CN115902327B - 一种探针台定位补偿的标定方法和探针台 - Google Patents

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CN115902327B CN202310156533.8A CN202310156533A CN115902327B CN 115902327 B CN115902327 B CN 115902327B CN 202310156533 A CN202310156533 A CN 202310156533A CN 115902327 B CN115902327 B CN 115902327B
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Abstract

本申请涉及半导体技术领域,本申请提供了一种探针台定位补偿的标定方法和探针台。本申请首先获得预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点的第一关键位置,进而通过补偿偏移量和各个第一关键焊点的第一关键位置确定各个第一关键焊点的第一校正位置。通过各个第一关键焊点的第一校正位置获得晶圆上第一关键焊点外的第二关键焊点的第二校正位置。本申请的标定方法,实现了对晶圆上所有关键焊点的标定,减少图像识别量,降低了图像处理的复杂度,通过标定的第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系推算出第二关键焊点的第二校正位置,保证了晶圆对准的精度,节省了探针台中高精度运动机构的制作成本。

Description

一种探针台定位补偿的标定方法和探针台
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种探针台定位补偿的标定方法和探针台。
背景技术
探针台,是对晶圆进行测试的关键设备。在测试前,通过运动机构将晶圆传送至探针卡下方,然后将晶圆升至扎针高度,将晶圆上的焊点扎入探针卡的探针中,对晶圆上与被扎焊点相关的芯片进行测试。
但是,由于各个运动机构的传送精度问题,常常导致实际传送位置与期望位置存在误差。由于晶圆上遍布的芯片都非常微小,对每个芯片的焊点的定点精度要求极高,这种误差会导致测试时应扎焊点没有被探针扎中。
因此,本申请提供了一种探针台定位补偿的标定方法,以解决上述技术问题之一。
发明内容
本申请的目的在于提供一种探针台定位补偿的标定方法和探针台,能够解决上述提到的至少一个技术问题。具体方案如下:
根据本申请的具体实施方式,第一方面,本申请提供一种探针台定位补偿的标定方法,包括:
当晶圆依照预设期望轨迹运动至探针区域后,获取所述晶圆上预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点所处的第一关键位置,其中,所述补偿偏移量是指所述晶圆处于所述探针区域时预设参照点的参照位置与预设参照点的预设期望位置的偏移量;
基于预设参照点的补偿偏移量和各个第一关键焊点的第一关键位置标定各个第一关键焊点的第一校正位置;
基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,其中,预设排列关系是指所述晶圆上各个第二关键焊点与最近的第一关键焊点的排列关系。
可选的,所述晶圆包括依次排列的多个关键行和多个非关键行以及多个关键列和多个非关键列;每个关键行中包括多个第一关键焊点和多个第二关键焊点,每个非关键行中包括多个第二关键焊点;每个关键列中包括多个第一关键焊点和多个第二关键焊点,每个非关键列中包括多个第二关键焊点。
可选的,所述关键行包括间隔排列的多个第一关键焊点,所述关键行中相邻两个第一关键焊点间包括至少一个第二关键焊点;所述关键列包括间隔排列的多个第一关键焊点,所述关键列中相邻两个第一关键焊点间包括至少一个第二关键焊点。
可选的,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括:
基于预设排列关系确定任一关键行或任一关键列中相邻两个第一关键焊点间的第二关键焊点的第一数量;
基于所述任一关键行或所述任一关键列中相邻两个第一关键焊点的第一校正位置和所述第一数量确定所述任一关键行或所述任一关键列中相邻两个第一关键焊点间各个第二关键焊点的第二校正位置,并对所述第二校正位置进行标定。
可选的,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括:
基于预设排列关系确定第二数量,其中,所述第二数量是指分别处于相邻两个关键行上且在同一非关键列上的两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的数量;
基于所述两个已标定的第二关键焊点的第二校正位置和所述第二数量标定所述两个已确定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的第二校正位置,并对所述第二校正位置进行标定。
可选的,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括:
基于预设排列关系确定第三数量,其中,所述第三数量是指分别处于相邻两个关键列上且在同一非关键行上的两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的数量;
基于所述两个已标定的第二关键焊点的第二校正位置和所述第三数量确定所述两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的第二校正位置,并对所述第二校正位置进行标定。
可选的,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括:
当预设参照点的补偿偏移量小于或等于预设偏移量阈值时,基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置。
可选的,所述多个关键行包括奇数个等距离的关键行;所述多个关键列包括奇数个等距离的关键列。
可选的,所述获取所述晶圆上预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点所处的第一关键位置,包括:
通过所述探针区域上方悬置的相机获得所述晶圆的晶圆图像;
基于所述晶圆图像获得所述晶圆上预设参照点的参照位置和预设的各个第一关键焊点的第一关键位置;
基于所述预设参照点的参照位置与预设参照点的预设期望位置标定预设参照点的补偿偏移量。
根据本申请的具体实施方式,第二方面,本申请提供一种探针台,实现如上任一项所述探针台定位补偿的标定方法。
本申请实施例的上述方案与现有技术相比,至少具有以下有益效果:
本申请提供了一种探针台定位补偿的标定方法和探针台。本申请首先获得预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点的第一关键位置,进而通过补偿偏移量和各个第一关键焊点的第一关键位置确定各个第一关键焊点的第一校正位置。进一步地,通过各个第一关键焊点的第一校正位置获得晶圆上第一关键焊点外的第二关键焊点的第二校正位置。本申请的标定方法,实现了对晶圆上所有关键焊点的标定,减少图像识别量,降低了图像处理的复杂度,通过标定的第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系推算出第二关键焊点的第二校正位置,保证了晶圆对准的精度,节省了探针台中高精度运动机构的制作成本。同时,定期维护时无需更换探针台中的任何器件,降低了维护成本。
附图说明
图1示出了根据本申请实施例的探针台的结构示意图;
图2示出了根据本申请实施例的探针卡的示意图;
图3示出了根据本申请实施例的探针台定位补偿的标定方法的流程图;
图4示出了根据本申请实施例的关键焊点与非关键焊点的示意图;
图5示出了根据本申请实施例的关键焊点的排列示意图;
附图标记说明:
CH-卡盘,Z1-运动机构,NC-探针卡,N-探针,D-底座,W-针卡安装位,A-占位区域,J-晶圆,M-相机,P-芯片,E1-第一关键焊点,E2-第二关键焊点,F-非关键焊点,L1-关键行,L2-非关键行,C1-关键列,C2-非关键列。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义,“多种”一般包含至少两种。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
应当理解,尽管在本申请实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述,但这些描述不应限于这些术语。这些术语仅用来将描述区分开。例如,在不脱离本申请实施例范围的情况下,第一也可以被称为第二,类似地,第二也可以被称为第一。
取决于语境,如在此所使用的词语“如果”、“若”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。类似地,取决于语境,短语“如果确定”或“如果检测(陈述的条件或事件)”可以被解释成为“当确定时”或“响应于确定”或“当检测(陈述的条件或事件)时”或“响应于检测(陈述的条件或事件)”。
还需要说明的是,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的商品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种商品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的商品或者装置中还存在另外的相同要素。
特别需要说明的是,在说明书中存在的符号和/或数字,如果在附图说明中未被标记的,均不是附图标记。
如图1所示,在晶圆J测试中,探针台是一种非常重要的部件。探针台至少包括:卡盘CH、运动机构Z1、探针卡NC和针卡安装位W。探针卡NC,设置于探针台内的顶部,包括底座D和多个探针N。当探针卡NC的底座D与针卡安装位W不匹配时,可以将探针卡NC的底座D安装在一个与针卡安装位W匹配的针卡安装机构上,然后将该针卡安装机构安装在针卡安装位W上。
如图2所示,在底座D上设置有阵列排列的多个占位区域A,每个占位区域A均设置有排列方式相同的多个探针。
如图1所示,运动机构Z1,设置于探针台内所述针卡安装位W的下部,配置为能够沿垂直方向上和/或水平面运动的机构。运动机构Z1包括卡盘CH,所述卡盘CH设置于运动机构Z1的顶部上,随运动机构Z1运动,既可以吸附晶圆J,也可以对晶圆J进行温度控制。卡盘CH是一个圆盘状物体,其上具有吸附面,在吸附面上密布真空吸附孔,卡盘CH通过真空吸附孔将晶圆J吸附在吸附面上进行运输,在运输过程中能够有效的避免晶圆J脱落。同时,卡盘CH中具有冷却机构和加热机构,通过冷却机构使吸附的晶圆J能够均匀的降低温度;通过加热机构使吸附的晶圆J能够均匀的升高温度。
下面结合附图详细说明本申请的可选实施例。
对本申请提供的实施例,即一种探针台定位补偿的标定方法的实施例。
下面结合图3对本申请实施例进行详细说明。
步骤S101,当晶圆依照预设期望轨迹运动至探针区域后,获取所述晶圆上预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点所处的第一关键位置。
其中,所述补偿偏移量是指所述晶圆处于所述探针区域时预设参照点的参照位置与预设参照点的预设期望位置的偏移量。
在一些具体实施例中,所述获取所述晶圆上预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点所处的第一关键位置,包括以下步骤:
步骤S101-1,通过所述探针区域上方悬置的相机获得所述晶圆的晶圆图像。
探针台,是对晶圆进行测试的关键设备。在探针台中,包括多个运动机构;所述多个运动机构相互配合,将晶圆传送至与探针卡上,使晶圆上的焊点与探针接触(即扎针),通过探针对与被扎焊点相关的芯片进行测试。其中,探针台上的运动机构负责将晶圆传送至探针区域。
所述探针区域,位于探针卡下方,也就是探针卡悬置于探针区域上方。在理想的状态下,晶圆到达探针区域的预设期望位置(即对准)后,向上垂直运动就能够将晶圆上第一个测试区域的测试焊点扎入探针卡上的探针上进行测试。但是,由于运动机构在运动的过程中存在偏差,尽管其沿着预设期望轨迹运动,到达探针区域后,晶圆依然不能到达预设期望位置,其中存在偏差。晶圆向上垂直运动无法使第一个测试区域中测试焊点直接扎入探针卡上的探针上。
如图1所示,相机M悬置于探针区域上方,用于采集晶圆J进入探针区域后的图像,通过图像分析确定晶圆J的位置。每个探针台所产生的偏差均不相同。因此,在进入生产线后均需要标定一次探针台的定位补偿,或定期对探针台进行校准,以便使测试工作能够顺利进行,保证测试的准确性。
步骤S101-2,基于所述晶圆图像获得所述晶圆上预设参照点的参照位置和预设的各个第一关键焊点的第一关键位置。
预设参照点可以是晶圆上的任一点,例如,晶圆的几何中心点,或者晶圆上顺序排列的第一个测试区域中关键焊点的关键位置(比如关键焊点的中心位置)。
在晶圆测试时,依据晶圆的尺寸和探针卡的尺寸,将晶圆划分成多个顺序排列的测试区域。探针卡依次对测试区域中的所有测试焊点进行测试。
所述关键焊点是测试区域中的任一测试焊点(测试区域中还包括非测试焊点),每个测试区域中均仅具有一个关键焊点,其他测试焊点称为非关键焊点。当关键焊点与探针卡中的一个探针对齐时,测试区域中非关键焊点均能够与探针卡中的其他探针对齐。例如,如图4所示,第一关键焊点E1或第二关键焊点E2均是测试区域中位列第一位的芯片P的第一测试位的焊点;其余6个焊点均为非关键焊点F。因此,本申请实施例仅对每个测试区域中的关键焊点进行位置标定。
第一关键焊点是测试前预先指定的关键焊点。第一关键焊点可以是晶圆中所有关键焊点,也可以是所有关键焊点中的几个。
所述参照位置是晶圆依照预设期望轨迹运动至探针区域后测量出来的位置。也就是具有偏差的位置。
步骤S101-3,基于所述预设参照点的参照位置与预设参照点的预设期望位置标定预设参照点的补偿偏移量。
由于仅在晶圆所处水平面上进行补偿便可使关键焊点与探针对准,因此,本申请实施例所述方法仅针对水平面上的二维坐标。例如,如果参照位置(200.03mm,180.015mm),预设期望位置(200mm,180mm),则预设参照点的补偿偏移量分别为0.03mm和0.015mm。
步骤S102,基于预设参照点的补偿偏移量和各个第一关键焊点的第一关键位置标定各个第一关键焊点的第一校正位置。
例如,如果第一关键焊点的第一关键位置(210mm,190mm),则标定第一关键焊点的第一校正位置(210.03mm,190.015mm)。
步骤S103,基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置。
其中,预设排列关系是指所述晶圆上各个第二关键焊点与最近的第一关键焊点的排列关系。
所述第二关键焊点是指晶圆中未被预先设定的关键焊点。可以理解为,晶圆中第一关键焊点外的关键焊点。
由于放置在运动机构上的晶圆并不是完全平整的,而是具有一定的变形,表现在关键焊点的排列上,原本在一条直线上排列的关键焊点在运动机构上表现为一条曲线排列。第二关键焊点的第二校正位置并不能凭借晶圆在平整状态下第二关键焊点与第一关键焊点E1固定的位置偏移量计算获得。
在一个晶圆上存在成百上千的关键焊点,如果所有关键焊点均通过图像识别和定位,识别难度高,数据处理量大,因此,本申请实施例通过标定的第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系推算出第二关键焊点的第二校正位置。从而减少图像识别量,降低了图像处理的复杂度,提高了数据处理效率。
在一些具体实施例中,如图5所示,所述晶圆包括依次排列的多个关键行L1和多个非关键行L2以及多个关键列C1和多个非关键列C2;每个关键行L1中包括多个第一关键焊点E1和多个第二关键焊点E2,比如,第一个关键行L1中包括:第一关键焊点E1-a1和第一关键焊点E1-a2、以及第二关键焊点E2-b1、第二关键焊点E2-b2、第二关键焊点E2-b3和第二关键焊点E2-b4;每个非关键行L2中包括多个第二关键焊点E2,比如第三个非关键行L2中包括E2-b8;每个关键列C1中包括多个第一关键焊点E1和多个第二关键焊点E2,比如第一个关键列C1中包括第一关键焊点E1-a1和第一关键焊点E1-a3,每个非关键列C2中包括多个第二关键焊点E2,比如第一个非关键列C2中包括第二关键焊点E2-b1。
由于晶圆上的芯片是阵列排列的,因此,位于各自测试区域中固定位置的关键焊点也是阵列排列的。基于此,本具体实施例将关键焊点划分成多个关键行和多个非关键行以及多个关键列和多个非关键列。使每个关键焊点能够按照划分的规律进行处理,降低了数据处理的复杂性,提高了数据处理的复用性。
在另一些具体实施例中,所述关键行包括间隔排列的多个第一关键焊点,所述关键行中相邻两个第一关键焊点间包括至少一个第二关键焊点;所述关键列包括间隔排列的多个第一关键焊点,所述关键列中相邻两个第一关键焊点间包括至少一个第二关键焊点。
例如,如图5所示,在第一个关键行L1中相邻第一关键焊点E1-a1和第一关键焊点E1-a2间间隔有4个第二关键焊点E2:第二关键焊点E2-b1、第二关键焊点E2-b2、第二关键焊点E2-b3和第二关键焊点E2-b4;在第一个关键列C1中相邻第一关键焊点E1- a1和第一关键焊点E1-a3间间隔有3个第二关键焊点E2,其中包括第二关键焊点E2-b6。
可选的,所述多个关键行包括奇数个等距离的关键行;所述多个关键列包括奇数个等距离的关键列。
与平整放置的晶圆相比,放置在运动机构上的晶圆,距离晶圆的几何中心越近,关键焊点阵列排列的变形越不明显,距离晶圆的几何中心越远,关键焊点阵列排列的变形越明显。与偶数个关键行相比(比如6个关键行与5个关键行相比),在行与行间距相近的情况下,奇数个关键行使处于中间位置的关键行距离晶圆几何中心最近。中间关键行上的第一关键焊点阵列排列的变形不明显,需要为变形补偿的偏移量越小。
可选的,所述多个关键行包括5个等距离的关键行;所述多个关键列包括5个等距离的关键列。
经过反复实验,5个等距离的关键行和5个等距离的关键列所形成的网格,既减少了识别第一关键焊点的数量,又满足了对准所需的精度。
在另一些具体实施例中,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括以下步骤:
步骤S103a-1,基于预设排列关系确定任一关键行或任一关键列中相邻两个第一关键焊点间的第二关键焊点的第一数量。
预设排列关系包括每个关键焊点(包括第一关键焊点和第二关键焊点)所属的排列行和排列列,所述排列行是指关键行或非关键行,所述排列列是指关键列或非关键列。
例如,如图5所示,一个第一关键焊点E1-a1属于第一个关键行L1和第一个关键列C1;一个第二关键焊点E2-b1属于第一个关键行L1和第一个非关键列C2;另一个第二关键焊点E1-a6属于第一个非关键行L2和第一个关键列C1;另一个第二关键焊点E2-b8属于第三个非关键行L2和第二个非关键列C2。
例如,如图5所示,第一关键焊点E1-a1与第一关键焊点E1-a2同属于第一个关键行L1,且第一关键焊点E1-a1属于第一个关键列C1,第一关键焊点E1-a2属于第二个关键列C1,因此,第一关键焊点E1-a1与第一关键焊点E1-a2是第一个关键行L1中相邻两个第一关键焊点E1,他们中间有4个第二关键焊点E2:第二关键焊点E2-b1、第二关键焊点E2-b2、第二关键焊点E2-b3、第二关键焊点E2-b4;同理,第一关键焊点E1-a1与第一关键焊点E1-a3是第一个关键列C1中相邻两个第一关键焊点E1,其间间隔着3个第二关键焊点E2;第一关键焊点E1-a3与第一关键焊点E1-a4是第二个关键行L1中相邻两个第一关键焊点E1,其间间隔着4个第二关键焊点E2;第一关键焊点E1-a2与第一关键焊点E1-a4是第二个关键列C1中相邻两个第一关键焊点E1,其间间隔着3(即第一数量=3)个第二关键焊点E2。
步骤S103a-2,基于所述任一关键行或所述任一关键列中相邻两个第一关键焊点的第一校正位置和所述第一数量确定所述任一关键行或所述任一关键列中相邻两个第一关键焊点间各个第二关键焊点的第二校正位置,并对所述第二校正位置进行标定。
例如,如图5所示,在第一个关键行L1中,第一关键焊点E1-a1的第一校正位置(10mm,16mm)与第一关键焊点E1-a2的第一校正位置(50mm,16.05mm),他们中间有4个第二关键焊点E2:第二关键焊点E2-b1、第二关键焊点E2-b2、第二关键焊点E2-b3、第二关键焊点E2-b4;每个关键焊点在第一坐标轴上相隔=|50mm-10 mm|/(4+1)=8 mm,在第二坐标轴上相隔=|16.05 mm -16 mm|/(4+1)=0.01mm;因此,第二关键焊点E2-b1的第二校正位置(18mm,16.01mm),第二关键焊点E2-b2的第二校正位置(26mm,16.02mm),第二关键焊点E2-b3的第二校正位置(34mm,16.03mm),第二关键焊点E2-b4的第二校正位置(42mm,16.04mm)。同理,在任一个关键列C1中的计算方法与此例相似,可参考此例。
在一些具体实施例中,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括以下步骤:
步骤S103b-1,基于预设排列关系确定第二数量。
其中,所述第二数量是指分别处于相邻两个关键行上且在同一非关键列上的两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的数量。
例如,如图5所示,第一关键焊点E1-a1与第一关键焊点E1-a2属于第一个关键行,第一关键焊点E1-a3与第一关键焊点E1-a4属于第二个关键行L1,且第一个关键行L1与第二个关键行L1相邻;第二关键焊点E2-b3与第二关键焊点E2-b5同属于第三个非关键列C2,且分别处于第一个关键行L1和第二个关键行L1上;则在第一个关键列C1的第二关键焊点E2-b3与第二关键焊点E2-b5间存在3(即第二数量=3)个第二关键焊点E2。
步骤S103b-2,基于所述两个已标定的第二关键焊点的第二校正位置和所述第二数量确定所述两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的第二校正位置,并对所述第二校正位置进行标定。
例如,如图5所示,继续上述例子,第二关键焊点E2-b3标定的第二校正位置(34mm,16.03mm),第二关键焊点E2-b5标定的第二校正位置(34.04mm,56.07mm);在第一个关键列C1的第二关键焊点E2-b3与第二关键焊点E2-b5间存在3个第二关键焊点E2:每个关键焊点在第一坐标轴上相隔=|34mm-34.04 mm|/(3+1)=0.01mm,在第二坐标轴上相隔=|16.03mm -56.07 mm|/(3+1)=10.01mm;因此,第二关键焊点E2-b3与第二关键焊点E2-b5间的3个第二关键焊点E2的第二校正位置分别为(34.01mm,26.04mm),(34.02mm,36.05mm),(34.03mm,46.06mm)。
在另一些具体实施例中,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括以下步骤:
步骤S103c-1,基于预设排列关系确定第三数量。
其中,所述第三数量是指分别处于相邻两个关键列上且在同一非关键行上的两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的数量。
例如,如图5所示,第一关键焊点E1-a1与第一关键焊点E1-a3属于第一个关键列C1,第一关键焊点E1-a2与第一关键焊点E1-a4属于第二个关键列C1,且第一个关键列C1与第二个关键列C1相邻;第二关键焊点E2-b6与第二关键焊点E2-b7同属于第一个非关键行L2,且分别处于第一个关键列C1和第二个关键列C1上;则在第三个关键行L1的第二关键焊点E2-b6与第二关键焊点E2-b7间存在4(即第三数量=4)个第二关键焊点E2。
步骤S103c-2,基于所述两个已标定的第二关键焊点的第二校正位置和所述第三数量确定所述两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的第二校正位置,并对所述第二校正位置进行标定。
例如,如图5所示,继续上述例子,第二关键焊点E2-b6标定的第二校正位置(10.01mm,26.012mm),第二关键焊点E2-b7标定的第二校正位置(50.004mm,26.07mm);在第一个关键列C1的第二关键焊点E2-b6与第二关键焊点E2-b7间存在4个第二关键焊点E2:每个关键焊点在第一坐标轴上相隔=|10.01mm-50.004mm|/(4+1)=7.999mm,在第二坐标轴上相隔=|26.012mm -26.07mm|/(4+1)=0.012mm;因此,第二关键焊点E2-b6与第二关键焊点E2-b7间的4个第二关键焊点E2的第二校正位置分别为(18.009mm,26.024mm),(26.008mm,26.036mm),(34.007mm,26.048mm),(42.006mm,26.06mm)。
在一些具体实施例中,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括以下步骤:
步骤S103d,当预设参照点的补偿偏移量小于或等于预设偏移量阈值时,基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置。
可选的,预设偏移量阈值为0.05mm。当预设参照点的补偿偏移量大于预设偏移量阈值时,被认为运动机构严重异常,需要调整运动机构。
由于探针台在搬运的工程中容易造成运动机构偏差,或者在长期使用过程中使运动机构偏差,因此,均需对探针台进行定位补偿的标定,以便提高测试的精度,提高测试效率。
本申请实施例首先获得预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点的第一关键位置确定各个第一关键焊点的第一校正位置。进一步地,通过各个第一关键焊点的第一校正位置获得晶圆上第一关键焊点外的第二关键焊点的第二校正位置。本申请实施例的标定方法,实现了对晶圆上所有关键焊点的标定,减少图像识别量,降低了图像处理的复杂度,通过标定的第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系推算出第二关键焊点的第二校正位置,保证了晶圆对准的精度,节省了探针台中高精度运动机构的制作成本。同时,定期维护时无需更换探针台中的任何器件,降低了维护成本。
本申请还提供了与上述实施例承接的装置实施例,用于实现如上实施例所述的方法步骤,基于相同的名称含义的解释与如上实施例相同,具有与如上实施例相同的技术效果,此处不再赘述。
本申请提供一种探针台,实现如上所述探针台定位补偿的标定方法。
本申请实施例首先获得预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点的第一关键位置确定各个第一关键焊点的第一校正位置。进一步地,通过各个第一关键焊点的第一校正位置获得晶圆上第一关键焊点外的第二关键焊点的第二校正位置。本申请实施例的标定方法,实现了对晶圆上所有关键焊点的标定,减少图像识别量,降低了图像处理的复杂度,通过标定的第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系推算出第二关键焊点的第二校正位置,保证了晶圆对准的精度,节省了探针台中高精度运动机构的制作成本。同时,定期维护时无需更换探针台中的任何器件,降低了维护成本。
最后应说明的是:本说明书中各个实施例采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种探针台定位补偿的标定方法,其特征在于,包括:
当晶圆依照预设期望轨迹运动至探针区域后,获取所述晶圆上预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点所处的第一关键位置,其中,所述补偿偏移量是指所述晶圆处于所述探针区域时预设参照点的参照位置与预设参照点的预设期望位置的偏移量;
基于预设参照点的补偿偏移量和各个第一关键焊点的第一关键位置标定各个第一关键焊点的第一校正位置;
基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,其中,预设排列关系是指所述晶圆上各个第二关键焊点与最近的第一关键焊点的排列关系,依次排列的多个关键行和多个非关键行以及多个关键列和多个非关键列;每个关键行中包括多个第一关键焊点和多个第二关键焊点,每个非关键行中包括多个第二关键焊点;每个关键列中包括多个第一关键焊点和多个第二关键焊点,每个非关键列中包括多个第二关键焊点,在每个关键行或者关键列中,相邻两个第一关键焊点之间包括多个等间隔排列的第二关键焊点,每个非关键行或者非关键列中,第二关键焊点等间隔排列。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括:
基于预设排列关系确定任一关键行或任一关键列中相邻两个第一关键焊点间的第二关键焊点的第一数量;
基于所述任一关键行或所述任一关键列中相邻两个第一关键焊点的第一校正位置和所述第一数量确定所述任一关键行或所述任一关键列中相邻两个第一关键焊点间各个第二关键焊点的第二校正位置,并对所述第二校正位置进行标定。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括:
基于预设排列关系确定第二数量,其中,所述第二数量是指分别处于相邻两个关键行上且在同一非关键列上的两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的数量;
基于所述两个已标定的第二关键焊点的第二校正位置和所述第二数量标定所述两个已确定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的第二校正位置,并对所述第二校正位置进行标定。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括:
基于预设排列关系确定第三数量,其中,所述第三数量是指分别处于相邻两个关键列上且在同一非关键行上的两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的数量;
基于所述两个已标定的第二关键焊点的第二校正位置和所述第三数量确定所述两个已标定的第二关键焊点间未标定的第二关键焊点的第二校正位置,并对所述第二校正位置进行标定。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置,包括:
当预设参照点的补偿偏移量小于或等于预设偏移量阈值时,基于各个第一关键焊点的第一校正位置和预设排列关系标定所述晶圆上第二关键焊点的第二校正位置。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述多个关键行包括奇数个等距离的关键行;所述多个关键列包括奇数个等距离的关键列。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取所述晶圆上预设参照点的补偿偏移量和预设的各个第一关键焊点所处的第一关键位置,包括:
通过所述探针区域上方悬置的相机获得所述晶圆的晶圆图像;
基于所述晶圆图像获得所述晶圆上预设参照点的参照位置和预设的各个第一关键焊点的第一关键位置;
基于所述预设参照点的参照位置与预设参照点的预设期望位置标定预设参照点的补偿偏移量。
8.一种探针台,其特征在于,实现如权利要求1至7中任一项所述的方法。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116612115B (zh) * 2023-07-18 2023-10-20 深圳市大族封测科技股份有限公司 一种焊线点补偿方法、装置、计算机设备及存储介质

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009277871A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローブ位置修正方法及びプローバ
CN114460442A (zh) * 2022-02-09 2022-05-10 苏州格拉尼视觉科技有限公司 飞针测试用高精度下针补偿方法、装置及存储介质

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3725314B2 (ja) * 1997-10-23 2005-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 ウェハ上の対象点座標の補正方法および対象点座標の決定方法
JP2002057196A (ja) * 2000-08-07 2002-02-22 Plum Five Co Ltd プローブ方法及びプローブ装置
US8311758B2 (en) * 2006-01-18 2012-11-13 Formfactor, Inc. Methods and apparatuses for dynamic probe adjustment
JP2010245508A (ja) * 2009-03-16 2010-10-28 Micronics Japan Co Ltd ウェハアライメント装置及びウェハアライメント方法
CN102033142A (zh) * 2009-09-28 2011-04-27 旺矽科技股份有限公司 探针卡的自动定位方法
CN102707215B (zh) * 2012-05-22 2017-02-22 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆的测试方法
US9000798B2 (en) * 2012-06-13 2015-04-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of test probe alignment control
CN111486787A (zh) * 2019-01-28 2020-08-04 苏州能讯高能半导体有限公司 一种测试定位方法以及测试定位系统
CN110927549B (zh) * 2019-11-21 2021-11-16 广西天微电子有限公司 晶圆重定位方法及其系统
CN113589134A (zh) * 2020-04-30 2021-11-02 迈柯博科技(上海)有限公司 晶圆测试设备和方法
CN112445088A (zh) * 2020-12-04 2021-03-05 百及纳米科技(上海)有限公司 一种步进式光刻机、其工作方法及图形对准装置
CN115407179A (zh) * 2022-08-16 2022-11-29 江苏纳沛斯半导体有限公司 一种利用测试焊点对应关系提高准确性的晶圆测试方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009277871A (ja) * 2008-05-14 2009-11-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd プローブ位置修正方法及びプローバ
CN114460442A (zh) * 2022-02-09 2022-05-10 苏州格拉尼视觉科技有限公司 飞针测试用高精度下针补偿方法、装置及存储介质

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