CN115777241A - 包含有机化合物的有机发光器件 - Google Patents
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Abstract
本说明书涉及包括发光层的有机发光器件。
Description
技术领域
本申请主张于2020年10月16日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2020-0134369号的优先权,其全部内容包含在本说明书中。
本说明书涉及包含有机化合物的有机发光器件。
背景技术
通常情况下,有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于它们之间的有机物层的结构。在这里,为了提高有机发光器件的效率和稳定性,有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成,例如,可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言,如果在两电极之间施加电压,则空穴从阳极注入有机物层,电子从阴极注入有机物层,当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton),该激子重新跃迁至基态时就会发出光。
持续要求开发用于如上所述的有机发光器件的新的材料。
现有技术文献
(专利文献1)公开专利公报10-2015-0011347
发明内容
技术课题
本说明书提供包含有机化合物的有机发光器件。
课题的解决方法
本说明书提供一种有机发光器件,其中,包括:
阳极、阴极、以及设置在上述阳极与上述阴极之间的有机物层,
上述有机物层包括发光层,
上述发光层的最大发光峰存在于400nm至500nm的范围内,
上述发光层包含下述化学式1的化合物和下述化学式2的化合物。
[化学式1]
在上述化学式1中,
Ar1为取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、或者取代或未取代的荧蒽基,
L1为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
X1为O或S,
R1至R8中的一个连接于L1,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、氰基、卤素基团、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基,或者与相邻的取代基结合而形成取代或未取代的环,
n1为0至3的整数,
[化学式2]
在上述化学式2中,
D为氘,
Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
Ar13为氢、氘、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
m1为0至7的整数。
发明效果
在本说明书中记载的有机发光器件通过在发光层中包含化学式1的化合物和化学式2的化合物,从而具有较低的驱动电压,具有优异的效率特性、以及优异的寿命。具体而言,通过适当地调节HOMO能级与LUMO能级来调节电子传输程度和空穴传输程度,从而可以实现较低的驱动电压、高效率,并且可以改善寿命。
特别是,化学式1具有较高的三重态能级,通过基于三重态的额外的电子传递机理,可以显示出额外的效率增加。
附图说明
图1和2图示了根据本说明书的一实施方式的有机发光器件的例子。
具体实施方式
下面,对本说明书更详细地进行说明。
本发明的化学式1是在菲基、芘基、三亚苯基、或荧蒽基的多环芳基上连接有二苯并呋喃或二苯并噻吩的结构。将化学式1的化合物用作蓝色发光层的主体时,利用与蒽系主体相比显著高的三重态能级,通过向掺杂剂的三重态能级的电子迁移,可以显示出额外的效率增加效果。
本发明的化学式2是蒽系化合物,虽然电子和空穴的迁移、注入优异,但通过单重态能级进行荧光发光,能量效率不高。当蓝色发光层一同包含化学式1的化合物和化学式2的化合物时,在通过化学式2的蒽系化合物的适当的能级和电子/空穴平衡而维持稳定的性能的状态下,可以一同得到通过化学式1的额外的效率增加效果。
在本说明书中,*或虚线是指连接的部位。
在本说明书中,Cn是指碳原子数为n个,Cn-Cm是指碳原子数为n至m个。
在本说明书中,取代基的例示在下文中进行说明,但并不限定于此。
上述“取代”这一用语是指结合在化合物的碳原子上的氢原子被替换成其它取代基,被取代的位置只要是氢原子可以被取代的位置、即取代基可以取代的位置就没有限定,当取代2个以上时,2个以上的取代基可以彼此相同或不同。
在本说明书中,“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘、卤素基团、氰基、烷基、环烷基、甲硅烷基、芳基和杂环基中的1个或2个以上的取代基取代,或被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代,或者不具有任何取代基。
在本说明书中,3个取代基连接不仅包括(取代基1)-(取代基2)-(取代基3)连续地连接,还包括在(取代基1)中连接有(取代基2)和(取代基3)。例如,2个苯基和异丙基连接而可以成为这样的取代基。4个以上的取代基连接的情况也适用与上述相同的定义。
在本说明书的一实施方式中,“取代或未取代的”这一用语是指被选自由氘、卤素基团、氰基、C1-C10的烷基、C3-C30的环烷基、甲硅烷基、C6-C30的芳基、以及C2-C30的杂环基组成的组中的1个或2个以上的取代基取代,或被选自上述组中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代或未被取代。
在本说明书的一实施方式中,“取代或未取代的”这一用语是指被选自由氘、卤素基团、氰基、C1-C6的烷基、C3-C20的环烷基、甲硅烷基、C6-C20的芳基、以及C2-C20的杂环基组成的组中的1个或2个以上的取代基取代,或被选自上述组中的2个以上的取代基连接而成的取代基取代或未被取代。
在本说明书中,N%氘化是指该结构中能够利用的氢的N%被氘取代。例如,在二苯并呋喃中,被氘取代25%是指二苯并呋喃的8个氢中的2个被氘取代。
包含氘的化学式1或2的化合物可以通过公知的氘化反应而制造。根据本说明书的一实施方式,化学式1的化合物将氘化的化合物用作前体而形成,或者也可以利用氘化的溶剂,在酸催化剂下,通过氢-氘交换反应,可以将氘导入化合物中。
在本说明书中,氘化的程度可以通过核磁共振波谱法(1H NMR)或GC/MS等的公知的方法进行确认。
在本说明书中,作为卤素基团的例子,有氟、氯、溴或碘。
在本说明书中,烷基可以为直链或支链,碳原子数没有特别限定,但优选为1至30、1至20、1至10、或1至5。作为具体例,有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基丁基、1-乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、异己基、4-甲基己基、5-甲基己基等,但并不限定于此。
在本说明书中,芳基是指1价的芳香族烃或芳香族烃衍生物的1价基团。芳香族烃是指包含π电子完全共轭的平面的环的化合物,从芳香族烃衍生的基团是指芳香族烃中稠合有芳香族烃或环状脂肪族烃的结构。此外,在本说明书中,芳基包括2个以上的芳香族烃或芳香族烃的衍生物彼此连接而成的1价的基团。芳基没有特别限定,但优选为碳原子数6至50、6至30、6至25、6至20、6至18、、或6至13的芳基,上述芳基可以为单环或多环。具体而言,作为单环芳基,可以为苯基、联苯基、三联苯基等,但并不限定于此。多环芳基可以为萘基、蒽基、菲基、三苯基、芘基、苝基、基、芴基等,但并不限定于此。
在本说明书中,上述芴基可以被取代,相邻的取代基可以彼此结合而形成环。
在本说明书中,当指出芴基可以被取代时,被取代的芴基将芴的五元环的取代基彼此螺结合而形成芳香族烃环的化合物都全部包括在内。上述被取代的芴基包括9,9’-螺二芴、螺[环戊烷-1,9’-芴]、螺[苯并[c]芴-7,9-芴]等,但并不限定于此。
在本说明书中,被取代的芳基中,可以包含在芳基上稠合有脂肪族环的形态。
在本说明书中,杂环基是指1价的芳香族杂环。在这里,芳香族杂环作为芳香族环或芳香族环的衍生物的1价的基团,是指在环中包含N、O和S中的1个以上作为杂原子的基团。上述芳香族环的衍生物将芳香族环上稠合有芳香族环或脂肪族环的结构全部包括在内。此外,在本说明书中,杂环基包括2个以上的包含杂原子的芳香族环或者包含杂原子的芳香族环的衍生物彼此连接而成的1价基团。上述杂环基的碳原子数优选为2至50、2至30、2至20、2至18、或2至13。作为杂环基的例子,有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基、唑基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、三唑基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、二苯并呋喃基等,但并不限定于此。
在本说明书中,杂环基可以为单环或多环,可以为芳香族、脂肪族、或者芳香族与脂肪族的稠环。
在本说明书中,环烷基没有特别限定,但优选为碳原子数3至60的环烷基,根据一实施方式,上述环烷基的碳原子数为3至30。根据另一实施方式,上述环烷基的碳原子数为3至20。根据另一实施方式,上述环烷基的碳原子数为3至6。环烷基不仅包括单环,还包括桥头(bridgehead)、稠环(fused ring)、螺环(spiro)之类的双环基团。具体而言,有环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基等,但并不限定于此。
在本说明书中,脂肪族烃环是指除了芳香族烃环以外的所有烃环,可以包括环烷基环、环烯基环。环烷基环除了是2价基团以外,可以适用上述关于环烷基的说明,环烯基环除了是2价基团以外,可以适用上述关于环烯基的说明。此外,在取代的脂肪族烃环中,也包括稠合有芳香族环的脂肪族烃环。
在本说明书中,亚芳基是指在芳基中有两个结合位置的基团,即2价基团。它们除了各自为2价基团以外,可以适用上述芳基的说明。
在本说明书中,亚杂芳基是指在杂环基中有两个结合位置的基团,即2价基团。它们除了各自为2价基团以外,可以适用上述杂环基的说明。
根据本说明书的一实施方式的有机发光器件,包括:
阳极、阴极、以及设置在上述阳极与上述阴极之间的有机物层,
上述有机物层包括发光层,
上述发光层的最大发光峰存在于400nm至500nm的范围内,
上述发光层包含下述化学式1的化合物和下述化学式2的化合物。
[化学式1]
在上述化学式1中,
Ar1为取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、或者取代或未取代的荧蒽基,
L1为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
X1为O或S,
R1至R8中的一个连接于L1,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、氰基、卤素基团、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基,或者与相邻的取代基结合而形成取代或未取代的环,
n1为0至3的整数,
[化学式2]
在上述化学式2中,
D为氘,
Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
Ar13为氢、氘、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
m1为0至7的整数。
下面,关于化学式1的化合物详细地进行说明。
在本说明书的一实施方式中,Ar1为取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、或者取代或未取代的荧蒽基。
在本说明书的一实施方式中,Ar1为被氘取代或未取代的菲基、被氘取代或未取代的芘基、被氘取代或未取代的三亚苯基、或者被氘取代或未取代的荧蒽基。
在本说明书的一实施方式中,Ar1为菲基、芘基、三亚苯基、或荧蒽基。
在本说明书的一实施方式中,Ar1为下述化学式PAr1至PAr4中的任一个。
[化学式PAr1]
[化学式PAr2]
[化学式PAr3]
[化学式PAr4]
在上述化学式PAr1至PAr4中,
虚线为与上述化学式1的L1连接的部位,
G1至G7相同或不同,各自独立地为氢、氘、氰基、卤素基团、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
g1和g7各自为0至3的整数,g2为0至8的整数,g3为0至9的整数,g4为0至4的整数,g5为0至5的整数,g6为0至6的整数,
g1至g7各自为2以上时,括号内的取代基彼此相同或不同。
在本说明书的一实施方式中,G1至G7彼此相同或不同,各自独立地为氢或氘。
在本说明书的一实施方式中,G1至G7为氢。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式PAr1为下述化学式PAr1-1。
[化学式PAr1-1]
在上述化学式PAr1-1中,
虚线、G1、G2、g1和g2与上述化学式PAr1中的定义相同。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式PAr2为下述化学式PAr2-1。
[化学式PAr2-1]
在上述化学式PAr2-1中,
虚线、G3和g3与上述化学式PAr2中的定义相同。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式PAr3为下述化学式PAr3-1。
[化学式PAr3-1]
在上述化学式PAr3-1中,
虚线、G4、G5、g4和g5与上述化学式PAr3中的定义相同。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式PAr4为下述化学式PAr4-1。
[化学式PAr4-1]
在上述化学式PAr4-1中,
虚线、G6、G7、g6和g7与上述化学式PAr4中的定义相同。
在本说明书的一实施方式中,L1为直接键合、或者取代或未取代的C6-C30的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中,L1为直接键合、或者取代或未取代的C6-C20的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中,L1为直接键合、或者取代或未取代的C6-C10的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中,L1为直接键合、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、或者取代或未取代的亚萘基。
在本说明书的一实施方式中,L1为直接键合、被氘取代或未取代的亚苯基、被氘取代或未取代的亚联苯基、或者被氘取代或未取代的亚萘基。
在本说明书的一实施方式中,L1为直接键合、亚苯基或亚萘基。
在本说明书的一实施方式中,L1为直接键合。
在本说明书的一实施方式中,L1为直接键合、或者选自下述结构中的任一个。
在上述结构中,
虚线为与上述化学式1连接的部位。
上述结构被氘、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基取代或未被取代。
在本说明书的一实施方式中,上述结构被氘取代或未被取代。
在本说明书的一实施方式中,n1为0或1。
在本说明书的一实施方式中,X1为O。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、氰基、卤素基团、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基,或者与相邻的取代基结合而形成取代或未取代的环。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、氰基、卤素基团、取代或未取代的C1-C10的烷基、取代或未取代的C3-C30的环烷基、取代或未取代的C1-C30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的C6-C90的芳基甲硅烷基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C2-C30的杂环基,或者与相邻的取代基结合而形成取代或未取代的C5-C30的环。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、氰基、卤素基团、取代或未取代的C1-C6的烷基、取代或未取代的C3-C30的环烷基、取代或未取代的C1-C18的烷基甲硅烷基、取代或未取代的C6-C60的芳基甲硅烷基、取代或为未取代的C6-C20的芳基、取代或未取代的C2-C20的杂环基,或者与相邻的取代基结合而形成取代或未取代的C5-C20的环。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的C6-C20的芳基,或者相邻的2个取代基彼此结合而形成取代或未取代的C5-C20的环。这时,相邻的2个取代基是指R1和R2、R2和R3、R3和R4、R5和R6、R6和R7、或R7和R8。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的C6-C10的芳基,或者R1和R2、R2和R3、R3和R4、R5和R6、R6和R7、或R7和R8彼此结合而形成取代或未取代的苯环。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基,或者R1和R2、R2和R3、R3和R4、R5和R6、R6和R7、或R7和R8彼此结合而形成取代或未取代的苯环。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、取代或未取代的苯基、取代或未取代的1-萘基、或者取代或未取代的2-萘基,或者R1和R2、R2和R3、R3和R4、R5和R6、R6和R7、或R7和R8彼此结合而形成取代或未取代的苯环。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、被氘取代或未取代的苯基、被氘取代或未取代的联苯基、或者被氘取代或未取代的萘基,或者R1和R2、R2和R3、R3和R4、R5和R6、R6和R7、或R7和R8彼此结合而形成被氘取代或未取代的苯环。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、苯基、联苯基或萘基,或者R1和R2、R2和R3、R3和R4、R5和R6、R6和R7、或R7和R8彼此结合而形成苯环。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个以上为取代或未取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中,R1至R8中的一个以上为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中,(L1)n1为直接键合时,R1至R8中的一个以上为取代或未取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中,(L1)n1为直接键合时,R1至R8中的一个以上为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1为下述化学式101至103中的任一个。
[化学式101]
[化学式102]
[化学式103]
在上述化学式101至103中,
Ar1、L1和n1与上述化学式1中的定义相同,
R1至R12中的一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、氰基、卤素基团、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,R1至R12中的任一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的C6-C20的芳基。
在本说明书的一实施方式中,R1至R12中的任一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中,R1至R12中的任一个与L1连接,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、取代或未取代的苯基、取代或未取代的1-萘基、或者取代或未取代的2-萘基。
在本说明书的一实施方式中,R1至R12中的一个以上为取代或未取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中,R1至R12中的一个以上为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中,R1至R12中的一个为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基,其余为氢或氘。
在本说明书的一实施方式中,(L1)n1为直接键合时,R1至R12中的一个以上为取代或未取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中,(L1)n1为直接键合时,R1至R12中的一个以上为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基。
在本说明书的一实施方式中,(L1)n1为直接键合时,R1至R12中的一个为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、或者取代或未取代的萘基,其余为氢或氘。
在本说明书的一实施方式中,R1与L1连接。在另一实施方式中,R2与L1连接。在另一实施方式中,R3与L1连接。在另一实施方式中,R4与L1连接。在另一实施方式中,R5与L1连接。在另一实施方式中,R6与L1连接。在另一实施方式中,R7与L1连接。在另一实施方式中,R8与L1连接。在另一实施方式中,R9与L1连接。在另一实施方式中,R10与L1连接。在另一实施方式中,R11与L1连接。在另一实施方式中,R12与L1连接。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1为选自下述化合物中的一个。
根据本说明书的一实施方式的有机发光器件的上述发光层包含化学式1的化合物和化学式2的化合物。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1的化合物的三重态能级(T1)比下述化学式2的化合物的三重态能级(T1)高。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1的化合物的三重态能级(T1)为2.0eV以上。优选为2.01eV以上。
在另一实施方式中,上述化学式1的化合物的三重态能级(T1)为3.0eV以下。优选为2.9eV以下,可以更优选为2.8eV以下。
上述化学式1的化合物的三重态能级比上述化学式2的化合物的三重态能级高,满足上述范围时,向掺杂剂的三重态能级的电子注入容易,从而提高激子的形成比率,具有提高发光效率的优点。
在本说明书中,三重态能级(T1)可以利用能够测定荧光和磷光的光谱仪器进行测定,就测定条件而言,在利用液化氮气的极低温状态下,以甲苯或四氢呋喃(THF)作为溶剂而制造浓度为10-6M的溶液,向溶剂照射物质的吸收波长范围的光源,从发光的光谱中将单重态发光排除,分析在三重态发光的光谱而确认。当光源激发电子时,由于电子在三重态停留的时间与在单重态停留的时间相比长得多,因此在极低温状态下能够分离两个成分。
根据本说明书的一实施方式,三重态能量(ET1)可以通过如下述所示的方法进行计算。将样品冷却至77K后,用激发光(360nm)照射磷光测定用样品,使用条纹照相机测定磷光强度后,对磷光光谱的上升支点画切线,求出该切线与x轴的交点的波长值λ边[nm],将该波长值代入下述式1,从而可以计算出换算成能量值的ET1值。这时,利用氮分子激光器(埃德比光子科技(Lasertechnik Berlin)公司制造,MNL200)和条纹相机(滨松光子公司制造,C4334)测定了发光光谱。
[式1]
ET1[eV]=1239.85/λ边
在本说明书的一实施方式中,三重态能级(T1)可以利用美国高斯(Gaussian)公司制造的量子化学式计算程序高斯03进行计算。具体而言,利用密度泛函理论(DFT),利用作为泛函数的B3LYP(Becke,三参数交换函数(three-parameter),Lee-Yang-Parr)、作为基函数的6-31G*,对于优化的结构,可以通过时间依赖密度泛函理论(TD-DFT)求出三重态能量的计算值。
在本说明书的一实施方式中,上述发光层的最大发光峰存在于400nm至500nm的范围内。即,包含化学式1的化合物和化学式2的化合物的发光层发出蓝色的光。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式1的化合物与上述化学式2的化合物的重量比为1:99至50:50。优选为5:95至40:60。更优选为10:90至30:70。满足上述范围时,重现蒽系主体的低电压和高效率,同时向掺杂剂的三重态能级的电子注入变得容易,提高激子的形成比率,因此具有提高发光效率的优点。
在本说明书的一实施方式中,上述发光层可以通过将化学式1的化合物和上述化学式2的化合物进行共蒸镀而形成。
下面,关于化学式2的化合物详细地进行说明。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的C6-C60的芳基、或者取代或未取代的C2-C60的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的C6-C30的芳基、或者取代或未取代的C2-C30的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的C6-C20的芳基、或者取代或未取代的C2-C20的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12为包含O或S的作为杂原素的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的四联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的萘并苯并呋喃基、或者取代或未取代的萘并苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为被氘取代或未取代的C6-C30的芳基;或者被氘、C6-C30的芳基、或被氘取代的C6-C30的芳基取代或未取代的C2-C30的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为被氘取代或未取代的C6-C20的芳基;或者被氘、C6-C20的芳基、或被氘取代的C6-C20的芳基取代或未取代的C2-C20的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为被氘取代或未取代的苯基;被氘取代或未取代的联苯基;被氘取代或未取代的三联苯基;被氘取代或未取代的萘基;被氘取代或未取代的菲基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的二苯并呋喃基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的二苯并噻吩基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的萘并苯并呋喃基;或者被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的萘并苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为被氘取代或未取代的苯基;被氘取代或未取代的1-萘基;被氘取代或未取代的2-萘基;被氘取代或未取代的9-菲基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的1-二苯并呋喃基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的2-二苯并呋喃基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的3-二苯并呋喃基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的4-二苯并呋喃基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、萘并苯并呋喃基、或萘并苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为苯基、萘基、二苯并呋喃基、或萘并苯并呋喃基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11和Ar12中的任一个为取代或未取代的芳基,另一个为取代或未取代的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11为取代或未取代的芳基,Ar12为取代或未取代的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar11为取代或未取代的杂环基,Ar12为取代或未取代的芳基。
在本说明书的一实施方式中,Ar13为氢、氘、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar13为氢、氘、取代或未取代的C6-C30的芳基、或者取代或未取代的C2-C30的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar13为氢、氘、取代或未取代的C6-C20的芳基、或者取代或未取代的C2-C20的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar13为氢;氘;被氘取代或未取代的C6-C30的芳基;或者被氘、C6-C30的芳基、或被氘取代的C6-C30的芳基取代或未取代的C2-C30的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar13为氢;氘;被氘取代或未取代的C6-C20的芳基;或者被氘、C6-C20的芳基、或被氘取代的C6-C20芳基取代或未取代的C2-C20的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar13为氢;氘;被氘取代或未取代的苯基;被氘取代或未取代的联苯基;被氘取代或未取代的三联苯基;被氘取代或未取代的萘基;被氘取代或未取代的菲基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的二苯并呋喃基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的二苯并噻吩基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的萘并苯并呋喃基;或者被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的萘并苯并噻吩基。
在本说明书的一实施方式中,Ar13为氢;氘;被氘取代或未取代的苯基;被氘取代或未取代的1-萘基;被氘取代或未取代的2-萘基;被氘取代或未取代的9-菲基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的1-二苯并呋喃基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的2-二苯并呋喃基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的3-二苯并呋喃基;被氘、苯基或苯-d5基取代或未取代的4-二苯并呋喃基。
在本说明书的一实施方式中,Ar13为氢或氘。
在本说明书的一实施方式中,L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中,L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、或者取代或未取代的C6-C60的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中,L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、或者取代或未取代的C6-C30的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中,L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基、或者取代或未取代的亚萘基。
在本说明书的一实施方式中,L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、或者被氘取代或未取代的C6-C30的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中,L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、或者被氘取代或未取代的C6-C20的亚芳基。
在本说明书的一实施方式中,L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、被氘取代或未取代的亚苯基、被氘取代或未取代的亚联苯基、或者被氘取代或未取代的亚萘基。
在本说明书的一实施方式中,L11为直接键合。
在本说明书的一实施方式中,L12为直接键合。
在本说明书的一实施方式中,L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、或者选自下述结构中的任一个。
在上述结构中,D是指氘,k1为0至4的整数,k2为0至6的整数。
在本说明书的一实施方式中,k1为1以上。在另一实施方式中,k1为2以上。在另一实施方式中,k1为3以上。在另一实施方式中,k1为4。
在本说明书的一实施方式中,k2为1以上。在另一实施方式中,k2为2以上。在另一实施方式中,k2为3以上。在另一实施方式中,k2为4以上。在另一实施方式中,k2为5以上。在另一实施方式中,k2为6。
在本说明书的一实施方式中,m1为1以上。在另一实施方式中,m1为2以上。在另一实施方式中,m1为3以上。在另一实施方式中,m1为4以上。在另一实施方式中,m1为5以上。在另一实施方式中,m1为6以上。在另一实施方式中,m1为7以上。在另一实施方式中,m1为8。以上。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式2为选自下述化合物中的一个。
根据本说明书的一实施方式的化合物可以通过后述的制造方法进行制造。根据需要,可以增加或排除取代基,可以改变取代基的位置。此外,以本技术领域中已知的技术为基础,可以变更起始物质、反应物质、反应条件等。制造方法可以通过后述的制造例更具体化,可以根据化合物改变上述反应顺序,上述化学式1的蒽化合物的合成方法并不限定于上述方法。
本说明书提供包含上述的化合物的有机发光器件。
在本说明书中,当指出某一构件位于另一个构件“上”时,其不仅包括某一构件与另一构件相接的情况,还包括两构件之间存在其它构件的情况。
在本说明书中,当指出某一部分“包括/包含”某一构成要素时,只要没有特别相反的记载,则意味着可以进一步包括其它构成要素,而不是将其它构成要素排除。
在本说明书中,上述“层”是与本技术领域中主要使用的“膜”互换的意思,是指覆盖目标区域的涂层。上述“层”的大小没有限定,各个“层”其大小可以相同或不同。根据一实施方式,“层”的大小可以与整个器件相等,可以相当于特定功能性区域的大小,也可以小到单一子像素(sub-pixel)的程度。
在本说明书中,特定的A物质包含在B层中的意思将i)1种以上的A物质包含在一层的B层中的情形、以及ii)B层由1层以上构成且A物质包含在多层的B层中的1层以上中的情形全部包括在内。
在本说明书中,特定的A物质包含在C层或D层中的意思是指以下全部情形:i)包含在1层以上的C层中的1层以上中、或者ii)包含在1层以上的D层中的1层以上中、或者iii)分别包含在1层以上的C层和1层以上的D层中。
本说明书的有机发光器件的有机物层可以由单层结构形成,还可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如,可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层等的结构。但是,有机发光器件的结构并不限定于此。
在本说明书的一实施方式中,上述发光层可以由单层结构形成,还可以包括2层以上的发光层。上述发光层为单层时,在一个层中包含上述化学式1的化合物和上述化学式2的化合物。上述发光层包括2层以上的发光层时,在一个层中可以包含上述化学式1的化合物和上述化学式2的化合物,也可以在彼此不同的发光层中分别包含上述化学式1的化合物和上述化学式2的化合物。例如,上述发光层可以包括包含上述化学式1的化合物的第一发光层和包含上述化学式2的化合物的第二发光层。这时,上述第二发光层可以设置在上述第一发光层与上述阴极之间。上述第一发光层与上述第二发光层可以彼此相接而设置。上述第一发光层和上述第二发光层分别包含上述化学式1的化合物和上述发光层2的化合物作为主体时,上述第一发光层和上述第二发光层还分别包含掺杂剂化合物。这时,第一发光层和上述第二发光层之间可以包含彼此相同的种类的掺杂剂物质,也可以包含彼此不同的种类的掺杂剂物质,但优选包含相同的种类的掺杂剂物质。
在本说明书的一实施方式中,上述发光层包含上述化学式1的化合物和上述化学式2的化合物作为主体。
在本说明书的一实施方式中,上述发光层还包含掺杂剂物质。上述掺杂剂为磷光掺杂剂或荧光掺杂剂,作为荧光掺杂剂,可以包含芳基胺系化合物或含硼多环化合物。
在本说明书的一实施方式中,上述发光层还包含掺杂剂物质,上述掺杂剂物质为芳基胺系化合物、或含硼多环化合物。
在本说明书的一实施方式中,上述掺杂剂为由下述化学式Z1至Z3中的任一个表示的化合物。具体而言,上述芳基胺系化合物为下述化学式Z1或Z2的化合物,含硼多环化合物为下述化学式Z3的化合物。
[化学式Z1]
[化学式Z2]
[化学式Z3]
在上述化学式Z1至Z3中,
X3和X4各自为氢或氘,或者彼此直接单一键合而形成环,
R41和R42彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的烷基,
Ar31至Ar34、Ar41至Ar44、Ar51和Ar52彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
Cy1至Cy3彼此相同或不同,各自独立地为单环至多环的芳香族烃环、或者单环至多环的芳香族杂环,
R31、R32、R43至R46、R51至R53彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、卤素基团、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基、或者与相邻的取代基彼此结合而形成取代或未取代的环,
r41、r42和r51至r53各自为0至4的整数,为2以上时,括号内的取代基彼此相同或不同。
在本说明书的一实施方式中,Ar31至Ar34、Ar41至Ar44、Ar51和Ar52彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的C6-C30的芳基、或者取代或未取代的C2-C30的杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Ar31至Ar34、Ar41至Ar44、Ar51和Ar52彼此相同或不同,各自独立地为被选自由氘、卤素基团和C1-C6的烷基组成的组中的1个以上的取代基或选自上述组中的2个以上的基团连接而成的取代基取代或未取代的C6-C20的芳基;或者被选自由氘、卤素基团和C1-C6的烷基组成的组中的1个以上的取代基或选自上述组中的2个以上的基团连接而成的取代基取代或未取代的C2-C20杂环基。
在本说明书的一实施方式中,Cy1至Cy3彼此相同或不同,各自独立地为单环至3环的芳香族烃环;或者含有N、O或S的单环至3环的芳香族杂环。
在本说明书的一实施方式中,Cy1至Cy3彼此相同或不同,各自独立地为苯环、萘环、呋喃环、噻吩环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、二苯并呋喃环、或二苯并噻吩环,可以进一步稠合有C5-C10的脂肪族烃环。
在本说明书的一实施方式中,R31、R32、R43至R46、R51至R53彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、卤素基团、氰基、取代或未取代的C1-C10的烷基、取代或未取代的C1-C30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的C6-C90的芳基甲硅烷基、取代或未取代的C3-C30的环烷基、取代或未取代的C1-C30的烷基胺基、取代或未取代的C6-C60的芳基胺基、取代或未取代的C2-C60的杂芳基胺基、取代或未取代的C6-C30的芳基、或者取代或未取代的C2-C30的杂环基,或者与相邻的取代基彼此结合而形成C3-C30的烃环、或者取代或未取代的C2-C30的杂环。
在本说明书的一实施方式中,上述掺杂剂为上述化学式Z3的化合物。
在本说明书的一实施方式中,上述化学式Z3为下述化学式Z3-1至Z3-3中的任一个。
[化学式Z3-1]
[化学式Z3-2]
[化学式Z3-3]
在上述化学式Z3-1至Z3-3中,
R51至R53、r52、Ar51和Ar52与化学式Z3中的定义相同,
X5为0或S,
r521为0至2的整数,r521为2时,R52彼此相同或不同。
在本说明书的一实施方式中,Ar51和Ar52彼此相同或不同,各自独立地为稠合或未稠合有脂肪族烃环的C6-C30的芳基、或者C2-C30的杂环基,上述芳基或杂环基为被选自由氘、卤素基团、以及C1-C10的烷基组成的组中的1个以上的取代基或者选自上述组中的2个以上的基团连接而成的取代基取代或未被取代。
在本说明书的一实施方式中,Ar51的芳基或杂环基在对于连接的N邻位(ortho)取向的位置包含不是氢的取代基。
在本说明书的一实施方式中,Ar52的芳基或杂环基在对于连接的N邻位取向的位置包含不是氢的取代基。
在本说明书的一实施方式中,R51至R53彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、卤素基团、氰基、取代或未取代的C1-C10的烷基、取代或未取代的C1-C30的烷基甲硅烷基、取代或未取代的C6-C90的芳基甲硅烷基、取代或未取代的C3-C30的环烷基、取代或未取代的C1-C30的烷基胺基、取代或未取代的C6-C60芳基胺基、取代或未取代的C2-C60的杂芳基胺基、取代或未取代的C6-C30的芳基、或者取代或未取代的C2-C30的杂环基,或者与相邻的取代基彼此结合而形成C3-C30的脂肪族烃环、或者取代或未取代的C6-C30的芳香族烃环。
在本说明书的一实施方式中,R51至R53彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、甲基、叔丁基、苯基、被叔丁基取代的苯基、二苯基胺基或双((叔丁基)苯基)胺基。
在本说明书的一实施方式中,相邻的2个R51、相邻的2个R52、或相邻的2个R53彼此结合而形成取代或未取代的环。这时,环为C3-C30的脂肪族烃环、或C6-C30的芳香族烃环,具体而言,是环戊烯、环己烯、四氢萘环、苯环或萘环。
在本说明书的一实施方式中,上述掺杂剂可以选自下述的结构,但并不限定于此。
在本说明书的一实施方式中,发光层内的掺杂剂以主体100重量份为基准,可以包含0.01重量份至50重量份,优选为0.1重量份至30重量份,更优选地可以包含1重量份至10重量份。在上述范围内时,从主体向掺杂剂的能量传递有效地形成。这时,主体100重量份以上述化学式1的化合物和化学式2的化合物的总重量为基准。
在本说明书的一实施方式中,上述有机物层包括2层以上的发光层,上述2层以上的发光层中的1层包含上述化学式1的化合物。
在本说明书的一实施方式中,上述2层以上的发光层的最大发光峰彼此不同。包含上述化学式1的化合物的发光层呈蓝色,不包含上述化学式1的化合物的发光层可以包含本领域中已知的蓝色、红色或绿色发光化合物。
在本说明书的一实施方式中,包含上述化学式1的化合物和上述化学式2的化合物的发光层包含荧光掺杂剂,不包含上述化学式1的化合物和上述化学式2的化合物的发光层含有磷光掺杂剂。
根据本说明书的一实施方式的有机发光器件的有机物层包括2层以上的发光层,一层发光层(发光层1)的最大发光峰为400nm至500nm,另一层发光层(发光层2)的最大发光峰可以显示为510nm至580nm、或610nm至680nm的最大发光峰。这时,发光层1包含上述化学式1的化合物和化学式2的化合物。
在本说明书的一实施方式中,上述有机发光器件可以是在基板上依次层叠有阳极、1层以上的有机物层和阴极的结构(正常型(normal type))的有机发光器件。
在本说明书的一实施方式中,上述有机发光器件可以是在基板上依次层叠有阴极、1层以上的有机物层和阳极的逆向结构(倒置型(inverted type))的有机发光器件。
本说明书的有机发光器件的结构可以具有如图1和2所示的结构,但不仅限于此。
图1中例示了依次层叠有基板101、阳极102、发光层106和阴极110的有机发光器件的结构。在如上所示的结构中,上述化学式1的化合物和化学式2的化合物可以包含在发光层106中。
图1中例示了依次层叠有基板101、阳极102、空穴注入层103、第一空穴传输层104、第二空穴传输层105、发光层106、电子传输层107、电子注入层108和阴极110的有机发光器件的结构。在如上所示的结构中,上述化学式1的化合物和化学式2的化合物可以包含在发光层106中。
本说明书的有机发光器件除了有机物层包含上述化合物以外,可以通过本技术领域中已知的材料和方法制造。
上述有机发光器件包括复数个有机物层时,上述有机物层可以由相同的物质或不同的物质形成。
例如,本说明书的有机发光器件可以通过在基板上依次层叠阳极、有机物层和阴极而制造。这时可以如下制造:利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beamevaporation)之类的PVD(physical Vapor Deposition:物理气相沉积)方法,在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成阳极,然后在该阳极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的有机物层,之后在该有机物层上蒸镀可用作阴极的物质而制造。除了这种方法以外,也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层和阳极物质而制造有机发光器件。
另外,化合物在制造有机发光器件时不仅可以利用真空蒸镀法,还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里,所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等,但并不限定于此。
除了这些方法以外,还可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件。但是,制造方法并不限定于此。
作为上述阳极物质,通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入,优选为功函数大的物质。例如,有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金;氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物;ZnO:Al或SnO2:Sb等金属与氧化物的组合;聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子等,但并不限定于此。
作为上述阴极物质,通常为了使电子容易地向有机物层注入,优选为功函数小的物质。例如,有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金;LiF/Al或LiO2/Al等多层结构物质等,但并不限定于此。
上述发光层可以包含主体材料和掺杂剂材料。主体材料有芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言,作为芳香族稠环衍生物,有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等,作为含杂环化合物,有二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物 嘧啶衍生物等,但并不限定于此。
作为上述掺杂剂材料,有芳香族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体而言,芳香族胺衍生物是具有取代或未取代的芳基胺基的芳香族稠环衍生物,有具有芳基胺基的芘、蒽、二茚并芘等。此外,苯乙烯基胺化合物是在取代或未取代的芳基胺上取代有至少1个芳基乙烯基的化合物,被选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基胺基中的1个或2个以上的取代基取代或未取代。具体而言,有苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺等,但并不限定于此。此外,作为金属配合物,有铱配合物、铂配合物等,但并不限定于此。
上述空穴注入层是接收来自电极的空穴的层。空穴注入物质优选具有传输空穴的能力,具有接收来自阳极的空穴的效果,以及具有对于发光层或发光材料的优异的空穴注入效果。此外,优选为能够防止发光层中生成的激子向电子注入层或电子注入材料迁移的能力优异的物质。此外,优选为薄膜形成能力优异的物质。此外,优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道,highest occupied molecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。作为空穴注入物质的具体例,有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物;六腈六氮杂苯并菲系有机物;喹吖啶酮(quinacridone)系有机物;苝(perylene)系有机物;蒽醌、聚苯胺、聚噻吩系的导电性高分子等,但并不限定于此。
上述空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层,可以是单层或2层以上的多层结构。作为空穴传输物质,是能够从阳极或空穴注入层接收空穴并将其转移至发光层的物质,优选为对空穴的迁移率大的物质。作为具体例,有芳基胺系有机物、咔唑系化合物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等,但并不限定于此。
在本说明书的一实施方式中,空穴传输层是2层以上的多层结构。具体而言,是2层结构,且各层包含不同的物质。
上述电子传输层是接收来自电子注入层的电子并将电子传输至发光层的层。电子传输物质是能够从阴极良好地接收电子并将其转移至发光层的物质,优选为对电子的迁移率大的物质。作为具体例,有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物等,但并不限定于此。电子传输层可以如现有技术中所使用的那样与任意期望的阴极物质一同使用。特别是,合适的阴极物质是具有低功函数且伴有铝层或银层的通常的物质。具体为铯、钡、钙、镱和钐等,在各情况下均伴有铝层或银层。
上述电子注入层是接收来自电极的电子的层。电子注入物质优选传输电子的能力优异,具有接收来自第二电极的电子的效果,具有对于发光层或发光材料的优异的电子注入效果。此外,优选为防止发光层中生成的激子向空穴注入层迁移且薄膜形成能力优异的物质。具体而言,有芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、唑、二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物和含氮五元环衍生物等,但并不限定于此。
作为上述金属配位化合物,有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等,但并不限定于此。
上述电子阻挡层是可以防止从电子注入层注入的电子经过发光层而进入空穴注入层,从而提高器件的寿命和效率的层。公知的材料可以没有限制地使用,可以形成在发光层与空穴注入层之间、或者发光层与同时进行空穴注入和空穴传输的层之间。
根据所使用的材料,根据本说明书的有机发光器件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。
下面,为了对本说明书具体地进行说明,将举出实施例和比较例等而详细地进行说明。但是,根据本说明书的实施例和比较例可以变形为各种不同的形态,不解释为本说明书的范围限定于下文中详述的实施例和比较例。本说明书的实施例和比较例是为了向本领域技术人员更完整地说明本说明书而提供的。
[化学式1和2的制造]
(制造例1)化合物BH1-1的制造
(制造例1-1)化合物BH1-1-1的制造
在3口烧瓶中,将菲-9-基硼酸(phenanthren-9-ylboronic acid)(50.0g,225mmol)、2-溴-6-氯萘(2-bromo-6-chloronaphthalene)(59.8g,248mmol)溶解于500ml的1,4-二烷中,将K2CO3(62.1g,450mmol)溶解于200ml的H2O而加入。向其中加入Pd(P(t-Bu)3)2(1.14g,2.3mmol),在氩气氛回流条件下,搅拌5小时。反应结束时,冷却至常温后,将反应液移至分液漏斗,用水和甲苯萃取。将萃取液用MgSO4干燥后,过滤和浓缩后,将样品用硅胶柱层析进行纯化,从而获得了49.9g的化合物BH1-1-1。(收率65%,MS[M+H]+=339)
(制造例1-2)化合物BH1-1的制造
在3口烧瓶中,将BH1-1-1(20g,58.9mmol)、二苯并[b,d]呋喃-2-基硼酸(dibenzo[b,d]furan-2-ylboronic acid)(13.7g,64.8mmol)溶解于200ml的1,4-二烷中,将K3CO4(25.0g,117.8mmol)溶解于70ml的H2O而加入。向其中加入Pd(P(t-Bu)3)2(0.30g,0.59mmol),在氩气氛回流条件下,搅拌5小时。反应结束时,冷却至常温后,将反应液移至分液漏斗,用水和甲苯萃取。将萃取液用MgSO4干燥后,过滤和浓缩后,将样品用硅胶柱层析进行纯化,从而获得了12.2g的化合物BH1-1。(收率44%,MS[M+H]+=471)
(制造例2)化合物BH1-2的制造
(制造例2-1)化合物BH1-2-1的制造
使用1-溴-4-氯苯(1-bromo-4-chlorobenzene)代替2-溴-6氯萘,除此以外,通过与制造例1-1相同的方法获得了48.1g的化合物BH1-2-1。(收率74%,MS[M+H]+=289)
(制造例2-2)化合物BH1-2的制造
使用化合物BH1-2-1代替化合物BH1-1-1、使用萘并[2,3-b]苯并呋喃-3-基硼酸(naphtho[2,3-b]benzofuran-3-ylboronic acid)代替二苯并[b,d]呋喃-2-基硼酸,除此以外,通过与制造例1-2相同的方法获得了13.4g的化合物BH1-2。(收率41%,MS[M+H]+=471)
(制造例3)化合物BH1-3的制造
(制造例3-1)化合物BH1-3-1的制造
使用芘-1-基硼酸(pyrene-1-ylboronic acid)代替菲-9-基硼酸,除此以外,通过与制造例1-1相同的方法获得了45.0g的化合物BH1-3-1。(收率62%,MS[M+H]+=365)
(制造例3-2)化合物BH1-3的制造
使用化合物BH1-3-1代替化合物BH1-1-1、使用二苯并[b,d]呋喃-4-基硼酸(dibenzo[b,d]furan-4-ylboronic acid)代替二苯并[b,d]呋喃-2-基硼酸,除此以外,通过与制造例1-2相同的方法获得了10.9g的化合物BH1-3。(收率40%,MS[M+H]+=497)
(制造例4)化合物BH1-4的制造
(制造例4-1)化合物BH1-4-1的制造
使用1-溴-4-氯苯(1-bromo-4-chlorobenzene)代替2-溴-6-氯萘,除此以外,通过与制造例3-1相同的方法获得了43.6g的化合物BH1-4-1。(收率69%,MS[M+H]+=315)
(制造例4-2)化合物BH1-4的制造
使用化合物1-4-1代替化合物1-3-1、使用(7-苯基二苯并[b,d]呋喃-2-基)硼酸((7-phenyldibenzo[b,d]furan-2-yl)boronic acid)代替二苯并[b,d]呋喃-2-基硼酸,除此以外,通过与制造例3-2相同的方法获得了12.8g的化合物BH1-4。(收率39%,MS[M+H]+=523)
(制造例5)化合物BH1-5的制造
(制造例5-1)化合物BH1-5-1的制造
使用三亚苯-2-基硼酸(triphenylen-2-ylboronic acid)代替菲-9-基硼酸、使用2-溴-8-氯二苯并[b,d]呋喃(2-bromo-8-chlorodibenzo[b,d]furan)代替2-溴-6-氯萘,除此以外,通过与制造例1-1相同的方法获得了44.7g的化合物BH1-5-1。(收率57%,MS[M+H]+=429)
(制造例5-2)化合物BH1-5的制造
使用化合物BH1-5-1代替化合物BH1-1-1、使用萘-2-基硼酸(naphthalene-2-ylboronic acid)代替二苯并[b,d]呋喃-2-基硼酸,除此以外,通过与制造例1-2相同的方法获得了13.8g的化合物BH1-5。(收率57%,MS[M+H]+=521)
(制造例6)化合物BH1-6的制造
(制造例6-1)化合物BH1-6-1的制造
使用三亚苯-2-基硼酸代替菲-9-基硼酸,除此以外,通过与制造例1-1相同的方法获得了51.0g的化合物BH1-6-1。(收率71%,MS[M+H]+=389)
(制造例6-2)化合物BH1-6的制造
使用化合物BH1-6-1代替化合物BH1-1-1,除此以外,通过与制造例1-2相同的方法获得了10.5g的化合物BH1-6。(收率39%,MS[M+H]+=521)
(制造例7)化合物BH1-7的制造
(制造例7-1)化合物BH1-7-1的制造
使用荧蒽-3-基硼酸(fluoranthen-3-ylboronic acid)代替菲-9-基硼酸,除此以外,通过与制造例2-1相同的方法获得了41.2g的化合物BH1-7-1。(收率65%,MS[M+H]+=204)
(制造例7-2)化合物BH1-7的制造
使用化合物1-7-1代替化合物1-1-1,除此以外,通过与制造例1-2相同的方法获得了13.0g的化合物BH1-7。(收率46%,MS[M+H]+=445)
(制造例8)化合物BH1-8的制造
使用萘并[2,3-b]苯并呋喃-4-基硼酸(naphtho[2,3-b]benzofuran-4-ylboronic acid)代替二苯并[b,d]呋喃-2-基硼酸,除此以外,通过与制造例7-2相同的方法获得了12.2g的化合物BH1-8。(收率39%,MS[M+H]+=495)
(制造例9)化合物BH2-1的制造
(制造例9-1)化合物BH2-1-1的制造
在3口烧瓶中,将9-溴蒽(50.0g,194mmol)、萘-1-硼酸(36.79g,214mmol)溶解于500ml的1,4-二烷中,将K2CO3(80.6g,583mmol)溶解于200ml的H2O而加入。向其中加入Pd(P(t-Bu)3)2(1.98g,3.9mmol),在氩气氛回流条件下,搅拌5小时。反应结束时,冷却至常温后,将反应液移至分液漏斗,用水和甲苯萃取。将萃取液用MgSO4干燥后,过滤和浓缩后,将样品用硅胶柱层析进行纯化,从而获得了49.8g的化合物BH2-1-1。(收率84%,MS[M+H]+=305)
(制造例9-2)化合物BH2-1-2的制造
在双口烧瓶中,加入化合物BH2-1-1(20.0g,65.7mmol)、N-溴代琥珀酰亚胺(NBS)(11.8g,65.7mmol)、300ml的二甲基甲酰胺(DMF),在氩气氛下,在常温搅拌10小时。反应结束后,将反应液移至分液漏斗,用水和乙酸乙酯萃取有机层。将萃取液用MgSO4干燥,过滤和浓缩后,将样品用硅胶柱层析进行纯化,从而获得了18.5g的化合物BH2-1-2。(收率74%,MS[M+H]+=383)
(制造例9-3)化合物BH2-1的制造
在3口烧瓶中,将化合物BH2-1-2(20.0g,52.2mmol)、萘-2-硼酸(9.9g,57.4mmol)溶解于300ml的1,4-二烷中,将K2CO3(14.4g,104mmol)溶解于100ml的H2O而加入。向其中加入Pd(P(t-Bu)3)2(0.27g,0.52mmol),在氩气氛回流条件下,搅拌5小时。反应结束时,冷却至常温后,将反应液移至分液漏斗,用水和甲苯萃取。将萃取液用MgSO4干燥后,过滤和浓缩后,将样品用硅胶柱层析进行纯化,从而获得了11.9g的化合物BH2-1。(收率52%,MS[M+H]+=431)
(制造例10)化合物BH2-2的制造
使用萘并[2,1-b]苯并呋喃-10-基硼酸(naphtho[2,1-b]benzofuran-10-ylboronic acid)代替萘-2-硼酸,除此以外,通过与制造例9-3相同的方法获得了10.1g的化合物BH2-2。(收率37%,MS[M+H]+=521)
(制造例11)化合物BH2-3的制造
(制造例11-1)化合物BH2-3-1的制造
通过与制造例9-1相同的方法获得了40.3g的化合物BH2-3-1。(收率81%,MS[M+H]+=255)
(制造例11-2)化合物BH2-3-2的制造
通过与制造例9-2相同的方法获得了18.8g的化合物BH2-3-2。(收率72%,MS[M+H]+=334)
(制造例11-3)化合物BH2-3的制造
通过与制造例9-3相同的方法获得了11.7g的化合物BH2-3。(收率46%,MS[M+H]+=421)
[实验例1]有机发光器件的制造
实施例1
将ITO(氧化铟锡,Indium Tin Oxide)以150nm的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中,利用超声波进行洗涤。这时,洗涤剂使用菲希尔公司(FischerCo.)制品,蒸馏水使用了利用密理博公司(Millipore Co.)制造的过滤器(Filter)过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后,用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后,用异丙醇、丙酮和甲醇的溶剂进行超声波洗涤并干燥后,输送至等离子体清洗机。此外,利用氮等离子体,将上述基板清洗5分钟后,将基板输送至真空蒸镀机。
在这样准备的ITO透明电极上,将下述HAT-CN化合物以5nm的厚度进行热真空蒸镀而形成空穴注入层。接着,将HTL1以100nm的厚度进行热真空蒸镀而形成第一空穴传输层,接着将HTL2以10nm的厚度进行热真空蒸镀而形成第二空穴传输层。接着,将作为掺杂剂的BD(相对于发光层总100重量%,为2重量%)和作为主体的化合物BH1-1和BH2-1(重量比20:80,相对于发光层总100重量%,主体之和为98重量%)通过共蒸镀的方式进行蒸镀而形成厚度20nm的发光层。接着,将ETL以20nm的厚度进行真空蒸镀而形成电子传输层。接着,将LiF以0.5nm的厚度进行真空蒸镀而形成电子注入层。接着,将铝以100nm的厚度进行蒸镀而形成阴极,从而制造了有机发光器件。
在上述过程中,有机物的蒸镀速度维持0.04nm/秒至0.09nm/秒,电子注入层的氟化锂维持0.03nm/秒的蒸镀速度,阴极的铝维持0.2nm/秒的蒸镀速度,在蒸镀时,真空度维持1Х10-7至5Х10-5托,从而制作了有机发光器件。
实施例2至22和比较例1至7
在上述实施例1中,将下述表1中明示的化合物用作发光层的主体化合物,除此以外,通过与上述实施例1相同的方法制造了有机发光器件。具体而言,实施例1至22混合2种的主体而使用,比较例1至7使用了1种主体。
对上述实施例1至22和比较例1至7中制造的有机发光器件,在10mA/cm2的电流密度下测定了驱动电压和发光效率,在20mA/cm2的电流密度下测定了相对于初始亮度成为97%的时间(T97)。将上述结果示于下述表2。
[表1]
[表2]
可知上述表1的实施例1至22同时包含化学式1的化合物和化学式2的化合物,从而器件的低电压、高效率和长寿命的特性得到强化。
与仅包含化学式2的化合物的比较例1至3相比,本发明的实施例1至22的电压最多减少了10.6%,效率最多上升了8.75%,寿命最多增加了76.25%,与仅包含化学式1的化合物的比较例4至8相比,本发明的实施例1至22的电压最多减少了32.8%,效率最多上升了58.2%,寿命最多增加了370%。
[实验例2]化学式1的化合物的三重态能量测定
利用氮分子激光器(埃德比光子科技公司制造,MNL200)和条纹相机(滨松光子公司制造,C4334)测定了发光光谱。
三重态能量(ET1)可以通过如下述所示的方法进行计算:将样品冷却至77K后,用激发光(360nm)照射磷光测定用样品,使用条纹照相机测定了磷光强度。然后,对磷光光谱的上升支点画切线,从而求出该切线与x轴的交点的波长值λ边[nm]。将该波长值代入下述式1,从而计算了换算成能量值的ET1值,并记载于下述表3。
[式1]
ET1[eV]=1239.85/λ边
[表3]
化合物 | 三重态能量E<sub>T1</sub>(eV) |
BH 1-1 | 2.54 |
BH 1-2 | 2.57 |
BH 1-3 | 2.11 |
BH 1-4 | 2.08 |
BH 1-5 | 2.24 |
BH 1-6 | 2.21 |
BH 1-7 | 2.30 |
BH 1-8 | 2.33 |
BH 2-1 | 1.67 |
BH 2-2 | 1.69 |
BH 2-3 | 1.70 |
观察上述表3,可知本发明的化学式1的化合物的三重态能量为2eV以上,并且比化学式2的化合物的三重态能量高。可以确认化学式1的化合物应用更高的三重态能级,通过向掺杂剂的三重态能级的电子迁移,额外的效率增加。
实施例23
将ITO(氧化铟锡)以150nm的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中,利用超声波进行洗涤。这时,洗涤剂使用菲希尔公司制品,蒸馏水使用了利用密理博公司制造的过滤器过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后,用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后,用异丙醇、丙酮和甲醇的溶剂进行超声波洗涤并干燥后,输送至等离子体清洗机。此外,利用氮等离子体,将上述基板清洗5分钟后,将基板输送至真空蒸镀机。
在这样准备的ITO透明电极上,将下述HAT-CN化合物以5nm的厚度进行热真空蒸镀而形成空穴注入层。接着,将HTL1以100nm的厚度进行热真空蒸镀而形成第一空穴传输层,接着将HTL2以10nm的厚度进行热真空蒸镀而形成第二空穴传输层。接着,将作为掺杂剂的BD(相对于发光层总100重量%,为2重量%)和作为主体的化合物BH1-1通过共蒸镀的方式进行蒸镀而形成了厚度5nm的第一个发光层。接着,在第一个发光层上,将作为掺杂剂的BD(相对于发光层总100重量%,为2重量%)和作为主体的化合物BH2-1通过共蒸镀的方式进行蒸镀而蒸镀了20nm厚度的第二个发光层。接着,将ETL以20nm的厚度进行真空蒸镀而形成电子传输层。接着,将LiF以0.5nm的厚度进行真空蒸镀而形成电子注入层。接着,将铝以100nm的厚度进行蒸镀而形成阴极,从而制造了有机发光器件。
在上述过程中,有机物的蒸镀速度维持0.04nm/秒至0.09nm/秒,电子注入层的氟化锂维持0.03nm/秒的蒸镀速度,阴极的铝维持0.2nm/秒的蒸镀速度,在蒸镀时,真空度维持1Х10-7至5Х10-5托,从而制作了有机发光器件。
实施例24至39和比较例10至14
在上述实施例23中,将下述表4中明示的化合物用作发光层的主体化合物,除此以外,通过与上述实施例23相同的方法制造了器件。比较例10至14只使用了一层的发光层。
对上述实施例23至39和比较例1至7中制造的有机发光器件,在10mA/cm2的电流密度下测定了驱动电压和发光效率,在20mA/cm2的电流密度下测定了相对于初始亮度成为97%的时间(T97)。将上述结果示于下述表5。
[表4]
第一发光层 | 第二发光层 | |
实施例23 | BH 1-1 | BH 2-1 |
实施例24 | BH 1-1 | BH 2-2 |
实施例25 | BH 1-2 | BH 2-1 |
实施例26 | BH 1-2 | BH 2-2 |
实施例27 | BH 1-2 | BH 2-3 |
实施例28 | BH 1-4 | BH 2-1 |
实施例29 | BH 1-4 | BH 2-2 |
实施例30 | BH 1-4 | BH 2-3 |
实施例31 | BH 1-5 | BH 2-1 |
实施例32 | BH 1-5 | BH 2-2 |
实施例33 | BH 1-5 | BH 2-3 |
实施例34 | BH 1-6 | BH 2-1 |
实施例35 | BH 1-6 | BH 2-3 |
实施例36 | BH l-7 | BH 2-1 |
实施例37 | BH 1-7 | BH 2-2 |
实施例38 | BH 1-8 | BH 2-1 |
实施例39 | BH 1-8 | BH 2-2 |
比较例9 | BH 1-1 | |
比较例10 | BH 1-3 | |
比较例11 | BH 1-5 | |
比较例12 | BH 2-1 | |
比较例13 | BH 2-2 | |
比较例14 | BH 2-3 |
L表5]
可知构成2层发光层而制作器件时,与使用通过共蒸镀而形成的1层发光层的情况类似地显示出器件的低电压、高效率和长寿命的特性。
[符号说明]
101:基板
102:阳极
103:空穴注入层
104:第一空穴传输层
105:第二空穴传输层
106:发光层
107:电子传输层
108:电子注入层
110:阴极。
Claims (14)
1.一种有机发光器件,其中,包括:
阳极、阴极、以及设置在所述阳极与所述阴极之间的有机物层,
所述有机物层包括发光层,
所述发光层的最大发光峰存在于400nm至500nm的范围内,
所述发光层包含下述化学式1的化合物和下述化学式2的化合物:
化学式1
在所述化学式1中,
Ar1为取代或未取代的菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的三亚苯基、或者取代或未取代的荧蒽基,
L1为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
X1为O或S,
R1至R8中的一个连接于L1,其余彼此相同或不同,各自独立地为氢、氘、氰基、卤素基团、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基,或者与相邻的取代基结合而形成取代或未取代的环,
n1为0至3的整数,
化学式2
在所述化学式2中,
D为氘,
Ar11和Ar12彼此相同或不同,各自独立地为取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
Ar13为氢、氘、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的杂环基,
L11和L12彼此相同或不同,各自独立地为直接键合、或者取代或未取代的亚芳基,
m1为0至7的整数。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述化学式1的化合物的三重态能级(T1)比所述化学式2的化合物的三重态能级(T1)高。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述化学式1的化合物的三重态能级(T1)为2.0eV以上。
9.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述化学式1的化合物和所述化学式2的化合物的重量比为1:99至50:50。
10.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述发光层包含所述化学式1的化合物和所述化学式2的化合物作为主体。
11.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述发光层还包含掺杂剂物质,
所述掺杂剂物质为芳胺系化合物、或含硼多环化合物。
12.根据权利要求1所述的有机发光器件,其中,所述发光层包括包含所述化学式1的化合物的第一发光层和包含所述化学式2的化合物的第二发光层。
13.根据权利要求12所述的有机发光器件,其中,所述第二发光层设置在所述第一发光层与所述阴极之间。
14.根据权利要求12所述的有机发光器件,其中,所述第一发光层和所述第二发光层彼此相接。
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