CN115872987A - 芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置，所述芳胺类化合物的结构通式为式I；其中，各个基团和取代基的含义与说明书中相同。本公开实施例的芳胺类化合物的极化率高，增大了折射率，可以作为光取出材料，提高器件的发光效率；而且，本公开实施例提供的芳胺类化合物的热稳定性好，可以保证采用蒸镀工艺形成光取出层的稳定性，延长器件的使用寿命；此外，本公开实施例提供的芳胺类化合物作为光取出材料可以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。
Figure DDA0003870021990000011

Description

芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置。
背景技术
近年来，有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。随着产品不断的发展，客户对于产品的分辨率要求越来越高，功耗要求数值越来越低。因此需要开发高效率、低电压、长寿命的器件。
根据出光的方向不同，OLED器件可以分为底发射OLED器件和顶发射OLED器件。在底发射器件中，光线从基板发出，反射电极在有机发光层上面，透明电极在有机发光层下。底发射OLED器件中的薄膜晶体管部分不能透过光线，导致发光面积变小。在顶发射器件中，透明电极在有机发光层上，反射电极在有机发光层下，所以光线从基板相反的方向射出，从而增加了光线透过面积。因此目前的OLED器件以顶发射器件为主。为了提高顶发射OLED器件的发光效率，简单有效的方法是在透明电极上形成光取出层(又叫覆盖层，CappingLayer,CPL)作为功能层，以提高器件的光耦合效率。设置有光取出层的发光器件可以改善出光模式，使原本被限制在器件内部的光线能够射出器件，表现出更高的光取出效率。
OLED器件中的光取出层为一层折射率较高的有机或无机透明材料。光取出层材料的折射率越高，取光效果越明显，器件的性能优化也更好；而且在紫外区的吸收增加，也可以保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。然而，目前的光取出层材料在可见光范围的折射率较低，导致光取出效率较低，对提高OLED器件发光效率的作用有限；而且对紫外光的吸收较小，导致不能有效保护器件免受紫外光损伤。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
本公开实施例提供一种芳胺类化合物，所述芳胺类化合物的结构通式为：
Figure BDA0003870021970000021
其中，X为C(H)R2、O、NR3、S中的任意一种；
Y为O、NR4、S中的任意一种；
R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C50的芳基、取代或未取代的C2至C50的杂芳基中的任意一种；这里，取代的C1至C30的烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C50的芳基、取代的C2至C50的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C30的烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C50的芳基和C2至C50的杂芳基；
Ar为取代基R5取代的C6至C60的芳基或取代基R6取代的C6至C60的杂芳基；这里，所述取代基R5、R6各自独立地为未取代的C6至C60的芳基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的杂芳基和取代基R8取代的C6至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为C6至C60的芳基中的任意一个或多个；
L1为单键、取代或未取代的C6至C50的亚芳基、取代或未取代的C2至C50的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C50的亚芳基、取代的C2至C50的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C50的芳基、C2至C50的杂芳基。
在示例性实施例中，在通式I中，Ar可以为下述基团中的任意一种：
Figure BDA0003870021970000031
在示例性实施例中，在通式I中，X可以为O、S、-C(H)R2、NR3中的任意一种，R2为氢、苯基中的任意一种，R3为苯基、联苯基中的任意一种。
在示例性实施例中，在通式I中，Y可以为O、-NR4、S中的任意一种，R4为苯基。
在示例性实施例中，所述芳胺类化合物可以为下述化合物中的任意一种：
Figure BDA0003870021970000041
Figure BDA0003870021970000051
Figure BDA0003870021970000061
Figure BDA0003870021970000071
Figure BDA0003870021970000081
Figure BDA0003870021970000091
Figure BDA0003870021970000101
在示例性实施例中，
所述芳胺类化合物在460nm波长处的折射率可以在2.18至2.35范围内；
所述芳胺类化合物在530nm波长处的折射率可以在1.98至2.1范围内；
所述芳胺类化合物在620nm波长处的折射率可以在1.91至2.04范围内。
在示例性实施例中，所述芳胺类化合物在400nm波长处的吸光系数可以在0.841以上，在450nm波长及大于450nm波长处的吸光系数为零。
在示例性实施例中，Ar中可以含有具有共轭平面的片段，并且，所述芳胺类化合物可以满足：
在450nm至530nm波长处，α＞700bohr3；
在620nm波长处，α＞600bohr3；
其中，α为所述芳胺类化合物的极化率。
在示例性实施例中，所述芳胺类化合物可以满足：
5000bohr3＜V＜6000bohr3；
其中，V为所述芳胺类化合物的分子体积。
在示例性实施例中，所述芳胺类化合物可以满足：
θ＜80°；
其中，θ为Ar中任意两个相邻片段之间的扭转角。
本公开实施例还提供了一种电致发光器件，所述电致发光器件包括光取出层，所述光取出层的材料包括如上所述的芳胺类化合物。
在示例性实施例中，所述光取出层包括第一光取出层和第二光取出层，所述第一光取出层的材料包括根据权利要求1至9中任一项所述的芳胺类化合物，所述电致发光器件还可以包括：第一极、发光层、第二极和封装层，所述封装层包括第一封装层、第二封装层和第三封装层；其中，所述发光层设置在所述第一极与所述第二极之间，所述第一光取出层设置在所述第二极远离所述第一极的一侧，所述第二光取出层设置在所述第一光取出层远离所述第一极的一侧，所述第一封装层设置在所述第二光取出层远离所述第一极的一侧，所述第二封装层设置在所述第一封装层远离所述第一极的一侧，所述第三封装层设置在所述第二封装层远离所述第一极的一侧；并且，所述第一光取出层满足：
△n11≥△n12≥△n13，并且，△n11、△n12和△n13不同时相等；
其中，△n11、△n12、△n13分别为在460nm、530nm、620nm波长处所述第一光取出层与所述第二光取出层的折射率之间的差值。
在示例性实施例中，△n11可以为0.7至1.0，△n12可以为0.5至0.75，△n13可以为0.3至0.6。
在示例性实施例中，所述第二光取出层、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层可以满足：
△n2为0.2至0.4，△n3为0.1至0.25，△n4为0.2至0.3；
其中，△n2为所述第二光取出层与所述第一封装层的折射率之间的差值；
△n3为所述第一封装层与所述第二封装层的折射率之间的差值；
△n4为所述第二封装层与所述第三封装层的折射率之间的差值。
在示例性实施例中，所述第一光取出层、所述第二光取出层、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层可以满足：
△n1＞△n2＞△n3，并且，△n4＞△n3；
其中，△n1为所述第一光取出层与所述第二光取出层的折射率之间的差值，在460nm、530nm、620nm波长处，△n1分别为△n11、△n12、△n13。
在示例性实施例中，所述第二光取出层的厚度可以为0.05μm至0.07μm，所述第一封装层的厚度可以为0.8μm至1.2μm，所述第二封装层的厚度可以为10μm至15μm，所述第三封装层的厚度可以为0.5μm至0.8μm。
本公开实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的电致发光器件。
本公开实施例提供的芳胺类化合物的极化率高，增大了折射率，可以作为光取出材料，提高器件的发光效率；而且，本公开实施例提供的芳胺类化合物的热稳定性好，可以保证采用蒸镀工艺形成光取出层的稳定性，也避免了由于材料不稳定在蒸镀中产生杂质造成器件寿命缩短的问题；此外，本公开实施例提供的芳胺类化合物对紫外光的吸收较强，但不吸收器件自身的光，作为光取出材料时可以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。
本公开实施例提供的电致发光器件可以解决在白光画面下，不同角度的色偏轨迹变化较大的问题。
本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为本公开示例性实施例的一种电致发光器件的结构示意图；
图2为本公开示例性实施例的另一种电致发光器件的结构示意图；
图3为本公开示例性实施例与对比例的电致发光器件的复合膜在白光画面下的色偏轨迹图；
图4为蓝色、红色、绿色的亮度衰减随视角的变化曲线，其中B代表蓝色，R代表红色，G代表绿色；
图5为本公开示例性实施例的电致发光器件发出的光在光取出层和封装层中的光路图；
图6为本公开示例性实施例的芳胺化合物与对比化合物对光的吸收强度随光波长变化的模拟曲线。
附图中的标记符号的含义为：
100-阳极；200-空穴注入层；300-空穴传输层；400-电子阻挡层；500-发光层；600-空穴阻挡层；700-电子传输层；800-电子注入层；900-阴极；1000-光取出层；1001-第一光取出层；1002-第二光取出层；1100-封装层；1101-第一封装层；1102-第二封装层；1103-第三封装层。
具体实施方式
本文中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本公开实施例提供一种芳胺类化合物，所述芳胺类化合物的结构通式为：
Figure BDA0003870021970000141
其中，X为C(H)R2、O、NR3、S中的任意一种；
Y为O、NR4、S中的任意一种；
R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C50的芳基、取代或未取代的C2至C50的杂芳基中的任意一种；这里，取代的C1至C30的烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C50的芳基、取代的C2至C50的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C30的烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C50的芳基和C2至C50的杂芳基；
Ar为取代基R5取代的C6至C60的芳基或取代基R6取代的C6至C60的杂芳基；这里，所述取代基R5、R6各自独立地为未取代的C6至C60的芳基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的杂芳基和取代基R8取代的C6至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为C6至C60的芳基中的任意一个或多个；
L1为单键、取代或未取代的C6至C50的亚芳基、取代或未取代的C2至C50的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C50的亚芳基、取代的C2至C50的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C50的芳基、C2至C50的杂芳基。
在本公开的实施例中，所述芳基包括但不限于苯基、萘基、蒽基、苊烯基、茚基、菲基、薁基、芘基、芴基、苝基、螺芴基、螺双芴基、
Figure BDA0003870021970000151
基、苯并菲基、苯并蒽基、荧蒽基、苉基、并四苯基、并茚苯基。
在杂芳基中使用的术语“杂”是指芳香环中的至少一个碳原子被杂原子取代，所述杂原子选自氮原子(N)、氧原子(O)和硫原子(S)中的任意一种或多种。
在本公开的实施例中，所述杂芳基包括但不限于苯并恶唑基、苯并噻唑基、吲哚基、苯并咪唑基、吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、咔唑基、噻吩基、噻唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基(phthalazinyl)、喹喔啉基(quinoxalinyl)、噌啉基(cinnolinyl)、喹唑啉基、酞嗪基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、呋喃基、吡喃基、恶嗪基、恶唑基、恶二唑基(oxadiazolyl)、三唑基、二恶英基(dioxynyl)、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代吡喃基、噻嗪基、苯硫基和N-取代的螺芴基。
本公开实施例提供的芳胺类化合物的极化率高，增大了折射率，可以作为光取出材料，提高器件的发光效率；而且，本公开实施例提供的芳胺类化合物的热稳定性好，可以保证采用蒸镀工艺形成光取出层的稳定性，也避免了由于材料不稳定在蒸镀中产生杂质造成器件寿命缩短的问题；此外，本公开实施例提供的芳胺类化合物对紫外光的吸收较强，但不吸收器件自身的光，作为光取出材料时可以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。
在示例性实施例中，在通式I中，Ar可以为下述基团中的任意一种：
Figure BDA0003870021970000161
在示例性实施例中，在通式I中，X可以为O、S、-C(H)R2、NR3中的任意一种，R2为氢、苯基中的任意一种，R3为苯基、联苯基中的任意一种。
在示例性实施例中，在通式I中，Y可以为O、-NR4、S中的任意一种，R4为苯基。
在示例性实施例中，在通式I中，R1可以为氢。
在示例性实施例中，在通式I中，L1可以为亚苯基、亚萘基中的任意一种。
在示例性实施例中，所述芳胺类化合物可以为下述化合物中的任意一种：
Figure BDA0003870021970000171
Figure BDA0003870021970000181
Figure BDA0003870021970000191
Figure BDA0003870021970000201
Figure BDA0003870021970000211
Figure BDA0003870021970000221
Figure BDA0003870021970000231
在示例性实施例中，
所述芳胺类化合物在460nm波长处的折射率可以在2.18至2.35范围内；
所述芳胺类化合物在530nm波长处的折射率可以在1.98至2.1范围内；
所述芳胺类化合物在620nm波长处的折射率可以在1.91至2.04范围内。
采用本公开实施例的芳胺类化合物形成器件的光取出层时，可以配合其他材料的光取出层，例如，氟化锂(LIF)以及化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)封装层，采用折射率高低高搭配。当本公开实施例的芳胺类化合物的折射率在上述范围内时，其形成的光取出层与氟化锂以及CVD封装层之间的折射率高低高搭配可以满足要求。
在示例性实施例中，所述芳胺类化合物在400nm波长处的吸光系数可以在0.841以上，在450nm波长及大于450nm波长处的吸光系数为零。
所述芳胺类化合物中Ar取代基的种类和平面的共轭性可以影响所述芳胺类化合物的折射率和在不同波长下的紫外光(UV)吸收。Ar片段的平面性越好，共轭性越好，分子的折射率越高，通式I所示的芳胺类化合物的紫外吸收半峰宽越宽，吸收峰越红移，过多的共轭造成吸收的半峰宽移动到450nm处，会造成器件本身发出的蓝光被部分吸收，影响正常的出光强度。
在示例性实施例中，Ar中可以含有具有共轭平面的片段，并且，所述芳胺类化合物可以满足：
在450nm至530nm波长处，α＞700bohr3；
在620nm波长处，α＞600bohr3；
其中，α为所述芳胺类化合物的极化率。
当Ar中含有具有共轭平面的片段，并且所述芳胺类化合物的极化率α满足以下条件时：在450nm至530nm波长处，α＞700bohr3；在620nm波长处，α＞600bohr3，所述芳胺类化合物的共轭性适宜，具有较高的折射率，而且具有较好的紫外光吸收能力，又不会影响形成的器件本身的发光性能，因此适宜作为光取出材料。
在示例性实施例中，所述芳胺类化合物可以满足：
5000bohr3＜V＜6000bohr3；
其中，V为所述芳胺类化合物的分子体积。
当所述芳胺类化合物的分子体积满足5000bohr3＜V＜6000bohr3时，所述芳胺类化合物的共轭性适宜，具有较高的折射率，而且具有较好的紫外光吸收能力，又不会影响形成的器件本身的发光性能，因此适宜作为光取出材料。
在示例性实施例中，所述芳胺类化合物可以满足：
θ＜80°；
其中，θ为Ar中任意两个相邻片段之间的扭转角。
例如，θ可以为50°、60°、70°或75°。
当所述芳胺类化合物中任意两个相邻片段之间的扭转角满足θ＜80°时，所述芳胺类化合物的共轭性适宜，具有较高的折射率，而且具有较好的紫外光吸收能力，又不会影响形成的器件本身的发光性能，因此适宜作为光取出材料。在示例性实施例中，所述芳胺类化合物可以满足：
在450nm至530nm波长处，α＞700bohr3；在620nm波长处，α＞600bohr3；
5000bohr3＜V＜6000bohr3；
θ＜80°；
其中，α为所述芳胺类化合物的极化率；
V为所述芳胺类化合物的分子体积；
θ为Ar中任意两个相邻片段之间的扭转角。
本公开实施例还提供了如上所述的芳胺类化合物的合成方法，所述合成方法可以包括：
Figure BDA0003870021970000251
S1：化合物A与化合物B在第一溶剂、第一催化剂、第一碱和第一膦配体存在和氮气保护条件下进行偶联反应，形成中间体C；
Figure BDA0003870021970000261
S2：中间体C与Ar-Br在第二溶剂、第二催化剂、第二碱和第二膦配体存在和氮气保护条件下进行偶联反应，形成通式I化合物；
或者，所述合成方法包括：
Figure BDA0003870021970000262
S1’：化合物A与Ar-Br在第二溶剂、第二催化剂、第二碱和第二膦配体存在和氮气保护条件下进行偶联反应，形成中间体C’；
Figure BDA0003870021970000263
S2’：中间体C’与化合物B在第一溶剂、第一催化剂、第一碱和第一膦配体存在和氮气保护条件下进行偶联反应，形成通式I化合物。
在示例性实施例中，所述第一溶剂、所述第二溶剂可以为甲苯等；所述第一催化剂、所述第二催化剂可以为醋酸钯等；所述第一碱、所述第二碱可以为叔丁醇钠等；所述第一膦配体、所述第二膦配体可以为三叔丁基膦等。
本公开实施例还提供了如上所述的芳胺类化合物作为光取出材料的用途。
本公开实施例还提供了一种光取出材料，所述光取出材料包括如上所述的芳胺类化合物。
本公开实施例还提供一种电致发光器件，所述电致发光器件包括光取出层，所述光取出层的材料包括如上所述的芳胺类化合物。
本公开实施例提供的芳胺类化合物具有较高的折射率和较好的紫外光吸收特性，适合作为电致发光器件的光取出层的材料。
在示例性实施例中，所述电致发光器件可以包括：第一极和第二极、设置在所述第一极和所述第二极之间的发光功能层、设置在所述第二极远离所述第一极一侧的光取出层；所述第一极可以为阳极，所述第二极可以为阴极，或者，所述第一极可以为阴极，所述第二极可以为阳极。
在示例性实施例中，所述发光功能层可以包括：发光层(Emitting Layer,EML)以及如下任意一层或多层：空穴注入层(Hole Injection Layer,HIL)、空穴传输层(HoleTransport Layer,HTL)、电子阻挡层(Electron Block Layer,EBL)、空穴阻挡层(HoleBlock Layer,HBL)、电子传输层(Electron Transport Layer,ETL)、电子注入层(ElectronInjection Layer,EIL)。
例如，所述电致发光器件可以包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极和光取出层。
图1为本公开示例性实施例的一种电致发光器件的结构示意图。如图1所示，所述电致发光器件可以包括：阳极100、空穴注入层200、空穴传输层300、电子阻挡层400、发光层500、空穴阻挡层600、电子传输层700、电子注入层800、阴极900和光取出层1000。所述空穴注入层200设置在所述阳极100一侧的表面上，所述空穴传输层300设置在所述空穴注入层200的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子阻挡层400设置在所述空穴传输层300的远离所述阳极100一侧的表面上，所述发光层500设置在所述电子阻挡层400的远离所述阳极100一侧的表面上，所述空穴阻挡层600设置在所述发光层500的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子传输层700设置在所述空穴阻挡层600的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子注入层800设置在所述电子传输层700的远离所述阳极100一侧的表面上，所述阴极900设置在所述电子注入层800的远离所述阳极100一侧的表面上，所述光取出层1000设置在所述阴极900的远离所述阳极100一侧的表面上。
图2为本公开示例性实施例的另一种电致发光器件的结构示意图。如图2所示，光取出层1000可以包括第一光取出层1001和第二光取出层1002，第一光取出层1001的材料如上本公开实施例提供的所述芳胺类化合物，所述电致发光器件还可以包括封装层1100，封装层1100包括第一封装层1101、第二封装层1102和第三封装层1103，第一光取出层1001设置在阴极900远离阳极100的一侧，第二光取出层1002设置在第一光取出层1001远离阳极100的一侧，第一封装层1101设置在第二光取出层1002远离阳极100的一侧，第二封装层1102设置在第一封装层1101远离阳极100的一侧，第三封装层1103设置在第二封装层1102远离阳极100的一侧。
在示例性实施例中，所述第二光取出层可以由无机材料或有机材料形成，例如，可以由氟化锂(LiF)、氧化硅(SiOy)、氮化硅(SiNz)、氮氧化硅(SiONx)等形成，采用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等材料形成的所述第二光取出层可以作为封装层对器件进行封装保护；所述第一封装层可以为无机封装层、所述第二封装层可以为有机封装层、所述第三封装层可以为无机封装层。例如，所述第二光取出层可以由氟化锂形成，折射率可以为1.37；所述第一封装层可以由氮氧化硅(SiONx)形成，折射率可以为1.7；所述第二封装层可以由聚甲基丙烯酸甲酯形成，折射率可以为1.55；所述第三封装层可以由氮氧化硅(SiONx)形成，折射率可以为1.83。
在示例性实施例中，第一光取出层可以满足：
△n11≥△n12≥△n13，并且，△n11、△n12和△n13不同时相等；
其中，△n11、△n12、△n13分别为在460nm、530nm、620nm波长处所述第一光取出层与所述第二光取出层的折射率之间的差值。
在示例性实施例中，△n11可以为0.7至1.0，△n12可以为0.5至0.75，△n13可以为0.3至0.6。
例如，△n11可以为0.7、0.75、0.80、0.85、0.90、0.95、1.0；△n12可以为0.5、0.55、0.60、0.65、0.70、0.75；△n13可以为0.3、0.35、0.40、0.45、0.50、0.55、0.60。
在示例性实施例中，所述第二光取出层、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层可以满足：
△n2为0.2至0.4，△n3为0.1至0.25，△n4为0.2至0.3；
其中，△n2为所述第二光取出层与所述第一封装层的折射率之间的差值；
△n3为所述第一封装层与所述第二封装层的折射率之间的差值；
△n4为所述第二封装层与所述第三封装层的折射率之间的差值。
例如，△n2可以为0.2、0.25、0.30、0.35、0.4；△n3可以为0.1、0.15、0.2、0.25；△n4可以为0.2、0.25、0.30。
在示例性实施例中，所述第一光取出层、所述第二光取出层、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层可以满足：
△n11≥△n12≥△n13，并且，△n11可以为0.7至1.0，△n12可以为0.5至0.75，△n13可以为0.3至0.6；
△n2可以为0.2至0.4，△n3可以为0.1至0.25，△n4可以为0.2至0.3。
本公开实施例的电致发光器件通过设置具有较高折射率的第一光取出层，并且采用不同折射率的第二光取出层和三层封装层构成具有多层结构的复合膜，可以使多个不同膜层之间形成折射率差异，从而可以解决在白光画面下，不同角度的色偏轨迹变化较大的问题；而且，可以通过多个不同膜层的折射率的高低变化组合，设计多个全反射界面，增加微腔效应，同时获得好的色偏结果。
在示例性实施例中，所述第一光取出层、所述第二光取出层、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层可以满足：
△n1＞△n2＞△n3，并且，△n4＞△n3；
其中，△n1为所述第一光取出层与所述第二光取出层的折射率之间的差值，在460nm、530nm、620nm波长处，△n1分别为△n11、△n12、△n13。
在示例性实施例中，所述第一光取出层、所述第二光取出层、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层可以满足：
△n11≥△n12≥△n13，并且，△n11可以为0.7至1.0，△n12可以为0.5至0.75，△n13可以为0.3至0.6；
△n2可以为0.2至0.4，△n3可以为0.1至0.25，△n4可以为0.2至0.3，并且，△n1＞△n2＞△n3，△n4＞△n3。
图3为本公开示例性实施例与对比例的电致发光器件的复合膜在白光画面下的色偏轨迹图，其中，实施例和对比例的电致发光器件均采用本公开实施例提供的化合物5作为第一光取出层材料；实施例的电致发光器件的复合膜包括第二光取出层、第一封装层、第二封装层和第三封装层，第二光取出层由SiONx形成，折射率为1.7；第二封装层由聚甲基丙烯酸甲酯形成，折射率为1.55；第三封装层由氮氧化硅(SiONx)形成，折射率为1.83；对比例的电致发光器件的复合膜与上述实施例的电致发光器件的复合膜的不同之处仅在于不包括第二光取出层。
如图3所示，可以看出，本公开示例性实施例的电致发光器件的复合膜在0°至80°范围内的色偏轨迹更平缓，因此本公开示例性实施例的电致发光器件的颜色变化更小，颜色在不同角度下更统一。
图4为蓝色、红色、绿色亮度衰减随视角的变化曲线，其中B代表蓝色，G代表红色，G代表绿色。本公开示例性实施例的电致发光器件的复合膜的色偏轨迹相对于对比膜层来说拓宽了，因此色偏轨迹更平缓，而色偏轨迹拓宽的原因是在不同的视角下，亮度的衰减速度蓝色＞绿色＞红色，如图4所示。大视角的蓝色衰减过快，蓝色成分变小造成白色色偏轨迹偏移严重。
图5为本公开示例性实施例的电致发光器件发出的光在光取出层和封装层中的光路图，其中，光取出层包括第一光取出层1001和第二光取出层1002，封装层包括第一封装层1101、第二封装层1102和第三封装层1103。如图5所示，在本公开示例性实施例的电致发光器件中，△n11≥△n12≥△n13，并且△n11、△n12和△n13不同时相等，这种设计对于增加围墙效应，增加出光强度的顺序是蓝光＞绿光＞红光，增加大视角的光出强度顺序也是蓝光＞绿光＞红光。因此，本公开示例性实施例的电致发光器件可以改善在大视角下，蓝色的光强成分，从而可以改善白光下不同视角的色偏轨迹，解决颜色偏离的问题。
在示例性实施例中，
所述第二光取出层的厚度可以为0.05μm至0.07μm，例如，可以为0.05μm、0.06μm或0.07μm；
所述第一封装层的厚度可以为0.8μm至1.2μm，例如，可以为0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.1μm或1.2μm；
所述第二封装层的厚度可以为10μm至15μm，例如，可以为10μm、11μm、12μm、13μm、14μm或15μm；
所述第三封装层的厚度可以为0.5μm至0.8μm，例如，可以为0.5μm、0.6μm、0.7μm或0.8μm。
在示例性实施例中，所述第一光取出层可以采用本公开实施例提供的光取出材料蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述阳极可以为具有高功函数的材料。例如，对于底发射型器件，阳极可以采用透明氧化物材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)等。或者，对于顶发射型器件，阳极可以采用金属和透明氧化物的复合结构，如Ag/ITO(氧化铟锡,Indium Tin Oxide)、Ag/IZO(氧化铟锌,Indium Zinc Oxide)、Al/ITO、Al/IZO或者ITO/Ag/ITO等，可保证良好的反射率。
在示例性实施例中，所述空穴注入层的材料可以包括过渡金属氧化物，例如，可以包括钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物、锰氧化物中的任意一种或多种。
在另一示例性实施例中，所述空穴注入层的材料可以包括强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料；
所述p型掺杂剂可以包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基对苯醌(F4TCNQ)、1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任意一种或多种；
所述空穴传输材料可以包括芳胺类空穴传输材料、二甲基芴类空穴传输材料、咔唑类空穴传输材料中的任意一种或多种；例如，所述空穴传输材料可以包括4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(BAFLP)、4,4’-双[N-(9,9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(DFLDPBi)、4,4’-二(9-咔唑基)联苯(CBP)和9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述空穴传输层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述电子阻挡层的材料可以包括芳胺类电子阻挡材料、二甲基芴类电子阻挡材料和咔唑类电子阻挡材料中的任意一种或多种；例如，所述电子阻挡层的材料可以包括4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(BAFLP)、4,4’-双[N-(9,9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(DFLDPBi)、4,4’-二(9-咔唑基)联苯(CBP)和9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述电子阻挡层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述发光层的材料可以包括一种发光材料，也可以包括两种或两种以上的发光材料。例如，可以包括主体发光材料和掺杂到所述主体发光材料中的客体发光材料。
在示例性实施例中，所述电致发光器件可以为蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件或红色电致发光器件，所述蓝色电致发光器件的发光层的材料包括蓝色发光材料，所述绿色电致发光器件的发光层的材料包括绿色发光材料，所述红色电致发光器件的发光层的材料可以包括红色发光材料。
在示例性实施例中，所述蓝色发光材料可以包括芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料、苯乙烯基胺衍生物类蓝色发光材料和金属配合物类蓝色发光材料中的任意一种或多种。
例如，所述蓝色发光材料可以包括N1,N6-二([1,1’-联苯]-2-基)-N1,N6-二([1,1’-联苯]-4-基)芘-1,6-二胺、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-二-2-萘基蒽(MADN)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、4,4’-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAV Bi)、4,4’-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述绿色发光材料可以包括香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的任意一种或多种。
例如，所述绿色发光材料可以包括香豆素6(C-6)、香豆素545T(C-525T)、喹吖啶铜(QA)、N,N’-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,12-二苯基萘并萘(DPT)、N10,N10'-二苯基-N10,N10’-二苯二甲酰-9,9’-二蒽-10,10’-二胺(简称：BA-NPB)、三(8-羟基喹啉)合铝(III)(简称：Alq3)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述红色发光材料可以包括DCM类列红色发光材料和金属配合物类红色发光材料中的任意一种或多种。
例如，所述红色发光材料可以包括4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(piq)2(acac))、八乙基卟啉铂(简称：PtOEP)、二(2-(2’-苯并噻吩基)吡啶-N,C3’)(乙酰丙酮)合铱(简称：Ir(btp)2(acac)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述发光层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述空穴阻挡层的材料可以包括芳族杂环类空穴阻挡材料，例如，可以包括苯并咪唑衍生物类空穴阻挡材料、咪唑并吡啶衍生物类空穴阻挡材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类空穴阻挡材料、嘧啶衍生物类空穴阻挡材料、三嗪衍生物类空穴阻挡材料、喹啉衍生物类空穴阻挡材料、异喹啉衍生物类空穴阻挡材料、菲咯啉衍生物类空穴阻挡材料中的任意一种或多种。
再例如，所述空穴阻挡层材料可以包括2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、(BCP)、4,4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述空穴阻挡层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述电子传输层的材料可以包括芳族杂环类电子传输材料，例如，可以包括苯并咪唑衍生物类电子传输材料、咪唑并吡啶衍生物类电子传输材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类电子传输材料、嘧啶衍生物类电子传输材料、三嗪衍生物类电子传输材料、喹啉衍生物类电子传输材料、异喹啉衍生物类电子传输材料、菲咯啉衍生物类电子传输材料中的任意一种或多种。
再例如，所述电子传输层的材料可以包括2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、(BCP)、4,4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述电子传输层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述电子注入层的材料可以包括碱金属电子注入材料和金属电子注入材料中的任意一种或多种。
例如，所述电子注入层材料可以包括LiF、Yb、Mg、Ca中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述电子注入层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述阴极可以采用Al、Ag、Mg等较低功函数的金属形成，或采用含有低功函数金属材料的合金形成。
本公开实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的电致发光器件。
在示例性实施例中，所述显示装置可以包括多个所述电致发光器件。例如，所述电致发光器件可以为蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件或红色电致发光器件，所述显示装置可以包括蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件和红色电致发光器件。
所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、智能手表、智能手环等任何具有显示功能的产品或部件。
下面为本公开的一些示例性实施例的芳胺类化合物的合成过程以及性能进行测试和对比。
合成例1
Figure BDA0003870021970000361
中间体C1的合成
反应瓶中加甲苯溶剂100ml，然后加入4-(2-苯并恶唑基)苯胺2g、3-溴苯并[B]萘并[2,3-D]呋喃4g及叔丁醇钠1g；充氮气后，加入醋酸钯0.3g，再进行氮气充气，并加入含有0.3ml三叔丁基膦的甲苯溶液；再重复氮气充气后，回流2小时进行反应；反应完成后，将混合物冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液；浓缩后加入甲醇，静置重结晶，抽滤并用甲醇淋洗得重结晶固体，得到中间体C1。
化合物1的合成
反应瓶中加入甲苯溶剂100ml，然后依次加入原料中间体C1和3-溴(7-苯)萘4g及叔丁醇钠1g；充氮气后加入醋酸钯0.3g，再进行氮气充气，并加入三叔丁基膦0.3ml；再重复氮气充气过程，回流2小时进行反应；反应完成后，冷却至室温，经硅藻土过滤得滤液。浓缩后加热，加入少量乙醇，静置至室温重结晶，抽滤并用乙醇淋洗得重结晶固体，得到淡黄色固体化合物1。
质谱m/z：628.22，元素含量(％)：C45H28N2O2，C，85.97；H，4.49；O，5.09；N，4.46。
1H NMR：8.28(1H)，8.11(1H)，8.03(1H)，7.84-7.8(2H)，7.75(3H)，7.74(2H)，7.73(2H)，7.69(1H)，7.56(1H)，7.49(4H)，7.42-7.4(5H)，7.38(2H)，7.37(2H)，7.32(1H)，7.11-6.91(3H)
合成例2
Figure BDA0003870021970000371
合成中间体C2时，将合成例1中合成中间体C1的原料4-(2-苯并恶唑基)苯胺换成4-(2-苯并噻唑基)苯胺，其他步骤与合成例1相同。
质谱m/z：644.19，元素含量(％)：C45H28N2OS，C，83.82；H，4.38；O，2.48；N，4.34。
1H NMR：8.28(1H)，8.18(1H)，8.11(1H)，8.03-8.02(2H)，7.85-7.84(3H)，7.8(1H)，7.75(3H)，7.69(1H)，7.56(1H)，7.53-7.51(2H)，7.49(4H)，7.42-7.40(5H)，7.37(2H)，7.32(1H)，7.17-6.91(3H)
合成例3
Figure BDA0003870021970000372
中间体C3的合成过程与合成例1中中间体C1的合成过程相同；
由中间体C1合成化合物7的过程与合成例1中化合物1的合成过程相似，将合成例1中的3-溴(7-苯)萘换成3-溴联苯。
质谱m/z：578.20，元素含量(％)：C41H26N2O2，C，85.10；H，4.53；O，5.53；N，4.84。
1H NMR：8.28(1H)，8.11(1H)，8.03(1H)，7.8(1H)，7.75-7.73(8H)，7.69(1H)，7.55(2H)，7.49(5H)，7.42-7.41(5H)，7.38-7.37(6H)，6.91(1H)
合成例4
Figure BDA0003870021970000381
中间体C4的合成过程与合成例2中中间体C2的合成过程相同；
由中间体C4合成化合物8的过程与合成例3中化合物7的合成过程相似，将中间体C3换成中间体C4。
质谱m/z：594.18，元素含量(％)：C41H26N2OS，C，82.80；H，4.41；O，2.69；N，4.71；S，5.39。
1H NMR：8.28(1H)，8.18(1H)，8.11(1H)，8.03-8.02(2H)，7.85-7.8(3H)，7.75(4H)，7.69(1H)，7.55-7.51(4H)，7.49(5H)，7.42-7.41(5H)，7.37(4H)，6.91(1H)
合成例5
Figure BDA0003870021970000391
中间体C5的合成过程与合成例2中中间体C2的合成过程相同；
由中间体C5合成化合物9的过程与合成例4中化合物8的合成过程相似，将3-溴联苯换成3-溴(6-萘)苯。
质谱m/z：644.19，元素含量(％)：C45H28N2OS，C，83.82；H，4.38；O，2.48；N，4.34；S，4.97。
1H NMR：8.28(1H)，8.18(1H)，8.11(1H)，8.09-8.02(4H)，7.99(1H),7.85-7.8(3H)，7.75(1H)，7.69-7.6(3H),7.55-7.53(4H),7.51-7.49(3H)，7.42-7.41(3H)，7.38-7.37(5H)，6.91(1H)。
合成例6
Figure BDA0003870021970000392
合成中间体C6时，将合成例2中合成中间体C2的原料4-(2-苯并噻唑基)苯胺换成4-(1-苯基苯并咪唑-2-基)苯胺，其他步骤与合成例2相同。
质谱m/z：703.26，元素含量(％)：C51H33N3O，C，87.03；H，4.73；N，5.97，O，2.27
1H NMR：8.56(1H)，8.28(1H)，8.11-8.09(2H)，8.06-8.03(2H)，8.01-7.99(3H)，7.81-7.8(2H)，7.75(2H)，7.69-7.6(4H)，7.55-7.53(4H)，7.49-7.48(3H)，7.42(1H)，7.38-7.37(7H)，7.28(1H)，6.91(1H)
芳胺类化合物的折射率
折射率采用椭偏仪测试；仪器扫描范围为245nm至1000nm；采用硅片蒸镀形成芳胺类化合物的薄膜，薄膜厚度为50nm，然后测试折射率。
其中，作为对比的化合物CP1、CP2为以下化合物：
Figure BDA0003870021970000401
测试结果如表1所示。
表1
Figure BDA0003870021970000411
相对于对比化合物CP1、CP2在不同波长下的折射率，本公开实施例的芳胺类化合物的折射率更高。折射率是光取出材料的重要物理参数，折射率大小直接决定改了器件的光耦合效率。因此本公开实施例的芳胺类化合物适于作为光取出材料，有利于OLED器件的光耦合输出，提高器件的效率。
芳胺类化合物的玻璃化转变温度
玻璃化转变温度的测量仪器为DSC差示扫描量热仪；测试气氛为氮气，升温速率为为10℃/min，温度范围为50℃至300℃；所测得的玻璃转化温度(Tg)如表2所示。
表2
Tg℃ Tg℃
Ref1(CP1) 130 化合物11 138
Ref2(CP2) 125 化合物13 133
化合物1 132 化合物14 132
化合物2 133 化合物15 135
化合物3 130 化合物16 138
化合物4 136 化合物18 136
化合物5 134 化合物19 138
化合物6 134 化合物20 140
化合物7 132 化合物21 141
化合物8 133 化合物22 141
化合物9 135 化合物28 140
化合物10 135 化合物34 143
可以看出，相对于对比化合物CP1、CP2，本公开实施例的芳胺类化合物的Tg均较高。玻璃换转变温度(Tg)的高低决定了材料在蒸镀中的热稳定性，Tg越高，材料热稳定性越好。因此本公开实施例的芳胺类化合物适于作为光取出材料，在蒸镀工艺中具有很好的稳定性，可以解决蒸镀工艺中因为加热而材料不稳定造成的分解杂质变多的问题，有利于提高器件中材料的稳定性和器件的寿命。
芳胺类化合物的吸光性能
采用玻璃基板蒸镀形成芳胺类化合物的薄膜，薄膜厚度为50nm，然后采用紫外可见吸收光谱仪测试吸光系数。
测试结果如表3所示。
表3
Figure BDA0003870021970000421
Figure BDA0003870021970000431
可以看出，相较于对比化合物CP1、CP2，本公开实施例的芳胺类化合物在400nm波长处的吸光系数明显更高，因此可以更好地吸收紫外光；而且，本公开实施例的芳胺类化合物在450nm波长处的吸收为零，在大于450nm波长处的吸收也均为零(表中未示)，表明不会吸收器件本身发出的光。
采用高斯Gaussian 09软件模拟芳胺类化合物形成的薄膜在不同波长下的吸收强度，结果如图6所示。图6为本公开示例性实施例的芳胺化合物与对比化合物对光的吸收强度随光波长变化的模拟曲线。
可以看出，本公开实施例的芳胺类化合物对紫外光有较强的吸收，而且紫外吸收半峰宽小于450nm，因此采用本公开实施例的芳胺类化合物作为光取出材料不会影响制成的器件的蓝光出射，进而不会影响出光强度。
芳胺类化合物的极化率、分子体积和相邻片段的扭转角
采用高斯Gaussian 09软件模拟芳胺类化合物的分子结构并计算其极化率、分子体积和相邻片段的扭转角，其中极化率计算采用的基组和泛函是bhandhlyp/6-31G(d)，分子体积计算采用的基组和泛函是B3LYP/6-31G(d)。
计算结果如表4所示。
表4
Figure BDA0003870021970000441
Figure BDA0003870021970000451
下面对本公开的一些示例性实施例的电致发光器件的性能进行测试和对比。
其中采用的部分原料的化学结构如表5所示。
表5
Figure BDA0003870021970000452
Figure BDA0003870021970000461
Figure BDA0003870021970000471
蓝色OLED器件的结构以及厚度
ITO/m-MTDATA：F4TCNQ 3％10nm/m-MTDATA 100nm/CBP 10nm/BH:BD 5％20nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1：1 30nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/CPL 60nm
绿色OLED器件的结构以及厚度
ITO/m-MTDATA：F4TCNQ 3％10nm/m-MTDATA 100nm/CBP 45nm/GH:GD 10％40nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1：1 30nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/CPL 60nm
红色OLED器件的结构以及厚度
ITO/m-MTDATA：F4TCNQ 3％10nm/m-MTDATA 100nm/CBP 75nm/RH:RD 3％45nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1：1 30nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/CPL 60nm
器件采用玻璃UV封装。
也可以采用薄膜封装(Thin-Film Encapsulation,TFE)，但CPL上需要蒸镀LIF或者折射率n≤1.6的有机材料。
蓝色OLED器件的性能如表6所示。
表6
Figure BDA0003870021970000481
可以看出，相比较采用CP1和CP2制备的蓝色OLED器件，采用本公开实施例的高折射率的CPL，取光效率(EQE)更高，稳定性更好，效率和寿命都得到了提升。
红色OLED器件和绿色OLED器件的取光效率趋势与蓝色OLED器件类似。因此，采用本公开实施例的高折射率的CPL，可以提高OLED器件的取光效率。又由于CPL材料的热稳定性的提高，使得器件的寿命相对提高。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (17)

1.一种芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物的结构通式为：
Figure FDA0003870021960000011
其中，X为C(H)R2、O、NR3、S中的任意一种；
Y为O、NR4、S中的任意一种；
R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C50的芳基、取代或未取代的C2至C50的杂芳基中的任意一种；这里，取代的C1至C30的烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C50的芳基、取代的C2至C50的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C30的烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C50的芳基和C2至C50的杂芳基；
Ar为取代基R5取代的C6至C60的芳基或取代基R6取代的C6至C60的杂芳基；这里，所述取代基R5、R6各自独立地为未取代的C6至C60的芳基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的杂芳基和取代基R8取代的C6至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为C6至C60的芳基中的任意一个或多个；
L1为单键、取代或未取代的C6至C50的亚芳基、取代或未取代的C2至C50的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C50的亚芳基、取代的C2至C50的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C50的芳基、C2至C50的杂芳基。
2.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，Ar为下述基团中的任意一种：
Figure FDA0003870021960000021
3.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，X为O、S、-C(H)R2、NR3中的任意一种，R2为氢、苯基中的任意一种，R3为苯基、联苯基中的任意一种。
4.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，Y为O、-NR4、S中的任意一种，R4为苯基。
5.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物为下述化合物中的任意一种：
Figure FDA0003870021960000031
Figure FDA0003870021960000041
Figure FDA0003870021960000051
Figure FDA0003870021960000061
Figure FDA0003870021960000071
Figure FDA0003870021960000081
Figure FDA0003870021960000091
6.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，
所述芳胺类化合物在460nm波长处的折射率在2.18至2.35范围内；
所述芳胺类化合物在530nm波长处的折射率在1.98至2.1范围内；
所述芳胺类化合物在620nm波长处的折射率在1.91至2.04范围内。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物在400nm波长处的吸光系数在0.841以上，在450nm波长及大于450nm波长处的吸光系数为零。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，Ar中含有具有共轭平面的片段，并且，所述芳胺类化合物满足：
在450nm至530nm波长处，α＞700bohr3；
在620nm波长处，α＞600bohr3；
其中，α为所述芳胺类化合物的极化率。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物满足：
5000bohr3＜V＜6000bohr3；
其中，V为所述芳胺类化合物的分子体积。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物满足：
θ＜80°；
其中，θ为Ar中任意两个相邻片段之间的扭转角。
11.一种电致发光器件，其特征在于，包括光取出层，所述光取出层的材料包括根据权利要求1至10中任一项所述的芳胺类化合物。
12.根据权利要求11所述的电致发光器件，其特征在于，所述光取出层包括第一光取出层和第二光取出层，所述第一光取出层的材料包括根据权利要求1至9中任一项所述的芳胺类化合物，所述电致发光器件还包括：第一极、发光层、第二极和封装层，所述封装层包括第一封装层、第二封装层和第三封装层；其中，所述发光层设置在所述第一极与所述第二极之间，所述第一光取出层设置在所述第二极远离所述第一极的一侧，所述第二光取出层设置在所述第一光取出层远离所述第一极的一侧，所述第一封装层设置在所述第二光取出层远离所述第一极的一侧，所述第二封装层设置在所述第一封装层远离所述第一极的一侧，所述第三封装层设置在所述第二封装层远离所述第一极的一侧；并且，所述第一光取出层满足：
△n11≥△n12≥△n13，并且，△n11、△n12和△n13不同时相等；
其中，△n11、△n12、△n13分别为在460nm、530nm、620nm波长处所述第一光取出层与所述第二光取出层的折射率之间的差值。
13.根据权利要求12所述的电致发光器件，其特征在于，△n11为0.7至1.0，△n12为0.5至0.75，△n13为0.3至0.6。
14.根据权利要求12或13所述的电致发光器件，其特征在于，
所述第二光取出层、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层满足：
△n2为0.2至0.4，△n3为0.1至0.25，△n4为0.2至0.3；
其中，△n2为所述第二光取出层与所述第一封装层的折射率之间的差值；
△n3为所述第一封装层与所述第二封装层的折射率之间的差值；
△n4为所述第二封装层与所述第三封装层的折射率之间的差值。
15.根据权利要求14所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一光取出层、所述第二光取出层、所述第一封装层、所述第二封装层和所述第三封装层满足：
△n1＞△n2＞△n3，并且，△n4＞△n3；
其中，△n1为所述第一光取出层与所述第二光取出层的折射率之间的差值，在460nm、530nm、620nm波长处，△n1分别为△n11、△n12、△n13。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述第二光取出层的厚度为0.05μm至0.07μm，所述第一封装层的厚度为0.8μm至1.2μm，所述第二封装层的厚度为10μm至15μm，所述第三封装层的厚度为0.5μm至0.8μm。
17.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求11至16中任一项所述的电致发光器件。
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