CN115667276A - 化合物、接合剂、接合体、印刷基板以及接合体的制造方法 - Google Patents

化合物、接合剂、接合体、印刷基板以及接合体的制造方法 Download PDF

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八甫谷明彦
石川慎介
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Abstract

本公开提供一种能提高接合力的化合物等。本公开是在一个分子中具有OH基和OH生成基中的至少任一种官能团、含有碳碳双键的有机基团以及三嗪环的化合物等。

Description

化合物、接合剂、接合体、印刷基板以及接合体的制造方法
技术领域
本公开涉及一种化合物、接合剂、接合体、印刷基板以及接合体的制造方法。
背景技术
以往，在将不同种类材料彼此接合时，使用含有下述化学式(1)的化合物的接合剂(例如专利文献1)。
X-Y-Si-(CH3)a(OR)3-a(1)
(化学式(1)中，X为含有烯基的不饱和基，Y为选自-(CH2)n1-、-(C6H4)-、-(C6H4)CH2-、-NH-C6H4-、-NH-C6H4CH2-以及-NH-(CH2)n2-中的任一种间隔基团，n1至n2为1至12的数，R为甲基、乙基、丙基、异丙基或丁基，a为0至2的数)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2012/077676号
发明内容
发明所要解决的问题
再者，往后可能要求能进一步提高接合力的接合剂、化合物，但关于这样的接合剂、化合物，至今尚未进行充分研究。
因此，本公开的目的在于提供一种能提高接合力的化合物、能提高接合力的接合剂、由该接合剂得到的接合体、包含该接合体的印刷基板以及使用所述接合剂的接合体的制造方法。
用于解决问题的方案
本公开第一涉及一种化合物，其在一个分子中具有OH基和OH生成基中的至少任一种官能团、含有碳碳双键的有机基团以及三嗪环。
优选的是，所述化合物具有烷氧基硅烷基作为所述OH生成基。
优选的是，所述化合物由下述通式(1)表示。
(通式(1))
Figure BDA0003950519390000021
需要说明的是，所述通式(1)中，
J为含有碳碳双键的有机基团，
E为含有OH基或OH生成基的基团，
Q为与所述J相同或不同的含有碳碳双键的有机基团或NR1(R2)，
所述R1和R2分别为H、碳原子数1至24的烃基或-RSi(R')n1(OR”)3-n1，可以相同也可以不同，
所述R为碳原子数1至12的链状二价烃基，
所述R'为碳原子数1至4的链状烃基，
所述R”为H或碳原子数1至4的链状烃基，
所述n1为0至2的整数。
优选的是，所述通式(1)中的E为所述NR1(R2)。
优选的是，所述通式(1)中的Q为所述J。
优选的是，所述通式(1)中的Q为所述NR1(R2)。
优选的是，所述化合物具有下述官能团的至少任一种作为所述含有碳碳双键的有机基团。
CH2＝CHNH-；
CH2＝CH(CH2)NH-；
CH2＝CH(CH2)n2NH-(n2＝2至16)；
CH2＝CHCH2(N-)CH2CH＝CH2；
CH2＝C(CH3)CH2NH-；
CH2＝CHCH2(N-)C(CH3)3；
CH2＝CHC6H4NH-；
CH2＝CHC6H4CH2NH-；
CH2＝C(CH3)(C＝O)NH-；
CH2＝CHCH2NH(C＝O)NH-；
C6H5(N-)CH2CH＝CH2；
-NH(NH2)C3N3CH＝CH2；
CH2＝CHO-；
CH2＝CH(CH2)O-；
CH2＝CH(CH2)n3O-(n3＝2至16)；
CH2＝C(CH3)CH2O-；
CH2＝CHC6H4O-；
CH2＝CHC6H4CH2O-；
CH2＝CH-O(CH2)n4O-(n4＝1至16)；
CH2＝CH-O(CH2)2O-(CH2)2O-；
CH2＝CHS-；
CH2＝CH(CH2)S-；
CH2＝CH(CH2)n5S-(n5＝2至16)；
CH2＝C(CH3)CH2S-；
CH2＝CHC6H4S-；
CH2＝CHC6H4CH2S-；
(CH2＝CHCH2NCH2CH＝CH2)2C3N3S-；
(CH2＝CHCH2NH)2C3N3S-；
(CH2＝CHCH2NCH2CH＝CH2)C3N3(SH)S-；(CH2＝CHCH2NH)C3N3(SH)S-；
CH2＝CHCOO-(CH2)n7-S-(n7＝1至16)；
CH2＝C(CH3)COO-(CH2)n8-S-(n8＝1至16)；
CH2＝CH-；
CH2＝CH(CH2)-；
CH2＝CH(CH2)n6-(n6＝2至16)；
CH2＝C(CH3)CH2-；
CH2＝CHC6H4-；
CH2＝CHC6H4CH2-。
本公开第二涉及一种接合剂，其含有所述化合物(α)。
优选的是，所述接合剂用于将材料A与高分子材料B接合。
优选的是，所述材料A为金属材料。
本公开第三涉及一种接合体，其是所述材料A与所述高分子材料B利用所述接合剂接合而成的。
本公开第四涉及一种印刷基板，其包含所述接合体。
本公开第五涉及一种接合体的制造方法，其制作表面A具有材料A的基体A与表面B具有高分子材料B的基体B利用接合剂接合而成的接合体，所述接合体的制造方法包括：
工序(X)，在所述表面A设置所述接合剂；
工序(Y)，以所述表面A与所述表面B经由所述接合剂而抵接的方式将所述基体A与所述基体B对接；以及
工序(Z)，通过对所述表面A与前表面B的经由所述接合剂的抵接面进行加压，得到所述接合体。
优选的是，所述接合体的制造方法进一步包括：工序(A)，在所述工序(X)前，通过对所述表面A实施选自脱脂处理、电晕放电处理、等离子体放电处理、紫外线照射、酸处理、碱处理、水蒸气处理以及化成处理的组中的一种或两种以上的处理，在所述表面A生成OH基。
优选的是，所述接合体的制造方法在所述工序(X)后通过对所述表面A以及所述接合剂进行加热，使所述表面A的OH基与所述化合物(α)的OH基和OH生成基中的至少任一种官能团通过脱水缩合而进行化学键合。
优选的是，所述接合体的制造方法在所述工序(X)中通过将所述表面A浸渍于所述接合剂中、利用喷雾器将所述接合剂吹附至所述表面A、或利用涂布装置将所述接合剂涂布于所述表面A，从而在所述表面A设置所述接合剂。
优选的是，所述接合体的制造方法在所述(Z)中以所述高分子材料B与所述粘接剂接触的方式对所述表面A与前表面B的经由所述接合剂的抵接面进行加压。
优选的是，所述接合体的制造方法在0至350℃的温度条件下进行所述工序(Z)的加压。
优选的是，所述接合体的制造方法在所述工序(Z)中一边对所述抵接面加热一边对其加压。
本公开第六涉及一种接合体的制造方法，其制作金属材料与高分子材料B利用接合剂接合而成的接合体，在所述接合体的制造方法中，
使用所述接合剂，
所述接合剂具有烷氧基硅烷基作为所述OH生成基，
所述接合体的制造方法包括以下工序：通过在表面B具有所述高分子材料B的基体B的该表面B设置所述接合剂，在所述表面B出现所述三嗪环和所述烷氧基硅烷基的工序；以及
对所述表面B的所述三嗪环和所述烷氧基硅烷基设置无电电镀液的工序。
本公开第七涉及一种接合剂，其是用于金属材料与高分子材料B的接合的接合剂，依照JIS K6854-1：1999“粘接剂-剥离粘接强度试验方法-第1部：90度剥离”的方法以50mm/min的速度剥离时的剥离强度为5N/cm以上。
优选的是，所述接合剂的260℃下的焊料回焊试验后的剥离强度为5N/cm以上。
优选的是，所述接合剂用于具有作为所述金属材料的铜的铜箔的接合。
优选的是，所述铜箔的接合面的表面粗糙度(Rz)为0.5μm至1.5μm。
优选的是，所述铜箔的接合面的表面粗糙度(Rz)为0.5μm至1.0μm。
优选的是，所述铜箔的接合面的表面粗糙度(Rz)为0.8μm。
优选的是，所述接合剂含有下述通式(1)所示的化合物(α)。
(通式(1))
Figure BDA0003950519390000061
(需要说明的是，所述通式(1)中，
J为含有碳碳双键的有机基团，
E为含有OH基或OH生成基的基团，
Q为与所述J相同或不同的含有碳碳双键的有机基团或NR1(R2)，
所述R1和R2分别为H、碳原子数1至24的烃基或-RSi(R')n1(OR”)3-n1，可以相同也可以不同；
所述R为碳原子数1至12的链状二价烃基，
所述R'为碳原子数1至4的链状烃基，
所述R”为H或碳原子数1至4的链状烃基，
所述n1为0至2的整数)。
本公开第八涉及一种接合体，其是金属材料与高分子材料B利用接合剂接合而成的接合体，依照JIS K6854-1：1999“粘接剂-剥离粘接强度试验方法-第1部：90度剥离”的方法以50mm/min的速度剥离金属材料或高分子材料时的剥离强度为5N/cm以上。
优选的是，所述接合体的260℃下的焊料回焊试验后的剥离强度为5N/cm以上。
优选的是，所述接合体是具有作为所述金属材料的铜的铜箔接合而成的。
优选的是，所述铜箔的接合面的表面粗糙度(Rz)为0.5μm至1.5μm。
优选的是，所述铜箔的接合面的表面粗糙度(Rz)为0.5μm至1.0μm。
优选的是，所述铜箔的接合面的表面粗糙度(Rz)为0.8μm。
本公开第九涉及一种印刷基板，其包含所述接合体。
发明效果
根据本公开，能提高接合力。
具体实施方式
以下，对本公开的一个实施方式进行说明。
需要说明的是，各实施方式中的各构成和它们的组合等为一个例子，可以在不脱离本公开的主旨的范围内适当进行构成的附加、省略、置换以及其他变更。本公开并不由实施方式限定，仅由权利要求的范围限定。
此外，本说明书所公开的各方式也可以与本说明书所公开的其他任意特征组合。
<本实施方式>
本实施方式的化合物是在一个分子中具有OH基和OH生成基中的至少任一种官能团、含有碳碳双键的有机基团以及三嗪环的化合物(α)。
三嗪环的三嗪可列举出1,3,5-三嗪等。
所述化合物(α)优选具有烷氧基硅烷基作为所述OH生成基。
所述烷氧基硅烷基优选为-RSi(R')n1(OR”)3-n1。
需要说明的是，所述R为碳原子数1至12的链状二价烃基，所述R'为碳原子数1至4的链状烃基，所述R”为H或碳原子数1至4的链状烃基，所述n1为0至2的整数。
需要说明的是，在本实施方式中，“烃基”、“烃”分别也可以具有-NH-、-CO-、-O-、-S-、-COO-等基团。
此外，“烃基”、“烃”分别可以为链状烃基，也可以为环状基。
而且，“烃基”、“烃”分别也可以具有取代基(环状或链状)。
所述R的碳原子数优选为1至18，更优选为1至12。
作为所述R，例如可列举出-CnH2n等。
作为所述R'，例如可列举出-CnH2n+1等。
在所述R”为烃基的情况下，作为所述R”，例如可列举出-CH3、-C2H5、-CH(CH3)2、-C(CH3)3等。
此外，所述化合物(α)优选由下述通式(1)表示。
(通式(1))
Figure BDA0003950519390000081
需要说明的是，在所述通式(1)中，J为含有碳碳双键的有机基团。E为含有OH基或OH生成基的基团。Q为与所述J相同或不同的含有碳碳双键的有机基团或NR1(R2)。所述R1和R2分别为H、碳原子数1至24的烃基或-RSi(R')n1(OR”)3-n1，可以相同也可以不同。所述R为碳原子数1至12的链状二价烃基。所述R'为碳原子数1至4的链状烃基。所述R”为H或碳原子数1至4的链状烃基。所述n1为0至2的整数。
在所述通式(1)中，所述E优选为所述NR1(R2)。
换言之，所述化合物(α)优选由下述通式(2)表示。
(通式(2))
Figure BDA0003950519390000082
在所述通式(2)中，所述Q优选为所述J。
换言之，所述化合物(α)优选由下述通式(3)表示。
(通式(3))
Figure BDA0003950519390000083
此外，在所述通式(2)中，所述Q优选为所述NR1(R2)。
换言之，所述化合物(α)优选由下述通式(4)表示。
(通式(4))
Figure BDA0003950519390000091
含有碳碳双键的有机基团中所述碳碳双键能与后述基体B的高分子材料B所含的碳碳双键等发生反应。所述有机基团也可以具有苯环，在具有苯环的情况下，具有苯环所含的碳碳双键以外的碳碳双键。
所述化合物(α)优选为在一个分子中含有优选为两个以上，更优选为二至四个，更进一步优选为四个能与后述基体B所含的碳碳双键等发生反应的碳碳双键。
通过所述化合物(α)在一个分子中含有两个以上碳碳双键，接合力更进一步变高。
作为所述含有碳碳双键的有机基团，也可以含有氮、硫。
作为所述含有碳碳双键的有机基团，可列举出下述官能团等。
CH2＝CHNH-；
CH2＝CH(CH2)NH-；
CH2＝CH(CH2)n2NH-(n2＝2至16)；
CH2＝CHCH2(N-)CH2CH＝CH2；
CH2＝C(CH3)CH2NH-；
CH2＝CHCH2(N-)C(CH3)3；
CH2＝CHC6H4NH-；
CH2＝CHC6H4CH2NH-；
CH2＝C(CH3)(C＝O)NH-；
CH2＝CHCH2NH(C＝O)NH-；
C6H5(N-)CH2CH＝CH2；
-NH(NH2)C3N3CH＝CH2。
CH2＝CHO-；
CH2＝CH(CH2)O-；
CH2＝CH(CH2)n3O-(n3＝2至16)；
CH2＝C(CH3)CH2O-；
CH2＝CHC6H4O-；
CH2＝CHC6H4CH2O-；
CH2＝CH-O(CH2)n4O-(n4＝1至16)；
CH2＝CH-O(CH2)2O-(CH2)2O-。
CH2＝CHS-；
CH2＝CH(CH2)S-；
CH2＝CH(CH2)n5S-(n5＝2至16)；
CH2＝C(CH3)CH2S-；
CH2＝CHC6H4S-；
CH2＝CHC6H4CH2S-；
(CH2＝CHCH2NCH2CH＝CH2)2C3N3S-；
(CH2＝CHCH2NH)2C3N3S-；
(CH2＝CHCH2NCH2CH＝CH2)C3N3(SH)S-；
(CH2＝CHCH2NH)C3N3(SH)S-；
CH2＝CHCOO-(CH2)n7-S-(n7＝1至16)；
CH2＝C(CH3)COO-(CH2)n8-S-(n8＝1至16)。
CH2＝CH-；
CH2＝CH(CH2)-；
CH2＝CH(CH2)n6-(n6＝2至16)；
CH2＝C(CH3)CH2-；
CH2＝CHC6H4-；
CH2＝CHC6H4CH2-。
接着，作为本实施方式的化合物(α)，列举出2,4-双(二烯丙基氨基)-6-(3-三乙氧基硅烷基丙基)氨基-1,3,5-三嗪(下述式)为例子，对本实施方式的化合物(α)的制造方法的一个例子进行说明。需要说明的是，在后述实施例1中示出更具体的制造方法。
Figure BDA0003950519390000111
在三口烧瓶内，在氮气氛下向三聚氰氯与四氢呋喃(THF)的混合溶液中加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷与四氢呋喃(THF)的混合溶液，进一步加入三乙胺(TEA)与四氢呋喃(THF)的混合溶液，由此可以通过下述化学反应式的反应，生成作为中间体的6-(3-三乙氧基硅烷基丙基氨基)-1,3,5-三嗪-2,4-二氯化物。
Figure BDA0003950519390000112
接着，向中间体与四氢呋喃(THF)的混合溶液中加入二烯丙基胺与四氢呋喃(THF)的混合溶液，由此可以通过下述化学反应式的反应，生成作为化合物(α)的2,4-双(二烯丙基氨基)-6-(3-三乙氧基硅烷基丙基)氨基-1,3,5-三嗪。
Figure BDA0003950519390000113
需要说明的是，在生成中间体的上述化学反应式中，三嗪环上仅键合有一个含有烷氧基硅烷基的基团，但也可以通过调整3-氨基丙基三乙氧基硅烷相对于三聚氰氯的量等，使三嗪环上键合两个含有烷氧基硅烷基的基团。
此外，在由中间体生成化合物(α)的上述反应式中，使用二烯丙基胺使“CH2＝CH(CH2)NH-”键合于三嗪环上，但也可以使用与二烯丙基胺不同的胺使下述有机基团键合于三嗪环。
CH2＝CHNH-；
CH2＝CH(CH2)n2NH-(n2＝2至16)；
CH2＝CHCH2(N-)CH2CH＝CH2；
CH2＝C(CH3)CH2NH-；
CH2＝CHCH2(N-)C(CH3)3；
CH2＝CHC6H4NH-；
CH2＝CHC6H4CH2NH-；
CH2＝C(CH3)(C＝O)NH-；
CH2＝CHCH2NH(C＝O)NH-；
C6H5(N-)CH2CH＝CH2；
-NH(NH2)C3N3CH＝CH2。
此外，也可以使用醇来代替二烯丙基胺使下述有机基团键合于三嗪环。
CH2＝CHO-；
CH2＝CH(CH2)O-；
CH2＝CH(CH2)n3O-(n3＝2至16)；
CH2＝C(CH3)CH2O-；
CH2＝CHC6H4O-；
CH2＝CHC6H4CH2O-；
CH2＝CH-O(CH2)n4O-(n4＝1至16)；
CH2＝CH-O(CH2)2O-(CH2)2O-。
而且，也可使用硫醇来代替二烯丙基胺使下述有机基团键合于三嗪环。
CH2＝CHS-；
CH2＝CH(CH2)S-；
CH2＝CH(CH2)n5S-(n5＝2至16)；
CH2＝C(CH3)CH2S-；
CH2＝CHC6H4S-；
CH2＝CHC6H4CH2S-；
(CH2＝CHCH2NCH2CH＝CH2)2C3N3S-；
(CH2＝CHCH2NH)2C3N3S-；
(CH2＝CHCH2NCH2CH＝CH2)C3N3(SH)S-；
(CH2＝CHCH2NH)C3N3(SH)S-；
CH2＝CHCOO-(CH2)n7-S-(n7＝1至16)；
CH2＝C(CH3)COO-(CH2)n8-S-(n8＝1至16)。
此外，也可使用格氏试剂来代替二烯丙基胺使下述有机基团键合于三嗪环。
CH2＝CH-；
CH2＝CH(CH2)-；
CH2＝CH(CH2)n6-(n6＝2至16)；
CH2＝C(CH3)CH2-；
CH2＝CHC6H4-；
CH2＝CHC6H4CH2-。
接着，对本实施方式的接合剂进行说明。
本实施方式的接合剂含有本实施方式的化合物(α)。
本实施方式的接合剂也可以具有溶剂。
作为所述溶剂，可列举出：水、醇(例如甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、丙二醇、溶纤剂、卡必醇)、酮(例如丙酮、甲基乙基酮、环己酮)、芳香族烃(例如苯、甲苯、二甲苯)、脂肪族烃(例如己烷、辛烷、癸烷、十二烷、十八烷)、酯(例如乙酸乙酯、丙酸甲酯、邻苯二甲酸甲酯)、醚(例如四氢呋喃、乙基丁基醚、苯甲醚)等。
本实施方式的接合剂中的所述化合物(α)的浓度优选为0.0001～10质量％，更优选为0.01～5.0质量％，进一步优选为0.1～3.0质量％。
本实施方式的接合剂优选用于不同种类材料彼此的接合。
本实施方式的接合剂优选用于将材料A与高分子材料B接合。具体而言，本实施方式的接合剂用于将表面A具有材料A的基体A与表面B具有高分子材料B的基体B接合。本实施方式的接合剂以所述表面A与前表面B经由所述接合剂抵接的方式使用。
所述材料A为与所述高分子材料不同的材料。
所述高分子材料B优选为具有能与所述化合物(α)所含的“碳碳双键”发生反应的“碳碳双键”的高分子材料。
需要说明的是，在本实施方式中，“具有能与所述化合物(α)所含的“碳碳双键”发生反应的“碳碳双键”的高分子材料”是指，也包括“通过改性而变得具有能与所述化合物(α)所含的“碳碳双键”发生反应的“碳碳双键”的高分子材料”的概念。
换言之，在本实施方式中，“具有能与所述化合物(α)所含的“碳碳双键”发生反应的“碳碳双键”的高分子材料”是指通过改性或不进行改性而具有能与所述化合物(α)所含的“碳碳双键”发生反应的“碳碳双键”的高分子材料。
作为具有能与所述化合物(α)所含的“碳碳双键”发生反应的“碳碳双键”的高分子材料，可列举出改性为在末端或侧链具有碳碳双键的树脂的聚苯醚(m-PPE)。
此外，作为具有能与所述化合物(α)所含的“碳碳双键”发生反应的“碳碳双键”的高分子材料，也可列举出：聚丁二烯、不饱和聚酯、双马来酰亚胺三嗪、天然橡胶(NR)、丁二烯橡胶(BR)、苯乙烯-丁二烯橡胶(SBR)、丙烯腈-丁二烯橡胶(NBR)、丁基橡胶(异丁烯-异戊二烯共聚物)(IIR)、乙烯-丙烯橡胶(EPDM)、氯丁二烯橡胶(CR)等。
而且，作为具有能与所述化合物(α)所含的“碳碳双键”发生反应的“碳碳双键”的高分子材料，也可列举出使以下列举出的材料改性为具有碳碳双键的高分子材料。
聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)、聚酰亚胺、聚苯硫醚(PPS)、聚砜、聚醚砜、聚醚醚酮、氟树脂、有机硅树脂、聚酰胺、聚酯、液晶聚合物(LCP)等。
此外，所述基体B也可以根据需要含有添加剂。
作为添加剂，例如可列举出：交联剂、交联促进剂、交联助剂、自由基引发剂、阳离子引发剂、光聚合引发剂、防焦化剂、稳定剂、抗老化剂、抗紫外线剂、填充剂、增强剂、增塑剂、软化剂、着色剂、粘度调整剂、阻燃剂等。
所述聚合引发剂、交联剂、交联促进剂以及交联助剂可以使用各种物质。例如为过氧化物类、阳离子聚合引发剂、光聚合引发剂、硫、硫系交联促进剂、多元醇系交联剂、聚胺系交联剂、聚硫醇系交联剂、丙烯酸酯系交联助剂、甲基丙烯酸酯系交联助剂、烯丙基系交联助剂等。具体而言，例如可列举出：偶氮双丁腈、二苯甲酮、米氏酮、苯偶姻异丙醚、氯噻吨酮、异丙基噻吨酮、苄基二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基苯基丙烷。也可列举出：苯乙酮衍生物化合物(例如4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α,α'-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮)。也可列举出苯偶姻醚系化合物(例如苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚)。也可列举出苄基二甲基缩酮等缩酮衍生物化合物。也可列举出：卤代酮、酰基氧化膦、酰基膦酸酯(acyl phosphonates)、双(2,6-二甲氧基苯甲酰基)-2,4,4-三甲基戊基氧化膦、苯基二甲基氯化锍、三芳基六氟磷酸锍。也可列举出：三嗪二硫醇系交联剂、树脂交联剂、多元醇交联剂、氢末端硅氧烷系交联剂、硅醇缩合系交联剂。也可列举出：二硫化二苯并噻唑、4-吗啉基二硫代苯并噻唑、N-环己基-2-苯并噻唑基次磺酰胺、N-叔丁基-2-苯并噻唑基次磺酰胺、N-氧基二亚乙基-2-苯并噻唑基次磺酰胺、N-二异丙基-2-苯并噻唑基次磺酰胺、N-二环己基-2-苯并噻唑基次磺酰胺、二硫化四甲基秋兰姆、二硫化四乙基秋兰姆、二硫化四丁基秋兰姆、二硫化四辛基秋兰姆、胺类、六亚甲基四胺、盐酸硫胺(zarigen)、季铵盐、鏻盐、有机酸二烷基锡、钛酸盐、聚乙二醇、氯铂酸、氧化锌、氧化镁、氧化钙、氧化钡、氧化铝、氢氧化钙、氧化铃、氧化铁、氢氧化钙、碳酸钙、碳酸镁、脂肪酸钠、辛酸钙、异辛酸钾、丁醇钾、辛酸铯、异硬脂酸钾、聚乙二醇、聚丙二醇、己二醇、环己二醇、十二烷二醇、六亚甲基二胺、十二烷二胺、末端二氨基聚乙二醇、末端二氨基聚丙二醇、苯二硫醇、己二硫醇、1,10-癸二硫醇、1,12-十二烷二硫醇、聚乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二甲基丙烯酸酯、聚丙二醇二丙烯酸酯、聚丙二醇二甲基丙烯酸酯、二烯丙基醚、异氰脲酸三烯丙基酯、三聚氰酸三烯丙基酯。
作为所述基体B的形状，可以为片状、板状、柱状、棒状、框状、箱状、纤维状、线状。此外，作为所述基体B的形状，也可以为膜状、织布状、无纺布状、发泡体状。
所述基体B中根据需要含有适当量的各种填充剂、增强剂。例如，根据需要含有各种碳黑、碳酸钙、滑石、粘土、高岭土、玻璃、湿式二氧化硅、干式二氧化硅。根据需要含有人造丝、尼龙、聚酯、维尼纶、钢、芳纶(Kevlar)、碳纤维、玻璃纤维、布。根据需要含有金属粒子(铜、镍、银、金、锡等)。根据需要含有碳粒子。根据需要含有导电性材料。根据需要含有氧化铝、氮化硅、氮氧化铝、碳化硅、金刚石等导热材料。含量相对于高分子材料100质量份为200质量份以下。通常为100质量份以下。
所述基体B中根据需要含有适当量的稳定剂。稳定剂例如为抗老化剂或紫外线吸收剂。例如为聚(2,2,4-三甲基-1,2-二氢喹啉)、6-乙氧基-1,2-二氢-2,2,4-三甲基喹啉等胺/酮系缩合物。为辛基二苯基胺、4,4-双(α,α-二甲基苄基)二苯基胺、N,N-二苯基对苯二胺、N-苯基-N'-异丙基对苯二胺、N-苯基-N'-异丙基-1,3-二甲基丁基对苯二胺等芳香族仲胺化合物。为苯乙烯化苯酚、2,6-二叔丁基-4-苯酚、丙烯酸2-叔丁基-6-(3-叔丁基-2-羟基-5-甲基苄基)-4-甲基苯酯、2,2-亚甲基双(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、4,4-硫代双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)2,5-二叔丁基对苯二酚等单或双酚系化合物。为2-巯基苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑锌、二甲基二硫代氨基甲酸镍、1,3-双(二甲基氨基丙基)硫脲、3,3-硫代二丙酸二月桂酯、亚磷酸三(壬基化苯基)酯等硫系或磷系化合物。含量相对于高分子材料B 100质量份，优选为30质量份以下，更优选为0.5～5质量份，进一步优选为0.5～3质量份。
所述基体B中根据需要含有适当量的软化剂、增塑剂、加工助剂、粘度调整剂、着色剂等。
在所述基体B用作构成印刷基板的基体的情况下，所述基体B的弹性模量优选为2.0GPa以上，更优选为2.3GPa以上。此外，所述基体B的弹性模量优选为4.5GPa以下，更优选为2.6GPa以下。
所述材料A优选具有能与所述化合物(α)所含的“OH基和OH生成基中的至少任一种官能团”发生反应的官能团。
作为能与“OH基和OH生成基中的至少任一种官能团”发生反应的官能团，可列举出OH基、OH生成基等。
此外，在所述材料A不具有会与所述化合物(α)所含的“OH基和OH生成基中的至少任一种官能团”发生反应的官能团的情况下，优选对所述基体A的所述表面A实施选自脱脂处理、电晕放电处理、等离子体放电处理、紫外线照射、酸处理、碱处理、水蒸气处理以及化成处理的组中的一种或两种以上的处理，而所述基材A在所述表面A具有OH基。
所述基材A通过在所述表面A具有能与“OH基和OH生成基中的至少任一种官能团”发生反应的官能团，而能与所述化合物(α)所含的“OH基和OH生成基中的至少任一种官能团”发生反应，与所述化合物(α)进行化学键合，结果能进一步提高接合力。
作为所述材料A，可列举出金属材料、陶瓷、高分子材料等。
作为所述金属材料，可列举出单一金属、合金。
作为所述单一金属，可列举出：Be、Mg、Ca、St、Ba、Ra、Sc、It、Ti、Zr、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Al、Ge、Sn、Pb、An、Bi、Nd等。
作为所述合金，可列举出：铁合金、铜合金、铝合金、镁合金、锌合金、锡合金、镍合金、金合金、银合金、铂合金、钯合金、铅合金、钛合金、镉合金、锆合金、钴合金、铬合金、钼合金、钨合金、锰合金、铁氧体系不锈钢、马氏体系不锈钢、砷钙锌石(Austinite)系不锈钢、析出强化型不锈钢、镍-钛合金、铁-锰-钛合金、超弹性合金(镍-钛合金)等。
此外，所述金属可以为功能性金属、非晶金属、纤维强化金属、形状记忆合金、超弹性合金。
作为所述陶瓷，例如可列举出：所述金属的氧化物、陶瓷器、玻璃、水泥、石膏等。也可以为珐琅等。也可以为金刚石系的物质。也可以为氧化铝、莫来石、氧化锆、氧化锌等金属氧化物。也可以为羟基磷灰石(Hydoroxyapatite)等氢氧化物。也可以为碳化硅等碳化物。也可以为碳酸盐系的物质。也可以为氮化硅、氮化硅、氮化铝等氮化物系的物质。也可以为萤石这样的卤化物系的物质。也可以为磷灰石等磷酸盐系的物质。也可以为钛酸钡、锆钛酸铅等。也可以为铁氧体、块滑石、镁橄榄石、堇青石、硅铝氮氧化物(Sialon)、锆石等。此外，也可以为高温超导陶瓷、可切削加工陶瓷等。也可以为碳纤维、有机纤维、金属纤维、玻璃纤维等纤维强化陶瓷。
作为所述材料A的高分子材料，例如可列举出：纤维素、纤维素的衍生物、羟乙基纤维素、淀粉、二乙酸纤维素、表面皂化乙酸乙烯酯树脂、低密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、石油树脂、聚苯乙烯、间同立构聚苯乙烯、苯乙烯共聚物、色满-茚树脂、萜烯树脂、苯乙烯-二乙烯苯共聚物、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚树脂、聚丙烯酸甲酯、聚丙烯酸乙酯、聚丙烯腈、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯、聚氰基丙烯酸酯、聚乙酸乙烯酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂、聚乙烯醇、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯醇缩醛、乙酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙烯共聚物、聚偏氟乙烯、偏氟乙烯-乙烯共聚物、偏氟乙烯-丙烯共聚物、1,4-反式聚丁二烯、1,2-反式聚丁二烯、聚氧乙烯、聚乙二醇、聚丙二醇、苯酚-甲醛树脂、甲酚-甲醛树脂、间苯二酚树脂、三聚氰胺树脂、二甲苯树脂、甲苯树脂、甘酞树脂、改性甘酞树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、不饱和聚酯树脂、聚酯丙烯酸酯、烯丙酯树脂、聚碳酸酯、6-尼龙、6',6-尼龙、6',10-尼龙、聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯并咪唑、聚苯并噁唑、聚苯并噻唑、聚酰胺酰亚胺、有机硅树脂、加成固化型有机硅橡胶、聚合固化型有机硅橡胶、缩合固化型有机硅橡胶、加成固化型有机硅树脂、呋喃树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、聚苯醚、聚二甲基苯醚、聚苯醚或聚二甲基苯醚与异氰脲酸三烯丙酯的共混聚合物(聚合物合金)、聚苯醚或聚二甲基苯醚与异三聚氰酸三烯丙酯过氧化物的共混聚合物(聚合物合金)、聚二甲苯、聚苯硫醚、聚环烯烃、聚砜、聚醚砜、聚醚醚酮、聚酰亚胺、液晶树脂(LCP)、天然橡胶、1,4-顺丁二烯橡胶、异戊二烯橡胶、聚氯丁二烯、苯乙烯-丁二烯共聚橡胶、氢化苯乙烯-丁二烯共聚橡胶、丙烯腈-丁二烯共聚橡胶、氢化丙烯腈-丁二烯共聚橡胶、聚丁烯橡胶、聚异丁烯橡胶、乙烯-丙烯橡胶、乙烯-丙烯-二烯橡胶、环氧乙烷-表氯醇共聚物橡胶、氯化聚乙烯橡胶、氯磺化聚乙烯橡胶、烷基化氯磺化聚乙烯橡胶、氯丁二烯橡胶、氯化丙烯酸橡胶、溴化丙烯酸橡胶、氟橡胶、环氧氯丙烷共聚橡胶、氯化乙烯-丙烯橡胶、氯化丁基橡胶、溴化丁基橡胶、四氟乙烯、六氟丙烯、偏氟乙烯以及四氟乙烯等均聚物橡胶和它们的二元三元共聚物橡胶、乙烯-四氟乙烯共聚橡胶、丙烯-四氟乙烯共聚橡胶、乙烯丙烯酸橡胶、过氧化物型有机硅橡胶、加成型有机硅橡胶、缩合型有机硅橡胶、环氧橡胶、氨基甲酸酯橡胶、两末端不饱和基弹性体等。
作为所述材料A，优选为能与所述化合物(α)所含的三嗪环进行配位键合的材料。
通过所述材料A与所述化合物(α)所含的三嗪环进行配位键合，接合力更进一步变高。
就能与三嗪环进行配位键合的方面而言，作为所述材料A，优选为金属材料，更优选为Cu、Zn、Ni、Fe。
作为所述基体A的形状，可以为片状、板状、柱状、棒状、框状、箱状、纤维状、线状。此外，作为所述基体A的形状，也可以为膜状、织布状、无纺布状、发泡体状。
再者，以往在将表面具有铜的基体A与作为树脂基板的基体B接合来制作柔性印刷电路板(FPC)时，为了提高该基体A与基体B的接合力，增大表面具有铜的基体A的该表面的表面粗糙度以便可以发挥锚固效应。
但是，若该基体A的表面粗糙，则会产生导体损耗，结果导致传输损耗。结果在高频区域中难以确保传输信号的品质。
然而，若使用本实施方式的接合剂，即便表面具有铜的基体A的该表面的表面粗糙度小，也可以提高表面具有铜的基体A与作为树脂基板的基体B的接合力。结果特别是在高频区域中容易确保传输信号的品质。
由此，本实施方式的接合剂特别优选用于将表面具有铜的基体A与作为树脂基板的基体B接合来制造柔性印刷电路板(FPC)。
本实施方式的接合体是所述材料A与所述高分子材料B利用本实施方式的接合剂接合而成的接合体。
本实施方式的印刷基板包含本实施方式的接合体。
本实施方式的接合体的制造方法是制作表面A具有材料A的基体A与表面B具有高分子材料B的基体B利用接合剂接合而成的接合体的方法。
此外，本实施方式的接合体的制造方法具备以下工序：工序(X)，在所述表面A设置本实施方式的接合剂；工序(Y)，以所述表面A与所述表面B经由所述接合剂而抵接的方式将所述基体A与所述基体B对接；以及工序(Z)，通过对所述表面A与前表面B的经由所述接合剂的抵接面进行加压，得到所述接合体。
在本实施方式的接合体的制造方法中，通过所述工序(X)，所述基体A与本实施方式的接合剂所含的化合物(α)进行化学键合，由此在所述基体A的表面出现三嗪环和碳碳双键。
然后，通过所述工序(Z)，所述基体B与化合物(α)的碳碳双键进行化学键合，由此能提高基体A与基体B的接合力。
此外，本实施方式的接合体的制造方法进一步具备：工序(A)，在所述工序(X)前，对所述表面A实施选自脱脂处理、电晕放电处理、等离子体放电处理、紫外线照射、酸处理、碱处理、水蒸气处理以及化成处理的组中的一种或两种以上的处理，在所述表面A生成OH基。
在所述工序(X)中，通过将所述表面A浸渍于所述接合剂中，利用喷雾器将所述接合剂吹附至所述表面A、或利用涂布装置将所述接合剂涂布于所述表面A，在所述表面A设置所述接合剂。
在所述(Z)中，以所述高分子材料B与所述粘接剂接触的方式对所述表面A与前表面B的经由所述接合剂的抵接面进行加压。
在所述工序(Z)中，优选以0.01MPa至50MPa、更优选以0.1MPa至5MPa对抵接面进行加压。
此外，优选在0至350℃、更优选在40℃至350℃、进一步优选在80℃至350℃的温度条件下进行所述工序(Z)的加压。
此外，在所述工序(Z)中，一边对所述抵接面加热一边对其加压。
<其他实施方式>
接着，对其他实施方式进行说明。
需要说明的是，省略与本实施方式重复的说明，对于其他实施方式中未特别说明的内容，视为与本实施方式中已说明的内容相同的内容。
其他实施方式的接合体的制造方法是制作金属材料与高分子材料B利用接合剂接合而成的接合体的方法。
此外，在其他实施方式的接合体的制造方法中，使用本实施方式的接合剂。所述接合剂具有烷氧基硅烷基作为所述OH生成基。
进而，其他实施方式的接合体的制造方法具备以下工序：工序(X')，通过在表面B具有所述高分子材料B的基体B的该表面B设置所述接合剂，在所述表面B出现所述三嗪环和所述烷氧基硅烷基；以及工序(YZ')，通过对所述表面B的所述三嗪环和所述烷氧基硅烷基设置无电电镀液，得到所述接合体。
在其他实施方式的接合体的制造方法中，通过所述工序(X’)，所述基体B与本实施方式的接合剂所含的化合物(α)进行化学键合，由此在所述基体B的表面出现三嗪环和烷氧基硅烷基。
然后，通过所述工序(YZ’)，金属材料与烷氧基硅烷基进行化学键合，由此能提高金属材料与高分子材料B的接合力。
此外，通过所述工序(YZ’)，金属材料与三嗪环进行配位键合，由此可以提高金属材料与高分子材料B的接合力。
在所述工序(X’)中，通过将所述表面B浸渍于所述接合剂，利用喷雾器将所述接合剂吹附至所述表面B、或利用涂布装置将所述接合剂涂布于所述表面A，而在所述表面B设置所述接合剂。
所述无电电镀液含有金属材料。
作为该无电电镀液所含的金属材料，可列举出Ni、Cu等。
此外，优选的是，在工序(X')后且在工序(YZ')前，使所述表面B的所述三嗪环或所述烷氧基硅烷基吸附催化剂。
作为该催化剂，可列举出Pd、Ag等。
所述无电电镀液优选含有还原剂。
通过所述无电电镀液含有还原剂，在所述工序(YZ')中由于因还原剂的氧化所释放出的电子而金属材料容易析出，结果能更进一步提高金属材料与高分子材料B的接合力。
其他实施方式的接合剂是用于金属材料与高分子材料B的接合的接合剂。
此外，其他实施方式的接合剂中的剥离强度为5N/cm以上，优选为6N/cm以上，更优选为6N/cm至20N/cm。
需要说明的是，其他实施方式的接合剂的剥离强度是依照JIS K6854-1：1999“粘接剂-剥离粘接强度试验方法-第1部：90度剥离”的方法以50mm/min的速度剥离时的剥离强度。
此外，其他实施方式的接合剂的260℃下的焊料回焊试验后的剥离强度优选为5N/cm以上，更优选为6N/cm以上，进一步优选为6N/cm至20N/cm。
需要说明的是，回焊试验是指JIS C60068-2-58：2016所记载的回焊法。
作为所述金属材料，可以使用作为本实施方式的材料A而记载的金属材料。
其他实施方式的接合剂优选用于具有作为所述金属材料的铜的铜箔的接合。
所述铜箔的接合面的表面粗糙度(Rz)优选为0.5μm至1.5μm，更优选为0.5μm至1.0μm，进一步优选为0.8μm。
需要说明的是，表面粗糙度(Rz)是指依照JIS B0601：2013而求出的“表面粗糙度的算术平均粗糙度”。此外，“表面粗糙度的算术平均粗糙度”是指将自平均线起至测定曲线为止的偏差的绝对值合计，再以基准长度平均而得到的值。
作为所述高分子材料B，可以使用本实施方式的高分子材料B。
其他实施方式的接合剂优选含有本实施方式的化合物(α)。
其他实施方式的接合体是金属材料与高分子材料B利用接合剂接合而成的接合体。
此外，其他实施方式的接合体的剥离强度为5N/cm以上，优选为6N/cm以上，更优选为6N/cm至20N/cm。
需要说明的是，其他实施方式的接合体的剥离强度是依照JIS K6854-1：1999“粘接剂-剥离粘接强度试验方法-第1部：90度剥离”的方法以50mm/min的速度剥离金属材料或高分子材料时的剥离强度。
此外，其他实施方式的接合体的260℃下的焊料回焊试验后的剥离强度优选为5N/cm以上，更优选为6N/cm以上，进一步优选为6N/cm至20N/cm。
作为所述金属材料，可以使用作为本实施方式的材料A所记载的金属材料。
其他实施方式的接合体优选为将具有作为所述金属材料的铜的铜箔接合而成。
所述铜箔所接合的面的表面粗糙度(Rz)优选为0.5μm至1.5μm，更优选为0.5μm至1.0μm，进一步优选为0.8μm。
其他实施方式的接合体中的所述接合剂优选含有本实施方式的化合物(α)。
其他实施方式的接合体中的所述接合剂可以为本实施方式的接合剂，此外，也可以为其他实施方式的接合剂。
其他实施方式的印刷基板包含其他实施方式的接合体。
实施例
接着，列举出实施例和比较例进一步具体地对本公开进行说明。需要说明的是，本公开并不受这些实施例任何限定。
(实施例1)
(合成1：中间体的生成)
在500mL的三口烧瓶内放入搅拌子和三聚氰氯(关东化学工业株式会社制造)10.0g(54mmol)。
然后，在所述三口烧瓶安装温度计和滴液漏斗。
接着，使所述三口烧瓶内成为氮气氛。
然后，在所述三口烧瓶内加入四氢呋喃(THF)100mL，将所述三口烧瓶内冷却至-10℃。
然后，花费30分钟缓缓地向所述三口烧瓶内滴加3-氨基丙基三乙氧基硅烷(东京化成工业株式会社制造)11.95g(54mmol)与四氢呋喃(THF)(关东化学工业株式会社制造)20mL的混合溶液。
接着，花费30分钟缓缓向所述三口烧瓶内滴加三乙胺(TEA)(东京化成工业株式会社制造)5.55g(59.4mmol)与四氢呋喃(THF)20mL的混合溶液。
然后，在将所述三口烧瓶内保持在-10℃的状态下使用所述搅拌子对所述三口烧瓶内的内容物进行搅拌，通过下述反应生成作为中间体的6-(3-三乙氧基硅烷基丙基氨基)-1,3,5-三嗪-2,4-二氯化物。
以下示出生成中间体的反应。
Figure BDA0003950519390000241
在所述反应后，从所述三口烧瓶内的内容物过滤出副产物的三乙胺盐酸盐。
然后，利用旋转蒸发器对过滤出的作为副产物的三乙胺盐酸盐的所述内容物进行浓缩、减压干燥，得到提纯后的6-(3-三乙氧基硅烷基丙基氨基)-1,3,5-三嗪-2,4-二氯化物。
(合成2：化合物(α)的生成)
在300mL的三口烧瓶内放入搅拌子和提纯后的6-(3-三乙氧基硅烷基丙基氨基)-1,3,5-三嗪-2,4-二氯化物15.0g(40.6mmol)。
然后，在所述三口烧瓶安装冷却管和滴液漏斗。
接着，使所述三口烧瓶内成为氮气氛。
继而，在所述三口烧瓶内加入四氢呋喃(THF)100mL。
然后，花费30分钟缓缓向所述三口烧瓶内滴加二烯丙基胺23.7g(243.6mmol)和四氢呋喃(THF)(关东化学工业株式会社制造)50mL的混合溶液。
接着，缓缓提高所述三口烧瓶内的温度并在所述三口烧瓶内进行回流，在所述三口烧瓶内进行回流的状态下，使用所述搅拌子对所述三口烧瓶内的内容物进行48小时搅拌，利用下述反应生成作为化合物(α)的2,4-双(二烯丙基氨基)-6-(3-三乙氧基硅烷基丙基)氨基-1,3,5-三嗪。
以下示出由中间体生成化合物(α)的反应。
Figure BDA0003950519390000242
在所述反应后，将所述三口烧瓶内的内容物冷却至室温。
然后，使用过滤助剂(商品名：Celite)对所述内容物进行抽吸过滤，得到了滤液。
接着，利用旋转蒸发器对该滤液进行浓缩、减压干燥，得到了提纯后的2,4-双(二烯丙基氨基)-6-(3-三乙氧基硅烷基丙基)氨基-1,3,5-三嗪。
(接合剂的制备)
将作为化合物(α)的2,4-双(二烯丙基氨基)-6-(3-三乙氧基硅烷基丙基)氨基-1,3,5-三嗪与乙醇(EtOH)混合，制备出化合物(α)的浓度为0.1质量％的接合剂。
(接合体的制作)
准备两片具有粗糙面(Rz＝0.8μm)的铜箔(福田金属箔粉工业(株)制造的超低粗度无粗化处理电解铜箔T9DA)(30mm×60mm)作为基体A。
此外，准备预浸片(预浸片中的树脂组合物含有末端具有碳碳双键的改性聚苯醚(m-PPE)和作为自由基引发剂(聚合引发剂)的过氧化物)(30mm×60mm)作为基体B。需要说明的是，所述铜箔的弹性模量为120GPa。所述预浸片的弹性模量为2.6GPa。
然后，将两片所述铜箔在所述接合剂中浸渍1分钟，利用干燥器使其干燥后，利用120℃的烘箱加热10分钟。
接着，依次层叠铜箔、预浸片以及铜箔，利用加压机进行加压(加压条件：“177℃、0.8MPa、30分钟”→“216℃、0.8MPa、60分钟”)，得到了接合体。
然后，将该接合体切断，制作出六片30mm×10mm的接合体。
(初始的剥离粘接强度试验)
使用一片30mm×10mm的接合体，依照JIS K6854-1：1999“粘接剂-剥离粘接强度试验方法-第1部：90度剥离”的方法以50mm/min的速度剥离一方的铜箔，测定出剥离粘接强度(以下也称为“剥离强度”)。
将结果示于下述表1。
(焊料回焊试验后的剥离粘接强度试验)
对五片30mm×10mm的接合体进行焊料回焊试验(260℃)(以下也简称为“回焊试验”)。
然后，与初始的剥离粘接强度试验同样地测定回焊试验后的五片30mm×10mm的接合体的剥离强度。
将结果(算术平均值，n＝5)示于下述表1。
(比较例1)
进行了接合剂中的浸渍、利用干燥器的干燥以及烘箱的加热，除此以外，与实施例1同样地制作接合体，进行了初始的剥离粘接强度试验和焊料回焊试验后的剥离粘接强度试验。
将结果示于下述表1。
(比较例2)
使用乙烯基三乙氧基硅烷来代替化合物(α)，除此以外，与实施例1同样地制作接合体，进行了初始的剥离粘接强度试验和焊料回焊试验后的剥离粘接强度试验。
将结果示于下述表1。
(比较例3)
使用3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷来代替化合物(α)，除此以外，与实施例1同样地制作接合体，进行了初始的剥离粘接强度试验和焊料回焊试验后的剥离粘接强度试验。
结果示于下述表1。
[表1]
Figure BDA0003950519390000261
如表1所示，本公开的范围内的实施例1与不使用接合剂的比较例1以及不使用化合物(α)的比较例2、3相比，在初始的剥离粘接强度试验和焊料回焊试验后的剥离粘接强度试验中的任意种实验中剥离强度均高。
因此可知，根据本公开，能提高接合力。
需要说明的是，会引起基材破坏的剥离强度为5N/cm，实施例1中超过了该值。
使用粗糙面的表面粗糙度(Rz)为1.1μm的铜箔(H-VLP2等级)、粗糙面的表面粗糙度(Rz)为1.4μm的铜箔(H-VLP等级)作为铜箔，除此以外，进行与上述“初始的剥离粘接强度试验”和“焊料回焊试验后的剥离粘接强度试验”同样的试验。
将结果与上述表1的结果一起示于下述表2。
需要说明的是，剥离强度的评价基准如下所述。
“◎”：6.0N/cm以上。
“〇”：5.0N/cm以上且小于6.0N/cm。
“×”：小于5.0N/cm。
[表2]
Figure BDA0003950519390000271
如表2所示，使用了本公开的范围内的实施例1的接合剂的方式与不使用接合剂的方式(与比较例1对应)以及使用了不含化合物(α)的接合剂(比较例2、3的接合剂)的方式相比，在初始的剥离粘接强度试验和焊料回焊试验后的剥离粘接强度试验中的任意种实验中剥离强度均高。
因此可知，根据本公开，即便铜箔的表面粗糙度(Rz)不同，也能使剥离强度成为5.0N/cm以上，能得到接合力高的接合体。

Claims (34)

1.一种化合物，所述化合物在一个分子中具有：OH基和OH生成基中的至少任一种官能团、含有碳碳双键的有机基团以及三嗪环。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中
所述化合物具有烷氧基硅烷基作为所述OH生成基。
3.根据权利要求1或2所述的化合物，其中，
所述化合物由下述通式(1)表示，
通式(1)
Figure FDA0003950519380000011
所述通式(1)中，
J为含有碳碳双键的有机基团，
E为含有OH基或OH生成基的基团，
Q为与所述J相同或不同的含有碳碳双键的有机基团或NR1(R2)，
所述R1和R2分别为H、碳原子数1至24的烃基或-RSi(R')n1(OR”)3-n1，可以相同也可以不同，
所述R为碳原子数1至12的链状二价烃基，
所述R'为碳原子数1至4的链状烃基，
所述R”为H或碳原子数1至4的链状烃基，
所述n1为0至2的整数。
4.根据权利要求3所述的化合物，其中，
所述通式(1)中的E为所述NR1(R2)。
5.根据权利要求4所述的化合物，其中，
所述通式(1)中的Q为所述J。
6.根据权利要求4所述的化合物，其中，
所述通式(1)中的Q为所述NR1(R2)。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的化合物，其中，
所述化合物具有下述官能团的至少任一种作为所述含有碳碳双键的有机基团：
CH2＝CHNH-；
CH2＝CH(CH2)NH-；
CH2＝CH(CH2)n2NH-，n2＝2至16；
CH2＝CHCH2(N-)CH2CH＝CH2；
CH2＝C(CH3)CH2NH-；
CH2＝CHCH2(N-)C(CH3)3；
CH2＝CHC6H4NH-；
CH2＝CHC6H4CH2NH-；
CH2＝C(CH3)(C＝O)NH-；
CH2＝CHCH2NH(C＝O)NH-；
C6H5(N-)CH2CH＝CH2；
-NH(NH2)C3N3CH＝CH2；
CH2＝CHO-；
CH2＝CH(CH2)O-；
CH2＝CH(CH2)n3O-，n3＝2至16；
CH2＝C(CH3)CH2O-；
CH2＝CHC6H4O-；
CH2＝CHC6H4CH2O-；
CH2＝CH-O(CH2)n4O-，n4＝1至16；
CH2＝CH-O(CH2)2O-(CH2)2O-；
CH2＝CHS-；
CH2＝CH(CH2)S-；
CH2＝CH(CH2)n5S-，n5＝2至16；
CH2＝C(CH3)CH2S-；
CH2＝CHC6H4S-；
CH2＝CHC6H4CH2S-；
(CH2＝CHCH2NCH2CH＝CH2)2C3N3S-；
(CH2＝CHCH2NH)2C3N3S-；
(CH2＝CHCH2NCH2CH＝CH2)C3N3(SH)S-；
(CH2＝CHCH2NH)C3N3(SH)S-；
CH2＝CHCOO-(CH2)n7-S-，n7＝1至16；
CH2＝C(CH3)COO-(CH2)n8-S-，n8＝1至16；
CH2＝CH-；
CH2＝CH(CH2)-；
CH2＝CH(CH2)n6-，n6＝2至16；
CH2＝C(CH3)CH2-；
CH2＝CHC6H4-；
CH2＝CHC6H4CH2-。
8.一种接合剂，所述接合剂含有权利要求1至7中任一项所述的化合物(α)。
9.根据权利要求8所述的接合剂，其中，
所述接合剂用于将材料A与高分子材料B接合。
10.根据权利要求9所述的接合剂，其中，
所述材料A为金属材料。
11.一种接合体，所述接合体是所述材料A与所述高分子材料B利用权利要求9或10所述的接合剂接合而成的。
12.一种印刷基板，所述印刷基板包含权利要求11所述的接合体。
13.一种接合体的制造方法，所述制造方法制作在表面A具有材料A的基体A与在表面B具有高分子材料B的基体B利用接合剂接合而成的接合体，所述接合体的制造方法包括：
工序(X)，在所述表面A设置权利要求9或10所述的接合剂；
工序(Y)，以所述表面A与所述表面B经由所述接合剂抵接的方式将所述基体A与所述基体B对接；和
工序(Z)，通过对所述表面A与前表面B的经由所述接合剂的抵接面进行加压，得到所述接合体。
14.根据权利要求13所述的接合体的制造方法，其中，
所述方法进一步包括：工序(A)，在所述工序(X)前，通过对所述表面A实施选自脱脂处理、电晕放电处理、等离子体放电处理、紫外线照射、酸处理、碱处理、水蒸气处理以及化成处理中的一种或两种以上的处理，在所述表面A生成OH基。
15.根据权利要求14所述的接合体的制造方法，其中，
在所述工序(X)后通过对所述表面A以及所述接合剂进行加热，使所述表面A的OH基与所述化合物(α)的OH基和OH生成基的至少任一种官能团通过脱水缩合而进行化学键合。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的接合体的制造方法，其中，
在所述工序(X)中，通过将所述表面A浸渍于所述接合剂中，利用喷雾器将所述接合剂吹附至所述表面A、或利用涂布装置将所述接合剂涂布于所述表面A，在所述表面A设置所述接合剂。
17.根据权利要求13至16中任一项所述的接合体的制造方法，其中，
在所述(Z)中，以所述高分子材料B与所述粘接剂接触的方式对与所述表面后前表面B的买所述接合剂的抵接面进行加压。
18.根据权利要求13至17中任一项所述的接合体的制造方法，其中，
在0至350℃的温度条件下进行所述工序(Z)的加压。
19.根据权利要求13至18中任一项所述的接合体的制造方法，其中，
在所述工序(Z)中，一边对所述抵接面加热一边对其加压。
20.一种接合体的制造方法，所述制造方法制作金属材料与高分子材料B利用接合剂接合而成的接合体，在所述接合体的制造方法中，
使用权利要求10所述的接合剂，
所述接合剂具有烷氧基硅烷基作为所述OH生成基，
所述接合体的制造方法包括以下工序：
通过在表面B具有所述高分子材料B的基体B的该表面B设置所述接合剂，使在所述表面B出现所述三嗪环和所述烷氧基硅烷基的工序；以及
通过对所述表面B的所述三嗪环和所述烷氧基硅烷基设置无电电镀液，得到所述接合体的工序。
21.一种接合剂，所述接合剂是用于金属材料与高分子材料B的接合的接合剂，
依照JIS K6854-1：1999“粘接剂-剥离粘接强度试验方法-第1部：90度剥离”的方法以50mm/min的速度剥离时的剥离强度为5N/cm以上。
22.根据权利要求21所述的接合剂，其中，
所述接合剂的260℃下的焊料回焊试验后的剥离强度为5N/cm以上。
23.根据权利要求21或22所述的接合剂，其中，
所述接合剂用于具有作为所述金属材料的铜的铜箔的接合。
24.根据权利要求23所述的接合剂，其中，
所述铜箔的接合面的表面粗糙度Rz为0.5μm至1.5μm。
25.根据权利要求23所述的接合剂，其中，
所述铜箔的接合面的表面粗糙度Rz为0.5μm至1.0μm。
26.根据权利要求23所述的接合剂，其中，
所述铜箔的接合面的表面粗糙度Rz为0.8μm。
27.根据权利要求21至26中任一项所述的接合剂，其中，
所述接合剂含有下述通式(1)所示的化合物(α)，
通式(1)
Figure FDA0003950519380000051
所述通式(1)中，
J为含有碳碳双键的有机基团，
E为含有OH基或OH生成基的基团，
Q为与所述J相同或不同的含有碳碳双键的有机基团或NR1(R2)，
所述R1和R2分别为H、碳原子数1至24的烃基或-RSi(R')n1(OR”)3-n1，可以相同也可以不同，
所述R为碳原子数1至12的链状二价烃基，
所述R'为碳原子数1至4的链状烃基，
所述R”为H或碳原子数1至4的链状烃基，
所述n1为0至2的整数。
28.一种接合体，所述接合体是金属材料与高分子材料B利用接合剂接合而成的接合体，依照JIS K6854-1：1999“粘接剂-剥离粘接强度试验方法-第1部：90度剥离”的方法以50mm/min的速度剥离金属材料或高分子材料时的剥离强度为5N/cm以上。
29.根据权利要求28所述的接合体，其中，
所述接合体的260℃下的焊料回焊试验后的剥离强度为5N/cm以上。
30.根据权利要求28或29所述的接合体，其中，
所述接合体是具有作为所述金属材料的铜的铜箔接合而成的。
31.根据权利要求30所述的接合体，其中，
所述铜箔的接合面的表面粗糙度Rz为0.5μm至1.5μm。
32.根据权利要求30所述的接合体，其中，
所述铜箔的接合面的表面粗糙度Rz为0.5μm至1.0μm。
33.根据权利要求30所述的接合体，其中，
所述铜箔的接合面的表面粗糙度Rz为0.8μm。
34.一种印刷基板，其包含权利要求27至33中任一项所述的接合体。
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