CN115537784A - 一种用于化学气相沉积设备的控制方法和系统 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种用于化学气相沉积设备的控制方法、系统、设备及存储介质，应用于计算机设备，所述方法包括：获取待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息；制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划；控制生产设备生产所述待制作晶体，若生产所述待制作晶体中存在任意一个步骤对应的参数不在预设范围内，停止该步骤；第一预设时间后，重复上述步骤，若所述对应的参数仍不在所述预设范围内，控制所述生产设备按照所述第二生产计划生产所述待制作晶体，若存在所述任意一个步骤对应的参数不在预设范围内，发送第一报警信息至所述工作人员。本申请具有的技术效果是：用于减少手动调整化学气相沉淀设备时，对专业的工作人员的需求。
Description
技术领域
本申请涉及设备控制技术领域，具体涉及一种化学气相沉积设备的控制方法、系统、设备及存储介质。
背景技术
随着科技的发展，化学气相沉积技术是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术，化学气相沉积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。
在目前的技术中，提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料主要是通过化学气相沉积方法获得，气相沉积工艺技术没有较为统一的标准，化学气相沉积设备的控制要求需要在确保安全性的前提下提供灵活的工艺控制能力。目前控制化学气相沉积设备的手段较为原始，一般采用手动控制的方式。
针对上述技术方案，发明人认为，由于设备在没有规范的保护机制下，容易出现危险，所以手动调整化学气相沉积设备时，对专业的工作人员的需求较高。
发明内容
本申请提供一种用于碳化硅化学气相沉积设备的控制方法、系统、设备及存储介质，用于减少手动调整化学气相沉淀设备时，对专业的工作人员的需求。
第一方面，本申请提供一种用于化学气相沉积设备的控制方法，采用如下技术方案：一种用于化学气相沉积设备的控制方法，应用于计算机设备，所述方法包括：获取待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息，所述工艺流程信息为制作所述待制作晶体的步骤信息；所述工艺配方信息为所述待制作晶体的各个步骤对应的参数信息；根据所述待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息，制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划；基于所述待制作晶体的第一生产计划，控制生产设备生产所述待制作晶体，若生产所述待制作晶体的步骤中的任意步骤对应的参数不在预设范围内，确定该步骤为第一问题步骤，停止所述第一生产计划；第一预设时间后，重复所述第一问题步骤，若所述对应的参数仍不在所述预设范围内，控制所述生产设备按照所述第二生产计划生产所述待制作晶体，若存在所述任意步骤对应的参数不在预设范围内，确定该步骤为第二问题步骤，并发送第一报警信息至工作人员。
通过采用上述技术方案，根据获取待制作晶体的工艺流程和工艺配方，自动制定生产计划，然后通过对生产计划进行实时监控。整个过程都处于无需人员进行参与控制的状态，实现了自动化；而且根据待制作晶体的工艺流程和工艺配方，制定了多个生产计划，多个生产计划具有灵活的配置工艺能力，最大程度开放工艺配置能力，在不同工艺需求情况下完成相应的设备工艺配置能力，实现了集中控制。生产过程中也能实时监控，若检测到某一步骤对应的参数不在预设范围内时，会自动进行调整，重新实施该步骤，最大程度保障待制作晶体能够成功生产，减少手动调整化学气相沉淀设备时，对专业的工作人员的需求。
可选的，所述工艺流程信息为制作所述待制作晶体的步骤信息；所述工艺配方信息为所述待制作晶体的各个步骤对应的参数信息，包括：所述步骤信息包括抽真空、充气、加热、工艺和冷却，基于所述待制作晶体种类和数量不同，所述步骤信息中包含的步骤不同；根据所述步骤信息中包含的步骤不同，所述工艺配方信息中对应所述步骤信息包含的步骤对应的参数不同。
通过采用上述技术方案，气相沉积设备的工艺流程一般要经过抽真空、充气、加热、工艺和冷却等几个流程，工艺过程因工艺需求不同会有所不同，通过本方法，设备可以根据所需，自动选择工艺流程中的一个或多个步骤，然后通过对比一个或多个步骤对应的参数情况来判断生产过程是否合格，整个过程实现了自动化，同时也提高了待制作晶体的质量。
可选的，所述控制生产设备生产所述待制作晶体，包括：
实时监控生产过程，并通过显示屏显示；其中，所述显示屏显示当前生产所述待制作晶体所处的步骤并生成模拟动画，所述模拟动画用于展示实际生产过程。
通过采用上述技术方案，通过显示屏实时监控生产过程，可以及时发现问题并解决问题，同时生成模拟动画，该模拟动画可以实时展示实际生产过程，可以通过该模拟动画获取当前待制作晶体所处步骤，更加清晰的监控整个生产过程。
可选的，所述控制生产设备生产所述待制作晶体之后，还包括：若成功制作所述待制作晶体，得到正常晶体；根据预设检测标准，获取所述正常晶体的信息，得到基本信息；将所述基本信息与所述预设检测标准对比，若所述基本信息符合所述预设检测标准阈值，则通过所述显示屏显示成功字样；若所述基本信息不符合所述预设检测标准阈值，则根据所述阈值大小，通过所述显示屏显示调整方案。
通过采用上述技术方案，在将待制作晶体生产完毕后，对该晶体进行检测，通过对比预先设置的检测标准来判断当前晶体是否符合标准，整个过程无需过多人员参与，且保证了生产的晶体的质量；若生产的晶体不符合预设标准，根据与预设标准的差值来制定调整方案，通过采用本方案，可以减少对专业的工作人员的需求。
可选的，所述制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划，包括：
根据所述待制作晶体的种类制定所述第一生产计划和所述第二生产计划，且根据预设权重分配权重占比，基于所述权重占比，确定所述第一生产计划和所述第二生产计划的优先级；若所述第一生产计划的权重占比大于所述第二生产计划的权重占比，则所述第一生产计划的优先级高，优先实施所述第一生产计划；
若所述第二生产计划的权重占比大于所述第一生产计划的权重占比，则所述第二生产计划的优先级高，优先实施所述第二生产计划。
通过采用上述技术方案，可以根据待制作晶体的种类制定多种生产计划，由于存在环境等多种因素，所以在生产之前可以通过分配权重来确定优先实施何种生产计划，通过采用本申请方案，生产过程中，多种生产方式可以应对多种突发情况，每个阶段都可以进行灵活改变，整个生产过程中减少了手动调整化学气相沉淀设备时，对专业的工作人员的需求。
可选的，所述若存在所述任意步骤对应的参数不在预设范围内之后，确定该步骤为第二问题步骤，还包括：第二预设时间后，重复所述第二问题步骤，若所述对应的参数仍不在所述预设范围内，发送第一报警信息至所述工作人员。
通过采用上述技术方案，在制作过程中，当出现一个步骤不符合预设生产标准时，会自动进行调整，避免出现生产晶体时，因为特殊原因导致某一步骤和对应的参数不在预设范围内，使整个生产过程停止的情况。能够尽可能的节省人力和物力资源，且整个生产过程中减少了手动调整化学气相沉淀设备时，对专业的工作人员的需求。
可选的，所述发送第一报警信息至工作人员，还包括：若生产过程中检测到所述生产设备出现故障，则发出第二报警信息至所述维修人员，所述第二报警信息包括所述生产设备出现故障的时间和故障位置。
通过采用上述技术方案，若出现报警信息时，识别该报警信息，判断该报警信息为何种故障，可以针对该报警信息对该故障进行处理，减少了人力和物力的消耗，且能及时进行针对报警信息进行处理，尽量避免出现故障没有及时进行维修，造成损失的情况发生。
第二方面，本申请提供了一种用于化学气相沉积设备的控制系统，采用如下技术方案；一种用于化学气相沉积设备的控制系统，所述系统包括：获取模块、制定模块、控制模块、判断模块和报警模块；其中，所述获取模块用于获取待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息；所述制定模块用于制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划；所述控制模块用于控制生产设备按照第一生产计划生产所述待制作晶体，检测到任意一个步骤对应的参数不在预设范围内时控制所述生产设备停止该步骤，同时控制所述生产设备按照第二生产计划生产所述待制作晶体；所述判断模块用于判断所述待制作晶体中每个步骤对应的参数是否符合阈值；所述报警模块用于发送报警信息至工作人员。
通过采用上述技术方案，根据获取待制作晶体的工艺流程和工艺配方，自动制定生产计划，然后通过对生产计划进行实时监控。整个过程都处于无需人员进行参与控制，实现了自动化；而且根据待制作晶体的工艺流程和工艺配方，制定了多个生产计划，多个生产计划具有灵活的配置工艺能力，在不同工艺需求情况下完成相应的设备工艺配置能力。生产过程中也能实时监控，若检测到某一步骤对应的参数不在预设范围内时，会自动进行调整，重新实施该步骤，最大程度保障待制作晶体能够成功生产，减少手动调整化学气相沉淀设备时，对专业的工作人员的需求。
第三方面，本申请提供一种电子设备，采用如下技术方案：包括处理器、存储器、用户接口及网络接口，所述存储器用于存储指令，所述用户接口和网络接口用于给其他设备通信，所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以使所述电子设备执行如上述任一种面试匹配度判断方法的计算机程序。
第四方面，本申请提供一种计算机可读存储介质，采用如下技术方案：存储有能够被处理器加载并执行上述任一种面试匹配度判断方法的计算机程序。
综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
1.减少手动调整化学气相沉淀设备时，对专业的工作人员的需求；
2.工艺过程因工艺需求不同会有所不同，设备可以根据所需，自动选择工艺流程中的一个或多个步骤，然后通过对比一个或多个步骤对应的参数情况来判断生产过程是否合格，整个过程实现了自动化，同时也提高了待制作晶体的质量。
附图说明
图1是本申请实施例的一种用于化学气相沉积设备的控制方法的流程示意图；
图2是本申请实施例的一种用于化学气相沉积设备的控制系统的模块示意图；
图3是本申请实施例的一种电子设备的结构示意图。
附图标记说明：1、获取模块；2、制定模块；3、控制模块；4、判断模块；5、报警模块；1000、电子设备；1001、处理器；1002、通信总线；1003、用户接口；1004、网络接口；1005、存储器。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本说明书中的技术方案，下面将结合本说明书实施例中的附图，对本说明书实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
在本申请实施例的描述中，“示性的”、“例如”或者“举例来说”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示性的”、“例如”或者“举例来说”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示性的”、“例如”或者“举例来说”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
以下结合附图对本申请作进一步详细说明。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。在对本发明实施例进行介绍之前，首先对本发明实施例中涉及的一些名词进行定义和说明。
化学气象沉积：化学气相沉积是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、、，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。
图1是本申请实施例的一种用于化学气相沉积设备的控制方法的流程示意图。应该理解的是，虽然图1的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行；除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行；并且图1中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
本申请公开了一种用于化学气相沉积设备的控制方法，如图1所示，该方法包括S1-S4。
需要说明的是，本申请适用于提纯物质、研制新晶体、沉积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料等多种材料。为了便于叙述，本申请以碳化硅举例，凡是本实施例中出现的晶体都默认为是碳化硅，但不代表本方案只适用于碳化硅，所以但凡依本公开教导所作的等效变化与修饰，皆属于本公开涵盖内。
S1，获取待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息。
具体来说，制造不同种类晶体的时候，由于晶体种类不同，所以工艺流程不同。在此，以碳化硅举例，碳化硅气相沉积设备的工艺流程一般要经过抽真空、充气、加热、工艺和冷却几个工艺阶段。工艺过程因工艺需求不同会有所不同，因此有一定的工艺阶段变动的需求，不同的工艺配方对应不同步骤，每个步骤都对应不同的参数。例如，碳化硅的烧成温度约2000摄氏度，所以，在获取碳化硅的工艺配方信息时，会提前获取碳化硅烧成时所需温度；碳化硅在加热后还有冷却步骤，根据上述，需要进行放置降温或外物进行辅助降温，将碳化硅温度降至常温即可，然后将生成的碳化硅进行保存。另外，降温的同时还要保持气体流通，需要增加充气阶段进行充气。此外，由于碳化硅用途不同，生产不同用途的碳化硅时，系统会根据设置自动获取对应用途碳化硅的工艺流程和工艺配方。在获取待制作晶体的工艺流程信息时，也同时获取工艺配方，整个过程都由计算机设备自动匹配。
S2，根据待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息，制定待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划。
在一个示例中，根据S1，获取到碳化硅的工艺流程和各个工艺流程对应的参数信息后，根据工艺流程和工艺流程对应的参数信息制定生产计划。由于碳化硅具有多种制作方法，所以，在制定生产计划时，会制定多种生产计划。以碳化硅来举例，气相反应法是直接利用气体或通过各种手段将物质制备成气体，使其在该状态下发生一定的反应，然后会慢慢冷凝得到自己想要制备的产物。目前，气相反应法主要包括化学气相沉积法(CVD)、激光诱导法(LICVD)和等离子法(PICVD)。根据所需，制定多种生产方案，在此可以制定三种生产计划。
步骤信息包括抽真空、充气、加热、工艺和冷却，基于待制作晶体种类和数量不同，步骤信息中包含的步骤不同；根据步骤信息中包含的步骤不同，工艺配方信息中对应步骤信息包含的步骤对应的参数不同。
在一个示例中，由于存在三种或更多种生产计划，针对不同的生产计划，每个不同的生产计划包含的步骤所对应的参数是不同的。以碳化硅来讲，纯碳化硅为无色，但工业生产的碳化硅由于其中存在一些杂质，例如游离的碳、铁、硅等，往往呈现出黄、绿、墨绿、浅绿等不同色泽。例如，若第一生产计划中着重去除碳化硅中所含的氧化铝和三氧化二铝等杂质，那么在第一生产计划中可以增加去除杂质的步骤（在合成过程中往往需要向其中加入木屑和工业盐，木屑的作用主要是在高温下形成较多的孔，以便于反应过程中气体的排出，而工业盐则是为了便于除去Al2O3、Fe2O3等杂质），所以，相较于其他生产计划，第一生产计划的步骤会发生改变，相同步骤的相对应的参数也要发生改变，同理，若第二生产计划对于碳化硅的颜色有要求，可以通过改变相同步骤的参数或者增加新的步骤去改变碳化硅的颜色，具体采用哪种生产计划根据实际来定，在此不在进行过多赘述。
实时监控生产过程，并通过显示屏显示；其中，显示屏显示当前生产待制作晶体所处的步骤并生成模拟动画，模拟动画用于展示实际生产过程。
在一个示例中，为了实时监控生产过程，可以采用上位机，上位机可以为触摸屏或工控机，此处以触摸屏举例。在生产过程中，上位机完成监控、数据处理和数据记录等功能。例如，碳化硅气相沉积设备的工艺流程一般要经过抽真空、充气、加热、工艺和冷却几个工艺阶段，这个过程可以通过触摸屏显示。若当前工艺阶段为加热阶段，触摸屏上也通过模拟动画进行展示，该模拟动画对应实际生产过程，一比一还原生产过程；若加热温度为2000摄氏度，那么在触摸屏显示的动画中也会将当前所需温度进行显示。也可以将该动画理解为对碳化硅生产过程做一个建模，该模型具体对应碳化硅当前所处的生产步骤。此外，触摸屏还具有控制功能，若在加热阶段时，加热温度过高，需要停止生产，不仅设备可以自动检测，当检测温度过高，会自动降温或者停止生产，还可以通过触摸屏手动控制，手动控制包括停止生产或手动降温，使温度到达规定温度。
S3，基于待制作晶体的第一生产计划，控制生产设备生产待制作晶体，若生产待制作晶体中存在任意步骤对应的参数不在预设范围内，确定该步骤为问题步骤，停止所述第一生产计划。
在一个示例中，生产计划有多种，生产计划的制定方法也有多种。例如，可以由两种或多种方法制得同样的碳化硅，也可由两种或多种方法制得所含杂质和颜色等有区别的碳化硅，一切制定方案以实际为准。在本实施例中，以两种或多种方法制得同样的碳化硅来举例。
若制作碳化硅时，采用普通工艺，工艺流程为抽真空、充气、加热、工艺和冷却等几个工艺阶段。若处于加热阶段时，预设温度范围为1950摄氏度到2050摄氏度，若出现特殊情况，导致当前温度无法到达设定温度范围，且当前温度为1800摄氏度，当计算机设备接收到此消息，会停止此步骤；预设时间后，预设时间可以为十分钟，重复操作加热步骤。
若成功制作待制作晶体，得到正常晶体；根据预设检测标准，获取正常晶体的信息，得到基本信息；将基本信息与预设检测标准对比，若基本信息符合预设检测标准阈值，则通过显示屏显示成功字样；若基本信息不符合预设检测标准阈值，则根据阈值大小，通过显示屏显示调整方案。
在一个示例中，晶体可以为碳化硅，若成功生成了碳化硅，需要对碳化硅进行检测，若需要检测碳化硅的色泽，通过将当前生成的碳化硅的色泽和标准色泽对比，规定标准色泽为墨绿，一般碳化硅的色泽往往为黄、绿、墨绿、浅绿等，若识别当前生产的碳化硅色泽为绿、墨绿和浅绿，即为合格；若出现黄色，即为不合格。需要说明的是，色泽对应碳化硅是否包含杂质，例如黄色可能为含氧化铝过多，那么当检测生产的碳化硅色泽为黄色时，亟需调整方案，生成的调整方案为通过在合成过程中往往需要向其中加入木屑和工业盐，除去氧化铝、三氧化二铁等杂质。
S4，第一预设时间后，重复问题步骤，若对应的参数仍不在预设范围内，控制生产设备按照第二生产计划生产待制作晶体，若存在任意步骤对应的参数不在预设范围内，发送第一报警信息至工作人员。
在一个示例中，第一预设时间可以为10分钟，在S3的前提下，再次进行加热，若再次加热的温度仍然无法到达预设温度，则停止第一生产计划，改用第二生产计划。需要说明的是，在此步骤中，第一生产计划和第二生产计划仅仅为制造步骤存在差异，最终所得的产物相同；但第一生产计划和第二生产计划也可以为得到不同规格或不同颜色的碳化硅的生产计划，但在此实施例中主要以最终所得的产物相同为主。采用第二产生计划时，第二生产计划可以为化学气相法中的等离子气相合成法，等离子气相合成法的原理是电场作用下，气体电离形成等离子体，利用等离子体放电，使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。该技术并不涉及温度步骤，所以在第一生产计划无法实施时，采用第二生产计划，若采用等离子气相合成法时，出现电场电压不稳定时，等待十分钟后，重新进行电离，若电场电压仍然无法实现电离效果，则发出报警信息，将报警信息发送至工作人员的移动终端，通知维修人员进行维修。
根据待制作晶体的种类制定第一生产计划和第二生产计划，且根据预设权重分配权重占比，基于权重占比，确定第一生产计划和第二生产计划的优先级；若第一生产计划的权重占比大于第二生产计划的权重占比，则第一生产计划的优先级高，优先第一生产计划；若第二生产计划的权重占比大于第一生产计划的权重占比，则第二生产计划的优先级高，优先实施第二生产计划。
在一个示例中，第一生产计划和第二生产计划并无太大差异，区别仅为一个生产计划无法实施时，实施另一个计划。当然，若对待制作的晶体的色泽或者其杂质有要求，例如对杂质有要求时，若第一生产计划为相较于第二生产计划，多了去除杂质的步骤（第一生产计划在合成过程中，向其中加入木屑和工业盐，便于除去Al2O3、Fe2O3等杂质），此时规定第一生产计划优先级高于第二生产计划，优先实施第一生产计划；若在实施第一生产计划时，存现上述步骤中的参数不对应的情况，则根据情况考虑是否实施第二生产计划。
若生产过程中检测到生产设备出现故障，则发出第二报警信息至维修人员，第二报警信息包括生产设备出现故障的时间和故障位置。
在一个示例中，在S3的前提下，当温度始终无法到达预设温度值时，可能为设备损坏，基于此信息，将本次生产信息进行记录并进行报警，通过发送信息的方式将此消息发送至维修人员。
基于上述方法，本申请实施例还公开了一种用于化学气相沉积设备的控制系统的模块示意图。
如图2所示，该系统包括获取模块1、制定模块2、控制模块3、判断模块4和报警模块5；其中，获取模块1用于获取待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息；制定模块2用于制定待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划；控制模块3用于控制生产设备按照第一生产计划生产待制作晶体，检测到任意一个步骤对应的参数不在预设范围内时控制生产设备停止该步骤，同时控制生产设备按照第二生产计划生产待制作晶体；判断模块4用于判断待制作晶体中每个步骤对应的参数是否符合阈值；报警模块5用于发送报警信息至工作人员。
获取模块1还用于：成功制作待制作晶体，得到正常晶体，根据预设检测标准，获取正常晶体的信息，得到基本信息。
制定模块2还用于将基本信息与预设检测标准对比，若基本信息符合预设检测标准阈值，则通过所述显示屏显示成功字样；若基本信息不符合预设检测标准阈值，则根据阈值大小，通过控制模块3控制显示屏显示调整方案。
制定模块2还用于根据待制作晶体的种类制定第一生产计划和第二生产计划，且根据预设权重分配权重占比，基于权重占比，确定第一生产计划和第二生产计划的优先级。
若判断模块4判断第一生产计划的权重占比大于第二生产计划的权重占比，则通过控制模块3控制化学气象沉积设备优先实施第一生产计划；若判断模块4判断第二生产计划的权重占比大于第一生产计划的权重占比，则通过控制模块3控制化学气象沉积设备优先实施第二生产计划。
报警模块5还用于在生产过程中检测到生产设备出现故障，则发出第二报警信息至维修人员。
需要说明的是：上述实施例提供的装置在实现其功能时，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将设备的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外，上述实施例提供的装置和方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。
请参见图3，为本申请实施例提供了一种电子设备的结构示意图。如图3所示，所述电子设备1000可以包括：至少一个处理器1001，至少一个网络接口1004，用户接口1003，存储器1005，至少一个通信总线1002。
其中，通信总线1002用于实现这些组件之间的连接通信。
其中，用户接口1003可以包括显示屏（Display）、摄像头（Camera），可选用户接口1003还可以包括标准的有线接口、无线接口。
其中，网络接口1004可选的可以包括标准的有线接口、无线接口（如WI-FI接口）。
其中，处理器1001可以包括一个或者多个处理核心。处理器1001利用各种接口和线路连接整个服务器内的各个部分，通过运行或执行存储在存储器1005内的指令、程序、代码集或指令集，以及调用存储在存储器1005内的数据，执行服务器的各种功能和处理数据。可选的，处理器1001可以采用数字信号处理（Digital Signal Processing，DSP）、现场可编程门阵列（Field-Programmable Gate Array，FPGA）、可编程逻辑阵列（ProgrammableLogic Array，PLA）中的至少一种硬件形式来实现。处理器1001可集成中央处理器（CentralProcessing Unit，CPU）、图像处理器（Graphics Processing Unit，GPU）和调制解调器等中的一种或几种的组合。其中，CPU主要处理操作系统、用户界面和应用程序等；GPU用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制；调制解调器用于处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调器也可以不集成到处理器1001中，单独通过一块芯片进行实现。
其中，存储器1005可以包括随机存储器（Random Access Memory，RAM），也可以包括只读存储器（Read-Only Memory）。可选的，该存储器1005包括非瞬时性计算机可读介质（non-transitory computer-readable storage medium）。存储器1005可用于存储指令、程序、代码、代码集或指令集。存储器1005可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储用于实现操作系统的指令、用于至少一个功能的指令（比如触控功能、声音播放功能、图像播放功能等）、用于实现上述各个方法实施例的指令等；存储数据区可存储上面各个方法实施例中涉及的数据等。存储器1005可选的还可以是至少一个位于远离前述处理器1001的存储装置。如图3所示，作为一种计算机存储介质的存储器1005中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及一种用于化学气相沉积设备的控制方法的应用程序。
在图3所示的电子设备1000中，用户接口1003主要用于为用户提供输入的接口，获取用户输入的数据；而处理器1001可以用于调用存储器1005中存储一种化学气象沉积设备的控制方法的应用程序，当由一个或多个处理器执行时，使得电子设备执行如上述实施例中一个或多个所述的方法。
一种电子设备可读存储介质，所述电子设备可读存储介质存储有指令。当由一个或多个处理器执行时，使得电子设备执行如上述实施例中一个或多个所述的方法。
需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本申请所必需的。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所披露的装置，可通过其他的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些服务接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性或其他的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储器中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储器中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可为个人计算机、服务器或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储器包括：U盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
以上所述者，仅为本公开的示例性实施例，不能以此限定本公开的范围。即但凡依本公开教导所作的等效变化与修饰，皆仍属本公开涵盖的范围内。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里的公开后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未记载的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的范围和精神由权利要求限定。
Claims (10)
1.一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，应用于计算机设备，所述方法包括：
获取待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息，所述工艺流程信息为制作所述待制作晶体的步骤信息；所述工艺配方信息为所述待制作晶体的各个步骤对应的参数信息；
根据所述待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息，制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划；
基于所述待制作晶体的第一生产计划，控制生产设备生产所述待制作晶体，若生产所述待制作晶体的步骤中的任意步骤对应的参数不在预设范围内，确定该步骤为第一问题步骤，停止所述第一生产计划；
第一预设时间后，重复所述第一问题步骤，若所述对应的参数仍不在所述预设范围内，控制所述生产设备按照所述第二生产计划生产所述待制作晶体，若存在所述任意步骤对应的参数不在预设范围内，确定该步骤为第二问题步骤，并发送第一报警信息至工作人员。
2.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述工艺流程信息为制作所述待制作晶体的步骤类型信息；所述工艺配方信息为所述待制作晶体的各个步骤对应的参数信息，包括：
所述步骤类型信息包括抽真空、充气、加热、工艺和冷却，基于所述待制作晶体种类和数量不同，所对应的步骤类型的组合不同；
根据所对应的步骤类型的组合不同，所述工艺配方信息中对应所述步骤信息包含的步骤对应的参数不同。
3.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述控制生产设备生产所述待制作晶体，包括：
实时监控生产过程，并通过显示屏显示；其中，所述显示屏显示当前生产所述待制作晶体所处的步骤并生成模拟动画，所述模拟动画用于展示实际生产过程。
4.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述控制生产设备生产所述待制作晶体之后，还包括：
若成功制作所述待制作晶体，得到正常晶体；
根据预设检测标准，获取所述正常晶体的信息，得到基本信息；
将所述基本信息与所述预设检测标准对比，若所述基本信息符合所述预设检测标准阈值，则通过所述显示屏显示成功字样；若所述基本信息不符合所述预设检测标准阈值，则根据所述阈值大小，通过所述显示屏显示调整方案。
5.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划，包括：
根据所述待制作晶体的种类制定所述第一生产计划和所述第二生产计划，且根据预设权重分配权重占比，基于所述权重占比，确定所述第一生产计划和所述第二生产计划的优先级；
若所述第一生产计划的权重占比大于所述第二生产计划的权重占比，则所述第一生产计划的优先级高，优先实施所述第一生产计划；
若所述第二生产计划的权重占比大于所述第一生产计划的权重占比，则所述第二生产计划的优先级高，优先实施所述第二生产计划。
6.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述若存在所述任意步骤对应的参数不在预设范围内之后，确定该步骤为第二问题步骤，还包括：
第二预设时间后，重复所述第二问题步骤，若所述对应的参数仍不在所述预设范围内，发送第一报警信息至所述工作人员。
7.根据权利要求1所述的一种用于化学气相沉积设备的控制方法，其特征在于，所述发送第一报警信息至工作人员，还包括：
若生产过程中检测到所述生产设备出现故障，则发出第二报警信息至所述维修人员，所述第二报警信息包括所述生产设备出现故障的时间和故障位置。
8.一种用于化学气相沉积设备的控制系统，其特征在于，所述系统包括：获取模块（1）、制定模块（2）、控制模块（3）、判断模块（4）和报警模块（5）；其中，
所述获取模块（1）用于获取待制作晶体的工艺流程信息和工艺配方信息；
所述制定模块（2）用于制定所述待制作晶体的第一生产计划和第二生产计划；
所述控制模块（3）用于控制生产设备按照第一生产计划生产所述待制作晶体，检测到任意一个步骤对应的参数不在预设范围内时控制所述生产设备停止该步骤，同时控制所述生产设备按照第二生产计划生产所述待制作晶体；
所述判断模块（4）用于判断所述待制作晶体中每个步骤对应的参数是否符合阈值；
所述报警模块（5）用于发送报警信息至工作人员。
9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器、存储器、用户接口及网络接口，所述存储器用于存储指令，所述用户接口和网络接口用于给其他设备通信，所述处理器用于执行所述存储器中存储的指令，以使所述电子设备执行如权利要求1-7任意一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有能够被处理器加载并执行如权利要求1-7任意一项所述的方法的计算机程序。
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