CN115520894B - 一种近红外发光材料及其制备方法以及发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种近红外发光材料,分子式为:Li(2k+x)Mg(1‑2x‑y‑z)RxO(1+k+y/2+3z/2):yCr3+,zSb5+式1;其中,0.0001≤k≤0.2,0≤x≤0.35,0.00001≤y≤0.2,0≤z≤0.05;R选自元素Sc、Al、Y、In、Ga、Lu、Gd中的一种或多种。本发明提供的近红外发光材料能够被蓝光激发而发射近红外光,可通过调控获得一系列不同发射峰位、光谱峰形以及半峰宽的近红外发光材料,这些材料涵盖窄带以及宽带的近红外发光,并具有超高的发光效率,可与蓝光组成高效的近红外LED。

Description

一种近红外发光材料及其制备方法以及发光器件
技术领域
本发明涉及发光材料技术领域,尤其涉及一种近红外发光材料及其制备方法以及发光器件。
背景技术
近年来,随着近红外光学应用的不断发展以及市场需求的不断扩大,近红外发光材料受到研究者以及相关行业人员的广泛关注。特别是适用于荧光粉转换型发光二极管的近红外发光材料,相关行业的研究人员进行了广泛的研究。近红外荧光粉转换型发光二极管(NIR pc-LED)主要利用了蓝光芯片的高光电转换效率。成熟的蓝光芯片与可被蓝光激发的近红外发光材料组合成NIRpc-LED,以期获得优良的近红外光电转化效率。这是目前获得高近红外光电转换效率的技术之一。其主要的难点是:1.近红外荧光粉必须可以被蓝光有效激发;2.在蓝光激发的前提下,近红外荧光粉必须有良好的量子效率;3.近红外荧光粉需要满足各种应用的要求。
目前,刘如熹课题组通过Cr3+掺杂La3Ga5GeO14得到超宽带近红外发光材料,该发光材料La3Ga5GeO14:Cr3+在蓝光激发下有着超宽带的近红外发射,同时封装的近红外LED在350mA的测试条件下有着18.2mW的辐射通量。同时,高内量子效率的材料也有报道(Efficient and Tunable Luminescence in Ga2-xInxO3:Cr3+for Near-InfraredImaging.ACS Appl Mater Interfaces 2021,DOI:10.1021/acsami.1c05949.),当x=0.4时材料Ga2-xInxO3:Cr3+具有88%的内量子效率以及50%的吸收系数。
在Cr3+发光领域,近年来已经取得了极大的成果。但与高量子效率可见光商品荧光粉相比仍有很大的距离,(例如,商品荧光粉YAG:Ce3+的外量子效率EQE>90%)。具有高外量子效率、可应用于超高效、大型近红外LED,满足各个领域需求的近红外荧光粉仍亟待开发。
发明内容
有鉴于此,本发明要解决的技术问题在于提供一种近红外发光材料及其制备方法以及发光器件,所述近红外发光材料可有效被蓝光激发,发光性能优异,利于在发光器件中的应用。
为达到上述目的,本发明提供了一种近红外发光材料,分子式为:
Li(2k+x)Mg(1-2x-y-z)RxO(1+k+y/2+3z/2):yCr3+,zSb5+式1;
其中,0.0001≤k≤0.2,0≤x≤0.35,0.00001≤y≤0.2,0≤z≤0.05;
R选自元素Sc、Al、Y、In、Ga、Lu、Gd中的一种或多种。
其中,k可被示为Li元素的补充系数,补充的Li元素可被示为有至少以下三种作用:1.补偿高温反应中损失掉的Li元素;2.作为助熔剂利于材料的合成;3.作为电荷补偿剂,平衡电荷。
优选的,0.0001≤k≤0.2,更优选的,0.001≤k≤0.18,进一步优选的,0.001≤k≤0.15,最优选的,0.001≤k≤0.1。
优选的,0≤x≤0.35,更优选的,0≤x≤0.3,再优选的,0<x≤0.35,进一步优选的,0.001≤x≤0.25。
优选的,0.00001≤y≤0.2,更优选的,0.0002<y≤0.15,进一步优选的,0.001<y≤0.1,最优选的,0.002<y≤0.05。
优选的,0≤z≤0.05,更优选的,0≤z≤0.04,再优选的,0<z≤0.05,进一步优选的,0<z≤0.03。
在本发明式1中,R元素为Sc、Al、Y、In、Ga、Lu、Gd中的一种或多种,优选为Sc、Al、Ga、In、Y中的一种或多种;更优选的,R元素为Sc、Al、Ga、In中的一种或多种;通常为Sc、Al、Ga单独一种元素或者包含Sc在内的两种元素。
优选的,所述近红外发光材料,具有以下任一分子式(以下分子通式中,Cr均为+3价,但未在表达式中标出):
Li0.03Mg0.995O1.0175:0.005Cr、Li0.1Mg0.995O1.0525:0.005Cr、Li0.3Mg0.995O1.1525:0.005Cr、Li0.05Mg0.935Sc0.03O1.0125:0.005Cr、Li0.05Mg0.935Al0.03O1.0125:0.005Cr、Li0.05Mg0.935In0.03O1.0125:0.005Cr、Li0.05Mg0.935Ga0.03O1.0125:0.005Cr、Li0.1Mg0.935Ga0.03O1.0375:0.005Cr、Li0.1Mg0.935Al0.03O1.0375:0.005Cr、Li0.1Mg0.935In0.03O1.0375:0.005Cr、Li0.1Mg0.935Sc0.03O1.0375:0.005Cr、Li0.1Mg0.933Ga0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb、Li0.1Mg0.933Al0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb、Li0.1Mg0.933Sc0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb、Li0.1Mg0.933In0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb、Li0.06Mg0.989Sc0.003O1.031:0.005Cr、Li0.07Mg0.975Sc0.01O1.0325:0.005Cr、Li0.09Mg0.935Sc0.03O1.0325:0.005Cr、Li0.1Mg0.895Sc0.05O1.0275:0.005Cr、Li0.15Mg0.795Sc0.1O1.0275:0.005Cr、Li0.2Mg0.695Sc0.15O1.0275:0.005Cr、Li0.22Mg0.661Sc0.167O1.029:0.005Cr、Li0.28Mg0.595Sc0.2O1.0425:0.005Cr、Li0.33Mg0.495Sc0.25O1.0425:0.005Cr、Li0.4Mg0.411Sc0.292O1.0565:0.005Cr、Li0.43Mg0.335Sc0.33O1.0525:0.005Cr、Li0.022Mg0.991Sc0.002O1.0125:0.005Cr、Li0.022Mg0.991Al0.002O1.0125:0.005Cr、Li0.022Mg0.991Ga0.002O1.0125:0.005Cr、Li0.022Mg0.991In0.002O1.0125:0.005Cr、Li0.03Mg0.991Sc0.002O1.0165:0.005Cr、Li0.1Mg0.933Ga0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb、Li0.1Mg0.933In0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb、Li0.1Mg0.933Al0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb、Li0.06Mg0.989Ga0.003O1.031:0.005Cr、Li0.07Mg0.975Ga0.01O1.0325:0.005Cr、Li0.09Mg0.935Ga0.03O1.0325:0.005Cr、Li0.1Mg0.895Ga0.05O1.0275:0.005Cr、Li0.15Mg0.795Ga0.1O1.0275:0.005Cr、Li0.2Mg0.695Ga0.15O1.0275:0.005Cr、Li0.22Mg0.661Ga0.167O1.029:0.005Cr、Li0.28Mg0.595Ga0.2O1.0425:0.005Cr、Li0.33Mg0.495Ga0.25O1.0425:0.005Cr、Li0.4Mg0.411Ga0.292O1.0565:0.005Cr、Li0.43Mg0.335Ga0.33O1.0525:0.005Cr、Li0.45Mg0.295Ga0.35O1.0525:0.005Cr、Li0.45Mg0.295Sc0.35O1.0525:0.005Cr、Li0.1Mg0.9345Sc0.03O1.03825:0.005Cr,0.0005Sb、Li0.1Mg0.925Sc0.03O1.0525:0.005Cr,0.01Sb、Li0.1Mg0.905Sc0.03O1.0825:0.005Cr,0.03Sb、Li0.1Mg0.965O1.0975:0.005Cr,0.03Sb、Li0.1Mg0.9399Sc0.03O1.03505:0.0001Cr、Li0.1Mg0.89Sc0.03O1.06:0.05Cr、Li0.1Mg0.74Sc0.03O1.135:0.2Cr、Li0.1Mg0.935Y0.03O1.0375:0.005Cr、Li0.1Mg0.935Lu0.03O1.0375:0.005Cr、Li0.1Mg0.935Gd0.03O1.0375:0.005Cr、Li0.13Mg0.855Sc0.07O1.0325:0.005Cr。
本发明提供的发光材料具有可调的发光性能,近红外发射光谱涵盖窄带和宽带的近红外发射;具体的,所述的近红外发光材料发射600-1300nm近红外光,近红外发光的中心峰位可调。
优选的,式1中,Li元素和R元素的含量以及Cr的含量(k,x,y)可以有效调控光谱的发射强度以及光谱谱型和发光峰位。
在本发明的一个实施例中,R为Sc元素,k=0.035,x=0.03,y=0.005,z=0,所述发光材料的组成为Li0.1Mg0.935Sc0.03O1.0375:0.005Cr。
在本发明的一个实施例中,R为Sc元素,k=0.035,x=0.03,y=0.005,z=0.002,所述发光材料的组成为Li0.1Mg0.933Sc0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb。
在本发明的一个实施例中,k=0.05,x=0,y=0.005所述发光材料的组成为Li0.1Mg0.995O1.0525:0.005Cr。
在本发明的一个实施例中,R为Sc元素,k=0.01,x=0.002,y=0.005所述发光材料的组成为Li0.022Mg0.991Sc0.002O1.0125:0.005Cr。
在本发明的一个实施例中,R为Sc元素,k=0.025,x=0.1,y=0.005所述发光材料的组成为Li0.15Mg0.795Sc0.1O1.0275:0.005Cr。
在本发明的一个实施例中,R为Sc元素,k=0.04,x=0.2,y=0.005所述发光材料的组成为Li0.28Mg0.595Sc0.2O1.0425:0.005Cr。
在本发明的一个实施例中,R为Ga元素,k=0.035,x=0.03,y=0.005所述发光材料的组成为Li0.1Mg0.935Ga0.03O1.0375:0.005Cr。
在本发明的一个实施例中,R为Ga元素,k=0.025,x=0.1,y=0.005所述发光材料的组成为Li0.15Mg0.795Ga0.1O1.0275:0.005Cr。
在本发明的一个实施例中,R为Ga元素,k=0.04,x=0.2,y=0.005所述发光材料的组成为Li0.28Mg0.595Ga0.2O1.0425:0.005Cr。
在本发明的一个实施例中,R为Sc元素,k=0.035,x=0.03,y=0.0001所述发光材料的组成为Li0.1Mg0.935Sc0.03O1.03015:0.0001Cr。
在本发明的一个实施例中,R为Sc元素,k=0.035,x=0.03,y=0.05所述发光材料的组成为Li0.1Mg0.935Sc0.03O1.105:0.05Cr。
在本发明的一个对比例中,k=x=z=0,y=0.005所述发光材料的组成为Mg0.995O1.0025:0.005Cr。
本发明还提供了一种上述技术方案中的近红外发光材料的制备方法,包括以下步骤:
S1)将锂源化合物、镁源化合物、铬源化合物、含R元素的化合物、锑源化合物混合,得到混合物;
S2)将所述混合物进行烧结,得到式1所示结构的近红外发光材料。
在本发明的实施例中,所述锂源化合物为含锂元素的化合物,选自锂的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、醋酸盐、氧化物、氟化物中的一种或多种;优选实施例中,所述锂源化合物为碳酸锂。
在本发明的实施例中,所述含镁源化合物为含镁元素的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、醋酸盐、柠檬酸盐、氧化物、氢氧化物中的一种或多种;优选实施例中,所述镁源化合物为氧化镁。
在本发明的实施例中,所述含R元素的化合物选自含R元素的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、醋酸盐、柠檬酸盐、氧化物、氢氧化物、氟化物中的一种或多种。
在本发明的实施例中,所述铬源化合物为含铬元素的化合物,选自铬的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、醋酸盐、氧化物、氯化物、氟化物中的一种或多种。优选实施例中,所述铬源化合物为氧化铬。
在本发明的实施例中,所述锑源化合物为含锑元素的化合物,选自锑的硝酸盐、氧化物、草酸盐、醋酸盐、氯化物、氟化物中的一种或多种。优选实施例中,所述锑源化合物为氧化锑。
本发明实施例对各原料的来源没有特殊限制,可采用纯度99%以上的原料市售品。
在本发明的实施例中,所述锂源化合物、镁源化合物、含R元素的化合物、铬源化合物、锑源化合物的摩尔比优选为(0.0001~0.75):(0.05~1.0):(0~0.35):(0.00001~0.2):(0~0.05);本发明实施例按照所述摩尔比将各原料混合。
在本发明的一些实施例中,所述的摩尔比具体为:
0.1∶0.935:0.03∶0.005∶0、
0.1∶0.933∶0.03∶0.005∶0.002、
0.1∶0.995∶0∶0.005∶0、
0.022∶0.991∶0.002∶0.005∶0、
0.06∶0.989∶0.003∶0.005∶0、
0.07∶0.975∶0.01∶0.005∶0、
0.09∶0.935∶0.03∶0.005∶0、
0.1∶0.895∶0.05∶0.005∶0、
0.15∶0.795∶0.05∶0.005∶0、
0.2∶0.695∶0.15∶0.005∶0、
0.28∶0.595∶0.2∶0.005∶0、
0.33∶0.495∶0.25∶0.005∶0、
0.4∶0.411∶0.292∶0.005∶0、
0.43∶0.335∶0.33∶0.005∶0、
0.45∶0.295∶0.35∶0.005∶0、
0.1∶0.9399∶0.03∶0.0001∶0或0.1∶0.74∶0.03∶0.2∶0。
本发明实施例将上述原料混合的方式优选为研磨混合,将各材料充分研磨均匀,得到混合物。在本发明中,在上述研磨混合过程中可加入助熔剂,助熔剂优选为LiF、Li2CO3、MgF2中的一种或多种;加入助熔剂的含量优选为混合物质量的0.5%~10%。值得说明的是,Li2CO3在本发明中作为一种原材料,在部分实施例中可视为加入了助熔剂;在本发明的一些实施例中,未加入除Li2CO3外的助熔剂,也未进行特殊说明,但不可忽视所述助熔剂对烧结过程有着积极的影响。
本发明实施例将得到的混合物进行烧结;所述烧结的气氛可为空气、氮气、氩气或者氧气。在本发明中,所述烧结的温度优选为1000~1500℃,烧结的时间优选为1~24小时。更优选的,所述烧结温度为1100~1500℃,所述烧结时间为4~16小时。经上述烧结后,本发明优选还进行研磨后处理,将样品研磨成粉末,得到发光材料产品,其具有式1所示结构。
综上所述,本发明实施例提供的制备方法是将式1表达式中的元素的碳酸盐、醋酸盐、草酸盐、柠檬酸盐、硝酸盐、氧化物、氢氧化物等原料的混合物,研磨并混合均匀后,在1000-1500℃烧结1-24小时,冷却后将样品取出,研磨即得到所述发光材料。其中,通过控制R元素的种类以及各元素的比例,可以使所得材料在近紫外芯片或者蓝光芯片作光源激发下发射600-1300nm近红外光,材料的发光光谱峰位、峰形及半峰宽可被R元素的种类以及含量有效调控,可作为一种新型的近红外发光材料,制备近红外LED光源。
本发明实施例将所得发光材料经过适当的粉体处理,可以得到达到LED封装要求(例如粒度均一,发光强度优异)的荧光粉;本发明对所述粉体处理方式没有特殊限制,为本领域制备封装LED荧光粉的常规处理方式即可,如可包括湿法球磨(破碎处理)、粒度监测、通过网筛等后处理过程。此外,本发明实施例的制备方法简便,易操作。
实验结果表明,上述发光材料在近紫外芯片或者蓝光芯片作光源激发下可发射600~1300nm近红外光,主发射峰峰位可被调控从700nm到850nm偏移,可作为一种新型的近红外发光材料,制备近红外LED光源。
基于此,本发明还提供了一种近红外LED光源,包含蓝光芯片和用于LED封装的发光材料;所述发光材料(荧光粉)为前文所述的近红外发光材料。
本发明通过调控元素的种类和含量实现600-1300nm范围的高效近红外发光。本发明提供的近红外荧光粉可实现窄带以及宽带的近红外发射,在食品无损伤快速检测、近红外光谱技术应用、植物照明、眼动追踪、虹膜识别、人脸识别、夜视等各个领域有着广泛的应用。
本发明提供了一种近红外发光器件,包括上述近红外LED光源。
与现有技术相比,本发明提供了一种近红外发光材料,分子式为:Li(2k+x)Mg(1-2x-y-z)RxO(1+k+y/2+3z/2):yCr3+,zSb5+式1;其中,0.0001≤k≤0.2,0≤x≤0.35,0.00001≤y≤0.2,0≤z≤0.05;R选自元素Sc、Al、Y、In、Ga、Lu、Gd中的一种或多种。本发明提供的近红外发光材料能够被蓝光激发而发射近红外光,可通过调控获得一系列不同发射峰位、光谱峰形以及半峰宽的近红外发光材料,这些材料涵盖窄带以及宽带的近红外发光,并具有超高的发光效率,可与蓝光组成高效的近红外LED。
附图说明
图1为实施例1的激发光谱图;
图2为实施例1在FLS920搭载近红外单光子探测器系统中处于445nm激发下所获得的发射光谱图;
图3为本发明实施例1提供的近红外发光材料的X射线粉末衍射图;
图4为实施例2在FLS920搭载近红外单光子探测器系统中处于445nm激发下所获得的发射光谱图;
图5为实施例45在FLS920搭载近红外单光子探测器系统中处于445nm激发下所获得的发射光谱图;
图6为实施例46在FLS920搭载近红外单光子探测器系统中处于445nm激发下所获得的发射光谱图;
图7为实施例49在FLS920搭载近红外单光子探测器系统中处于445nm激发下所获得的发射光谱图;
图8为对比例在FLS920搭载近红外单光子探测器系统中处于445nm激发下所获得的发射光谱图。
具体实施方式
为了便于理解本发明,下面将参照实施例对本发明进行更全面的描述,以下给出了本发明的较佳实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例;提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。实施例中使用到的各类原料,除非另有说明,均为常见市售产品。
为了更好理解本发明技术内容,下面提供具体实施例,对本发明做进一步的说明。
以下实施例中,所述烧结的气氛以空气为主。
实施例1
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。
所得近红外发光材料为浅绿色样品,其激发光谱为宽带,如图1所示。
在蓝光445nm激发下,发光材料最大发射波长位于723nm附近,如图2所示。
图2为FLS920搭载单光子近红外探测器所获得的测试图样。
材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Sc0.03O1.0375:0.005Cr,参见图3,图3为本发明实施例1提供的近红外发光材料的X射线粉末衍射图,从图中可以看出材料为单一物相,这能够保证材料结构的稳定性和重现性。
实施例2
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1:0.933:0.03:0.005:0.002,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.933Sc0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb。
实施例3
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.005:0.995:0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.005Mg0.995O1.005:0.005Cr。
实施例4
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1:0.995:0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.995O1.0525:0.005Cr。
实施例5
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.03:0.995:0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.03Mg0.995O1.0175:0.005Cr。
实施例6
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.3:0.995:0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.3Mg0.995O1.1525:0.005Cr。
实施例7
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铝(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1:0.935:0.03:0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Al0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例8
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Ga0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例9
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铟(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935In0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例10
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.05∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.05Mg0.935Sc0.03O1.0125:0.005Cr。
实施例11
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铝(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.05∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.05Mg0.935Al0.03O1.0125:0.005Cr。
实施例12
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.05∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.05Mg0.935Ga0.03O1.0125:0.005Cr。
实施例13
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铟(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.05∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.05Mg0.935In0.03O1.0125:0.005Cr。
实施例14
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.022∶0.991∶0.002∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.022Mg0.991Sc0.002O1.0125:0.005Cr。
实施例15
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铝(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.022∶0.991∶0.002∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.022Mg0.991Al0.002O1.0125:0.005Cr。
实施例16
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.022∶0.991∶0.002∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.022Mg0.991Ga0.002O1.0125:0.005Cr。
实施例17
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铟(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.022:0.991∶0.002∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.022Mg0.991In0.002O1.0125:0.005Cr。
实施例18
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.03∶0.991∶0.002∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.03Mg0.991Sc0.002O1.0165:0.005Cr。
实施例19
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.933∶0.03∶0.005∶0.002,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下预烧10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.933Ga0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb。
实施例20
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铟(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.933∶0.03∶0.005∶0.002,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下预烧10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.933In0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb。
实施例21
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铝(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.933∶0.03∶0.005:0.002,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下预烧10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.933Al0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb。
实施例22
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.933∶0.03∶0.005∶0.001,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下预烧10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.933Sc0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb。
实施例23
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.933∶0.03∶0.005∶0.001,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下预烧10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.933Ga0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb。
实施例24
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铟(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.933∶0.03∶0.005∶0.001,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下预烧10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.933In0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb。
实施例25
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铝(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.933∶0.03∶0.005∶0.001,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下预烧10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.933Al0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb。
实施例26
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.06∶0.989∶0.003∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.06Mg0.989Ga0.003O1.031:0.005Cr。
实施例27
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.07∶0.975∶0.01∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.07Mg0.975Ga0.01O1.0325:0.005Cr。
实施例28
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.09∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.09Mg0.935Ga0.03O1.0325:0.005Cr。
实施例29
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.895∶0.05∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.895Ga0.05O1.0275:0.005Cr。
实施例30
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.15∶0.795∶0.1∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.15Mg0.795Ga0.1O1.0275:0.005Cr。
实施例31
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.2∶0.695∶0.15∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.2Mg0.695Ga0.15O1.0275:0.005Cr。
实施例32
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.22∶0.661∶0.167∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.22Mg0.661Ga0.167O1.029:0.005Cr。
实施例33
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.28∶0.595∶0.2∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.28Mg0.595Ga0.2O1.0425:0.005Cr。
实施例34
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.33∶0.495∶0.25∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.33Mg0.495Ga0.25O1.0425:0.005Cr。
实施例35
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.4∶0.411∶0.292∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.4Mg0.411Ga0.292O1.0565:0.005Cr。
实施例36
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.43∶0.335∶0.33∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.43Mg0.335Ga0.33O1.0525:0.005Cr。
实施例37
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.45∶0.295∶0.35∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.45Mg0.295Ga0.35O1.0525:0.005Cr。
实施例38
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.002∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1200℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Ga0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例39
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.002∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1500℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Ga0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例40
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.002∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结4小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Ga0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例41
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镓(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.002∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结18小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Ga0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例42
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.06∶0.989∶0.003∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.06Mg0.989Sc0.003O1.031:0.005Cr。
实施例43
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.07∶0.975∶0.01∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.07Mg0.975Sc0.01O1.0325:0.005Cr。
实施例44
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.09∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.09Mg0.935Sc0.03O1.0325:0.005Cr。
实施例45
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.895∶0.05∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.895Sc0.05O1.0275:0.005Cr。
实施例46
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.15∶0.795∶0.1∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.15Mg0.795Sc0.1O1.0275:0.005Cr。
实施例47
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.2∶0.695∶0.15∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.2Mg0.695Sc0.15O1.0275:0.005Cr。
实施例48
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.22∶0.661∶0.167∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.22Mg0.661Sc0.167O1.029:0.005Cr。
实施例49
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.28∶0.595∶0.2∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.28Mg0.595Sc0.2O1.0425:0.005Cr。
实施例50
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.33∶0.495∶0.25∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.33Mg0.495Sc0.25O1.0425:0.005Cr。
实施例51
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.4∶0.411∶0.292∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.4Mg0.411Sc0.292O1.0565:0.005Cr。
实施例52
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.43∶0.335∶0.33∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.43Mg0.335Sc0.33O1.0525:0.005Cr。
实施例53
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.45∶0.295∶0.35∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.45Mg0.295Sc0.35O1.0525:0.005Cr。
实施例54
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1:0.9345:0.03:0.005:0.0005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.9345Sc0.03O1.03825:0.005Cr,0.0005Sb。
实施例55
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.925∶0.03∶0.005∶0.01,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.925Sc0.03O1.0525:0.005Cr,0.01Sb。
实施例56
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.905∶0.03∶0.005∶0.03,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.905Sc0.03O1.0825:0.005Cr,0.03Sb。
实施例57
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化铬(99.999%)、三氧化二锑(99.99%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.965∶0.005∶0.03,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.965O1.0975:0.005Cr,0.03Sb。
实施例58
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.9399∶0.03∶0.0001,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.9399Sc0.03O1.03505:0.0001Cr。
实施例59
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.89∶0.03∶0.05,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.89Sc0.03O1.06:0.05Cr。
实施例60
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.74∶0.03∶0.2,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.74Sc0.03O1.135:0.2Cr。
实施例61
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钇(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Y0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例62
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化镥(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Lu0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例63
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钆(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.1∶0.935∶0.03∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.1Mg0.935Gd0.03O1.0375:0.005Cr。
实施例64
原料为碳酸锂(99.99%)、氧化镁(99.99%)、氧化钪(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.13∶0.855∶0.07∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Li0.13Mg0.855Sc0.07O1.0325:0.005Cr。
对比例
原料为氧化镁(99.99%)、氧化铬(99.999%),它们之间的摩尔比为0.995∶0.005,在研钵中充分研磨混合均匀,放入刚玉坩埚中在1350℃下烧结10小时,冷却至室温后取出样品经仔细研磨得到近红外发光材料。材料的具体分子式为Mg0.995O:0.005Cr。
性能检测
对上述制备的近红外发光材料进行性能检测,其发射峰位、半峰宽及发光强度如表1所示。
表1部分实施例发射峰位、半峰宽及发光强度
由以上实施例可知,本发明提供的近红外发光材料Li(2k+x)Mg(1-2x-y-z)RxO(1+k+y/2+3z/2):yCr3+,zSb5+,能够被蓝光激发而发射近红外光,可通过调控获得一系列不同发射峰位、光谱峰形以及半峰宽的近红外发光材料,这些材料涵盖窄带以及宽带的近红外发光,并具有优异的发光效率,可与蓝光组成高效的近红外LED,应用广泛。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。

Claims (7)

1.一种近红外发光材料,分子式为:
Li(2k+x)Mg(1-2x-y-z)R x O(1+k+y/2+3z/2): yCr3+,zSb5+ 式1;
其中,0.0001≤k≤0.2, 0<x≤0.35, 0.00001≤y≤0.2, 0<z≤0.05;
R选自元素Sc、Al、Y、In、Ga、Lu、Gd中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的近红外发光材料,其特征在于,具有以下任一分子式:
Li0.1Mg0.933Ga0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb、Li0.1Mg0.933Al0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb、Li0.1Mg0.933Sc0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb、Li0.1Mg0.933In0.03O1.0405:0.005Cr,0.002Sb、Li0.1Mg0.933Ga0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb、Li0.1Mg0.933In0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb、Li0.1Mg0.933Al0.03O1.038:0.005Cr,0.001Sb、Li0.1Mg0.9345Sc0.03O1.03825:0.005Cr,0.0005Sb、Li0.1Mg0.925Sc0.03O1.0525:0.005Cr,0.01Sb、Li0.1Mg0.905Sc0.03O1.0825:0.005Cr,0.03Sb。
3.权利要求1~2任一项所述的近红外发光材料的制备方法,包括以下步骤:
S1)将锂源化合物、铬源化合物、镁源化合物、含R元素的化合物、锑源化合物混合,得到混合物;
S2)将所述混合物进行烧结,得到近红外发光材料;
所述烧结的气氛为空气或者氧气;
所述烧结的温度为1100~1500℃;
所述烧结的时间为4~16小时。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述锂源化合物选自锂的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、醋酸盐、氧化物、氟化物中的一种或多种;
所述镁源化合物选自镁的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、醋酸盐、柠檬酸盐、氧化物、氢氧化物中的一种或多种;
所述铬源化合物选自铬的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、醋酸盐、氧化物、氯化物、氟化物、中的一种或多种;
所述含R元素的化合物选自含R元素的碳酸盐、硝酸盐、草酸盐、醋酸盐、柠檬酸盐、氧化物、氢氧化物、氟化物中的一种或多种;
所述锑源化合物选自锑的硝酸盐、氧化物、草酸盐、醋酸盐、氯化物、氟化物中的一种或多种。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述锂源化合物、镁源化合物、含R元素的化合物、铬源化合物、锑源化合物的摩尔比为(0.0001~0.75):(0.05~1.0):(0~0.35):(0.00001~0.2):(0~0.05);且含R元素的化合物、锑源化合物用量不为0。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述烧结的过程中加入助熔剂;
所述助熔剂选自LiF、Li2CO3、MgF2中的一种或多种。
7.一种近红外LED光源,其特征在于,包含蓝光芯片和用于LED封装的发光材料;
所述发光材料为权利要求1~2中任一项所述的近红外发光材料或权利要求3~6中任一项所述的制备方法制得的近红外发光材料。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB749393A (en) * 1953-09-24 1956-05-23 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to luminescent materials
CN101928562A (zh) * 2009-10-21 2010-12-29 南昌大学 一种可同时被近紫外和蓝色led光有效激发的红色荧光粉
CN106634970A (zh) * 2016-09-29 2017-05-10 湘潭大学 一种宽频带深红光转换材料及其制备方法
CN108495911A (zh) * 2016-01-26 2018-09-04 默克专利股份有限公司 组合物、色彩转换片材及发光二极管器件
CN111363546A (zh) * 2020-03-26 2020-07-03 徐州凹凸光电科技有限公司 一种高热稳定性近红外荧光粉及其制备方法与应用
CN111892928A (zh) * 2020-06-23 2020-11-06 中山大学 一种近红外长余辉发光材料、荧光探针及其制备方法和应用
CN112500851A (zh) * 2020-12-16 2021-03-16 江西理工大学 一种高光效Cr3+掺杂宽带近红外荧光粉及其制备方法
CN112779010A (zh) * 2021-01-27 2021-05-11 中国科学院长春应用化学研究所 一种近红外发光材料及其制备方法,以及近红外led
CN112877069A (zh) * 2021-02-08 2021-06-01 上海应用技术大学 一种Cr3+掺杂的镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法
CN113308242A (zh) * 2021-05-26 2021-08-27 江西理工大学 一种新型Cr3+掺杂宽带近红外荧光粉及其制成的光源
CN113773837A (zh) * 2021-09-22 2021-12-10 中国科学院长春应用化学研究所 一种近红外发光材料及其制备方法和含该材料的发光器件
CN114507517A (zh) * 2022-03-04 2022-05-17 浙江大学 基于尖晶石结构的宽带近红外荧光粉及其制备方法和应用

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB749393A (en) * 1953-09-24 1956-05-23 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to luminescent materials
CN101928562A (zh) * 2009-10-21 2010-12-29 南昌大学 一种可同时被近紫外和蓝色led光有效激发的红色荧光粉
CN108495911A (zh) * 2016-01-26 2018-09-04 默克专利股份有限公司 组合物、色彩转换片材及发光二极管器件
CN106634970A (zh) * 2016-09-29 2017-05-10 湘潭大学 一种宽频带深红光转换材料及其制备方法
CN111363546A (zh) * 2020-03-26 2020-07-03 徐州凹凸光电科技有限公司 一种高热稳定性近红外荧光粉及其制备方法与应用
CN111892928A (zh) * 2020-06-23 2020-11-06 中山大学 一种近红外长余辉发光材料、荧光探针及其制备方法和应用
CN112500851A (zh) * 2020-12-16 2021-03-16 江西理工大学 一种高光效Cr3+掺杂宽带近红外荧光粉及其制备方法
CN112779010A (zh) * 2021-01-27 2021-05-11 中国科学院长春应用化学研究所 一种近红外发光材料及其制备方法,以及近红外led
CN112877069A (zh) * 2021-02-08 2021-06-01 上海应用技术大学 一种Cr3+掺杂的镓铝酸盐近红外长余辉发光材料及其制备方法
CN113308242A (zh) * 2021-05-26 2021-08-27 江西理工大学 一种新型Cr3+掺杂宽带近红外荧光粉及其制成的光源
CN113773837A (zh) * 2021-09-22 2021-12-10 中国科学院长春应用化学研究所 一种近红外发光材料及其制备方法和含该材料的发光器件
CN114507517A (zh) * 2022-03-04 2022-05-17 浙江大学 基于尖晶石结构的宽带近红外荧光粉及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Dopant and compositional modulation triggered long-wavelength ultra-broadband and tunable NIR emission in MgO:Cr3+ phosphor for NIR spectroscopy applications;Huan Chang et al.;Ceramics Internationa;第49卷;第309-322页 *

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CN115520894A (zh) 2022-12-27

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