CN115565717A - 应用于半导体系统级封装用的环氧树脂胶膜材料 - Google Patents
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
本发明公开一种应用于半导体系统级封装用的环氧树脂胶膜材料。绝缘胶膜材料由下层载体膜、中间层介质膜以及上层覆盖膜三层结构组成，其中介质膜位于载体膜和覆盖膜中间从而形成三明治结构，其特征在于，介质膜由乙烯树脂、交联剂、环氧树脂、填料等组成，固化物高频介电损耗低于0.003，玻璃化转变温度高于200℃。
Description
技术领域
本发明属于新型电子封装材料技术领域，更具体地，本发明涉及一种应用于半导体系统 级封装用的环氧树脂胶膜材料。
背景技术
随着电子信息技术的发展，特别是近年来以可穿戴电子、智能手机、超薄电脑、无人驾 驶、物联网技术和5G通讯技术为主的快速发展，对电子系统的小型化、轻薄化、多功能、 高性能等方面提出了越来越高的要求。绝缘电介质材料是电子封装技术的一种重要材料。其 高频特性对电子封装器件信号的传输具有很多的影响。环氧树脂基于其良好的耐热性、耐化 学腐蚀性、易加工、价格低廉等优势在印刷线路板中具有非常多的应用，常规的基材如FR-4 都是采用环氧树脂作为聚合物基体制备的。一般地，环氧树脂复合材料经热固化后因存在较 多的羟基导致在高频(1GHz～20GHz)条件下产生较大的介电损耗，为0.04～0.06，不利于高 频应用。通常，添加非极性化合物如超支化聚合物等增加树脂体系的自由体积可降低环氧树 脂复合材料的高频介电损耗，但同时降低复合材料的玻璃化转变温度。
发明内容
基于此，本发明提供一种在高频下具有低介电损耗且玻璃化转变温度高于200℃的环氧 树脂复合材料，该复合材料经热固化后在高频1GHz～20GHz频率范围内的介电损耗小于 0.003，适用于高频半导体封装领域。
为了克服现有技术的缺陷，本发明提供一种可用于高频半导体封装领域的低介电损耗环 氧树脂复合材料。
为了实现上述发明目的，本发明采取了以下技术方案。
本发明一个方面提供了绝缘电介质浆料，所述绝缘电介质浆料中包含乙烯改性树脂、交 联剂、环氧树脂、填料和溶剂；
所述乙烯改性树脂为苯乙烯基或乙烯基改性的树脂，且所述乙烯改性树脂中包含两个以 上苯乙烯和或乙烯基；乙烯改性树脂为非环氧树脂；
所述环氧树脂为一种环氧树脂或多种环氧树脂的组合，所述环氧树脂中至少包含一种含 乙烯结构的环氧树脂；
所述交联剂为第一交联剂、第二交联剂以及第三交联剂的组合，其中第一交联剂为酚醛 树脂、氰酸酯树脂、活性酯树脂中的一种或一种以上的组合；第二交联剂为三烯丙基异三聚 氰酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三甲代烯丙基异氰酸酯中的一种或一种以上的组合； 第三交联剂为过氧化二异丙苯、双叔丁基过氧异丙基苯、过氧化二苯甲酰中的一种或一种以 上的组合。
进一步地，所述乙烯改性树脂选自苯乙烯改性酚醛树脂、苯乙烯改性醇酸树脂、苯乙烯 丙烯酸树脂、苯乙烯改性萜烯树脂、乙烯改性酚醛树脂。
进一步地，所述苯乙烯改性酚醛树脂或乙烯改性酚醛树脂通过将酚醛树脂的羟基与含有 苯乙烯基团或乙烯基团的化合物进行偶联获得带有苯乙烯或乙烯基的酚醛树脂。
进一步地，所述苯乙烯改性醇酸树脂或乙烯改性醇酸树脂通过将醇酸树脂的羟基与含有 苯乙烯基团或乙烯基团的化合物进行偶联获得带有苯乙烯或乙烯基的醇酸树脂。
进一步地，所述苯乙烯改性丙烯酸树脂或乙烯改性丙烯酸树脂通过将丙烯酸树脂的丙烯 酸基团与含有苯乙烯基团或乙烯基团的化合物进行偶联获得带有苯乙烯或乙烯基的酚醛树 脂。
进一步地，所述苯乙烯改性萜烯树脂或乙烯改性萜烯树脂通过将萜烯树脂的羟基基团与 含有苯乙烯基团或乙烯基团的化合物进行偶联获得带有苯乙烯或乙烯基的萜烯树脂。
在本发明中，所述的乙烯改性指树脂的两端和或侧链上修饰乙烯基团或苯乙烯基团。
进一步地，所述乙烯改性树脂中苯乙烯基或乙烯基在树脂分子结构的端位，或在分子链 段的支链上，或同时在端位和支链；优选地在苯乙烯基或乙烯基在端位和支链上或具有两种 分子结构树脂的混合使用。
进一步地，所述乙烯改性树脂为具有苯乙烯基和或乙烯基改性的酚醛树脂，优选地，所 述乙烯改性树脂如下结构式(1)、(2)或(3)所示：
其中，R选自双环戊二烯、烷基、芳环、取代的芳环、杂芳环，n为1-100。
进一步地，所述芳环选自萘环、蒽、联苯；杂芳环选自吡啶环、吡咯环、吡唑环、嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环、噻吩环、呋喃环；
进一步地，在结构式(1)、(2)或(3)中，R基优选为联苯、双环戊二烯、萘环、蒽。
进一步地，在结构式(1)、(2)或(3)中，n选自2-200，例如5、10、15、20、25、30、 35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100、110、120、130、140、150、 160、170、180、190。
进一步地，所述乙烯改性树脂的使用量为总树脂质量的20％～50％，所述总树脂质量为乙 烯改性树脂、交联剂、环氧树脂的总质量。例如20％、25％、30％、35％、40％、45％或50％。 当乙烯改性树脂添加量低于20％时，对复合材料高频介电损耗的降低效用体现不明显，当乙 烯改性树脂添加量高于50％时，复合材料与金属基材之间的结合力将明显降低。
在本发明中，所述总树脂质量为乙烯改性树脂、交联剂和环氧树脂的总质量。
进一步地，乙烯改性树脂分子结构中至少含有两个以上乙烯基团且分子量≥245。优选地 乙烯改性树脂的分子量2000～10000。
进一步地，乙烯改性树脂分子结构中通过包含乙烯基分子与非环氧树脂的树脂中的羟基 偶联获得；更优选地，非环氧树脂的树脂中的50％以上的羟基通过包含乙烯基分子进行改性， 或者60％以上、70％以上、80％以上、90％以上、95％以上或100％。
从热学和电学性能角度出发，当分子结构中乙烯基团数量为1时，固化物分子结构中以 线性结构为主，玻璃化转变温度较低，而当乙烯改性树脂的分子量低于245时，乙烯改性树 脂的引入对复合材料极性的降低效果难以体现。因此，乙烯改性树脂分子结构必须具有两个 以上乙烯基团且分子量高于245。优选地乙烯改性树脂的分子量2000～10000，利于成膜。
进一步地，作为交联剂的酚醛树脂选自线性苯酚甲醛树脂且其羟基当量为100～115g/eq； 线性双酚A甲醛树脂且其羟基当量115～125g/eq；XYLOK酚醛树脂且其羟基当量170～185 g/eq；联苯酚醛树脂且其羟基当量190～250g/eq；含氮酚醛树脂且其羟基当量110～140g/eq； 含磷酚醛树脂且其羟基当量250～350g/eq中的一种或多种混合使用。
进一步地，作为交联剂的氰酸酯树脂选自双酚A型氰酸酯、双酚F型氰酸酯、双酚E型 氰酸酯、双酚M型氰酸酯、双环戊二烯型氰酸酯、酚醛型氰酸酯、四甲基双酚F型氰酸酯中的一种或多种混合使用。
进一步地，作为交联剂的活性酯树脂选自线性苯酚甲醛活性酯树脂、双酚A甲醛活性酯 树脂、双XYLOK活性酯树脂、联苯活性酯树脂、双环戊二烯活性酯树脂、含磷活性酯树脂、 含双键活性酯树脂等中的一种或多种混合使用；优选含双键活性酯树脂。
进一步地，第一交联剂、第二交联剂以及第三交联剂之间的质量比为50-100：20-60：1， 优选为55-65:25-50:1。
本发明介质膜中所使用的环氧树脂指分子结构中含有一个及以上环氧官能团有机树脂。
进一步地，所述环氧树脂中含乙烯结构的环氧树脂选自烯丙基双酚A环氧树脂、烯丙基 酚醛环氧树脂。
进一步地，所述环氧树脂中除含乙烯结构的环氧树脂外还包含至少一种其他环氧树脂， 所述其他环氧树脂选自为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、邻甲酚 醛型环氧树脂、邻甲酚醛型环氧树脂、多官能团环氧树脂、脂环族环氧树脂、间苯二酚环氧 树脂、橡胶改性环氧树脂、聚氨酯改性环氧树脂、联苯环氧树脂、双环戊二烯环氧树脂中的 至少一种或多种的组合。
在本发明中，双酚A型环氧树脂，如南亚NPEL-128、NPEL-127、NPEL-144、NPES-609、NPES-901、NPES-902、NPES-903、NPES-904、NPES-907、NPES-909,如国都化工YD-001、 YD-012、YD-013k、YD-014、YD-134、YD-134D、YD-134L、YD-136、YD-128、YD-127， 亨斯迈生产的
GY 2600、
GY 6010、
GY 6020、
MY 790-1、
LY1556、
GY 507等，双酚F型环氧树脂如南亚生产的NPEF-170、 CVC生产的EPALLOY8220、EPALLOY 8220E、EPALLOY 8230，亨斯迈生产的
GY 281、
GY 282、
GY 285、
PY 306、
PY 302-2、
PY 313等，酚醛型环氧树脂如南亚生产的NPPN-638S、NPPN-631，CVC生产的EPALLOY 8240、EPALLOY 8240、EPALLOY8250、EPALLOY 8330等，邻甲酚醛型环氧树脂如南亚生 产的NPCN-701、NPCN-702、NPCN-703、NPCN-704、NPCN-704L、NPCN-704K80等，多 官能团环氧树脂如南亚生产的NPPN-431A70、CVC生产的ERISYS GA-240等，脂环族环氧 树脂如CVC生产的EPALLOY 5000、EPALLOY 5200、JE-8421等，间苯二酚环氧树脂如CVC 生产的ERISYS RDGE，橡胶改性环氧树脂CVC生产的HyPox RA95、HyPox RA840、HyPox RA1340、HyPox RF 928、HyPox RM 20、HyPoxRM 22、HyPox RK 84L、HyPox RK 820等， 聚氨酯改性环氧树脂，联苯环氧树脂如日本三井化学生产的YX4000、YX4000K、YX4000H、 YX4000HK、YL6121H、YL6121HN，双环戊二烯环氧树脂，如岳阳巴陵石化生产的CYDB-500、 CYDB-700、CYDB-900、CYDB-400、CYDB-450A80等中的一种或多种。
进一步地，环氧树脂占总树脂质量的10-30％。
在本发明中，所述填料为球形，最大粒径小于3μm，最小粒径大于10nm，不溶于有机溶剂。
进一步地，所述填料选自熔融二氧化硅、水热二氧化硅、沉淀法二氧化硅、氧化铝、氮 化硼、二氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化镁、碳酸钙等中的一种或多种混合物的例子。
进一步地，所述填料粒子的添加量占介质层不含溶剂的总质量的65％以上，例如70％-95％，例如75％、80％、85％、90％。
本发明所述的介质层中还包括助剂，添加量均低于总质量的1％；所述助剂选自偶联剂、 分散剂、消泡剂、色素、阻燃剂。
本发明另一个方面提供了一种绝缘电介质层，所述绝缘电介质层为由上述绝缘电介质浆 料制成的层状复合材料。
进一步地，绝缘电介质层的在高频条件下的介电损耗为0.003以下，所述高频为1-20GHz。 优选为0.001-0.0025。
进一步地，绝缘电介质层的在高频条件下的玻璃转化温度为210℃以上，优选为210℃-230℃。
本发明又一个方面提供了一种环氧树脂复合材料，所述环氧树脂复合材料由载体膜、介 质层、覆盖膜三部分组成，其中所述介质层位于载体膜和覆盖膜中间形成三明治结构，所述 介质层为上述绝缘电介质层。
本发明又一个方面提供了上述环氧树脂复合材料的制备方法，将上述绝缘电介质浆料用 搅拌机混合均匀，经过砂磨机分散后使用涂布机将分散的绝缘电介质浆料涂覆于载体膜表面， 经溶剂烘干后与覆盖膜复合，形成本发明所述环氧树脂复合材料。
进一步地，载体膜材料聚合物薄膜材料或纸基膜材料，所述聚合物薄膜材料为聚酯薄膜 (PET)、聚醚醚酮薄膜(PEEK)、聚醚酰亚胺薄膜(PEI)、聚酰亚胺薄膜(PI)、聚碳酸酯薄 膜(PC)；所述纸基膜材料选自离型纸、淋膜纸。
进一步地，载体膜材料厚度为10μm～300μm，优选为20μm～100μm，更优选为30μm～60 μm。
所述绝缘电介质浆料能够在支撑薄膜材料表面形成均匀、光滑的薄膜。
进一步地，覆盖膜材料选自聚合物薄膜材料；优选为聚酯薄膜(PET)、聚丙烯薄膜(OPP)、 聚乙烯薄膜(PE)。
进一步地，保护薄膜材料的厚度为10μm～300μm，优选为20μm～100μm，更优选为30μm～60μm。介于载体膜和覆盖膜之间的绝缘聚合物复合物的厚度为1μm～300μm，优选为 10μm～20μm，更优选为15μm～100μm。
本发明再一个方面提供了上述绝缘电介质层或环氧树脂复合材料在半导体电子封装领域 作为封装介质层中的用途。
进一步地，所述半导体电子封装领域选自FC-BGA高密度封装基板、芯片再布线介质层、 芯片塑封、芯片粘结、芯片凸点底部填充领域。
有益效果
本发明通过添加乙烯改性树脂以及具有乙烯基的环氧树脂制备介质层浆料，由此制备的 介质层具有在高频下介电损耗更低，而玻璃转化温度更高的优势。能够应用于先进制造领域， 作为芯片封装。
具体实施方式
为了使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方 式做详细的说明，但不能理解为对本发明的可实施范围的限定。
为了使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方 式做详细的说明，但不能理解为对本发明的可实施范围的限定。
本实施例提供了一种可应用于先进封装领域诸如FC-BGA高密度封装基板、芯片再布线 介质层、芯片塑封、芯片粘结、芯片凸点底部填充等半导体电子封装领域中介质层的复合材 料及其制备方法。
合成例1含乙烯结构的酚醛树脂合成物A的制备：
将200g双环戊二烯酚醛树脂SH7117(山东圣泉，羟基当量200g/eq，由双环戊二烯苯酚 与甲醛聚合的产物)和90g丙烯酰氯
溶解于300g甲苯当中，加入反应器并通氮气， 升温至50℃，滴加250g浓度为20％的氢氧化钠水溶液，滴加完毕后继续反应2小时。此后， 静置分层，去除水层，然后加水搅拌，重复3次以上，待合成物pH值为7时，加热减压蒸馏去除溶剂，得到含乙烯结构的酚醛树脂合成物A。
合成例2含乙烯结构的环氧树脂合成物B的制备：
将30.8g 2,2'-二烯丙基双酚A
和100g环氧氯丙烷
溶解至200g二甲苯中，加热至120℃反应2小时，然后降温至60℃。滴加200 g浓度为20％的氢氧化钠水溶液，滴加完毕后继续反应2小时。此后，静置分层，去除水层， 然后加水搅拌，重复3次以上，待合成物pH值为7时，加热减压蒸馏去除溶剂，得到含乙 烯结构的环氧树脂合成物B。
实施例1：
根据表1中的原料制备绝缘电介质浆料，用搅拌机混合均匀，经过砂磨机分散后使用涂 布机将分散的绝缘电介质浆料涂覆于载体膜表面，经溶剂烘干后获得介质层。
制备获得的介质层进一步进行测试，检测其在10GHz下的介电损耗，以及玻璃化转变温 度(Tg*)。
实时例2-3和对比例1-3采用实施例1的方法，区别仅在于采用表1所示的原料制备进行 替换。
表1
由上述结果可知，介质膜由乙烯树脂、交联剂、环氧树脂、填料等组成可获得高频低介 电损耗和高玻璃化转变温度。
本发明进一步在实施例1-3的组合物中添加偶联剂、分散剂、消泡剂、色素、阻燃剂等 助剂，并检测确认增加助剂对于介电损耗和玻璃转化温度的影响，实验结果显示当助剂总含 量低于介质层含量1％时，对介电损耗和玻璃转化温度几乎没有影响。
Claims (10)
1.一种绝缘电介质浆料，其特征在于，所述绝缘电介质浆料中包含乙烯改性树脂、交联剂、环氧树脂、填料和溶剂；
所述乙烯改性树脂为苯乙烯基或乙烯基改性的树脂，且所述乙烯改性树脂中包含两个以上苯乙烯和或乙烯基；乙烯改性树脂为非环氧树脂；
所述环氧树脂为一种环氧树脂或多种环氧树脂的组合，所述环氧树脂中至少包含一种含乙烯结构的环氧树脂；
所述交联剂为第一交联剂、第二交联剂以及第三交联剂的组合，其中第一交联剂为酚醛树脂、氰酸酯树脂、活性酯树脂中的一种或一种以上的组合；第二交联剂为三烯丙基异三聚氰酸酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、三甲代烯丙基异氰酸酯中的一种或一种以上的组合；第三交联剂为过氧化二异丙苯、双叔丁基过氧异丙基苯、过氧化二苯甲酰中的一种或一种以上的组合。
2.权利要求1所述的绝缘电介质浆料，其特征在于，所述乙烯改性树脂选自苯乙烯改性酚醛树脂、苯乙烯改性醇酸树脂、苯乙烯丙烯酸树脂、苯乙烯改性萜烯树脂、乙烯改性酚醛树脂；
优选地，所述苯乙烯改性酚醛树脂或乙烯改性酚醛树脂通过将酚醛树脂的羟基与含有苯乙烯基团或乙烯基团的化合物进行偶联获得带有苯乙烯或乙烯基的酚醛树脂；
优选地，所述苯乙烯改性醇酸树脂或乙烯改性醇酸树脂通过将醇酸树脂的羟基与含有苯乙烯基团或乙烯基团的化合物进行偶联获得带有苯乙烯或乙烯基的醇酸树脂；
优选地，所述苯乙烯改性丙烯酸树脂或乙烯改性丙烯酸树脂通过将丙烯酸树脂的丙烯酸基团与含有苯乙烯基团或乙烯基团的化合物进行偶联获得带有苯乙烯或乙烯基的酚醛树脂；
优选地，所述苯乙烯改性萜烯树脂或乙烯改性萜烯树脂通过将萜烯树脂的羟基基团与含有苯乙烯基团或乙烯基团的化合物进行偶联获得带有苯乙烯或乙烯基的萜烯树脂。
3.权利要求1所述的绝缘电介质浆料，其特征在于，所述的乙烯改性指树脂的两端和或侧链上修饰乙烯基团或苯乙烯基团；
优选地，所述乙烯改性树脂中苯乙烯基或乙烯基在树脂分子结构的端位，或在分子链段的支链上，或同时在端位和支链；
优选地，在苯乙烯基或乙烯基在端位和支链上或具有两种分子结构树脂的混合使用。
4.权利要求1所述的绝缘电介质浆料，其特征在于，所述乙烯改性树脂为具有苯乙烯基和或乙烯基改性的酚醛树脂；
优选地，所述乙烯改性树脂如下结构式(1)、(2)或(3)所示：
其中，R选自双环戊二烯、烷基、芳环、取代的芳环、杂芳环，n为1-100；
更优选地，所述芳环选自萘环、蒽、联苯；杂芳环选自吡啶环、吡咯环、吡唑环、嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环、噻吩环、呋喃环；
更优选地，在结构式(1)、(2)或(3)中，R基为联苯、双环戊二烯、萘环、蒽；
更优选地，在结构式(1)、(2)或(3)中，n选自2-200。
5.权利要求1所述的绝缘电介质浆料，其特征在于，所述乙烯改性树脂的使用量为总树脂质量的20％～50％，所述总树脂质量为乙烯改性树脂、交联剂、环氧树脂的总质量；
所述总树脂质量为乙烯改性树脂、交联剂和环氧树脂的总质量；
优选地，乙烯改性树脂分子结构中至少含有两个以上乙烯基团且分子量≥245，更优选地乙烯改性树脂的分子量2000～10000；
优选地，乙烯改性树脂分子结构中通过包含乙烯基分子与非环氧树脂的树脂中的羟基偶联获得；更优选地，非环氧树脂的树脂中的50％以上的羟基通过包含乙烯基分子进行改性，或者60％以上、70％以上、80％以上、90％以上、95％以上或100％；
优选地，作为交联剂的酚醛树脂选自线性苯酚甲醛树脂且其羟基当量为100～115g/eq；线性双酚A甲醛树脂且其羟基当量115～125g/eq；XYLOK酚醛树脂且其羟基当量170～185g/eq；联苯酚醛树脂且其羟基当量190～250g/eq；含氮酚醛树脂且其羟基当量110～140g/eq；含磷酚醛树脂且其羟基当量250～350g/eq中的一种或多种混合使用；
优选地，作为交联剂的氰酸酯树脂选自双酚A型氰酸酯、双酚F型氰酸酯、双酚E型氰酸酯、双酚M型氰酸酯、双环戊二烯型氰酸酯、酚醛型氰酸酯、四甲基双酚F型氰酸酯中的一种或多种混合使用；
优选地，作为交联剂的活性酯树脂选自线性苯酚甲醛活性酯树脂、双酚A甲醛活性酯树脂、双XYLOK活性酯树脂、联苯活性酯树脂、双环戊二烯活性酯树脂、含磷活性酯树脂、含双键活性酯树脂等中的一种或多种混合使用；优选含双键活性酯树脂；
优选地，第一交联剂、第二交联剂以及第三交联剂之间的质量比为50-100：20-60：1，优选为55-65:25-50:1；
优选地，所述环氧树脂中含乙烯结构的环氧树脂选自烯丙基双酚A环氧树脂、烯丙基酚醛环氧树脂；
优选地，所述环氧树脂中除含乙烯结构的环氧树脂外还包含至少一种其他环氧树脂，所述其他环氧树脂选自为双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、酚醛型环氧树脂、邻甲酚醛型环氧树脂、邻甲酚醛型环氧树脂、多官能团环氧树脂、脂环族环氧树脂、间苯二酚环氧树脂、橡胶改性环氧树脂、聚氨酯改性环氧树脂、联苯环氧树脂、双环戊二烯环氧树脂中的至少一种或多种的组合；
优选地，环氧树脂占总树脂质量的10-30％；
优选地，所述填料选自熔融二氧化硅、水热二氧化硅、沉淀法二氧化硅、氧化铝、氮化硼、二氧化钛、氧化锌、氧化锆、氧化镁、碳酸钙中的一种或多种混合物；
优选地，所述填料粒子的添加量占介质层不含溶剂的总质量的65％以上。
6.权利要求1所述的绝缘电介质浆料，其特征在于，绝缘电介质浆料还包括助剂，添加量均低于总质量的1％；所述助剂选自偶联剂、分散剂、消泡剂、色素、阻燃剂。
7.一种绝缘电介质层，其特征在于，所述绝缘电介质层为由权利要求1-6任一项所述的绝缘电介质浆料制成的层状复合材料；
优选地，绝缘电介质层的在高频条件下的介电损耗为0.003以下，所述高频为1-20GHz；
优选地，绝缘电介质层在高频条件下的玻璃转化温度为210℃以上，更优选为210℃-230℃。
8.一种环氧树脂复合材料，其特征在于，所述环氧树脂复合材料由载体膜、介质层、覆盖膜三部分组成，其中所述介质层位于载体膜和覆盖膜中间形成三明治结构，所述介质层为权利要求7所述的绝缘电介质层；
优选地，载体膜材料聚合物薄膜材料或纸基膜材料，所述聚合物薄膜材料为聚酯薄膜(PET)、聚醚醚酮薄膜(PEEK)、聚醚酰亚胺薄膜(PEI)、聚酰亚胺薄膜(PI)、聚碳酸酯薄膜(PC)；所述纸基膜材料选自离型纸、淋膜纸；
优选地，载体膜材料厚度为10μm～300μm；
优选地，覆盖膜材料选自聚合物薄膜材料；优选为聚酯薄膜(PET)、聚丙烯薄膜(OPP)、聚乙烯薄膜(PE)；
优选地，保护薄膜材料的厚度为10μm～300μm；
优选地，介于载体膜和覆盖膜之间的绝缘聚合物复合物的厚度为1μm～300μm。
9.权利要求8所述的环氧树脂复合材料的制备方法，其特征在于，将权利要求1-6任一项所述的绝缘电介质浆料用搅拌机混合均匀，经过砂磨机分散后使用涂布机将分散的绝缘电介质浆料涂覆于载体膜表面，经溶剂烘干后与覆盖膜复合，形成权利要求8所述环氧树脂复合材料。
10.权利要求7所述的绝缘电介质层或权利要求8所述的环氧树脂复合材料在半导体电子封装领域作为封装介质层中的用途；
优选地，所述半导体电子封装领域选自FC-BGA高密度封装基板、芯片再布线介质层、芯片塑封、芯片粘结、芯片凸点底部填充领域。
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