CN115537915A - 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法 - Google Patents
一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115537915A CN115537915A CN202211207916.5A CN202211207916A CN115537915A CN 115537915 A CN115537915 A CN 115537915A CN 202211207916 A CN202211207916 A CN 202211207916A CN 115537915 A CN115537915 A CN 115537915A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- garnet
- layer
- substrate
- single crystal
- growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002223 garnet Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 claims description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N gallium;gadolinium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Gd+3] ZPDRQAVGXHVGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 claims description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N iron yttrium Chemical compound [Fe].[Y] MTRJKZUDDJZTLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- RDQSSKKUSGYZQB-UHFFFAOYSA-N bismuthanylidyneiron Chemical class [Fe].[Bi] RDQSSKKUSGYZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 3
- CCRAOWWOICDIGI-UHFFFAOYSA-N [Zr].[Ca].[Mg] Chemical compound [Zr].[Ca].[Mg] CCRAOWWOICDIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 230000005350 ferromagnetic resonance Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- -1 thulium bismuth iron Chemical compound 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/12—Liquid-phase epitaxial-layer growth characterised by the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/10—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
Abstract
一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，属于液相外延单晶厚膜制备技术领域。包括：1)在石榴石单晶衬底上形成双层石墨烯结构；2)在双层石墨烯结构上生长石榴石籽晶层；3)退火、清洗；4)生长石榴石晶片层；5)对生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理。本发明采用衬底/双层石墨烯/籽晶层/晶片层的复合膜结构，双层石墨烯作为单晶膜释放层，使得衬底对单晶膜生长基元或结晶的取向可透过
的石墨烯层通过表面静电场传递，影响籽晶层生长基元的排列取向，传递晶格常数；双层石墨烯之间、以及石墨烯层与籽晶层和晶片层之间仅存在范德华力，并非化学键合，可使用胶带等外力吸附轻松地转移厚膜，实现石榴石衬底的重复使用。
Description
技术领域
本发明属于液相外延单晶厚膜制备技术领域，具体涉及一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法。
背景技术
石榴石人工晶体从属于Ia3d空间群，十二面体、八面体、四面体堆砌的复杂体心立方晶体结构使其具有多种次晶格离子取代多样性，广泛应用于微波通信、光通信、半导体通信及自旋电子领域。特别是石榴石单晶膜，在一些小型化关键性领域需求更加突出。主要原因为：其一，以稀土取代铋铁石榴石为代表的铋系石榴石单晶膜，在光通信第二窗口及第三窗口通讯波段发挥具有非互易性的法拉第磁光效应，实现光信号正向传输、反向隔断的光隔离技术，大量应用于无源磁光器件、光模块制造；其二，多种功能性石榴石晶体与半导体衬底键合集成，制成光芯片，铺垫半导体通信与光通信集成联结的未来；其三，以钇铁石榴石为代表的石榴石单晶膜拥有出色的窄铁磁共振线宽性能，深入应用于微波领域与自旋电子领域；除此以外，近些年石榴石单晶膜也在生物传感、智能穿戴领域发挥重要作用。
现有石榴石单晶膜的制备依赖于液相外延技术，即利用高温溶液过饱和状态于衬底上产生晶质外延的技术。石榴石单晶膜生长的配方、工艺等极其复杂，前期需要投入大量的人力、物力、财力探索，且石榴石单晶膜的液相外延生长所依赖的提拉法生产的钆镓石榴石系列衬底，价格高昂。而且，在实际生长后，需要通过研磨、抛光等工艺直接去除钆镓石榴石系列衬底，即衬底只能一次性使用，成本高昂。目前还没有任何剥离技术能实现液相外延石榴石单晶衬底与单晶膜间的无损分离，实现石榴石单晶衬底的重复使用非常具有挑战性。
发明内容
本发明的目的在于，针对背景技术存在的问题，提出了一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：
一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，包括以下步骤：
步骤1、清洗石榴石单晶衬底，在清洗后的石榴石单晶衬底上形成双层石墨烯结构；
步骤2、采用脉冲激光沉积法在带双层石墨烯结构的单晶衬底上生长石榴石籽晶层；具体过程为；
将步骤1得到的带双层石墨烯结构的单晶衬底和待生长的石榴石靶材放入脉冲激光沉积生长腔室中，抽真空至10-5Pa以下，去除衬底表面吸附的污染物；控制衬底表面温度达到700～750℃时，打开脉冲激光器，设置激光束能量为250mJ，激光脉冲频率为3Hz，进行预生长1min；预生长结束后，向腔室内通入氧气，使腔室内的氧分压控制在8～10Pa，继续进行脉冲激光沉积生长1～2h，得到石榴石薄膜，作为石榴石籽晶层；
步骤3、将步骤2得到的带复合膜(双层石墨烯结构和石榴石籽晶层)的衬底进行退火处理，退火温度为800～900℃，退火时间为4h；
步骤4、将步骤3退火处理后的带复合膜的衬底进行清洗，构建适合于晶片层的重构表面；
步骤5、采用液相外延法在步骤4得到的清洗后的衬底上生长石榴石晶片层；具体过程为；
首先，配制生长熔体；然后，将步骤4得到的清洗后的衬底放入配制的熔体中，采用液相外延法生长石榴石薄膜，生长温度为800～950℃，基片转速为100rpm，生长时间为10min～1200min，生长完成后，清洗去除残留，即可得到所述石榴石晶片层；
步骤6、对步骤5生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理，将双层石墨烯、石榴石籽晶层和石榴石晶片层形成的厚膜剥离。
步骤6剥离了厚膜后得到的衬底，再进行清洗后可重复使用。
进一步的，步骤1所述石榴石单晶衬底为(100)或(111)取向的钆镓石榴石单晶衬底，或者(100)或(111)取向的钙镁锆掺杂钆镓石榴石单晶衬底；所述石榴石单晶衬底与步骤2的石榴石籽晶层之间需满足基本晶格匹配，即石榴石单晶衬底与步骤2的石榴石籽晶层的晶格常数之差小于3％。
进一步的，步骤1所述清洗石榴石单晶衬底的过程为：依次采用丙酮、酒精、去离子水清洗石榴石单晶衬底。
进一步的，步骤1所述双层石墨烯结构可采用转移、生长等方式获得；形成双层石墨烯结构后清洗，然后在2vol％的氢气气氛下、550℃温度下进行退火处理，以去除表面的氧化污染。
进一步的，步骤4中，对退火处理后的带复合膜的衬底进行清洗的过程具体为：先在无水乙醇、5％质量分数的硫酸溶液、5％质量分数的氨水和去离子水中依次清洗5min，再在异丙醇溶液上方蒸馏去除残留去离子水，构建适合于晶片层的重构表面。
进一步的，步骤5液相外延生长的石榴石晶片层和步骤2石榴石籽晶层可以为钇铁石榴石或稀土取代铋铁石榴石等，步骤5液相外延生长的石榴石晶片层的晶格常数小于步骤2的石榴石籽晶层的晶格常数(晶格常数可通过生长温度调控)，且晶格常数之差小于1％，以防止薄膜开裂。
进一步的，步骤6中的剥离处理过程为：将热释放胶带粘贴于石榴石晶片层表面，撕掉热释放胶带使得石榴石晶片层与衬底剥离；然后将带石榴石晶片层的胶带放置于加热台上加热至150～200℃，胶带与石榴石晶片层脱离，即可得到双层石墨烯、石榴石籽晶层和石榴石晶片层形成的厚膜。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：
本发明提供的一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，采用衬底/双层石墨烯/籽晶层/晶片层的复合膜结构，其中的双层石墨烯作为单晶膜释放层，使得衬底对单晶膜生长基元或结晶的取向可透过
的石墨烯层通过表面静电场传递，影响籽晶层生长基元的排列取向，传递晶格常数，即籽晶层能延续衬底的晶格和相关性质；同时，双层石墨烯之间、以及石墨烯层与籽晶层和晶片层之间仅存在范德华力，并非化学键合，可使用胶带等外力吸附轻松地转移厚膜，实现石榴石衬底的重复使用。
附图说明
图1为现有单晶膜结构(a)和本发明复合膜结构(b)的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，详述本发明的技术方案。
实施例1
一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，具体包括以下步骤：
步骤1、采用(111)取向的、晶格常数为
的钆镓石榴石单晶衬底，依次采用丙酮、酒精、去离子水清洗石榴石单晶衬底，创建适合于薄膜生长的重构表面；然后，在清洗后的钆镓石榴石单晶衬底表面覆盖双层石墨烯结构，清洗，在2vol％氢气和98vol％氮气的混合气体气氛下、550℃温度下进行退火处理2h，以去除表面的氧化污染；
步骤2、采用脉冲激光沉积法在带双层石墨烯结构的单晶衬底上生长石榴石籽晶层，籽晶层为晶格常数为
的钇铁石榴石，与石榴石单晶衬底的晶格常数之差小于3％，满足晶格匹配要求；具体过程为；
将步骤1得到的带双层石墨烯结构的单晶衬底和待生长的石榴石靶材放入脉冲激光沉积生长腔室中，抽真空至8*10-6Pa，去除衬底表面吸附的污染物；控制衬底表面温度达到700℃时，打开脉冲激光器，设置激光束能量为250mJ，激光脉冲频率为3Hz，进行预生长1min；预生长结束后，向腔室内通入氧气，使腔室内的氧分压控制在10Pa，继续进行脉冲激光沉积生长2h，得到厚度为180nm的石榴石薄膜，作为石榴石籽晶层；
步骤3、将步骤2得到的带复合膜(双层石墨烯结构和石榴石籽晶层)的衬底进行退火处理，退火温度为800℃，退火时间为4h；
步骤4、将步骤3退火处理后的带复合膜的衬底先在无水乙醇、5％质量分数的硫酸溶液、5％质量分数的氨水和去离子水中依次清洗5min，再在异丙醇溶液上方蒸馏去除残留去离子水，构建适合于晶片层的重构表面；
步骤5、采用液相外延法在步骤4得到的清洗后的衬底上生长钇铁石榴石晶片层；具体过程为；
首先，配制生长熔体；然后，将步骤4得到的清洗后的衬底放入配制的熔体中，采用液相外延法生长石榴石薄膜，生长温度为850℃，基片转速为100rpm，生长时间为240min，生长完成后，清洗去除残留，即可得到厚度为97.8μm的石榴石晶片层；
步骤6、对步骤5生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理，具体为将热释放胶带粘贴于石榴石晶片层表面，撕掉热释放胶带使得石榴石晶片层与衬底剥离；然后将带石榴石晶片层的胶带放置于加热台上加热至200℃，胶带与石榴石晶片层脱离，即可得到双层石墨烯、石榴石籽晶层和石榴石晶片层形成的厚膜。
步骤6剥离了厚膜后得到的衬底，再进行清洗后可重复使用。
实施例2
实施例2与实施例1相比，区别在于：步骤2脉冲激光沉积的生长时间为1h，得到的石榴石薄膜厚度为90nm；步骤5生长的石榴石为铥铋铁石榴石，生长温度为898℃，生长时间为61min，得到的石榴石晶片层的厚度为54.3μm。其余步骤与实施例1完全相同。
实施例1和实施例2成功实现了石榴石晶片层的生长以及剥离，实现了衬底的重复利用。
Claims (6)
1.一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、清洗石榴石单晶衬底，在清洗后的石榴石单晶衬底上形成双层石墨烯结构；
步骤2、采用脉冲激光沉积法在带双层石墨烯结构的单晶衬底上生长石榴石籽晶层；具体过程为；
将步骤1得到的带双层石墨烯结构的单晶衬底和待生长的石榴石靶材放入脉冲激光沉积生长腔室中，抽真空至10-5Pa以下；控制衬底表面温度达到700～750℃时，打开脉冲激光器，设置激光束能量为250mJ，激光脉冲频率为3Hz，进行预生长1min；预生长结束后，向腔室内通入氧气，使腔室内的氧分压控制在8～10Pa，继续进行脉冲激光沉积生长1～2h，得到石榴石薄膜，作为石榴石籽晶层；
步骤3、将步骤2得到的带复合膜的衬底进行退火处理，退火温度为800～900℃，退火时间为4h；
步骤4、将步骤3退火处理后的带复合膜的衬底进行清洗；
步骤5、采用液相外延法在步骤4得到的清洗后的衬底上生长石榴石晶片层；具体过程为；
首先，配制生长熔体；然后，将步骤4得到的清洗后的衬底放入配制的熔体中，采用液相外延法生长石榴石薄膜，生长温度为800～950℃，基片转速为100rpm，生长时间为10min～1200min，生长完成后，清洗去除残留，即可得到石榴石晶片层；
步骤6、对步骤5生长有石榴石晶片层的衬底进行剥离处理，将双层石墨烯、石榴石籽晶层和石榴石晶片层形成的厚膜剥离。
2.根据权利要求1所述的单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，其特征在于，步骤1所述石榴石单晶衬底为(100)或(111)取向的钆镓石榴石单晶衬底，或者(100)或(111)取向的钙镁锆掺杂钆镓石榴石单晶衬底；所述石榴石单晶衬底与步骤2的石榴石籽晶层的晶格常数之差小于3％。
3.根据权利要求1所述的单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，其特征在于，步骤1所述双层石墨烯结构采用转移或生长的方式获得；形成双层石墨烯结构后清洗，然后在2vol％的氢气气氛下、550℃温度下进行退火处理。
4.根据权利要求1所述的单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，其特征在于，步骤4中，对退火处理后的带复合膜的衬底进行清洗的过程为：先在无水乙醇、5％质量分数的硫酸溶液、5％质量分数的氨水和去离子水中依次清洗5min，再在异丙醇溶液上方蒸馏去除残留去离子水。
5.根据权利要求1所述的单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，其特征在于，步骤5液相外延生长的石榴石晶片层和步骤2石榴石籽晶层为钇铁石榴石或稀土取代铋铁石榴石，步骤5液相外延生长的石榴石晶片层的晶格常数小于步骤2的石榴石籽晶层的晶格常数，且晶格常数之差小于1％。
6.根据权利要求1所述的单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法，其特征在于，步骤6中的剥离处理过程为：将热释放胶带粘贴于石榴石晶片层表面，撕掉热释放胶带使得石榴石晶片层与衬底剥离；然后将带石榴石晶片层的胶带放置于加热台上加热至150～200℃，胶带与石榴石晶片层脱离，即可得到双层石墨烯、石榴石籽晶层和石榴石晶片层形成的厚膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211207916.5A CN115537915B (zh) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211207916.5A CN115537915B (zh) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115537915A true CN115537915A (zh) | 2022-12-30 |
| CN115537915B CN115537915B (zh) | 2024-03-12 |
Family
ID=84731995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211207916.5A Active CN115537915B (zh) | 2022-09-30 | 2022-09-30 | 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115537915B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635453A (en) * | 1994-12-23 | 1997-06-03 | Neocera, Inc. | Superconducting thin film system using a garnet substrate |
| US20040177801A1 (en) * | 2001-06-22 | 2004-09-16 | Yukio Sakashita | Substrate for forming magnetic garnet single crystal film, optical device, and its production method |
| JP2004269305A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Tdk Corp | 磁性ガーネット単結晶膜形成用基板、その製造方法、光学素子およびその製造方法 |
| JP2004269283A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Tdk Corp | 磁性ガーネット単結晶膜形成用基板、その製造方法、光学素子およびその製造方法 |
| US20060112873A1 (en) * | 2003-01-29 | 2006-06-01 | Tdk Corporation | Magnetic garnet single crystal film formation substrate, optical element and production method of the same |
| US20060150893A1 (en) * | 2003-02-04 | 2006-07-13 | Kiyoshi Uchida | Substrate for forming magnetic garnet single-crystal film, process for producing the same, optical device and process for producing the same |
| JP2014220173A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 日本碍子株式会社 | リチウムイオン伝導性固体電解質並びにそれを用いた複合体及び電池 |
| US20200341301A1 (en) * | 2019-04-29 | 2020-10-29 | University Of Electronic Science And Technology Of China | Superlattice Material, and Preparation Method and Application Thereof |
-
2022
- 2022-09-30 CN CN202211207916.5A patent/CN115537915B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5635453A (en) * | 1994-12-23 | 1997-06-03 | Neocera, Inc. | Superconducting thin film system using a garnet substrate |
| US20040177801A1 (en) * | 2001-06-22 | 2004-09-16 | Yukio Sakashita | Substrate for forming magnetic garnet single crystal film, optical device, and its production method |
| US20060112873A1 (en) * | 2003-01-29 | 2006-06-01 | Tdk Corporation | Magnetic garnet single crystal film formation substrate, optical element and production method of the same |
| US20060150893A1 (en) * | 2003-02-04 | 2006-07-13 | Kiyoshi Uchida | Substrate for forming magnetic garnet single-crystal film, process for producing the same, optical device and process for producing the same |
| JP2004269283A (ja) * | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Tdk Corp | 磁性ガーネット単結晶膜形成用基板、その製造方法、光学素子およびその製造方法 |
| JP2004269305A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Tdk Corp | 磁性ガーネット単結晶膜形成用基板、その製造方法、光学素子およびその製造方法 |
| JP2014220173A (ja) * | 2013-05-10 | 2014-11-20 | 日本碍子株式会社 | リチウムイオン伝導性固体電解質並びにそれを用いた複合体及び電池 |
| US20200341301A1 (en) * | 2019-04-29 | 2020-10-29 | University Of Electronic Science And Technology Of China | Superlattice Material, and Preparation Method and Application Thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115537915B (zh) | 2024-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6210479B1 (en) | Product and process for forming a semiconductor structure on a host substrate | |
| CN110534474B (zh) | 衬底上薄膜的制备方法 | |
| CN113463192B (zh) | 一种拼接生长金刚石单晶的方法 | |
| Hoshi et al. | Formation of tensilely strained germanium-on-insulator | |
| CN111733452B (zh) | 柔性自支撑单晶磁性Fe3O4薄膜材料的制备、薄膜材料及应用、单晶结构 | |
| CN110172732A (zh) | 利用过渡金属氮化物牺牲层制备氮化物单晶衬底的方法 | |
| EP3696869A1 (en) | Nano-scale single crystal thin film | |
| CN110416039B (zh) | 一种太赫兹波段真空器件用的输能窗片及其制备方法 | |
| CN114606568A (zh) | 低维碲晶体的制备方法 | |
| CN115537915B (zh) | 一种单晶外延生长中重复使用石榴石衬底的方法 | |
| USRE41841E1 (en) | Method for making a silicon substrate comprising a buried thin silicon oxide film | |
| CN114232086B (zh) | 用于含裂纹籽晶的mpcvd单晶金刚石的生长方法 | |
| CN115881514A (zh) | 单晶自支撑衬底的制作方法 | |
| CN110690175B (zh) | 一种提高剥离Si基和SOI基Ge薄膜质量的方法 | |
| CN101469448A (zh) | 在蓝宝石上生长大尺寸高质量氧化锌单晶厚膜的方法 | |
| CN111441080B (zh) | 一种In2Te5单晶及其制备方法 | |
| CN114059036B (zh) | 铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用 | |
| CN114197035A (zh) | 一种钙钛矿薄膜及其外延制备方法 | |
| CN111048404B (zh) | 一种缓冲层结构及其制备方法 | |
| CN114141910B (zh) | 一种蓝宝石衬底生长纯相Ga2O3薄膜的方法及日盲紫外探测器 | |
| CN113921381A (zh) | 碳化硅衬底薄膜的制备方法 | |
| CN110690174B (zh) | 一种耐高温高质量SOI基剥离Ge薄膜的制备方法 | |
| JP2814503B2 (ja) | 単結晶ダイアモンド膜複合体の製造方法 | |
| CN116669523A (zh) | 一种热释电复合薄膜的制备方法 | |
| CN110660654A (zh) | 一种超高质量SOI基键合Ge薄膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |