CN115735014B - 铜合金塑性加工材、铜合金棒材、电子电气设备用组件及端子 - Google Patents

铜合金塑性加工材、铜合金棒材、电子电气设备用组件及端子 Download PDF

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Abstract

该铜合金塑性加工材具有Mg超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5质量ppm以下，As的含量为5质量ppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为275MPa以下，进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。

Description

铜合金塑性加工材、铜合金棒材、电子电气设备用组件及端子
技术领域
本发明涉及一种适于端子等电子电气设备用组件的铜合金塑性加工材、铜合金棒材、电子电气设备用组件及端子。
本申请基于2020年6月30日于日本申请的专利申请2020-112927号、2020年6月30日于日本申请的专利申请2020-112695号及2021年5月31日于日本申请的专利申请2021-091161号要求优先权，并将其内容援用于此。
背景技术
以往，在各种领域中将铜材用作电导体。近年来，还使用由棒材构成的大型端子。
在此，随着电子设备或电气设备等的大电流化，由于降低电流密度并扩散因焦耳加热引起的热，在这些电子设备或电气设备等中使用的电子电气设备用组件中适用导电率优异的无氧铜等纯铜材。
近年来，在电气电子设备用组件中使用的铜棒材中发生通电时的电流量的增加。随着该通电时的发热量的增大或使用环境的高温化，要求一种表示强度在高温下不易降低的耐热性优异的铜材。然而，纯铜材存在下述问题：即，表示强度在高温下不易降低的耐热性不足，无法在高温环境下使用。
因此，在专利文献1中公开了一种铜轧制板，其包含0.005质量％以上且低于0.1质量％的范围的Mg。
对于该专利文献1中记载的铜轧制板而言，由于具有包含0.005质量％以上且低于0.1质量％的范围的Mg、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，因此通过使Mg固溶于铜的母相中，能够提高强度、耐应力松弛特性而不会大幅降低导电率。
专利文献1：日本特开2016-056414号公报
然而，最近在构成上述电子电气设备用组件的铜材中，为了充分抑制大电流流通时的发热，并且为了能够在使用纯铜材的用途中使用，要求进一步提高导电率。
并且，由于在上述大型端子中流过大电流，因此通过在维持铜棒材的截面积的状态下进行严格的塑性加工(例如弯曲加工、凸肩加工等)来实现组件整体的容积的减少。因此，对上述铜棒材要求优异的加工性。
而且，随着通电时的发热或使用环境的高温化，要求一种表示强度在高温下不易降低的耐热性优异的铜材。因此，要求一种在加工后也可在高温环境下使用的耐热性优异的铜合金塑性加工材。
并且，通过进一步充分提高导电率，在以往使用纯铜材的用途中也能够良好地使用。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种具有高导电率的同时加工性优异并且在加工后也具有优异的耐热性的铜合金塑性加工材、铜合金棒材、电子电气设备用组件及端子。
为了解决该问题，本发明人进行了深入研究，结果明确了如下情况：为了均衡地兼顾电导率和耐热性，需要微量添加Mg的同时限制与Mg生成化合物的元素的含量。即，得到了如下见解：通过限制与Mg生成化合物的元素的含量并使微量添加的Mg以适当的形态存在于铜合金中，能够以高于以往的水平均衡地提高导电率和耐热性。
本发明是基于上述见解而完成的，本发明的铜合金塑性加工材的特征在于，具有Mg的含量在超过10质量ppm且100质量ppm以下的范围内、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5质量ppm以下，As的含量为5质量ppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，在将Mg的含量设为〔Mg〕，将S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量设为〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕时，它们的质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，所述铜合金塑性加工材的导电率为97％IACS以上，抗拉强度为275MPa以下，进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。
另外，抗拉强度优选为250MPa以下。
根据该构成的铜合金塑性加工材，由于如上那样规定了Mg及与Mg生成化合物的元素S、P、Se、Te、Sb、Bi、As的含量，因此通过微量添加的Mg固溶于铜的母相中，能够提高耐热性而不会大幅降低导电率，具体而言，能够使导电率为97％IACS以上且使进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。
另外，在本发明中，耐热温度是在以热处理时间60分钟进行热处理之后，相对于热处理前的强度T0成为0.8×T0强度时的热处理温度。
并且，由于抗拉强度为275MPa以下，因此加工性优异，能够进行严格的塑性加工。
在此，在本发明的铜合金塑性加工材中，与所述铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的截面积优选在5mm2以上且2000mm2以下的范围内。
该情况下，由于与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的截面积在5mm2以上且2000mm2以下的范围内，因此热容量会增加，能够抑制由通电发热引起的温度上升。
此外，在本发明的铜合金塑性加工材中，总伸长率优选为20％以上。
该情况下，由于总伸长率为20％以上，因此加工性特别优异，能够进行更严格的塑性加工。
而且，在本发明的铜合金塑性加工材中，Ag的含量优选在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内。
该情况下，由于含有上述范围的Ag，因此Ag在晶界附近偏析，晶界扩散被抑制，从而能够进一步提高加工后的耐热性。
并且，在本发明的铜合金塑性加工材中，优选在所述不可避免的杂质中，H的含量为10质量ppm以下，O的含量为100质量ppm以下，C的含量为10质量ppm以下。
该情况下，由于如上那样规定了H、O、C的含量，因此能够减少气孔、Mg氧化物、C的掺入或碳化物等缺陷的产生，从而能够进一步提高加工后的耐热性而不会降低加工性。
而且，在本发明的铜合金塑性加工材中，通过EBSD法，在与所述铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中确保10000μm2以上的测定面积作为观察面，以测定间隔为0.25μm的步长，排除CI值为0.1以下的测定点，进行各晶粒的取向差分析，将相邻的测定点间的取向差为15°以上的测定点间作为晶界，通过面积分数(Area Fraction)求出平均粒径A，接着，以测定间隔为平均粒径A的10分之1以下的步长进行测定，并且以包含总数1000个以上的晶粒的方式确保多个视场成为10000μm2以上的测定面积作为观察面，排除通过数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点，分析各晶粒的取向差，将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界时的KAM(Kernel Average Misorientation，内核平均取向差)值的平均值优选为1.8以下。
该情况下，由于上述KAM值的平均值为1.8以下，因此加工时被导入的位错(GN位错)的密度高的区域变少，能够确保伸长率，从而能够进一步提高加工性。并且，能够抑制以位错为路径的原子的高速扩散，从而能够抑制因回复、再结晶引起的软化现象而进一步提高加工后的耐热性。
并且，在本发明的铜合金塑性加工材中，优选在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中，(100)面取向的结晶的面积比率为3％以上，(123)面取向的结晶的面积比率为70％以下。
该情况下，在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中，难以累积位错的(100)面取向的结晶的面积比率被确保为3％以上，并且容易累积位错的(123)面取向的结晶的面积比率被限制在70％以下，因此能够通过抑制位错密度的增加来确保伸长率，从而能够进一步提高加工性，并且能够进一步提高加工后的耐热性。
而且，在本发明的铜合金塑性加工材中，优选在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中，从外表面起朝向中心超过200μm且到1000μm为止的表层区域的平均晶体粒径在1μm以上且120μm以下的范围内。
该情况下，由于表层区域的平均晶体粒径为1μm以上，因此能够抑制以晶界为路径的晶界扩散引起的原子的高速扩散的发生，从而能够进一步提高加工后的耐热性。另一方面，由于表层区域的平均晶体粒径为120μm以下，因此能够确保伸长率，从而能够进一步提高加工性。
本发明的铜合金棒材的特征在于，由上述铜合金塑性加工材构成，与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的直径在3mm以上且50mm以下的范围内。
根据该构成的铜合金棒材，由于其由上述铜合金塑性加工材构成，因此在大电流用途、高温环境下也能够发挥优异的特性。并且，与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的直径在3mm以上且50mm以下的范围内，因此能够充分地确保强度和导电性。
本发明的电子电气设备用组件的特征在于，由上述铜合金塑性加工材构成。
该构成的电子电气设备用组件由于使用上述铜合金塑性加工材制造，因此在大电流用途、高温环境下也能够发挥优异的特性。
本发明的端子的特征在于，由上述铜合金塑性加工材构成。
该构成的端子由于使用上述铜合金塑性加工材制造，因此在大电流用途、高温环境下也能够发挥优异的特性。
根据本发明，能够提供一种具有高导电率的同时加工性优异并且在加工后也具有优异的耐热性的铜合金塑性加工材、铜合金棒材、电子电气设备用组件及端子。
附图说明
图1是本实施方式的铜合金塑性加工材的制造方法的流程图。
具体实施方式
以下，对本发明的一实施方式的铜合金塑性加工材进行说明。
本实施方式的铜合金塑性加工材具有Mg的含量在超过10质量ppm且100质量ppm以下的范围内、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5质量ppm以下，As的含量为5质量ppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下。
而且，在将Mg的含量设为〔Mg〕，将S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量设为〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕时，它们的质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内。
另外，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，Ag的含量可以在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内。
而且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，可以在所述不可避免的杂质中，H的含量为10质量ppm以下，O的含量为100质量ppm以下，C的含量为10质量ppm以下。
并且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为275MPa以下。
而且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。
并且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，通过EBSD(Electron BackScattered Diffraction，电子背散射衍射)法，在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中确保10000μm2以上的测定面积作为观察面，以测定间隔为0.25μm的步长，排除CI(Confidence Index)值为0.1以下的测定点，进行各晶粒的取向差分析，将相邻的测定点间的取向差为15°以上的测定点间作为晶界，通过面积分数(Area Fraction)求出平均粒径A。接着，同样通过EBSD法，观察与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面，以测定间隔为平均粒径A的10分之1以下的步长进行测定，并且以包含总数1000个以上的晶粒的方式确保多个视场成为10000μm2以上的测定面积作为观察面，排除通过数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点，分析各晶粒的取向差，将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界时的KAM(Kernel Average Misorientation)值的平均值优选为1.8以下。
另外，平均粒径A是面积平均粒径。
而且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，优选在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中，(100)面取向的结晶的面积比率为3％以上，(123)面取向的结晶的面积比率为70％以下。
并且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，优选在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中，从外表面起朝向中心超过200μm且到1000μm为止的表层区域的平均晶体粒径在1μm以上且120μm以下的范围内。
而且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，优选与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的截面积在5mm2以上且2000mm2以下的范围内。
另外，本实施方式的铜合金塑性加工材可以是与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的直径在3mm以上且50mm以下的范围内的铜合金棒材。
接着，对在本实施方式的铜合金塑性加工材中如上述那样规定成分组成、各种特性、结晶组织、截面积的理由进行说明。
(Mg)
Mg是具有下述作用效果的元素：即，通过固溶于铜的母相中，即使在进行减面率为25％的拉拔加工后，也能够提高耐热性，而不会大幅降低导电率。
在此，在Mg的含量为10质量ppm以下时，有可能无法充分发挥其作用效果。另一方面，Mg的含量超过100质量ppm时，导电率有可能会降低。
根据以上内容，在本实施方式中，将Mg的含量设定在超过10质量ppm且100质量ppm以下的范围内。
另外，为了进一步提高加工后的耐热性，Mg含量优选为20质量ppm以上，进一步优选为30质量ppm以上，更优选为40质量ppm以上。
并且，为了进一步抑制导电率的降低，Mg含量优选为小于90质量ppm，进一步优选为小于80质量ppm，更优选为小于70质量ppm。
(S、P、Se、Te、Sb、Bi、As)
上述的S、P、Se、Te、Sb、Bi、As这种元素通常为容易混入铜合金的元素。而且，这些元素容易与Mg反应而形成化合物，有可能会降低微量添加的Mg的固溶效果。因此，需要严格控制这些元素的含量。
因此，在本实施方式中，将S的含量限制在10质量ppm以下，P的含量限制在10质量ppm以下，Se的含量限制在5质量ppm以下，Te的含量限制在5质量ppm以下，Sb的含量限制在5质量ppm以下，Bi的含量限制在5质量ppm以下，As的含量限制在5质量ppm以下。
而且，将S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量限制在30质量ppm以下。
另外，S的含量优选为9质量ppm以下，进一步优选为8质量ppm以下。
P的含量优选为6质量ppm以下，进一步优选为3质量ppm以下。
Se的含量优选为4质量ppm以下，进一步优选为2质量ppm以下。
Te的含量优选为4质量ppm以下，进一步优选为2质量ppm以下。
Sb的含量优选为4质量ppm以下，进一步优选为2质量ppm以下。
Bi的含量优选为4质量ppm以下，进一步优选为2质量ppm以下。
As的含量优选为4质量ppm以下，进一步优选为2质量ppm以下。
上述元素的含量的下限值并没有特别限定，但由于在大幅减少上述元素的含量时制造成本会增加，因此S、P、Sb、Bi、As各自的含量优选为0.1质量ppm以上，Se的含量优选为0.05质量ppm以上，Te的含量优选为0.01质量ppm以上。
而且，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量优选为24质量ppm以下，进一步优选为18质量ppm以下。S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量的下限值并没有特别限定，但由于在大幅减少该合计含量时制造成本会增加，因此S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量优选为0.6质量ppm以上，更优选为0.8质量ppm以上。
(〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕)
如上所述，S、P、Se、Te、Sb、Bi、As这种元素容易与Mg反应而形成化合物，因此在本实施方式中，通过规定Mg的含量与S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量之比来控制Mg的存在形式。
在将Mg的含量设为〔Mg〕，将S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量设为〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕时，若它们的质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕超过50，则Mg以固溶状态过量存在于铜中，从而导电率有可能会降低。另一方面，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕小于0.6时，有可能因Mg未充分固溶而耐热性不会充分提高。
因此，在本实施方式中，将质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕设定在0.6以上且50以下的范围内。
另外，上述质量比中的各元素的含量的单位是质量ppm(massppm)。
另外，为了进一步抑制导电率的降低，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕优选为35以下，进一步优选为25以下。
并且，为了进一步提高耐热性，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕优选为0.8以上，更优选为1.0以上。
(Ag：5质量ppm以上且20质量ppm以下)
Ag在250℃以下的一般电子电气设备的使用温度范围内几乎无法固溶于Cu的母相中。因此，微量添加于铜中的Ag在晶界附近偏析。由此，阻碍原子在晶界处的移动，抑制晶界扩散，因此加工后的耐热性会提高。
在此，Ag的含量为5质量ppm以上时，能够充分发挥其作用效果。另一方面，Ag的含量为20质量ppm以下时，能够确保导电率的同时抑制制造成本的增加。
根据以上内容，在本实施方式中，将Ag的含量设定在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内。
另外，为了进一步提高加工后的耐热性，Ag的含量优选为6质量ppm以上，进一步优选为7质量ppm以上，更优选为8质量ppm以上。并且，为了可靠地抑制导电率的降低及成本的增加，Ag的含量优选为18质量ppm以下，进一步优选为16质量ppm以下，更优选为14质量ppm以下。
并且，在不是有意含有而是作为不可避免的杂质含有Ag时，Ag的含量可以低于5质量ppm。
(H：10质量ppm以下)
H是在铸造时与O结合而成为水蒸气并使铸锭中产生气孔缺陷的元素。该气孔缺陷在铸造时成为裂纹等缺陷的原因，且在加工时成为膨胀及剥离等缺陷的原因。已知这些裂纹、膨胀及剥离等缺陷会使应力集中而成为破裂的起点，因此会使强度、表面品质变差。
在此，通过将H的含量设为10质量ppm以下，能够抑制上述气孔缺陷的产生，从而能够抑制冷加工性变差。
另外，为了进一步抑制气孔缺陷的产生，H的含量优选为4质量ppm以下，进一步优选为2质量ppm以下。H的含量的下限值并没有特别限定，但由于在大幅减少H的含量时制造成本会增加，因此H的含量优选为0.01质量ppm以上。
(O：100质量ppm以下)
O是与铜合金中的各成分元素进行反应而形成氧化物的元素。这些氧化物会成为破裂的起点，因此加工性会降低，不易进行制造。并且，因过量的O与Mg进行反应而导致Mg被消耗掉，固溶于Cu母相中的Mg的固溶量会减少，从而强度、耐热性及冷加工性有可能会变差。
在此，通过将O的含量设为100质量ppm以下，能够抑制氧化物的生成或Mg的消耗，从而能够提高加工性。
另外，关于O的含量，在上述范围内还尤其优选为50质量ppm以下，进一步优选为20质量ppm以下。O的含量的下限值并没有特别限定，但由于在大幅减少O的含量时制造成本会增加，因此O的含量优选为0.01质量ppm以上。
(C：10质量ppm以下)
C是以熔液的脱氧作用为目的，在熔解、铸造中以覆盖熔液表面的方式使用且有可能不可避免地混入的元素。通过铸造时的C的掺入，C的含量有可能会变多。这些C或复合碳化物、C的固溶体的偏析会使冷加工性变差。
在此，通过将C的含量设为10质量ppm以下，能够抑制C或复合碳化物、C的固溶体的偏析的发生，并能够提高冷加工性。另外，关于C的含量，在上述范围内还优选为5质量ppm以下，进一步优选为1质量ppm以下。C的含量的下限值并没有特别限定，但由于在大幅减少C的含量时制造成本会增加，因此C的含量优选为0.01质量ppm以上。
(其他不可避免的杂质)
作为上述元素以外的其他不可避免的杂质，可举出Al、B、Ba、Be、Ca、Cd、Cr、Sc、稀土类元素、V、Nb、Ta、Mo、Ni、W、Mn、Re、Ru、Sr、Ti、Os、Co、Rh、Ir、Pb、Pd、Pt、Au、Zn、Zr、Hf、Hg、Ga、In、Ge、Y、Tl、N、Si、Sn、Li等。可以在不影响特性的范围内含有这些不可避免的杂质。
在此，这些不可避免的杂质有可能会使导电率降低，因此优选减少不可避免的杂质的含量。
(抗拉强度：275MPa以下)
在本实施方式的铜合金塑性加工材中，与铜合金塑性加工材的长度方向(拉丝方向)平行的方向上的抗拉强度为275MPa以下时，能够确保伸长率，从而提高加工性。
另外，与铜合金塑性加工材的长度方向(拉丝方向)平行的方向上的抗拉强度进一步优选为270MPa以下，更优选为260MPa以下，最优选为250MPa以下。另外，抗拉强度可以为240MPa以下，也可以为230MPa以下，还可以为220MPa以下。另外，与铜合金塑性加工材的长度方向(拉丝方向)平行的方向上的抗拉强度优选为100MPa以上，进一步优选为120MPa以上，更优选为140MPa以上。
(导电率：97％IACS以上)
在本实施方式的铜合金塑性加工材中，导电率为97％IACS以上。通过将导电率设为97％IACS以上，可抑制通电时的发热，能够替代纯铜材而良好地用作端子等电子电气设备用组件。
另外，导电率优选为97.5％IACS以上，进一步优选为98.0％IACS以上，更优选为98.5％IACS以上，更进一步优选为99.0％IACS以上。导电率的上限值并没有特别限定，优选为103.0％IACS以下，更优选为102.5％IACS以下。
(加工后的耐热温度：150℃以上)
在本实施方式的铜合金塑性加工材中，在进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度高时，即使在高温下也难以发生因铜材的回复、再结晶引起的软化现象，因此可以适用于在高温环境下使用的通电部件。
因此，在本实施方式中，将加工后的耐热温度设为150℃以上。另外，在本实施方式中，耐热温度是在以热处理时间60分钟进行100～800℃的热处理之后，相对于热处理前的强度T0成为0.8×T0强度时的热处理温度。
在此，进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度进一步优选为175℃以上，更优选为200℃以上，更进一步优选为225℃以上。另外，耐热温度优选为600℃以下，更优选为580℃以下。
(总伸长率：20％以上)
在本实施方式的铜合金塑性加工材中，总伸长率为20％以上时，加工性也优异，可以在严格的条件下进行塑性加工来成型组件。
另外，总伸长率进一步优选为22.5％以上，更优选为25％以上。并且，总伸长率优选为60％以下，更优选为55％以下。
总伸长率是在JISZ2241的3.4.3中说明的断裂时的总伸长率(％)。即，是断裂时的总伸长率(将伸长计的弹性伸长率和塑性伸长率合起来的值)，是以相对于伸长计标距的百分率表示的值。
(KAM值的平均值：1.8以下)
通过EBSD法测定的KAM(Kernel Average Misorientation)值为通过对一个像素与包围该一个像素的像素之间的取向差进行平均而算出的值。由于像素的形状为正六边形，因此将近邻次数设为1(1st)的情况下，算出与相邻的六个像素的取向差的平均值作为KAM值。通过使用该KAM值，能够将局部取向差即应变分布进行可视化。
该KAM值高的区域为加工时被导入的位错(GN位错)的密度高的区域，因此强度会增加并且伸长率会降低。并且，实施减面率为25％的拉拔加工后位错密度会进一步增加，容易发生以该位错为路径的原子的高速扩散，并且容易发生因回复、再结晶引起的软化现象，从而耐热性会降低。
因此，通过将该KAM值的平均值控制在1.8以下，能够降低强度并提高伸长率，还能够提高加工后的耐热温度。
另外，关于KAM值的平均值，在上述范围内还优选为1.6以下，进一步优选为1.4以下，更优选为1.2以下，更进一步优选为1.0以下。KAM值的平均值优选为0.2以上，更优选为0.4以上，更进一步优选为0.6以上，最优选为0.8以上。
另外，在本实施方式中，排除通过EBSD装置的分析软件OIM Analysis(Ver.7.3.1)测定的值即CI(Confidence Index：可靠性指数)值为0.1以下的测定点，算出KAM值。在对从某个分析点获得的EBSD图案进行指标化时，使用Voting法来算出CI值，该CI值取0～1的值。CI值是评价指标化和取向计算的可靠性的值，因此在CI值低的情况即无法获得分析点明确的晶体图案的情况下，可以说组织中存在应变(加工组织)。尤其在应变大的情况下，CI值取0.1以下的值。
((100)面取向的结晶的面积比率：3％以上)
在本实施方式的铜合金塑性加工材中，在与铜合金塑性加工材的长度方向(拉丝方向)正交的截面中测定结晶取向时，(100)面取向的结晶的面积比率优选为3％以上。另外，在本实施方式中，将从(100)面起至15°为止的范围的结晶取向作为(100)面取向。
与具有其他取向的晶粒相比，具有(100)面取向的晶粒难以累积位错，因此通过确保3％以上的(100)面取向的结晶的面积比率，能够提高伸长率。并且，由于(100)面难以累积位错，难以发生因加工引起的结晶取向的旋转，因此只要是减面率为25％的加工，则在加工后也能够保持(100)面，并能够抑制以位错为扩散路径的高速扩散，从而能够抑制因回复、再结晶引起的软化现象而能够提高加工后的耐热性。
另外，(100)面取向的结晶的面积比率进一步优选为4％以上，更优选为6％以上，更进一步优选为10％以上，再更进一步优选为20％以上。另一方面，(100)面取向的结晶的面积比率过高时，具有相同结晶取向的晶粒会增加，因此有可能因大角晶界减少而导致伸长率降低。因此，(100)面取向的结晶的面积比率优选为80％以下，进一步优选为70％以下，更优选为60％以下，更进一步优选为50％以下。
((123)面取向的结晶的面积比率：70％以下)
在本实施方式的铜合金塑性加工材中，在与铜合金塑性加工材的长度方向(拉丝方向)正交的截面中测定结晶取向时，(123)面取向的结晶的面积比率优选为70％以下。另外，在本实施方式中，将从(123)面起至15°为止的范围的结晶取向作为(123)面取向。
与具有其他取向的晶粒相比，具有(123)面取向的晶粒容易累积位错，因此通过将(123)面取向的结晶的面积比率限制在70％以下，能够提高伸长率。
另外，(123)面取向的结晶的面积比率进一步优选为65％以下，更优选为60％以下，更进一步优选为55％以下，再更加优选为50％以下。
另外，(123)面取向的结晶的面积比率优选为10％以上。
(表层区域的平均晶体粒径)
在本实施方式的铜合金塑性加工材中，在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中，从外表面起朝向中心超过200μm且到1000μm为止的表层区域的平均晶体粒径为1μm以上时，能够抑制以晶界为路径的晶界扩散引起的原子的高速扩散的发生，从而能够进一步提高加工后的耐热性。另一方面，由于表层区域的平均晶体粒径为120μm以下，因此能够确保伸长率，从而能够进一步提高加工性。
另外，上述表层区域的平均晶体粒径进一步优选为2μm以上，更优选为5μm以上，更进一步优选为10μm以上。另一方面，上述表层区域的平均晶体粒径进一步优选为100μm以下，更优选为70μm以下，更进一步优选为50μm以下。
在此，晶粒是将通过上述EBSD法检测出的相邻像素间的取向差为15°以上的边界作为晶界来具有的晶粒。
(截面积：5mm2以上且2000mm2以下)
在本实施方式的铜合金塑性加工材中，与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的截面积在5mm2以上且2000mm2以下的范围内时，热容量变大，即使在流过大电流的情况下，也可以抑制通电发热引起的温度上升。
另外，与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的截面积进一步优选为6.0mm2以上，更优选为7.5mm2以上，更进一步优选为10mm2以上。并且，与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的截面积进一步优选为1800mm2以下，更优选为1600mm2以下，更进一步优选为1500mm2以下。
接着，参考图1所示的流程图，对设为这种构成的本实施方式的铜合金塑性加工材的制造方法进行说明。
(熔解及铸造工序S01)
首先，在通过熔解铜原料而获得的铜熔液中，添加前述元素进行成分调整，制成铜合金熔液。另外，添加各种元素时，能够使用元素单质或母合金等。并且，可以将包含上述元素的原料与铜原料一同进行熔解。并且，也可以使用该合金的回收材及废料材。
在此，铜原料优选纯度为99.99质量％以上的所谓的4NCu，或者是纯度为99.999质量％以上的所谓的5NCu。如上那样规定H、O、C的含量时，选用这些元素的含量少的原料。具体而言，优选使用H含量为0.5质量ppm以下、O含量为2.0质量ppm以下、C含量为1.0质量ppm以下的原料。
进行熔解时，为了抑制Mg的氧化且为了降低氢浓度，优选在H2O的蒸气压低的非活性气体气氛(例如Ar气体)这种气氛下进行熔解，将熔解时的保持时间限制在最小限度。
然后，将进行成分调整的铜合金熔液注入铸模中制造铸锭。另外，在考虑到量产的情况下，优选使用连续铸造法或半连续铸造法。
(均质化及固溶化工序S02)
接着，进行加热处理以使所获得的铸锭均质化及固溶化。在铸锭的内部有时会存在以Cu和Mg为主成分的金属间化合物等，该金属间化合物通过在凝固过程中Mg偏析并浓缩而产生。因此，为了消除或减少这些偏析及金属间化合物等，进行将铸锭加热到300℃以上且1080℃以下的加热处理，由此，使Mg在铸锭中均匀扩散或使Mg固溶于母相中。另外，优选在非氧化性或还原性气氛中实施该均质化及固溶化工序S02。
在此，加热温度低于300℃时，固溶化会不完善，在母相中可能会残留很多以Cu和Mg为主成分的金属间化合物。另一方面，若加热温度超过1080℃，则部分铜原材料变成液相，组织和表面状态可能变得不均匀。因此，将加热温度设定在300℃以上且1080℃以下的范围内。
(热加工工序S03)
为了使组织均匀化，将所得到的铸锭加热至规定温度来进行热加工。加工方法并没有特别限定，例如能够采用拉拔、挤压、槽轧制等。本实施方式中实施了热挤压加工。
为了除去热加工时产生的氧化膜，可以在后述的热处理工序S04之前进行使用酸洗槽的酸洗工序。并且，在棒材的情况下，可以进行剥皮加工以去除表面缺陷。
另外，通过将热加工温度和热加工结束温度设置得较高且将之后的冷却速度设置得较高，可以减少晶界偏析。冷却速度优选为5℃/sec以上，进一步优选为7℃/sec以上，更优选为10℃/sec以上。由此，能够在后述的热处理工序S04中控制织构((100)面取向与(123)面取向的结晶的面积比率)。
在此，热加工温度优选为500℃以上，进一步优选为550℃以上，更优选为600℃以上。并且，热加工结束温度优选为400℃以上，进一步优选为450℃以上，更优选为500℃以上。
(热处理工序S04)
在热加工工序S03之后实施热处理。
在此，在热处理温度低于300℃或保持时间低于0.5小时的情况下，未充分发生再结晶而热加工工序S03中的应变会残留，从而KAM值可能会变高。而且，晶体粒径会变得过小，并且有可能(100)面取向的结晶的面积比率变低，(123)面取向的结晶的面积比率变高。另一方面，在热处理温度超过700℃或保持时间超过24小时的情况下，有可能晶体粒径变大而(100)面取向的结晶的面积比率变得过高。因此，在本实施方式中，优选将热处理温度设为300℃以上且700℃以下的范围内，且将热处理温度下的保持时间设为0.5小时以上且24小时以下的范围内。
另外，热处理温度进一步优选为350℃以上，更优选为400℃以上。另一方面，热处理温度进一步优选为650℃以下，更优选为600℃以下。并且，热处理温度下的保持时间进一步优选为0.75小时以上，更优选为1小时以上。另一方面，热处理温度下的保持时间进一步优选为18小时以下，更优选为12小时以下。
并且，为了可靠地控制(100)面取向的结晶的面积比率及(123)面取向的结晶的面积比率，利用连续退火进行热处理时的升温速度优选为2℃/sec以上，进一步优选为5℃/sec以上，更优选为7℃/sec以上。而且，降温速度优选为5℃/sec以上，进一步优选为7℃/sec以上，更优选为10℃/sec以上。
并且，为了减少所含元素的氧化，氧分压优选为10-5atm以下，进一步优选为10- 7atm以下，更优选为10-9atm以下。
(精加工工序S05)
在热处理工序S04之后，可以进行精加工以调整强度。加工方法没有特别指定，但在棒材的情况下可以举出拉拔加工、挤压加工等。而且，在棒材的情况下，为了矫直而可以进行拉丝工序。另外，加工条件可以适当调整，以使制造出来的铜合金塑性加工材的长度方向的抗拉强度为275MPa以下。
如此，制造出本实施方式的铜合金塑性加工材(铜合金棒材)。
在如上构成的本实施方式的铜合金塑性加工材中，Mg的含量在超过10质量ppm且100质量ppm以下的范围内，并将作为与Mg生成化合物的元素的S的含量限制在10质量ppm以下，P的含量限制在10质量ppm以下，Se的含量限制在5质量ppm以下，Te的含量限制在5质量ppm以下，Sb的含量限制在5质量ppm以下，Bi的含量限制在5质量ppm以下，As的含量限制在5质量ppm以下，而且将S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量限制在30质量ppm以下，因此能够使微量添加的Mg固溶于铜的母相中，由此能够提高加工后的耐热性而不会大幅降低导电率。
而且，在将Mg的含量设为〔Mg〕，将S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量设为〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕时，将它们的质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕设定在0.6以上且50以下的范围内，因此能够充分提高加工后的耐热性，而不会发生Mg过量固溶而使导电率降低的情况。
而且，由于抗拉强度为275MPa以下，因此加工性优异，可以进行严格的塑性加工。
并且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的截面积在5mm2以上且2000mm2以下的范围内时，热容量变大，能够抑制由通电发热引起的温度上升。
另外，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，总伸长率为20％以上时，加工性特别优异，可以进行更严格的塑性加工。
并且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，Ag的含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内时，Ag在晶界附近偏析，通过该Ag抑制晶界扩散，从而能够进一步提高加工后的耐热性。
并且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，不可避免的杂质中的H的含量为10质量ppm以下，O的含量为100质量ppm以下，C的含量为10质量ppm以下时，能够减少气孔、Mg氧化物、C的掺入或碳化物等缺陷的产生，从而能够提高加工后的耐热性而不会降低加工性。
而且，在本发明的铜合金塑性加工材中，通过EBSD法，在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中确保10000μm2以上的测定面积作为观察面，以测定间隔为0.25μm的步长，排除CI值为0.1以下的测定点，进行各晶粒的取向差分析，将相邻的测定点间的取向差为15°以上的测定点间作为晶界，通过面积分数(Area Fraction)求出平均粒径A，接着，以测定间隔为平均粒径A的10分之1以下的步长进行测定，并且以包含总数1000个以上的晶粒的方式确保多个视场成为10000μm2以上的测定面积作为观察面，排除通过数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点，分析各晶粒的取向差，将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界时的KAM(Kernel Average Misorientation)值的平均值为1.8以下时，加工时被导入的位错(GN位错)的密度高的区域变少，能够确保伸长率，从而能够进一步提高加工性。并且，能够抑制以位错为路径的原子的高速扩散，从而能够抑制因回复、再结晶引起的软化现象而进一步提高加工后的耐热性。
并且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中测定了结晶取向的结果，在(100)面取向的结晶的面积比率为3％以上、(123)面取向的结晶的面积比率为70％以下的情况下，由于难以累积位错的(100)面取向的结晶的面积比率被确保在3％以上，并且容易累积位错的(123)面取向的结晶的面积比率被限制在70％以下，因此能够通过抑制位错密度的增加来确保伸长率，从而能够进一步提高加工性，并且能够进一步提高加工后的耐热性。
而且，在本实施方式的铜合金塑性加工材中，在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中，从外表面起朝向中心超过200μm且到1000μm为止的表层区域的平均晶体粒径为1μm以上时，能够抑制以晶界为路径的晶界扩散引起的原子的高速扩散的发生，从而能够进一步提高加工后的耐热性。另一方面，将上述表层区域的平均晶体粒径设为120μm以下时，能够确保伸长率，从而能够进一步提高加工性。
而且，由于本实施方式的铜合金棒材由上述铜合金塑性加工材构成，因此在大电流用途、高温环境下也能够发挥优异的特性。并且，由于与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的直径在3mm以上且50mm以下的范围内，因此能够充分地确保强度和导电性。
而且，由于本实施方式的电子电气设备用组件(端子等)由上述铜合金塑性加工材构成，因此在大电流用途、高温环境下也能够发挥优异的特性。
以上，对本发明的实施方式的铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件(端子等)进行了说明，但本发明并不限定于此，能够在不脱离本发明的技术思想的范围内适当进行变更。
例如，在上述实施方式中，对铜合金塑性加工材的制造方法的一例进行了说明，但铜合金塑性加工材的制造方法并不限定于实施方式中记载的方法，也可以适当地选择现有的制造方法来制造。
实施例
以下，对为了确认本发明的效果而进行的确认实验的结果进行说明。
准备了铜原料和各种添加元素下的各母合金，该铜原料的H含量为0.1质量ppm以下、O含量为1.0质量ppm以下、S含量为1.0质量ppm以下、C含量为0.3质量ppm以下、Cu纯度为99.99质量％以上，该母合金使用6N(纯度99.9999质量％)以上的高纯度铜和纯度为2N(纯度99质量％)以上的纯金属制造且包含1质量％的各种添加元素。
将铜原料装入坩埚内，在Ar气体气氛或Ar-O2气体气氛的气氛炉中进行高频熔解。
在所获得的铜熔液内，使用上述母合金制备成表1、2所示的成分组成，导入H、O时，使用高纯度Ar气体(露点-80℃以下)、高纯度N2气体(露点-80℃以下)、高纯度O2气体(露点-80℃以下)、高纯度H2气体(露点-80℃以下)，将熔解时的气氛设为Ar-N2-H2及Ar-O2混合气体气氛。导入C时，熔解中使C粒子覆盖熔液表面并使其与熔液接触。
由此，熔炼表1、2所示的成分组成的合金熔液，将其浇注到碳铸模中，制造出铸锭。另外，将铸锭的大小设为直径约80mm、长度约300mm。
在Ar气体气氛中，在表3、4中记载的条件下对获得的铸锭实施均质化及固溶化工序。
之后，在表3、4所记载的条件(加工结束温度和挤压比)下进行热加工(热挤压)来获得了热加工材。另外，在热加工后通过水冷进行了冷却。
在表3、4中记载的条件下，使用盐浴对所获得的热加工材实施热处理，然后进行了冷却。
之后，切割热处理后的铜原材料，并且磨削表面以去除氧化皮膜。
之后，在常温下，在表3、4的条件下实施精加工(冷挤压加工)，得到了本发明例和比较例的铜合金塑性加工材(铜合金棒材)。
对所获得的铜合金塑性加工材(铜合金棒材)实施了以下项目的评价。
(组成分析)
从所获得的铸锭采集测定试样，Mg通过电感耦合等离子体光谱分析法进行了测定，其他元素利用辉光放电质谱分析装置(GD-MS)进行了测定。并且，H的分析通过热传导法(thermal conductivity method)进行，O、S、C的分析通过红外线吸收法进行。
另外，关于测定，在试样中央部及宽度方向端部这两处进行测定，将含量多的一方作为该样品的含量。其结果，确认到表1、2所示的成分组成。
(抗拉强度和总伸长率)
依据JIS Z 2201规定的2号试验片采集试验片，通过JIS Z 2241的拉伸试验方法，测定了铜合金塑性加工材(铜合金棒材)的长度方向(挤压方向)的抗拉强度及总伸长率。在与铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的截面积超过450mm2的情况下，以铜合金塑性加工材的长度方向上的平行部的长度200mm进行了试验。
抗拉强度是与拉伸试验的最大拉伸试验力相对应的应力，总伸长率是断裂时的总伸长率(将伸长计的弹性伸长率和塑性伸长率合起来的值)，是以相对于伸长计标距的百分率表示的值。
(加工后的耐热温度)
在常温下，对所得到的铜合金塑性加工材(铜合金棒材)实施了减面率为25％的拉拔加工。
之后，依据日本伸铜协会的JCBAT325:2013，在经1小时热处理的铜合金塑性加工材的长度方向(拉拔方向)上进行拉伸试验而获取等时软化曲线，由此进行了评价。
另外，在本实施例中，耐热温度是在以热处理时间60分钟进行100～800℃的热处理之后，相对于热处理前的强度T0成为0.8×T0强度时的热处理温度。另外，热处理前的强度T0是在常温(15～35℃)下测定的值。
(导电率)
根据JIS H 0505(非铁金属材料的体积电阻率及电导率测定方法)，算出电导率。
(KAM值)
将与铜合金棒材(铜合金塑性加工材)的长度方向(拉丝方向)正交的截面作为观察面，通过EBSD测定装置及OIM分析软件，如下那样求出KAM值的平均值。
使用耐水研磨纸、金刚石磨粒对观察面进行机械研磨之后，使用胶体二氧化硅溶液进行了精研磨。然后，通过EBSD测定装置(FEI公司制造的Quanta FEG 450，EDAX/TSL公司(现为AMETEK公司)制造的OIM Data Collection)及分析软件(EDAX/TSL公司(现为AMETEK公司)制造的OIM Data Analysis ver.7.3.1)，在电子束加速电压为15kV的条件下，观察10000μm2以上的测定面积的观察面，以测定间隔为0.25μm的步长，排除CI值为0.1以下的测定点，进行各晶粒的取向差分析，将相邻的测定点间的取向差为15°以上的测定点间作为晶界，使用数据分析软件OIM且通过面积分数(Area Fraction)求出了平均粒径A。
然后，以测定间隔为平均粒径A的10分之1以下的步长对观察面进行测定，以含有总数1000个以上的晶粒的方式，在多个视场成为10000μm2以上的测定面积中，排除由数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点进行分析，求出将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界进行分析的所有像素的KAM值，并求出了其平均值。
(织构)
根据以上的测定结果，通过EBSD测定装置及OIM分析软件，测定了距离(100)面取向在15°以内的取向的面积比率及距离(123)面取向在15°以内的取向的面积比率。
(表层区域的平均晶体粒径)
对所得到的铜合金塑性加工材(铜合金棒材)，测定了在与铜合金塑性加工材的长度方向(挤压方向)正交的截面中从外表面起朝向中心超过200μm且到1000μm为止的表层区域中的平均晶体粒径。在此，平均晶体粒径是面积平均晶体粒径。
关于上述平均晶体粒径，分别测定以经过与铜合金塑性加工材的长度方向(挤压方向)正交的截面的中心的任意轴为基准，从轴沿圆周方向位于0°、90°、180°、270°位置的四个点，对各四个点处的晶体粒径进行了平均。测定时，使用SEM-EBSD(检测器HIKARI、分析软件TSL OIM Data collection 5.31及OIM Analysis 6.2)，将相邻的两个晶体间的取向差为15°以上的测定点间作为晶界，将以面积为权重的加权平均值作为平均晶体粒径。使用了对视场范围x＝500μm、y＝500μm共测定8处而得到的平均值。并且，步长(step size)为1μm。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
在比较例1中，由于Mg的含量比本发明的范围少，因此加工后的耐热性不充分。
在比较例2中，Mg的含量超过本发明的范围，导电率变低。
在比较例3中，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量超过30质量ppm，加工后的耐热性不充分。
在比较例4中，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕低于0.6，加工后的耐热性不充分。
在比较例5中，由于精加工时的减面率过高，因此强度超过本发明的范围，从而总伸长率低、加工性差。并且，加工后的耐热性不充分。
相对于此，在本发明例1～22中，强度低且总伸长率高，加工性充分优异。并且，电导率变高。而且，加工后的耐热性也优异。
根据以上内容，确认到根据本发明例能够提供一种具有高导电率的同时加工性优异并且在加工后也具有优异的耐热性的铜合金塑性加工材、铜合金棒材、电子电气设备用组件及端子。

Claims (11)

1.一种铜合金塑性加工材，其特征在于，
具有Mg的含量在超过10质量ppm且100质量ppm以下的范围内、Ag的含量在5质量ppm以上且20质量ppm以下的范围内、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5质量ppm以下，As的含量为5质量ppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，
在将Mg的含量设为〔Mg〕，将S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量设为〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕时，它们的质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，
所述铜合金塑性加工材的导电率为97％IACS以上，抗拉强度为275MPa以下，
进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。
2.根据权利要求1所述的铜合金塑性加工材，其特征在于，
抗拉强度为250MPa以下。
3.根据权利要求1或2所述的铜合金塑性加工材，其特征在于，
与所述铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的截面积在5mm2以上且2000mm2以下的范围内。
4.根据权利要求1或2所述的铜合金塑性加工材，其特征在于，
总伸长率为20％以上。
5.根据权利要求1或2所述的铜合金塑性加工材，其特征在于，
在所述不可避免的杂质中，H的含量为10质量ppm以下，O的含量为100质量ppm以下，C的含量为10质量ppm以下。
6.根据权利要求1或2所述的铜合金塑性加工材，其特征在于，
通过EBSD法，在与所述铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中确保10000μm2以上的测定面积作为观察面，以测定间隔为0.25μm的步长，排除CI值为0.1以下的测定点，进行各晶粒的取向差分析，将相邻的测定点间的取向差为15°以上的测定点间作为晶界，通过面积分数求出平均粒径A，接着，以测定间隔为平均粒径A的10分之1以下的步长进行测定，并且以包含总数1000个以上的晶粒的方式确保多个视场成为10000μm2以上的测定面积作为观察面，排除通过数据分析软件OIM分析的CI值为0.1以下的测定点，分析各晶粒的取向差，将相邻的像素间的取向差为5°以上的边界视为晶界时的内核平均取向差KAM值的平均值为1.8以下。
7.根据权利要求1或2所述的铜合金塑性加工材，其特征在于，
在与所述铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中，(100)面取向的结晶的面积比率为3％以上，(123)面取向的结晶的面积比率为70％以下。
8.根据权利要求1或2所述的铜合金塑性加工材，其特征在于，
在与所述铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面中，从外表面起朝向中心超过200μm且到1000μm为止的表层区域的平均晶体粒径在1μm以上且120μm以下的范围内。
9.一种铜合金棒材，其特征在于，由权利要求1至8中任一项所述的铜合金塑性加工材构成，与所述铜合金塑性加工材的长度方向正交的截面的直径在3mm以上且50mm以下的范围内。
10.一种电子电气设备用组件，其特征在于，由权利要求1至8中任一项所述的铜合金塑性加工材构成。
11.一种端子，其特征在于，由权利要求1至8中任一项所述的铜合金塑性加工材构成。
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