CN115946042A - 抛光装置及其工作方法 - Google Patents
抛光装置及其工作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115946042A CN115946042A CN202211687043.2A CN202211687043A CN115946042A CN 115946042 A CN115946042 A CN 115946042A CN 202211687043 A CN202211687043 A CN 202211687043A CN 115946042 A CN115946042 A CN 115946042A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing pad
- light beam
- preset threshold
- detection light
- threshold value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 165
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 112
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 11
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 6
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 5
- 150000003671 uranium compounds Chemical class 0.000 description 4
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本发明提供了一种抛光装置及其工作方法，属于半导体制造技术领域。抛光装置，包括：相对设置的上抛光头和下抛光头；固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘；贴附于所述上定盘表面上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘表面上的下抛光垫；设置在所述下定盘边缘的检测单元，用于检测所述下抛光垫的表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，获得检测结果；与所述检测单元连接的报警单元，用于在所述检测结果指示所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时进行报警。本发明的技术方案能够提高硅片的产品品质。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种抛光装置及其工作方法。
背景技术
抛光设备主要由上下定盘、抛光垫以及承载盘等组成。抛光垫贴附在抛光设备的定盘上，抛光过程中使用抛光液，在上下定盘高压力高转速的加工条件下，利用抛光液中碱性添加剂刻蚀硅片表面生成硅酸盐，并通过抛光垫以及抛光液中的SiO2颗粒的摩擦作用，去除硅片表面的硅酸盐，实现硅片表面损伤层的去除，达到高平坦度的镜面状态。
在长时间的旋转加工后，抛光液会在下抛光垫表面堆积残留形成铀化层，铀化层的铀化部位坚硬且凸起，会导致下抛光垫表面平坦度恶化，使抛光后的硅片的平坦度出现异常，同时会对硅片表面造成严重划伤，影响硅片的产品品质。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供一种抛光装置及其工作方法，能够提高硅片的产品品质。
为了达到上述目的，本发明实施例采用的技术方案是：
一种抛光装置，包括：
相对设置的上抛光头和下抛光头；
固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘；
贴附于所述上定盘表面上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘表面上的下抛光垫；
所述抛光装置还包括：
设置在所述下定盘边缘的检测单元，用于检测所述下抛光垫的表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，获得检测结果；
与所述检测单元连接的报警单元，用于在所述检测结果指示所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时进行报警。
一些实施例中，所述检测单元包括：
设置在所述下定盘边缘的检测光束发射接收模块，用于在所述下定盘旋转时，朝向所述下抛光垫表面发射检测光束，所述检测光束与所述下抛光垫表面平行，且与所述下抛光垫表面之间的垂直距离为所述预设阈值，接收被障碍物反射的所述检测光束；
与所述检测光束发射接收模块连接的处理模块，用于根据所述检测光束的路程判断所述下抛光垫表面是否存在高度大于或等于所述预设阈值的凸起。
一些实施例中，所述处理模块具体用于：
在所述检测光束的路程小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起；
在所述检测光束的路程不小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面不存在高度大于或等于预设阈值的凸起；
其中，所述第一距离为所述下定盘边缘与所述下定盘中心的旋转轴之间的最小距离。
一些实施例中，所述检测光束为红外光束或激光光束。
一些实施例中，所述预设阈值为3-5mm。
本发明实施例还提供了一种抛光装置的工作方法，应用于如上所述的抛光装置，所述方法包括：
利用所述检测单元检测所述下抛光垫的表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，获得检测结果；
利用所述报警单元在所述检测结果指示所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时进行报警。
一些实施例中，所述方法包括：
利用所述检测光束发射接收模块在所述下定盘旋转时，朝向所述下抛光垫表面发射检测光束，所述检测光束与所述下抛光垫表面平行，且与所述下抛光垫表面之间的垂直距离为所述预设阈值，接收被障碍物反射的所述检测光束。
利用所述处理模块根据所述检测光束的路程判断所述下抛光垫表面是否存在高度大于或等于所述预设阈值的凸起。
一些实施例中，所述方法具体包括：
利用所述处理模块在所述检测光束的路程小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起；在所述检测光束的路程不小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面不存在高度大于或等于预设阈值的凸起；
其中，所述第一距离为所述下定盘边缘与所述下定盘中心的旋转轴之间的最小距离。
一些实施例中，所述检测光束为红外光束或激光光束。
一些实施例中，所述预设阈值为3-5mm。
本发明的有益效果是：
本实施例中，利用检测单元检测下抛光垫表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，在下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时，报警单元进行报警，这样可以提醒相关操作人员对下抛光垫进行打磨，去除下抛光垫表面的凸起，避免下抛光垫表面的凸起对硅片的平坦度造成影响，以及划伤硅片的表面，从而提高硅片的产品品质。
附图说明
图1和图2表示本发明实施例抛光装置的结构示意图。
附图标记
1 下抛光垫
2 检测光束发射接收模块
3 检测光束
4 下定盘
5 旋转轴
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
现有技术中，抛光液的残留堆积初期肉眼难以观察到，无法及时做出处理；另外，抛光设备处于不停歇的长期生产加工过程，难以对抛光液的堆积过程实现精确检测。为了解决上述技术问题，本发明提供一种抛光装置及其工作方法，能够实时监测下抛光垫表面的异常凸起，提高硅片的产品品质。
本发明实施例提供一种抛光装置，如图1和图2所示，包括：
相对设置的上抛光头和下抛光头；
固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘4；
贴附于所述上定盘表面上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘4表面上的下抛光垫1；
所述抛光装置还包括：
设置在所述下定盘4边缘的检测单元，用于检测所述下抛光垫1的表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，获得检测结果；
与所述检测单元连接的报警单元，用于在所述检测结果指示所述下抛光垫1表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时进行报警。
本实施例中，利用检测单元检测下抛光垫表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，在下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时，报警单元进行报警，这样可以提醒相关操作人员对下抛光垫进行打磨，去除下抛光垫表面的凸起，避免下抛光垫表面的凸起对硅片的平坦度造成影响，以及划伤硅片的表面，从而提高硅片的产品品质。
本实施例可以实时监测下抛光垫表面的抛光液堆积残留情况和铀化程度，若抛光液的堆积残留的高度或铀化物的高度达到预设阈值，就会触发报警，相关操作人员就可以及时采取措施，清除下抛光垫1表面的抛光液残留以及异常凸起，能够及时避免硅片被划伤和平坦度恶化，有效保证硅片的产品品质，避免由于未及时关注到下抛光垫铀化情况而对硅片表面造成划伤。
其中，报警单元可以包括报警灯，通过闪烁或者显示特定颜色来进行报警，提醒相关操作人员；报警单元还可以包括语音报警模块，通过语音来进行报警，提醒相关操作人员。
一些实施例中，如图1和图2所示，所述检测单元包括：
设置在所述下定盘4边缘的检测光束发射接收模块2，用于在所述下定盘4旋转时，朝向所述下抛光垫1表面发射检测光束3，所述检测光束3与所述下抛光垫1表面平行，且与所述下抛光垫1表面之间的垂直距离为所述预设阈值，接收被障碍物反射的所述检测光束3；
与所述检测光束发射接收模块2连接的处理模块，用于根据所述检测光束3的路程判断所述下抛光垫1表面是否存在高度大于或等于所述预设阈值的凸起。
其中预设阈值可以根据对下抛光垫1的平坦度要求来设置，所述预设阈值可以为3-5mm。一些实施例中，预设阈值可以为3.0mm、3.1mm、3.2mm、3.3mm、3.4mm、3.5mm、3.6mm、3.7mm、3.8mm、3.9mm或4.0mm。
一些实施例中，所述处理模块具体用于：
在所述检测光束3的路程小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫1表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起；
在所述检测光束3的路程不小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫1表面不存在高度大于或等于预设阈值的凸起；
其中，所述第一距离为所述下定盘4边缘与所述下定盘4中心的旋转轴5之间的最小距离。
如图2所示，如果下抛光垫1表面不存在高度大于或等于预设阈值的凸起，则检测光束3从检测光束发射接收模块2发出后，被凸出于下抛光垫1的旋转轴5阻挡后反射回检测光束发射接收模块2，检测波束3的路程为第一距离的2倍；如果下抛光垫1表面存在抛光液堆积残留或铀化物等异常凸起，且异常凸起的高度大于或等于预设阈值，在检测光束3到达旋转轴5之前，检测光束3会被堆积的抛光液或铀化物等异常凸起阻挡，反射回检测光束发射接收模块2，检测波束3的路程将小于第一距离的2倍，因此，通过检测波束3的路程可以判断下抛光垫1表面是否存在异常凸起。
本实施例中，检测光束3可以为红外光束或激光光束。在抛光装置工作过程中，可以通过检测光束发射接收模块2不间断地发射检测波束3，实时监测下抛光垫表面的抛光液堆积残留情况和铀化程度。
本发明实施例还提供了一种抛光装置的工作方法，应用于如上所述的抛光装置，所述方法包括：
利用所述检测单元检测所述下抛光垫的表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，获得检测结果；
利用所述报警单元在所述检测结果指示所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时进行报警。
本实施例中，利用检测单元检测下抛光垫表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，在下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时，报警单元进行报警，这样可以提醒相关操作人员对下抛光垫进行打磨，去除下抛光垫表面的凸起，避免下抛光垫表面的凸起对硅片的平坦度造成影响，以及划伤硅片的表面，从而提高硅片的产品品质。
本实施例可以实时监测下抛光垫表面的抛光液堆积残留情况和铀化程度，若抛光液的堆积残留的高度或铀化物的高度达到预设阈值，就会触发报警，相关操作人员就可以及时采取措施，清除下抛光垫1表面的抛光液残留以及异常凸起，能够及时避免硅片被划伤和平坦度恶化，有效保证硅片的产品品质，避免由于未及时关注到下抛光垫铀化情况而对硅片表面造成划伤。
其中，报警单元可以包括报警灯，通过闪烁或者显示特定颜色来进行报警，
提醒相关操作人员；报警单元还可以包括语音报警模块，通过语音来进行报警，5提醒相关操作人员。
一些实施例中，所述方法包括：
利用所述检测光束发射接收模块在所述下定盘旋转时，朝向所述下抛光垫表面发射检测光束，所述检测光束与所述下抛光垫表面平行，且与所述下抛光
垫表面之间的垂直距离为所述预设阈值，接收被障碍物反射的所述检测光束。0利用所述处理模块根据所述检测光束的路程判断所述下抛光垫表面是否存在高度大于或等于所述预设阈值的凸起。
其中预设阈值可以根据对下抛光垫1的平坦度要求来设置，所述预设阈值可以为3-5mm。一些实施例中，预设阈值可以为3.0mm、3.1mm、3.2mm、
3.3mm、3.4mm、3.5mm、3.6mm、3.7mm、3.8mm、3.9mm或4.0mm。
5一些实施例中，所述方法具体包括：
利用所述处理模块在所述检测光束的路程小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起；在所述检测光束的路程不小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面不存在高度大于或等于预设阈值的凸起；
0其中，所述第一距离为所述下定盘边缘与所述下定盘中心的旋转轴之间的最小距离。
如图2所示，如果下抛光垫1表面不存在高度大于或等于预设阈值的凸起，则检测光束3从检测光束发射接收模块2发出后，被凸出于下抛光垫1的旋转
轴5阻挡后反射回检测光束发射接收模块2，检测波束3的路程为第一距离的5 2倍；如果下抛光垫1表面存在抛光液堆积残留或铀化物等异常凸起，且异常凸起的高度大于或等于预设阈值，在检测光束3到达旋转轴5之前，检测光束3会被堆积的抛光液或铀化物等异常凸起阻挡，反射回检测光束发射接收模块2，检测波束3的路程将小于第一距离的2倍，因此，通过检测波束3的路程可以判断下抛光垫1表面是否存在异常凸起。
本实施例中，检测光束3可以为红外光束或激光光束。在抛光装置工作过程中，可以通过检测光束发射接收模块2不间断地发射检测波束3，实时监测下抛光垫表面的抛光液堆积残留情况和铀化程度。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种抛光装置，包括：
相对设置的上抛光头和下抛光头；
固定设置于所述上抛光头上的上定盘以及固定设置于所述下抛光头上的下定盘；
贴附于所述上定盘表面上的上抛光垫以及贴附于所述下定盘表面上的下抛光垫；
其特征在于，所述抛光装置还包括：
设置在所述下定盘边缘的检测单元，用于检测所述下抛光垫的表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，获得检测结果；
与所述检测单元连接的报警单元，用于在所述检测结果指示所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时进行报警。
2.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述检测单元包括：
设置在所述下定盘边缘的检测光束发射接收模块，用于在所述下定盘旋转时，朝向所述下抛光垫表面发射检测光束，所述检测光束与所述下抛光垫表面平行，且与所述下抛光垫表面之间的垂直距离为所述预设阈值，接收被障碍物反射的所述检测光束；
与所述检测光束发射接收模块连接的处理模块，用于根据所述检测光束的路程判断所述下抛光垫表面是否存在高度大于或等于所述预设阈值的凸起。
3.根据权利要求2所述的抛光装置，其特征在于，
所述处理模块具体用于：
在所述检测光束的路程小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起；
在所述检测光束的路程不小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面不存在高度大于或等于预设阈值的凸起；
其中，所述第一距离为所述下定盘边缘与所述下定盘中心的旋转轴之间的最小距离。
4.根据权利要求2所述的抛光装置，其特征在于，所述检测光束为红外光束或激光光束。
5.根据权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述预设阈值为3-5mm。
6.一种抛光装置的工作方法，其特征在于，应用于如权利要求1-5中任一项所述的抛光装置，所述方法包括：
利用所述检测单元检测所述下抛光垫的表面是否存在高度大于或等于预设阈值的凸起，获得检测结果；
利用所述报警单元在所述检测结果指示所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起时进行报警。
7.根据权利要求6所述的抛光装置的工作方法，其特征在于，应用于如权利要求2所述的抛光装置，所述方法包括：
利用所述检测光束发射接收模块在所述下定盘旋转时，朝向所述下抛光垫表面发射检测光束，所述检测光束与所述下抛光垫表面平行，且与所述下抛光垫表面之间的垂直距离为所述预设阈值，接收被障碍物反射的所述检测光束；
利用所述处理模块根据所述检测光束的路程判断所述下抛光垫表面是否存在高度大于或等于所述预设阈值的凸起。
8.根据权利要求7所述的抛光装置的工作方法，其特征在于，所述方法具体包括：
利用所述处理模块在所述检测光束的路程小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面存在高度大于或等于预设阈值的凸起；在所述检测光束的路程不小于第一距离的2倍时，判断所述下抛光垫表面不存在高度大于或等于预设阈值的凸起；
其中，所述第一距离为所述下定盘边缘与所述下定盘中心的旋转轴之间的最小距离。
9.根据权利要求7所述的抛光装置的工作方法，其特征在于，所述检测光束为红外光束或激光光束。
10.根据权利要求6所述的抛光装置的工作方法，其特征在于，所述预设阈值为3-5mm。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211687043.2A CN115946042B (zh) | 2022-12-27 | 2022-12-27 | 抛光装置及其工作方法 |
| TW112105728A TW202327807A (zh) | 2022-12-27 | 2023-02-17 | 拋光裝置及其工作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211687043.2A CN115946042B (zh) | 2022-12-27 | 2022-12-27 | 抛光装置及其工作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115946042A true CN115946042A (zh) | 2023-04-11 |
| CN115946042B CN115946042B (zh) | 2024-05-03 |
Family
ID=87287256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211687043.2A Active CN115946042B (zh) | 2022-12-27 | 2022-12-27 | 抛光装置及其工作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115946042B (zh) |
| TW (1) | TW202327807A (zh) |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5934974A (en) * | 1997-11-05 | 1999-08-10 | Aplex Group | In-situ monitoring of polishing pad wear |
| US20040192168A1 (en) * | 2001-06-22 | 2004-09-30 | Peter Faustmann | Arrangement and method for conditioning a polishing pad |
| US20040229546A1 (en) * | 2001-09-24 | 2004-11-18 | Hansen Jesper Romer | Method and apparatus for inline measurement of material removal during a polishing or grinding process |
| KR20060072166A (ko) * | 2004-12-22 | 2006-06-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학 기계적 연마 장치 |
| US20100035518A1 (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Chang Shou-Sung | Closed loop control of pad profile based on metrology feedback |
| US20120270474A1 (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-25 | Nanya Technology Corporation | Polishing pad wear detecting apparatus |
| US20140262027A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Kyushu Institute Of Technology | Apparatus for measuring surface properties of polishing pad |
| CN104907920A (zh) * | 2014-03-12 | 2015-09-16 | 株式会社荏原制作所 | 膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器 |
| JP2015208840A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨パッドプロファイル計測用治具、及び、研磨パッドプロファイル計測方法 |
| KR20170030745A (ko) * | 2015-09-10 | 2017-03-20 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 및 컨디셔닝 디스크의 교체시기 감지방법 |
| CN208773210U (zh) * | 2018-10-19 | 2019-04-23 | 泉州联成机械有限公司 | 一种用于圆形金属配件的毛刺检测去除一体化装置 |
| KR20190078104A (ko) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
| US20200039028A1 (en) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical Mechanical Polishing Apparatus and Method |
| CN210388584U (zh) * | 2019-06-06 | 2020-04-24 | 福州闽波光电技术有限公司 | 一种磨床的平行校准装置 |
| US20210164771A1 (en) * | 2018-07-13 | 2021-06-03 | 9260-2366 Quebec Inc. | System and method for detecting particle accumulation on a surface |
| CN215810787U (zh) * | 2021-08-26 | 2022-02-11 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种抛光垫表面检测装置 |
| EP4101587A1 (en) * | 2021-06-09 | 2022-12-14 | Carl Zeiss Vision International GmbH | Positioning system and method for handling a spectacle lens |
-
2022
- 2022-12-27 CN CN202211687043.2A patent/CN115946042B/zh active Active
-
2023
- 2023-02-17 TW TW112105728A patent/TW202327807A/zh unknown
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5934974A (en) * | 1997-11-05 | 1999-08-10 | Aplex Group | In-situ monitoring of polishing pad wear |
| US20040192168A1 (en) * | 2001-06-22 | 2004-09-30 | Peter Faustmann | Arrangement and method for conditioning a polishing pad |
| US20040229546A1 (en) * | 2001-09-24 | 2004-11-18 | Hansen Jesper Romer | Method and apparatus for inline measurement of material removal during a polishing or grinding process |
| KR20060072166A (ko) * | 2004-12-22 | 2006-06-28 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학 기계적 연마 장치 |
| US20100035518A1 (en) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | Chang Shou-Sung | Closed loop control of pad profile based on metrology feedback |
| US20120270474A1 (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-25 | Nanya Technology Corporation | Polishing pad wear detecting apparatus |
| US20140262027A1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Kyushu Institute Of Technology | Apparatus for measuring surface properties of polishing pad |
| CN104907920A (zh) * | 2014-03-12 | 2015-09-16 | 株式会社荏原制作所 | 膜厚测定值的补正方法、膜厚补正器、及涡流传感器 |
| JP2015208840A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、研磨パッドプロファイル計測用治具、及び、研磨パッドプロファイル計測方法 |
| KR20170030745A (ko) * | 2015-09-10 | 2017-03-20 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치 및 컨디셔닝 디스크의 교체시기 감지방법 |
| KR20190078104A (ko) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 처리 장치 |
| US20210164771A1 (en) * | 2018-07-13 | 2021-06-03 | 9260-2366 Quebec Inc. | System and method for detecting particle accumulation on a surface |
| US20200039028A1 (en) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical Mechanical Polishing Apparatus and Method |
| CN208773210U (zh) * | 2018-10-19 | 2019-04-23 | 泉州联成机械有限公司 | 一种用于圆形金属配件的毛刺检测去除一体化装置 |
| CN210388584U (zh) * | 2019-06-06 | 2020-04-24 | 福州闽波光电技术有限公司 | 一种磨床的平行校准装置 |
| EP4101587A1 (en) * | 2021-06-09 | 2022-12-14 | Carl Zeiss Vision International GmbH | Positioning system and method for handling a spectacle lens |
| CN215810787U (zh) * | 2021-08-26 | 2022-02-11 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种抛光垫表面检测装置 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 何文彦;曹学东;匡龙;张鹏;: "结构光检测大型止推环止推面平面度探究", 光电工程, no. 11, 15 November 2016 (2016-11-15), pages 7 - 12 * |
| 李炳宗: "硅基集成芯片制造工艺原理", 31 March 2022, 复旦大学出版社, pages: 322 - 323 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115946042B (zh) | 2024-05-03 |
| TW202327807A (zh) | 2023-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11604279B2 (en) | MEMS beam steering and fisheye receiving lens for LiDAR system | |
| US6576531B2 (en) | Method for cutting semiconductor wafers | |
| US6424892B1 (en) | Vehicle surroundings monitoring device | |
| US7041962B2 (en) | Laser scanning apparatus | |
| JP5730893B2 (ja) | 切削システム及び切削方法 | |
| WO2023104216A1 (zh) | 一种晶圆驱动机构 | |
| EP0612978B1 (en) | Method of measuring the depth of full-cut dicing grooves by using an ultrasonic detector and a dicing apparatus for carrying out the same | |
| JP2015068805A (ja) | レーザレーダ装置 | |
| CN115946042A (zh) | 抛光装置及其工作方法 | |
| US20190056496A1 (en) | Object detector, sensing device, and mobile object apparatus | |
| TWI816576B (zh) | 晶圓尋位方法 | |
| JP3663923B2 (ja) | 車間距離報知装置 | |
| JP2007333592A (ja) | 距離測定装置 | |
| US7034929B2 (en) | Protective apparatus for the monitoring of a protected zone to be moved with a component | |
| CA2156892A1 (en) | Method and apparatus for precipitation detection and differentiation | |
| TWI714857B (zh) | 車用雷達偵測系統 | |
| CN104729459A (zh) | 基于ARM-Linux系统的行车测距防撞预警装置 | |
| CN109616433B (zh) | 一种晶圆转速监控装置及监控方法 | |
| JP2019046251A (ja) | 物標検出装置、運転支援システムおよび物標検出方法 | |
| US10048492B2 (en) | Scanning optical system and radar | |
| US6255664B1 (en) | Sensor for measuring degree of flatness | |
| KR20170113595A (ko) | 반도체 장치를 세정하기 위한 낙하방지 장치와, 그 장치를 갖는 챔버 | |
| JP7460386B2 (ja) | 被加工物の加工方法 | |
| CN112658991B (zh) | 抛光液供给装置 | |
| CN117718888A (zh) | 抛光垫清洗装置和抛光垫清洗方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 710000 room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi Province Applicant after: Xi'an Yisiwei Material Technology Co.,Ltd. Applicant after: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 710000 room 1-3-029, No. 1888, Xifeng South Road, high tech Zone, Xi'an, Shaanxi Province Applicant before: Xi'an yisiwei Material Technology Co.,Ltd. Applicant before: XI'AN ESWIN SILICON WAFER TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CB02 | Change of applicant information | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |