CN108193280A - 金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 - Google Patents
金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108193280A CN108193280A CN201711311254.5A CN201711311254A CN108193280A CN 108193280 A CN108193280 A CN 108193280A CN 201711311254 A CN201711311254 A CN 201711311254A CN 108193280 A CN108193280 A CN 108193280A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- additive
- diamond wire
- acidity
- polycrystalline silicon
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 58
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 55
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 58
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 58
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims abstract description 41
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 30
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims abstract description 20
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 19
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229920000056 polyoxyethylene ether Polymers 0.000 claims description 13
- 229940051841 polyoxyethylene ether Drugs 0.000 claims description 13
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 8
- -1 polyoxy Vinyl ether Polymers 0.000 claims description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 5
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 5
- 229960003511 macrogol Drugs 0.000 claims description 4
- 229920001983 poloxamer Polymers 0.000 claims description 4
- 150000002191 fatty alcohols Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920002593 Polyethylene Glycol 800 Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002359 Tetronic® Polymers 0.000 claims description 2
- PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N [C].[F] Chemical compound [C].[F] PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 2
- 229940068918 polyethylene glycol 400 Drugs 0.000 claims description 2
- 229940085675 polyethylene glycol 800 Drugs 0.000 claims description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims description 2
- QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N Vinyl ether Chemical compound C=COC=C QYKIQEUNHZKYBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 abstract description 18
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 9
- 210000000085 cashmere Anatomy 0.000 abstract description 4
- 208000020442 loss of weight Diseases 0.000 abstract description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 6
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 229910021418 black silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000000686 essence Substances 0.000 description 1
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 1
- 230000002045 lasting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229940113115 polyethylene glycol 200 Drugs 0.000 description 1
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
Abstract
本发明提出了一种金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，包括以下组分：高分子量聚醚、小分子量聚醚与水。应用包括以下步骤：1)配制制绒液；2)将金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂加入步骤1)的制绒液中；3)将金刚线多晶硅片放入步骤2)的含有添加剂的制绒液中进行制绒。该添加剂用于金刚线多晶硅片酸性制绒液进行制绒，实现了实现金刚线切割纹处的出绒率高，绒面小而均匀，接近传统砂浆多晶硅片的制绒效果，减重可控，使用寿命长，提高电池性能和成品率。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅片制绒用的添加剂，具体涉及一种金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂。
背景技术
近五年的光伏行业，国际上开发了一种新型的硅片切割方式——金刚线切割。相比普通的砂浆切割方式，这种新型的切割方式优点比较明显：首先，在单位时间内金刚线切割出来的硅片数量要比普通的多2～3倍，普通砂浆切割一次需要8～9h，而金刚线切割仅需约4h，此外进行下一次切割前的清洗比较容易且快速；第二，新型的切割方式对环境的影响也比较小，采用的是水基冷却液，没有碳化硅等砂浆溶液，硅片切割过程中浪费的硅料回收也比较容易。这种新的切割方式不仅节省大量的时间，而且由回收带来的生产成本也下降。鉴于以上提到的优点，金刚线切割将来必将慢慢代替普通的砂浆切割。
由于金刚石线切割硅片表层的损伤层厚度和缺陷较砂浆线切割硅片要少，且金刚石线切割硅片表面存在严重的切割纹，使得湿法制绒后硅片表面仍然或多或少存在线痕印，难以完全消除，从而影响了制绒后硅片的外观及反射率，降低了太阳能电池的光电转换效率。目前，金刚石线切割单晶硅片在优化的碱液体系上配合制绒添加剂工艺已经解决了制绒的问题。然而，在常规酸制绒体系下，金刚线多晶硅片是无法出绒，甚至直接失效，这已是当前太阳能行业亟需解决的难题。
因国内“光伏领跑者计划”和降本增效的需要，传统砂浆线多晶硅制绒技术即将面临淘汰，国内外提出了一些可能解决金刚石线锯切割多晶硅片的制绒问题的方案。其中比较典型的有日本一些电池厂商提出的喷砂技术、黑硅技术以及比较热门的等离子体刻蚀技术(简称RIE技术)。这些技术虽然可从根本上摆脱酸腐蚀制绒的局限性和对硅片原始形貌的依赖性，能得到较好的绒面结构及减反射效果，但是市场热门的RIE技术需要依赖复杂的精密设备，其附加成本高，工艺复杂，难以获得合理有效的推广和应用，湿法黑硅技术(MCCE)又存在技术不稳定、组件封装损失(CTM)高、环境污染等缺点，而且在反应之前需镀上一层纳米贵金属，还需要专用的制绒设备，想必其成本也不会太低。因此，这些技术迟迟没有进行商业化、大规模的运用。通过常规酸制绒辅助添加剂的直接法制绒方案，目前来看是最容易也是最有效的实现金刚线多晶硅片大规模商业化应用的方法。
发明内容
本发明提出一种金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，该添加剂用于金刚线多晶硅片酸性制绒液进行制绒，实现了实现金刚线切割纹处的出绒率高，绒面小而均匀，接近传统砂浆多晶硅片的制绒效果，减重可控，使用寿命长，提高电池性能和成品率。
本发明的技术方案是这样实现的：
一种金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，包括以下组分：高分子量聚醚、小分子量聚醚与水。
优选地，所述高分子量聚醚的分子量为1000～6000，所述小分子量聚醚的分子量小于1000。
优选地，所述高分子量聚醚为全嵌段聚醚与杂嵌段聚醚中的一种或者多种；所述小分子量聚醚为含有6至20个醚基的聚乙二醇中的一种或者多种。
优选地，所述全嵌段聚醚为REP聚醚、Pluronic系列聚醚或者Tetronic系列聚醚；所述小分子量聚醚选自聚乙二醇200、聚乙二醇400、聚乙二醇600和聚乙二醇800中的一种或多种。
优选地，所述高分子量聚醚与所述水的重量之比为0.1～5:100，所述小分子量聚醚与所述水的重量之比为0.5～10:100。
优选地，所述组分还包括聚氧乙烯醚系列表面活性剂与氟碳表面活性剂。
优选地，所述聚氧乙烯醚系列表面活性剂选自烷基酚聚氧乙烯醚与脂肪醇聚氧乙烯醚中一种或多种；所述氟碳表面活性剂氟碳表面活性剂为杜邦Capstone FS系列氟碳表面活性剂。
优选地，所述聚氧乙烯醚系列表面活性剂的聚合度为8～12；所述杜邦CapstoneFS系列氟碳表面活性剂选自FS-10、FS-20、FS-22和FS-3100中的一种或多种。
本发明的另外一个目的是提供一种金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂的应用，包括以下步骤：
1)配制制绒液；2)将上述技术方案中的任意一种的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂加入步骤1)的制绒液中；3)将金刚线多晶硅片放入步骤2)的含有添加剂的制绒液中进行制绒。
优选地，所述制绒液主要由氢氟酸、硝酸与水配制而成；所述添加剂与步骤1)的制绒液的重量比为0.5～2:100；所述步骤3)的制绒温度为8～15℃，制绒时间为60～150s。
下面对本发明的技术方案作进一步的描述：
本发明的一些实施例中，高分子量聚醚优选为全嵌段聚醚与杂嵌段聚醚中的一种或者多种；小分子量聚醚为优选为含有6至20个醚基的聚乙二醇中的一种或者多种，这样做的目的是形成的有机网状模板更致密、均匀性更好。
本发明的一些实施例中，高分子量聚醚与所述水的重量之比为0.1～5:100，小分子量聚醚与所述水的重量之比为0.5～10:100，这样做的目的是形成的有机网状模板数量更合适。
本发明的一些实施例中，所述添加剂中优选还包括聚氧乙烯醚系列表面活性剂与氟碳表面活性剂；在这些技术方案中，氟碳表面活性剂与聚氧乙烯醚系列表面活性剂可减小硅及刻蚀液的表面张力，有利于反应剂润湿硅表面，有利于附着在表面的气泡脱离，促进了反应的持续进行，改善了腐蚀坑均匀性，从而优化金刚线多晶硅的微观绒面结构，有效地降低了金刚线多晶硅片的光反射率，从而保证了金刚线多晶太阳电池转换效率的稳定提升。
本发明的有益效果：
本发明的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂是通过在溶液中形成有机网状模板通道，调节制绒反应过程中有机模板通道内的有效酸浓度来提高金刚线多晶硅片出绒效果的。具体的，本发明的添加剂中的高分子量聚醚及低分子量聚醚本身并不参加反应，但可在溶液中形成致密的、均匀性良好的有机网状模板，有机网状模板的存在可发挥通道导向作用，相当于集中了刻蚀液中的有效酸浓度，通过有机网状通道的导向，加强了氢氟酸和硝酸对金刚线多晶硅片的刻蚀强度，使原本不易刻蚀出绒的线痕处强制出绒，从而有效提高金刚线多晶硅片的出绒效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为实施例1中对比组2常规制绒得到的砂浆多晶硅片表面SEM图片。
图2为实施例1中对比组1常规制绒得到的金刚线多晶硅片表面SEM图片。
图3为实施例2中本发明的添加剂制绒得到的金刚线多晶硅片表面SEM图片。
具体实施方式
实施例1
对比组1
目前常规酸制绒方法：
配置酸制绒液：将1.25L浓度为55wt％的氢氟酸，5.5L浓度为65wt％的硝酸，3.25L的去离子水，依次加入制绒槽中并搅拌，得到10L酸制绒液；
酸制绒：将砂浆与金刚线多晶硅片放入制绒槽进行制绒，制绒温度为10℃，制绒时间90s。
结果：常规制绒后的金刚线多晶硅片反射率为32.0％，参见图2。图2可知常规制绒得到的金刚线多晶片，绒面由于切割方式的不同呈线痕状分布，尺寸较大且不均匀，线痕处出绒率低，成核密度小(单位面积内的腐蚀坑数量)，表面发亮，反射率高。
对比组2
目前常规酸制绒方法：
配置酸制绒液：将1.25L浓度为55wt％的氢氟酸，5.5L浓度为65wt％的硝酸，3.25L的去离子水，依次加入制绒槽中并搅拌，得到10L酸制绒液；
酸制绒：将砂浆与砂浆多晶硅片放入制绒槽进行制绒，制绒温度为10℃，制绒时间90s。
结果：常规制绒后的砂浆多晶硅片反射率为23.5％，参见图1。由图1可知常规制绒得到的砂浆切割多晶硅片，绒面(腐蚀坑)平整，出绒率高，绒面完全得到覆盖，表面陷光效果好，反射率低。
实施例2
不添加本发明添加剂进行常规酸制绒按照实施例1的对比组2方法进行，将含有本发明的添加剂作为实验组，进行效率比较。结果如表1所示。其中，本发明的实验组的具体制绒方法如下：
1)配置酸制绒液：将1.25L浓度为55％的氢氟酸，5.5L浓度为65-68％的硝酸，3.25L的去离子水，依次加入制绒槽中并搅拌，得到10L酸制绒液；
2)配置酸制绒添加剂：将10g丙二醇嵌段聚醚L-44(Mw:2200)，20g聚乙二醇400，0.5g烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10)，0.5g杜邦Capstone FS-10加入1000ml去离子水中配成多晶制绒添加剂；将0.1L添加剂加入步骤2)配置好的酸制绒液中；
3)酸制绒：将金刚线多晶硅片放入制绒槽进行制绒，制绒温度为10℃，制绒时间90s。
结果：添加有本发明酸制绒添加剂制绒后的反射率为23.2％，参见图3。从图3中可以看出，实验组的金刚线多晶片绒面尺寸较小且分布均匀，切割纹处的绒面基本上得到覆盖，并且成核密度也更高，所以使用本添加剂制绒后硅片表面的陷光效果更好，反射率也更低
表1本发明的添加剂应用于金刚线多晶硅片制绒效果
| Uoc | Isc | FF | Rs | Rsh | Ncell | Irev2 | |
| 对比组2 | 0.635 | 8.91 | 80.27 | 1.823 | 120.13 | 18.48 | 0.194 |
| 实验组 | 0.637 | 8.88 | 80.31 | 1.749 | 122.38 | 18.51 | 0.170 |
实施例3
不添加本发明添加剂进行常规酸制绒按照实施例1的对比组2方法进行，将含有本发明的添加剂作为实验组，进行效率比较。结果如表2所示。其中，本发明的实验组的具体制绒方法如下：
1)配置酸制绒液：将1.25L浓度为55wt％的氢氟酸，5.5L浓度为65wt％的硝酸，3.25L的去离子水，依次加入制绒槽中并搅拌，得到10L酸制绒液；
2)配置酸制绒添加剂：将5g丙二醇嵌段聚醚F-38(Mw:5000)，50g聚乙二醇200，0.5g烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10)，0.5g杜邦Capstone FS-10加入1000ml去离子水中配成多晶制绒添加剂；将0.1L添加剂加入步骤2)配置好的酸制绒液中；
3)酸制绒：将金刚线多晶硅片放入制绒槽进行制绒，制绒温度为10℃，制绒时间90s。
结果：添加有本发明酸制绒添加剂制绒后的反射率为23.5％。
表2本发明的添加剂应用于金刚线多晶硅片制绒效果
| Uoc | Isc | FF | Rs | Rsh | Ncell | Irev2 | |
| 对比组2 | 0.633 | 9.01 | 121.43 | 1.997 | 79.78 | 0.1853 | 0.128 |
| 实验组 | 0.635 | 8.98 | 89.07 | 1.955 | 79.78 | 0.1848 | 0.167 |
实施例4
不添加本发明添加剂进行常规酸制绒按照实施例1的对比组2方法进行，将含有本发明的添加剂作为实验组，进行效率比较。结果如表3所示。其中，本发明的实验组的具体制绒方法如下：
1)配置酸制绒液：将1.25L浓度为55wt％的氢氟酸，5.5L浓度为65wt％的硝酸，3.25L的去离子水，依次加入制绒槽中并搅拌，得到10L酸制绒液；
2)配置酸制绒添加剂：将5g BASF Pluronic PE6200(Mw:2450)，10g聚乙二醇600，0.5g烷基酚聚氧乙烯醚(OP-10)，0.2g杜邦Capstone FS-22加入1000ml去离子水中配成多晶制绒添加剂；将0.1L添加剂加入步骤2)配置好的酸制绒液中；
3)酸制绒：将金刚线多晶硅片放入制绒槽进行制绒，制绒温度为10℃，制绒时间90s。
表3本发明的添加剂应用于金刚线多晶硅片制绒效果
| Uoc | Isc | FF | Rs | Rsh | Ncell | Irev2 | |
| 对比组2 | 0.638 | 8.90 | 80.373 | 1.266 | 169.2 | 18.59 | 0.923 |
| 实验组 | 0.640 | 8.86 | 80.42 | 1.297 | 217.72 | 18.56 | 0.640 |
实施例5
不添加本发明添加剂进行常规酸制绒按照实施例1的对比组2方法进行，将含有本发明的添加剂作为实验组，进行效率比较。结果如表4所示。其中，本发明的实验组的具体制绒方法如下：
1)配置酸制绒液：将1.25L浓度为55wt％的氢氟酸，5.5L浓度为65wt％的硝酸，3.25L的去离子水，依次加入制绒槽中并搅拌，得到10L酸制绒液；
2)配置酸制绒添加剂：将5g BASF Pluronic PE6200(Mw:2450)，10g聚乙二醇600，0.3g脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)，0.3g杜邦Capstone FS-3100加入1000ml去离子水中配成多晶制绒添加剂；将0.1L添加剂加入步骤2)配置好的酸制绒液中；
3)酸制绒：将金刚线多晶硅片放入制绒槽进行制绒，制绒温度为10℃，制绒时间90s。
表4本发明的添加剂应用于金刚线多晶硅片制绒效果
| Uoc | Isc | FF | Rs | Rsh | Ncell | Irev2 | |
| 对比组2 | 0.634 | 8.90 | 80.23 | 1.67 | 117.9 | 18.45 | 0.154 |
| 实验组 | 0.636 | 8.88 | 80.19 | 1.75 | 106.81 | 18.41 | 0.223 |
从上述实施例，可以看出，在常规制绒液中添加了本发明酸制绒添加剂后，金刚线多晶硅片的开路电压高于常规砂浆多晶硅片，短路电流基本接近常规砂浆多晶硅片，转换效率与常规砂浆多晶硅片差距控制在±0.05％以内。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，其特征在于，包括以下组分：高分子量聚醚、小分子量聚醚与水。
2.根据权利要求1所述的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，其特征在于，所述高分子量聚醚的分子量为1000～6000，所述小分子量聚醚的分子量小于1000。
3.根据权利要求2所述的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，其特征在于，所述高分子量聚醚为全嵌段聚醚与杂嵌段聚醚中的一种或者多种；所述小分子量聚醚为含有6至20个醚基的聚乙二醇中的一种或者多种。
4.根据权利要求3所述的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，其特征在于，所述全嵌段聚醚为REP聚醚、Pluronic系列聚醚或者Tetronic系列聚醚；所述小分子量聚醚选自聚乙二醇200、聚乙二醇400、聚乙二醇600和聚乙二醇800中的一种或多种。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，其特征在于，所述高分子量聚醚与所述水的重量之比为0.1～5:100，所述小分子量聚醚与所述水的重量之比为0.5～10:100。
6.根据权利要求1所述的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，其特征在于，所述组分还包括聚氧乙烯醚系列表面活性剂与氟碳表面活性剂。
7.根据权利要求6所述的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，其特征在于，所述聚氧乙烯醚系列表面活性剂选自烷基酚聚氧乙烯醚与脂肪醇聚氧乙烯醚中一种或多种；所述氟碳表面活性剂氟碳表面活性剂为杜邦Capstone FS系列氟碳表面活性剂。
8.根据权利要求7所述的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂，其特征在于，所述聚氧乙烯醚系列表面活性剂的聚合度为8～12；所述杜邦Capstone FS系列氟碳表面活性剂选自FS-10、FS-20、FS-22和FS-3100中的一种或多种。
9.一种金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂的应用，其特征在于，包括以下步骤：
1)配制制绒液；2)将权利要求1至8任意一项所述的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂加入步骤1)的制绒液中；3)将金刚线多晶硅片放入步骤2)的含有添加剂的制绒液中进行制绒。
10.根据权利要求1所述的金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂的应用，其特征在于，所述制绒液主要由氢氟酸、硝酸与水配制而成；所述添加剂与步骤1)的制绒液的重量比为0.5～2:100；所述步骤3)的制绒温度为8～15℃，制绒时间为60～150s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711311254.5A CN108193280B (zh) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | 金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711311254.5A CN108193280B (zh) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | 金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108193280A true CN108193280A (zh) | 2018-06-22 |
| CN108193280B CN108193280B (zh) | 2020-10-02 |
Family
ID=62574067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711311254.5A Active CN108193280B (zh) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | 金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108193280B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111020707A (zh) * | 2019-12-29 | 2020-04-17 | 武汉风帆电化科技股份有限公司 | 一种单晶硅制绒辅助剂及其应用 |
| CN111117623A (zh) * | 2019-12-29 | 2020-05-08 | 武汉风帆电化科技股份有限公司 | 一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法 |
| CN111593413A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-08-28 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片链式机台制绒用添加剂及其应用 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050051082A1 (en) * | 1999-05-01 | 2005-03-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming hemisperical grained silicon on a template on a semiconductor work object |
| CN103710705A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-09 | 北京合德丰材料科技有限公司 | 一种多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 |
| CN106024988A (zh) * | 2016-07-26 | 2016-10-12 | 南京科乃迪科环保科技有限公司 | 一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法 |
| CN106496493A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-03-15 | 厦门艾美森新材料科技股份有限公司 | 一种聚醚多元醇组合物及其制备方法和应用 |
| CN106676636A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-05-17 | 何秀英 | 一种用于硅晶体表面织构化腐蚀的化学助剂 |
-
2017
- 2017-12-11 CN CN201711311254.5A patent/CN108193280B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20050051082A1 (en) * | 1999-05-01 | 2005-03-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming hemisperical grained silicon on a template on a semiconductor work object |
| CN103710705A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-04-09 | 北京合德丰材料科技有限公司 | 一种多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 |
| CN106024988A (zh) * | 2016-07-26 | 2016-10-12 | 南京科乃迪科环保科技有限公司 | 一步法湿法黑硅制备以及表面处理方法 |
| CN106496493A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-03-15 | 厦门艾美森新材料科技股份有限公司 | 一种聚醚多元醇组合物及其制备方法和应用 |
| CN106676636A (zh) * | 2017-01-10 | 2017-05-17 | 何秀英 | 一种用于硅晶体表面织构化腐蚀的化学助剂 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111020707A (zh) * | 2019-12-29 | 2020-04-17 | 武汉风帆电化科技股份有限公司 | 一种单晶硅制绒辅助剂及其应用 |
| CN111117623A (zh) * | 2019-12-29 | 2020-05-08 | 武汉风帆电化科技股份有限公司 | 一种酸性刻蚀辅助剂及其制备方法 |
| CN111593413A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-08-28 | 常州时创能源股份有限公司 | 单晶硅片链式机台制绒用添加剂及其应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108193280B (zh) | 2020-10-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106119977B (zh) | 单晶硅片制绒添加剂及应用 | |
| KR101052704B1 (ko) | 규소 표면 및 층을 위한 에칭 페이스트 | |
| CN101876088B (zh) | 多晶硅片制绒方法 | |
| CN103614778A (zh) | 用于单晶硅片的无醇碱性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法 | |
| CN108193280A (zh) | 金刚线多晶硅片酸性制绒液的添加剂及其应用 | |
| CN106222755A (zh) | 用于多晶硅片制绒的添加剂及其应用方法 | |
| CN104505437B (zh) | 一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液、制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用 | |
| CN106012027B (zh) | 一种单多晶硅链式酸碱一体制绒及其制备方法 | |
| CA2395265A1 (en) | Process for the rough-etching of silicon solar cells | |
| CN102222719B (zh) | 太阳能电池用结晶系硅基板的表面处理方法及太阳能电池的制造方法 | |
| CN109285772B (zh) | 一种多晶硅电池片链式背抛光方法及其装置 | |
| WO2023019934A1 (zh) | 一种用于快速制绒的制绒添加剂及应用 | |
| CN106340446B (zh) | 一种湿法去除金刚石线切割多晶硅片表面线痕的方法 | |
| CN107623053A (zh) | 基于链式制绒设备的金刚线硅片纳微绒面制备方法 | |
| CN114292708A (zh) | 用于太阳能电池制绒前清洗的硅片清洗剂及使用方法 | |
| CN103117328B (zh) | 冶金多晶硅片磷吸杂方法及该法制成的硅片和太阳能电池 | |
| CN101587907A (zh) | 低结电容过压保护晶闸管器件芯片及其生产方法 | |
| CN102789981B (zh) | 一种可控硅的生产工艺 | |
| CN102254814B (zh) | 一种氧化硅的选择性刻蚀溶液及其制备方法和应用 | |
| CN101931030B (zh) | 纳米改性高效率低成本多晶硅太阳能电池制备工艺 | |
| TW201412946A (zh) | 一種半導體晶片之蝕刻組成物及蝕刻方法 | |
| CN102191565B (zh) | 一种单晶硅制绒液及其使用方法 | |
| CN107245761A (zh) | 金刚线多晶硅片制绒辅助剂及其应用 | |
| CN109713086A (zh) | 一种非金属黑硅制绒液以及利用该制绒液进行制绒的方法 | |
| CN116004233A (zh) | 一种提升硅片绒面均整度的刻蚀添加剂及使用方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240104 Address after: Building 16, Zhejiang Changxing National University Science and Technology Park, No. 669 High Speed Railway, Changxing County Economic and Technological Development Zone, Huzhou City, Zhejiang Province, 313199 Patentee after: Huzhou flying deer Amperex Technology Ltd. Address before: Room 316, 3rd Floor, Building 2, No. 400 Jiang'er Road, Changhe Street, Binjiang District, Hangzhou City, Zhejiang Province, 310051 Patentee before: HANGZHOU FEILU NEW ENERGY TECHNOLOGY CO.,LTD. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |