KR20220137588A - 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치 - Google Patents

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KR20220137588A
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Abstract

본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 제1 기판과 버퍼층 사이에 배치되어 게이트 배선 및 데이터 배선과 게이트 패드부 및 데이터 패드부를 전기적으로 각각 연결하는 게이트 링크 배선 및 데이터 링크 배선을 포함한다.
특히, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선으로 저저항 금속 재질을 이용하여 3000 ~ 5000Å으로 두껍게 설계되므로 전도성 확보가 가능하도록 설계하였다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선이 제1 기판의 최 하부에 배치되므로 페이스 씰 메탈 재질로 이루어진 제2 기판에 의한 찍힘이 발생하더라도 불량 확률을 현저히 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 로그 배선을 제1 기판과 버퍼층 사이에 배치하는 것에 의해, 복수의 절연막에 의해 보호되는 구조를 갖는바, 공정 진행 중 큰 이물이 발생하더라도 캐소드 전극과 단락되는 쇼트 불량을 최소화할 수 있게 된다.

Description

디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치{DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME}
본 발명은 이물에 기인한 불량을 개선할 수 있는 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치에 관한 것이다.
유기전계발광 표시 장치는 자발광 소자로서, 비발광 소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다. 또한, 유기전계발광 표시 장치는 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하고, 직류 저전압 구동이 가능하다. 또한, 응답속도가 빠르며 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 갖는다.
이러한 유기전계발광 표시 장치는 패시브 매트릭스 타입(passive matrix type)과 액티브 매트릭스 타입(active matrix type)으로 구분된다. 이때, 패시브 매트릭스 타입은 신호선을 교차하면서 매트릭스 형태로 소자를 구성한다. 이에 반해, 액티브 매트릭스 타입은 화소를 온/오프(on/off)하는 스위칭 소자인 박막트랜지스터와 전류를 흘려 보내주는 구동 박막트랜지스터 및 구동 박막트랜지스터에 한 프레임 동안 전압을 유지해 주는 캐패시터가 화소 별로 배치된다.
최근에는 패시브 매트릭스 타입의 유기전계발광 표시 장치가 해상도나 소비전력, 수명 등에 많은 제한적인 요소를 가지고 있어, 고해상도나 대화면을 구현할 수 있는 액티브 매트릭스 타입의 유기전계발광 표시 장치의 연구가 활발히 진행되고 있다.
도 1은 종래의 일 예에 따른 유기전계발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 일 예에 따른 유기전계발광 표시 장치(1)는 제 1 기판(10)과, 제 1 기판(10)과 대향하는 제 2 기판(95)을 포함한다.
이때, 제1 기판(10)은 화상을 구현하는 표시 영역(AA)과, 화상을 구현하지 않는 비표시 영역(NAA)을 갖는다. 이러한 제1 기판(10)의 재질로는 유리, 플라스틱 등이 이용될 수 있다. 그리고, 제2 기판(95)의 재질로는 유리, 플라스틱, 스테인리스 스틸(stainless steel), 페이스 씰 메탈(face seal metal) 등이 이용될 수 있으며, 이 중 페이스 씰 메탈을 이용하려는 시도가 진행 중에 있다.
도면으로 상세히 나타내지는 않았지만, 제1 기판(10) 상의 표시 영역(AA)에는 복수의 게이트 배선(20)과 복수의 데이터 배선(미도시)이 교차하여 정의하는 복수의 화소 영역(미도시)과, 각 화소 영역 별로 배치된 박막 트랜지스터(미도시)와, 박막 트랜지스터와 연결된 유기발광 다이오드(미도시)가 배치된다. 이때, 유기발광 다이오드는 박막 트랜지스터와 연결된 제1 전극(미도시)과, 제1 전극 상에 배치된 유기 발광층(미도시)과, 유기 발광층 상에 배치된 제2 전극(80)이 형성된다. 이때, 제1 전극은 애노드(anode)로, 그리고 제2 전극(80)은 캐소드(cathode)의 역할을 할 수 있다.
또한, 종래의 일 예에 따른 유기전계발광 표시 장치(1)는 제2 기판(95)과 유기발광 다이오드 사이에 배치되어, 제1 기판(10)과 제2 기판(95)을 합착시키는 보호 접착층(90)을 더 포함할 수 있다.
한편, 제1 기판(10) 상의 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NAA)에는 버퍼층(15), 게이트 절연막(25), 층간 절연막(35) 및 보호막(45)이 차례로 적층될 수 있다. 이때, 버퍼층(15), 게이트 절연막(25) 및 층간 절연막(35)은 제1 기판(10)의 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NAA) 전체에 형성될 수 있다. 그리고, 보호막(45)은 제1 기판(10)의 표시 영역(AA)은 전체를 덮고, 비표시 영역(NAA)의 패드부는 노출되도록 형성될 수 있다.
제1 기판(10)의 비표시 영역(NAA)에는 일측 가장자리에 게이트 패드(22)가 배치되고, 게이트 패드(22) 상에는 게이트 패드(22)와 전기적으로 접속된 게이트 패드 전극(65)이 배치된다.
또한, 도면으로 도시하지는 않았지만, 제1 기판(10)의 비표시 영역(NAA)에는 타측 가장자리에 데이터 패드(미도시) 및 데이터 패드 전극(미도시)이 더 배치될 수 있다. 이러한 데이터 패드 및 데이터 패드 전극의 구조는 게이트 패드(22) 및 게이트 패드 전극(65)의 구조와 실질적으로 동일할 수 있다.
즉, 게이트 패드(22)는 게이트 절연막(25) 상에 배치되는 게이트 배선(20)과 동일층에서 동일 재질로 형성된 제1 게이트 패드(22a)와, 층간 절연막(35) 상에 배치되는 데이터 배선과 동일층에서 동일 재질로 형성된 제2 게이트 패드(22b)를 포함할 수 있다.
제2 게이트 패드(22b)는 제1 게이트 패드(22a)를 덮는 층간 절연막(35)의 일부를 제거한 게이트 패드 컨택홀(미도시)을 통해 제1 게이트 패드(22a)와 전기적으로 연결된다. 그리고, 게이트 패드 전극(65)은 제2 게이트 패드(22b) 상에서 직접 접촉되도록 배치될 수 있다. 이러한 게이트 패드 전극(65)은 ITO, IZO, ITZO 등의 투명한 금속 재질로 형성될 수 있다.
또한, 제1 기판(10)의 비표시 영역(NAA)에는 게이트 링크 배선(24)이 더 배치된다. 이러한 게이트 링크 배선(24)은 게이트 패드(22)와 게이트 배선(20) 사이에 배치되어, 게이트 배선(20)으로 게이트 신호를 인가하는 역할을 한다.
종래의 일 예에 따른 유기전계발광 표시 장치(1)의 경우, 게이트 링크 배선(24)으로 저저항 구현을 위해 2층 구조를 적용하였다.
즉, 게이트 링크 배선(24)은 제1 게이트 패드(22a) 및 게이트 배선(20) 사이에 배치되어 제1 게이트 패드(22a) 및 게이트 배선(20)에 각각 연결된 제1 게이트 링크 배선(24a)과, 제2 게이트 패드(22b)로부터 연장된 제2 게이트 링크 배선(24b)을 포함할 수 있다.
제1 게이트 링크 배선(24a)은 게이트 절연막(25)과 층간 절연막(35) 사이에 배치되어, 일단은 제1 게이트 패드(22a)에 접속되고, 타단은 게이트 배선(20)에 접속된다. 그리고, 제2 게이트 링크 배선(24b)은 층간 절연막(35)과 보호막(45) 사이에 배치되며, 제2 게이트 패드(22b)로부터 연장되어 제1 게이트 링크 배선(24a)과 중첩되도록 설계된다. 이러한 제1 및 제2 게이트 링크 배선(24a, 24b)은 게이트 패드(22)에 의해 상호 전기적으로 연결된다.
전술한 바와 같이, 종래의 일 예에 따른 유기전계발광 표시 장치(1)의 경우, 게이트 링크 배선(24)으로 게이트 메탈 및 데이터 메탈을 혼용적으로 사용하는 2층 구조를 적용하였다.
그러나, 이러한 2층 구조로 게이트 링크 배선(24)을 설계한 구조에서는 제2 게이트 링크 배선(24b)의 상부에 보호막(45)만이 배치되므로, 보호막(45)이 취약할 경우 페이스 씰 메탈 재질로 이루어진 제2 기판(95)에 의한 찍힘 기인 불량이 발생하는 문제가 있었다.
또한, 2층 구조로 게이트 링크 배선(24)을 설계한 구조에서는 공정 진행 과정에서 불가피하게 이물(F)이 발생할 경우 보호막(45) 상에 배치되는 제2 전극(80)과 제2 게이트 링크 배선(24b)이 전기적으로 단락되는 쇼트 불량이 야기될 수 있다. 특히, 2층 구조로 게이트 링크 배선(24)을 설계할 시에는 제2 게이트 링크 배선(24b)의 상부에는 보호막(45)만이 배치되므로, 작은 이물(F)에도 제2 전극(80)과의 쇼트 불량이 빈번히 발생하였다.
한편, 도 2는 종래의 다른 예에 따른 유기전계발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 다른 예에 따른 유기전계발광 표시 장치(1)의 경우, 도 1을 참조하여 설명한 종래의 일 예에 따른 유기전계발광 표시 장치와 게이트 링크 배선(24)의 구성을 제외하고는 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략하고 차이점에 대하여 중점적으로 설명하도록 한다.
종래의 다른 예에 따른 유기전계발광 표시 장치(1)의 경우, 게이트 링크 배선(24)은 게이트 절연막(25)과 층간 절연막(35) 사이에 배치되어, 일단은 제1 게이트 패드(22a)에 접속되고, 타단은 게이트 배선(20)에 접속된다.
이와 같이, 종래의 다른 예에 따른 유기전계발광 표시 장치(1)는 게이트 링크 배선(24)을 게이트 절연막(25)과 층간 절연막(35) 사이에 배치하는 것에 의해, 게이트 링크 배선(24)이 층간 절연막(35) 및 보호막(45)에 의해 보호되는 구조를 갖는다.
그러나, 종래의 다른 예에 따른 유기전계발광 표시 장치(1)는 게이트 링크 배선(24)으로 게이트 메탈만으로 이루어지는 단층 구조를 갖는 관계로 전기전도성 확보에 어려움이 있어 저항 부담이 큰 상황이다.
또한, 종래의 다른 예에 따른 유기전계발광 표시 장치(1)는 게이트 링크 배선(24)이 층간 절연막(35) 및 보호막(45)에 의해 보호되고 있으므로 안정적이기는 하나, 큰 이물(F)이 발생할 경우에는 게이트 링크 배선(24)과 제2 전극(80) 간에 쇼트 불량이 발생하는 문제가 있었다.
관련 선행문헌으로는 대한민국 공개특허공보 제10-2006-0017161호(2006.02.23 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 라인 온 글래스형 액정표시소자 및 그 제조방법이 기재되어 있다.
본 발명은 게이트 및 데이터 링크 배선을 광 차단층과 동일층에 배치되도록 설계하는 것에 의해 페이스 씰 패탈 재질의 제2 기판에 의한 찍힘 불량을 최소화할 수 있음과 더불어, 공정 진행 중 발생하는 이물에 의해 캐소드 전극과의 쇼트 불량을 미연에 방지할 수 있는 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치를 제공하는 것이다.
이를 위해, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 제1 기판과 버퍼층 사이에 배치되어 게이트 배선 및 데이터 배선과 게이트 패드부 및 데이터 패드부를 전기적으로 각각 연결하는 게이트 링크 배선 및 데이터 링크 배선을 포함한다.
특히, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선으로 저저항 금속 재질을 이용하여 3000 ~ 5000Å으로 두껍게 설계되므로 전도성 확보가 가능하도록 설계하였다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선이 제1 기판의 최 하부에 배치되므로 페이스 씰 메탈 재질로 이루어진 제2 기판에 의한 찍힘이 발생하더라도 불량 확률을 현저히 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 로그 배선을 제1 기판과 버퍼층 사이에 배치하는 것에 의해, 복수의 절연막에 의해 보호되는 구조를 갖는바, 공정 진행 중 큰 이물이 발생하더라도 캐소드 전극과 단락되는 쇼트 불량을 최소화할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 로그 배선이 제1 기판의 최 하부에 배치되어 버퍼층에 의해 보호될 수 있으므로, 페이스 씰 메탈 재질로 이루어진 제2 기판에 의한 찍힘이 발생하더라도 불량 확률을 현저히 감소시킬 수 있다.
이에 더불어, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 게이트 링크 배선 및 데이터 링크 배선을 2층 구조로 설계하는 것에 의해 저저항을 구현하는 것이 가능해질 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 비표시 영역의 면적을 축소 설계하더라도 게이트 및 데이터 링크 배선이 2층 구조로 설계되므로 저항이 증가하는 것을 최소화할 수 있으므로, 내로우 베젤을 구현할 수 있게 된다.
본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 제1 기판과 버퍼층 사이에 배치되며, 게이트 패드 및 게이트 배선과 데이터 패드 및 데이터 배선에 각각 전기적으로 연결되는 게이트 및 데이터 링크 배선을 포함한다.
이에 따라, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 제1 기판의 비표시 영역에 배치되는 게이트 링크 배선 및 데이터 링크 배선이 복수의 절연막, 즉 차례로 적층된 버퍼층, 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호막에 의해 보호된다. 이 결과, 게이트 및 데이터 링크 배선과 캐소드 전극인 제2 전극과의 이격 거리를 충분히 확보할 수 있게 된다.
따라서, 공정 진행 중 큰 이물이 발생하더라도 복수의 절연막에 의해 게이트 및 데이터 링크 배선이 보호될 수 있으므로, 게이트 및 데이터 링크 배선과 중첩된 상부에 배치되는 제2 전극과의 쇼트 불량을 최소화시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선이 제1 기판의 최 하부에 배치되므로 페이스 씰 메탈 재질로 이루어진 제2 기판에 의한 찍힘이 발생하더라도 불량 확률을 현저히 감소시킬 수 있는 구조적인 이점을 갖는다.
본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 제1 기판의 비표시 영역에 배치되는 게이트 링크 배선 및 데이터 링크 배선이 복수의 절연막, 즉 차례로 적층된 버퍼층, 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호막에 의해 보호된다. 이 결과, 게이트 및 데이터 링크 배선과 캐소드 전극인 제2 전극과의 이격 거리를 충분히 확보할 수 있게 된다.
따라서, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 공정 진행 중 큰 이물이 발생하더라도 복수의 절연막에 의해 게이트 및 데이터 링크 배선이 보호될 수 있으므로, 게이트 및 데이터 링크 배선과 중첩된 상부에 배치되는 제2 전극과의 쇼트 불량을 최소화시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선으로 저저항 금속 재질을 이용하여 3000 ~ 5000Å으로 두껍게 설계되므로 전도성 확보가 가능해질 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선이 제1 기판의 최 하부에 배치되므로 페이스 씰 메탈 재질로 이루어진 제2 기판에 의한 찍힘이 발생하더라도 불량 확률을 현저히 감소시킬 수 있는 구조적인 이점을 갖는다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 로그 배선을 제1 기판과 버퍼층 사이에 배치하는 것에 의해, 복수의 절연막에 의해 보호되는 구조를 갖는바, 공정 진행 중 큰 이물이 발생하더라도 캐소드 전극인 제2 전극과 단락되는 쇼트 불량을 최소화할 수 있게 된다.
또한, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 로그 배선이 제1 기판의 최 하부에 배치되어 버퍼층에 의해 보호될 수 있으므로, 페이스 씰 메탈 재질로 이루어진 제2 기판에 의한 찍힘이 발생하더라도 불량 확률을 현저히 감소시킬 수 있는 구조적인 이점이 있다.
이에 더불어, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 게이트 링크 배선 및 데이터 링크 배선을 2층 구조로 설계하는 것에 의해 저저항을 구현하는 것이 가능해질 수 있다.
이에 따라, 본 발명에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치는 비표시 영역의 면적을 축소 설계하더라도 게이트 및 데이터 링크 배선이 2층 구조로 설계되므로 저항이 증가하는 것을 최소화할 수 있으므로, 내로우 베젤을 구현할 수 있게 된다.
도 1은 종래의 일 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 단면도.
도 2는 종래의 다른 예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 단면도.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 평면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시 영역을 나타낸 단면도.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 표시 영역을 나타낸 단면도.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 로그 배선을 확대하여 나타낸 단면도.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시 영역을 나타낸 단면도.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일 또는 유사한 구성요소를 가리키는 것으로 사용된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 디스플레이 패널 및 이를 갖는 디스플레이 장치에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치를 나타낸 평면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 제 1 기판(110)과, 제 1 기판(110)과 대향하는 제 2 기판(195)을 포함한다.
이때, 제1 기판(110)은 화상을 구현하는 표시 영역(AA)과, 화상을 구현하지 않는 비표시 영역(NAA)을 갖는다. 이러한 제1 기판(110)의 재질로는 유리, 플라스틱 등이 이용될 수 있다. 그리고, 제2 기판(195)의 재질로는 유리, 플라스틱, 스테인리스 스틸(stainless steel), 페이스 씰 메탈(face seal metal) 등이 이용될 수 있으며, 이 중 페이스 씰 메탈에 대한 사용이 증가하고 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 제1 기판(110)과 이격된 일측 및 타측에 각각 배치된 게이트 구동부(127) 및 데이터 구동부(137)를 더 포함한다.
게이트 구동부(127)는 복수의 게이트 TCP(126)를 통해 제1 기판(110)과 전기적으로 접속되고, 데이터 구동부(137)는 복수의 데이터 TCP(136)를 통해 제1 기판(110)과 전기적으로 접속된다.
제1 기판(110)의 표시 영역(AA)에는 복수의 게이트 배선(120)이 제1 방향으로 배치된다. 이러한 복수의 게이트 배선(120)은 복수의 게이트 배선(120)에 접속된 게이트 링크 배선(124)을 통해 게이트 패드(미도시)에 전기적으로 접속된다. 그리고, 복수의 데이터 배선(130)은 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된다. 이러한 복수의 데이터 배선(130)은 복수의 데이터 배선(130)에 접속된 데이터 링크 배선(133)을 통해 데이터 패드(미도시)에 전기적으로 접속된다. 또한, 제1 기판(110)의 표시 영역(AA)에는 복수의 데이터 배선(130)과 평행하게 이격 배치된 전원공급 배선(131)이 더 배치될 수 있다.
이러한 복수의 게이트 배선(120) 및 데이터 배선(130)이 상호 교차하여 복수의 화소 영역(미도시)이 정의되며, 각 화소 영역에는 박막 트랜지스터(미도시)가 배치된다. 이때, 박막 트랜지스터는 구동 트랜지스터 및 스위칭 트랜지스터를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 게이트 TCP(126)에 실장된 게이트 구동 IC(128)와 데이터 TCP(136)에 실장된 데이터 구동 IC(138)를 더 포함할 수 있다.
이때, 데이터 구동 IC(138)는 디지털 신호인 화상정보를 아날로그 신호로 변환하여 제1 기판(110)의 표시 영역(AA)에 배치되는 복수의 데이터 배선(130)에 공급한다.
또한, 제1 기판(110)의 일측 단변 및 일측 장변이 만나는 모서리 부분에는 로그 배선(175)이 배치될 수 있다. 이러한 로그 배선(175)은 외부 전원부(미도시)로부터 데이터 구동부(137)로 공급되는 제어신호 및 구동전압을 게이트 구동부(127)로 공급하는 역할을 한다. 따라서, 게이트 구동 IC(128)는 로그 배선(175)을 통해 게이트 제어신호 및 게이트 구동전압을 인가받아 주사신호를 게이트 배선(120)에 순차적으로 공급한다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시 영역을 나타낸 단면도이고, 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 표시 영역을 나타낸 단면도이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 화상을 구현하는 표시 영역(AA)과 화상을 구현하지 않는 비표시 영역(NAA)을 갖는 제1 기판(110) 상에 버퍼층(115)이 배치된다. 이러한 버퍼층(115)은 박막 트랜지스터(Tr)의 반도체층(140)의 결정화시 기판(110)의 내부로부터 용출되는 알칼리 이온의 방출에 의한 반도체층(140)의 특성 저하를 방지하는 역할을 한다.
또한, 제1 기판(110) 상의 표시 영역(AA)에는 복수의 게이트 배선(120)과 복수의 데이터 배선(도 3의 130)이 교차하여 정의하는 복수의 화소 영역(미도시)과, 각 화소 영역 별로 배치된 박막 트랜지스터(Tr)와, 박막 트랜지스터(Tr)와 연결된 유기발광 다이오드(E)가 배치된다.
박막 트랜지스터(Tr)는 버퍼층(115) 상에 배치된 반도체층(140)과, 반도체층(140)을 덮는 게이트 절연막(125)과, 반도체층(140)과 중첩되도록 게이트 절연막(125) 상에 배치된 게이트 전극(121)과, 게이트 전극(121)을 덮는 층간 절연막(135)과, 게이트 전극(121)을 사이에 두고, 상호 이격 배치되어 반도체층(140)에 각각 접속된 소스 및 드레인 전극(132, 134)을 포함할 수 있다.
이때, 반도체층(140)은 산화물 반도체층일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 이러한 반도체층(140)은 중앙에 배치되어 채널을 이루는 액티브 영역(140a)과, 액티브 영역(140a)을 사이에 두고 양측에 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인 영역(140b, 140c)으로 구분될 수 있다.
소스 및 드레인 전극(132, 134)은 소스 및 드레인 영역(140b, 140c)의 일부를 각각 노출시키는 제1 및 제2 반도체층 컨택홀(미도시)을 통해 반도체층(140)의 소스 및 드레인 영역(140b, 140c)과 각각 전기적으로 접속된다. 이때, 소스 전극(132)은 소스 컨택홀(SCH)을 통해 제1 전극(160)과 전기적으로 연결된다.
유기발광 다이오드(E)는 박막 트랜지스터(Tr)와 연결된 제1 전극(160)과, 제1 전극(160) 상에 배치된 유기 발광층(170)과, 유기 발광층(170) 상에 배치된 제2 전극(180)을 포함한다. 이때, 제1 전극(160)은 애노드(anode)로, 그리고 제2 전극(180)은 캐소드(cathode)의 역할을 할 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 제1 기판(110)과 버퍼층(115) 사이에서 반도체층(140)을 차폐하는 광 차단층(112)을 더 포함할 수 있다.
이러한 광 차단층(112)은 박막 트랜지스터(Tr)의 반도체층(140)으로 외부 광이 입사되는 것을 차폐하는 역할을 한다. 따라서, 광 차단층(112)은 박막 트랜지스터(Tr)의 반도체층(140)과 중첩된 하부에서 반도체층(140)의 전체 면적을 차폐하도록 설계된다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 보호막(145), 뱅크층(155) 및 보호 접착층(190)을 더 포함할 수 있다.
보호막(145)은 층간 절연막(135) 상의 소스 및 드레인 전극(132, 134)을 덮으며, 소스 전극(132)의 일부를 노출시키는 소스 컨택홀(SCH)을 갖는다.
뱅크층(155)은 보호막(145) 상에 배치되며, 제1 전극(160)을 노출시키는 뱅크 홀(미도시)을 갖는다. 이때, 뱅크층(155)은 격자 구조의 매트릭스 타입으로 배치될 수 있다. 이러한 뱅크층(155)은 유전율이 낮은 감광성의 유기절연재질인 블랙 수지, 그라파이트 파우더(graphite powder), 그라비아 잉크, 블랙 스프레이 및 블랙 에나멜 중 선택된 어느 하나가 이용될 수 있다.
보호 접착층(190)은 제2 기판(195)과 유기발광 다이오드(E) 사이에 배치되어, 제1 기판(110)과 제2 기판(195)을 합착시키는 역할을 한다.
한편, 제1 기판(110) 상의 비표시 영역(NAA)에는 게이트 링크 배선(124) 및 데이터 링크 배선(도 3의 133)이 각각 배치된다. 이러한 게이트 링크 배선(124)은 게이트 패드(122)와 게이트 배선(120) 사이에 배치되어, 게이트 패드(122)로 공급된 주사 신호를 게이트 배선(120)으로 공급한다. 또한, 데이터 링크 배선은 데이터 패드(미도시)와 데이터 배선(130) 사이에 배치되어, 데이터 패드로 공급된 데이터 신호를 데이터 배선(130)으로 공급한다.
이러한 게이트 링크 배선(124) 및 데이터 링크 배선 상부에는 버퍼층(115) 및 게이트 절연막(125)이 차례로 적층된다. 이에 따라, 게이트 링크 배선(124) 및 데이터 링크 배선은 제1 기판(110)과 버퍼층(115) 사이에 배치되어, 버퍼층(115)에 의해 보호될 수 있다. 이때, 도 4에는 게이트 링크 배선(124)을 일 예로 나타낸 것이다.
또한, 제1 기판(110)의 비표시 영역(NAA)에는 일측 가장자리에 게이트 패드(122)가 배치되고, 게이트 패드(122) 상에는 게이트 패드(122)와 전기적으로 접속된 게이트 패드 전극(165)이 배치된다. 이러한 게이트 패드(122) 및 게이트 패드 전극(165)을 포함하여 게이트 패드부라 정의할 수 있다.
이때, 게이트 패드(122)는 게이트 절연막(125) 상에 배치된 제1 게이트 패드(122a)과, 층간 절연막(135) 상에 배치되며, 제1 게이트 패드(122a)의 일부를 노출시키는 패드 컨택홀(미도시)을 통해 제1 게이트 패드(122a)에 접속된 제2 게이트 패드(122b)를 갖는다.
게이트 패드 전극(165)은 제2 게이트 패드(122b) 상에서 직접 접촉되는 형태로 접속될 수 있다. 이러한 게이트 패드 전극(165)은 ITO, IZO, ITZO 등의 투명한 금속 재질로 형성될 수 있다. 이때, 게이트 패드 전극(165)은 제1 기판(110) 상의 표시 영역(AA)에 배치되는 유기발광 다이오드(E)의 제1 전극(160)과 동일층에서 동일한 물질로 형성될 수 있다.
이러한 게이트 링크 배선(124)은 게이트 링크 배선(124)의 일단 및 타단의 일부를 각각 노출시키는 제1 및 제2 컨택 홀(CH1, CH2)을 통해 일단은 제1 게이트 패드(122a)에 접속되고, 타단은 게이트 배선(120)에 접속된다.
이때, 제1 컨택 홀(CH1)은 게이트 링크 배선(124)을 덮는 버퍼층(115) 및 게이트 절연막(125)의 일부를 제거하는 것에 의해 게이트 링크 배선(124)의 일단을 노출시킨다. 그리고, 제2 컨택 홀(CH2)은 게이트 링크 배선(124)을 덮는 버퍼층(115) 및 게이트 절연막(125)의 일부를 제거하는 것에 의해 게이트 링크 배선(124)의 타단을 노출시킨다. 이에 따라, 게이트 링크 배선(124)의 일단은 제1 컨택홀(CH1)을 통해 게이트 절연막(125) 상에 배치되는 제1 게이트 패드(122a)에 접속되고, 게이트 링크 배선(124)의 타단은 제2 컨택 홀(CH2)을 통해 게이트 절연막(125) 상에 배치되는 게이트 배선(120)에 접속된다.
이러한 게이트 링크 배선(124)은 광 차단층(112)과 동일층에 배치된다. 이때, 게이트 링크 배선(124) 및 광 차단층(112)은 각각 3000 ~ 5000Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 일반적으로, 광 차단층(112)의 경우에는 반도체층(140), 특히 반도체층으로 산화물 반도체층을 이용할 시 광 영향성을 차단하기 위한 목적으로 설계되는 것으로, MoTi를 이용하여 대략 1000Å의 두께로 형성하였다.
이때, 게이트 링크 배선(124)을 광 차단층(112)의 일반적인 두께인 1000Å 내외로 형성할 시, 전도성 확보에 어려움이 있을 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 게이트 링크 배선(124) 및 광 차단층(112)으로 Al, Cu, Au, Pt, Pd, Ag, Mo, Ti, Nd 및 In 중 선택된 1종 이상, 보다 바람직하게는 Cu를 이용하여 3000 ~ 5000Å의 두께로 두껍게 설계하였다. 이와 같이, 게이트 링크 배선(124)의 재질로 저저항을 갖는 금속을 이용하여 3000 ~ 5000Å으로 두껍게 설계함으로써, 전기전도성의 확보를 통해 배선으로서의 기능이 가능하도록 하였다.
한편, 도면으로 상세히 나타내지는 않았지만, 데이터 링크 배선(도 3의 133)은 게이트 링크 배선(124)과 마찬가지로 제1 기판(110)과 버퍼층(115) 사이에 배치된다. 이러한 데이터 링크 배선은 데이터 링크 배선의 일단 및 타단의 일부를 각각 노출시키는 제1 및 제2 컨택 홀을 통해 일단은 제1 데이터 패드에 접속되고, 타단은 데이터 배선(도 3의 133)에 접속될 수 있다.
이때, 제1 컨택 홀은 데이터 링크 배선을 덮는 버퍼층(115) 및 게이트 절연막(125)의 일부를 제거하는 것에 의해 데이터 링크 배선의 일단을 노출시킨다. 그리고, 제2 컨택 홀은 데이터 링크 배선을 덮는 버퍼층(115), 게이트 절연막(125) 및 층간 절연막(135)의 일부를 제거하는 것에 의해 데이터 링크 배선의 타단을 노출시킨다. 이에 따라, 데이터 링크 배선의 일단은 제1 컨택홀을 통해 게이트 절연막(125) 상에 배치되는 제1 데이터 패드에 접속되고, 데이터 링크 배선의 타단은 제2 컨택 홀을 통해 층간 절연막(135) 상에 배치되는 데이터 배선에 접속된다.
전술한 구조를 갖는 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선을 광 차단층과 동일층에 배치되도록 설계하고, 제1 및 제2 컨택 홀을 통해 게이트 패드 및 게이트 배선과 데이터 패드 및 데이터 배선에 각각 전기적으로 연결되도록 설계된다.
이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치는 제1 기판의 비표시 영역에 배치되는 게이트 링크 배선 및 데이터 링크 배선이 복수의 절연막, 즉 차례로 적층된 버퍼층, 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호막에 의해 보호된다. 이 결과, 게이트 및 데이터 링크 배선과 캐소드 전극인 제2 전극과의 이격 거리를 충분히 확보할 수 있게 된다.
따라서, 공정 진행 중 큰 이물이 발생하더라도 복수의 절연막에 의해 게이트 및 데이터 링크 배선이 보호될 수 있으므로, 게이트 및 데이터 링크 배선과 중첩된 상부에 배치되는 제2 전극과의 쇼트 불량을 최소화시킬 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선으로 저저항 금속 재질을 이용하여 3000 ~ 5000Å으로 두껍게 설계되므로 전도성 확보가 가능해질 수 있다.
또한, 본 발명은 게이트 및 데이터 링크 배선이 제1 기판의 최 하부에 배치되므로 페이스 씰 메탈 재질로 이루어진 제2 기판에 의한 찍힘이 발생하더라도 불량 확률을 현저히 감소시킬 수 있는 구조적인 이점을 갖는다.
한편, 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치의 로그 배선을 확대하여 나타낸 단면도로, 도 3과 연계하여 설명하도록 한다.
도 3 및 도 6에 도시된 바와 같이, 로그 배선(175)은 제1 기판(110)의 단변과 장변이 만나는 비표시 영역(NAA)의 모서리 부분에 배치된다. 이에 따라, 로그 배선(175)은 매우 한정된 좁은 공간에 미세하게 이격되는 형태로 패턴 설계가 이루어질 수 밖에 없는 구조이며, 고해상도 구현을 위해서는 그 공간이 더 협소해지고 있는 상황이다.
이에 따라, 로그 배선(175)은 게이트 배선(120), 데이터 배선(130), 전원공급 배선(131) 등의 신호 배선들과 비교하여 상대적으로 높은 저항값을 갖게 된다. 이 결과, 로그 배선(175)을 통해 전송되는 게이트 제어신호 및 게이트 구동전압이 로그 배선(175)의 높은 저항값에 영향을 받아 왜곡될 수 있다.
이를 해결하기 위해, 본 발명에서는 로그 배선(175)을 제1 기판(110)과 버퍼층(115) 사이에 배치하였다. 이에 따라, 로그 배선(175)은 게이트 링크 배선(124)과 동일층에서 동일한 물질로 설계된다.
따라서, 로그 배선(175) 역시 게이트 링크 배선(124)의 재질과 마찬가지로 저저항을 갖는 금속을 이용하여 3000 ~ 5000Å으로 두껍게 설계되므로, 전기전도성의 확보가 가능해질 수 있으므로 저항값을 낮출 수 있다.
또한, 로그 배선(175)이 제1 기판(110)의 최 하부에 배치되어 복수의 절연막에 의해 보호될 수 있으므로, 공정 진행 중 큰 이물이 발생하더라도 캐소드 전극인 제2 전극(180)과 단락되는 쇼트 불량을 최소화할 수 있게 된다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 로그 배선(175)이 제1 기판(110)의 최 하부에 배치되어 버퍼층(115)에 의해 보호될 수 있으므로, 페이스 씰 메탈 재질로 이루어진 제2 기판(195)에 의한 찍힘이 발생하더라도 불량 확률을 현저히 감소시킬 수 있는 구조적인 이점이 있다.
한편, 도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비표시 영역을 나타낸 단면도로, 제1 실시예와 동일한 명칭에 대해서는 동일한 도면 번호를 부여하였다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)는 게이트 링크 배선(124) 및 데이터 링크 배선(미도시)의 구조를 제외하고는 제1 실시예에 따른 디스플레이 장치와 실질적으로 동일한 구성을 갖는 바, 중복 설명은 생략하고 차이점에 대하여 중점적으로 설명하도록 한다. 이때, 도 7에서는 게이트 링크 배선 구조를 일 예로 나타내었다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치(100)의 경우, 게이트 링크 배선(124)이 제1 게이트 링크 배선(124a) 및 제2 게이트 링크 배선(124b)을 포함하는 2층 구조를 갖는다.
이때, 제1 게이트 링크 배선(124a)은 제1 기판(110)과 버퍼층(115) 사이에 배치되며, 일단 및 타단의 일부를 각각 노출시키는 제1 및 제2 컨택 홀(CH1, CH2)을 통해 일단은 제1 게이트 패드(122a)에 접속되고, 타단은 게이트 배선(120)에 접속된다.
그리고, 제2 게이트 링크 배선(124b)은 게이트 절연막(125)과 층간 절연막(135) 사이에 배치되며, 제1 게이트 패드(122a)로부터 연장되어 제1 게이트 링크 배선(124a)과 중첩 배치될 수 있다. 이때, 제2 게이트 링크 배선(124b)은 제1 게이트 패드(122a)로부터 연장되어 게이트 배선(120)과 연결될 수 있다. 이와 달리, 제2 게이트 링크 배선(124b)은 제1 게이트 패드(122a)로부터 연장되며, 게이트 배선(120)과는 이격 배치될 수도 있다.
한편, 도면으로 상세히 나타내지는 않았지만, 로그 배선 역시 제1 로그 배선 및 제2 로그 배선을 포함하는 2층 구조로 설계될 수 있다.
전술한 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치는 게이트 및 데이터 링크 배선과 로그 배선을 2층 구조로 설계하는 것에 의해 저저항을 구현하는 것이 가능해질 수 있다.
이에 따라, 본 발명의 제2 실시예에 따른 디스플레이 장치는 비표시 영역의 면적을 축소 설계하더라도 게이트 및 데이터 링크 배선과 로그 배선이 2층 구조로 설계되므로 저항이 증가하는 것을 최소화할 수 있으므로, 내로우 베젤(narrow bezel)을 구현할 수 있게 된다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 통상의 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 따라서, 이러한 변경과 변형이 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명의 범주 내에 포함되는 것으로 이해할 수 있을 것이다.
100 : 디스플레이 장치 110 : 제1 기판
112 : 광 차단층 115 : 버퍼층
120 : 게이트 배선 122 : 게이트 패드
122a : 제1 게이트 패드 122b : 제2 게이트 패드
124 : 게이트 링크 배선 125 : 게이트 절연막
126 : 게이트 TCP 127 : 게이트 구동부
128 : 게이트 구동 IC 130 : 데이터 배선
131 : 전원공급 배선 132 : 소스 전극
133 : 데이터 링크 배선 134 : 드레인 전극
135 : 층간 절연막 136 : 데이터 TCP
137 : 데이터 구동부 138 : 데이터 구동 IC
140 : 반도체층 145 : 보호막
155 : 뱅크층 160 : 제1 전극
170 : 유기 발광층 175 : 로그 배선
180 : 제2 전극 190 : 보호 접착층
195 : 제2 기판 CH1,CH2 : 제1 및 제2 컨택 홀
DCH : 드레인 컨택 홀 E : 유기발광 다이오드
AA : 표시 영역 NAA : 비표시 영역

Claims (12)

  1. 표시 영역 및 비표시 영역을 갖는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 비표시 영역에 배치된 링크 배선;
    상기 제1 기판의 상면 및 상기 링크 배선을 덮는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상부를 차례로 덮는 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호막;
    상기 제1 기판 상의 표시 영역에, 그리고 상기 게이트 절연막과 층간 절연막 사이에 배치된 신호 배선;
    상기 제1 기판 상의 비표시 영역 가장자리에 배치된 패드부; 및
    상기 제1 기판 상의 표시 영역에, 그리고 상기 버퍼층 상에 배치되고, 상기 신호 배선에 연결된 박막 트랜지스터;를 포함하고,
    상기 링크 배선은 상기 신호 배선과 패드부를 전기적으로 연결하는 디스플레이 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패드부는
    상기 게이트 절연막 상에 배치된 제1 패드와, 상기 층간 절연막 상에 배치되며, 상기 제1 패드의 일부를 노출시키는 패드 컨택홀을 통해 상기 제1 패드에 접속된 제2 패드를 갖는 패드와,
    상기 제2 패드 상에 접속된 패드 전극을 포함하는 디스플레이 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 링크 배선은
    상기 링크 배선의 일단 및 타단의 일부를 각각 노출시키는 제1 및 제2 컨택 홀을 통해 일단은 상기 제1 패드에 접속되고, 타단은 상기 신호 배선에 접속된 디스플레이 패널.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 박막 트랜지스터는
    상기 버퍼층 상에 배치된 반도체층과,
    상기 반도체층을 덮는 상기 게이트 절연막 상에 배치되며, 상기 반도체층과 중첩된 게이트 전극과,
    상기 게이트 전극을 덮는 상기 층간 절연막 상에 배치되며, 상기 반도체층에 각각 접속된 소스 및 드레인 전극을 포함하며,
    상기 제1 기판과 버퍼층 사이에 상기 반도체층을 차폐하는 광 차단층이 배치된 디스플레이 패널.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 링크 배선은
    상기 광 차단층과 동일층에 배치된 디스플레이 패널.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 링크 배선 및 광 차단층은 각각
    3000 ~ 5000Å의 두께를 갖는 디스플레이 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판의 일측 단변 및 일측 장변이 만나는 모서리 부분에 배치된 로그 배선을 더 포함하며,
    상기 로그 배선은 상기 제1 기판과 버퍼층 사이에 배치되어, 상기 링크 배선과 동일층에 배치된 디스플레이 패널.
  8. 표시 영역 및 비표시 영역을 갖는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 비표시 영역에 배치된 링크 배선;
    상기 제1 기판의 상면 및 상기 링크 배선을 덮는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상부를 차례로 덮는 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호막;
    상기 제1 기판 상의 표시 영역에, 그리고 상기 게이트 절연막과 층간 절연막 사이에 배치된 신호 배선;
    상기 제1 기판 상의 비표시 영역 가장자리에 배치된 패드부;
    상기 제1 기판 상의 표시 영역에, 그리고 상기 버퍼층 상에 배치되고, 상기 신호 배선에 연결된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 적층된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상에 적층된 제2 전극을 갖는 유기발광 다이오드;
    상기 유기발광 다이오드와 이격된 상부에 배치된 제2 기판; 및
    상기 제2 기판과 유기발광 다이오드 사이에 배치되어, 상기 제1 기판과 제2 기판을 합착시키는 보호 접착층;을 포함하고,
    상기 링크 배선은 상기 신호 배선과 패드부를 전기적으로 연결하는 디스플레이 장치.
  9. 표시 영역 및 비표시 영역을 갖는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 비표시 영역에 배치된 제1 링크 배선;
    상기 제1 기판의 상면 및 상기 제1 링크 배선을 덮는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상부를 차례로 덮는 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호막;
    상기 제1 기판 상의 표시 영역에, 그리고 상기 게이트 절연막과 층간 절연막 사이에 배치된 신호 배선;
    상기 제1 기판 상의 비표시 영역에, 그리고 상기 게이트 절연막과 층간 절연막 사이에 배치된 제2 링크 배선;
    상기 제1 기판 상의 비표시 영역 가장자리에 배치된 패드부; 및
    상기 제1 기판 상의 표시 영역에, 그리고 상기 버퍼층 상에 배치되고, 상기 신호 배선에 연결된 박막 트랜지스터;를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 링크 배선은 상기 신호 배선과 패드부를 전기적으로 연결하는 디스플레이 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 패드부는
    상기 게이트 절연막 상에 배치된 제1 패드과, 상기 층간 절연막 상에 배치되며, 상기 제1 패드의 일부를 노출시키는 패드 컨택홀을 통해 상기 제1 패드에 접속된 제2 패드를 갖는 패드와,
    상기 제2 패드 상에 접속된 패드 전극을 포함하는 디스플레이 패널.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 기판과 버퍼층 사이에 배치된 상기 제1 링크 배선은 일단 및 타단의 일부를 각각 노출시키는 제1 및 제2 컨택 홀을 통해 상기 일단은 제1 패드에 접속되고, 상기 타단은 신호 배선에 접속되고,
    상기 게이트 절연막과 층간 절연막 사이에 배치된 상기 제2 링크 배선은 상기 제1 패드로부터 연장되어 상기 제1 링크 배선과 중첩 배치되는 디스플레이 패널.
  12. 표시 영역 및 비표시 영역을 갖는 제1 기판;
    상기 제1 기판의 비표시 영역에 배치된 제1 링크 배선;
    상기 제1 기판의 상면 및 상기 제1 링크 배선을 덮는 버퍼층;
    상기 버퍼층 상부를 차례로 덮는 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호막;
    상기 제1 기판 상의 표시 영역에, 그리고 상기 게이트 절연막과 층간 절연막 사이에 배치된 신호 배선;
    상기 제1 기판 상의 비표시 영역에, 그리고 상기 게이트 절연막과 층간 절연막 사이에 배치된 제2 링크 배선;
    상기 제1 기판 상의 비표시 영역 가장자리에 배치된 패드부;
    상기 제1 기판 상의 표시 영역에, 그리고 상기 버퍼층 상에 배치되고, 상기 신호 배선에 연결된 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터에 연결된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 적층된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 상에 적층된 제2 전극을 갖는 유기발광 다이오드;
    상기 유기발광 다이오드와 이격된 상부에 배치된 제2 기판; 및
    상기 제2 기판과 유기발광 다이오드 사이에 배치되어, 상기 제1 기판과 제2 기판을 합착시키는 보호 접착층;을 포함하고,
    상기 제1 및 제2 링크 배선은 상기 신호 배선과 패드부를 전기적으로 연결하는 디스플레이 장치.
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