方法，具体操作和细节在此不再进行详细描述。

1、附图1是使用蚀刻液S1蚀刻后得到的晶圆原子力显微镜表面粗糙度显示图(左侧为2D图，右侧为3D图)，从中可以看出，蚀刻后晶圆表面粗糙度很小，表面光滑，经计算其粗糙度Ra(nm)为0.40。

而使用蚀刻液S2-S3蚀刻后得到的晶圆原子力显微镜表面粗糙度显示图与附图1高度类似，经计算其各自的粗糙度Ra(nm)分别为0.38、0.41，因形态高度类似而在此不再一一列出。

2、附图2是使用蚀刻液S4蚀刻后得到的晶圆原子力显微镜表面粗糙度显示图(左侧为2D图，右侧为3D图)，从中可以看出，蚀刻后晶圆表面粗糙度要显著优于下面的附图3，但要劣于附图1，经计算其粗糙度Ra(nm)为0.98。

而分别使用蚀刻液S7-S12蚀刻后得到的晶圆原子力显微镜表面粗糙度显示图与附图2整体上类似，经计算其各自的粗糙度Ra(nm)分别如下表2中所示，因形态高度类似而在此不再一一列出。

3、附图3是使用蚀刻液S6蚀刻后得到的晶圆原子力显微镜表面粗糙度显示图(左侧为2D图，右侧为3D图)，从中可以看出，蚀刻后晶圆表面粗糙度很大，表面凹凸不平，呈明显的颗粒状，经计算其粗糙度Ra(nm)为3.46。

而使用蚀刻液S5蚀刻后得到的晶圆原子力显微镜表面粗糙度显示图与附图3高度类似，也是呈现明显的表面颗粒状式的凹凸不平，经计算其粗糙度Ra(nm)为3.63，因形态高度类似而在此不再列出。

可见，使用N,N’-硫羰基二咪唑的S4的蚀刻后晶圆表面粗糙度和光滑性要优于S5和S6。

为了便于比较和更清楚起见，将使用蚀刻液S1-S12蚀刻后的晶圆粗糙度Ra(nm)一并列出在下表2中，具体如下：

表2

其中，使用S1-S3蚀刻后的晶圆表面粗糙度Ra(nm)分别为0.40、0.38和0.41。

由此可见，本发明的综合蚀刻体系能够取得优异的晶圆表面粗糙度，完全符合了后续制程加工需求。而当改变其中的二咪唑化合物或多元醇醚时，均可导致晶圆粗糙度有一定程度甚至是显著的降低，这再次证明了本发明中二咪唑化合物优选为N,N’-羰基二咪唑或N,N’-硫羰基二咪唑，而最优选为N,N’-羰基二咪唑；而对于多元醇醚而言，则最优选二乙二醇单乙醚(即便将其替换为二乙二醇二乙醚，仍可导致晶圆表面粗糙度有显著降低)。

如上所述，本发明提供了一种专用于氮化硅掩膜层蚀刻的蚀刻液、该蚀刻液的制备方法、该蚀刻液的蚀刻用途和使用该蚀刻液的氮化硅掩膜层的蚀刻方法等多个相互关联的技术方案，所述蚀刻液通过特定组分的选择、复配和协同，具有诸多优异的技术效果，从而克服了目前现有技术中存在的诸多技术缺陷，可以极大地提高制程效率和降低工艺成本，尤其是可以显著改善产品良率，对于氮化硅掩膜层的蚀刻处理改进具有重大意义。

应当理解，这些实施例的用途仅用于说明本发明而非意欲限制本发明的保护范围。此外，也应理解，在阅读了本发明的技术内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动、修改和/或变型，所有的这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种用于蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻液，所述蚀刻液由磷酸、氟化物、二咪唑类化合物、多元醇醚和高纯水组成；

所述蚀刻液以质量份计，由如下组分组成：

磷酸 70-90份；

氟化物 1-5份；

二咪唑类化合物 1-10份；

多元醇醚 1-10份；

高纯水 5-15份；

所述二咪唑类化合物为N,N’-羰基二咪唑或N,N’-硫羰基二咪唑；

所述多元醇醚为二乙二醇单乙醚。

2.如权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于：所述二咪唑类化合物为N,N’-羰基二咪唑。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻液，其特征在于：所述高纯水为电阻≥ 18 MΩ的去离子水。

4.如权利要求1-3任一项所述的蚀刻液的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：

A1：按照各自的质量份，分别称取各个组分；

A2：向高纯水中缓慢加入磷酸，搅拌均匀后加入氟化物，继续搅拌得到A组分；

将多元醇醚在搅拌下加入二咪唑类化合物，继续搅拌均匀得到B组分；

A3：将所述A、B组分混合搅拌均匀，即得所述蚀刻氮化硅掩膜层的蚀刻液。

5.如权利要求1-3任一项所述的蚀刻液在蚀刻氮化硅掩膜层中的用途。

6.一种氮化硅掩膜层的蚀刻方法，所述蚀刻方法包括如下步骤：

步骤1：将权利要求1-3任一项所述的蚀刻液放于蚀刻槽中，升温至160-170℃，将具有氮化硅掩膜层的晶圆垂直放置在卡槽内进行蚀刻液循环蚀刻；

步骤2：待蚀刻结束后，将蚀刻后晶圆用超纯水进行充分洗涤；

步骤3：用氮气充分吹扫洗涤后晶圆表面，即完成晶圆表面的氮化硅掩膜层的蚀刻处理。