CN115785824B - 一种化学机械抛光液、其制备方法及应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种化学机械抛光液，包括A组分、B组分和C组分；A组分包括20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水；B组分包括0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水，B组分的pH值为8～10.5；C组分包括草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸、硝酸和双氧水中的一种或几种，C组分的pH值为4～7。本发明中抛光液中性的PH值可获得较高的去除量且抛光表面质量佳，且利于生产设备长期运行，增强使用寿命。本发明还提供了一种化学机械抛光液的制备方法及应用。
Description
技术领域
本发明属于半导体材料抛光技术领域，尤其涉及一种化学机械抛光液、其制备方法及应用。
背景技术
第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。在通信、新能源汽车、高铁、航空航天等应用场景中有明显优势。碳化硅作为三代半导体材料的代表产品，其高硬度(莫氏硬度9.2)、优异的导热性能、高度的化学惰性、抗摩擦能力、高禁带宽度、以及高饱和电子迁移率，被广泛应用于半导体工业与光学器件。
然而，其应用是建立在其晶圆衬底优异的表面平整度与光洁度性能的基础之上。因其超高的硬度和高度的化学惰性，使得碳化硅表面加工成为一个难题。
目前有效获得高质量碳化硅表面的处理方法是化学机械抛光(CMP)技术，它可将碳化硅晶片的表面粗糙度降到0.2纳米以下，有效降低损伤层，表面平整，从而为后续的外延打下良好的基础。
CMP技术是采用化学反应与机械摩擦的双重作用，使晶圆衬底表面达到抛光的最终目的。CMP的工作原理：旋转的晶圆在一定的压力作用下，压在旋转的抛光垫上做相对运动，借助抛光液中纳米磨料的机械研磨作用和抛光液中的各类化学试剂的化学作用的结合来实现表面高质量要求。
目前国内外学者、产业从业者对碳化硅的化学机械抛光已经作了大量的研究与探索，并且发现在碳化硅抛光中，化学作用充当了非常重要的角色，使得抛光液成为其重要因素之一。
抛光液的种类多种多样，一般由磨料和化学添加剂两大部分组成。目前在精抛光阶段，常规磨料，如钻石粉及氧化铝，虽然有助于提高碳化硅表面的机械作用，提高去除率，但可能带来表面机械划伤或损伤层，所以化学机械抛光用抛光液主要采用硅凝胶作为磨料，同时为了弥补其去除速率的不足，不同的化学添加剂被加入到抛光液中，还可能包含络合剂及抗腐蚀剂等。然而目前化学机械抛光液为保证加工表面质量，普遍都存在抛光效率低下的缺陷。由此，制备出一种通过常规化学机械抛光方法，既可以保证达到高质量碳化硅表面，又能满足高效去除速率的化学机械抛光液，就显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种化学机械抛光液、其制备方法及应用，本发明中的化学机械抛光液在保证了碳化硅衬底高表面质量、低粗糙度且表面没有划伤的前提下，又能大大地提高去除速率，实现低损耗，高产出的目的。
本发明提供一种化学机械抛光液，包括A组分、B组分和C组分；
A组分包括20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水；
B组分包括0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水，B组分的pH值为8～10.5；
C组分包括双氧水和酸性介质，C组分的pH值为4～7。
优选的，所述络合剂为羟基乙叉二磷酸，乙二胺四甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐，二乙烯三胺五羧酸盐，水解聚马来酸酐、聚丙烯酸、聚羟基丙烯酸、马来酸丙烯酸共聚物、聚丙烯酰胺、乙二胺四乙酸盐、聚天冬氨酸盐、谷氨酸二乙酸盐、甲基甘氨酸二乙酸盐和天冬氨酸二乙酸盐中的一种或几种。
优选的，所述表面活性剂包括烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚。
优选的，所述无机盐包括氯化钠，氯化钾，碳酸钠和碳酸氢钠中的一种或几种。
优选的，所述pH调节剂为氨水、氢氧化钠和氢氧化钾中的一种或几种。
优选的，所述A组分、B组分和C组分的质量比为(9～12)：(5～10)：1。
本发明提供如上文所述的化学机械抛光液的制备方法，包括以下步骤：
将20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水混合，搅拌均匀得到A组分；
将0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水混合，搅拌均匀得到B组分；
将草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸、硝酸和双氧水中的一种或几种与水混合，得到C组分；
将A组分、B组分和C组分混合后进行化学机械抛光。
本发明提供如上文所述的化学机械抛光液在碳化硅的化学机械抛光中的应用。
优选的，所述碳化硅的化学机械抛光中，抛光垫的邵氏硬度为40～80A，压缩比≥10％的阻尼布。
优选的，所述碳化硅的化学机械抛光中，抛光机的下盘转速为10～80rpm，抛光头转速为10～80rpm。
本发明提供了一种化学机械抛光液，包括A组分、B组分和C组分；A组分包括20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水；B组分包括0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水，B组分的pH值为8～10.5；C组分包括草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸、硝酸和双氧水中的一种或几种，C组分的pH值为4～7。本发明选择二氧化硅组分A作为主磨料，组分C过氧化氢作为氧化剂，组分B主要包括钒酸等为PH调节剂，本身这些组分混合不能稳定存在，本发明将其设计为三组分，组分C采用酸性介质将抛光液进行调节PH，提高过氧化氢的氧化能力，钒酸和氢氧化钠进行PH调节，合适的PH会使抛光过程中化学作用和机械作用动态一致，获得高去除量和好的抛光表面质量，该抛光液中性的PH值可获得较高的去除量且抛光表面质量佳，且利于生产设备长期运行，增强使用寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例抛光设备加工应用的示意图；
图2为本发明实施例1制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的局部表面原子力显微镜实测图；
图3为本发明实施例2制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的局部表面原子力显微镜实测图；
图4为本发明实施例3制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的局部表面原子力显微镜实测图；
图5为本发明实施例3制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的表面显微镜表面检测实测图；
图6为本发明实施例3制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的表面缺陷检测实测图；
图7为本发明实施例3制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的表面平整度检测实测图(FM200的Plots图)；
图8为本发明实施例3制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的表面平整度检测实测图(FM200的Site Maps图)。
具体实施方式
本发明提供了一种化学机械抛光液，包括A组分、B组分和C组分；
A组分包括20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水；
B组分包括0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水，B组分的pH值为8～10.5；
C组分包括草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸、硝酸和双氧水中的一种或几种，C组分的pH值为4～7。
在本发明中，所述A组分为主要采用二氧化硅作为主磨料的水性抛光液，包括20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水。
在本发明中，所述二氧化硅的粒径优选为100～110nm，所述二氧化硅的质量分数优选为20～50wt％，更优选为30～40wt％，如20wt％，25wt％，30wt％，35wt％，40wt％，45wt％，50wt％，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值。
所述络合剂优选为羟基乙叉二磷酸，乙二胺四甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐，二乙烯三胺五羧酸盐，水解聚马来酸酐、聚丙烯酸、聚羟基丙烯酸、马来酸丙烯酸共聚物、聚丙烯酰胺、乙二胺四乙酸盐、聚天冬氨酸盐、谷氨酸二乙酸盐、甲基甘氨酸二乙酸盐和天冬氨酸二乙酸盐中的一种或几种；所述络合剂的质量分数优选为0.001～2wt％，更优选为0.01～1.5wt％，如0.001wt％，0.005wt％，0.01wt％，0.015wt％，0.02wt％，0.05wt％，0.08wt％，0.1wt％，0.5wt％，1wt％，1.5wt％，2wt％，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值。
所述表面活性剂优选包括烷基酚聚氧乙烯醚(APEO)和脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)，其中脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)优选为C12～15聚氧乙烯3醚，C12～15聚氧乙烯7醚，C12～15聚氧乙烯9醚和C12～15聚氧乙烯10醚中的一种或几种；所述烷基酚聚氧乙烯醚(APEO)和脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)的质量比优选为1：(0.9～1.1)，更优选为1:1；所述表面活性剂的质量分数优选为0.001～1wt％，更优选为0.01～0.5wt％，如0.001wt％，0.002wt％，0.003wt％，0.004wt％，0.005wt％，0.006wt％，0.008wt％，0.01wt％，0.05wt％，0.1wt％，0.5wt％，1wt％，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值。
在本发明中，所述无机盐优选为氯化钠，氯化钾，碳酸钠和碳酸氢钠中的一种或几种，所述无机盐的质量分数优选为0.001～1wt％，更优选为0.01～0.5wt％，如0.001wt％，0.002wt％，0.003wt％，0.004wt％，0.005wt％，0.006wt％，0.008wt％，0.01wt％，0.05wt％，0.1wt％，0.5wt％，1wt％，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值。
在本发明中，所述B组分为辅助化学添加剂，包括0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水；所述B组分的pH值优选为8～10.5。
在本发明中，所述偏钒酸钠的质量分数优选为0.01～15wt％，更优选为1～12wt％，如0.01wt％，0.1wt％，0.5wt％，1wt％，2wt％，3wt％，4wt％，5wt％，6wt％，7wt％，8wt％，9wt％，10wt％，11wt％，12wt％，13wt％，14wt％，15wt％，优选为以上述任意数值为上限或下限的范围值。
在本发明中，所述pH调节剂优选为氨水、氢氧化钠和氢氧化钾中的一种或几种；本发明对所述pH调节剂的用量没有特殊的限制，能够将B组分的pH值调节到限定范围内即可。
在本发明中，所述C组分包括双氧水和酸性介质，所述酸性介质为草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸和硝酸中的一种或几种，所述双氧水的质量分数优选为30％；本发明对所述酸性介质的用量没有特殊的限制，能够将C组分的pH值调节至4～7范围内即可。
在本发明中，所述A组分、B组分和C组分的质量比优选为(9～12)：(5～10)：1，更优选为(10～11)：(6～9)：1，最优选为10:8:1。
本发明还提供了一种化学机械抛光液的制备方法，包括以下步骤：
将20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水混合，搅拌均匀得到A组分；
将0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水混合，搅拌均匀得到B组分；
将草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸、硝酸和双氧水中的一种或几种与水混合，得到C组分；
将A组分、B组分和C组分混合后进行化学机械抛光，A组分、B组分和C组分混合后得到的化学机械抛光液的pH值为中性，为6.5～7.5。
本发明还提供了一种上文所述的化学机械抛光液在碳化硅的化学机械抛光中的应用。
在本发明中，所述碳化硅的化学机械抛光中，抛光垫的邵氏硬度为40～80A，更优选为50～70A，最优选为50～60A，抛光垫的压缩比优选≥10％，所述抛光垫的材质优选为阻尼布。
在本发明中，抛光机的下盘转速优选为10～80rpm，更优选为20～70rpm，最优选为30～60rpm；所述抛光头转速优选为10～80rpm，更优选为20～70rpm，最优选为30～60rpm。
本发明提供了一种化学机械抛光液，包括A组分、B组分和C组分；A组分包括20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水；B组分包括0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水，B组分的pH值为8～10.5；C组分包括草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸、硝酸和双氧水中的一种或几种，C组分的pH值为4～7。本发明选择二氧化硅组分A作为主磨料，组分C过氧化氢作为氧化剂，组分B主要包括钒酸等为PH调节剂，本身这些组分混合不能稳定存在，本发明将其设计为三组分，组分C采用酸性介质将抛光液进行调节PH，提高过氧化氢的氧化能力，钒酸和氢氧化钠进行PH调节，合适的PH会使抛光过程中化学作用和机械作用动态一致，获得高去除量和好的抛光表面质量，该抛光液中性的PH值可获得较高的去除量且抛光表面质量佳，且利于生产设备长期运行，增强使用寿命。
为了进一步说明本发明，以下结合实施例对本发明提供的一种化学机械抛光液、其制备方法及应用进行详细描述，但不能将其理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
A组份主要采用含量20wt％，粒径100纳米的二氧化硅水性抛光液10Kg；
然后添加络合剂羟基乙叉二磷酸0.001wt％，乙二胺四甲叉膦酸钠0.001wt％、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐0.001wt％，二乙烯三胺五羧酸盐0.001wt％，聚丙烯酸0.001wt％、聚羟基丙烯酸0.001wt％、谷氨酸二乙酸盐0.001wt％、甲基甘氨酸二乙酸盐0.001wt％，总含量0.008wt％；
然后添加表面活化剂，选用烷基酚聚氧乙烯醚(APEO)0.002wt％和脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)0.002wt％,总含量0.004wt％；无机盐类，氯化钠0.001wt％，氯化钾0.001wt％，碳酸钠0.001wt％，总含量0.003％wt％。
搅拌均匀后形成抛光液A；
B组份，采用含量4wt％偏钒酸钠水性溶液8kg；然后添加PH值调节剂，氨水0.3wt％、氢氧化钠3.5wt％，PH值9；其余为高纯水。
搅拌均匀后形成辅助化学添加剂B；
C组份，采用1L 30wt％双氧水，增加柠檬酸0.5g，搅拌均匀使PH值3.5，形成反应化学添加剂C。
抛光加工所用抛光垫材料邵氏硬度60A，压缩率10％；抛光机下盘转速60rpm，抛光头转速66rpm，抛光头提供200g/cm2压力。
抛光过程稳定，加工结果去除速率可以达到300nm/h，表面粗糙度0.067nm，表面无划痕。可以达到外延客户对表面质量的实际需求。
对实施例1制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的局部表面原子力显微镜如图2所示，由图2可知，晶片表面粗糙度为0.067nm，低于0.2nm，表面较平整。
实施例2
A组份主要采用含量20wt％，粒径100纳米的二氧化硅水性抛光液10Kg；
然后添加络合剂羟基乙叉二磷酸0.001wt％，乙二胺四甲叉膦酸钠0.001wt％、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐0.001wt％，二乙烯三胺五羧酸盐0.001wt％，聚丙烯酸0.001wt％、聚羟基丙烯酸0.001wt％、谷氨酸二乙酸盐0.001wt％、甲基甘氨酸二乙酸盐0.001wt％，总含量0.008wt％；
然后添加表面活化剂，选用烷基酚聚氧乙烯醚(APEO)0.002wt％和脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)0.002wt％,总含量0.004wt％；无机盐类，氯化钠0.001wt％，氯化钾0.001wt％，碳酸钠0.001wt％，总含量0.003％wt％。
搅拌均匀后形成抛光液A；
B组份，采用含量4wt％偏钒酸钠水性溶液8kg；然后添加PH值调节剂，氨水0.3wt％、氢氧化钠4wt％，PH值9.5；其余为高纯水。
搅拌均匀后形成辅助化学添加剂B；
C组份，采用1L 30wt％双氧水，增加柠檬酸0.5g，搅拌均匀使PH值3.5，形成反应化学添加剂C。
抛光加工所用抛光垫材料邵氏硬度60A，压缩率10％；抛光机下盘转速60rpm，抛光头转速66rpm，抛光头提供200g/cm2压力。
抛光过程稳定，加工结果去除速率可以达到320nm/h，表面粗糙度0.060nm，表面无划痕。可以达到外延客户对表面质量的实际需求。
对实施例2制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的局部表面原子力显微镜如图3所示，由图3可知，晶片表面粗糙度为0.060nm，低于0.2nm，表面较平整。
实施例3
A组份主要采用含量20wt％，粒径100纳米的二氧化硅水性抛光液10Kg；
然后添加络合剂羟基乙叉二磷酸0.001wt％，乙二胺四甲叉膦酸钠0.001wt％、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐0.001wt％，二乙烯三胺五羧酸盐0.001wt％，聚丙烯酸0.001wt％、聚羟基丙烯酸0.001wt％、谷氨酸二乙酸盐0.001wt％、甲基甘氨酸二乙酸盐0.001wt％，总含量0.008wt％；
然后添加表面活化剂，选用烷基酚聚氧乙烯醚(APEO)0.002wt％和脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)0.002wt％,总含量0.004wt％；无机盐类，氯化钠0.001wt％，氯化钾0.001wt％，碳酸钠0.001wt％，总含量0.003％wt％。
搅拌均匀后形成抛光液A；
B组份，采用含量4wt％偏钒酸钠水性溶液8kg；然后添加PH值调节剂，氨水0.3wt％、氢氧化钠5wt％，PH值10；其余为高纯水。
搅拌均匀后形成辅助化学添加剂B；
C组份，采用1L 30wt％双氧水，增加柠檬酸0.5g，搅拌均匀使PH值3.5，形成反应化学添加剂C。
抛光加工所用抛光垫材料邵氏硬度60A，压缩率10％；抛光机下盘转速60rpm，抛光头转速66rpm，抛光头提供200g/cm2压力。
抛光过程稳定，加工结果去除速率可以达到375nm/h，表面粗糙度0.065nm，表面无划痕。可以达到外延客户对表面质量的实际需求。
对实施例3制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的局部表面原子力显微镜如图4所示，由图4可知，晶片表面粗糙度为0.065nm，低于0.2nm，表面平整，具有较高质量的晶片表面。
图5为本发明实施例3制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的表面显微镜表面检测实测图，从左至右放大倍数依次为X50、X100、X200，由图5可知，晶片表面均匀，无可见划痕，具有平整无损伤的表面。
图6为本发明实施例3制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的表面缺陷检测实测图，由图6可知，晶片表面无纳米级划痕，仅少量颗粒团聚，表面无机械划伤或损伤层，表现出优异的加工表面质量。
图7为本发明实施例3制得的抛光液应用于碳化硅晶圆的表面平整度检测实测图，由图7可知，抛光后晶片弯曲度(BOW)、翘曲度(Warp)均小于12μm，总厚度变化(TTV)小于3μm、局部厚度变化(LTV)小于1μm，表现出较好的表面平整度。
实施例4
按照实施例3的方法制备化学机械抛光液，不同的是，本实施例中的B组份，采用含量4wt％偏钒酸钠水性溶液8kg；然后添加PH值调节剂，氨水0.3wt％、氢氧化钠10wt％，PH值10；其余为高纯水。
抛光过程稳定，加工结果去除速率可以达到439nm/h，表面粗糙度0.106nm，表面无划痕。可以达到外延客户对表面质量的实际需求。
实施例5
按照实施例3的方法制备化学机械抛光液，不同的是，本实施例中B组份采用含量5wt％偏钒酸钠水性溶液8kg；然后添加PH值调节剂，氨水0.3wt％、氢氧化钠5wt％，PH值7；其余为高纯水。
抛光过程稳定，加工结果去除速率可以达到330nm/h，表面粗糙度0.088nm，表面无划痕。可以达到外延客户对表面质量的实际需求。
实施例6
按照实施例3的方法制备化学机械抛光液，不同的是，本实施例中B组份采用含量6wt％偏钒酸钠水性溶液8kg；然后添加PH值调节剂，氨水0.3wt％、氢氧化钠5wt％，PH值6.5；其余为高纯水。
抛光过程稳定，加工结果去除速率可以达到325nm/h，表面粗糙度0.096nm，表面无划痕。可以达到外延客户对表面质量的实际需求。
对比例1
按照实施例3的方法制备化学机械抛光液，不同的是，本对比例中B组分采用5wt％的氢氧化钠，其余为高纯水。
对比例2
按照实施例3的方法制备化学机械抛光液，不同的是，本对比例中B组分采用4wt％氢氧化钾+1wt％四甲基氢氧化铵，其余为高纯水。
将上述实施例1～4和对比例1～2制备出的碳化硅抛光液进行效果抛光实验，实验过程的抛光条件如下：6英寸碳化硅晶片，抛光机，抛光垫：邵氏硬度60A，压缩率10％阻尼布，抛光压力：200g/cm2，抛光头转速：66rpm、抛光机下盘转速：60rpm，抛光液流速：5.0L/min，抛光时间：4h，抛光温度：室温，结果如表1所示。
表1实施例和对比例的抛光效果
由表1看出，本发明所述的钒酸体系碳化硅抛光液，随着B组份氢氧化钠浓度的提高，混合后的抛光液的PH值越大，去除速率有所提升，4wt％偏钒酸钠、5wt％氢氧化钠的比例下，具有较好的去除量和抛光后表面质量；4wt％偏钒酸钠比例下，提高氢氧化钠比例，PH降低，去除量降低，表面质量有所下降，故4wt％偏钒酸钠、5wt％氢氧化钠比例下同时都能够得到表面粗糙度很低的超光滑表面。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种化学机械抛光液，包括A组分、B组分和C组分；
A组分包括20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水；
B组分包括0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水，B组分的pH值为8～10.5；
C组分包括双氧水和酸性介质，C组分的pH值为4～7；
所述A组分、B组分和C组分的质量比为(9～12)：(5～10)：1；
将A组分、B组分和C组分混合后进行化学机械抛光。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述络合剂为羟基乙叉二磷酸，乙二胺四甲叉膦酸钠、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐，二乙烯三胺五羧酸盐，水解聚马来酸酐、聚丙烯酸、聚羟基丙烯酸、马来酸丙烯酸共聚物、聚丙烯酰胺、乙二胺四乙酸盐、聚天冬氨酸盐、谷氨酸二乙酸盐、甲基甘氨酸二乙酸盐和天冬氨酸二乙酸盐中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述表面活性剂包括烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述无机盐包括氯化钠，氯化钾，碳酸钠和碳酸氢钠中的一种或几种。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述pH调节剂为氨水、氢氧化钠和氢氧化钾中的一种或几种。
6.如权利要求1～5任意一项所述的化学机械抛光液的制备方法，包括以下步骤：
将20～50wt％的二氧化硅、0.001～2wt％的络合剂、0.001～1wt％表面活性剂、0.001～1wt％无机盐和水混合，搅拌均匀得到A组分；
将0.01～15wt％的偏钒酸钠、pH值调节剂和水混合，搅拌均匀得到B组分；
将草酸、柠檬酸、苹果酸、盐酸、硝酸和双氧水中的一种或几种与水混合，得到C组分；
将A组分、B组分和C组分混合后进行化学机械抛光。
7.如权利要求1所述的化学机械抛光液在碳化硅的化学机械抛光中的应用。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述碳化硅的化学机械抛光中，抛光垫的邵氏硬度为40～80A，压缩比≥10％的阻尼布。
9.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述碳化硅的化学机械抛光中，抛光机的下盘转速为10～80rpm，抛光头转速为10～80rpm。
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