CN115867107A - 一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法，包括：（1）提供压电材料、第一支撑衬底和第二支撑衬底；（2）将压电材料和第一支撑衬底进行键合，得到第一复合衬底；（3）对第一复合衬底的压电层进行减薄处理后，将第一复合衬底的压电层和第二支撑衬底进行键合，得到第二复合衬底；（4）将第二复合衬底进行热处理，使得所述第二复合衬底沿着弱化层断开，得到两片复合压电衬底。本发明提供的方法一次性制备得到两片复合压电衬底，简化了工艺流程，提高了生产效率和产品良率，降低了加工成本，避免了压电材料的不必要浪费。
Description
技术领域
本发明属于压电衬底制造技术领域，涉及一种复合压电衬底的制备方法，尤其涉及一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法。
背景技术
压电材料因其具备压电效应而具有机械能与电能之间转换和逆转换的功能。压电效应的原理是：如果对压电材料施加压力，它便会产生电位差，称之为正压电效应；反之施加电压，则会产生机械应力，称之为逆压电效应。如果压力是一种高频震动，则产生的电流便是高频电流。
铌酸锂与钽酸锂是目前用途最为广泛的新型无极材料，属于非常优秀的压电换能材料，钽酸锂具有优良的压电、铁电、声光及电光效应，广泛应用于谐振器、滤波器、换能器等电子通讯器件及高频声表面波器件。铌酸锂具有良好的非线性光学性质，可用作光波导材料，或用于制作中低频声表滤波器、大功率耐高温超声换能器等。
目前已知的由铌酸锂、钽酸锂制备的压电衬底相较于压电晶体具有高频、温度补偿性好、稳定性好、制造成本低等优势，在RF（射频）、光纤通信、RF滤波器等领域具有无法替代的优势。通常该复合压电衬底由压电材料薄膜层、绝缘层和半导体材料衬底层组成。然而，由于压电材料与半导体材料衬底的热膨胀系数差异非常大，在异质键合后的剥离热过程中会发生显著变形，进而导致键合体碎裂等质量问题。现有的技术在制备压电材料薄膜时会先将键合体减薄后再进行热退火，无法实现压电材料的重复利用，同时增加了加工步骤和成本，降低了产品的良率。
另一种技术使用UV紫外固化光学胶在半导体材料上匀胶后与压电材料粘合并使用UV光照射，使虚拟半导体材料与压电材料粘合后再进行后续工艺，从而降低了键合后热退火过程的形变，但是这种方法存在有机UV光学胶沾污的风险，对温度十分敏感，且操作过程繁琐。
由此可见，如何提供一种复合压电衬底的制备方法，简化工艺流程，提高生产效率和产品良率，降低加工成本，避免压电材料的不必要浪费，成为了目前本领域技术人员迫切需要解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法，所述方法一次性制备得到两片复合压电衬底，简化了工艺流程，提高了生产效率和产品良率，降低了加工成本，避免了压电材料的不必要浪费。
为达到此发明目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法，所述方法包括以下步骤：
（1）提供压电材料、第一支撑衬底和第二支撑衬底；
（2）将压电材料和第一支撑衬底进行键合，得到含有压电层和第一支撑层的第一复合衬底；
（3）对第一复合衬底的压电层进行减薄处理后，将所述第一复合衬底的压电层和第二支撑衬底进行键合，得到第二复合衬底；
（4）将第二复合衬底进行热处理，使得所述第二复合衬底沿着弱化层断开，得到两片复合压电衬底。
其中，步骤（2）所述压电材料在键合之前进行离子注入，或，步骤（3）所述第一复合衬底的压电层在减薄处理之后进行离子注入，即在压电材料或压电层的内部形成弱化层。
本发明提供的方法利用键合技术先将压电材料与一支撑衬底进行键合，经减薄处理后再与另一支撑衬底进行键合，得到具有多层结构的中间复合衬底，最后经过热处理一次性制备得到两片复合压电衬底，简化了工艺流程，提高了生产效率和产品良率，降低了加工成本，避免了压电材料的不必要浪费。
优选地，步骤（1）所述压电材料的材质包括铌酸锂、钽酸锂或压电陶瓷中的任意一种。
优选地，步骤（1）所述第一支撑衬底和第二支撑衬底的材质分别独立地包括单晶硅、蓝宝石、碳化硅、尖晶石、石英、玻璃、氮化铝或金刚石中的任意一种。
优选地，步骤（1）所述第一支撑衬底和第二支撑衬底在键合之前分别独立地在待键合面制备绝缘层。
优选地，所述绝缘层的材质包括氧化硅、多晶硅、非晶硅或氮化硅中的任意一种或至少两种的组合，典型但非限制性的组合包括氧化硅与多晶硅的组合，多晶硅与非晶硅的组合，非晶硅与氮化硅的组合，氧化硅、多晶硅与非晶硅的组合，或多晶硅、非晶硅与氮化硅的组合。
优选地，所述绝缘层的制备方法包括热氧化法和/或沉积法。
优选地，所述绝缘层在制备得到后还经过光滑化处理。
优选地，所述绝缘层的厚度为0.3-5μm，例如可以是0.3μm、0.5μm、1μm、1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm、4.5μm或5μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（2）所述压电材料和第一支撑衬底在键合之前分别独立地依次进行化学清洗与活化处理。
优选地，所述化学清洗采用RCA标准清洗法进行。
本发明中，所述RCA标准清洗法采用的清洗液包括SPM、DHF、APM或HPM中的任意一种。
具体地，所述SPM为硫酸溶液和双氧水的混合溶液，且清洗温度为120-150℃；所述DHF为氢氟酸溶液，且清洗温度为20-25℃；所述APM为氨水和双氧水的混合溶液，且清洗温度为30-80℃；所述HPM为盐酸溶液和双氧水的混合溶液，且清洗温度为65-85℃。
优选地，所述化学清洗直至压电材料和第一支撑衬底的表面分别满足粗糙度Ra为0.05-0.5nm，例如可以是0.05nm、0.1nm、0.15nm、0.2nm、0.25nm、0.3nm、0.35nm、0.4nm、0.45nm或0.5nm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述化学清洗直至压电材料和第一支撑衬底的表面分别满足0.3μm尺寸以上的颗粒数量≤30，例如可以是5、10、15、20、25或30，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，经过化学清洗的压电材料和第一支撑衬底的表面足够光滑且洁净，在一定压力下会产生分子间作用力而实现相互键合。
优选地，所述活化处理包括利用Ar离子分别轰击压电材料和第一支撑衬底的待键合面。
优选地，步骤（2）所述键合在真空环境中进行，且绝对真空度≤10-3Pa，例如可以是5×10-5Pa、10-5Pa、5×10-4Pa、10-4Pa、5×10-3Pa或10-3Pa，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（2）所述键合的温度为20-40℃，例如可以是20℃、22℃、24℃、26℃、28℃、30℃、32℃、34℃、36℃、38℃或40℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述键合在常温下进行，无需热退火过程以增加键合力，从而避免了由热膨胀系数差异导致的形变。
优选地，步骤（2）所述键合的强度≥1.5J/cm2，例如可以是1.5J/cm2、2J/cm2、2.5J/cm2、3J/cm2、3.5J/cm2、4J/cm2、4.5J/cm2或5J/cm2，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（3）所述减薄处理后压电层的厚度为1-3μm，例如可以是1μm、1.2μm、1.4μm、1.6μm、1.8μm、2μm、2.2μm、2.4μm、2.6μm、2.8μm或3μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（3）所述第一复合衬底和第二支撑衬底在键合之前分别独立地依次进行化学清洗与活化处理。
本发明中，步骤（3）的化学清洗与活化处理和步骤（2）的化学清洗与活化处理条件相同，故在此不做赘述。
优选地，步骤（3）所述键合在真空环境中进行，且绝对真空度≤10-3Pa，例如可以是5×10-5Pa、10-5Pa、5×10-4Pa、10-4Pa、5×10-3Pa或10-3Pa，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（3）所述键合的温度为20-40℃，例如可以是20℃、22℃、24℃、26℃、28℃、30℃、32℃、34℃、36℃、38℃或40℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（3）所述键合的强度≥1.5J/cm2，例如可以是1.5J/cm2、2J/cm2、2.5J/cm2、3J/cm2、3.5J/cm2、4J/cm2、4.5J/cm2或5J/cm2，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（4）所述热处理的温度为100-300℃，例如可以是100℃、120℃、140℃、160℃、180℃、200℃、220℃、240℃、260℃、280℃或300℃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（4）所述热处理过程中还伴随着加压处理，且所述加压处理的压力值为0.1-20MPa，例如可以是0.1MPa、1MPa、2MPa、4MPa、6MPa、8MPa、10MPa、12MPa、14MPa、16MPa、18MPa或20MPa，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（4）所述第二复合衬底沿着弱化层断开后，分别对两片复合压电衬底的压电层表面进行抛光处理，直至两片复合压电衬底的压电层厚度分别为0.1-1.4μm，例如可以是0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm或1.4μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，步骤（4）所述两片复合压电衬底的厚度分别为150-1000μm，例如可以是150μm、200μm、250μm、300μm、350μm、400μm、450μm、500μm、550μm、600μm、650μm、700μm、750μm、800μm、850μm、900μm、950μm或1000μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述离子注入采用氢离子和/或氦离子进行。
优选地，所述弱化层的深度为0.3-1.5μm，例如可以是0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm或1.5μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明提供的方法利用键合技术先将压电材料与一支撑衬底进行键合，经减薄处理后再与另一支撑衬底进行键合，得到具有多层结构的中间复合衬底，最后经过热处理一次性制备得到两片复合压电衬底，简化了工艺流程，提高了生产效率和产品良率，降低了加工成本，避免了压电材料的不必要浪费。
附图说明
图1是实施例1-3提供的利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法流程示意图；
图2是实施例4提供的利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法流程示意图。
其中：10-压电材料；11-弱化层；21-第一支撑衬底；22-第二支撑衬底；30-绝缘层。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法，如图1所示，所述方法包括以下步骤：
（1）提供压电材料10、第一支撑衬底21和第二支撑衬底22，并在所述第一支撑衬底21和第二支撑衬底22的表面分别独立地利用化学气相沉积法和热氧化法制备绝缘层30，之后对所得绝缘层30进行光滑化处理；所述压电材料10的材质为铌酸锂，所述第一支撑衬底21和第二支撑衬底22的材质分别独立地为单晶硅，所述绝缘层30的材质为多晶硅和氧化硅叠层，且绝缘层30的厚度为1.5μm，其中多晶硅的厚度为1μm，氧化硅的厚度为0.5μm；
（2）先将压电材料10和第一支撑衬底21分别独立地依次进行化学清洗与活化处理，再将压电材料10和第一支撑衬底21的绝缘层30在真空环境中（绝对真空度为10-4Pa）进行键合，且键合的温度为30℃，键合的强度为2J/cm2，得到含有压电层、绝缘层30和第一支撑层的第一复合衬底；所述化学清洗采用RCA标准清洗法进行，直至压电材料10和第一支撑衬底21的表面分别满足粗糙度Ra为0.25±0.05nm，且0.3μm尺寸以上的颗粒数量≤20；所述活化处理为利用Ar离子分别轰击压电材料10和第一支撑衬底21的待键合面；
（3）先对第一复合衬底的压电层进行减薄处理直至压电层的厚度为2μm，再对压电层进行氢离子注入，即在压电层的内部形成深度为1μm的弱化层11，然后将第一复合衬底和第二支撑衬底22分别独立地依次进行化学清洗与活化处理，最后将所述第一复合衬底的压电层和第二支撑衬底22的绝缘层30在真空环境中（绝对真空度为10-4Pa）进行键合，且键合的温度为30℃，键合的强度为2J/cm2，得到第二复合衬底；所述化学清洗与活化处理和步骤（2）中的条件相同，故在此不做赘述；
（4）将第二复合衬底在200℃下进行热处理，同时伴随着10MPa的加压处理，使得所述第二复合衬底沿着弱化层11断开，分别对两片复合压电衬底的压电层表面进行抛光处理，直至两片复合压电衬底的压电层厚度分别为0.8μm，得到两片厚度分别为500μm的复合压电衬底。
实施例2
本实施例提供一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法，如图1所示，所述方法包括以下步骤：
（1）提供压电材料10、第一支撑衬底21和第二支撑衬底22，并在所述第一支撑衬底21和第二支撑衬底22的表面分别独立地利用物理溅射沉积法制备绝缘层30，之后对所得绝缘层30进行光滑化处理；所述压电材料10的材质为钽酸锂，所述第一支撑衬底21和第二支撑衬底22的材质分别独立地为单晶硅，所述绝缘层30的材质为氧化硅，且绝缘层30的厚度为0.8μm；
（2）先将压电材料10和第一支撑衬底21分别独立地依次进行化学清洗与活化处理，再将压电材料10和第一支撑衬底21的绝缘层30在真空环境中（绝对真空度为10-3Pa）进行键合，且键合的温度为20℃，键合的强度为1.5J/cm2，得到含有压电层、绝缘层30和第一支撑层的第一复合衬底；所述化学清洗采用RCA标准清洗法进行，直至压电材料10和第一支撑衬底21的表面分别满足粗糙度Ra为0.45±0.05nm，且0.3μm尺寸以上的颗粒数量≤30；所述活化处理为利用Ar离子分别轰击压电材料10和第一支撑衬底21的待键合面；
（3）先对第一复合衬底的压电层进行减薄处理直至压电层的厚度为1μm，再对压电层进行氦离子注入，即在压电层的内部形成深度为0.3μm的弱化层11，然后将第一复合衬底和第二支撑衬底22分别独立地依次进行化学清洗与活化处理，最后将所述第一复合衬底的压电层和第二支撑衬底22的绝缘层30在真空环境中（绝对真空度为10-3Pa）进行键合，且键合的温度为20℃，键合的强度为1.5J/cm2，得到第二复合衬底；所述化学清洗与活化处理和步骤（2）中的条件相同，故在此不做赘述；
（4）将第二复合衬底在100℃下进行热处理，同时伴随着20MPa的加压处理，使得所述第二复合衬底沿着弱化层11断开，分别对两片复合压电衬底的压电层表面进行抛光处理，直至两片复合压电衬底的压电层厚度分别为0.1μm，得到两片厚度分别为150μm的复合压电衬底。
实施例3
本实施例提供一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法，如图1所示，所述方法包括以下步骤：
（1）提供压电材料10、第一支撑衬底21和第二支撑衬底22，并在所述第一支撑衬底21和第二支撑衬底22的表面分别独立地利用热氧化法制备绝缘层30，之后对所得绝缘层30进行光滑化处理；所述压电材料10的材质为压电陶瓷，所述第一支撑衬底21和第二支撑衬底22的材质分别独立地为单晶硅，所述绝缘层30的材质为氧化硅，且绝缘层30的厚度为5μm；
（2）先将压电材料10和第一支撑衬底21分别独立地依次进行化学清洗与活化处理，再将压电材料10和第一支撑衬底21的绝缘层30在真空环境中（绝对真空度为5×10-3Pa）进行键合，且键合的温度为40℃，键合的强度为1.9J/cm2，得到含有压电层、绝缘层30和第一支撑层的第一复合衬底；所述化学清洗采用RCA标准清洗法进行，直至压电材料10和第一支撑衬底21的表面分别满足粗糙度Ra为0.1±0.05nm，且0.3μm尺寸以上的颗粒数量≤15；所述活化处理为利用Ar离子分别轰击压电材料10和第一支撑衬底21的待键合面；
（3）先对第一复合衬底的压电层进行减薄处理直至压电层的厚度为3μm，再对压电层进行氢离子注入，即在压电层的内部形成深度为1.5μm的弱化层11，然后将第一复合衬底和第二支撑衬底22分别独立地依次进行化学清洗与活化处理，最后将所述第一复合衬底的压电层和第二支撑衬底22的绝缘层30在真空环境中（绝对真空度为5×10-3Pa）进行键合，且键合的温度为40℃，键合的强度为1.9J/cm2，得到第二复合衬底；所述化学清洗与活化处理和步骤（2）中的条件相同，故在此不做赘述；
（4）将第二复合衬底在300℃下进行热处理，同时伴随着0.1MPa的加压处理，使得所述第二复合衬底沿着弱化层11断开，分别对两片复合压电衬底的压电层表面进行抛光处理，直至两片复合压电衬底的压电层厚度分别为1.4μm，得到两片厚度分别为500μm的复合压电衬底。
实施例4
本实施例提供一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法，如图2所示，所述方法包括以下步骤：
（1）提供压电材料10、第一支撑衬底21和第二支撑衬底22，并在所述第一支撑衬底21和第二支撑衬底22的表面分别独立地利用热氧化法制备绝缘层30，之后对所得绝缘层30进行光滑化处理；所述压电材料10的材质为铌酸锂，所述第一支撑衬底21和第二支撑衬底22的材质分别独立地为单晶硅，所述绝缘层30的材质为氧化硅，且绝缘层30的厚度为2.5μm；
（2）先对压电材料10进行氢离子注入，即在压电材料10的内部形成深度为1μm的弱化层11，再将压电材料10和第一支撑衬底21分别独立地依次进行化学清洗与活化处理，最后将压电材料10和第一支撑衬底21的绝缘层30在真空环境中（绝对真空度为10-4Pa）进行键合，且键合的温度为30℃，键合的强度为2.0J/cm2，得到含有压电层、绝缘层30和第一支撑层的第一复合衬底；所述化学清洗采用RCA标准清洗法进行，直至压电材料10和第一支撑衬底21的表面分别满足粗糙度Ra为0.25±0.05nm，且0.3μm尺寸以上的颗粒数量≤20；所述活化处理为利用Ar离子分别轰击压电材料10和第一支撑衬底21的待键合面；
（3）先对第一复合衬底的压电层进行减薄处理直至压电层的厚度为2μm，再将第一复合衬底和第二支撑衬底22分别独立地依次进行化学清洗与活化处理，最后将所述第一复合衬底的压电层和第二支撑衬底22的绝缘层30在真空环境中（绝对真空度为10-4Pa）进行键合，且键合的温度为30℃，键合的强度为2J/cm2，得到第二复合衬底；所述化学清洗与活化处理和步骤（2）中的条件相同，故在此不做赘述；
（4）将第二复合衬底在200℃下进行热处理，同时伴随着10MPa的加压处理，使得所述第二复合衬底沿着弱化层11断开，分别对两片复合压电衬底的压电层表面进行抛光处理，直至两片复合压电衬底的压电层厚度分别为0.8μm，得到两片厚度分别为500μm的复合压电衬底。
对比例1
本对比例提供一种复合压电衬底的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
（1）提供压电材料和支撑衬底，并在所述支撑衬底的表面利用热氧化法制备绝缘层，之后对所得绝缘层进行光滑化处理；所述压电材料的材质为铌酸锂，所述支撑衬底的材质为单晶硅，所述绝缘层的材质为氧化硅，且绝缘层的厚度为2.5μm；
（2）先将压电材料和支撑衬底分别独立地依次进行化学清洗与活化处理，再将压电材料和支撑衬底的绝缘层在真空环境中（绝对真空度为10-4Pa）进行键合，且键合的温度为30℃，键合的强度为2J/cm2，得到含有压电层、绝缘层和支撑层的中间复合衬底；所述化学清洗采用RCA标准清洗法进行，直至压电材料和支撑衬底的表面分别满足粗糙度Ra为0.25±0.05nm，且0.3μm尺寸以上的颗粒数量≤20；所述活化处理为利用Ar离子分别轰击压电材料和支撑衬底的待键合面；
（3）对中间复合衬底的压电层进行减薄处理直至压电层的厚度为0.8μm，得到厚度为500μm的复合压电衬底。
相较于实施例1，本对比例将压电层直接减薄至0.8μm，材料浪费较大，加工成本高昂，且只得到一个复合压电衬底，生产效率低下。
由此可见，本发明提供的方法利用键合技术先将压电材料与一支撑衬底进行键合，经减薄处理后再与另一支撑衬底进行键合，得到具有多层结构的中间复合衬底，最后经过热处理一次性制备得到两片复合压电衬底，简化了工艺流程，提高了生产效率和产品良率，降低了加工成本，避免了压电材料的不必要浪费。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
Claims (9)
1.一种利用键合技术同步制备两片复合压电衬底的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
（1）提供压电材料、第一支撑衬底和第二支撑衬底；
（2）将压电材料和第一支撑衬底进行键合，得到含有压电层和第一支撑层的第一复合衬底；
（3）对第一复合衬底的压电层进行减薄处理后，将所述第一复合衬底的压电层和第二支撑衬底进行键合，得到第二复合衬底；
（4）将第二复合衬底进行热处理，使得所述第二复合衬底沿着弱化层断开，得到两片复合压电衬底；
其中，步骤（2）所述压电材料在键合之前进行离子注入，或，步骤（3）所述第一复合衬底的压电层在减薄处理之后进行离子注入，即在压电材料或压电层的内部形成弱化层；
步骤（2）所述压电材料和第一支撑衬底在键合之前分别独立地依次进行化学清洗与活化处理；
所述化学清洗采用RCA标准清洗法进行；
所述化学清洗直至压电材料和第一支撑衬底的表面分别满足粗糙度Ra为0.05-0.5nm，且0.3μm尺寸以上的颗粒数量≤30；
所述活化处理包括利用Ar离子分别轰击压电材料和第一支撑衬底的待键合面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述压电材料的材质包括铌酸锂、钽酸锂或压电陶瓷中的任意一种；
步骤（1）所述第一支撑衬底和第二支撑衬底的材质分别独立地包括单晶硅、蓝宝石、碳化硅、尖晶石、石英、玻璃、氮化铝或金刚石中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（1）所述第一支撑衬底和第二支撑衬底在键合之前分别独立地在待键合面制备绝缘层；
所述绝缘层的材质包括氧化硅、多晶硅、非晶硅或氮化硅中的任意一种或至少两种的组合；
所述绝缘层的制备方法包括热氧化法和/或沉积法；
所述绝缘层在制备得到后还经过光滑化处理；
所述绝缘层的厚度为0.3-5μm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（2）所述键合在真空环境中进行，且绝对真空度≤10-3Pa；
步骤（2）所述键合的温度为20-40℃；
步骤（2）所述键合的强度≥1.5J/cm2。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）所述减薄处理后压电层的厚度为1-3μm；
步骤（3）所述第一复合衬底和第二支撑衬底在键合之前分别独立地依次进行化学清洗与活化处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（3）所述键合在真空环境中进行，且绝对真空度≤10-3Pa；
步骤（3）所述键合的温度为20-40℃；
步骤（3）所述键合的强度≥1.5J/cm2。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）所述热处理的温度为100-300℃；
步骤（4）所述热处理过程中还伴随着加压处理，且所述加压处理的压力值为0.1-20MPa。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）所述第二复合衬底沿着弱化层断开后，分别对两片复合压电衬底的压电层表面进行抛光处理，直至两片复合压电衬底的压电层厚度分别为0.1-1.4μm；
步骤（4）所述两片复合压电衬底的厚度分别为150-1000μm。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入采用氢离子和/或氦离子进行；
所述弱化层的深度为0.3-1.5μm。
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