TW202212584A

TW202212584A - 銅合金塑性加工材、銅合金棒材、電子電氣機器用零件、端子

Info

Publication number: TW202212584A
Application number: TW110124081A
Authority: TW
Inventors: 松永裕; 伊藤優樹; 福岡航世; 牧一誠; 森川健二; 船木真一; 森広行
Original assignee: 日商三菱綜合材料股份有限公司
Priority date: 2020-06-30
Filing date: 2021-06-30
Publication date: 2022-04-01
Also published as: CN115735014B; WO2022004803A1; CN115735014A; KR20230031230A; EP4174201A1; US20230313341A1

Abstract

此銅合金塑性加工材，係具有Mg成為超過10massppm，100massppm以下，殘留部為Cu及不可避免不純物之組成，前述不可避免不純物中，S為10massppm以下，P為10 massppm以下，Se為5massppm以下，Te為5massppm以下，Sb為5massppm以下，Bi為5massppm以下，As為5massppm以下的同時，S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計量成為30massppm以下，質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]成為0.6以上50以下之範圍內，導電率為97%IACS以上，拉伸強度為275MPa以下，添加剖面減少率為25%之拉製加工後之耐熱溫度為150℃以上。

Description

銅合金塑性加工材、銅合金棒材、電子電氣機器用零件、端子

本發明係適於端子等之電子電氣機器用零件的銅合金塑性加工材、銅合金棒材、電子電氣機器用零件、端子。本發明係根據2020年6月30日在日本申請之特願2020-112927號、2020年6月30日在日本申請之特願2020-112695號及2021年5月31日在日本申請之特願2021-091161號，主要優先權，將該內容援用於此。

以往，做為電氣導體，在各種領域，使用了銅材。近年以來，亦使用棒材所成大型端子。在此，伴隨電子機器或電氣機器等之大電流化，由於電流密度之減低及焦耳發熱所造成熱之擴散之故，使用於此等電子機器或電氣機器等之電子電氣機器用零件中，適用導電率優異之無氧銅等之純銅材。

近年以來，使用於電氣電子用零件之銅棒材中，產生通電時之電流量之增大。又，伴隨通電時之發熱量之增大或使用環境之高溫化，要求在高溫下表示不容易硬度下降之耐熱性優異之銅材。但是，在純銅材中，顯示高溫下之難以強度下降之耐熱性則不充分，有不能在高溫環境下之使用的問題。

在此，於專利文獻1中，揭示令Mg包含在0.005mass%以上，不足0.1mass%之範圍之銅軋板。於記載於此專利文獻1之銅軋板中，具有令Mg包含在0.005mass%以上，不足0.1mass%之範圍，殘留部為Cu及不可避免不純物所成組成之故，經由令Mg固溶於銅之母相中，不會使導電率大幅下降，而提升耐應力緩和特性。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2016-056414號公報

[發明欲解決之課題]

然而，最近，在構成上述電子電氣機器用零件之銅材中，為充分抑制大電流流動時之發熱，又，可使用於使用純銅材之用途，更要求導電率之提升。又，於上述大型端子中，由於流入大電流，維持銅棒材之剖面積下，經由進行嚴酷塑性加工(例如彎曲加工、邊緣加工等)，以達成零件整體之容積之減少。為此，上述銅棒材，則要求優異之加工性。

然後，上述電子電氣機器用零件係伴隨通電時之發熱或使用環境之高溫化，要求在高溫下表示不容易強度下降之耐熱性優異之銅材。為此，於加工後，亦要求可使用在高溫環境之耐熱性優異之銅合金塑性加工材。又，經由更為充分提升導電率，在以往使用純銅材之用途中，亦可被良好地使用。

此發明係有鑑於上述情事而成，提供具有高導電率的同時，加工性優異，且附在加工性後，具有優異耐熱性之銅合金塑性加工材、銅合金棒材、電子電氣機器用零件、端子為目的。 [為解決課題之手段]

為解決此課題，本發明人等專心檢討之結果，得知為有效平衡兼顧導電率與耐熱性，伴隨微量添加Mg的同時，需規定與Mg生成化合物之元素之含有量。即經由規定與Mg生成化合物之元素之含有量，令微量添加之Mg以適切之形態存在於銅合金中，較以往高水準有效平衡提升導電率與耐熱性。

本發明係根據上述之發現而成者，本發明之銅合金塑性加工材，其特徵係具有Mg之含有量為超過10massppm，100massppm以下之範圍內，殘留部為Cu及不可避免不純物之組成，前述不可避免不純物中，S之含有量為10massppm以下，P之含有量為10massppm以下，Se之含有量為5massppm以下，Te之含有量為5massppm以下，Sb之含有量為5massppm以下，Bi之含有量為5massppm以下，As之含有量為5massppm以下之同時，S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量為30massppm以下，令Mg之含有量為[Mg]，令S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量成為[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]之時，此等質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]成為0.6以上50以下之範圍內，導電率為97%IACS以上，拉伸強度為275MPa以下，添加剖面減少率為25%之拉製加工後之耐熱溫度為150℃以上為特徵。然而，拉伸強度係較佳為250MPa以下。

根據此構成之銅合金塑性加工材時，Mg，和與Mg生成化合物之元素之S、P、Se、Te、Sb、Bi、As之含有量係如上述規定之故，微量添加之Mg固溶於銅之母相中，可不會大幅下降導電率，而提升耐熱性，具體而言，可使導電率成為97%IACS以上，且添加剖面減少率為25%之拉製加工後之耐熱溫度成為150℃以上。然而，本發明中，耐熱溫度係在熱處理時間60分之熱處理後，對於熱處理之強度T ₀而言，成為0.8×T ₀之強度時之熱處理溫度。又，拉伸強度為275MPa以下之故，加工性優異，可進行嚴酷之塑性加工。

在此，本發明之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之剖面積為5mm ²以上2000mm ²以下之範圍內為佳。此時，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之剖面積成為5mm ²以上2000mm ²以下之範圍內之故，熱容量變大，可抑制通電發熱所造成溫度上昇。

又，本發明之銅合金塑性加工材中，總伸長率為20%以上為佳。此時，總伸長率為20%以上之故，特別在加工性優異，更可進行嚴酷之塑性加工。

更且，本發明之銅合金塑性加工材中，Ag之含有量成為5massppm以上20massppm以下之範圍內為佳。此時，令Ag含有在上述範圍之故，Ag在粒界附近偏析，抑制粒界擴散，可更提升加工後之耐熱性。

又，本發明之銅合金塑性加工材中，前述不可避免不純物中，H之含有量為10massppm以下、O之含有量為100massppm以下、C之含有量為10massppm以下為佳。此時，H、O、C之含有量如上所述加以規定之故，可減低氣孔、Mg氧化物、C之捲入或碳化物等之缺陷之產生，可不使加工性下降，提升加工後之耐熱性。

更且，本發明之銅合金塑性加工材中，經由EBSD法，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，確保10000μm ²以上之測定面積，做為觀察面，以0.25μm之測定間隔之步驟，排除CI值為0.1以下之測定點，進行各結晶粒之方位差之解析，令鄰接之測定點間之方位差成為15˚以上之測定點間，成為結晶粒界，經由面積分數，求得平均粒徑A，接著，以成為平均粒徑A之10分之1以下之測定間隔之步驟，加以測定，使含有總數1000個以上之結晶粒，在複數視野，確保成為10000μm ²測定面積，做為觀察面，排除經由資料解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點，解析各結晶粒之方位差，將鄰接之像素間之方位差為5˚以上之邊界視為結晶粒界時之KAM(Kernel Average Misorientation)值之平均值成為1.8以下為佳。此時，上述之KAM之平均值成為1.8以下之故，加工時導入之換位(GN換位)之密度為高之領域為少，可確保伸長率，可更提升加工性。又，可抑制換位為路徑之原子之高速擴散，抑制回復、再結晶所造成軟化現象，更可提升加工後之耐熱性。

又，本發明之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，(100)面方位之結晶之面積比率為3%以上，(123)面方位之結晶之面積比率為70%以下為佳。此時，於正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，難以蓄積換位之(100)面方位之結晶之面積比率被確保在3%以上，且易於蓄積換位之(123)面方位之結晶之面積比率抑制在70%以下之故，經由抑制換位密度之增加，可確保伸長率，更可提升加工性的同時，更提升加工後之耐熱性。

在此，本發明之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，從外表面朝向中心，超過200μm，至1000μm之表層領域之結晶粒徑成為1μm以上120μm以下之範圍內為佳。此時，表層領域之結晶粒徑為1μm以上之故，可抑制經由粒界為路徑之粒界擴散而產生之原子之高速擴散，更可提升加工後之耐熱性。另一方面，表層領域之結晶粒徑為120μm以下之故，可確保伸長率，更可提升加工性。

本發明之銅合金棒材係由上述銅合金塑性加工材所成，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之直徑係3mm以上50mm以下之範圍內為特徵。根據此構成之銅合金棒材時，由於由銅合金塑性加工材所成之故，於大電流用途、高溫環境下，亦可發揮優異特性。又，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之直徑係3mm以上50mm以下之範圍內之故，可充分確保強度及導電性。

本發明之電子電氣機器用零件係由上述銅合金塑性加工材所成為特徵。此構成之電子電氣機器用零件係使用上述銅合金塑性加工材製造之故，於大電流用途、高溫環境下，亦可發揮優異特性。

本發明之端子係由上述銅合金塑性加工材所成為特徵。此構成之端子係使用上述銅合金塑性加工材製造之故，於大電流用途、高溫環境下，亦可發揮優異特性。 [發明效果]

根據本發明時，可提供具有高導電率的同時，加工性優異，且附在加工後，具有優異耐熱性之銅合金塑性加工材、銅合金棒材、電子電氣機器用零件、端子。

以下，對於本發明之一實施形態之銅合金塑性加工材加以說明。本實施形態之銅合金塑性加工材係具有Mg之含有量係成為超過10massppm，100massppm以下之範圍內，殘留部為Cu及不可避免不純物之組成，前述不可避免不純物中，S之含有量為10massppm以下，P之含有量為10massppm以下，Se之含有量為5massppm以下，Te之含有量為5massppm以下，Sb之含有量為5massppm以下，Bi之含有量為5massppm以下，As之含有量為5massppm以下的同時，S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量成為30massppm以下。

然後，令Mg之含有量為[Mg]，令S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量成為[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]之時，此等質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]係成為0.6以上50以下之範圍內。然而，本實施形態之銅合金塑性加工材中，Ag之含有量成為5massppm以上20massppm以下之範圍內亦可。更且，本實施形態之銅合金塑性加工材中，前述不可避免不純物中，H之含有量為10massppm以下、O之含有量為100massppm以下、C之含有量為10massppm以下亦可。

又，本實施形態之銅合金塑性加工材中，導電率成為97%IACS以上，拉伸強度成為275MPa以下。然後，本實施形態之銅合金塑性加工材中，添加剖面減少率為25%之拉製加工後之耐熱溫度成為150℃以上。

又，本實施形態之銅合金塑性加工材中，經由EBSD(Electron Back Scattered Diffraction)法，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，確保10000μm ²以上之測定面積，做為觀察面，以0.25μm之測定間隔之步驟，排除CI(Confidence Index)值為0.1以下之測定點，進行各結晶粒之方位差之解析，令鄰接之測定點間之方位差成為15˚以上之測定點間，成為結晶粒界，經由面積分數，求得平均粒徑A，接著，同樣於EBSD法，觀察正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面，以成為平均粒徑A之10分之1以下之測定間隔之步驟，加以測定，使含有總數1000個以上之結晶粒，在複數視野，確保成為10000μm ²以上之測定面積，做為觀察面，排除經由資料解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點，解析各結晶粒之方位差，將鄰接之像素間之方位差為5˚以上之邊界視為結晶粒界時之KAM(Kernel Average Misorientation)值之平均值成為1.8以下為佳。然而，平均粒徑A係面積平均粒徑。

更且，本實施形態之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，(100)面方位之結晶之面積比率為3%以上，(123)面方位之結晶之面積比率為70%以下為佳。又，本實施形態之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，從外表面朝向中心，超過200μm，至1000μm之表層領域之結晶粒徑成為1μm以上120μm以下之範圍內為佳。更且，本實施形態之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之剖面積為5mm ²以上2000mm ²以下之範圍內為佳。又，本實施形態之銅合金塑性加工材係可為正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之直徑在3mm以上50mm以下之範圍內之銅合金棒材。

接著，本實施形態之銅合金塑性加工材中，對於規定如上述之成分組成、各種特性、結晶組織、剖面積之理由，加以說明。

(Mg) Mg係具有經由固溶於銅之母相，不會使導電率大幅下降，即使添加剖面減少率為25%之拉製加工後，具有提升耐熱性之作用效果之元素。在此，Mg之含有量為10massppm以下之時，會有無法充分發揮該作用效果之疑慮。另一方面，Mg之含有量超過100massppm之時，會有導電率下降之疑慮。由以上得知，本實施形態中，令Mg之含有量設定在超過10massppm，100massppm以下之範圍內。

為此，為了更提升加工後之耐熱性，令Mg之含有量之下限成為20massppm以上為佳，較佳為30 massppm以上，更佳為40massppm以上。又，為了更抑制導電率之下降，令Mg之含有量之上限為不足90massppm為佳，較佳為不足80massppm，更佳為不足70massppm。

(S、P、Se、Te、Sb、Bi、As) 上述之S、P、Se、Te、Sb、Bi、As之元素係一般易於混入銅合金之元素。然而，此等之元素係有易於與Mg反應形成化合物，減低微量添加Mg之固溶效果之疑慮。為此，此等之元素之含有量係嚴格加以控制。在此，於本實施形態中，將S之含有量制限於10massppm以下，將P之含有量制限於10massppm以下，將Se之含有量制限於5massppm以下，將Te之含有量制限於5massppm以下，將Sb之含有量制限於5massppm以下，將Bi之含有量制限於5massppm以下，將As之含有量制限於5massppm以下。更且將S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量限制為30massppm以下。

然而，S之含有量係9massppm以下為佳，更佳為8massppm以下。 P之含有量係6massppm以下為佳，更佳為3massppm以下。 Se之含有量係4massppm以下為佳，更佳為2massppm以下。 Te之含有量係4massppm以下為佳，更佳為2massppm以下。 Sb之含有量係4massppm以下為佳，更佳為2massppm以下。 Bi之含有量係4massppm以下為佳，更佳為2massppm以下。 As之含有量係4massppm以下為佳，更佳為2massppm以下。上述元素之含有量之下限值雖未特別加以限制，大幅減低上述元素之含有量，會增加製造成本之故，S、P、Sb、Bi、As之各別之含有量係0.1massppm以上為佳，Se之含有量係0.05massppm以上為佳，Te之含有量為0.01 massppm以上為佳。更且，S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量係24massppm以下為佳，更佳為18massppm以下。S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量之下限值雖未特別加以限制，大幅減低此合計含有量，會增加製造成本之故，S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量係0.6massppm以上，更佳為0.8massppm以上。

([Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]) 如上所述，S、P、Se、Te、Sb、Bi、As之元素係易於與Mg反應形成化合物之故，於本實施形態中，規定Mg之含有量、和S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量之比，控制Mg之存在形態。令Mg之含有量為[Mg]，令S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量成為[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]之時，此等質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]超過50時，於銅中，Mg過度以固溶狀態存在，導電率會有下降之疑慮。另一方面，質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]不足0.6時，Mg未充分固溶，耐熱性會有未能充分提升之疑慮。因此，本實施形態中，令質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]設定在0.6以上50以下之範圍內。然而，上述之質量比中之各元素之含有量之單位係massppm。

然而，為了更抑制導電率之下降，令質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]之上限為35以下為佳，更佳為25以下。又，為了更提升耐熱性，令質量比[Mg]/[S+P+Se+ Te+Sb+Bi+As]之下限成為0.8以上為佳，更佳係成為1.0以上。

(Ag:5massppm以上20massppm以下) Ag係在250℃以下之通常之電子・電氣機器之使用溫度範圍下，幾乎無法固溶於Cu之母相中。為此，微量添加於銅中之Ag係偏析於粒界附近。由此，粒界之原子之移動被妨礙，抑制粒界擴散之故，提升了加工後之耐熱性。在此，Ag之含有量為5massppm以上之時，可充分發揮該作用效果。另一方面，Ag之含有量為20massppm以下之時，伴隨確保導電率，可抑制製造成本之增加。由以上得知，本實施形態中，令Ag之含有量設定在5massppm以上，20massppm以下之範圍內。

為此，為了更提升加工後之耐熱性，令Ag之含有量之下限成為6massppm以上為佳，較佳為7massppm以上，更佳為8massppm以上。又，為了更確實抑制導電率之下降及成本之增加，令Ag之含有量之上限為18 massppm以下為佳，較佳為16massppm以下，更佳為14massppm以下。又，刻意不含Ag，而包含做為不純物之時，Ag之含有量不足5massppm亦可。

(H:10massppm以下) H係於鑄造時，與O結合，成為水蒸氣，於鑄型塊中，產生氣孔缺陷之元素。此氣孔缺陷係成為於鑄造時，成為破裂、於加工時成為膨脹及剝落等之缺陷之原因。此等之破裂、膨脹及剝落等之缺陷係應力集中成為破壞之起點之故，會劣化強度、表面品質。在此，令H之含有量成為10massppm以下，可抑制上述氣孔缺陷之產生，抑制冷加工性之惡化。然而，為了更抑制氣孔缺陷之產生，令H之含有量成為4massppm以下為佳，更佳為2massppm以下。H之含有量之下限值雖未特別加以限制，大幅減低H之含有量，會增加製造成本之故，H之含有量係0.01massppm以上為佳。

(O:100massppm以下) O係與銅合金中之各成分元素反應，形成氧化物之元素。此等氧化物係成為破壞之起點之故，加工性下降，使製造變得困難。又，經由過度O與Mg之反應，Mg被消耗，對Cu之母相中之Mg之固溶量則減低，強度或耐熱性，或冷加工性有劣化之疑慮。在此，令O之含有量成為100massppm以下，可抑制氧化物之生成或Mg之消耗，可提升加工性。然而，O之含有量係在上述範圍內中，尤以50 massppm以下為佳，更佳為20massppm以下。O之含有量之下限值雖未特別加以限制，大幅減低O之含有量，會增加製造成本之故，O之含有量係0.01massppm以上為佳。

(C:10massppm以下) C係熔湯之脫氧作用為目的，於熔解、鑄造中，被覆熔湯表面加以使用者，有不可避免被混入疑慮之元素。經由鑄造時之C之捲入，C之含有量有變多之疑慮。此等之C或複合碳化物、C之固溶體之偏析係會劣化冷加工性。在此，令C之含有量成為10massppm以下，可抑制C或複合碳化物、C之固溶體之偏析之產生，可提升冷加工性。然而，C之含有量係在上述範圍內中，尤以5massppm以下為佳，更佳為1massppm以下。C之含有量之下限值雖未特別加以限制，大幅減低C之含有量，會增加製造成本之故，C之含有量係0.01massppm以上為佳。

(其他之不可避免不純物) 做為上述元素以外之其他之不可避免不純物，可列舉Al、B、Ba、Be、Ca、Cd、Cr、Sc、稀土類元素、V、Nb、Ta、Mo、Ni、W、Mn、Re、Ru、Sr、Ti、Os、Co、Rh、Ir、Pb、Pd、Pt、Au、Zn、Zr、Hf、Hg、Ga、In、Ge、Y、Tl、N、Si、Sn、Li等。此等之不可避免不純物係在不影響特性之範圍內而含有亦可。在此，此等之不可避免不純物係會有使導電率下降之疑慮之故，使不可避免不純物之含有量為少為佳。

(拉伸強度:275MPa以下) 本實施形態之銅合金塑性加工材中，平行於銅合金塑性加工材之長度方向(伸線方向)之方向之拉伸強度為275MPa以下之時，可確保伸長率，提升加工性。然而，平行於銅合金塑性加工材之長度方向(伸線方向)之方向之拉伸強度之上限係270MPa以下為佳，更佳為260MPa以下，最佳為250MPa以下。又，拉伸強度之上限係可為240MPa以下，亦可為230MPa以下，亦可為220MPa以下。又，平行於銅合金塑性加工材之長度方向(伸線方向)之方向之拉伸強度之下限係100MPa以上為佳，更佳為120MPa以上，更甚者為140MPa以上。

(導電率:97%IACS以上) 本實施形態之銅合金塑性加工材中，導電率成為97%IACS以上。經由使導電率成為97%IACS以上，可抑制通電時之發熱，可良好使用做為純銅材之替代者，做為端子等之電子電氣機器用零件加以使用。然而，導電率係97.5%IACS以上為佳，較佳為98.0%IACS以上，更佳為98.5%IACS以上，更甚者為較佳為99.0%IACS以上。導電率之上限值雖未特別加以限定，103.0%IACS以下為佳，102.5%IACS以下為更佳。

(加工後之耐熱溫度:150℃以上) 本實施形態之銅合金塑性加工材中，添加剖面減少率為25%之拉製加工後之耐熱溫度為高之時，即使在高溫亦難以產生銅材之回復、再結晶所造成軟化現象之故，可適用在高溫環境下使用之通電構件。為此，本實施形態中，加工後之耐熱溫度成為150℃以上。然而，實施形態中，耐熱溫度係在熱處理時間60分之100～800℃熱處理後，對於熱處理前之強度T ₀而言，成為0.8×T ₀之強度時之熱處理溫度。在此，添加剖面減少率為25%之拉製加工後之耐熱溫度係175℃以上為佳，更佳為200℃以上，更甚者為225℃以上。然而，耐熱溫度係600℃以下為佳，更佳為580℃以下。

(總伸長率:20%以上) 本實施形態之銅合金塑性加工材中，總伸長率為20%以上之時，加工性更為優異，可經由嚴酷條件之塑性加工成形零件。然而，總伸長率係22.5%以上為佳，更佳為25%以上。又，總伸長率係60%以下為佳，更佳為55%以下。總伸長率係以JISZ2241之3.4.3所說明之破裂時總伸長率(%)。即，破裂時之總伸長率(伸長率計之彈性伸長率與塑性伸長率之合併者)，以對於伸長率計標點距離之百分率加以顯示之值。

(KAM值之平均值:1.8以下) 經由EBSD法測定之KAM(Kernel Average Misorientation)值係將1個像素與包圍此之像素間之方位差進行平均值化而算出之值。像素之形狀係正六角形之故，令接近次數為1之時(1st)，鄰接之六個像素之方位差之平均值則做為KAM值加以算出。經由使用此KAM值，可視化局部之方位差，即可視化應變之分布。

此KAM值為高之領域係加工時導入之換位(GN換位)密度為高之領域之故，強度變高，伸長率下降。又，施以剖面減少率為25%之拉製加工後，更且增加換位密度，易於產生該換位為路徑之原子之高速擴散，易於產生回復、再結晶所造成軟化現象，耐熱性則下降。為此，經由將此KAM值之平均值控制至1.8以下，使強度下降，提升伸長率，更可提升加工後之耐熱溫度。然而，KAM值之平均值在上述範圍內，為1.6以下為佳，較佳為1.4以下，更佳為1.2以下，更甚者為1.0以下。KAM值之平均值為0.2以上為佳，較佳為0.4以上，更佳為0.6以上，更甚者為0.8以上。

然而，本實施形態中，排除於EBSD裝置之解析軟體OIM Analysis(Ver.7.3.1)所測定之值之CI(Confidence Index)值為0.1以下之測定點，算出KAM值。CI值係將由解析點所得EBSD圖案附上指數時，使用Voting法加以算出，取得0至1之值。CI值為評估附上指數與方位計算之可靠性之值之故，CI值為低時，即不能獲得解析點之明朗之結晶圖案時，於組織中，可稱為存在應變(加工組織)。尤其應變為大時，CI值取得0.1以下之值。

((100)面方位之結晶之面積比率:3%以上) 於本實施形態之銅合金塑性加工材中，在正交於銅合金塑性加工材之長度方向(伸線方向)之剖面，測定結晶方位之時，(100)面方位之結晶之面積比率為3%以上為佳。在此，本實施形態中，將自(100)面至15˚之範圍結晶方位成為(100)面方位。

具有(100)面方位之結晶粒係相較具有其他之方位之結晶粒，難以蓄積換位之故，經由確保(100)面方位之結晶之面積比率為3%以上，可提升伸長率。又，(100)面係難以蓄積換位，難以產生加工所造成結晶方位之旋轉之故，有剖面減少率為25%之加工時，加工後亦可保持(100)面，可抑制換位為擴散路徑之原子之高速擴散，抑制回復、再結晶所造成軟化現象，提升加工後之耐熱性。

然而，(100)面方位之結晶之面積比率係4%以上為佳，較佳為6%以上，更佳為10%以上，更甚者為20%以上。另一方面，(100)面方位之結晶之面積比率過高時，增加具有同一結晶方位之結晶粒之故，會有減少大角粒界，伸長率下降之疑慮。為此，(100)面方位之結晶之面積比率係80%以下為佳，較佳為70%以下，更佳為60%以下，更甚者為50%以下。

((123)面方位之結晶之面積比率:70%以下) 於本實施形態之銅合金塑性加工材中，在正交於銅合金塑性加工材之長度方向(伸線方向)之剖面，測定結晶方位之時，(123)面方位之結晶之面積比率為70%以下為佳。在此，本實施形態中，將自(123)面至15˚之範圍結晶方位成為(123)面方位。

具有(123)面方位之結晶粒係相較具有其他之方位之結晶粒，易於蓄積換位之故，經由限制(123)面方位之結晶之面積比率為70%以下，可提升伸長率。然而，(123)面方位之結晶之面積比率係65%以下為佳，較佳為60%以下，更佳為55%以下，更甚者為50%以下。又，(123)面方位之結晶之面積比率為10%以上為佳。

(表層領域之結晶粒徑) 本實施形態之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，從外表面朝向中心，超過200μm，至1000μm之表層領域之結晶粒徑成為1μm以上之時，可抑制產生將粒界做為路徑之粒界擴散所造成原子之高速擴散，更可提升加工後之耐熱性。另一方面，表層領域之結晶粒徑為120μm以下之故，可確保伸長率，更可提升加工性。然而，上述表層領域之結晶粒徑係2μm以上為佳，較佳為5μm以上，更佳為10μm以上。另一方面，上述表層領域之結晶粒徑係100μm以下為佳，較佳為70μm以下，更佳為50μm以下。在此，結晶粒係具有將前述EBSD法所檢出鄰接之像素間之方位差為15˚以上之邊界視為結晶粒界之結晶粒。

(剖面積:5mm ²以上2000mm ²以下) 本實施形態之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之剖面積成為5mm ²以上2000mm ²以下之範圍內之時，即使熱容量變大，流有大電流之時，可抑制通電發熱所造成溫度上昇。然而，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之剖面積係6.0mm ²以上為佳，較佳為7.5mm ²以上，更佳為10mm ²以上。又，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之剖面積係1800mm ²以下為佳，較佳為1600mm ²以下，更佳為1500mm ²以下。

接著，對於如此構成之本實施形態之銅合金塑性加工材之製造方法，參照圖1所示流程圖加以說明。

(熔解・鑄造工程S01) 首先，於熔解銅原料所得銅熔湯，添加前述元素，進行成分調整，製出銅合金熔湯。然而，於各種元素之添加，可使用元素單體或母合金等。又，將包含上述元素之原料，伴隨銅原料加以熔解亦可。又，使用本合金之回收材及廢料材亦可。在此，銅原料係純度為99.99mass%以上之所謂4NCu，或99.999mass%以上之所謂5NCu為佳。令H、O、C之含有量如上述規定之時，選擇此等之元素之含有量之少之原料加以使用。具體而言，使用H含有量為0.5massppm以下、O含有量為2.0massppm以下、C含有量為1.0massppm以下之原料為佳。

又，熔解時，為了抑制Mg之氧化，或減低氫濃度，進行H ₂O之蒸氣壓低之非活性氣體環境(例如Ar氣)所成環境熔解，溶解時之保持時間係在最小範圍為佳。然後，將調整成分之銅合金熔湯，注入鑄型，製作出鑄型塊。然而，考慮到量產之情形，使用連續鑄造法或半連續鑄造法為佳。

(均質化/熔體化工程S02) 接著，為了得鑄型塊之均質化及熔體化，進行加熱處理。於鑄型塊之內部，於凝固過程中，有存在Mg偏析而濃縮所產生之Cu與Mg為主成分之金屬間化合物之情形。在此，為了消除或減低此等之偏析及金屬間化合物，經由將鑄型塊加熱至300℃以上1080℃以下，進行加熱處理，於鑄型塊內，將Mg擴散成均質，或將Mg固溶於母相中。然而此均質化/熔體化工程S02係在非氧化性或還原性環境中實施為佳。在此，加熱溫度不足300℃時，熔體化變得不完全，於母相中有殘留許多Cu與Mg為主成分之金屬間化合物之疑慮。另一方面，加熱溫度超過1080℃時，銅素材之一部分成為液相，組織或表面狀態會有不均勻之疑慮。因此，令加熱溫度設定在300℃以上1080℃以下之範圍。

(熱加工工程S03) 為了組織之均勻化，將所得鑄型塊加熱至特定之溫度，實施熱加工。加工方法雖未特別加以限定，例如可採用拉拔、擠出、溝輥壓等。本實施形態中，實施熱擠出加工。又，為除去在於熱加工時產生之氧化膜，於後述熱處理工程S04之前，可進行酸洗槽之酸洗工程。又，棒材之時，為了表面缺陷之除去，進行脫皮加工亦可。

然而，經由將熱加工溫度、熱加工終止溫度設定為高，將之後之冷卻速度設定為高，可減低粒界偏析。又，冷卻速度係5℃/sec以上為佳，較佳為7℃/sec以上，更佳為10℃/sec以上。由此，後述之熱處理工程S04中，可控制集合組織((100)面方位及(123)面方位之結晶之面積比率)。在此，熱加工溫度係500℃以上為佳，更佳為550℃以上，更甚者為600℃以上。在此，熱加工終止溫度係400℃以上為佳，更佳為450℃以上，更甚者為500℃以上。

(熱處理工程S04) 於熱加工工程S03後，實施熱處理。在此，熱處理溫度不足300℃之時或保持時間不足0.5小時之時，未充分產生再結晶，殘留熱加工工程S03之應變，有使KAM值變高之疑慮。又，有結晶粒徑過小，且(100)面方位之結晶之面積比率變低，(123)面方位之結晶之面積比率變高之疑慮。另一方面，熱處理溫度超過700℃之時或保持時間超過24小時之時，有結晶粒徑過大，且(100)面方位之結晶之面積比率變高之疑慮。在此，於本實施形態中，熱處理溫度係在300℃以上700℃以下之範圍內，熱處理溫度之保持時間在0.5小時以上24小時以下之範圍內為佳。

然而，熱處理溫度係350℃以上為佳，更佳為400℃以上。另一方面，熱處理溫度係650℃以下為佳，更佳為600℃以下。又，熱處理溫度之保持時間係0.75小時以上為佳，更佳為1小時以上。另一方面，熱處理溫度之保持時間係18小時以下為佳，更佳為12小時以下。

又，為確實控制(100)面方位之結晶之面積比率及(123)面方位之結晶之面積比率，連續退火所成熱處理時之昇溫速度係2℃/sec以上為佳，較佳為5℃/sec以上，更佳為7℃/sec以上。又，降溫速度係5℃/sec以上為佳，較佳為7℃/sec以上，更佳為10℃/sec以上。又，為了減少含有元素之氧化，令氧分壓成為10 ^-5atm以下為佳，較佳為10 ^-7atm以下，更佳為10 ^-9atm以下。

(完工加工工程S05) 於熱處理工程S04後，為調整強度，進行完工加工亦可。加工法雖未特別加以指定，棒材之時，可列舉拉製加工、擠出加工等。更且，棒材之時，為真直化，進行抽伸工程亦可。然而，加工條件係使製出之銅合金塑性加工材之長度方向之拉伸強度成為275MPa以下，適切加以調整。

如此，製出本實施形態之銅合金塑性加工材(銅合金棒材)。

以上構成之本實施形態之銅合金塑性加工材中，將Mg之含有量限制在超過10massppm，100massppm以下之範圍內，與Mg生成化合物之元素之S之含有量限制在10massppm以下，將P之含有量限制在10massppm以下，將Se之含有量限制在5massppm以下，將Te之含有量限制在5massppm以下，將Sb之含有量限制在5massppm以下，將Bi之含有量限制在5massppm以下，將As之含有量限制在5massppm以下，更且將S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量限制在30massppm以下之故，可將微量添加之Mg固溶於銅之母相，不會大幅減低導電率，可提升加工後之耐熱性。

然後，令Mg之含有量為[Mg]，令S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量成為[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]之時，此等質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]設定在0.6以上50以下之範圍之故，不會使Mg過度固溶，導致導電率下降，可充分提升加工後之耐熱性。更且，拉伸強度為275MPa以下之故，加工性優異，可進行嚴酷之塑性加工。

又，本實施形態之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之剖面積成為5mm ²以上2000mm ²以下之範圍內之時，熱容量變大，可抑制通電發熱所造成溫度上昇。更且，本實施形態之銅合金塑性加工材中，總伸長率為20%以上之時，特別在加工性優異，更可進行嚴酷之塑性加工。

又，本實施形態之銅合金塑性加工材中，Ag之含有量成為5massppm以上20massppm以下之範圍內之時，Ag在粒界附近偏析，經由此Ag，抑制粒界擴散，可更提升加工後之耐熱性。

又，於本實施形態之銅合金塑性加工材中，不可避免不純物中，H之含有量為10massppm以下、O之含有量為100massppm以下、C之含有量為10massppm以下時，可減低氣孔、Mg氧化物、C之捲入或碳化物等之缺陷之產生，可不使加工性下降，提升加工後之耐熱性。

更且。本實施形態之銅合金塑性加工材中，經由EBSD法，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，確保10000μm ²以上之測定面積，做為觀察面，以0.25μm之測定間隔之步驟，排除CI值為0.1以下之測定點，進行各結晶粒之方位差之解析，令鄰接之測定點間之方位差成為15˚以上之測定點間，成為結晶粒界，經由面積分數，求得平均粒徑A，接著，以成為平均粒徑A之10分之1以下之測定間隔之步驟，加以測定，使含有總數1000個以上之結晶粒，在複數視野，確保成為10000μm ²測定面積，做為觀察面，排除經由資料解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點，解析各結晶粒之方位差，將鄰接之像素間之方位差為5˚以上之邊界視為結晶粒界時之KAM(Kernel Average Misorientation)值之平均值成為1.8以下之時，加工時導入之換位(GN換位)之密度為高之領域為少，可確保伸長率，可更提升加工性。又，可抑制換位為路徑之原子之高速擴散，抑制回復、再結晶所造成軟化現象，更可提升加工後之耐熱性。

又，本實施形態之銅合金塑性加工材中，於正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，測定結晶方位之結果，(100)面方位之結晶之面積比率為3%以上，(123)面方位之結晶之面積比率為70%以下之時，難以蓄積換位之(100)面方位之結晶之面積比率被確保在3%以上，且易於蓄積換位之(123)面方位之結晶之面積比率抑制在70%以下之故，經由抑制換位密度之增加，可確保伸長率，更可提升加工性的同時，更提升加工後之耐熱性。

更且，本實施形態之銅合金塑性加工材中，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，從外表面朝向中心，超過200μm，至1000μm之表層領域之結晶粒徑成為1μm以上之時，可抑制產生將粒界做為路徑之粒界擴散所造成原子之高速擴散，更可提升加工後之耐熱性。另一方面，上述之表層領域之結晶粒徑為120μm以下之時，可確保伸長率，更可提升加工性。

更且，本實施形態之銅合金棒材係以上述銅合金塑性加工材構成之故，於大電流用途、高溫環境下，亦可發揮優異特性。又，正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之直徑係3mm以上50mm以下之範圍內之故，可充分確保強度及導電性。

更且，本實施形態之電子電氣機器用零件(端子等)係以上述銅合金塑性加工材構成之故，於大電流用途、高溫環境下，亦可發揮優異特性。

以上，雖對於本發明的實施形態之銅合金塑性加工材、電子電氣機器用零件(端子等)做了說明，但本發明非限定於此，在不脫離該發明之技術思想之範圍下，可適切加以變更。例如，上述實施形態中，對於銅合金塑性加工材之製造方法之一例做了說明，但銅合金塑性加工材之製造方法係非限定於記載於實施形態者，可適切選擇已存在之製造方法加以製造。 [實施例]

以下，對於確認本發明之效果所進行之確認實驗結果加以說明。準備包含1mass%使用H含有量為0.1massppm以下、O含有量為1.0massppm以下、S含有量為1.0massppm以下、C含有量為0.3massppm以下、Cu之純度為99.99mass%以上之銅原料、和具有6N(純度99.9999mass%)以上之高純度銅及2N(純度99mass%)以上之純度之純金屬所製作之各種添加元素之各種添加元素之各別母合金。

將上述銅原料裝入坩堝內，在Ar氣體環境或Ar-O ₂氣體環境之環境爐內，進行高頻熔解。於所得之銅熔湯內，使用上述母合金，調製成表1、2所示成分組成，導入H、O之時，將熔解時之環境，使用高純度Ar氣體(露點-80℃以下)、高純度N ₂氣體(露點-80℃以下)、高純度O ₂氣體(露點-80℃以下)、高純度H ₂氣體(露點-80℃以下)，成為Ar-N ₂―H ₂及Ar-O ₂混合氣體環境。導入C時，於溶解時，於熔湯表面，被覆C粒子，與熔湯接觸。由此，熔製表1、2所示成分組成之合金熔湯，將此注入碳鑄型，製作鑄型塊。然而，鑄型塊之大小係直徑約80mm，長度約300mm。

對於所得鑄型塊，於Ar氣體環境中，以記載於表3、4之條件，實施均質化/熔體化工程。之後，以記載於表3、4之條件(加工終止溫度及擠出比)，進行熱加工(熱擠出)，得熱加工材。然而，熱加工報經由水冷進行冷卻。

將所得熱加工材，以記載於表3、4之條件，使用鹽浴，實施熱處理，進行冷卻。之後，切斷熱處理後之銅素材之同時，為了除去氧化被膜，實施表面研磨。之後，在常溫下，以表3、4之條件，進行完工加工(冷擠出加工)，得本發明例及比較例之銅合金塑性加工材(銅合金棒材)。

對於所得銅合金塑性加工材(銅合金棒材)，對於以下之項目，實施評估。

(組成分析) 從所得鑄型塊採取測定試料，Mg係使用感應耦合電漿發光分光分析法，其他之元素係使用輝光放電質譜裝置(GD-MS)加以測定。又，H之分析係熱傳導度法進行，O、S、C之分析係以紅外線吸收法進行。然而，測定係在試體中央部與寬度方向端部之2處所，進行測定，將含有量多者成為該樣本之含有量。其結果，確認為表1、2所示成分組成。

(拉伸強度及總伸長率) 採取依據於JIS Z 2201之2號試驗片，經由JIS Z 2241之拉伸試驗方法，測定銅合金塑性加工材(銅合金棒材)之長度方向(擠出方向)之拉伸強度及總伸長率。正交於銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之剖面積超過450mm ²之時，以銅合金塑性加工材之長度方向平行部之長度200mm，進行試驗。拉伸強度係對應於拉伸試驗之最大伸展試驗力之應力，總伸長率係破裂時之總伸長率(伸長率計之彈性伸長率與塑性伸長率之合併者)，以對於伸長率計標點距離之百分率加以顯示之值。

(加工後之耐熱溫度) 對於所得銅合金塑性加工材(銅合金棒材)，在常溫下，實施剖面減少率25%之拉製加工。之後，依據日本伸銅協會之JCBA T325:2013，在1小時之熱處理之銅合金塑性加工材之長度方向(拉拔方向)，取得拉伸試驗所成等時軟化曲線加以評估。然而，於本實施例中，耐熱溫度係在熱處理時間60分100~800℃之熱處理後，對於熱處理前之強度T ₀而言，成為0.8×T ₀之強度時之熱處理溫度。然而，熱處理前之強度T ₀係在常溫(15~35℃)下測定之值。

(導電率) 經由JIS H 0505(非鐵金屬材料之體積電阻率及導電率測量方法)，算出導電率。

(KAM值) 令正交於銅合金棒材(銅合金塑性加工材)之長度方向(伸線方向)之剖面，做為觀察面，經由EBSD測量裝置及OIM解析軟體，如下求得KAM值之平均值。

對於觀察面，使用耐水研磨紙、鑽石研磨粒，進行機械研磨後，使用膠狀矽石溶液，進行完工研磨。經由EBSD測定裝置(FEI公司製Quanta FEG 450,EDAX/TSL公司製(現AMETEK公司)OIM Data Collection)、和解析軟體(EDAX/TSL公司製(現 AMETEK公司)OIM Data Analysis ver.7.3.1)，以電子線之加速電壓15kV、觀察10000μm ²以上之測定面積之觀察面，以0.25μm之測定間隔之階梯，排除CI值為0.1以下之測定點，進行各結晶粒之方位差之解析，將鄰接之測定點間之方位差成為15˚以上之測定點間做為結晶粒界，使用資料解析軟體OIM，求得面積分數所成平均粒徑A。

之後，將觀察面以平均粒徑A之10分之1之測定間隔之步驟加以測定，使包含總數1000個以上之結晶粒，以在複數視野下，成為10000μm ²以上之測定面積，排除經由解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點加以解析，求得鄰接之測定間之方位差為5˚以上之邊界視為結晶粒界加以解析之全像素之KAM值，以求得該平均值。

(集合組織) 由上述測量結果，經由EBSD測量裝置及OIM解析軟體，測定從(100)面方位15˚以內之方位之面積比率，及從(123)面方位15˚以內之方位之面積比率。

(表層領域之結晶粒徑) 對於所得銅合金塑性加工材(銅合金棒材)，測定正交於銅合金塑性加工材之長度方向(擠出方向)之剖面中，從外表面朝向中心，超過200μm，至1000μm之表層領域之平均結晶粒徑。在此之平均結晶粒徑係面積平均結晶粒徑。令上述之平均結晶粒徑、通過正交於銅合金塑性加工材之長度方向(擠出方向)之剖面之中心之任意軸為基準，從軸沿著圓周方向，各別測定在0˚、90˚、180˚、270˚位置之4點，平均4點各處之結晶粒徑。測定係使用SEM-EBSD(檢測器HIKARI、分析軟體 TSL OIM Data collection 5.31及OIM Analysis 6.2)，令隣接2個結晶間之配向方位差成為15˚以上之測定點間為結晶粒界，將以面積加權之加權平均值，做為結晶粒徑。視野範圍係使用將x=500μm、y=500μm共計8處所計測之平均值。又，階段尺寸為1μm。

比較例1係Mg之含有量較本發明之範圍為少，加工後之耐熱性不充分。比較例2係Mg之含有量超過本發明之範圍，導電率變低。比較例3係S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量超過30massppm，加工後之耐熱性不充分。比較例4係質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]不足0.6，加工後之耐熱性不充分。比較例5係完工加工之剖面積減少率過高之故，強度超過本發明之範圍，總伸長率為低。加工性不佳。又，加工後之耐熱性不充分。

對此，本發明例1~22中，強度為低，且總伸長率為高，加工性十分優異。又，導電率變高。更且，加工後之耐熱性亦優異。如以上得知，根據本發明例時，可確認提供具有高導電率的同時，加工性優異，且附在加工後，具有優異耐熱性之銅合金塑性加工材。

[圖1]本實施形態之銅合金塑性加工材之製造方法之流程圖。

Claims

一種銅合金塑性加工材，其特徵係具有Mg之含有量係成為超過10massppm，100massppm以下之範圍內，殘留部為Cu及不可避免不純物之組成，前述不可避免不純物中，S之含有量為10massppm以下，P之含有量為10massppm以下，Se之含有量為5massppm以下，Te之含有量為5massppm以下，Sb之含有量為5massppm以下，Bi之含有量為5massppm以下，As之含有量為5massppm以下的同時，S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量成為30massppm以下，令Mg之含有量為[Mg]，令S與P與Se與Te與Sb與Bi與As之合計含有量成為[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]之時，此等質量比[Mg]/[S+P+Se+Te+Sb+Bi+As]係成為0.6以上50以下之範圍內，導電率為97%IACS以上，拉伸強度為275MPa以下，添加剖面減少率為25%之拉製加工後之耐熱溫度為150℃以上。
如請求項1記載之銅合金塑性加工材，其中，拉伸強度係250MPa以下。
如請求項1或2記載之銅合金塑性加工材，其中，正交於前述銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之剖面積為5mm ²以上2000mm ²以下之範圍內。
如請求項1至3之任一項記載之銅合金塑性加工材，其中，總伸長率係20%以上。
如請求項1至4之任一項記載之銅合金塑性加工材，其中，Ag之含有量為5massppm以上20massppm以下之範圍內。
如請求項1至5之任一項記載之銅合金塑性加工材，其中，前述不可避免不純物中，H之含有量為10massppm以下、O之含有量為100massppm以下、C之含有量為10massppm以下。
如請求項1至6之任一項記載之銅合金塑性加工材，其中，經由EBSD法，正交於前述銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，確保10000μm ²以上之測定面積，做為觀察面，以0.25μm之測定間隔之步驟，排除CI值為0.1以下之測定點，進行各結晶粒之方位差之解析，令鄰接之測定點間之方位差成為15˚以上之測定點間，成為結晶粒界，經由面積分數，求得平均粒徑A，接著，以成為平均粒徑A之10分之1以下之測定間隔之步驟，加以測定，使含有總數1000個以上之結晶粒，在複數視野，確保成為10000μm ²以上之測定面積，做為觀察面，排除經由資料解析軟體OIM所解析之CI值為0.1以下之測定點，解析各結晶粒之方位差，將鄰接之像素間之方位差為5˚以上之邊界視為結晶粒界時之KAM(Kernel Average Misorientation)值之平均值成為1.8以下。
如請求項1至7之任一項記載之銅合金塑性加工材，其中，正交於前述銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，(100)面方位之結晶之面積比率為3%以上，(123)面方位之結晶之面積比率為70%以下。
如請求項1至8之任一項記載之銅合金塑性加工材，其中，正交於前述銅合金塑性加工材之長度方向之剖面中，從外表面朝向中心，超過200μm，至1000μm之表層領域之平均結晶粒徑成為1μm以上120μm以下之範圍內。
一種銅合金棒材，其特徵係由如請求項1至9之任一項記載之銅合金塑性加工材所成，正交於前述銅合金塑性加工材之長度方向之剖面之直徑係在3mm以上50mm以下之範圍內。
一種電子電氣機器用零件，其特徵係由如請求項1至9之任一項記載之銅合金塑性加工材所成。
一種端子，其特徵係由如請求項1至9之任一項記載之銅合金塑性加工材所成。