CN111341656A - 光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明属于光阻玻璃生产领域，具体涉及光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，包括如下步骤：S1设定开沟深度、S2计算开沟时间、S3沟槽腐蚀、S4溢流冲洗、S5沟深测定、S6基片转移，其中若S5沟深测定中沟深符合设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至下一工序；若S5沟深测定中沟深未达到设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至腐蚀槽中，重复步骤S2，直至沟深符合设定要求。该全自动腐蚀工艺可以自动测量基片开沟深度，精准度高；刻蚀合格后的基片通过机械臂转移至下一工序，省时省力，节约人工成本。
Description
技术领域
本发明属于光阻玻璃生产领域，具体涉及光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺。
背景技术
GPP(玻璃钝化)芯片作为电力电子设备中必不可少的器件，目前玻璃钝化有刀刮法、电泳法和光阻法三种方法，其中光阻法玻璃钝化芯片较刀刮法、电泳法可靠性高，光阻法玻璃钝化芯片将逐步取代目前的刀刮法芯片。
光阻法玻璃钝化工艺在制作过程中，化学腐蚀是比较关键的一道工序，是将经过光刻后的单晶硅基片放入低温混酸中，将未被光刻胶保护的部分通过化学反应的方式腐蚀掉，在反应一定时间后，腐蚀深度超过硼面结深，此时芯粒也就有了基本的电性。光阻法中沟槽腐蚀的情况与光阻玻璃芯片的质量密切相连；沟槽太窄，在二次曝光中，芯粒边缘的钝化玻璃宽度不够，玻璃钝化层将被破坏，起不到保护的效果；沟槽太宽，芯粒台面会变小，会导致VF、正向浪涌等参数不符合要求；沟槽太深，芯片在流转过程中容易被破坏，导致损耗显著增加；沟槽太浅，常规电性达不到要求，可能导致整片报废。因此，在达到目标腐蚀深度前，通常会进行多次人工测量与加工，保证最终腐蚀后达到理想深度，而这一过程费时费力，误差大，产品精度低，人工成本高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：针对上述缺陷，本发明提供一种光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，可以自动测量基片开沟深度，精准度高；刻蚀合格后的基片通过机械臂转移至下一工序，省时省力，节约人工成本。
本发明解决其技术问题采用的技术方案如下：光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，包括以下步骤：
S1，设定开沟深度：在控制系统上预先设定开沟深度；
S2，计算开沟时间：根据腐蚀液的腐蚀速率和待开沟深度，计算开沟时间；
S3，沟槽腐蚀：将限定有基片的支架浸没在装有腐蚀液的腐蚀槽中；
S4，溢流冲洗：将限定有基片的支架提起并设置在溢流槽内，溢流槽中清洗液冲洗吸附在基片上的腐蚀液，将已开沟深度暴露出；
S5，沟深测定：机械臂从支架上抽取一待测基片，将待测基片设置在光学显微镜进行检测，具体将待测基片置于载片玻璃上，载片平台快速平移，激光测得多个距离的极大值H，极小值h，并计算沟深
S6，基片转移：若S5沟深测定中沟深符合设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至下一工序；若S5沟深测定中沟深未达到设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至腐蚀槽中，重复步骤S2，直至沟深符合设定要求。
该光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，通过控制系统预设开沟深度，并自动计算开沟时间，将基片放入腐蚀槽中腐蚀，并通过机械臂和光学显微镜配合，即使测量出基片当前开沟深度，并通过控制系统计算仍需加工的时间，一方面省去了人工测量，大大节约了人力，且由于该工艺为全自动控制，精准度高，另一方面过程可控，避免出现沟槽太浅或太深而造成基片报废，降低生产误差，提高产品质量。
进一步的，所述S3沟槽腐蚀中的腐蚀槽包括装有高浓度粗腐蚀液的粗腐蚀槽、装有腐蚀速率较低的精腐蚀液的精腐蚀槽，根据腐蚀液的腐蚀特性，计算S2开沟时间。
所述S3沟槽腐蚀操作时，将限定有基片的支架浸没在装有粗腐蚀液的粗腐蚀槽中，先腐蚀一段时间，再将经过初步腐蚀的基片支架转移至装有精腐蚀液的精腐蚀槽中；
所述S6基片转移操作中，当S5沟深测定的中沟深未达到设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至精腐蚀槽中，重复S2计算开沟时间、S3沟槽腐蚀、S4溢流冲洗、S5沟深测定，直至沟深符合设定要求。
将腐蚀槽分为粗腐蚀槽和精腐蚀槽，通过粗腐蚀槽先腐蚀一定深度，再通过精腐蚀槽缓慢腐蚀直至达到设定开沟深度，开沟速度快，开沟深度误差小，进一步提高开沟精度，并提高生产效率。
进一步的，所述粗腐蚀液由下述体积百分比的组分制成：30—50份38％～42％的氢氟酸，30—40份65％～70％的硝酸，5—10份99.9％的冰乙酸，5—15份96％～98％的硫酸，1—5份的饱和氟盐溶液；
所述精腐蚀液由下述体积百分比的组分制成：25—30份38％～42％的氢氟酸，25—30份65％～70％的硝酸，30—40份99.9％的冰乙酸，10—15份96％～98％的硫酸。
该组分制成的粗腐蚀液和精腐蚀液能满足开沟速率快、开沟深度误差小的要求，增加腐蚀后芯粒的一致性。
本发明的有益效果是：
1、该光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，通过控制系统预设开沟深度，并自动计算开沟时间，将基片放入腐蚀槽中腐蚀，并通过机械臂和光学显微镜配合，即使测量出基片当前开沟深度，并通过控制系统计算仍需加工的时间，一方面省去了人工测量，大大节约了人力，且由于该工艺为全自动控制，精准度高，另一方面过程可控，避免出现沟槽太浅或太深而造成基片报废，降低生产误差，提高产品质量。
2、将腐蚀槽分为粗腐蚀槽和精腐蚀槽，通过粗腐蚀槽先腐蚀一定深度，再通过精腐蚀槽缓慢腐蚀直至达到设定开沟深度，开沟速度快，开沟深度误差小，进一步提高开沟精度，并提高生产效率；设置的粗腐蚀液和精腐蚀液的组成，满足开沟速率快、开沟深度误差小的要求，增加腐蚀后芯粒的一致性。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，包括以下步骤：
S1，设定开沟深度：在控制系统上预先设定开沟深度；
S2，计算开沟时间：根据腐蚀液的腐蚀速率和待开沟深度，计算开沟时间；
S3，沟槽腐蚀：将限定有基片的支架浸没在装有腐蚀液的腐蚀槽中；
S4，溢流冲洗：将限定有基片的支架提起并设置在溢流槽内，溢流槽中清洗液冲洗吸附在基片上的腐蚀液，将已开沟深度暴露出；
S5，沟深测定：机械臂从支架上抽取一待测基片，将待测基片设置在光学显微镜进行检测，具体将待测基片置于载片玻璃上，载片平台快速平移，激光测得多个距离的极大值H，极小值h，并计算沟深
S6，基片转移：若S5沟深测定中沟深符合设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至下一工序；若S5沟深测定中沟深未达到设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至腐蚀槽中，重复步骤S2，直至沟深符合设定要求。
所述S2计算开沟时间中，腐蚀液的腐蚀速率设定中，新配置的腐蚀液根据初始腐蚀速率计算，后根据上一批次S5沟深测定以及在S3沟槽腐蚀时腐蚀时间反推的腐蚀速率修订，减小下一批次开沟时间计算的误差；所述S4溢流冲洗时当测得溢流后废液pH大于5后，溢流冲洗完成。
该光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，通过控制系统预设开沟深度，并自动计算开沟时间，将基片放入腐蚀槽中腐蚀，并通过机械臂和光学显微镜配合，即使测量出基片当前开沟深度，并通过控制系统计算仍需加工的时间，一方面省去了人工测量，大大节约了人力，且由于该工艺为全自动控制，精准度高，另一方面过程可控，避免出现沟槽太浅或太深而造成基片报废，降低生产误差，提高产品质量。
实施例2
光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，包括以下步骤：
S1，设定开沟深度：在控制系统上预先设定开沟深度；
S2，计算开沟时间：根据中粗腐蚀液和精腐蚀液的腐蚀速率和待开沟深度，计算在粗腐蚀槽和精腐蚀槽中的开沟时间；
S3，沟槽腐蚀：将限定有基片的支架浸没在装有腐蚀液的腐蚀槽中；其中腐蚀槽包括装有高浓度粗腐蚀液的粗腐蚀槽、装有腐蚀速率较低的精腐蚀液的精腐蚀槽，将限定有基片的支架浸没在装有粗腐蚀液的粗腐蚀槽中，根据S2计算的在粗腐蚀槽的开沟时间后，再将经过初步腐蚀的基片支架转移至装有精腐蚀液的精腐蚀槽中；
其中所述粗腐蚀液由下述体积百分比的组分制成：30—50份38％～42％的氢氟酸，30—40份65％～70％的硝酸，5—10份99.9％的冰乙酸，5—15份96％～98％的硫酸，1—5份的饱和氟盐溶液；
所述精腐蚀液由下述体积百分比的组分制成：25—30份38％～42％的氢氟酸，25—30份65％～70％的硝酸，30—40份99.9％的冰乙酸，10—15份96％～98％的硫酸；
S4，溢流冲洗：将限定有基片的支架提起并设置在溢流槽内，溢流槽中清洗液冲洗吸附在基片上的腐蚀液，将已开沟深度暴露出；
S5，沟深测定：机械臂从支架上抽取一待测基片，将待测基片设置在光学显微镜进行检测，具体将待测基片置于载片玻璃上，载片平台快速平移，激光测得多个距离的极大值H，极小值h，并计算沟深
S6，基片转移：若S5沟深测定中沟深符合设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至下一工序；，当S5沟深测定的中沟深未达到设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至精腐蚀槽中，重复S2计算开沟时间、S3沟槽腐蚀、S4溢流冲洗、S5沟深测定，直至沟深符合设定要求。
所述S2计算开沟时间中，腐蚀液的腐蚀速率设定中，新配置的腐蚀液根据初始腐蚀速率计算，后根据上一批次S5沟深测定以及在S3沟槽腐蚀时腐蚀时间反推的腐蚀速率修订，减小下一批次开沟时间计算的误差；所述S4溢流冲洗时当测得溢流后废液pH大于5后，溢流冲洗完成。。
明显的，本实施与实施例1相比，将腐蚀槽分为粗腐蚀槽和精腐蚀槽，通过粗腐蚀槽先腐蚀一定深度，再通过精腐蚀槽缓慢腐蚀直至达到设定开沟深度，开沟速度快，开沟深度误差小，进一步提高开沟精度，并提高生产效率。
以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
Claims (4)
1.光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1，设定开沟深度：在控制系统上预先设定开沟深度；
S2，计算开沟时间：根据腐蚀液的腐蚀速率和待开沟深度，计算开沟时间；
S3，沟槽腐蚀：将限定有基片的支架浸没在装有腐蚀液的腐蚀槽中；
S4，溢流冲洗：将限定有基片的支架提起并设置在溢流槽内，溢流槽中清洗液冲洗吸附在基片上的腐蚀液，将已开沟深度暴露出；
S5，沟深测定：机械臂从支架上抽取一待测基片，将待测基片设置在光学显微镜进行检测，具体将待测基片置于载片玻璃上，载片平台快速平移，激光测得多个距离的极大值H，极小值h，并计算沟深
S6，基片转移：若S5沟深测定中沟深符合设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至下一工序；若S5沟深测定中沟深未达到设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至腐蚀槽中，重复步骤S2，直至沟深符合设定要求。
2.如权利要求1所述的光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，其特征在于：所述S3沟槽腐蚀中的腐蚀槽包括装有高浓度粗腐蚀液的粗腐蚀槽、装有腐蚀速率较低的精腐蚀液的精腐蚀槽，根据腐蚀液的腐蚀特性，计算S2开沟时间。
3.如权利要求2所述的光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，其特征在于：所述S3沟槽腐蚀操作时，将限定有基片的支架浸没在装有粗腐蚀液的粗腐蚀槽中，先腐蚀一段时间，再将经过初步腐蚀的基片支架转移至装有精腐蚀液的精腐蚀槽中；
所述S6基片转移操作中，当S5沟深测定的中沟深未达到设定的开沟深度，机械臂将测定基片复位，并将装有基片的支架转移至精腐蚀槽中，重复S2计算开沟时间、S3沟槽腐蚀、S4溢流冲洗、S5沟深测定，直至沟深符合设定要求。
4.如权利要求2所述的光阻玻璃芯片全自动腐蚀工艺，其特征在于：所述粗腐蚀液由下述体积百分比的组分制成：30—50份38％～42％的氢氟酸，30—40份65％～70％的硝酸，5—10份99.9％的冰乙酸，5—15份96％～98％的硫酸，1—5份的饱和氟盐溶液；
所述精腐蚀液由下述体积百分比的组分制成：25—30份38％～42％的氢氟酸，25—30份65％～70％的硝酸，30—40份99.9％的冰乙酸，10—15份96％～98％的硫酸。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115895663A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-04-04 | 昆山金城试剂有限公司 | 一种硅腐蚀剂 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10325708A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-12-08 | Toshiba Corp | エッチング深さ測定方法及びその装置 |
| US20030153136A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semicontor device having trench isolation |
| US6650426B1 (en) * | 1999-07-12 | 2003-11-18 | Sc Technology, Inc. | Endpoint determination for recess etching to a precise depth |
| US20040084406A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling etch depth |
| JP2004335759A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法 |
| CN101599433A (zh) * | 2008-06-03 | 2009-12-09 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体刻蚀方法及刻蚀系统 |
| CN102044431A (zh) * | 2009-10-20 | 2011-05-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 刻蚀方法和刻蚀系统 |
| CN205428951U (zh) * | 2016-03-14 | 2016-08-03 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 | 一种vr大于2600v的方片式玻璃钝化二极管芯片 |
-
2020
- 2020-03-19 CN CN202010196193.8A patent/CN111341656A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10325708A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-12-08 | Toshiba Corp | エッチング深さ測定方法及びその装置 |
| US6650426B1 (en) * | 1999-07-12 | 2003-11-18 | Sc Technology, Inc. | Endpoint determination for recess etching to a precise depth |
| US20030153136A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semicontor device having trench isolation |
| US20040084406A1 (en) * | 2002-09-25 | 2004-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling etch depth |
| JP2004335759A (ja) * | 2003-05-08 | 2004-11-25 | Mitsubishi Electric Corp | エッチングモニタリング装置およびエッチングモニタリング方法 |
| CN101599433A (zh) * | 2008-06-03 | 2009-12-09 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 半导体刻蚀方法及刻蚀系统 |
| CN102044431A (zh) * | 2009-10-20 | 2011-05-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 刻蚀方法和刻蚀系统 |
| CN205428951U (zh) * | 2016-03-14 | 2016-08-03 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 | 一种vr大于2600v的方片式玻璃钝化二极管芯片 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115895663A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-04-04 | 昆山金城试剂有限公司 | 一种硅腐蚀剂 |
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