CN115557795A - 一种低温共烧陶瓷基板烧平方法 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，涉及电子元器件制作工艺领域，将待处理巴块切割成多个目标巴块后，放置于第一模具和第二模具拼接叠加所构成的完整模槽中，进行烧结。一方面，完整模槽的狭小空间将限制待处理巴块烧结过程中的翘曲空间，保证目标巴块烧结后的平整度。另一方面，在烧结前对待处理巴块进行切割，形成多个小型目标巴块后进行烧结，更加有利于保证目标巴块烧结后的平整度。此外，完整模槽表面与待处理巴块之间除了隔离层之外还设置有牺牲层，牺牲层气化隔开待处理巴块和隔离层，避免待处理巴块表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。

Description

一种低温共烧陶瓷基板烧平方法

技术领域

本申请涉及电子元器件制作工艺领域，特别涉及一种低温共烧陶瓷基板烧平方法。

背景技术

低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC)是近年来兴起的一种相当令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术，因其优异的电子、机械、热力特性已成为未来电子组件集成化、模组化的首选方式，广泛应用于基板、封装及微波器件等领域。LTCC技术是将低温烧结陶瓷粉末制成厚度精确而且致密的生瓷带，在生瓷带上利用冲孔或激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制作出所需要的电路图形，并可将无源元件和功能电路埋人多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，在高温下烧结，制成三维空间的高密度电路。低温共烧陶瓷基板是实现三维立体组装较为理想的多层基板材料。

对于LTCC工艺制作的基板的平整度要求一般较为严格，在低温共烧陶瓷基板烧结过程中，通常通过限制基板的翘曲空间来改善基板烧结翘曲的情况。现有的低温共烧陶瓷基板烧平方式大体有以下两种：1、采用刚玉石将整个巴块通过压烧方式进行烧结(采用氧化铝或者氧化锆隔离然后表面压一块刚玉石)；2、将整个巴块切割后，再单独对各个小巴块以小型压片的形式进行烧结。然而，上述第一种方案在烧结后需要清理表面残留的第一隔离层材料，还需要对成瓷的基板进行切割，后续工艺繁琐；上述第二种方案逐一对各个小巴块进行单独烧结，效率较低。

发明内容

本申请的目的在于提供一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，其能够改善上述问题。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请提供一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，其包括：

S11、采用多张陶瓷生带进行巴块制作，经第一次温水等静压工艺后得到待处理巴块；

S12、提供第一模具，在所述第一模具的第一模槽中依次制作第一隔离层和第一牺牲层后，将所述待处理巴块放置于所述第一模槽中，形成第一整体巴块；

S13、对所述第一整体巴块进行第二次温水等静压工艺处理；

S14、提供第二模具，在所述第二模具的第二模槽中依次制作第二隔离层和第二牺牲层后，将所述第二模具层叠于所述第一模具上，使得所述第一模槽和所述第二模槽拼接为完整模槽，所述完整模槽刚好能够容纳所述待处理巴块；

S15、将层叠后的所述第一模具和所述第二模具以及其内部结构作为第二整体巴块，对所述第二整体巴块进行第三次温水等静压工艺后，再对所述第二整体巴块进行排胶烧结；

S16、排胶烧结完成后，取出所述待处理巴块。

可以理解，本申请公开了一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，将待处理巴块放置于第一模具和第二模具拼接叠加所构成的完整模槽中，完整模槽的狭小空间将限制待处理巴块烧结过程中的翘曲空间，保证待处理巴块烧结后的平整度。此外，完整模槽表面与待处理巴块之间除了隔离层之外还设置有牺牲层。在烧结过程中，隔离层将待处理巴块和模具隔离开，让两者烧结不粘合；牺牲层气化隔开待处理巴块和隔离层，避免待处理巴块表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。

在本申请可选的实施例中，所述第一模槽和所述第二模槽的深度和等于所述第一隔离层、所述第二隔离层、第一牺牲层、第二牺牲层和所述待处理巴块的厚度之和。

可以理解，第一模槽和第二模槽的深度和即为完整模槽的深度，完整模槽内依次设置有第一隔离层、第一牺牲层、待处理巴块、牺牲层和第二隔离层，完整模槽的深度等于各个叠层结构的厚度，说明盖完整模槽刚好可以容纳下各个叠层结构，在烧结过程中可以很好地限制待处理巴块的翘曲空间。

在本申请可选的实施例中，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层采用气化温度小于烧结温度的碳基材料。

可以理解，牺牲层的作用是在烧结过程中气化，从而形成隔开待处理巴块和隔离层的空隙，避免待处理巴块表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。在烧结过程中，待处理巴块先成瓷，牺牲层在300℃时烧结成气体，通过牺牲层气化让待处理巴块与陶瓷模具产生空隙。因此，牺牲层可以使用碳粉、溶剂、粘合剂、分散剂，分别按40：35：6.2：1配比完成的碳基材料。

在本申请可选的实施例中，所述第一隔离层和所述第二隔离层采用瓷化温度高于所述陶瓷生带瓷化温度的氧化锆或氧化铝。

可以理解，在烧结过程中，隔离层的作用是将待处理巴块和模具隔离开，让两者烧结不粘合。

在本申请可选的实施例中，步骤S15中，所述对所述第二整体巴块进行排胶烧结，包括：逐渐升温对所述第二整体巴块进行排胶烧结，使得所述第一牺牲层和所述第二牺牲层气化，所述待处理巴块瓷化。

在本申请可选的实施例中，步骤S16包括：

排胶烧结完成后，敲碎所述第一模具和所述第二模具，取出所述待处理巴块。

在本申请可选的实施例中，所述第一次温水等静压工艺、所述第二次温水等静压工艺和所述第三次温水等静压工艺均为采用温水等静压机进行的热等静压工艺，压强范围为30－40Mpa。

其中，热等静压(Hot Isostatic Pressing，HIP)是一种集高温、高压于一体的工艺生产技术，通过以密闭容器中的高压惰性气体或氮气为传压介质。在高温高压的共同作用下，被加工件的各向均衡受压。故加工产品的致密度高、均匀性好、性能优异。

第二方面，本申请还提供一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，其包括：

S21、采用多张陶瓷生带进行巴块制作，经第一次温水等静压工艺后得到待处理巴块；

S22、提供第一模具，在所述第一模具的第一模槽中依次制作第一隔离层和第一牺牲层后，将所述待处理巴块放置于所述第一模槽中，形成第一整体巴块；

S23、对所述第一整体巴块进行第二次温水等静压工艺处理；

S24、将所述待处理巴块切割为至少两个目标巴块；

S25、提供第二模具，在所述第二模具的第二模槽中依次制作第二隔离层和第二牺牲层后，将所述第二模具层叠于所述第一模具上，使得所述第一模槽和所述第二模槽拼接为完整模槽，所述完整模槽刚好能够容纳所述待处理巴块；

S26、将层叠后的所述第一模具和所述第二模具以及其内部结构作为第二整体巴块，对所述第二整体巴块进行第三次温水等静压工艺后，再对所述第二整体巴块进行排胶烧结；

S27、排胶烧结完成后，敲碎所述第一模具和所述第二模具，取出各个所述目标巴块。

在本申请可选的实施例中，步骤S26中，所述对所述第二整体巴块进行排胶烧结，包括：逐渐升温对所述第二整体巴块进行排胶烧结，使得所述第一牺牲层和所述第二牺牲层气化，各个所述目标巴块瓷化。

可以理解，本申请公开了一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，将待处理巴块切割成多个目标巴块后，放置于第一模具和第二模具拼接叠加所构成的完整模槽中，进行烧结。一方面，完整模槽的狭小空间将限制待处理巴块烧结过程中的翘曲空间，保证目标巴块烧结后的平整度。另一方面，在烧结前对待处理巴块进行切割，形成多个小型目标巴块后进行烧结，更加有利于保证目标巴块烧结后的平整度。此外，完整模槽表面与待处理巴块之间除了隔离层之外还设置有牺牲层，牺牲层气化隔开待处理巴块和隔离层，避免待处理巴块表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。

在本申请可选的实施例中，所述第一模槽和所述第二模槽的深度和等于所述第一隔离层、所述第二隔离层、第一牺牲层、第二牺牲层和所述待处理巴块的厚度之和。

可以理解，第一模槽和第二模槽的深度和即为完整模槽的深度，完整模槽内依次设置有第一隔离层、第一牺牲层、待处理巴块、牺牲层和第二隔离层，完整模槽的深度等于各个叠层结构的厚度，说明盖完整模槽刚好可以容纳下各个叠层结构，在烧结过程中可以很好地限制待处理巴块的翘曲空间。

在本申请可选的实施例中，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层采用气化温度小于烧结温度的碳基材料。

可以理解，牺牲层的作用是在烧结过程中气化，从而形成隔开待处理巴块和隔离层的空隙，避免待处理巴块表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。在烧结过程中，待处理巴块先成瓷，牺牲层在300℃时烧结成气体，通过牺牲层气化让待处理巴块与陶瓷模具产生空隙。因此，牺牲层可以使用碳粉、溶剂、粘合剂、分散剂，分别按40：35：6.2：1配比完成的碳基材料。

在本申请可选的实施例中，所述第一隔离层和所述第二隔离层采用瓷化温度高于所述陶瓷生带瓷化温度的氧化锆或氧化铝。

可以理解，在烧结过程中，隔离层的作用是将待处理巴块和模具隔离开，让两者烧结不粘合。

在本申请可选的实施例中，所述第一次温水等静压工艺、所述第二次温水等静压工艺和所述第三次温水等静压工艺均为采用温水等静压机进行的热等静压工艺，压强范围为30－40Mpa。

其中，热等静压(Hot Isostatic Pressing，HIP)是一种集高温、高压于一体的工艺生产技术，以水为介质对水加压实现传压，在高温高压的共同作用下，被加工件的各向均衡受压。故加工产品的致密度高、均匀性好、性能优异。

有益效果：

本申请公开了一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，将待处理巴块放置于第一模具和第二模具拼接叠加所构成的完整模槽中，完整模槽的狭小空间将限制待处理巴块烧结过程中的翘曲空间，保证待处理巴块烧结后的平整度。此外，完整模槽表面与待处理巴块之间除了隔离层之外还设置有牺牲层。在烧结过程中，隔离层将待处理巴块和模具隔离开，让两者烧结不粘合；牺牲层气化隔开待处理巴块和隔离层，避免待处理巴块表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。

本申请还公开了另一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，将待处理巴块切割成多个目标巴块后，放置于第一模具和第二模具拼接叠加所构成的完整模槽中，进行烧结。一方面，完整模槽的狭小空间将限制待处理巴块烧结过程中的翘曲空间，保证目标巴块烧结后的平整度。另一方面，在烧结前对待处理巴块进行切割，形成多个小型目标巴块后进行烧结，更加有利于保证目标巴块烧结后的平整度。此外，完整模槽表面与待处理巴块之间除了隔离层之外还设置有牺牲层，牺牲层气化隔开待处理巴块和隔离层，避免待处理巴块表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举可选实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1是本申请提供的第一种低温共烧陶瓷基板烧平方法中第一整体巴块的结构示意图；

图2是本申请提供的第一种低温共烧陶瓷基板烧平方法中第二整体巴块结构示意图；

图3是本申请提供的第二种低温共烧陶瓷基板烧平方法中切割出多个目标巴块后的第一整体巴块的结构示意图；

图4是本申请提供的第二种低温共烧陶瓷基板烧平方法中第二整体巴块结构示意图。

附图标号：

待处理巴块10、第一模具21、第二模具22、第一隔离层31、第二隔离层32、第一牺牲层41、第二牺牲层42、目标巴块100。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

第一方面，如图1和图2所示，本申请提供一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，其包括：

S11、采用多张陶瓷生带进行巴块制作，经第一次温水等静压工艺后得到待处理巴块10。

其中，取陶瓷生带进行打孔、印刷、叠层等工艺制作成需要的巴块。

S12、提供第一模具21，在所述第一模具21的第一模槽中依次制作第一隔离层31和第一牺牲层41后，将所述待处理巴块10放置于所述第一模槽中，形成第一整体巴块，如图1所示。

S13、对所述第一整体巴块进行第二次温水等静压工艺处理。

S14、提供第二模具22，在所述第二模具22的第二模槽中依次制作第二隔离层32和第二牺牲层42后，将所述第二模具22层叠于所述第一模具21上，使得所述第一模槽和所述第二模槽拼接为完整模槽，所述完整模槽刚好能够容纳所述待处理巴块10，如图2所示。

S15、将层叠后的所述第一模具21和所述第二模具22以及其内部结构作为第二整体巴块，对所述第二整体巴块进行第三次温水等静压工艺后，再对所述第二整体巴块进行排胶烧结。

在本申请可选的实施例中，步骤S15中，所述对所述第二整体巴块进行排胶烧结，包括：逐渐升温对所述第二整体巴块进行排胶烧结，使得所述第一牺牲层41和所述第二牺牲层42气化，所述待处理巴块10瓷化。

S16、排胶烧结完成后，取出所述待处理巴块10。

在本申请可选的实施例中，步骤S16包括：排胶烧结完成后，敲碎所述第一模具21和所述第二模具22，取出所述待处理巴块10。

在本申请可选的实施例中，所述第一次温水等静压工艺、所述第二次温水等静压工艺和所述第三次温水等静压工艺均为采用温水等静压机进行的热等静压工艺，压强范围为30－40Mpa。其中，热等静压(Hot Isostatic Pressing，HIP)是一种集高温、高压于一体的工艺生产技术，通过以密闭容器中的高压惰性气体或氮气为传压介质。在高温高压的共同作用下，被加工件的各向均衡受压。故加工产品的致密度高、均匀性好、性能优异。

可以理解，本申请公开了一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，将待处理巴块10放置于第一模具21和第二模具22拼接叠加所构成的完整模槽中，完整模槽的狭小空间将限制待处理巴块10烧结过程中的翘曲空间，保证待处理巴块10烧结后的平整度。此外，完整模槽表面与待处理巴块10之间除了隔离层之外还设置有牺牲层。在烧结过程中，隔离层将待处理巴块10和模具隔离开，让两者烧结不粘合；牺牲层气化隔开待处理巴块10和隔离层，避免待处理巴块10表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。

在本申请可选的实施例中，所述第一模槽和所述第二模槽的深度和等于所述第一隔离层31、所述第二隔离层32、第一牺牲层41、第二牺牲层42和所述待处理巴块10的厚度之和。

可以理解，第一模槽和第二模槽的深度和即为完整模槽的深度，完整模槽内依次设置有第一隔离层31、第一牺牲层41、待处理巴块10、牺牲层和第二隔离层32，完整模槽的深度等于各个叠层结构的厚度，说明盖完整模槽刚好可以容纳下各个叠层结构，在烧结过程中可以很好地限制待处理巴块10的翘曲空间。

在本申请可选的实施例中，所述第一牺牲层41和所述第二牺牲层42采用气化温度小于烧结温度的碳基材料。

可以理解，牺牲层的作用是在烧结过程中气化，从而形成隔开待处理巴块10和隔离层的空隙，避免待处理巴块10表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。在烧结过程中，待处理巴块10先成瓷，牺牲层在300℃时烧结成气体，通过牺牲层气化让待处理巴块10与陶瓷模具产生空隙。因此，牺牲层可以使用碳粉、溶剂、粘合剂、分散剂，分别按40：35：6.2：1配比完成的碳基材料。

在本申请可选的实施例中，所述第一隔离层31和所述第二隔离层32采用瓷化温度高于所述陶瓷生带瓷化温度的氧化锆或氧化铝。

可以理解，在烧结过程中，隔离层的作用是将待处理巴块10和模具隔离开，让两者烧结不粘合。

第二方面，本申请还提供一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，其包括：

S21、采用多张陶瓷生带进行巴块制作，经第一次温水等静压工艺后得到待处理巴块10。

其中，取陶瓷生带进行打孔、印刷、叠层等工艺制作成需要的巴块。

S22、提供第一模具21，在所述第一模具21的第一模槽中依次制作第一隔离层31和第一牺牲层41后，将所述待处理巴块10放置于所述第一模槽中，形成第一整体巴块。

S23、对所述第一整体巴块进行第二次温水等静压工艺处理。

S24、将所述待处理巴块10切割为至少两个目标巴块100，如图3所示。

S25、提供第二模具22，在所述第二模具22的第二模槽中依次制作第二隔离层32和第二牺牲层42后，将所述第二模具22层叠于所述第一模具21上，使得所述第一模槽和所述第二模槽拼接为完整模槽，所述完整模槽刚好能够容纳所述待处理巴块10，如图4所示。

S26、将层叠后的所述第一模具21和所述第二模具22以及其内部结构作为第二整体巴块，对所述第二整体巴块进行第三次温水等静压工艺后，再对所述第二整体巴块进行排胶烧结。

在本申请可选的实施例中，步骤S26中，所述对所述第二整体巴块进行排胶烧结，包括：逐渐升温对所述第二整体巴块进行排胶烧结，使得所述第一牺牲层41和所述第二牺牲层42气化，各个所述目标巴块100瓷化。

S27、排胶烧结完成后，敲碎所述第一模具21和所述第二模具22，取出各个所述目标巴块100。

可以理解，本申请公开了一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，将待处理巴块10切割成多个目标巴块100后，放置于第一模具21和第二模具22拼接叠加所构成的完整模槽中，进行烧结。一方面，完整模槽的狭小空间将限制待处理巴块10烧结过程中的翘曲空间，保证目标巴块100烧结后的平整度。另一方面，在烧结前对待处理巴块10进行切割，形成多个小型目标巴块100后进行烧结，更加有利于保证目标巴块100烧结后的平整度。此外，完整模槽表面与待处理巴块10之间除了隔离层之外还设置有牺牲层，牺牲层气化隔开待处理巴块10和隔离层，避免待处理巴块10表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。

在本申请可选的实施例中，所述第一模槽和所述第二模槽的深度和等于所述第一隔离层31、所述第二隔离层32、第一牺牲层41、第二牺牲层42和所述待处理巴块10的厚度之和。

可以理解，第一模槽和第二模槽的深度和即为完整模槽的深度，完整模槽内依次设置有第一隔离层31、第一牺牲层41、待处理巴块10、牺牲层和第二隔离层32，完整模槽的深度等于各个叠层结构的厚度，说明盖完整模槽刚好可以容纳下各个叠层结构，在烧结过程中可以很好地限制待处理巴块10的翘曲空间。

在本申请可选的实施例中，所述第一牺牲层41和所述第二牺牲层42采用气化温度小于烧结温度的碳基材料。

可以理解，牺牲层的作用是在烧结过程中气化，从而形成隔开待处理巴块10和隔离层的空隙，避免待处理巴块10表面沾上过多隔离层残料，便于后续清洗。在烧结过程中，待处理巴块10先成瓷，牺牲层在300℃时烧结成气体，通过牺牲层气化让待处理巴块10与陶瓷模具产生空隙。因此，牺牲层可以使用碳粉、溶剂、粘合剂、分散剂，分别按40：35：6.2：1配比完成的碳基材料。

在本申请可选的实施例中，所述第一隔离层31和所述第二隔离层32采用瓷化温度高于所述陶瓷生带瓷化温度的氧化锆或氧化铝。

可以理解，在烧结过程中，隔离层的作用是将待处理巴块10和模具隔离开，让两者烧结不粘合。

在本申请可选的实施例中，所述第一次温水等静压工艺、所述第二次温水等静压工艺和所述第三次温水等静压工艺均为采用温水等静压机进行的热等静压工艺，压强范围为30－40Mpa。

其中，热等静压(Hot Isostatic Pressing，HIP)是一种集高温、高压于一体的工艺生产技术，通过以密闭容器中的高压惰性气体或氮气为传压介质。在高温高压的共同作用下，被加工件的各向均衡受压。故加工产品的致密度高、均匀性好、性能优异。

在本公开的各种实施方式中所使用的表述“第一”、“第二”、“所述第一”或“所述第二”可修饰各种部件而与顺序和/或重要性无关，但是这些表述不限制相应部件。以上表述仅配置为将元件与其它元件区分开的目的。例如，第一用户设备和第二用户设备表示不同的用户设备，虽然两者均是用户设备。例如，在不背离本公开的范围的前提下，第一元件可称作第二元件，类似地，第二元件可称作第一元件。

当一个元件(例如，第一元件)称为与另一元件(例如，第二元件)“(可操作地或可通信地)联接”或“(可操作地或可通信地)联接至”另一元件(例如，第二元件)或“连接至”另一元件(例如，第二元件)时，应理解为该一个元件直接连接至该另一元件或者该一个元件经由又一个元件(例如，第三元件)间接连接至该另一个元件。相反，可理解，当元件(例如，第一元件)称为“直接连接”或“直接联接”至另一元件(第二元件)时，则没有元件(例如，第三元件)插入在这两者之间。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。

以上描述仅为本申请的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

取决于语境，如在此所使用的词语“如果”、“若”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”或“响应于检测”。类似地，取决于语境，短语“如果确定”或“如果检测(陈述的条件或事件)”可以被解释成为“当确定时”或“响应于确定”或“当检测(陈述的条件或事件)时”或“响应于检测(陈述的条件或事件)”。

以上描述仅为本申请的可选实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离上述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

以上所述仅为本申请的可选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，包括：

采用多张陶瓷生带进行巴块制作，经第一次温水等静压工艺后得到待处理巴块；

提供第一模具，在所述第一模具的第一模槽中依次制作第一隔离层和第一牺牲层后，将所述待处理巴块放置于所述第一模槽中，形成第一整体巴块；

对所述第一整体巴块进行第二次温水等静压工艺处理；

提供第二模具，在所述第二模具的第二模槽中依次制作第二隔离层和第二牺牲层后，将所述第二模具层叠于所述第一模具上，使得所述第一模槽和所述第二模槽拼接为完整模槽，所述完整模槽刚好能够容纳所述待处理巴块；

将层叠后的所述第一模具和所述第二模具以及其内部结构作为第二整体巴块，对所述第二整体巴块进行第三次温水等静压工艺后，再对所述第二整体巴块进行排胶烧结；

排胶烧结完成后，取出所述待处理巴块。

2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述第一模槽和所述第二模槽的深度和等于所述第一隔离层、所述第二隔离层、第一牺牲层、第二牺牲层和所述待处理巴块的厚度之和。

3.根据权利要求2所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述第一牺牲层和所述第二牺牲层采用气化温度小于烧结温度的碳基材料。

4.根据权利要求3所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述第一隔离层和所述第二隔离层采用瓷化温度高于所述陶瓷生带瓷化温度的氧化锆或氧化铝。

5.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述对所述第二整体巴块进行排胶烧结，包括：

逐渐升温对所述第二整体巴块进行排胶烧结，使得所述第一牺牲层和所述第二牺牲层气化，所述待处理巴块瓷化。

6.根据权利要求5所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述排胶烧结完成后，取出所述待处理巴块，包括：

排胶烧结完成后，敲碎所述第一模具和所述第二模具，取出所述待处理巴块。

7.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

在所述对所述第一整体巴块进行第二次温水等静压工艺处理之后，在所述提供第二模具之前，所述方法还包括：

将所述待处理巴块切割为至少两个目标巴块。

8.根据权利要求7所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述对所述第二整体巴块进行排胶烧结，包括：

逐渐升温对所述第二整体巴块进行排胶烧结，使得所述第一牺牲层和所述第二牺牲层气化，各个所述目标巴块瓷化。

9.根据权利要求8所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述排胶烧结完成后，取出所述待处理巴块，包括：

所述排胶烧结完成后，敲碎所述第一模具和所述第二模具，取出各个所述目标巴块。

10.根据权利要求1至9任一项所述的低温共烧陶瓷基板烧平方法，其特征在于，

所述第一次温水等静压工艺、所述第二次温水等静压工艺和所述第三次温水等静压工艺均为采用温水等静压机进行的热等静压工艺，压强范围为30－40Mpa。

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