CN115802821A - 显示面板及其制作方法和显示面板的修复方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制作方法和显示面板的修复方法，所述显示面板的制作方法，包括步骤：在衬底上形成阵列排布的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成平坦层，并在所述平坦层对应所述薄膜晶体管的漏极位置刻蚀形成过孔，裸露所述薄膜晶体管的漏极；在所述平坦层上形成遮光层，所述遮光层设置在所述过孔与发光单元的形成区域之间；在所述过孔内形成阳极走线，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸；在所述发光单元的形成区域形成发光单元；形成封装层后形成显示面板；通过上述方案以改善激光在对阳极走线切线时造成显示面板损坏的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法和显示面板的修复方法。
背景技术
随着光电显示技术和半导体制造技术的发展，搭配薄膜晶体管的显示器(ThinFilm Transistor，TFT)已经越发成熟，例如液晶显示器(TFT-LCD)或是有机发光二极管显示器(TFT-OLED)都已成功量产。在色彩饱和度、对比度、柔性显示等方面，OLED显示器均具有明显的优势，OLED显示器的发展具有广阔的前景。现阶段，在OLED显示制备过程中，其驱动背板不可避免会有一些缺陷，导致单个像素驱动异常，出现亮点或暗点异常，往往数量较少的暗点是可以被接受的，但亮点却是无法被接受的，因为人眼对黑画面亮点的敏感程度要远远高于白画面下的暗点，所以OLED显示器的一种修补方式，就是将亮点转化为暗点，其方式为通过激光将驱动背板上所需要修复像素的阳极走线切断，使正极信号无法通过阳极走线传输至OLED发光层，从而完成修补。
但是，由于激光能量很强，同时阳极与薄膜封装层(TFE，Thin flimencapsulation)距离较近，为了避免激光由于聚焦误差导致能量聚焦至封装层上，往往会将激光聚焦点设置在靠近阳极下方(理想的聚焦点应该刚好在阳极上，但是在距焦点一定范围内，仍可以烧断阳极)，容易对阳极下方的膜层造成影响，导致显示面板损坏。
应当注意，上述对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。
发明内容
本申请的目的是提供一种显示面板及其制作方法和显示面板的修复方法，以改善激光在对阳极走线切线时造成显示面板损坏的问题。
本申请公开了一种显示面板的制作方法，包括步骤：
在衬底上形成阵列排布的薄膜晶体管；
在薄膜晶体管上形成平坦层，并在所述平坦层对应所述薄膜晶体管的漏极位置刻蚀形成过孔，裸露所述薄膜晶体管的漏极；
在所述平坦层上形成遮光层，所述遮光层设置在所述过孔与发光单元的形成区域之间；
在所述过孔内形成阳极走线，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸；
在所述发光单元的形成区域形成发光单元；
形成封装层后形成显示面板。
可选的，所述在薄膜晶体管上形成平坦层，并在所述平坦层对应所述薄膜晶体管的漏极位置刻蚀形成过孔，裸露所述薄膜晶体管的漏极，步骤中包括：
在形成过孔时并同步在所述过孔与发光单元的形成区域之间刻蚀形成凹槽；
所述在所述平坦层上形成遮光层，所述遮光层设置在所述过孔与发光单元的形成区域之间，步骤中包括：
在所述凹槽内形成遮光层；
其中，所述遮光层为黑色光阻层。
可选的，所述在所述过孔内形成阳极走线，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸的步骤中包括：
在所述过孔内采用氧化铟锡材料形成透明导电层并延伸至所述遮光层上以作为部分所述阳极走线；
在所述发光单元的形成区域采用银/氧化铟锡/银材料形成另一部分的阳极走线。
可选的，所述在所述过孔内形成透明导电层并延伸至所述遮光层以作为部分所述阳极走线的步骤后包括：
采用氯气或氢溴酸或碘化氢等粒子体对所述透明导电层进行轰击以在所述透明导电层的表面形成粗糙结构。
可选的，所述在所述过孔内形成阳极走线，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸的步骤后还包括：
形成像素定义层，所述像素定义层覆盖所述平坦层、部分所述阳极走线，所述发光单元形成区域的部分透明导电层裸露与所述像素定义层；
在对应所述凹槽的区域，在像素定义层上形成凸起。
本申请还公开了一种显示面板，所述显示面板包括：衬底、薄膜晶体管、平坦层、遮光层、阳极走线、发光单元和封装层；多个所述薄膜晶体管阵列设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括漏极；所述平坦层设置在所述薄膜晶体管上，并对应所述漏极设置有过孔；所述遮光层设置在所述平坦层上，在所述过孔与发光单元的形成区域之间；所述阳极走线覆盖所述过孔设置，连接所述漏极，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸；所述发光单元在所述发光单元的形成区域内，设置在所述阳极走线上；所述封装层覆盖所述发光单元设置。
可选的，所述平坦层在所述过孔与发光单元的形成区域之间设置有凹槽，所述遮光层设置在所述凹槽内；所述凹槽的深度为所述平坦层厚度的一半；所述遮光层的厚度等于所述凹槽的深度，所述遮光层的表面与所述平坦层的表面平齐；所述遮光层为黑色光阻层。
可选的，所述阳极走线对应所述过孔和所述遮光层区域的部分阳极走线采用氧化铟锡材料形成透明导电层以作为阳极走线；所述阳极走线对应所述发光单元的形成区域的部分阳极走线采用银/氧化铟锡/银材料形成；所述透明导电层上设置有粗糙结构，所述粗糙结构通过氯气或氢溴酸或碘化氢等粒子体对透明导电层进行轰击以在所述透明导电层的表面形成。
可选的，所述透明导电层上还设置有像素定义层，所述像素定义层上设置有凸起，所述凸起在所述衬底上的投影在所述遮光层的投影区域内。
本申请还公开了一种显示面板的修复方法，所述显示面板通过上述述的显示面板的制作方法形成，所述修复方法包括步骤：
检测并确定亮点像素；
采用激光切割切断所述遮光层区域的阳极走线。
本申请通过在阳极走线的部分走线段下方设置有遮光层，该遮光层的作用下，使用激光对阳极走线进行切割时，穿过阳极走线的部分光线直接被遮光层所吸收，一方面，由于该遮光层的存在，使得激光不再进入下遮光层以下的膜层中，由此来保护下方膜层不受影响；另一方面，遮光层吸收激光后，该遮光层的表面温度升高，更有利于切断阳极走线。而且该遮光层吸收激光后，激光反射的光线较少，作用于封装层上反射后的激光较少，防止封装层，开裂，减少信赖性异常的问题出现。另外在制程上较容易做到、改进成本低，可大量减少因激光切割时造成的显示面板二次损坏，大大提高良品率。
附图说明
所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
图1是本申请的显示面板的制作方法的步骤示意图；
图2是本申请显示面板的一具体制作方法的步骤示意图；
图3a、3b、3c、3d、3e是本申请显示面板的制作方法的流程示意图；
图4是本申请一种显示面板的示意图；
图5是本申请的显示面板的修复方法的步骤示意图。
其中，100、显示面板；110、衬底、111、缓冲层；120、薄膜晶体管；121、半导体层；122、栅极绝缘层；123、栅极；124、层间绝缘介质层；125、源极；126、漏极；130、平坦层；131、过孔；140、遮光层；141、凹槽；150、阳极走线；151、透明导电层；153、粗糙结构；160、像素定义层；161、凸起；170、发光单元；180、封装层；181、氮氧化硅；182、有机层；183、氧化硅。
具体实施方式
需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。另外，“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申请的简化描述，而不是指示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面参考附图和可选的实施例对本申请作详细说明。
图1是本申请的显示面板的制作方法的步骤示意图，如图1所示，本申请公开了一种显示面板的制作方法，包括步骤：
S10：在衬底上形成阵列排布的薄膜晶体管；
S20：在薄膜晶体管上形成平坦层，并在所述平坦层对应所述薄膜晶体管的漏极位置刻蚀形成过孔，裸露所述薄膜晶体管的漏极；
S30：在所述平坦层上形成遮光层，所述遮光层设置在所述过孔与发光单元的形成区域之间；
S40：在所述过孔内形成阳极走线，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸；
S50：在所述发光单元的形成区域形成发光单元；
S60：形成封装层后形成显示面板。
本申请通过在阳极走线的部分走线段下方设置有遮光层，该遮光层的作用下，使用激光对阳极走线进行切割时，穿过阳极走线的部分光线直接被遮光层所吸收，一方面，由于该遮光层的存在，使得激光不再进入下遮光层以下的膜层中，由此来保护下方膜层不受影响；另一方面，遮光层吸收激光后，该遮光层的表面温度升高，更有利于切断阳极走线。而且该遮光层吸收激光后，激光反射的光线较少，作用于封装层上反射后的激光较少，防止封装层，开裂，减少信赖性异常的问题出现。另外在制程上较容易做到、改进成本低，可大量减少因激光切割时造成的显示面板二次损坏，大大提高良品率。
需要理解的是，本申请中的遮光层一般为黑色遮光层，具有一定吸收激光的作用，即既不透光又不反射光线的材料，例如黑色光阻层、添加碳粉的PI材料或者氧化银等黑色金属类材料等。当然对于采用两种及其以上色阻堆叠设置形成的遮光层，在本实施例中也同样适用。
参见图2所示，图2是本申请显示面板的一具体制作方法的步骤示意图，在S20的步骤中包括：
S21：在形成过孔时并同步在所述过孔与发光单元的形成区域之间刻蚀形成凹槽；
在S30的步骤中包括：
S31：在所述凹槽内形成遮光层。
本实施例中，在对平坦层形成过孔的同时，并在过孔与发光单元之间刻蚀形成凹槽，在形成遮光层例如黑色光阻层时，直接在凹槽内形成遮光层，一方面不增加膜层的厚度，另一方面在平坦层和遮光层上形成阳极走线时，更为平整，防止出现断线等问题。
其中，所述凹槽的深度为所述平坦层厚度的一半；所述遮光层的厚度等于所述凹槽的深度，所述遮光层的表面与所述平坦层的表面平齐。本实施例以黑色光阻层为例具体进行说明，黑色光阻层需要一定的厚度，才具有良好的光线吸收的作用。在实际中，黑色光阻层的厚度可以在1um左右，而平坦层的厚度在2um作用，即凹槽的深度也在1um左右。需要理解的是，这里所强调的黑色光阻层的表面与平坦层的表面平齐，目的是为了在非凹槽区域和凹槽区域更平整，避免在使用透明导电层材料形成阳极走线时，出现透明导电层破裂、断线等问题。
在本实施例中，一般来说通过工艺控制黑色光阻层的厚度即可，涂布工艺精度可以做到±0.1um，该误差内不影响阳极走线。但是为了避免黑色光阻层的表面与平坦层的表面出现断差，具体还包括：可以先做黑色光阻层，再形成平坦层，即平坦层覆盖住黑色光阻层，这样可以不用做挖槽，但这样可能会有部分激光光线漏出，需要让平坦层不要比黑色光阻层厚太多，比如平坦层最终覆盖在黑色光阻上0.5um厚度以内。或者如果面板不需要是透明的情况下，可以直接使用添加碳黑的平坦层材料，既不需要挖槽也不需要黑色光阻。
具体地，在S40的步骤中包括：
S41：在所述过孔内采用氧化铟锡材料形成透明导电层并延伸至所述遮光层上以作为部分所述阳极走线；
S42：在所述发光单元的形成区域采用银/氧化铟锡/银材料形成另一部分的阳极走线。
本实施例中，由于阳极走线的反射性较强，会将激光能量反射出一部分，反射后的激光聚焦点就很可能会在封装层上，导致激光损伤封装层，导致封装层开裂，造成信赖性异常的问题。因此，将阳极走线分段设置，且两段使用的材料不同，对于在过孔区域和遮光层区域的阳极走线，采用透明导电层即氧化铟锡材料制成，该氧化铟锡材料不会对激光产生反射，大部分激光会穿过氧化铟锡材料。相比于采用银/氧化铟锡/银材料形成的阳极走线来说，仅存在少部分激光会被反射。因而在遮光层区域设置氧化铟锡材料的阳极走线，更有利于激光进行切割，且反射的激光更少，防止反射的激光将封装层损坏，进而损坏显示面板。
具体地，在S41的步骤之后还包括：
S43：采用氯气或氢溴酸或碘化氢等粒子体对所述透明导电层进行轰击以在所述透明导电层的表面形成粗糙结构。
本实施例中，基于上述，即使存在少部分激光被遮光层反射后通过，这里需要理解的是，上述提及的遮光层材料属于既不透光又不反射光线的材料，但上述仅仅为理想情况，黑色光阻同样具有一定的反射光线的能力，因此，本实施例仅针对该部分反射光线对封装层可能造成的损坏进行进一步的解决。在透明导电层上设置粗糙材料，防止反射光线聚集损坏阳极走线上的膜层。
具体地，采用的功率5～10kw，可以使用纯Cl2或者Hbr(氢溴酸)或者HI(碘化氢)进行蚀刻。ITO为氧化铟锡，主要成分为In铟，Sn锡，O氧，反应如下：In+3(Cl or Br or I)→InCl3 or In Br3 or InI3；Sn+4(Cl or Br or I)→SnCl4 or SnBr4 or SnI4。本实施例的粗糙结构的高度和间距均在50～200nm之间。
具体地，在S40的步骤中，还包括：
S44：形成像素定义层，所述像素定义层覆盖所述平坦层、部分所述透明导电层，所述发光单元形成区域的部分透明导电层裸露与所述像素定义层；
S44：在对应所述凹槽的区域，在像素定义层上形成凸起。
本实施例中，通过在PDL上形成凸起，进一步将反射的激光光线进行发散，防止该部分反射光线汇聚对封装层造成影响。具体可采用透过率渐变的掩膜板对该凸起区域，使得该位置的PDL受到曝光能力渐变，从而显影后形成渐变的膜厚，进而形成凸起。
以上步骤可参见图3a-3e所示，图3a、3b、3c、3d、3e是本申请显示面板的制作方法的流程示意图，所述薄膜晶体管如LTPS-TFT、A-Si TFT、IGZO-TFT等，以LTPS-TFT背板为例。在玻璃基板上通过，成膜、光刻、刻蚀等形成显示面板。缓冲层111为SiNx和SiOx；半导体层121为Poly-Si；栅极绝缘层122为SiNx和SiOx；栅极123为Al、Cu、Mo等金属；层间绝缘介质124为SiNx和SiOx；源极125和漏极126(Source/Drain)为Al、Cu、Mo等金属；平坦化层130为有机材料PI。所述发光单元170为OLED发光层。所述封装层包括：氮氧化硅181(SiOxNy)、有机层182和氧化硅183(SiNx)。
参见图3a至图4所示，图4是本申请一种显示面板100的示意图，本申请公开了一种显示面板100，具体包括：衬底110、薄膜晶体管120、平坦层130、遮光层140、阳极走线150、发光单元170和封装层180；多个所述薄膜晶体管120阵列设置在所述衬底110上，所述薄膜晶体管120包括漏极；所述平坦层130设置在所述薄膜晶体管120上，并对应所述漏极设置有过孔131；所述遮光层140设置在所述平坦层130上，在所述过孔131与发光单元170的形成区域之间；所述阳极走线150覆盖所述过孔131设置，连接所述漏极，并覆盖所述遮光层140后向所述发光单元170的形成区域延伸；所述发光单元170在所述发光单元170的形成区域内，设置在所述阳极走线150上；所述封装层180覆盖所述发光单元170设置。
本实施例的显示面板100即通过上述的显示面板100的制作方法形成，本申请通过在阳极走线150的部分走线段下方设置有遮光层140。该遮光层140的作用下，使用激光对阳极走线150进行切割时，穿过阳极走线150的部分光线直接被遮光层140所吸收，一方面，由于该遮光层140的存在，使得激光不再进入下遮光层140以下的膜层中，由此来保护下方膜层不受影响；另一方面，遮光层140吸收激光后，该遮光层140的表面温度升高，更有利于切断阳极走线150。而且该遮光层140吸收激光后，激光反射的光线较少，作用于封装层180上反射后的激光较少，防止封装层180，开裂，减少信赖性异常的问题出现。另外在制程上较容易做到、改进成本低，可大量减少因激光切割时造成的显示面板100二次损坏，大大提高良品率。
具体地，所述平坦层130在所述过孔131与发光单元170的形成区域之间设置有凹槽141，所述遮光层140设置在所述凹槽141内。本实施例中，在对平坦层130形成过孔131的同时，并在过孔131与发光单元170之间刻蚀形成凹槽141，在形成遮光层140例如黑色光阻层时，直接在凹槽141内形成遮光层140，一方面不增加膜层的厚度，另一方面在平坦层130和遮光层140上形成阳极走线150时，更为平整，防止出现断线等问题。
具体地，所述凹槽141的深度为所述平坦层130厚度的一半；所述遮光层140的厚度等于所述凹槽141的深度，所述遮光层140的表面与所述平坦层130的表面平齐；所述遮光层140为黑色光阻层。
具体地，所述阳极走线150对应所述过孔131和所述遮光层140区域的部分阳极走线150采用氧化铟锡材料形成，一般又称为透明导电层151；所述阳极走线150对应所述发光单元170的形成区域的部分阳极走线150采用银/氧化铟锡/银形成；所述透明导电层151上设置有粗糙结构153，所述粗糙结构153通过氯气或氢溴酸或碘化氢等粒子体对透明导电层151进行轰击以在所述透明导电层151的表面形成。
具体地，所述透明导电层151上还设置有像素定义层160，所述像素定义层160上设置有凸起161，所述凸起161在所述衬底110上的投影在所述遮光层140的投影区域内。
对应上述显示面板而言，本申请还公开了一种显示面板的修复方法，参见图5所示，图5是本申请的显示面板的修复方法的步骤示意图，所述修复方法包括步骤：
A10：检测并确定亮点像素；
A20：采用激光切割切断所述遮光层区域的阳极走线。
本申请中，通过将有问题的显示面板筛选出来后，进行亮度像素检测，确定亮度像素的位置后，将对应设置有遮光层区域的阳极走线采样激光切割的方式切断。
本申请通过在阳极走线的部分走线段下方设置有遮光层，该遮光层的作用下，使用激光对阳极走线进行切割时，穿过阳极走线的部分光线直接被遮光层所吸收，一方面，由于该遮光层的存在，使得激光不再进入下遮光层以下的膜层中，由此来保护下方膜层不受影响；另一方面，遮光层吸收激光后，该遮光层的表面温度升高，更有利于切断阳极走线。而且该遮光层吸收激光后，激光反射的光线较少，作用于封装层上反射后的激光较少，防止封装层，开裂，减少信赖性异常的问题出现。另外在制程上较容易做到、改进成本低，可大量减少因激光切割时造成的显示面板二次损坏，大大提高良品率。
需要说明的是，本申请的发明构思可以形成非常多的实施例，但是申请文件的篇幅有限，无法一一列出，因而，在不相冲突的前提下，以上描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例，各实施例或技术特征组合之后，将会增强原有的技术效果。
以上内容是结合具体的可选实施方式对本申请所作的进一步详细说明，不能认定本申请的具体实施只局限于这些说明。对于本申请所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括步骤：
在衬底上形成阵列排布的薄膜晶体管；
在薄膜晶体管上形成平坦层，并在所述平坦层对应所述薄膜晶体管的漏极位置刻蚀形成过孔，裸露所述薄膜晶体管的漏极；
在所述平坦层上形成遮光层，所述遮光层设置在所述过孔与发光单元的形成区域之间；
在所述过孔内形成阳极走线，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸；
在所述发光单元的形成区域形成发光单元；
形成封装层后形成显示面板。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在薄膜晶体管上形成平坦层，并在所述平坦层对应所述薄膜晶体管的漏极位置刻蚀形成过孔，裸露所述薄膜晶体管的漏极，步骤中包括：
在形成过孔时并同步在所述过孔与发光单元的形成区域之间刻蚀形成凹槽；
所述在所述平坦层上形成遮光层，所述遮光层设置在所述过孔与发光单元的形成区域之间，步骤中包括：
在所述凹槽内形成遮光层；
其中，所述遮光层为黑色光阻层。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述过孔内形成阳极走线，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸的步骤中包括：
在所述过孔内采用氧化铟锡材料形成透明导电层并延伸至所述遮光层上以作为部分所述阳极走线；
在所述发光单元的形成区域采用银/氧化铟锡/银材料形成另一部分的阳极走线。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述过孔内形成透明导电层并延伸至所述遮光层以作为部分所述阳极走线的步骤后包括：
采用氯气或氢溴酸或碘化氢等粒子体对所述透明导电层进行轰击以在所述透明导电层的表面形成粗糙结构。
5.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在所述过孔内形成阳极走线，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸的步骤后还包括：
形成像素定义层，所述像素定义层覆盖所述平坦层、部分所述阳极走线，所述发光单元形成区域的部分透明导电层裸露与所述像素定义层；
在对应所述凹槽的区域，在像素定义层上形成凸起。
6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
衬底；
多个薄膜晶体管，阵列设置在所述衬底上，所述薄膜晶体管包括漏极；
平坦层，设置在所述薄膜晶体管上，并对应所述漏极设置有过孔；
遮光层，设置在所述平坦层上，在所述过孔与发光单元的形成区域之间；
阳极走线，覆盖所述过孔设置，连接所述漏极，并覆盖所述遮光层后向所述发光单元的形成区域延伸；
发光单元，在所述发光单元的形成区域内，设置在所述阳极走线上；以及
封装层，覆盖所述发光单元设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述平坦层在所述过孔与发光单元的形成区域之间设置有凹槽，所述遮光层设置在所述凹槽内；
所述凹槽的深度为所述平坦层厚度的一半；所述遮光层的厚度等于所述凹槽的深度，所述遮光层的表面与所述平坦层的表面平齐；
所述遮光层为黑色光阻层。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述阳极走线对应所述过孔和所述遮光层区域的部分阳极走线采用氧化铟锡材料形成透明导电层以作为阳极走线；所述阳极走线对应所述发光单元的形成区域的部分阳极走线采用银/氧化铟锡/银材料形成；
所述透明导电层上设置有粗糙结构，所述粗糙结构通过氯气或氢溴酸或碘化氢等粒子体对透明导电层进行轰击以在所述透明导电层的表面形成。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述透明导电层上还设置有像素定义层，所述像素定义层上设置有凸起，所述凸起在所述衬底上的投影在所述遮光层的投影区域内。
10.一种显示面板的修复方法，其特征在于，所述显示面板通过上述权利要求1-5任意一项所述的显示面板的制作方法形成，所述修复方法包括步骤：
检测并确定亮点像素；
采用激光切割切断所述遮光层区域的阳极走线。
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