CN115895663A - 一种硅腐蚀剂 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅腐蚀剂，包括第一粗腐蚀液、第二粗腐蚀液和精腐蚀液；第一粗腐蚀液由38％‑42％的氢氟酸、65％‑70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和30％‑32％的六氟硅酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：六氟硅酸等于2：3：1：1；第二粗腐蚀液由38％‑42％的氢氟酸、65％‑70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和90％‑98％的氟化铵组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：氟化铵等于2：4：1：0.5；精腐蚀液由38％‑42％的氢氟酸、65％‑70％的硝酸和99.9％的冰乙酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸等于2：2：1。本发明提供的腐蚀剂包括两次粗腐蚀和一次精腐蚀，对光阻玻璃芯片进行粗腐蚀和精腐蚀相结合，开沟速率快、误差小，提高了生产效率，增加了腐蚀后芯粒的一致性。
Description
技术领域
本发明属于光阻法玻璃钝化工艺技术领域，涉及一种硅腐蚀剂。
背景技术
光阻法玻璃钝化工艺在制作过程中，化学腐蚀是比较关键的一道工序，是将经过光刻后的单晶硅基片放入低温混酸中，将未被光刻胶保护的部分通过化学反应的方式腐蚀掉，在反应一定时间后，腐蚀深度超过硼面结深，此时芯粒也就有了基本的电性。光阻法中沟槽腐蚀的情况与光阻玻璃芯片的质量密切相连。沟槽太窄，在二次曝光中，芯粒边缘的钝化玻璃宽度不够，玻璃钝化层将被破坏，起不到保护的效果；沟槽太宽，芯粒台面会变小，会导致VF、正向浪涌等参数不符合要求；沟槽太深，芯片在流转过程中容易被破坏，导致损耗显著增加；沟槽太浅，常规电性达不到要求，可能导致整片报废。因此，性能良好、易调节的腐蚀液对光阻玻璃芯片生产具有很大影响。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提供一种能够有效去除掩膜板上的光阻残留以及灰尘等颗粒物，提高有机发光显示面板的生产良率的掩膜板清洗剂。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
一种硅腐蚀剂，包括第一粗腐蚀液、第二粗腐蚀液和精腐蚀液；
所述第一粗腐蚀液由38％-42％的氢氟酸、65％-70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和30％-32％的六氟硅酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：六氟硅酸等于2：3：1：1；
所述第二粗腐蚀液由38％-42％的氢氟酸、65％-70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和90％-98％的氟化铵组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：氟化铵等于2：4：1：0.5；
所述精腐蚀液由38％-42％的氢氟酸、65％-70％的硝酸和99.9％的冰乙酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸等于2：2：1。
优选地，所述第一粗腐蚀液与纯水配置的体积比为1:100，或1.1:100，或1.2:100，或1.3:100，或1.4:100，或1.5:100。
优选地，所述第二粗腐蚀液与纯水配置的体积比为1:100，或1.1:100，或1.2:100，或1.3:100，或1.4:100，或1.5:100。
优选地，所述精腐蚀液与纯水配置的体积比为0.5:100，或0.6:100，或0.7:100，或0.8:100。
优选地，所述第一粗腐蚀液的腐蚀温度为10℃、11℃、12℃、13℃、14℃、15℃、16℃、17℃、18℃、19℃、20℃、21℃、22℃、23℃、24℃、25℃；所述第二粗腐蚀液的腐蚀温度为10℃、11℃、12℃、13℃、14℃、15℃、16℃、17℃、18℃、19℃、20℃、21℃、22℃、23℃、24℃、25℃；所述精腐蚀液中的腐蚀温度为-10℃、-9℃、-8℃、-7℃、-6℃、-5℃。
优选地，在第一粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的60％—70％，在第二粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的70％—80％，在精腐蚀液中腐蚀至设定深度。
优选地，在第一粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的65％，在第二粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的75％，在精腐蚀液中腐蚀至设定深度
与现有技术相比，本发明具有的有益效果是：
1.本发明提供的腐蚀剂包括两次粗腐蚀和一次精腐蚀，对光阻玻璃芯片进行粗腐蚀和精腐蚀相结合，开沟速率快、误差小，提高了生产效率，增加了腐蚀后芯粒的一致性；
2.在粗腐蚀液中加入混合六氟硅酸和氟化铵，增加了腐蚀液中的氟离子浓度，提高粗腐蚀液的腐蚀效果。
3.粗腐蚀液对光阻玻璃芯片腐蚀到一定的深度，通过降低精蚀温度，延缓精蚀速度，精准控制精蚀深度。
具体实施方式
为了使本发明所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步的详细说明。
按照氢氟酸：硝酸：冰乙酸：氟化铵等于2：4：1：0.5的体积百分比配置第一粗腐蚀液；
按照氢氟酸：硝酸：冰乙酸：氟化铵等于2：4：1：0.5的体积百分比配置第二粗腐蚀液；
按照氢氟酸：硝酸：冰乙酸等于2：2：1的体积百分比配置精腐蚀液。
以下实施例以光阻玻璃芯片腐蚀深度100μm为基准，在第一粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的65μm，在第二粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的75μm，在精腐蚀液中腐蚀至设定深度。
实施例一
将第一粗腐蚀液与纯水按照体积比为1.5:100的配比投放至腐蚀槽内，将腐蚀槽的温度设置定15℃。
将第二粗腐蚀液与纯水按照体积比为1:100的配比投放至腐蚀槽内，将腐蚀槽的温度设置定15℃。
将精腐蚀液与纯水按照体积比为0.5:100的配比投放至腐蚀槽内，将腐蚀槽的温度设置定-8℃。
实施例二
将第一粗腐蚀液与纯水按照体积比为1.3:100的配比投放至腐蚀槽内，将腐蚀槽的温度设置定20℃。
将第二粗腐蚀液与纯水按照体积比为1.1:100的配比投放至腐蚀槽内，将腐蚀槽的温度设置定15℃。
将精腐蚀液与纯水按照体积比为0.6:100的配比投放至腐蚀槽内，将腐蚀槽的温度设置定-6℃。
实施例三
将第一粗腐蚀液与纯水按照体积比为1.2:100的配比投放至腐蚀槽内，将腐蚀槽的温度设置定20℃。
将第二粗腐蚀液与纯水按照体积比为1.1:100的配比投放至腐蚀槽内，将腐蚀槽的温度设置定15℃。
将精腐蚀液与纯水按照体积比为0.7:100的配比投放至腐蚀槽内，将腐蚀槽的温度设置定-8℃。
以上三个实施例的腐蚀时间参见下表：
综上所述，本发明可以将总蚀刻时间控制在8-9min，大幅度提高了蚀刻精度和蚀刻效率。
对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (7)
1.一种硅腐蚀剂，其特征在于，包括第一粗腐蚀液、第二粗腐蚀液和精腐蚀液；
所述第一粗腐蚀液由38％-42％的氢氟酸、65％-70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和30％-32％的六氟硅酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：六氟硅酸等于2：3：1：1；
所述第二粗腐蚀液由38％-42％的氢氟酸、65％-70％的硝酸、99.9％的冰乙酸和90％-98％的氟化铵组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸：氟化铵等于2：4：1：0.5；
所述精腐蚀液由38％-42％的氢氟酸、65％-70％的硝酸和99.9％的冰乙酸组成，按照体积百分比，氢氟酸：硝酸：冰乙酸等于2：2：1。
2.根据权利要求1所述的一种硅腐蚀剂，其特征在于，所述第一粗腐蚀液与纯水配置的体积比为1-1.5:100。
3.根据权利要求1所述的一种硅腐蚀剂，其特征在于，所述第二粗腐蚀液与纯水配置的体积比为1-1.5:100。
4.根据权利要求1所述的一种硅腐蚀剂，其特征在于，所述精腐蚀液与纯水配置的体积比为0.5-0.8:100。
5.根据权利要求1所述的一种硅腐蚀剂，其特征在于，所述第一粗腐蚀液的腐蚀温度为10—25℃；所述第二粗腐蚀液的腐蚀温度为10—25℃；所述精腐蚀液中的腐蚀温度为-10℃—-5℃。
6.根据权利要求5所述的一种硅腐蚀剂，其特征在于，在第一粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的60％—70％，在第二粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的70％—80％，在精腐蚀液中腐蚀至设定深度。
7.根据权利要求6所述的一种硅腐蚀剂，其特征在于，在第一粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的65％，在第二粗腐蚀液中腐蚀深度为设定深度的75％，在精腐蚀液中腐蚀至设定深度。
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