CN115591862A - 衬底清洗装置 - Google Patents
衬底清洗装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115591862A CN115591862A CN202210608787.4A CN202210608787A CN115591862A CN 115591862 A CN115591862 A CN 115591862A CN 202210608787 A CN202210608787 A CN 202210608787A CN 115591862 A CN115591862 A CN 115591862A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- substrate
- space
- module
- air supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 396
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 172
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 38
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 36
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 239000000779 smoke Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 14
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 150000005837 radical ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
- B08B7/0057—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/42—Auxiliary equipment or operation thereof
- B01D46/44—Auxiliary equipment or operation thereof controlling filtration
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/10—Cleaning by methods involving the use of tools characterised by the type of cleaning tool
- B08B1/12—Brushes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B1/00—Cleaning by methods involving the use of tools
- B08B1/20—Cleaning of moving articles, e.g. of moving webs or of objects on a conveyor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
- B08B5/02—Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
- B08B5/023—Cleaning travelling work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及一种衬底清洗装置,该衬底清洗装置对通过多个腔室的衬底同时执行多功能的清洗,由此可以有效地执行衬底清洗和使衬底清洗及制造空间高效地运行,在清洗工序中稳定地控制腔室内部的气流,由此可以防止在腔室内部产生的雾或烟流出到外部或包含异物的外部空气流入腔室内部,并且可以防止多个腔室之间的气流移动,从而更高效地执行衬底清洗。
Description
技术领域
本发明涉及一种衬底清洗装置,具体而言,涉及这样一种衬底清洗装置,该衬底清洗装置对通过多个腔室的衬底同时执行多功能的清洗,由此可以有效地执行衬底清洗,并且可以有效地运作衬底清洗及制造空间,在清洗工序中稳定地控制腔室内部的气流,由此可以防止在腔室内部产生的雾或烟流出到外部或包含异物的外部空气流入腔室内部,并且可以防止多个腔室之间的气流移动,从而更有效地执行衬底清洗。
背景技术
通常,用于制造显示器的衬底是通过重复执行沉积、图案形成、蚀刻、化学/机械抛光、清洗等单元工序来制造的。
在这些单元工序中,清洗工序是用于去除在执行各单元工序期间附着在衬底表面上的异物或不需要的膜等的工序,并且在这样的清洗工序的最后执行用于去除残留在衬底上的清洗液或雾的干燥工序。
如上所述,考虑到衬底清洗工序在衬底制造工序中与其他工序相关联地应用这一方面,通过减小在清洗工序中所需的装置和设置面积,可以大幅减小整个衬底制造装置的尺寸和设置面积。
然而,由于常规的衬底清洗装置在减小尺寸或设置面积方面存在局限性,因而与衬底制造工序的其他工序相关联的连续工序设计方面存在困难,并且存在衬底制造工序的效率降低的问题。
例如,清洗工序可以根据相关联的其他工序而经过干式清洗工序、湿式清洗工序和干燥工序等多个清洗工序来保障衬底清洗的质量,但由于各清洗工序的排气压力条件不同,因而与其他工序相关联的工序设计变得困难,并且干式清洗工序、湿式清洗工序和干燥工序之间的关联工序设计也变得困难。
此外,由于各清洗工序的排气压力条件不同,因而当各清洗室相互间的压力设定发生偏差时,不仅发生外部空气容易流入清洗室的问题,而且发生在相邻的清洗室之间产生不稳定的气流从而导致清洗质量下降的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:韩国登记专利公报第0402901号(2003年10月22日公告)
发明内容
发明所要解决的技术问题
用于解决上述问题的本发明的目的是提供一种衬底清洗装置,该衬底清洗装置在清洗工序中稳定地控制腔室内部的气流,由此可以防止在腔室内部产生的雾或烟流出到外部或包含异物的外部空气流入腔室内部,并且可以防止多个腔室之间的气流移动,从而更有效地执行衬底清洗。
本发明的另一目的是提供一种衬底清洗装置,该衬底清洗装置对同时通过多个腔室的衬底同时执行多功能的清洗,由此可以高效地执行衬底清洗,并且可以使衬底清洗及制造空间高效地运行。
本发明所要解决的技术问题不限于上述技术问题,并且本发明所属领域的技术人员可以通过以下描述清楚地理解其他未提及的技术问题。
用于解决问题的手段
用于解决上述问题的根据本发明的实施例的衬底清洗装置具有配置在衬底装载部和衬底卸载部之间的清洗部,所述衬底清洗装置的特征在于,所述清洗部包括第一清洗部和第二清洗部,所述第一清洗部包括:第一腔室,连接到所述衬底装载部,并且具有清洗衬底的第一清洗空间;第一清洗模块,配置在所述第一腔室,清洗通过所述第一清洗空间的衬底;以及第一供排气模块,对所述第一清洗空间进行供气和排气,所述第二清洗部包括:第二腔室,连接到所述第一清洗部,并且具有清洗衬底的第二清洗空间;第二清洗模块,配置在所述第二腔室,清洗通过所述第二清洗空间的衬底;以及第二供排气模块,对所述第二清洗空间进行供气和排气,所述第一清洗模块和所述第二清洗模块对同时通过所述第一清洗空间和所述第二清洗空间的一个衬底同时进行多个清洗工序,所述第一供排气模块和所述第二供排气模块与所述第一清洗空间和所述第二清洗空间分别形成闭环,并且独立地实时控制以使所述第一清洗空间的内部压力和所述第二清洗空间的内部压力相同,由此防止外部空气流入所述第一清洗空间和所述第二清洗空间,并且防止所述第一清洗空间和所述第二清洗空间相互间的气体流动。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,所述第一供排气模块可以包括:循环配管,闭环连接于所述第一清洗空间;循环风扇,设置在所述循环配管处,使所述第一清洗空间的流体循环到所述循环配管侧;以及供气挡板,设置在所述循环配管处,用于调节供给所述第一清洗空间侧的流体的流量。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,所述第一供排气模块还可以包括:旁通管,连接到所述循环配管,用于将在所述循环配管中循环的流体的一部分排出到外部;以及旁通阀,设置在所述旁通管处,用于调节通过所述旁通管的流体的流量。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,在所述循环配管中,作为一端部的供气端部可以结合到所述第一腔室的上部,以与所述第一清洗空间的上部区域连通,并且作为另一端部的排气端部可以结合到所述第一腔室的下部,以与所述第一清洗空间的下部区域连通。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,所述第一供排气模块还可以包括:异物分离部,设置在所述供气端部处,用于将从所述循环配管供给到所述第一清洗空间的流体内包含的异物分离。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,所述第一供排气模块还可以包括:盖部件,设置在所述供气端部处,阻止所述第一清洗空间内的清洗液或雾回流到所述供气端部侧并与所述异物分离部接触。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,所述盖部件可以包括:配管连接部,将所述供气端部和所述第一腔室连接,以使所述循环配管和所述第一清洗空间连通;第一盖部件,形成为从所述配管连接部的一侧内侧表面向另一侧内侧表面倾斜地延长;以及第二盖部件,与所述第一盖部件具有高度差,并且形成为从所述配管连接部的另一侧内侧表面向一侧内侧表面倾斜地延长,使得在从所述第一清洗空间的内部观察所述异物分离部时所述异物分离部被遮盖。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,所述第一供排气模块还可以包括:雾去除部,用于去除从所述第一清洗空间排出到所述循环配管的流体内包含的雾。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,所述排气端部可以配置成贯通所述第一腔室的下部并插入所述第一清洗空间,此时,所述雾去除部可以包括:主体壳体,配置在所述第一清洗空间的内部,下部打开以覆盖所述排气端部,并且在与所述排气端部之间形成热交换空间;多个冷却管,在所述主体壳体的内侧表面和所述排气端部的外侧表面之间沿所述排气端部的上下方向堆叠,并且与流入所述热交换空间的雾进行热交换;以及多个间隔保持部件,在所述主体壳体的内侧表面和所述排气端部的外侧表面之间沿所述排气端部的上下方向间隔配置,并且支撑所述冷却管。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,还可以包括:排水模块,结合到所述第一腔室的下部,用于将在清洗工序中产生的清洗液、异物和在所述雾去除部中生成的冷凝水排出到外部。
在根据本实施例的衬底清洗装置中,还可以包括干燥部,所述干燥部包括:第三腔室,连接到所述第二清洗部,并且具有干燥衬底的干燥空间;干燥模块,配置在所述第三腔室,对通过所述干燥空间的衬底进行干燥;以及第三供排气模块,对所述干燥空间进行供气和排气。
发明的效果
根据本发明,对同时通过多个腔室的衬底同时执行多功能的清洗,由此可以有效地执行多个清洗工序。由此,由于可以连续地排列用于多功能清洗模块的多个腔室,因而可以大幅减少衬底清洗装置和衬底制造装置的尺寸和设置面积,并且可以使衬底清洗及衬底制造空间高效地运行。
此外,根据本发明,使各个供排气模块与各个清洗空间一起形成闭环,由此可以防止在腔室内部产生的雾或烟流出到外部或包含异物的外部空气流入腔室内部,从而有效地清洗衬底。
此外,根据本发明,使各个供排气模块单独地实时控制对各个清洗空间的供气和排气,以使相邻的两个清洗空间的内部压力相同,由此抑制了相邻的清洗空间相互间的气流影响,从而可以提高清洗效率。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的衬底清洗装置的示意图。
图2是示出根据本发明的另一实施例的衬底清洗装置的示意图。
图3是示出图1的第一清洗部处设置的第一供排气模块的示意图。
图4是用于说明根据本发明的实施例的第一供排气模块的第一清洗部的截面示意图。
图5是放大示出图4的雾去除部的截面示意图。
图6是放大示出图4的异物分离部的截面示意图。
附图标记说明
10:衬底装载部 20:衬底卸载部
30:清洗部 100:第一清洗部
110:第一腔室 120:第一清洗模块
130:第一供排气模块 200:第二清洗部
210:第二腔室 220:第二清洗模块
230:第二供排气模块 300:第三清洗部
具体实施方式
以下,参照附图对可以具体实现上述要解决的问题的本发明的优选实施例进行说明。在对本实施例进行说明时,对于相同的结构可以使用相同的名称和相同的附图标记,并且可以省略对此的附加说明。
图1是示出根据本发明的实施例的衬底清洗装置的示意图。
参照图1,根据本实施例的衬底清洗装置可以包括衬底装载部10、衬底卸载部20以及清洗部30。
衬底装载部10相对于衬底的传送方向D1配置在前方,并且可以装载需要清洗的衬底并将其运入清洗部30。
衬底装载部10可以包括装载室11和装载器12。
装载室11可以具有用于将衬底运入清洗部30的装载空间,并且可以防止在衬底被运入清洗部30侧的过程中外部空气流入清洗部30。
装载器12可以在将衬底支撑在上部的状态下将衬底运入清洗部30。作为装载器12,可以应用作为接触方式的辊方式或作为非接触方式的空气轴承方式。
衬底卸载部20相对于衬底的传送方向D1配置在后方,并且可以将清洗完成的衬底从清洗部30运出。
衬底卸载部20也可以包括卸载室21和卸载器22。
卸载室21可以具有用于将衬底运入清洗部30侧的卸载空间,并且可以防止在衬底从清洗部30被运出的过程中外部空气流入清洗部30。
卸载器22可以在将衬底支撑在上部的状态下将衬底从清洗部30运出。作为卸载器22,可以应用作为接触方式的辊方式或作为非接触方式的空气轴承方式。
清洗部30可以配置在衬底装载部10和衬底卸载部20之间,并且可以清洗执行了先前处理工序的衬底。
可以设置多个清洗部30,并且多个清洗部30可以连续地配置在衬底装载部10和衬底卸载部20之间。
根据本实施例的清洗部30可以包括第一清洗部100和第二清洗部200。
第一清洗部100可以连接到衬底装载部10,并且可以将从衬底装载部10运入的衬底收纳到内部并对衬底执行一次清洗工序。
第一清洗部100可以包括第一腔室110、第一清洗模块120以及第一供排气模块130。
第一腔室110可以具有清洗衬底的第一清洗空间S1。
第一清洗模块120配置在第一腔室110处,并且可以对收纳在第一清洗空间S1中的衬底执行一次清洗工序。
一次清洗工序可以是湿式清洗工序。
根据实施例的第一清洗模块120可以包括化学清洗模块121、狭缝模块122以及滚刷模块123。此时,化学清洗模块121、狭缝模块122以及滚刷模块123可以沿衬底的传送方向D1依次排列。
作为化学(Chemical)清洗模块121,可以使用利用化学清洗液的湿式兆声波清洗器(WetMega Sonic Cleaner:WMSC)。兆声波清洗器可以在与衬底之间形成自由基离子(Radical Ion)从而增大对衬底表面的清洗效果。
狭缝模块122可以配置在化学清洗模块121的后方,并且可沿与衬底的传送方向D1相反的方向供给清洗液或清洗干燥空气(CDA)来去除衬底上存在的化学清洗液。
滚刷模块123可以配置在狭缝模块122的后方,并且可以在使滚刷与衬底的表面直接接触的同时对衬底进行物理清洗。
尽管未图示,然而第一清洗模块120还可以包括加热器,该加热器配置在衬底的下部,用于促进化学清洗液的反应。
第一供排气模块130能够对第一清洗空间S1执行供气和排气,并且能够与第一清洗空间S1一起形成闭环。
当在第一清洗空间S1与外部连通的状态下第一清洗空间S1的内部压力形成为低于外部压力时,外部空气会流入第一清洗空间S1的内部,此时,在外部空气中包含的异物吸附在衬底上的情况下,清洗效率会降低。
相反,当在第一清洗空间S1与外部连通的状态下第一清洗空间S1的内部压力形成为高于外部压力时,在第一清洗空间S1中产生的雾(mist)或烟(fume)会排出到外部。
此外,当在第一清洗部100的第一清洗空间S1和第二清洗部200的第二清洗空间S2之间发生压力不平衡时,在第一清洗空间S1和第二清洗空间S2相互间发生气流移动,由此,第一清洗空间S1和第二清洗空间S2都会发生不稳定的气流。
例如,第一清洗空间S1和第二清洗空间S2相互间的压力不平衡可能起因于由第一清洗模块120和第二清洗模块220执行的相互不同的清洗工序,并且由于第一清洗空间S1和第二清洗空间S2内的不稳定气流而会使衬底的清洗效率降低。
在本发明中,第一供排气模块130和第二供排气模块230与第一清洗空间S1和第二清洗空间S2分别形成闭环,并且独立地实时控制以使第一清洗空间S1的内部压力和第二清洗空间S2的内部压力相同,由此防止外部空气流入第一清洗空间S1和第二清洗空间S2,并且防止第一清洗空间S1和第二清洗空间S2相互间的气流移动。
关于第一供排气模块130,将在后面进行更具体的说明。
另外,第一清洗部100还可以包括第一臭氧水供给部170。第一臭氧水供给部170可以供给第一清洗模块120所需的臭氧水。
此外,第一清洗部100还可以包括第一排水模块180。第一排水模块180可以结合到第一腔室110的下部,并且可以将在清洗工序中在第一清洗空间S1中产生的流体排出到外部。例如,可以将清洗液、从衬底分离的异物、以及在后述的雾去除部140生成的冷凝水排出到外部。作为第一排水模块180,可以使用与第一清洗空间S1连通的管或导管,并且可以使用用于调节通过管或导管的流体的排水容量的阀。
此外,第一清洗部100还可以包括第一衬底传送部101。第一衬底传送部101与装载器12和卸载器22一样,可以应用作为接触方式的辊方式或作为非接触方式的空气轴承方式,并且通过衬底装载部10运入到第一清洗空间S1的一侧的衬底可以通过第一衬底传送部101传送到第一清洗空间S1的另一侧之后被运入第二清洗部200。
第二清洗部200可以相对于衬底的传送方向D1连接到第一清洗部100的后方,并且可以将从第一清洗部100排出的衬底收纳到内部并对衬底执行二次清洗工序。
第二清洗部200可以构成为使整体的构成要素与上述的第一清洗部100相同,并且对于相同的构成要素,尽量减少说明。
第二清洗部200可以包括第二腔室210、第二清洗模块220以及第二供排气模块230。
第二腔室210可以具有清洗衬底的第二清洗空间S2。
第二清洗模块220配置在第二腔室210处,并且可以对收纳在第二清洗空间S2中的衬底执行二次清洗工序。
二次清洗工序也可以是湿式清洗工序。
根据实施例的第二清洗模块220可以包括双流体模块221和高压喷嘴模块222。
双流体模块221可以将去离子水和清洗干燥空气(CDA)这两种流体喷射到衬底,通过在喷射过程中调节两种流体的排出温度(30~80度),可以更有效地去除衬底上存在的颗粒。
高压喷嘴模块222可以在向衬底喷射高压流体的同时去除衬底上存在的清洗液。
第二供排气模块230可以对第二清洗空间S2进行供气和排气,并且可以与第二清洗空间S2一起形成闭环。
例如,当第二清洗空间S2的排气量大于第一清洗空间S1的排气量时,第二清洗空间S2的内部压力相对变低,在第一清洗空间S1内存在的包括雾或烟的流体可以流入第二清洗空间S2。即,根据相邻的第一清洗空间S1和第二清洗空间S2相互间的内部压力条件,对相邻的第一清洗部100和第二清洗部200的清洗工序产生不利影响,从而可能发生清洗不良。
在本发明中,第一供排气模块130和第二供排气模块230与第一清洗空间S1和第二清洗空间S2分别形成闭环,并且独立地实时控制以使第一清洗空间S1的内部压力和第二清洗空间S2的内部压力相同,由此可以防止外部空气流入第一清洗空间S1和第二清洗空间S2,并且防止第一清洗空间S1和第二清洗空间S2相互间的气流移动。
另外,与第一清洗部100一样,第二清洗部200还可以包括第二臭氧水供给部240和第二排水模块250。
图2是示出根据本发明的另一实施例的衬底清洗装置的示意图。
图2所示的根据另一实施例的衬底清洗装置也可以包括衬底装载部10、衬底卸载部20以及清洗部30。
图2所示的衬底清洗装置与上述实施例的不同之处在于还包括干式清洗部400,该干式清洗部400配置在衬底装载部10和第一清洗部100之间。
干式清洗部400可以包括干式清洗室410和干式清洗模块420。
在干式清洗部400中,可以执行干式清洗工序。
根据实施例的干式清洗模块420可以包括极紫外(EUV)模块或AP等离子体模块。即,干式清洗部400可以使用紫外线或等离子体在湿式清洗之前预先去除衬底上存在的有机物。
尽管未图示,然而干式清洗模块420还可以包括二氧化碳清洗模块。
另外,图2所示的衬底清洗装置与上述实施方式的不同点还在于设置在第一清洗部100处的第一清洗模块120”和设置在第二清洗部200处的第二清洗模块220”。
即,根据本实施例的第一清洗部100和第二清洗部200处设置的第一清洗模块120”和第二清洗模块220”可以按照要从衬底去除的颗粒的大小顺序排列。
具体地,在第一清洗模块120”中,可以沿衬底的传送方向D1依次配置滚刷模块121”和双流体模块122”。
另外,尽管未图示,然而第一清洗模块120”也可以在滚刷模块121”的前方进一步配置槽式刀(Puddle Knife)。槽式刀可以对从干式清洗部400流入第一清洗部100的衬底进行润湿(Wetting),并且在干式清洗部400和第一清洗部100之间执行用于排除干扰的气幕功能。
在第二清洗模块220”中,可以沿衬底的传送方向D1依次配置高压喷嘴模块221”和化学清洗模块222”。
另外,尽管未图示,然而第二清洗模块220”可以在化学清洗模块222”的后方进一步配置水刀(Aqua Knife)。水刀可以对从第二清洗部200排出的衬底进行水切割(Water-cut),并且在第二清洗部200和干燥部300之间执行用于排除干扰的气幕功能。
如上所述,可以根据与清洗工序相关的前后衬底制造工序对第一清洗模块120、120”和第二清洗模块220、220”复合地执行各种清洗工序,并且可以根据所需的清洗工序适当地配置和排列各种清洗模块。
另外,清洗部30还可以包括干燥部300。
干燥部300可以相对于衬底的传送方向D1连接到第二清洗部200的后方,并且可以将从第二清洗部200排出的衬底收纳到内部并对衬底执行干燥工序。
干燥部300可以包括第三腔室310、干燥模块320以及第三供排气模块330。
第三腔室310可以具有干燥衬底的干燥空间S3。
干燥模块320配置在第三腔室310处,并且可以对收纳在干燥空间S3中的衬底进行干燥。
干燥模块320可以包括用于喷射干燥空气的空气刀321。
此外,干燥模块320还可以包括紫外线灯322,紫外线灯322可以配置在干燥空间S3中,并且如图所示,可以配置在衬底卸载部20的卸载空间中。即,衬底可以在通过紫外线灯322的同时完成清洗工序和干燥工序的双方。
第三供排气模块330可以对干燥空间S3执行供气和排气。第三供排气模块330可以与第一供排气模块130和第二供排气模块230相同地构成,并且省略相关的重复说明。
第一供排气模块130、第二供排气模块230、第三供排气模块330与各自的清洗空间一起独立地形成闭环,并且对连续排列的第一清洗空间S1、第二清洗空间S2、干燥空间S3单独地调节供气和排气以使内部压力相同,从而可以防止外部空气流入第一清洗空间S1、第二清洗空间S2、干燥空间S3或防止相邻的清洗空间相互间的气流移动,由此可以使第一清洗空间S1、第二清洗空间S2、干燥空间S3内的气流全部稳定。
另外,与传送方向D1平行的衬底的长度可以大于第一清洗空间S1、第二清洗空间S2、干燥空间S3的总长度,并且与传送方向D1交叉的方向上的衬底的宽度可以小于各清洗空间的宽度。
另外,在将沿衬底的传送方向D1连续排列的第一腔室110、第二腔室210、第三腔室310以及第一清洗模块120、第二清洗模块220、干燥模块320制作成小型并且相对于衬底的传送方向D1以密集的间隔配置的情况下,可以使用第一清洗模块120、第二清洗模块220,干燥模块320对通过连续排列的第一清洗空间S1、第二清洗空间S2、干燥空间S3的一个衬底同时执行多功能的清洗工序。
以下,对根据本发明的实施例的供排气模块进行详细说明。
图3是示出图1的第一清洗部处设置的第一供排气模块的示意图,图4是用于说明第一供排气模块的第一清洗部的截面示意图。
参照图3和图4,根据本实施例的第一供排气模块130可以包括循环配管131、循环风扇132、供气挡板133。
循环配管131可以闭环连接到第一清洗空间S1。
作为循环配管131的一端部的供气端部131a可以结合到第一腔室110的上部以与第一清洗空间S1的上部区域连通,并且作为循环配管131的另一端部的排气端部131b可以结合到第一腔室110的下部以与第一清洗空间S1的下部区域连通。即,存在于第一清洗空间S1的下部区域的流体可以被排出到排气端部131b,在循环配管131内循环之后,通过供气端部131a被供给到第一清洗空间S1的上部区域。因此,在第一清洗空间S1中可以形成从上部区域朝向下部区域的稳定气流。
循环风扇132可以设置在循环配管131上,并且可以使第一清洗空间S1的流体循环到循环配管131侧。即,循环风扇132可以将第一清洗空间S1的流体排出到循环配管131侧,并且可以将循环配管131的流体供给到第一清洗空间S1。
供气挡板133可以设置在循环配管131上,并且可以配置在循环风扇132和供气端部131a之间。供气挡板133可以调节供给到第一清洗空间S1侧的流体的流量和压力。
尽管未详细图示,然而供气挡板133可以包括壳体、调节板、压力传感器、驱动部以及挡板控制部。
壳体设置在循环配管131上,并且可以具有供流体通过的贯通流路。
调节板可旋转地结合到壳体,从而可以调节贯通流路的开度量。
压力传感器的一部分可以配置在调节板的上游,并且另一部分可以配置在调节板的下游。即,压力传感器可以测量形成在调节板的上游的第一压力和形成在调节板的下游的第二压力之间的差值。作为这样的压力传感器,可以使用压力计(Manometer)。
驱动部可以使调节板旋转。作为这样的驱动部150,可以使用伺服电机。
挡板控制部可以控制驱动部,并且可以基于从压力传感器测量的第一压力和第二压力之间的差值来调节调节板的开度量。另外,挡板控制部也可以基于第一清洗模块120的工作状态来调节调节板的开度量。
结果,可以根据上述的循环风扇132的输出来设定从第一清洗空间S1排出到循环配管131侧的排气量和从循环配管131供给到第一清洗空间S1的供气量。
另外,还可以根据供气挡板133的开度量来设定从第一清洗空间S1排出到循环配管131侧的排气量和从循环配管131供给到第一清洗空间S1的供气量。
当然,尽管未图示,然而第一供排气模块130还可以包括排气挡板。排气挡板可以设置在循环配管131上,并且可以配置在循环风扇132和排气端部131b之间。排气挡板可以调节从第一清洗空间S1排出到循环配管131侧的流体的流量和压力。
另外,第一供排气模块130还可以包括旁通管134和旁通阀135。
旁通管134可以从循环配管131分支,并且可以将在循环配管131中循环的流体的一部分排出到外部。
旁通阀135可以设置在旁通管134上,并且可以调节通过旁通管134排出的流体的流量。
例如,在需要降低第一清洗空间S1的压力的情况下,可以在提高循环风扇132的输出的同时,打开旁通阀135来将在循环配管131中循环的流体的一部分排出到外部,从而降低第一清洗空间S1的压力。
另外,在需要提高第一清洗空间S1的压力的情况下,可以关闭旁通阀135并打开供气挡板133,提高供给到第一清洗空间S1的供气量,从而提高第一清洗空间S1的压力。
尽管未图示,然而第一供排气模块130还可以包括热交换器。
热交换器可以在循环配管131上配置在循环风扇132和供气端部131a之间,并且可以防止通过循环风扇132的流体的温度由于在循环风扇132的驱动中产生的工作热而上升。
另外,第一供排气模块130还可以包括雾去除部140。
雾去除部140可以设置在循环配管131上,并且可以去除从第一清洗空间S1排出到循环配管131的流体内包含的雾。
图5是放大示出图4的雾去除部的截面示意图。
参照图5,根据本实施例的雾去除部140设置在循环配管131处,并且可以设置在第一清洗空间S1的内部。
为此,循环配管131的排气端部131b可以贯通第一腔室110的下部并插入第一清洗空间S1来配置。
此时,雾去除部140结合到插入第一清洗空间S1来配置的排气端部131b,因而可以配置在第一清洗空间S1的内部。
具体地,雾去除部140可以包括主体壳体141、冷却管142以及间隔保持部件143。
主体壳体141配置在第一清洗空间S1的内部,下部打开以覆盖贯通第一腔室110的排气端部131b,并且可以在与排气端部131b之间具有热交换空间140a。
从外部供给的制冷剂在冷却管142的内部流动,冷却管142可以配置在热交换空间140a中,并且可以在主体壳体141的内侧表面和排气端部131b的外侧表面之间沿排气端部131b的上下方向堆叠地呈Z字形配置有多个冷却管142。
冷却管142可以由制冷剂的冷热能与流入热交换空间140a的雾进行热交换。
间隔保持部件143可以配置在热交换空间140a中,并且可以在主体壳体141的内侧表面和排气端部131b的外侧表面之间沿排气端部131b的上下方向间隔配置。
可以与沿排气端部131b的上下方向堆叠的冷却管142的数量成比例地沿排气端部131b的上下方向配置多个间隔保持部件143,并且间隔保持部件143可以支撑冷却管142。
到达第一清洗空间S1的下部区域的气流可以沿第一清洗空间S1的底部移动,流入雾去除部140的热交换空间140a之后,通过排气端部131b排出到循环配管131。此时,流体内包含的雾在经由雾去除部140的热交换空间140a的同时与冷却管142进行热交换而冷凝,这样冷凝的冷凝水可以通过第一排水模块180排出到外部。
这样,当排出到循环配管131的流体内包含的雾被去除时,还具有提高循环风扇132的耐久性的优点。
另外,第一供排气模块130还可以包括异物分离部150。
异物分离部150可以将从循环配管131供给到第一清洗空间S1的流体内包含的异物分离。
异物分离部150可以设置在循环配管131的供气端部131a处,作为这样的异物分离部150,可以使用高效微粒空气过滤器(HEPAFilter)。
图6是放大示出图4的异物分离部的截面示意图。
如图6所示,在将异物分离部150设置在结合到第一腔室110的上端部的供气端部131a处的情况下,在清洗工序中会发生第一清洗空间S1内的清洗液或雾回流到供气端部131a侧的问题。
为了解决该问题,第一供排气模块130还可以包括盖部件160。
盖部件160设置在供气端部131a处,可以阻止第一清洗空间S1内的清洗液或雾回流到供气端部131a侧并与异物分离部150接触。
根据本实施例的盖部件160可以包括配管连接部161、第一盖部件162以及第二盖部件163。
配管连接部161形成管结构以使循环配管131和第一清洗空间S1连通,并且可以将供气端部131a和第一腔室110连接。
第一盖部件162配置在配管连接部161的内部,并且可以形成为从配管连接部161的一侧内侧表面向另一侧内侧表面沿下部方向倾斜地延长。
第二盖部件163与第一盖部件162具有高度差且配置在配管连接部161的内部,并且形成为从配管连接部161的另一侧内侧表面向一侧内侧表面沿下部方向倾斜地延长。
当从第一清洗空间S1的内部观察异物分离部150时,异物分离部150被第一盖部件162和第二盖部件163遮盖而无法看到。
因此,在清洗工序中,即使第一清洗空间S1内的清洗液或雾朝向供气端部131a沿上部方向移动,也会在与第一盖部件162和第二盖部件163的下表面碰撞之后,可以沿第一盖部件162和第二盖部件163的倾斜的下表面自然落下。
这样,由于可以通过第一盖部件162和第二盖部件163保护异物分离部150免受第一清洗空间S1内的清洗液或雾的影响,因而可以提高异物分离部150的耐久性。
另外,第二供排气模块230和第三供排气模块330也可以构成为与第一供排气模块130相同,并且省略对此的重复说明。
如上所述,根据本发明的衬底清洗装置对同时通过多个腔室的衬底同时执行多功能的清洗,由此可以有效地执行多个清洗工序。由此,由于可以连续地排列用于多功能清洗模块的多个腔室,因而可以大幅减少衬底清洗装置和衬底制造装置的尺寸和设置面积,并且可以使衬底清洗及衬底制造空间有效地运行。
此外,根据本发明的衬底清洗装置使各个供排气模块与各个清洗空间一起形成闭环,由此可以防止在腔室内部产生的雾或烟流出到外部或包含异物的外部空气流入腔室内部,从而有效地清洗衬底。
此外,根据本发明的衬底清洗装置使各个供排气模块单独实时地控制对各个清洗空间的供气和排气,以使相邻的两个清洗空间的内部压力相同,由此抑制了相邻的清洗空间相互间的气流影响,从而可以提高清洗效率。
如上所述,参照附图对本发明的优选实施例进行了说明,然而本领域技术人员可以在不脱离权利要求书中所记载的本发明的构思和领域的范围内对本发明进行各种修改或变更。
Claims (11)
1.一种衬底清洗装置,具有配置在衬底装载部和衬底卸载部之间的清洗部,其特征在于,
所述清洗部包括第一清洗部和第二清洗部,
所述第一清洗部包括:第一腔室,连接到所述衬底装载部,并且具有清洗衬底的第一清洗空间;第一清洗模块,配置在所述第一腔室,清洗通过所述第一清洗空间的衬底;以及第一供排气模块,对所述第一清洗空间进行供气和排气,
所述第二清洗部包括:第二腔室,连接到所述第一清洗部,并且具有清洗衬底的第二清洗空间;第二清洗模块,配置在所述第二腔室,清洗通过所述第二清洗空间的衬底;以及第二供排气模块,对所述第二清洗空间进行供气和排气,
所述第一清洗模块和所述第二清洗模块对同时通过所述第一清洗空间和所述第二清洗空间的一个衬底同时进行多个清洗工序,
所述第一供排气模块和所述第二供排气模块与所述第一清洗空间和所述第二清洗空间分别形成闭环,并且独立地实时控制以使所述第一清洗空间的内部压力和所述第二清洗空间的内部压力相同,由此防止外部空气流入所述第一清洗空间和所述第二清洗空间,并且防止所述第一清洗空间和所述第二清洗空间相互间的气体流动。
2.根据权利要求1所述的衬底清洗装置,其特征在于,
所述第一供排气模块包括:
循环配管,闭环连接于所述第一清洗空间;
循环风扇,设置在所述循环配管处,使所述第一清洗空间的流体循环到所述循环配管侧;以及
供气挡板,设置在所述循环配管处,用于调节供给所述第一清洗空间侧的流体的流量。
3.根据权利要求2所述的衬底清洗装置,其特征在于,
所述第一供排气模块还包括:
旁通管,连接到所述循环配管,用于将在所述循环配管中循环的流体的一部分排出到外部;以及
旁通阀,设置在所述旁通管处,用于调节通过所述旁通管的流体的流量。
4.根据权利要求2所述的衬底清洗装置,其特征在于,
在所述循环配管中,
作为一端部的供气端部结合到所述第一腔室的上部,以与所述第一清洗空间的上部区域连通,
作为另一端部的排气端部结合到所述第一腔室的下部,以与所述第一清洗空间的下部区域连通。
5.根据权利要求4所述的衬底清洗装置,其特征在于,
所述第一供排气模块还包括:
异物分离部,设置在所述供气端部处,用于将从所述循环配管供给到所述第一清洗空间的流体内包含的异物分离。
6.根据权利要求5所述的衬底清洗装置,其特征在于,
所述第一供排气模块还包括:
盖部件,设置在所述供气端部处,阻止所述第一清洗空间内的清洗液或雾回流到所述供气端部侧并与所述异物分离部接触。
7.根据权利要求6所述的衬底清洗装置,其特征在于,
所述盖部件包括:
配管连接部,将所述供气端部和所述第一腔室连接,以使所述循环配管和所述第一清洗空间连通;
第一盖部件,形成为从所述配管连接部的一侧内侧表面向另一侧内侧表面倾斜地延长;以及
第二盖部件,与所述第一盖部件具有高度差,并且形成为从所述配管连接部的另一侧内侧表面向一侧内侧表面倾斜地延长,使得在从所述第一清洗空间的内部观察所述异物分离部时所述异物分离部被遮盖。
8.根据权利要求4所述的衬底清洗装置,其特征在于,
所述第一供排气模块还包括:
雾去除部,用于去除从所述第一清洗空间排出到所述循环配管的流体内包含的雾。
9.根据权利要求8所述的衬底清洗装置,其特征在于,
所述排气端部配置成贯通所述第一腔室的下部并插入所述第一清洗空间,
所述雾去除部包括:
主体壳体,配置在所述第一清洗空间的内部,下部打开以覆盖所述排气端部,并且在与所述排气端部之间形成热交换空间;
多个冷却管,在所述主体壳体的内侧表面和所述排气端部的外侧表面之间沿所述排气端部的上下方向堆叠,并且与流入所述热交换空间的雾进行热交换;以及
多个间隔保持部件,在所述主体壳体的内侧表面和所述排气端部的外侧表面之间沿所述排气端部的上下方向间隔配置,并且支撑所述冷却管。
10.根据权利要求9所述的衬底清洗装置,其特征在于,还包括:
排水模块,结合到所述第一腔室的下部,用于将在清洗工序中产生的清洗液、异物和在所述雾去除部中生成的冷凝水排出到外部。
11.根据权利要求1所述的衬底清洗装置,其特征在于,
还包括干燥部,所述干燥部包括:第三腔室,连接到所述第二清洗部,并且具有干燥衬底的干燥空间;干燥模块,配置在所述第三腔室,对通过所述干燥空间的衬底进行干燥;以及第三供排气模块,对所述干燥空间进行供气和排气。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020210084125A KR102598124B1 (ko) | 2021-06-28 | 2021-06-28 | 기판 세정장치 |
KR10-2021-0084125 | 2021-06-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115591862A true CN115591862A (zh) | 2023-01-13 |
Family
ID=84841829
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210608787.4A Pending CN115591862A (zh) | 2021-06-28 | 2022-05-31 | 衬底清洗装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102598124B1 (zh) |
CN (1) | CN115591862A (zh) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0614834U (ja) * | 1991-08-28 | 1994-02-25 | 栄子 塩田 | 屋外強風を逆利用せる換気扇用屋外フード |
US5653623A (en) * | 1993-12-14 | 1997-08-05 | Ebara Corporation | Polishing apparatus with improved exhaust |
KR100402901B1 (ko) | 2001-06-07 | 2003-10-22 | 주식회사 디엠에스 | 평판디스플레이 제조장치의 다기능 세정모듈 및 이를이용한 세정장치 |
JP2002110619A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR20150057379A (ko) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 세정 장치 |
KR101980640B1 (ko) * | 2017-08-17 | 2019-05-23 | 주식회사 디엠에스 | 미스트 회수장치 및 이를 이용한 기판처리시스템 |
KR102127564B1 (ko) * | 2018-06-08 | 2020-06-26 | 에스케이실트론 주식회사 | 웨이퍼 세정장치 |
-
2021
- 2021-06-28 KR KR1020210084125A patent/KR102598124B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-05-31 CN CN202210608787.4A patent/CN115591862A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230001608A (ko) | 2023-01-05 |
KR102598124B1 (ko) | 2023-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100458647B1 (ko) | 기판처리시스템 | |
KR100819653B1 (ko) | 기체 정화 장치 | |
JP6289341B2 (ja) | 基板液処理装置、排気切替ユニットおよび基板液処理方法 | |
JP5673480B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20190201949A1 (en) | Substrate processing device | |
CN107112226B (zh) | 基板液处理装置 | |
JP2016092143A (ja) | 基板液処理装置 | |
WO2022009661A1 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
KR101696194B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
CN1965388A (zh) | 用于干燥衬底的设备和方法 | |
JP6611893B2 (ja) | 基板液処理装置 | |
JP3803130B2 (ja) | ポリッシング装置及びポリッシング方法 | |
KR102172073B1 (ko) | 기판 수납 장치 및 상기 기판 수납 장치를 이용한 기판 처리 장치 | |
TWI553276B (zh) | 蓄熱式廢氣淨化裝置 | |
CN115591862A (zh) | 衬底清洗装置 | |
JPH06224144A (ja) | 処理装置 | |
JPH1174168A (ja) | 処理システム | |
KR20190075627A (ko) | 웨이퍼 도핑 프로세스튜브의 배기 장치 | |
US20220203299A1 (en) | Waste Gas Separation and Treatment Apparatus and Control Method Thereof | |
JP2003347397A (ja) | ウエハポッドの清浄化システム、ウエハポッド | |
JP4441727B2 (ja) | 汚染物質除去装置 | |
WO2018150979A1 (ja) | 気体処理装置および基板処理装置 | |
JPH1140497A (ja) | 処理装置 | |
JP3673792B2 (ja) | ポリッシング装置 | |
JP4405965B2 (ja) | ポリッシング装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |