CN115643696B - 一种线路板的制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种线路板的制备工艺，步骤依次为：基板下料；钻孔、减铜；沉积种子层；压膜；曝光、显影；电镀；去膜；去种子层；压合；减铜；镭射；沉积种子层；压膜；曝光、显影；电镀填孔；去膜；去种子层；阻焊制作。与现有技术相比，本申请能提高线路板的性能。
Description
技术领域
本发明属于线路板制备技术领域，具体涉及一种线路板的制备工艺。
背景技术
随着人们对生活品质的要求提升，摄像或照明已经成为人们生活中必不可少的事情，而照相机、摄像机也向着小型化发展。
如申请号为CN201810552506.1的发明专利申请《驱动组件和摄像模组及其电子设备》(申请公布号为CN108989630A)公开了一驱动组件，包括：一磁性元件；一线圈；以及一镜头载体，其中，镜头载体用于承载一光学镜头于其内，线圈和镜头载体一体成型，磁性元件相间隔地且对应地设置于线圈的外侧，以使得当线圈被导通时，线圈与磁性元件相互作用，以驱动镜头载体承载着光学镜头移动。同时，线圈为线路板式线圈，包括一基板和一线圈本体，线圈本体一体成型于基板并呈螺旋状布置于基板，以使当线圈本体被导通之后，通过线路板式线圈可产生一磁场。
上述申请中的线路板式线圈颠覆了现有的绕线式形成的线圈，并带来诸多技术优势，如：一、在相同体积之下，线路板式线圈所具有的匝数相较于现有的绕线式线圈可相对增加，相较于传统的绕线式线圈，形成相同匝数的线路板式线圈具有相对较小的尺寸；二、由于线路板式线圈可配置相对较多的匝数，相应地，与线路板式线圈相对的磁性元件的尺寸可得以缩减，利于进一步缩小驱动组件的整体尺寸；三、在相同体积之下，相较于传统的绕线式线圈，可实现较小的阻值，从而获得更佳的产品性能。
但上述申请中未公开线路板式线圈的具体制备工艺，而工艺步骤对于线路板式线圈的性能会产生较大的影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的现状，提供一种线路板的制备工艺，公开线路板式线圈的具体制备工艺，以提高线路板的性能。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为：一种线路板的制备工艺，其特征在于步骤如下：
1)、基板下料，基板在厚度方向上具有中间绝缘层、位于中间绝缘层两侧的导电体层；
2)、钻孔、减铜，在基板之需要层间导通的位置钻孔，并去除或减薄上述的导电体层；
3)、沉积种子层，在去除导电体层后的基板两面沉积导体种子层，在减薄导电体层后的基板两面选择性地沉积导体种子层；
4)、压膜，在导体种子层两面或减薄导电体层后的基板两面贴上光刻胶；
5)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶进行曝光，然后溶解未曝光区域的光刻胶；
6)、电镀，在溶解之后的未曝光区域光刻胶的位置进行电镀而形成双层的第一线路，并镀孔导通层间线路；
7)、去膜，去除步骤5)中已曝光的光刻胶；
8)、去种子层，去除露于第一线路之外的导体种子层；
9)、压合，将导体层通过绝缘材料粘结到第一线路的两面；
10)、减铜，当导体层为厚度大于12μm的厚层时，去除导体层而露出绝缘材料层、或减薄导体层；反之当导体层为薄层时，可直接跳过本步骤；
11)、镭射，在需要层间导通的位置钻孔而得到中间体；
12)、沉积种子层，在中间体两面以及钻孔的孔壁处沉积导体种子层；
13)、压膜，在步骤12)之导体种子层两面贴上光刻胶；
14)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶进行曝光，然后溶解未曝光区域的光刻胶；
15)、电镀填孔，在步骤14)溶解之后的未曝光区域光刻胶的位置电镀而形成位于第一线路两侧的双层第二线路，从而制得四层结构的线路板，且第二线路与第一线路在步骤11)的钻孔处相导通；
16)、去膜，去除步骤14)中已曝光的光刻胶；
17)、去种子层，去除露于第二线路之外的导体种子层；
18)、阻焊制作。
优选地，所述基板的导电体层为厚度13～36μm的铜箔或厚度12～18μm的铜箔；上述铜箔均为低粗糙度铜箔；
或所述基板的导电体层包括有位于中间绝缘层两侧的薄铜层、位于薄铜层两侧的厚铜层，所述薄铜层的厚度为2～5μm，所述厚铜层的厚度为18μm，厚铜层与薄铜层之间可分离。
优选地，当所述基板的导电体层为厚度13～36μm的铜箔时，所述步骤2)中先钻孔，再去除导电体层；
当所述基板的导电体层为厚度12～18μm的铜箔时，所述步骤2)中先减薄导电体层至3～5μm，再钻孔；
当所述基板的导电体层包括上述的薄铜层、厚铜层时，所述步骤2)中先钻孔，再剥离厚铜层。
较优选地，所述步骤2)中钻孔为通孔，并通过机械钻孔得到。
优选地，当所述基板的导电体层包括上述的薄铜层、厚铜层时，所述步骤2)剥离厚铜层后跳过步骤3)直接进入步骤4)。
在上述方案中，优选地，所述步骤9)中导体层为厚度13～36μm的铜箔、或为厚度12～18μm的铜箔或为厚度2～5μm的铜箔；
当所述导体层为厚度13～36μm的铜箔时，所述步骤10)中去除导体层而露出绝缘材料层；
当所述导体层为厚度12～18μm的铜箔时，所述步骤10)中减薄导体层至3～5μm；
当所述导体层为厚度2～5μm的铜箔时，直接跳过步骤10)并进入步骤11)。
优选地，所述步骤3)、12)中导体种子层的材质为钛、铜、镍或其中至少两种的合金；
在所述导体种子层的材质为铜时，所述步骤8)、17)中采用微蚀、减铜或闪蚀工艺去除导体种子层；在所述导体种子层的材质为钛时，所述步骤8)、17)中采用除钛工艺去除导体种子层。除钛工艺为现有技术，在此不做赘述。
优选地，所述步骤11)中钻孔为盲孔，并通过激光钻孔得到。
优选地，所述步骤18)的工艺依次为：
阻焊，在四层结构的线路板的两面覆盖油墨进行防焊处理；
曝光、显影，先对非开窗焊盘区域的油墨进行曝光，然后溶解未曝光区域的油墨而露出焊盘；
化金，对焊盘表面进行化金处理。
最后，所述步骤9)中的绝缘材料为环氧树脂。
与现有技术相比，本发明的优点在于：采用本申请的工艺制得的线路板有至少四层，并具有如下优势：1、线路板的线宽、线距较小，且线宽、线距、线高能精确控制，使得阻值更稳定；且可设计的匝数较多，满足不同推力的要求；2、在相同层数的情况下，本申请线路板的厚度较薄；3、本申请采用环氧树脂作为绝缘材料，具有较好的刚性、弹性，且不易变形、断裂；4、采用本申请的工艺使得各线路嵌设在绝缘材料中，实现优越的绝缘性，且降低线路因受到外力作用而变形的风险；5、基板中间绝缘层的存在使得产品尺寸、翘曲更稳定。
附图说明
图1～4为本发明实施例一的工艺流程图，图中(1)为基板下料，(2)为钻孔，(3)为去铜，(4)为沉积种子层，(5)为压膜，(6)为曝光，(7)为显影，(8)为电镀，(9)为去膜，(10)为去种子层，(11)为压合，(12)为去铜，(13)为镭射，(14)为沉积种子层，(15)为压膜，(16)为曝光，(17)为显影，(18)为电镀填孔，(19)为去膜，(20)为去种子层，(21)为阻焊，(22)为曝光，(23)为显影，(24)为化金；
图5～8为本发明实施例二的工艺流程图，图中(1)为基板下料，(2)为钻孔，(3)为撕铜，(4)为沉积种子层，(5)为压膜，(6)为曝光，(7)为显影，(8)为电镀，(9)为去膜，(10)为去种子层，(11)为压合，(12)为镭射，(13)为沉积种子层，(14)为压膜，(15)为曝光，(16)为显影，(17)为电镀填孔，(18)为去膜，(19)为去种子层，(20)为阻焊，(21)为曝光，(22)为显影，(23)为化金；
图9～12为本发明实施例三的工艺流程图，图中(1)为基板下料，(2)为减铜，(3)为钻孔，(4)为沉积种子层，(5)为压膜，(6)为曝光，(7)为显影，(8)为电镀，(9)为去膜，(10)为去种子层，(11)为压合，(12)为减铜，(13)为镭射，(14)为沉积种子层，(15)为压膜，(16)为曝光，(17)为显影，(18)为电镀填孔，(19)为去膜，(20)为去种子层，(21)为阻焊，(22)为曝光，(23)为显影，(24)为化金；
图13为本发明实施例四中(8)电镀的流程图；
图14为本发明实施例四的局部流程图；
图15为本发明实施例四中压合、压膜、曝光、显影、蚀刻、去膜的流程图。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例一：
如图1～4所示，为本发明的一种线路板的制备工艺的优选实施例一，本实施例的制备工艺的步骤如下：
1)、基板下料，基板1在厚度方向上具有中间绝缘层11、位于中间绝缘层11两侧的导电体层12；其中，基板1为双面覆铜板，中间绝缘层11的厚度为10～300μm，具体根据产品需求设计；导电体层12为厚度13～36μm的低粗糙度铜箔，其可以提升后续生产过程中导体的附着力。
2)、钻孔、去铜，在基板1之需要层间导通的位置钻孔，并去除基板1的导电体层12，留下中间绝缘层11；其中，钻孔为通孔10，并通过机械钻孔得到，除此之外，也可通过激光钻通孔、模具冲通孔、激光钻盲孔等。
3)、沉积种子层，在中间绝缘层11的两面沉积导体种子层13，以使中间绝缘层11导电，且作为后续加成导体的过渡层；本实施例中的导体种子层13通过化学沉积法实现，也可通过真空镀膜法；本实施例中，导体种子层13的材质为铜，也可为钛、镍或不同金属的合金。
4)、压膜，在导体种子层13两面贴上光刻胶14；光刻胶14的种类以及厚度需根据实际产品设计，本实施例选用日立化成工业株式会社生产的RD系列、且型号为1229的光刻胶，厚度为29μm。
5)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶14进行曝光，使曝光区域光刻胶受光照射发生聚变，然后使用碳酸钠溶解未曝光区域的光刻胶14(碳酸钠无法溶解曝光区域的光刻胶)，露出图形底部的导体种子层13。
6)、电镀，在露出的导体种子层13上进行镀铜而形成双层的第一线路，并镀孔导通层间线路；镀铜的厚度小于光刻胶14的厚度。
7)、去膜，去除步骤5)中已曝光的光刻胶14，露出第一线路间底部的导体种子层13。
8)、去种子层，采用微蚀、减铜或闪蚀工艺去除第一线路间底部的导体种子层13。
9)、压合，将导体层15通过绝缘材料粘结到第一线路的两面，并填充第一线路而起到绝缘作用。其中，导体层15为厚度13～36μm的低粗糙度铜箔，可以提升后序生产过程中导体的附着力。绝缘材料为环氧树脂。
10)、去铜，去除导体层15而露出绝缘材料层16。
11)、镭射，在绝缘材料层16之需要层间导通的位置打激光盲孔160而得到中间体。
12)、沉积种子层，在中间体两面以及盲孔160的孔壁处沉积一层导体种子层13，以使绝缘材料层16导电，且作为后续加工导体的过渡层；本实施例中的导体种子层13通过化学沉积法实现，也可通过真空镀膜法；且本实施例中，导体种子层13的材质为铜，也可为钛、镍或不同金属的合金。
13)、压膜，在步骤12)之导体种子层13两面贴上光刻胶14；光刻胶14的种类以及厚度需根据实际产品设计，本实施例选用日立RD1229光刻胶，厚度为29μm。
14)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶14进行曝光，使曝光区域光刻胶受光照射发生聚变，然后使用碳酸钠溶解未曝光区域的光刻胶14，露出图形底部的导体种子层13。
15)、电镀填孔，在步骤14)露出的导体种子层13镀铜而形成位于第一线路两侧的双层第二线路，从而制得四层结构的线路板，且第二线路与第一线路在步骤11)的盲孔160处相导通；本实施例中镀铜的厚度小于光刻胶14厚度。
16)、去膜，去除步骤14)中已曝光的光刻胶14，露出第二线路间底部的导体种子层13；
17)、去种子层，采用微蚀、减铜或闪蚀工艺去除露于第二线路间底部的导体种子层13；
18)、阻焊，在四层结构的线路板的两面覆盖油墨17进行防焊处理；工艺选择网板油墨印刷或采用防焊干膜进行贴膜、压合、固化工艺。其中网板油墨印刷具有工艺制程稳定的优点，但线路高度差大。防焊干膜具有表面更平整的优点，缺点是制程不稳定。加工时可根据需求进行选择。
19)、曝光、显影，先对非开窗焊盘区域的油墨进行曝光，使非开窗焊盘区域油墨在紫外线照射下发生聚变，然后使用碳酸钠溶解未曝光区域的油墨而露出焊盘；
20)、化金，对焊盘表面进行化金处理。除化金之外，还可采用镍钯金、有机保焊膜(简称OSP)、双表面处理。
实施例二：
如图5～8所示，为本发明的一种线路板的制备工艺的优选实施例二，本实施例的制备工艺的步骤如下：
1)、基板下料，基板1在厚度方向上具有中间绝缘层11、位于中间绝缘层11两侧的导电体层12。其中，基板1为可分离基板，中间绝缘层11的厚度为10～300μm，导电体层12包括有位于中间绝缘层11两侧的薄铜层121、位于薄铜层121两侧的厚铜层122，薄铜层121的厚度为2μm、3μm或5μm，厚铜层122的厚度为18μm，厚铜层122与薄铜层121之间可分离。
2)、钻孔、撕铜，先在基板1之需要层间导通的位置钻孔，然后剥离基板1的厚铜层，露出薄铜层；其中，钻孔为通孔10，并通过机械钻孔得到，除此之外，也可通过激光钻通孔、模具冲通孔、激光钻盲孔等。
3)、沉积种子层，在薄铜层121的两面沉积导体种子层13；本实施例中的导体种子层13通过化学沉积法实现，也可通过真空镀膜法；本实施例中，导体种子层13的材质为铜，也可为钛、镍或不同金属的合金。
4)、压膜，在导体种子层13两面贴上光刻胶14；光刻胶14的种类以及厚度需根据实际产品设计，本实施例选用日立化成工业株式会社生产的RD系列、且型号为1229的光刻胶，厚度为29μm。
5)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶14进行曝光，使曝光区域光刻胶受光照射发生聚变，然后使用碳酸钠溶解未曝光区域的光刻胶14(碳酸钠无法溶解曝光区域的光刻胶)，露出图形底部的导体种子层13。
6)、电镀，在露出的导体种子层13上进行镀铜而形成双层的第一线路，并镀孔导通层间线路；镀铜的厚度小于光刻胶14的厚度。
7)、去膜，去除步骤5)中已曝光的光刻胶14，露出第一线路间底部的导体种子层13。
8)、去种子层，采用微蚀、减铜或闪蚀工艺去除第一线路间底部的导体种子层13。
9)、压合，将导体层15通过绝缘材料粘结到第一线路的两面，并填充第一线路而起到绝缘作用。其中，导体层15为厚度2～5μm的低粗糙度铜箔，可以提升后序生产过程中导体的附着力。绝缘材料为环氧树脂。
10)、镭射，在导体层15以及绝缘材料层16之需要层间导通的位置打激光盲孔160而得到中间体。
11)、沉积种子层，在中间体两面以及盲孔160的孔壁处沉积一层导体种子层13；本实施例中的导体种子层13通过化学沉积法实现，也可通过真空镀膜法；且本实施例中，导体种子层13的材质为铜，也可为钛、镍或不同金属的合金。
12)、压膜，在步骤11)之导体种子层13两面贴上光刻胶14；光刻胶14的种类以及厚度需根据实际产品设计，本实施例选用日立RD1229光刻胶，厚度为29μm。
13)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶进行曝光，使曝光区域光刻胶受光照射发生聚变，然后使用碳酸钠溶解未曝光区域的光刻胶14，露出图形底部的导体种子层13。
14)、电镀填孔，在步骤13)露出的导体种子层13镀铜而形成位于第一线路两侧的双层第二线路，从而制得四层结构的线路板，且第二线路与第一线路在步骤10)的盲孔160处相导通；本实施例中镀铜的厚度小于光刻胶14厚度。
15)、去膜，去除步骤13)中已曝光的光刻胶14，露出第二线路间底部的导体种子层13。
16)、去种子层，采用微蚀、减铜或闪蚀工艺去除露于第二线路间底部的导体种子层13；
17)、阻焊，在四层结构的线路板的两面覆盖油墨17进行防焊处理；工艺选择网板油墨印刷或采用防焊干膜进行贴膜、压合、固化工艺。其中网板油墨印刷具有工艺制程稳定的优点，但线路高度差大。防焊干膜具有表面更平整的优点，缺点是制程不稳定。加工时可根据需求进行选择。
18)、曝光、显影，先对非开窗焊盘区域的油墨进行曝光，使非开窗焊盘区域油墨在紫外线照射下发生聚变，然后使用碳酸钠溶解未曝光区域的油墨而露出焊盘。
19)、化金，对焊盘表面进行化金处理。除化金之外，还可采用镍钯金、有机保焊膜(简称OSP)、双表面处理。
实施例三：
如图9～12所示，为本发明的一种线路板的制备工艺的优选实施例三，本实施例的制备工艺的步骤如下：
1)、基板下料，基板1在厚度方向上具有中间绝缘层11、位于中间绝缘层11两侧的导电体层12；其中，基板1为双面覆铜板，中间绝缘层11的厚度为10～300μm，具体根据产品需求设计；导电体层12为厚度12～18μm的低粗糙度铜箔，其可以提升后续生产过程中导体的附着力。
2)、钻孔、去铜，先减薄导电体层12至3～5μm，再在基板1之需要层间导通的位置钻孔；其中，钻孔为通孔10，并通过机械钻孔得到，除此之外，也可通过激光钻通孔、模具冲通孔、激光钻盲孔等。
3)、沉积种子层，在减薄后基板1的两面沉积一层导体种子层13；本实施例中的导体种子层13通过化学沉积法实现，也可通过真空镀膜法；本实施例中，导体种子层13的材质为铜，也可为钛、镍或不同金属的合金。
4)、压膜，在导体种子层13两面贴上光刻胶14；光刻胶14的种类以及厚度需根据实际产品设计，本实施例选用日立化成工业株式会社生产的RD系列、且型号为1229的光刻胶，厚度为29μm。
5)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶14进行曝光，使曝光区域光刻胶受光照射发生聚变，然后使用碳酸钠溶解未曝光区域的光刻胶14(碳酸钠无法溶解曝光区域的光刻胶)，露出图形底部的导体种子层13。
6)、电镀，在露出的导体种子层13上进行镀铜而形成双层的第一线路，并镀孔导通层间线路；镀铜的厚度小于光刻胶14的厚度。
7)、去膜，去除步骤5)中已曝光的光刻胶14，露出第一线路间底部的导体种子层13。
8)、去种子层，采用微蚀、减铜或闪蚀工艺去除第一线路间底部的导体种子层13。
9)、压合，将导体层15通过绝缘材料粘结到第一线路的两面，并填充第一线路而起到绝缘作用。其中，导体层15为厚度12～18μm的低粗糙度铜箔，可以提升后序生产过程中导体的附着力。绝缘材料为环氧树脂。
10)、减铜，减薄导体层15至3～5μm作为后续加成导体的过渡层。
11)、镭射，在过渡层以及绝缘材料层16之需要层间导通的位置打激光盲孔160而得到中间体。
12)、沉积种子层，在中间体两面以及盲孔160的孔壁处沉积一层导体种子层13；本实施例中的导体种子层13通过化学沉积法实现，也可通过真空镀膜法；且本实施例中，导体种子层13的材质为铜，也可为钛、镍或不同金属的合金。
13)、压膜，在步骤12)之导体种子层13两面贴上光刻胶14；光刻胶14的种类以及厚度需根据实际产品设计，本实施例选用日立RD1229光刻胶，厚度为29μm。
14)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶14进行曝光，使曝光区域光刻胶14受光照射发生聚变，然后使用碳酸钠溶解未曝光区域的光刻胶14，露出图形底部的导体种子层13。
15)、电镀填孔，在步骤14)露出的导体种子层13镀铜而形成位于第一线路两侧的双层第二线路，从而制得四层结构的线路板，且第二线路与第一线路在步骤11)的盲孔160处相导通；本实施例中镀铜的厚度小于光刻胶14厚度。
16)、去膜，去除步骤14)中已曝光的光刻胶14，露出第二线路间底部的导体种子层13；
17)、去种子层，采用微蚀、减铜或闪蚀工艺去除露于第二线路间底部的导体种子层13；
18)、阻焊，在四层结构的线路板的两面覆盖油墨17进行防焊处理；工艺选择网板油墨印刷或采用防焊干膜进行贴膜、压合、固化工艺。其中网板油墨印刷具有工艺制程稳定的优点，但线路高度差大。防焊干膜具有表面更平整的优点，缺点是制程不稳定。加工时可根据需求进行选择。
19)、曝光、显影，先对非开窗焊盘区域的油墨进行曝光，使非开窗焊盘区域油墨在紫外线照射下发生聚变，然后使用碳酸钠溶解未曝光区域的油墨而露出焊盘；
20)、化金，对焊盘表面进行化金处理。除化金之外，还可采用镍钯金、有机保焊膜(简称OSP)、双表面处理。
实施例四：
如图13、14、15所示，为本发明的一种线路板的制备工艺的优选实施例四，本实施例与实施例二基本相同，区别在于本申请在步骤6)电镀中，在露出的导体种子层13上做选镀线路并通过电镀的延伸性实现层间导通。如此达到如下优点：由于基板薄，可减少孔内沉铜工序，成本节约，良率提升。
本实施例中压合、压膜、曝光、显影、蚀刻、去膜的流程图如图15所示，其中压合后去除表面油污及粉屑露出铜面；压膜为在铜面上整面贴压光刻胶；曝光为对非线路图形区域的光刻胶进行曝光；显影为使用碳酸钠将未曝光区域光刻胶溶解，露出线路图形区域的铜面；蚀刻为使用化学药水腐蚀未被光刻胶覆盖的区域的铜面，露出绝缘层；去膜为去除已被曝光的光刻胶，从而露出铜面。
Claims (6)
1.一种作为线路板式线圈的线路板制备工艺，其特征在于步骤如下：
1)、基板下料，基板在厚度方向上具有中间绝缘层、位于中间绝缘层两侧的导电体层；
所述基板的导电体层为厚度13～36μm的铜箔或厚度12～18μm的铜箔；或所述基板的导电体层包括有位于中间绝缘层两侧的薄铜层、位于薄铜层两侧的厚铜层，所述薄铜层的厚度为2～5μm，所述厚铜层的厚度为18μm，厚铜层与薄铜层之间可分离；
2)、钻孔、减铜，在基板之需要层间导通的位置钻孔，并去除或减薄上述的导电体层；
当所述基板的导电体层为厚度13～36μm的铜箔时，所述步骤2)中先钻孔，再去除导电体层；
当所述基板的导电体层为厚度12～18μm的铜箔时，所述步骤2)中先减薄导电体层至3～5μm，再钻孔；
当所述基板的导电体层包括上述的薄铜层、厚铜层时，所述步骤2)中先钻孔，再剥离厚铜层；当所述基板的导电体层包括上述的薄铜层、厚铜层时，所述步骤2)剥离厚铜层后跳过步骤3)直接进入步骤4)；
3)、沉积种子层，在去除导电体层后的基板两面沉积导体种子层，在减薄导电体层后的基板两面选择性地沉积导体种子层；
4)、压膜，在导体种子层两面或减薄导电体层后的基板两面贴上光刻胶；
5)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶进行曝光，然后溶解未曝光区域的光刻胶；
6)、电镀，在溶解之后的未曝光区域光刻胶的位置进行电镀而形成双层的第一线路，并镀孔导通层间线路；
7)、去膜，去除步骤5)中已曝光的光刻胶；
8)、去种子层，去除露于第一线路之外的导体种子层；
9)、压合，将导体层通过绝缘材料粘结到第一线路的两面；
所述步骤9)中导体层为厚度13～36μm的铜箔、或为厚度12～18μm的铜箔或为厚度2～5μm的铜箔；
10)、减铜，当导体层为厚度大于12μm的厚层时，去除导体层而露出绝缘材料层、或减薄导体层；反之当导体层为薄层时，可直接跳过本步骤；具体的是：
当所述导体层为厚度13～36μm的铜箔时，所述步骤10)中去除导体层而露出绝缘材料层；
当所述导体层为厚度12～18μm的铜箔时，所述步骤10)中减薄导体层至3～5μm；
当所述导体层为厚度2～5μm的铜箔时，直接跳过步骤10)并进入步骤11)；
11)、镭射，在需要层间导通的位置钻孔而得到中间体；
12)、沉积种子层，在中间体两面以及钻孔的孔壁处沉积导体种子层；
13)、压膜，在步骤12)之导体种子层两面贴上光刻胶；
14)、曝光、显影，先对非线路图形区域的光刻胶进行曝光，然后溶解未曝光区域的光刻胶；
15)、电镀填孔，在步骤14)溶解之后的未曝光区域光刻胶的位置电镀而形成位于第一线路两侧的双层第二线路，从而制得四层结构的线路板，且第二线路与第一线路在步骤11)的钻孔处相导通；
16)、去膜，去除步骤14)中已曝光的光刻胶；
17)、去种子层，去除露于第二线路之外的导体种子层；
18)、阻焊制作。
2.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤2)中钻孔为通孔，并通过机械钻孔得到。
3.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤3)、12)中导体种子层的材质为钛、铜、镍或其中至少两种的合金；
在所述导体种子层的材质为铜时，所述步骤8)、17)中采用微蚀、减铜或闪蚀工艺去除导体种子层；在所述导体种子层的材质为钛时，所述步骤8)、17)中采用除钛工艺去除导体种子层。
4.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤11)中钻孔为盲孔，并通过激光钻孔得到。
5.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤18)的工艺依次为：
阻焊，在四层结构的线路板的两面覆盖油墨进行防焊处理；
曝光、显影，先对非开窗焊盘区域的油墨进行曝光，然后溶解未曝光区域的油墨而露出焊盘；
化金，对焊盘表面进行化金处理。
6.根据权利要求1所述的制备工艺，其特征在于：所述步骤9)中的绝缘材料为环氧树脂。
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