CN115504509B - 一种pms基超导块体的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种PMS基超导块体的制备方法，该方法包括：一、氩气保护下经研磨得混合粉末；二、压制成坯体；三、将坯体与金属箔包覆结合并压制，装管后经热处理得PbMo6S8基超导块体。本发明采用金属箔作为PbMo6S8晶粒生长的基体，利用金属表面缺陷大幅度增加了PbMo6S8相形核点，获得细小稳定的PbMo6S8晶粒，有效细化晶粒尺寸，增强晶界连接性，提高晶界密度，实现了微结构的有效调控，提高了PbMo6S8基超导块体的密度，进而提高其在高场下的载流性能，本发明制备的PbMo6S8基超导块体晶粒尺寸细小、密度大、超导相含量高，为获得高载流性能的实用化PbMo6S8基超导线带材奠定了基础。

Description

一种PMS基超导块体的制备方法
技术领域
本发明属于超导制备技术领域，具体涉及一种PMS基超导块体的制备方法。
背景技术
随着超导磁体技术的飞速发展，稳态磁场强度日益增高，这对于磁体用超导材料各方面性能均提出了新的要求。目前，高场磁体用超导材料主要为工艺成熟稳定的低温超导材料NbTi和Nb3Sn。但这两类低温超导材料的本征上临界场(Hc2)分别为18T和25T，使其无法在目前受到广泛关注的30T以上高场磁体中获得实际应用。而高温超导材料尽管可以以内插线圈的形式获得应用，提高磁体的磁场强度，但是目前高温超导材料的制备技术尚不成熟，并且制备成本仍然较高。因此，开发新型高场磁体用超导材料对于超导磁体技术的进一步发展，以及推进超导材料的实用化进程具有极其重要的意义。
上世纪七十年代，Chevrel等人首次在以PbMo6S8体系为代表的AxMo6-xS6化合物中发现了超导电性，这是首次发现的三元超导化合物，进而将这种钼基硫族化合物称为Chevrel相。在这类材料中，Mo原子和S原子以Mo6S8的形式组成晶格单元，而Pb等A位元素位于Mo6S8单元的间隙中，对于整个体系的超导电性起着至关重要的作用。通过系统测量发现，PbMo6S8(缩写PMS)基超导材料的超导转变温度(Tc)为15K左右，并且具有较高的上临界场(Hc2(0)，60T)和非常小的各向异性，这都保证了该类材料在超导磁体中的应用。因此，PbMo6S8基超导材料有望成为下一代强磁场用实用化超导材料。
目前，PbMo6S8基超导材料因其严重的晶界弱连结，线带材的载流性能仍然较低。通过对目前制备技术进行分析发现传统烧结工艺条件下制备的PbMo6S8基超导材料致密度低，晶粒之间连接性差，这是导致体系载流性能较低的关键因素。因此，开发一种新型的PbMo6S8基超导材料制备技术，提高材料密度、细化晶粒尺寸，将可以在有效增强晶界连接性的同时，引入高密度晶界作为磁通钉扎中心，从而提高PbMo6S8基超导材料的性能。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供一种PMS基超导块体的制备方法。该方法通过采用金属箔作为PbMo6S8晶粒的生长基体促进PbMo6S8相形核，获得细小稳定的PbMo6S8晶粒，有效细化晶粒尺寸，增强晶界连接性，提高晶界密度，实现了微结构的有效调控，提高了PbMo6S8基超导块体的密度，进而提高其在高场下的载流性能。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种PMS基超导块体的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、在氩气保护的手套箱中，根据目标产物PbMo6S8基超导块体中Pb:Mo:S的原子比例选取原料，然后进行混合研磨，得到混合粉末；
步骤二、将步骤一中得到的混合粉末压制成坯体；
步骤三、将步骤二中得到的坯体与金属箔包覆结合并压制，然后装入石英管中进行真空封管，经热处理后得到PbMo6S8基超导块体。
本发明通过将原料粉末压制成坯体并与金属箔结合压制，使得后续热处理的烧结过程中金属箔作为PbMo6S8晶粒生长的基体，一方面，金属箔表面局部物理不均匀的区域，如微裂纹、细微的凹坑等缺陷促进了PbMo6S8相形核，且PbMo6S8晶粒沿着金属箔表面快速长大，从而获得细小的PbMo6S8晶粒，实现了烧结过程中细小PbMo6S8晶粒的稳定生成和存在，提高了PbMo6S8超导块体的密度；另一方面，细小的PbMo6S8晶粒形成更多的晶界，并使其成为磁通钉扎中心，显著提高了高场下PbMo6S8(缩写PMS)基超导块体的载流性能。
上述的一种PMS基超导块体的制备方法，其特征在于，步骤一中所述Pb:Mo:S的原子比例为(0.9～1.0):6:(7.2～8)。
上述的一种PMS基超导块体的制备方法，其特征在于，步骤三中所述金属箔的材质为铌、钼或钽，且表面光洁度等级为▽1～▽11。上述金属箔与PbMo6S8基超导块体之间不发生反应或反应很弱，保证了PbMo6S8相的质量，且不同表面光洁度等级的金属箔表面缺陷的尺寸、数量不同，对PbMo6S8相的形核生长具有不同影响，控制了晶粒细化效果及微结构调控能力。
上述的一种PMS基超导块体的制备方法，其特征在于，步骤三中所述热处理的温度为900℃～1200℃，时间为6h～100h。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明采用金属箔作为PbMo6S8晶粒生长的基体，利用金属表面缺陷大幅度增加了PbMo6S8相形核点，获得细小稳定的PbMo6S8晶粒，有效细化晶粒尺寸，增强晶界连接性，提高晶界密度，实现了微结构的有效调控，提高了PbMo6S8基超导块体的密度，进而提高其在高场下的载流性能。
2、相较于传统技术，本发明在金属箔基体上生成的PbMo6S8基超导块体晶粒细小，微观形貌易调控，且PbMo6S8相易由块状转变为更容易破碎的片层状，有利于获得更小尺寸的晶粒，进一步细化晶粒尺寸。
3、本发明制备的PbMo6S8基超导块体晶粒尺寸细小、密度大、超导相含量高，为获得高载流性能的实用化PbMo6S8基超导线带材奠定了基础。
4、本发明的制备工艺简单，所需设备易于获取，制备难度降低，易于实现应用。
下面通过附图和实施例对本发明的技术方案作进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图。
图2为本发明实施例1制备的PbMo6S8基超导块体的M-T曲线图。
图3为本发明对比例1制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图。
图4为本发明实施例2制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图。
图5为本发明实施例3制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图。
图6为本发明实施例4制备的PbMo6S8基超导块体的M-T曲线图。
图7为本发明实施例1与实施例5制备的PbMo6S8基超导块体的XRD图。
图8为本发明实施例6制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图。
图9为本发明实施例7制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图。
具体实施方式
实施例1
本实施例包括以下步骤：
步骤一、在氩气保护的手套箱中，根据目标产物PbMo6S8基超导块体中Pb:Mo:S的原子比例1:6:8，选取质量纯度均为99.99％以上、颗粒尺寸均大于200目的MoS2、Mo以及PbS为原料，然后倒入研钵中进行混合研磨30min以上，得到混合粉末；
步骤二、采用液压机通过压片将步骤一中得到的混合粉末压制成坯体；所述压制的压力为10MPa，保压时间为5min；
步骤三、将步骤二中得到的坯体用表面光洁度等级为▽3的铌箔包覆结合紧密并压制，然后装入石英管中进行真空封管，经热处理后得到PbMo6S8基超导块体；所述热处理的温度为950℃，时间为72h。
图1为本实施例制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图，从图1可知，该块体具有较细的晶粒尺寸，且晶粒多为片层状分布，晶粒尺寸在1μm左右。
图2为本实施例制备的PbMo6S8基超导块体的M-T曲线图，从图2可知，该M-T曲线即超导转变曲线陡峭，转变区间窄，说明PbMo6S8基超导块体的质量高，杂质含量少，超导相含量多，其超导开始转变温度为12.2K。
对比例1
本对比例与实施例1的不同之处为：步骤三中未采用铌箔作为基体。
图3为本对比例制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图，从图3可知，该块体中晶粒成块状分布，且比较疏松，晶粒尺寸为2μm～3μm。
将图1与图3进行比较可知，相较于对比例1，本发明实施例1制备的PbMo6S8基超导块体的晶粒尺寸减小，且其致密度也显著增加，说明本发明在金属箔上制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌、晶粒尺寸以及致密度均得到很大程度的改善。
实施例2
本实施例包括以下步骤：
步骤一、在氩气保护的手套箱中，根据目标产物PbMo6S8基超导块体中Pb:Mo:S的原子比例1:6:8，选取质量纯度均为99.99％以上、颗粒尺寸均大于200目的MoS2、Mo以及PbS为原料，然后倒入研钵中进行混合研磨30min以上，得到混合粉末；
步骤二、采用液压机通过压片将步骤一中得到的混合粉末压制成坯体；所述压制的压力为10MPa，保压时间为5min；
步骤三、将步骤二中得到的坯体用表面光洁度等级为▽11的铌箔包覆结合紧密并压制，然后装入石英管中进行真空封管，经热处理后得到PbMo6S8基超导块体；所述热处理的温度为950℃，时间为72h。
图4为本实施例制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图，从图4可知，该块体中的晶粒成块状分布，晶粒尺寸为1.5μm以下。
将图4与图1进行比较可知，实施例2制备的PbMo6S8基超导块体的晶粒尺寸较实施例1有所增大，说明随着基体铌箔表面光洁度的提高，其表面缺陷大幅度较少，导致PbMo6S8相形核点减少，晶粒细化效果及微结构调控能力减弱。
实施例3
本实施例包括以下步骤：
步骤一、在氩气保护的手套箱中，根据目标产物PbMo6S8基超导块体中Pb:Mo:S的原子比例1:6:8，选取质量纯度均为99.99％以上、颗粒尺寸均大于200目的MoS2、Mo以及PbS为原料，然后倒入研钵中进行混合研磨30min以上，得到混合粉末；
步骤二、采用液压机通过压片将步骤一中得到的混合粉末压制成坯体；所述压制的压力为10MPa，保压时间为5min；
步骤三、将步骤二中得到的坯体用表面光洁度等级为▽3的钼箔包覆结合紧密并压制，然后装入石英管中进行真空封管，经热处理后得到PbMo6S8基超导块体；所述热处理的温度为950℃，时间为72h。
图5为本实施例制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图，从图5可知，该块体中的晶粒成块状分布，晶粒尺寸在1μm以下，且具有较高的致密度。
将图5与图1进行比较可知，实施例3制备的PbMo6S8基超导块体的晶粒尺寸和致密度均较实施例1显著不同，说明不同的金属箔材质对PbMo6S8基超导块体微结构具有不同的调控作用。
实施例4
本实施例包括以下步骤：
步骤一、在氩气保护的手套箱中，根据目标产物PbMo6S8基超导块体中Pb:Mo:S的原子比例1:6:8，选取质量纯度均为99.99％以上、颗粒尺寸均大于200目的MoS2、Mo以及PbS为原料，然后倒入研钵中进行混合研磨30min以上，得到混合粉末；
步骤二、采用液压机通过压片将步骤一中得到的混合粉末压制成坯体；所述压制的压力为10MPa，保压时间为5min；
步骤三、将步骤二中得到的坯体用表面光洁度等级为▽3的铌箔包覆结合紧密并压制，然后装入石英管中进行真空封管，经热处理后得到PbMo6S8基超导块体；所述热处理的温度为1200℃，时间为12h。
图6为本实施例制备的PbMo6S8基超导块体的M-T曲线图，从图6可知，该块体的超导转变宽度窄，转变剧烈，其超导转变温度为11.8K。
将图6与图2进行比较可知，与实施例1相比，本实施例在高温下短时热处理得到的PbMo6S8基超导块体的超导转变温度有所降低。
实施例5
本实施例包括以下步骤：
步骤一、在氩气保护的手套箱中，根据目标产物PbMo6S8基超导块体中Pb:Mo:S的原子比例0.92:6:7.5，选取质量纯度均为99.99％以上、颗粒尺寸均大于200目的MoS2、Mo以及PbS为原料，然后倒入研钵中进行混合研磨30min以上，得到混合粉末；
步骤二、采用液压机通过压片将步骤一中得到的混合粉末压制成坯体；所述压制的压力为10MPa，保压时间为5min；
步骤三、将步骤二中得到的坯体用表面光洁度等级为▽3的铌箔包覆结合紧密并压制，然后装入石英管中进行真空封管，经热处理后得到PbMo6S8基超导块体；所述热处理的温度为1200℃，时间为12h。
图7为本发明实施例1与实施例5制备的PbMo6S8基超导块体的XRD图，从图7可知，相较于实施例1，实施例5制备的PbMo6S8基超导块体不仅具有细小的晶粒尺寸，还具有单一的相组成，即只有主相PbMo6S8相，没有MoS2、Pb等其他第二相，说明本发明通过调控PbMo6S8元素比例，有效控制PbMo6S8的相组成，得到高超导相含量的PbMo6S8基超导块体。
实施例6
本实施例包括以下步骤：
步骤一、在氩气保护的手套箱中，根据目标产物PbMo6S8基超导块体中Pb:Mo:S的原子比例0.9:6:7.2，选取质量纯度均为99.99％以上、颗粒尺寸均大于200目的MoS2、Mo以及PbS为原料，然后倒入研钵中进行混合研磨30min以上，得到混合粉末；
步骤二、采用液压机通过压片将步骤一中得到的混合粉末压制成坯体；所述压制的压力为10MPa，保压时间为5min；
步骤三、将步骤二中得到的坯体用表面光洁度等级为▽1的钽箔包覆结合并压制，然后装入石英管中进行真空封管，经热处理后得到PbMo6S8基超导块体；所述热处理的温度为900℃，时间为6h。
图8为本实施例制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图，由图8可知，该块体中的晶粒尺寸偏小，且存在许多细小的晶粒；另外，由于保温时间较短，导致其晶粒生长不充分。
实施例7
本实施例包括以下步骤：
步骤一、在氩气保护的手套箱中，根据目标产物PbMo6S8基超导块体中Pb:Mo:S的原子比例0.9:6:7.2，选取质量纯度均为99.99％以上、颗粒尺寸均大于200目的MoS2、Mo以及PbS为原料，然后倒入研钵中进行混合研磨30min以上，得到混合粉末；
步骤二、采用液压机通过压片将步骤一中得到的混合粉末压制成坯体；所述压制的压力为10MPa，保压时间为5min；
步骤三、将步骤二中得到的坯体用表面光洁度等级为▽1的钽箔包覆结合并压制，然后装入石英管中进行真空封管，经热处理后得到PbMo6S8基超导块体；所述热处理的温度为900℃，时间为100h。
图9为本实施例制备的PbMo6S8基超导块体的微观形貌图，相比于实施例6的图8，本实施例制备的块体经100h保温后，其晶粒尺寸明显增加，且均匀性变差。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例，并非对本发明作任何限制。凡是根据发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。

Claims (1)

1.一种PMS基超导块体的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、在氩气保护的手套箱中，根据目标产物PbMo6S8基超导块体中Pb:Mo:S的原子比例选取原料，然后进行混合研磨，得到混合粉末；所述Pb:Mo:S的原子比例为（0.9~1.0）:6:（7.2~8）；
步骤二、将步骤一中得到的混合粉末压制成坯体；
步骤三、将步骤二中得到的坯体与金属箔包覆结合并压制，然后装入石英管中进行真空封管，经热处理后得到PbMo6S8基超导块体；所述金属箔的材质为铌、钼或钽，且表面光洁度等级为▽1~▽11；所述热处理的温度为900℃~1200℃，时间为大于6h且小于100h。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3525150A (en) * 1966-01-05 1970-08-25 Philips Corp Method of preparing a superconducting material
US4746373A (en) * 1985-05-16 1988-05-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing compound superconductors
JPH04162504A (ja) * 1990-10-24 1992-06-08 Mitsubishi Electric Corp 超電導マグネット
US5187148A (en) * 1990-03-02 1993-02-16 Sumitomo Electric Industries Apparatus for preparing oxide superconducting film
CN1650440A (zh) * 2002-05-02 2005-08-03 达拉谟大学 高磁场超导体
WO2011021990A1 (ru) * 2009-08-17 2011-02-24 Smirnov Yuriy Iosifovitch Способ изготовления композиционного материала на основе меди для электрических контактов
CN111554505A (zh) * 2020-05-26 2020-08-18 福建师范大学 一种PbMo6S8超导线材的制备方法
CN111547769A (zh) * 2020-05-26 2020-08-18 福建师范大学 一种高致密度psms超导带材的制备方法
CN111559915A (zh) * 2019-11-18 2020-08-21 天津科技大学 一种具有高晶粒间连接性石墨烯/FeSe复合材料及制备方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3525150A (en) * 1966-01-05 1970-08-25 Philips Corp Method of preparing a superconducting material
US4746373A (en) * 1985-05-16 1988-05-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing compound superconductors
US5187148A (en) * 1990-03-02 1993-02-16 Sumitomo Electric Industries Apparatus for preparing oxide superconducting film
JPH04162504A (ja) * 1990-10-24 1992-06-08 Mitsubishi Electric Corp 超電導マグネット
CN1650440A (zh) * 2002-05-02 2005-08-03 达拉谟大学 高磁场超导体
WO2011021990A1 (ru) * 2009-08-17 2011-02-24 Smirnov Yuriy Iosifovitch Способ изготовления композиционного материала на основе меди для электрических контактов
CN111559915A (zh) * 2019-11-18 2020-08-21 天津科技大学 一种具有高晶粒间连接性石墨烯/FeSe复合材料及制备方法
CN111554505A (zh) * 2020-05-26 2020-08-18 福建师范大学 一种PbMo6S8超导线材的制备方法
CN111547769A (zh) * 2020-05-26 2020-08-18 福建师范大学 一种高致密度psms超导带材的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Mo-Nb合金单晶的高温力学性能;胡忠武;李中奎;殷涛;郭林江;张清;郑剑平;;稀有金属(第01期);全文 *
热处理温度对MgB_2超导材料的超导电性及微观结构的影响;闫果;冯勇;卢亚锋;张平祥;周廉;吴晓京;闻海虎;;低温物理学报(第S1期);全文 *

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